JP2009167520A - シャワーヘッド及びこれを備える化学気相蒸着装置 - Google Patents

シャワーヘッド及びこれを備える化学気相蒸着装置 Download PDF

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Abstract

【課題】本発明は、シャワーヘッド及びこれを備える化学気相蒸着装置に関する。
【解決手段】本発明の一実施例によるシャワーヘッドは、反応チャンバーの内部に第１反応ガスが供給されるようにする少なくとも１つのガス管を備える第１ヘッドと、上記ガス管が貫通する所定大きさのホールを備える第２ヘッドと、上記ホールを貫通した上記ガス管と上記ホールの間に形成され上記反応チャンバーの内部に第２反応ガスが供給されるようにするガス流路を含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、シャワーヘッド及びこれを備える化学気相蒸着装置に関するもので、より詳細には反応ガスの噴射構造を改善したシャワーヘッド及びこれを備える化学気相蒸着装置に関するものである。
一般的に、化学気相蒸着（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）は、反応チャンバー内に供給された反応ガスが加熱されたウェーハの上部表面で化学反応を通じ薄膜を成長させることである。このような薄膜成長法は、液状成長法に比べ成長させた結晶の品質は優れるが、結晶の成長速度が相対的に遅いという短所がある。これを克服するために、一回の成長サイクルで数枚の基板上に同時に成長を行う方法が広く採択されている。
一般的な化学気相蒸着装置は、所定大きさの内部空間を有する反応チャンバーと、その内部空間に設けれ蒸着対象物であるウェーハを搭載するサセプターと、上記サセプターと隣接するように備えられ所定の熱を加える加熱手段と、上記サセプターが搭載するウェーハに反応ガスを噴射するシャワーヘッドを含んで構成される。
本発明の目的は、ヘッド間の組立工程を単純化し、組立にかかる時間を減らして作業生産性を向上させ、製造費用を節減することができるシャワーヘッドを提供することにある。
また、本発明の他の目的は、異なる反応ガスの混合時発生する過流発生を最小化し、ヘッドの下部面での寄生蒸着を抑えることができるシャワーヘッドを提供することにある。
また、本発明のさらに他の目的は、異なる反応ガスが混合される混合区間の長さを短縮し反応チャンバーの高さを低め、装置の全体体積を小型化することができる化学気相蒸着装置を提供することにある。
本発明の一実施例によるシャワーヘッドは、反応チャンバーの内部に第１反応ガスが供給されるようにする少なくとも１つのガス管を備える第１ヘッドと、上記ガス管が貫通する所定大きさのホールを備える第２ヘッドと、上記ホールを貫通した上記ガス管と上記ホールの間に形成され上記反応チャンバーの内部に第２反応ガスが供給されるようにするガス流路を含む。
また、上記ガス流路は、上記ホールの内面と上記ガス管の外面の間に形成された所定大きさの間隔を含むことを特徴とする。
また、上記ガス管の中心と上記ホールの中心が実質的に一致するようにしたことを特徴とする。
また、上記ガス管の下端と上記ホールの下端は実質的に同一の水平レベルに配置されることを特徴とする。
また、上記ガス管の厚さを変更させることにより上記第１反応ガスと第２反応ガスが混合される混合区間の長さを変更させることができることを特徴とする。
また、上記ガス管は、上記第１反応ガスを噴射するように少なくとも１つのガス噴射孔を備える中空部材を含むことを特徴とする。
また、上記第１ヘッド及び上記第２ヘッドの間に備えられ、上記ガス管が挿入されるように所定の内部空間を有する供給管を備える第３ヘッドと、上記供給管と上記ガス管の間に形成され上記反応チャンバーの内部に第３反応ガスを供給する供給流路をさらに含むことを特徴とする。
また、上記供給管の外面と上記ホールの間には上記ガス流路が形成され、上記供給管の内面と上記ガス管の内面の間には上記供給流路が形成されることを特徴とする。
また、上記ガス管の中心、上記ホールの中心および上記供給管の中心は実質的に一致するようにしたことを特徴とする。
また、上記ガス管の厚さ及び上記供給管の厚さを夫々変更させることにより上記第１反応ガス、上記第２反応ガスおよび上記第３反応ガスが相互混合される混合区間の長さを変更させることができるようにしたことを特徴とする。
一方、本発明による化学気相蒸着装置は、反応チャンバーと、上記反応チャンバーの内部に第１反応ガスが供給されるようにする少なくとも１つのガス管を備える第１ヘッドと、上記ガス管が貫通する所定大きさのホールを備える第２ヘッドと、上記ホールを貫通した上記ガス管と上記ホールの間に形成され上記反応チャンバーの内部に第２反応ガスが供給されるようにするガス流路を含む。
また、上記ガス流路は、上記ホールの内面と上記ガス管の外面の間に形成された所定大きさの間隔を含むことを特徴とする。
また、上記ガス管の中心と上記ホールの中心が実質的に一致するようにしたことを特徴とする。
また、上記ガス管の厚さを変更させることにより上記第１反応ガスと第２反応ガスが混合される混合区間の長さを変更させることができることを特徴とする。
また、上記ガス管は、上記第１反応ガスを噴射するように少なくとも１つのガス噴射孔を備える中空部材を含むことを特徴とする。
また、上記第１ヘッド及び上記第２ヘッドの間に備えられ、上記ガス管が挿入されるように所定の内部空間を有する供給管を備える第３ヘッドと、上記供給管と上記ガス管の間に形成され上記反応チャンバーの内部に第３反応ガスを供給する供給流路をさらに含むことを特徴とする。
また、上記供給管の外面と上記ホールの間には上記ガス流路が形成され、上記供給管の内面と上記ガス管の内面の間には上記供給流路が形成されることを特徴とする。
また、上記ガス管の中心、上記ホールの中心および上記供給管の中心は実質的に一致するようにしたことを特徴とする。
また、上記ガス管の厚さ及び上記供給管の厚さを夫々変更させることにより上記第１反応ガス、上記第２反応ガスおよび上記第３反応ガスが相互混合される混合区間の長さを変更させることができるようにしたことを特徴とする。
上記の構成の本発明によると、第１ヘッドのガス通路と第２ヘッドのホールの間に間隔を形成するように組立てられることによりヘッド間の組立工程を単純化し、組立にかかる時間を減らすことができるため、作業生産性を向上させ、製造費用を節減することができる。
また、異なる反応ガスが混合される混合区間の長さを短縮することにより第２ヘッドとサセプター間の上下間隔を減らすことができるため、反応チャンバーの全体高さを低め、装置の小型化設計を可能にすることができ、反応ガスの消耗量を減らすと共に均一なガス流動の流れを確保し、均一な品質の成長層を得ることができる。
そして、異なる反応ガスが一定距離の後に相互混合されることにより、ヘッドの下部面で過流が発生することを最小化することができるため、ヘッドの下部面での寄生蒸着を抑えることができる効果が得られる。
以下、本発明に対して添付の図面に従ってより詳細に説明する。
図１は、本発明によるシャワーヘッドを備える化学気相蒸着装置の実施例を図示した断面図で、図２は本発明によるシャワーヘッドを図示した分解斜視図で、図３は図２のＢ部分に対する断面図である。
本発明の実施例による装置１００は、図１乃至３に図示したように、反応チャンバー１１０、サセプター１２０、加熱手段１３０及びシャワーヘッド２００を含む。
上記反応チャンバー１１０は、その内部に流入された反応ガスと蒸着対象物であるウェーハ２の化学的気相反応が行われるように所定大きさの内部空間を提供し、内部面には高温雰囲気に耐えられるように断熱材が備えられることもできる。
このような反応チャンバー１１０には、上記ウェーハ２との化学的気相反応が終了された廃ガスを外部に排出するための排気口１１９を備える。
上記サセプター１２０は、上記ウェーハ２が搭載されたポケットを上部面に少なくとも１つ以上陥没して形成し上記反応チャンバー１１０の内部に配置されるウェーハの支持構造物である。
このような上記サセプター１２０は、グラファイト（ｇｒａｐｈｉｔｅ）を素材にし円盤形態で備えられ、下部面の真ん中には不図示の駆動モータと連結される回転軸を備えることにより上記ウェーハ２が搭載されたサセプター１２０は、上記駆動モータの回転動力により一方向に大略５乃至５０ｒｐｍの均一な速度で一定に回転されることができる。
上記加熱手段１３０は、上記ウェーハ２が搭載されるサセプター１２０の下部面の辺りに配置され上記サセプター１２０に熱を提供し、上記ウェーハ２を過熱する。
このような加熱手段１３０は電気ヒーター、高周波誘導、赤外線放射、レーザー等のうち、いずれかで備えられることができる。
そして、上記反応チャンバー１１０には、上記サセプター１２０の外部面か上記加熱手段１３０に近接するように配置され上記反応チャンバー１１０の内部雰囲気温度を随時測定し、測定値に基づき加熱温度を調節することができるように温度センサー（不図示）を備えることが好ましい。
一方、上記シャワーヘッド２００は、上記サセプター１２０に搭載されたウェーハ２上に少なくとも１種類以上の反応ガスを噴射し上記反応ガスがウェーハ２に均一に接触することができるように反応チャンバー１１０の上部に設けられる構造物で、このようなシャワーヘッド２００は第１ヘッド２１０と、第２ヘッド２２０を含む。
上記第１ヘッド２１０は、第１反応ガスＧ１が供給される第１供給ライン２０１と連結され上記第１供給ライン２０１を通じ第１反応ガスＧ１が内部空間を埋める構造物である。
このような第１ヘッド２１０の下部面には、一定長さを有するガス管２１５が少なくとも１つ備えられ、上記ガス管２１５を通じ第１反応ガスＧ１が反応チャンバー１１０の内部に噴射されるようにする。
図１乃至図５では、第１ヘッド２１０がガス管２１５を複数備えた場合に関して図示している。
上記第２ヘッド２２０には、上記ガス管２１５が挿入されることができるように所定大きさのホール２２５が設けられる。
図１乃至図３に図示された実施例では、上記第１ヘッド２１０と第２ヘッド２２０が上記反応チャンバー１１０の上部に設けられたものに関して示し、これらの間は、スペーサー２０３により上下間隔を維持しながら所定大きさの内部空間を形成する。
上記スペーサー２０３により形成された内部空間は、第２供給ライン２０２と連通され、上記第２供給ライン２０２を通じ第２反応ガスＧ２が反応チャンバー１１０の内部に供給される。
そして、図１乃至図３に図示されたように、上記第１ヘッド２１０と第２ヘッド２２０は上記ガス管２１５が上記ホール２２５を貫通するように配置されるが、上記ガス管２１５の外面と上記ホール２２５の間には所定の間隔が形成される。
即ち、上記ガス管２１５と上記ホール２２５の間には所定の間隔が形成され、この間隔は上記第２供給ライン２０２を通じ供給される第２反応ガスＧ２が反応チャンバー１１０の内部に供給されることができるようにするガス流路Ｐを形成する。
従って、上記第１ヘッド２１０の第１供給ライン２０１を通じ供給される第１反応ガスＧ１はガス管２１５を通じ反応チャンバー１１０の内部に供給され、上記第２供給ライン２０２を通じ供給される第２反応ガスＧ２は上記ガス流路Ｐを通じ反応チャンバー１１０に供給され、上記ガス管２１５及び上記ホール２２５の下方の空間で混合される。
ここで、ガス管２１５またはホール２２５の下とサセプター１２０の間に設けられた空間は、上記ガス管２１５を通じ供給される第１反応ガスＧ１と上記ガス流路Ｐを通じ供給される第２反応ガスＧ２が相互混合される混合区間である。
従って、上記第１ヘッド２１０の内部に供給された第１反応ガスＧ１は、ガス管２１５を通じ反応チャンバー１１０の内部に噴射され、上記第１ヘッド２１０と第２ヘッド２２０の間の空間を通じ供給された第２反応ガスＧ２は上記ガス管２１５と上記ホール２２５の間に形成されるガス流路Ｐを通じ反応チャンバー１１０の内部に供給され、反応チャンバー１１０の内部に供給される第１反応ガスＧ１と第２反応ガスＧ２は混合区間で相互混合される。
また、上記第１ヘッド２１０と第２ヘッド２２０の組立時、上記第１ヘッド２１０のガス管２１５が第２ヘッド２２０のホール２２５につかえることなく簡単に挿入され配置されることにより、従来のような高い精密度を求めず、溶接作業が不必要であるため、作業者の作業負担を減らし組立工程を単純化して組立時間を短縮することができる。
ここで、上記第１ヘッド２１０に備えられるガス管２１５は上記第２ヘッド２２０に備えられるホール２２５の形成数と同じ数で備えられることが好ましい。
そして、上記ガス管２１５の中心と上記ホール２２５の中心を相互一致させることにより、上記間隔Ｗを通じた第２反応ガスＧ２の噴射がより均一に行われることができる。
また、上記ガス管２１５の下部端と上記ホール２２５の下部端は、上記第２ヘッド２２０の下部面と実質的に同一の位置に配置されるようにすることで、ガス流路Ｐを通じて噴射される第２反応ガスＧ２と上記ガス管２１５を通じて噴射される第１反応ガスＧ１間の混合がより円滑に行われることができる。
一方、図３に図示されたように、上記ガス管２１５で噴射される第１反応ガスＧ１と上記ガス流路Ｐで噴射される第２反応ガスＧ２間の混合区間の長さＭＬは、上記ホール２２５に配置されたガス管２１５の厚さＴを変化させることにより下部に長く延長するか、短く変更することができる。
即ち、上記ガス流路Ｐの間隔Ｗを一定に維持した状態で上記ガス管２１５の厚さＴを厚くすると、上記ガス管を通じた第１反応ガスＧ１の噴射面積が狭くなると共に噴射角度が小さくなりガス噴射速度が速くなるため、上記ガス流路Ｐを通じて噴射される第２反応ガスＧ２との混合区間の長さがさらに長くなる。
即ち、第１反応ガスＧ１と第２反応ガスＧ２が十分混合されるのに必要な区間がさらに長くなる。
反対に、上記ガス流路Ｐの間隔Ｗを一定に維持した状態で上記ガス管２１５の厚さＴを薄くすると、上記ガス管２１５を通じた第１反応ガスＧ１の噴射面積が広くなると共に噴射角度が大きくなりガス噴射速度が遅くなるため、上記ガス流路Ｐを通じて噴射される第２反応ガスＧ２との混合区間の長さがさらに短くなる。
即ち、第１反応ガスＧ１と第２反応ガスＧ２が十分混合されるのに必要な区間がさらに短くなる。
従って、ガス管２１５の厚さを薄くすることにより、上記第２ヘッド２２０とサセプター１２０間の上下間隔を減らし上記反応チャンバー１１０の全体高さを低め、装置の小型化設計を可能にすることができる一方、反応ガスの消耗量を減らすと共に均一なガス流動の流れを確保して均一な品質の成長層を得ることができる。
そして、上記第１反応ガスＧ１と第２反応ガスＧ２が一定距離の後に相互混合されることにより、ガス管２１５の下部端か、第２ヘッド２２０の下部面で寄生蒸着が発生することを防ぐことができる。
また、図１及び図３に図示されたように、上記ガス管２１５の下端と上記ホール２２５の下端は、実質的に同一の水平レベルをなすように配置され、これにより上記ガス管２１５を通じ供給される第１反応ガスＧ１と上記ホール２２５のガス流路Ｐを通じ供給される第２反応ガスＧ２の混合効率がより向上されることができる。このような事項は後述する図４に図示された実施例の場合も同様である。
一方、図４は本発明によるシャワーヘッドの他の実施例を図示した断面図で、図４に図示されたように、本発明の他の実施例によるシャワーヘッド２００ａは、上記第１ヘッド２１０と上記第２ヘッド２２０の間に第３反応ガスＧ３を供給する第３ヘッド２３０を含む。
上記第３ヘッド２３０は、上記第１ヘッド２１０に備えられたガス管２１５と対応する領域に供給管２３５を備え、このような供給管２３５は上記第３ヘッド２３０に貫通して形成された貫通ホール２３１に挿入され固定されるか、上記貫通ホール２３１と連通されるように第３ヘッド２３０の下部面に溶接方式で固定設置される。
上記第１ヘッド２１０のガス管２１５は、上記第３ヘッド２３０の供給管２３５に挿入配置され、上記供給管２３５に挿入して配置されるガス管２１５の外部面と上記供給管２３５の内部面との間には、上記第１ヘッド２１０と第３ヘッド２３０の間に供給された第３反応ガスが反応チャンバー１１０の内部に供給されることができるように所定大きさの間隔Ｗ１、即ち、供給流路Ｓが設けられる。また、上記第３ヘッド２３０の供給管２３５は上記第２ヘッド２２０のホール２２５に挿入して配置され、上記ホール２２５に挿入して配置される供給管２３５の外部面と上記ホール２２５の内部面の間には、上記第３ヘッド２３０と第２ヘッド２２０の間に供給された第２反応ガスＧ２が噴射される一定サイズの間隔Ｗ２、即ち、ガス流路Ｐが設けられる。
ここで、上記第１ヘッド２１０に備えられるガス管２１５は、上記第２ヘッド２２０に備えられるホール２２５の形成数及び上記第３ヘッド２３０の供給管２３５の形成数と相互実質的に同一数で備えられることが好ましい。
そして、上記ガス管２１５の中心と上記ホール２２５の中心及び上記供給管２３５の中心を実質的に一致させることにより、上記ガス流路Ｐ及び供給流路Ｓを通じた第２反応ガスＧ２と第３反応ガスＧ３の噴射がより均一に行われることができる。
また、上記ガス管２１５の下部端と上記ホール２２５の下部端及び上記供給管２３５の下部端は、上記第２ヘッド２２０の下部面と実質的に同一の位置に配置させることにより、上記ガス流路Ｐ及び供給流路Ｓを通じて噴射される第２、３反応ガスと上記ガス管２１５を通じて噴射される第１反応ガスＧ１間の混合がより円滑に行われることができるようにする。
そして、上記ガス管２１５から噴射される第１反応ガスＧ１と上記ガス流路Ｐ及び供給流路Ｓを通じて噴射される第２、３反応ガス間の混合区間の長さは、上記ホール２２５に配置された供給管２３５の厚さと上記供給管２３５に挿入して配置されたガス管２１５の厚さを変化させることにより、下部に長く延長するか、短く変更することができる。
上記第１ヘッド２１０に備えられるガス管２１５は、図５（ａ）に図示したように、一定長さの中空円筒部材からなることができるが、上記中空円筒部材は、１つ以上のガス噴射孔２１６、２１６ａ、２１６ｂを含むことが好ましい。図５（ｃ）ではガス噴射孔２１６ｂが複数備えられた場合に関して図示している。
図５（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）に図示された円筒部材に関する事項は、必ずガス管２１５にのみ限られるものではなく、供給管２３５に対しても実質的に同一に適用される。従って、供給管２３５に関する具体的な説明はガス管２１５に関する説明に代える。
本発明は特定の実施例に関して図示し説明したが、当業界において通常の知識を有する者であれば、上記の特許請求範囲に記載の本発明の思想及び領域から外れない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させることができる。
なお、反応チャンバー１１０は、第１ヘッド２１０と、第２ヘッド２２０と、サセプター１２０と、サセプター１２０を回転させる回転軸と、加熱手段１３０とを備えてもよい。また、第１供給ライン２０１を通じ供給された第１反応ガスＧ１および第２供給ライン２０２を通じ供給された第２反応ガスＧ２は、ともにサセプター１２０に向けて噴射されてもよい。この場合、第１反応ガスＧ１を噴出するガス管２１５および第２反応ガスＧ２を噴出するガス流路Ｐの噴出口は、サセプター１２０の方向に向けられていることが好ましい。また、ガス管２１５の噴出口とガス流路Ｐの噴出口とは交互に並べられていてもよい。
本発明によるシャワーヘッドを備える化学気相蒸着装置の実施例を図示した断面図である。 本発明によるシャワーヘッドの実施例を図示した分解斜視図である。 図２のＢ部分に対する断面図である。 本発明によるシャワーヘッドの他の実施例を図示した断面図である。 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明によるシャワーヘッドに採用されるガス通路を図示した斜視図である。
符号の説明
１１０ 反応チャンバー
１２０ サセプター
１３０ 加熱手段
２００ シャワーヘッド
２１０ 第１ヘッド
２１５ ガス管
２２０ 第２ヘッド
２２５ ホール
２３０ 第３ヘッド
２３５ 供給管
Ｐ ガス流路
ＭＬ 混合区間の長さ
Ｓ 供給流路

Claims (20)

  1. 反応チャンバーの内部に第１反応ガスが供給されるようにする少なくとも１つのガス管を備える第１ヘッドと、
    前記ガス管が貫通する所定大きさのホールを備える第２ヘッドと、
    前記ホールを貫通した前記ガス管と前記ホールの間に形成され前記反応チャンバーの内部に第２反応ガスが供給されるようにするガス流路を含むシャワーヘッド。
  2. 前記ガス流路は、前記ホールの内面と前記ガス管の外面の間に形成された所定大きさの間隔を含むことを特徴とする請求項１に記載のシャワーヘッド。
  3. 前記ガス管の中心と前記ホールの中心が実質的に一致するようにしたことを特徴とする請求項１に記載のシャワーヘッド。
  4. 前記ガス管の下端と前記ホールの下端は、実質的に同一の水平レベルに配置されることを特徴とする請求項１に記載のシャワーヘッド。
  5. 前記ガス管の厚さを変更させることにより、前記第１反応ガスと第２反応ガスが混合される混合区間の長さを変更させることができることを特徴とする請求項１に記載のシャワーヘッド。
  6. 前記ガス管は、前記第１反応ガスを噴射するように少なくとも１つのガス噴射孔を備える中空部材を含むことを特徴とする請求項１に記載のシャワーヘッド。
  7. 前記第１ヘッド及び前記第２ヘッドの間に備えられ、前記ガス管が挿入されるように所定の内部空間を有する供給管を備える第３ヘッドと、
    前記供給管と前記ガス管の間に形成され前記反応チャンバーの内部に第３反応ガスを供給する供給流路をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のシャワーヘッド。
  8. 前記供給管の外面と前記ホールの間には前記ガス流路が形成され、前記供給管の内面と前記ガス管の内面の間には前記供給流路が形成されることを特徴とする請求項７に記載のシャワーヘッド。
  9. 前記ガス管の中心、前記ホールの中心および前記供給管の中心は実質的に一致するようにしたことを特徴とする請求項７に記載のシャワーヘッド。
  10. 前記ガス管の厚さ及び前記供給管の厚さを夫々変更させることにより前記第１反応ガス、前記第２反応ガスおよび前記第３反応ガスが相互混合される混合区間の長さを変更させることができるようにしたことを特徴とする請求項７に記載のシャワーヘッド。
  11. 反応チャンバーと、
    前記反応チャンバーの内部に第１反応ガスが供給されるようにする少なくとも１つのガス管を備える第１ヘッドと、
    前記ガス管が貫通する所定大きさのホールを備える第２ヘッドと、
    前記ホールを貫通した前記ガス管と前記ホールの間に形成され前記反応チャンバーの内部に第２反応ガスが供給されるようにするガス流路を含む化学気相蒸着装置。
  12. 前記ガス流路は、前記ホールの内面と前記ガス管の外面の間に形成された所定大きさの間隔を含むことを特徴とする請求項１１に記載の化学気相蒸着装置。
  13. 前記ガス管の中心と前記ホールの中心が実質的に一致するようにしたことを特徴とする請求項１１に記載の化学気相蒸着装置。
  14. 前記ガス管の厚さを変更させることにより、前記第１反応ガスと第２反応ガスが混合される混合区間の長さを変更させることができることを特徴とする請求項１１に記載の化学気相蒸着装置。
  15. 前記ガス管は、前記第１反応ガスを噴射するように少なくとも１つのガス噴射孔を備える中空部材を含むことを特徴とする請求項１１に記載の化学気相蒸着装置。
  16. 前記第１ヘッド及び前記第２ヘッドの間に備えられ、前記ガス管が挿入されるように所定の内部空間を有する供給管を備える第３ヘッドと、
    前記供給管と前記ガス管の間に形成され前記反応チャンバーの内部に第３反応ガスを供給する供給流路をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の化学気相蒸着装置。
  17. 前記供給管の外面と前記ホールの間には前記ガス流路が形成され、前記供給管の内面と前記ガス管の内面の間には前記供給流路が形成されることを特徴とする請求項１６に記載の化学気相蒸着装置。
  18. 前記ガス管の中心、前記ホールの中心および前記供給管の中心は実質的に一致するようにしたことを特徴とする請求項１６に記載の化学気相蒸着装置。
  19. 前記ガス管の厚さ及び前記供給管の厚さを夫々変更させることにより前記第１反応ガス、前記第２反応ガスおよび前記第３反応ガスが相互混合される混合区間の長さを変更させることができるようにしたことを特徴とする請求項１６に記載の化学気相蒸着装置。
  20. 前記ガス管の下端と前記ホールの下端は、実質的に同一の水平レベルに配置されることを特徴とする請求項１１に記載の化学気相蒸着装置。
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