JP2002151496A - 陰極に接地コンデンサを有する多重周波数プラズマチャンバ - Google Patents
陰極に接地コンデンサを有する多重周波数プラズマチャンバInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマチャンバ内の第１の電極および第２
の電極がそれぞれ低周波数ＲＦ電源および高周波数ＲＦ
電源に接続される、電子ワークピースを製造するための
装置および方法を提供する。 【解決手段】 少なくとも１つのコンデンサ５０〜５４
が第１の電極と電気接地との間に接続される。１つ以上
のコンデンサによって、高周波ＲＦ出力が、２電極１
２、２０間すぐの領域の外側にあるいかなるプラズマと
も結合することが減少または排除される。結果的に、発
明は２電極間の領域にＲＦ出力をより集中させることに
よって、プラズマ処理能力を向上することが可能であ
る。
の電極がそれぞれ低周波数ＲＦ電源および高周波数ＲＦ
電源に接続される、電子ワークピースを製造するための
装置および方法を提供する。 【解決手段】 少なくとも１つのコンデンサ５０〜５４
が第１の電極と電気接地との間に接続される。１つ以上
のコンデンサによって、高周波ＲＦ出力が、２電極１
２、２０間すぐの領域の外側にあるいかなるプラズマと
も結合することが減少または排除される。結果的に、発
明は２電極間の領域にＲＦ出力をより集中させることに
よって、プラズマ処理能力を向上することが可能であ
る。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の分野】本発明は一般に、陽極と陰極との電極間
に印加されるＲＦ電力によって中でプラズマが励起され
る、電子基板製造用のプラズマチャンバに関する。より
具体的には、本発明は、陽極と陰極とが異なる周波数で
ＲＦ電力を受け、かつ、コンデンサが陰極電極と電気接
地との間で接続されているようなチャンバに関する。
に印加されるＲＦ電力によって中でプラズマが励起され
る、電子基板製造用のプラズマチャンバに関する。より
具体的には、本発明は、陽極と陰極とが異なる周波数で
ＲＦ電力を受け、かつ、コンデンサが陰極電極と電気接
地との間で接続されているようなチャンバに関する。
【０００２】
【発明の背景】フラットパネル・ディスプレイや集積回
路などの電子デバイスは一般に、基板上に層が堆積され
て、その堆積された材料が所望のパターンにエッチング
される一連の処理ステップにより製造される。処理ステ
ップは普通、プラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）処理とプ
ラズマエッチング処理とを含む。
路などの電子デバイスは一般に、基板上に層が堆積され
て、その堆積された材料が所望のパターンにエッチング
される一連の処理ステップにより製造される。処理ステ
ップは普通、プラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）処理とプ
ラズマエッチング処理とを含む。
【０００３】プラズマ処理には、プラズマチャンバと呼
ばれる真空チャンバに処理ガス混合体を供給するステッ
プと、次に電力または電磁力を印加して処理ガスをプラ
ズマ状態に励起するステップとが必要とされる。プラズ
マはガス混合体を、所望の堆積処理またはエッチング処
理を行なうイオン種に分解する。
ばれる真空チャンバに処理ガス混合体を供給するステッ
プと、次に電力または電磁力を印加して処理ガスをプラ
ズマ状態に励起するステップとが必要とされる。プラズ
マはガス混合体を、所望の堆積処理またはエッチング処
理を行なうイオン種に分解する。
【０００４】容量励起されたプロセスチャンバでは、陽
極と陰極との電極間に印加されたＲＦ電力によってプラ
ズマが励起される。一般に基板は、陰極電極として機能
するペデスタルまたはサセプタ上に設置され、陽極電極
が基板から短距離かつ平行に設置される。
極と陰極との電極間に印加されたＲＦ電力によってプラ
ズマが励起される。一般に基板は、陰極電極として機能
するペデスタルまたはサセプタ上に設置され、陽極電極
が基板から短距離かつ平行に設置される。
【０００５】一般に陽極電極はまた、チャンバに処理ガ
ス混合体を供給するガス分配プレートとしても機能す
る。陽極電極は、処理ガス混合体がそこを通って陽極と
陰極との間の隙間に流れる、数百または数千の開口部に
よって貫通している。開口部は、基板に隣接する処理ガ
ス混合体の空間均一性を最大にするよう、ガス分配プレ
ートの表面を隔てて間隔を開けられている。そのような
ガス分配プレートは、一般に「シャワー・ヘッド」と呼
ばれ、１９８９年８月８日にＣｈａｎｇらに発行され、
譲受人に譲渡された米国特許第４，８５４，２６３号の
中に記述されている。
ス混合体を供給するガス分配プレートとしても機能す
る。陽極電極は、処理ガス混合体がそこを通って陽極と
陰極との間の隙間に流れる、数百または数千の開口部に
よって貫通している。開口部は、基板に隣接する処理ガ
ス混合体の空間均一性を最大にするよう、ガス分配プレ
ートの表面を隔てて間隔を開けられている。そのような
ガス分配プレートは、一般に「シャワー・ヘッド」と呼
ばれ、１９８９年８月８日にＣｈａｎｇらに発行され、
譲受人に譲渡された米国特許第４，８５４，２６３号の
中に記述されている。
【０００６】プラズマのＲＦ励起は、２電極のうち１つ
（すなわち陽極または陰極のいずれか）をＲＦ電源の出
力へ接続し、別の電極を電気接地に接続することにより
実現する。しかし、多くの通常使用されるプラズマＣＶ
Ｄおよびエッチング処理では、陽極電極に接続された高
周波ＲＦ電源と陰極電極に接続された低周波ＲＦ電源
（またはその逆）によって、２つの異なる周波数で同時
にＲＦ励起することが求められる。
（すなわち陽極または陰極のいずれか）をＲＦ電源の出
力へ接続し、別の電極を電気接地に接続することにより
実現する。しかし、多くの通常使用されるプラズマＣＶ
Ｄおよびエッチング処理では、陽極電極に接続された高
周波ＲＦ電源と陰極電極に接続された低周波ＲＦ電源
（またはその逆）によって、２つの異なる周波数で同時
にＲＦ励起することが求められる。
【０００７】陰極電極（サセプタ）と陽極電極（ガス分
配プレート）とを接続して電源を分離し、いずれの電極
も電気的に接地させないようにすると、これら電極の１
つと、電気的に接地されたチャンバ壁といった電気的に
接地されたチャンバ要素との間でＲＦ電力が結合するこ
とがあり、そのため処理能力が低下する危険性があるこ
とを我々は見出した。これは、ＲＦ電力が所望のプラズ
マＣＶＤ処理またはエッチング処理を行なう必要のあ
る、サセプタとガス分配プレート間の領域からＲＦ電力
を外してしまう。窒化シリコンや酸化シリコンなどの膜
を堆積するＣＶＤ処理の場合、サセプタ背後またはサセ
プタに並ぶプラズマにこのようなＲＦ電力の進路変更が
起こると、引張り膜応力、低密度、および過剰な水素含
量など、望ましくない特性を持つ膜が作り出される危険
性があることを我々は見出した。
配プレート）とを接続して電源を分離し、いずれの電極
も電気的に接地させないようにすると、これら電極の１
つと、電気的に接地されたチャンバ壁といった電気的に
接地されたチャンバ要素との間でＲＦ電力が結合するこ
とがあり、そのため処理能力が低下する危険性があるこ
とを我々は見出した。これは、ＲＦ電力が所望のプラズ
マＣＶＤ処理またはエッチング処理を行なう必要のあ
る、サセプタとガス分配プレート間の領域からＲＦ電力
を外してしまう。窒化シリコンや酸化シリコンなどの膜
を堆積するＣＶＤ処理の場合、サセプタ背後またはサセ
プタに並ぶプラズマにこのようなＲＦ電力の進路変更が
起こると、引張り膜応力、低密度、および過剰な水素含
量など、望ましくない特性を持つ膜が作り出される危険
性があることを我々は見出した。
【０００８】
【発明の概要】本発明は、チャンバ内の２電極間に設置
される電子ワークピースまたは基板を作成するためのプ
ラズマチャンバ装置および方法である。低周波ＲＦ電源
が第１の電極に電力を供給し、高周波ＲＦ電源が第２の
電極に電力を供給する。
される電子ワークピースまたは基板を作成するためのプ
ラズマチャンバ装置および方法である。低周波ＲＦ電源
が第１の電極に電力を供給し、高周波ＲＦ電源が第２の
電極に電力を供給する。
【０００９】従来の設計とは異なり、本発明はさらに第
１の電極と電気接地との間に接続された１つ以上のコン
デンサを含む。１つ以上のコンデンサは、高周波ＲＦ電
力と、２電極が直接はさむ領域の外にあるいかなるプラ
ズマとの結合も縮小または排除できる。その結果、本発
明は２電極間の領域でＲＦ電力をより集中させることに
より、プラズマ処理の能力を向上することが可能であ
る。特にＣＶＤ処理において、本発明は、高密度、引張
り応力ではなくて望ましい程度の圧縮応力、およびその
他の望ましい膜特性を有する膜の堆積を可能にする。
１の電極と電気接地との間に接続された１つ以上のコン
デンサを含む。１つ以上のコンデンサは、高周波ＲＦ電
力と、２電極が直接はさむ領域の外にあるいかなるプラ
ズマとの結合も縮小または排除できる。その結果、本発
明は２電極間の領域でＲＦ電力をより集中させることに
より、プラズマ処理の能力を向上することが可能であ
る。特にＣＶＤ処理において、本発明は、高密度、引張
り応力ではなくて望ましい程度の圧縮応力、およびその
他の望ましい膜特性を有する膜の堆積を可能にする。
【００１０】本発明は、ワークピースまたは基板が、第
１の電極上またはそれに隣接して設置された、フラット
パネル・ディスプレイ製造用ガラス基板などの誘電材料
であるときに、特に有益である。半導体基板と比較し
て、誘電基板は第１の電極とプラズマ体との間により大
きなＲＦインピーダンスを介在させるので、第１の電極
に並ぶかまたは背後かの選択的ＲＦ電流路を通ってＲＦ
電力が結合されることにより、二次プラズマ体を形成す
る危険性が増加する。
１の電極上またはそれに隣接して設置された、フラット
パネル・ディスプレイ製造用ガラス基板などの誘電材料
であるときに、特に有益である。半導体基板と比較し
て、誘電基板は第１の電極とプラズマ体との間により大
きなＲＦインピーダンスを介在させるので、第１の電極
に並ぶかまたは背後かの選択的ＲＦ電流路を通ってＲＦ
電力が結合されることにより、二次プラズマ体を形成す
る危険性が増加する。
【００１１】本発明はまた、フラットパネル・ディスプ
レイの製造に使用される５５０ｍｍ×６５０ｍｍ以上の
基板など、ワークピースが非常に大きい場合に特に有益
である。より大きな基板に対して、本発明の好適な実施
例では、第１の電極の周囲または裏面を覆って分布する
接触域にそれぞれ接続された複数のコンデンサを採用す
る。
レイの製造に使用される５５０ｍｍ×６５０ｍｍ以上の
基板など、ワークピースが非常に大きい場合に特に有益
である。より大きな基板に対して、本発明の好適な実施
例では、第１の電極の周囲または裏面を覆って分布する
接触域にそれぞれ接続された複数のコンデンサを採用す
る。
【００１２】
【プラズマチャンバ】図１は、本発明にしたがって陰極
電極と接地との間に接続されたコンデンサを含むプラズ
マチャンバを表わす。本発明の詳細を記述する前に、従
来のチャンバの特徴について説明する。
電極と接地との間に接続されたコンデンサを含むプラズ
マチャンバを表わす。本発明の詳細を記述する前に、従
来のチャンバの特徴について説明する。
【００１３】本発明は、プラズマチャンバ内で、シリコ
ン・ウェーハやフラットパネル・ディスプレイ用のガラ
ス基板など、任意の種類の電子基板またはワークピース
を作成または処理するのに有用である。例示されている
チャンバは、ガラス基板上で膜のプラズマ化学気相成長
（ＣＶＤ）が実施されるよう設計されている。しかしな
がら本発明はまた、チャンバ内で、プラズマエッチング
など、その他のプラズマ支援処理を実施するのにも有用
である。
ン・ウェーハやフラットパネル・ディスプレイ用のガラ
ス基板など、任意の種類の電子基板またはワークピース
を作成または処理するのに有用である。例示されている
チャンバは、ガラス基板上で膜のプラズマ化学気相成長
（ＣＶＤ）が実施されるよう設計されている。しかしな
がら本発明はまた、チャンバ内で、プラズマエッチング
など、その他のプラズマ支援処理を実施するのにも有用
である。
【００１４】プラズマチャンバまたは真空チャンバは、
チャンバ内部の側面および底面を囲み、また電気的に接
地されたハウジングまたは壁１０を有する。金属ペデス
タルまたはサセプタ１２は陰極電極として働き、ワーク
ピースまたは基板１４を支持する前面１３を有する。サ
セプタの反対面を、その背面１５と呼ぶ。
チャンバ内部の側面および底面を囲み、また電気的に接
地されたハウジングまたは壁１０を有する。金属ペデス
タルまたはサセプタ１２は陰極電極として働き、ワーク
ピースまたは基板１４を支持する前面１３を有する。サ
セプタの反対面を、その背面１５と呼ぶ。
【００１５】選択的に、ワークピースは直接サセプタに
接する必要はなく、たとえば図示されない複数のリフト
・ピンによって、サセプタの前面から短距離に保持され
る。ワークピースを所定位置またはサセプタの前面近く
に保持するためにいかなる手段が使用されても、我々は
「チャック」という用語を用いて表わす。ワークピース
が単純にサセプタ上に置かれる場合、サセプタ自身がチ
ャックである。より一般的には、ワークピースは締付け
リングまたはワークピース周囲を覆って置かれる長方形
シャドウ・フレームによって、あるいはサセプタに埋め
込まれた静電チャックによってサセプタ上に保持され
る。
接する必要はなく、たとえば図示されない複数のリフト
・ピンによって、サセプタの前面から短距離に保持され
る。ワークピースを所定位置またはサセプタの前面近く
に保持するためにいかなる手段が使用されても、我々は
「チャック」という用語を用いて表わす。ワークピース
が単純にサセプタ上に置かれる場合、サセプタ自身がチ
ャックである。より一般的には、ワークピースは締付け
リングまたはワークピース周囲を覆って置かれる長方形
シャドウ・フレームによって、あるいはサセプタに埋め
込まれた静電チャックによってサセプタ上に保持され
る。
【００１６】中空の円筒状金属導管または軸１６が、サ
セプタの中央から下に向って延び、チャンバの底壁を貫
いて通っている。導管または軸の主な働きは、サセプタ
内に埋め込まれる電気ヒータおよび／または静電チャッ
クに電力を供給する配線を囲むことである。
セプタの中央から下に向って延び、チャンバの底壁を貫
いて通っている。導管または軸の主な働きは、サセプタ
内に埋め込まれる電気ヒータおよび／または静電チャッ
クに電力を供給する配線を囲むことである。
【００１７】例示されている好適実施例では、サセプタ
中央軸１６が絶縁体を介することなく直接サセプタに取
りつけられ、したがって軸はＲＦ高圧(RF hot)であり、
ＬＦ電源をサセプタに接続するＲＦ伝送線の一部として
機能する。軸は以下で説明される円筒型誘電体８１によ
って、電気的に接地されたチャンバ壁から電気的に絶縁
されている。図示されない代替設計としては、軸を電気
的に接地し、軸とサセプタとの間の絶縁スペーサによっ
て軸をサセプタから絶縁するものがあろう。その場合、
ＲＦ伝送線は中空軸の中に備えられ、ＬＦ電源をサセプ
タに接続する。
中央軸１６が絶縁体を介することなく直接サセプタに取
りつけられ、したがって軸はＲＦ高圧(RF hot)であり、
ＬＦ電源をサセプタに接続するＲＦ伝送線の一部として
機能する。軸は以下で説明される円筒型誘電体８１によ
って、電気的に接地されたチャンバ壁から電気的に絶縁
されている。図示されない代替設計としては、軸を電気
的に接地し、軸とサセプタとの間の絶縁スペーサによっ
て軸をサセプタから絶縁するものがあろう。その場合、
ＲＦ伝送線は中空軸の中に備えられ、ＬＦ電源をサセプ
タに接続する。
【００１８】チャンバ内部は上端において、その中央に
ガス・インレット・マニホールドが取り付けられた取外
し可能なリッド１８により囲まれている。ガス・インレ
ット・マニホールドは、穴の開けられたガス分配プレー
トすなわちシャワーヘッド２０、インレット・マニホー
ルド側壁２２、および受け板２４を含む。ガス分配プレ
ートは、数百または数千もの開口部に穴が開けられ、ま
た、導電性材料で構成されるので、陽極電極として機能
することができる。ガス・インレット・マニホールドが
ＲＦ電力を受けられるようにするため、ガス・インレッ
ト・マニホールド２０〜２４は絶縁スペーサ２６によっ
て、電気的に接地されたリッド１８およびチャンバ壁１
０から絶縁されている。
ガス・インレット・マニホールドが取り付けられた取外
し可能なリッド１８により囲まれている。ガス・インレ
ット・マニホールドは、穴の開けられたガス分配プレー
トすなわちシャワーヘッド２０、インレット・マニホー
ルド側壁２２、および受け板２４を含む。ガス分配プレ
ートは、数百または数千もの開口部に穴が開けられ、ま
た、導電性材料で構成されるので、陽極電極として機能
することができる。ガス・インレット・マニホールドが
ＲＦ電力を受けられるようにするため、ガス・インレッ
ト・マニホールド２０〜２４は絶縁スペーサ２６によっ
て、電気的に接地されたリッド１８およびチャンバ壁１
０から絶縁されている。
【００１９】処理ガスは受け板内のガス注入開口部２８
を通じてガス・インレット・マニホールドへ供給され
る。その後、ガスはガス分配プレート中の開口部を通じ
て、ガス分配プレートとサセプタ１２との間のチャンバ
内部の領域へ入るように流れる。
を通じてガス・インレット・マニホールドへ供給され
る。その後、ガスはガス分配プレート中の開口部を通じ
て、ガス分配プレートとサセプタ１２との間のチャンバ
内部の領域へ入るように流れる。
【００２０】ＲＦ電力は、２つの異なるＲＦ周波数で動
作する２つのＲＦ電源によってチャンバ内のガスに供給
される。ＨＦ電源と呼ばれる高周波ＲＦ電源３０用の典
型的な動作周波数は１３ＭＨｚである。「バイアス」ま
たはＬＦ電源と呼ばれる低周波ＲＦ電源３２用の典型的
な動作周波数は４００ｋＨｚである。
作する２つのＲＦ電源によってチャンバ内のガスに供給
される。ＨＦ電源と呼ばれる高周波ＲＦ電源３０用の典
型的な動作周波数は１３ＭＨｚである。「バイアス」ま
たはＬＦ電源と呼ばれる低周波ＲＦ電源３２用の典型的
な動作周波数は４００ｋＨｚである。
【００２１】各電源は、１つが電気的に接地されている
２つの出力端子間に出力電圧を発生する。各電源の接地
出力端子は、電気的に接地されたチャンバ壁１０に接続
される。例示されているＣＶＤチャンバでは、ＬＦ電源
３２の接地されていない出力端子は、陰極電極として機
能するサセプタ１２に電気的に接続される。ＨＦ電源３
０の接地されていない、すなわち「高圧の」出力端子
は、陽極電極として機能するガス分配プレート２０に電
気的に接続される。（図１に示されるように、ＨＦ電源
をガス分配プレート２０に電気的に接続するＲＦケーブ
ルは受け板２４に物理的に接続することができ、受け板
２４は導電性マニホールド側壁２２を通じてガス分配プ
レートに電気的に接続される。）
２つの出力端子間に出力電圧を発生する。各電源の接地
出力端子は、電気的に接地されたチャンバ壁１０に接続
される。例示されているＣＶＤチャンバでは、ＬＦ電源
３２の接地されていない出力端子は、陰極電極として機
能するサセプタ１２に電気的に接続される。ＨＦ電源３
０の接地されていない、すなわち「高圧の」出力端子
は、陽極電極として機能するガス分配プレート２０に電
気的に接続される。（図１に示されるように、ＨＦ電源
をガス分配プレート２０に電気的に接続するＲＦケーブ
ルは受け板２４に物理的に接続することができ、受け板
２４は導電性マニホールド側壁２２を通じてガス分配プ
レートに電気的に接続される。）
【００２２】いくつかの半導体製造工程、特にエッチン
グ工程では、例示されているＣＶＤチャンバに関してＨ
Ｆ電源およびＬＦ電源が交換される。すなわちＨＦ電源
およびＬＦ電源は、それぞれ陰極電極（サセプタ１２）
および陽極電極（ガス分配プレート２０）に接続され
る。
グ工程では、例示されているＣＶＤチャンバに関してＨ
Ｆ電源およびＬＦ電源が交換される。すなわちＨＦ電源
およびＬＦ電源は、それぞれ陰極電極（サセプタ１２）
および陽極電極（ガス分配プレート２０）に接続され
る。
【００２３】ＬＦ電源３２とそのインピーダンス整合ネ
ットワークの設計によって、ＬＦ電源と陰極電極１２と
の間に低域通過フィルタ３３を直列に接続することが必
要な場合がある。そのような低域通過フィルタがない
と、ＨＦ電力がＬＦ電源の整合ネットワークを乱したり
或いは整合ネットワークに摂動を発生させたりして、イ
ンピーダンス整合の達成を妨げることがある。低域通過
フィルタはＨＦ電力がＬＦ電源に結合されることを阻止
するよう、ＨＦ電源およびＬＦ電源の周波数間に遮断周
波数を持たなくてはならない。
ットワークの設計によって、ＬＦ電源と陰極電極１２と
の間に低域通過フィルタ３３を直列に接続することが必
要な場合がある。そのような低域通過フィルタがない
と、ＨＦ電力がＬＦ電源の整合ネットワークを乱したり
或いは整合ネットワークに摂動を発生させたりして、イ
ンピーダンス整合の達成を妨げることがある。低域通過
フィルタはＨＦ電力がＬＦ電源に結合されることを阻止
するよう、ＨＦ電源およびＬＦ電源の周波数間に遮断周
波数を持たなくてはならない。
【００２４】ＬＦ電力がＨＦ電源に結合されることを阻
止するために、ＨＦ電源と陽極電極との間に高域通過フ
ィルタ３１を挿入することも出来る。高域通過フィルタ
は、以下に説明するＣＶＤ処理のように、ＬＦ電力レベ
ルがＨＦ電力レベルよりもはるかに低い場合には必要な
い。
止するために、ＨＦ電源と陽極電極との間に高域通過フ
ィルタ３１を挿入することも出来る。高域通過フィルタ
は、以下に説明するＣＶＤ処理のように、ＬＦ電力レベ
ルがＨＦ電力レベルよりもはるかに低い場合には必要な
い。
【００２５】陰極電極（サセプタ１２）と陽極電極（ガ
ス分配プレート２０）との間に印加されるＲＦ電力は、
２電極間の領域にその領域中のガスをプラズマ状態に励
起する電磁場を発生する。プラズマは処理ガス混合体か
ら、ワークピース上の露出した材料と反応して所望の堆
積またはエッチング処理を行なう反応種を生じる。
ス分配プレート２０）との間に印加されるＲＦ電力は、
２電極間の領域にその領域中のガスをプラズマ状態に励
起する電磁場を発生する。プラズマは処理ガス混合体か
ら、ワークピース上の露出した材料と反応して所望の堆
積またはエッチング処理を行なう反応種を生じる。
【００２６】図示されない真空ポンプがチャンバ内を望
ましい真空レベルに維持し、環状排気スリット３６を通
じて処理ガスや反応生成物をチャンバから、次に環状排
気プレナム３８内へ、次いで図示されない排気導管を通
って、ポンプへ排気する。
ましい真空レベルに維持し、環状排気スリット３６を通
じて処理ガスや反応生成物をチャンバから、次に環状排
気プレナム３８内へ、次いで図示されない排気導管を通
って、ポンプへ排気する。
【００２７】（この特許明細書全体を通じて、「環状」
という用語は円形の周囲を有する物体に限らず、２つの
同軸の閉じた経路によって境界付けられたいかなる物体
をも意味するものとする。例示されたチャンバは長方形
基板を作成するよう意図されているため長方形の断面を
有しており、したがって環状排気スリットや環状排気プ
レナムは長方形の内周囲および外周囲を有する。）
という用語は円形の周囲を有する物体に限らず、２つの
同軸の閉じた経路によって境界付けられたいかなる物体
をも意味するものとする。例示されたチャンバは長方形
基板を作成するよう意図されているため長方形の断面を
有しており、したがって環状排気スリットや環状排気プ
レナムは長方形の内周囲および外周囲を有する。）
【００２８】電動リフト機構８０〜８８がサセプタを低
位置（図示されず）に移動し、同時にワークピースはチ
ャンバの中へ、またはチャンバの外へ出されて上位置へ
移送され（図１）、同時にプラズマ処理がワークピース
上で実施される。特にサセプタ１２は、セラミック支持
棚８０によってその中央に支持される。支持棚は、サセ
プタ軸１６を取り囲みチャンバ底壁の開口部を通じて下
へ向って延びる円筒形中央部分８１を含む。支持棚の中
央部分８１は可動リフト・プラットフォーム８２の上に
置かれる。図示されないモータが、リフト・プラットフ
ォームを固定床板８４に対して制御可能に上下移動さ
せ、それによってサセプタ１２とサセプタ軸１６とを上
昇および降下させる。
位置（図示されず）に移動し、同時にワークピースはチ
ャンバの中へ、またはチャンバの外へ出されて上位置へ
移送され（図１）、同時にプラズマ処理がワークピース
上で実施される。特にサセプタ１２は、セラミック支持
棚８０によってその中央に支持される。支持棚は、サセ
プタ軸１６を取り囲みチャンバ底壁の開口部を通じて下
へ向って延びる円筒形中央部分８１を含む。支持棚の中
央部分８１は可動リフト・プラットフォーム８２の上に
置かれる。図示されないモータが、リフト・プラットフ
ォームを固定床板８４に対して制御可能に上下移動さ
せ、それによってサセプタ１２とサセプタ軸１６とを上
昇および降下させる。
【００２９】ベローズ８６及びＯリング８８は、サセプ
タ軸１６の垂直運動に合わせて、軸が延びているチャン
バ壁の開口部の周囲に真空シールを供する。
タ軸１６の垂直運動に合わせて、軸が延びているチャン
バ壁の開口部の周囲に真空シールを供する。
【００３０】上述されるチャンバ要素はすべて、チャン
バ内で行なわれる半導体製造処理を汚染せずに且つ処理
ガスによる腐食に耐える材料によって構成されなくては
ならない。陽極酸化アルミニウムは、セラミック・スペ
ーサ２６およびリフト機構のセラミック要素８０〜８４
以外の、すべての要素に対して望ましい材料である。
バ内で行なわれる半導体製造処理を汚染せずに且つ処理
ガスによる腐食に耐える材料によって構成されなくては
ならない。陽極酸化アルミニウムは、セラミック・スペ
ーサ２６およびリフト機構のセラミック要素８０〜８４
以外の、すべての要素に対して望ましい材料である。
【００３１】上述のプラズマチャンバの全部分は従来の
ものである。従来プラズマＣＶＤおよびエッチングチャ
ンバの設計および動作は、以下の譲受人に譲渡された米
国特許に説明されており、そのそれぞれの全内容がここ
に、この特許明細書の中で参照により組み込まれる。す
なわち、１９８９年８月８日発行のＣｈａｎｇらに対す
る米国特許第４，８５４，２６３号、１９９４年１０月
１８日発行のＮｇｕｙｅｎらに対する米国特許第５，３
５６，７２２号、１９９８年５月２６日発行のＷａｎｇ
らに対する米国特許第５，７５５，８８６号、１９９８
年６月３０日発行のＣｈａｎｇらに対する米国特許第
５，７７３，１００号、１９９８年１２月１日発行のＷ
ｈｉｔｅらに対する米国特許第５，８４４，２０５号、
および２０００年２月１５日発行のＬａｗらに対する米
国特許第６，０２４，０４４号である。
ものである。従来プラズマＣＶＤおよびエッチングチャ
ンバの設計および動作は、以下の譲受人に譲渡された米
国特許に説明されており、そのそれぞれの全内容がここ
に、この特許明細書の中で参照により組み込まれる。す
なわち、１９８９年８月８日発行のＣｈａｎｇらに対す
る米国特許第４，８５４，２６３号、１９９４年１０月
１８日発行のＮｇｕｙｅｎらに対する米国特許第５，３
５６，７２２号、１９９８年５月２６日発行のＷａｎｇ
らに対する米国特許第５，７５５，８８６号、１９９８
年６月３０日発行のＣｈａｎｇらに対する米国特許第
５，７７３，１００号、１９９８年１２月１日発行のＷ
ｈｉｔｅらに対する米国特許第５，８４４，２０５号、
および２０００年２月１５日発行のＬａｗらに対する米
国特許第６，０２４，０４４号である。
【００３２】
【サセプタと接地間に接続されたコンデンサ】従来のプ
ラズマチャンバと異なり、我々のものはサセプタ１２
（すなわち陰極電極）と電気接地との間に接続された１
つ以上のコンデンサ５０〜５４を含む（図１および２参
照）。これらコンデンサは、ＲＦ電力が陰極背後または
陰極周囲外でいかなるプラズマと結合することも縮小、
または排除する。言い換えれば、コンデンサはそのよう
な不要なプラズマの強度を減少し、好ましくはゼロにす
る。これによって、処理ガスが中に分配される領域、す
なわちサセプタ（陰極電極）とガス分配プレート２０
（陽極電極）との間の領域で、ＲＦ電力をより集中する
ことで、チャンバ内で実施される化学処理の能力が向上
する。我々はまた、コンデンサがそのような領域内にお
けるプラズマの空間均一性を向上させて、低プラズマ濃
度または高プラズマ濃度の局所領域を最小化するか或い
は取り除くことができ、それによってワークピース上で
実施される堆積またはエッチング処理の空間均一性が向
上され得ることを見出した。特に誘電ＣＶＤ処理では、
この向上されたＲＦ電力濃度および均一性によって、引
張り応力ではなく望ましい程度の圧縮応力、高密度、お
よびその他の望ましい膜特性を有する膜の堆積が可能と
なる。
ラズマチャンバと異なり、我々のものはサセプタ１２
（すなわち陰極電極）と電気接地との間に接続された１
つ以上のコンデンサ５０〜５４を含む（図１および２参
照）。これらコンデンサは、ＲＦ電力が陰極背後または
陰極周囲外でいかなるプラズマと結合することも縮小、
または排除する。言い換えれば、コンデンサはそのよう
な不要なプラズマの強度を減少し、好ましくはゼロにす
る。これによって、処理ガスが中に分配される領域、す
なわちサセプタ（陰極電極）とガス分配プレート２０
（陽極電極）との間の領域で、ＲＦ電力をより集中する
ことで、チャンバ内で実施される化学処理の能力が向上
する。我々はまた、コンデンサがそのような領域内にお
けるプラズマの空間均一性を向上させて、低プラズマ濃
度または高プラズマ濃度の局所領域を最小化するか或い
は取り除くことができ、それによってワークピース上で
実施される堆積またはエッチング処理の空間均一性が向
上され得ることを見出した。特に誘電ＣＶＤ処理では、
この向上されたＲＦ電力濃度および均一性によって、引
張り応力ではなく望ましい程度の圧縮応力、高密度、お
よびその他の望ましい膜特性を有する膜の堆積が可能と
なる。
【００３３】陰極電極と接地との間にコンデンサのない
従来のプラズマチャンバでは、ＨＦ信号の周波数での陰
極から接地への経路のみがＬＦ電源３２の出力インピー
ダンスであった。我々の発明では、コンデンサ５０〜５
４が、ＨＦ電源３０の周波数で低いインピーダンスを有
する陰極から接地への経路を提供する。我々の発明は特
定の動作原理に限定されるわけではないが、コンデンサ
５０〜５４によりもたらされる、接地へのこの低インピ
ーダンスの経路が、陰極とチャンバ壁１０の近接領域と
の間でＨＦ電圧を減少し、それによってサセプタと、陰
極背後または陰極周囲外のいかなるプラズマとの間のＨ
Ｆ電力の結合をも、縮小または排除すると我々は考え
る。
従来のプラズマチャンバでは、ＨＦ信号の周波数での陰
極から接地への経路のみがＬＦ電源３２の出力インピー
ダンスであった。我々の発明では、コンデンサ５０〜５
４が、ＨＦ電源３０の周波数で低いインピーダンスを有
する陰極から接地への経路を提供する。我々の発明は特
定の動作原理に限定されるわけではないが、コンデンサ
５０〜５４によりもたらされる、接地へのこの低インピ
ーダンスの経路が、陰極とチャンバ壁１０の近接領域と
の間でＨＦ電圧を減少し、それによってサセプタと、陰
極背後または陰極周囲外のいかなるプラズマとの間のＨ
Ｆ電力の結合をも、縮小または排除すると我々は考え
る。
【００３４】本発明は、ワークピースまたは基板１４が
フラットパネル・ディスプレイ製造用のガラス基板など
の誘電材料である場合に、特に有益である。具体的に
は、そのようなワークピースは一般に、ガラスなどの誘
電基板上に形成された多数の半導体層、導体層、および
誘電層から構成される。したがってワークピースの大部
分の材料は誘電物質である。半導体基板と比較して、誘
電基板はより大きなＲＦインピーダンスを、陰極電極１
２とプラズマ体との間に介在させるので、陰極電極に並
ぶかまたはその背後かの選択的ＲＦ電流路を通ってＲＦ
電力が結合されることにより、二次プラズマ体を形成す
る危険性が増加する。
フラットパネル・ディスプレイ製造用のガラス基板など
の誘電材料である場合に、特に有益である。具体的に
は、そのようなワークピースは一般に、ガラスなどの誘
電基板上に形成された多数の半導体層、導体層、および
誘電層から構成される。したがってワークピースの大部
分の材料は誘電物質である。半導体基板と比較して、誘
電基板はより大きなＲＦインピーダンスを、陰極電極１
２とプラズマ体との間に介在させるので、陰極電極に並
ぶかまたはその背後かの選択的ＲＦ電流路を通ってＲＦ
電力が結合されることにより、二次プラズマ体を形成す
る危険性が増加する。
【００３５】その電気インピーダンスという点から広く
定義すれば、サセプタと接地との間に接続されるコンデ
ンサ５０〜５４の複合静電容量値は、ＨＦ電源３０の周
波数でのサセプタと接地間の電気インピーダンスを、静
電容量がない場合の前述のインピーダンスと比較して、
実質的に減少させるのに充分なほど大きくなくてはなら
ない。好ましくは、複合静電容量は、ＨＦ周波数でサセ
プタと接地との間に事実上直接に電気接続を提供するの
に充分なほど大きい値であるべきである。
定義すれば、サセプタと接地との間に接続されるコンデ
ンサ５０〜５４の複合静電容量値は、ＨＦ電源３０の周
波数でのサセプタと接地間の電気インピーダンスを、静
電容量がない場合の前述のインピーダンスと比較して、
実質的に減少させるのに充分なほど大きくなくてはなら
ない。好ましくは、複合静電容量は、ＨＦ周波数でサセ
プタと接地との間に事実上直接に電気接続を提供するの
に充分なほど大きい値であるべきである。
【００３６】陰極電極と陽極電極間の望ましいプラズマ
への効果という観点から広く定義すれば、静電容量は、
前述のプラズマの強度が、静電容量がない時にその強度
がとる値に比べて実質的に増加するのに充分なほど、大
きくなくてはならない。
への効果という観点から広く定義すれば、静電容量は、
前述のプラズマの強度が、静電容量がない時にその強度
がとる値に比べて実質的に増加するのに充分なほど、大
きくなくてはならない。
【００３７】あるいは、不要なプラズマへのその効果と
いう観点から広く定義すれば、静電容量は陰極電極の背
後または陰極電極の周囲外の、いかなるプラズマの強度
も、静電容量がない時の前述のプラズマ強度に比較して
実質的に減少するだけ、充分に大きくなくてはならな
い。
いう観点から広く定義すれば、静電容量は陰極電極の背
後または陰極電極の周囲外の、いかなるプラズマの強度
も、静電容量がない時の前述のプラズマ強度に比較して
実質的に減少するだけ、充分に大きくなくてはならな
い。
【００３８】いずれにしても、複合静電容量５０〜５４
は、ＬＦ電源３２の周波数で陰極１２と接地との間の電
気インピーダンスが非常に低くなり、ＬＦ電源３２とそ
のインピーダンス整合ネットワークとが実質的にＲＦ電
力をサセプタと結合することが出来ないほど、大きくす
べきではない。言いかえれば、静電容量は、ＬＦ周波数
でサセプタを接地に電気的に短絡するほど大きくすべき
ではない。
は、ＬＦ電源３２の周波数で陰極１２と接地との間の電
気インピーダンスが非常に低くなり、ＬＦ電源３２とそ
のインピーダンス整合ネットワークとが実質的にＲＦ電
力をサセプタと結合することが出来ないほど、大きくす
べきではない。言いかえれば、静電容量は、ＬＦ周波数
でサセプタを接地に電気的に短絡するほど大きくすべき
ではない。
【００３９】さらに我々は、陰極電極と接地との間に接
続されたコンデンサの複合静電容量値が一般に、陰極電
極と陽極電極とのすぐ間の領域におけるプラズマ濃度の
空間均一性を最大にする最適値を持つことを見出した。
以下に説明されるように、この最適な静電容量値は好ま
しくは、所望の処理能力パラメータを最適化し、かつプ
ラズマ不均一性を最小にするよう、すなわち比較的高濃
度または低濃度のプラズマが局所集中する領域を最小に
するよう、経験的に決定されるべきである。
続されたコンデンサの複合静電容量値が一般に、陰極電
極と陽極電極とのすぐ間の領域におけるプラズマ濃度の
空間均一性を最大にする最適値を持つことを見出した。
以下に説明されるように、この最適な静電容量値は好ま
しくは、所望の処理能力パラメータを最適化し、かつプ
ラズマ不均一性を最小にするよう、すなわち比較的高濃
度または低濃度のプラズマが局所集中する領域を最小に
するよう、経験的に決定されるべきである。
【００４０】複合静電容量５０〜５４が、ＬＦ電源の周
波数よりもＨＦ電源の周波数のほうでより十分に低いイ
ンピーダンスを有することができるように、該２つの電
源の周波数は少なくとも２倍異なっていることが好まし
く、少なくとも１０倍異なっていることがより好まし
い。
波数よりもＨＦ電源の周波数のほうでより十分に低いイ
ンピーダンスを有することができるように、該２つの電
源の周波数は少なくとも２倍異なっていることが好まし
く、少なくとも１０倍異なっていることがより好まし
い。
【００４１】我々の、発明の本好適実施例は、電気接地
とサセプタ中央との間に接続されたコンデンサ５０と、
サセプタの背面１５の四隅各々と電気接地との間に接続
される追加の４つのコンデンサ５１〜５４とを含む。５
つのコンデンサのそれぞれは、好ましくは柔軟かつ導電
性のそれぞれのストラップ６０〜６４によってサセプタ
に接続される（図１〜２を参照）。導電性ストラップは
先述のように、軸およびサセプタの垂直移動に対応する
ために柔軟である。たとえば各ストラップは、柔軟で、
軸およびサセプタの全移動範囲に対応するだけ充分に薄
くて長い、曲げやすい金属のシートまたはバンドであっ
てよい。我々の試作例では、各ストラップは約０．５イ
ンチ幅、１／１６インチ厚さのアルミニウム帯であっ
た。
とサセプタ中央との間に接続されたコンデンサ５０と、
サセプタの背面１５の四隅各々と電気接地との間に接続
される追加の４つのコンデンサ５１〜５４とを含む。５
つのコンデンサのそれぞれは、好ましくは柔軟かつ導電
性のそれぞれのストラップ６０〜６４によってサセプタ
に接続される（図１〜２を参照）。導電性ストラップは
先述のように、軸およびサセプタの垂直移動に対応する
ために柔軟である。たとえば各ストラップは、柔軟で、
軸およびサセプタの全移動範囲に対応するだけ充分に薄
くて長い、曲げやすい金属のシートまたはバンドであっ
てよい。我々の試作例では、各ストラップは約０．５イ
ンチ幅、１／１６インチ厚さのアルミニウム帯であっ
た。
【００４２】すべてのコンデンサは高電力ＲＦに使用す
るために設計されたセラミックタイプであり、コンデン
サ端子のネジ山を通してネジによって電気接続されてい
る。各隅のコンデンサ５１〜５４の１端子はチャンバの
電気的に接地された底壁にボルトで留められ、それによ
って各コンデンサは、処理ガスに露出されるコンデンサ
の表面領域を最小にするためにチャンバ壁に接触する。
各隅のコンデンサの各端子は、サセプタの背面１５にボ
ルトまたはクランプで固定された対応する金属ストラッ
プ６１〜６４にボルト締めされる。我々の試作例では、
湾曲した側部を持つ４つのアルミニウムのブロック６６
がそれぞれサセプタの４つの隅にボルトで固定され、各
金属ストラップ６１〜６４がサセプタとブロックの１つ
との間に挟まれている。ボルトは、ブロックが金属スト
ラップをサセプタにしっかりと固定するように締めつけ
られる。
るために設計されたセラミックタイプであり、コンデン
サ端子のネジ山を通してネジによって電気接続されてい
る。各隅のコンデンサ５１〜５４の１端子はチャンバの
電気的に接地された底壁にボルトで留められ、それによ
って各コンデンサは、処理ガスに露出されるコンデンサ
の表面領域を最小にするためにチャンバ壁に接触する。
各隅のコンデンサの各端子は、サセプタの背面１５にボ
ルトまたはクランプで固定された対応する金属ストラッ
プ６１〜６４にボルト締めされる。我々の試作例では、
湾曲した側部を持つ４つのアルミニウムのブロック６６
がそれぞれサセプタの４つの隅にボルトで固定され、各
金属ストラップ６１〜６４がサセプタとブロックの１つ
との間に挟まれている。ボルトは、ブロックが金属スト
ラップをサセプタにしっかりと固定するように締めつけ
られる。
【００４３】４本の柔軟かつ導電性のストラップ６１〜
６４が取り付けられたサセプタ１２の４隅の各々に低イ
ンピーダンスの接触域を提供するために、我々はアルミ
ニウムサセプタを陽極酸化する前に接触域をマスキング
し、それによって４隅のそれぞれの接触域にきれいなア
ルミニウムが露出された。図２は４本のストラップ６１
〜６４がサセプタの裏面に取りつけられる接触域を表わ
す。４本のストラップに接続された４つのコンデンサ５
１〜５４が概略的に示される。図２はまた、以下に説明
するように、柔軟かつ導電性のストラップ６０と中央軸
１６とを通じてサセプタの中央に接続された可変コンデ
ンサ５０を概略的に示している。
６４が取り付けられたサセプタ１２の４隅の各々に低イ
ンピーダンスの接触域を提供するために、我々はアルミ
ニウムサセプタを陽極酸化する前に接触域をマスキング
し、それによって４隅のそれぞれの接触域にきれいなア
ルミニウムが露出された。図２は４本のストラップ６１
〜６４がサセプタの裏面に取りつけられる接触域を表わ
す。４本のストラップに接続された４つのコンデンサ５
１〜５４が概略的に示される。図２はまた、以下に説明
するように、柔軟かつ導電性のストラップ６０と中央軸
１６とを通じてサセプタの中央に接続された可変コンデ
ンサ５０を概略的に示している。
【００４４】別の方法として、ストラップをサセプタの
背面１５に接続する代わりに、ストラップを４隅のそれ
ぞれに近いサセプタの周囲面１９に接続することも出来
る。
背面１５に接続する代わりに、ストラップを４隅のそれ
ぞれに近いサセプタの周囲面１９に接続することも出来
る。
【００４５】別の可能な実施例は、４つのコンデンサ５
１〜５４の代わりに、１つのコンデンサのみを、電気接
地されたチャンバ壁にボルト締めすることであろう。そ
の１つのコンデンサは、サセプタの各４隅に接続する４
本のストラップ６１〜６４の各々に接続される。
１〜５４の代わりに、１つのコンデンサのみを、電気接
地されたチャンバ壁にボルト締めすることであろう。そ
の１つのコンデンサは、サセプタの各４隅に接続する４
本のストラップ６１〜６４の各々に接続される。
【００４６】上記のように、サセプタ支持軸１６はいか
なる絶縁体も介在させずにサセプタに直接に取り付けら
れ、したがって軸はＲＦ高圧であり、ＬＦ電源をサセプ
タに接続するＲＦ伝送線の役割を果たす。したがって中
央コンデンサ５０は、コンデンサを軸に接続することに
よって事実上サセプタの中央に接続することが出来る。
さらに軸の接続は、チャンバ真空の外となるように、真
空シール（ベローズ８６およびＯリング８８）下方の軸
の下部に対して成されてもよい。このことが、中央コン
デンサをチャンバ壁の裏面上に、あるいはチャンバ内部
の真空の外にあるその他の電気的接地された要素に、設
置することを可能にする。チャンバ内プラズマへの中央
コンデンサのいかなる露出も避けることが望ましく、そ
れは中央コンデンサに大きな可変コンデンサを使用する
ことを促進する。軸の垂直移動に対応するために、中央
コンデンサは、その他のコンデンサをサセプタに接続す
るストラップ６１〜６４に類似の、柔軟な金属ストラッ
プ６０を使用して軸に接続されることが望ましい。
なる絶縁体も介在させずにサセプタに直接に取り付けら
れ、したがって軸はＲＦ高圧であり、ＬＦ電源をサセプ
タに接続するＲＦ伝送線の役割を果たす。したがって中
央コンデンサ５０は、コンデンサを軸に接続することに
よって事実上サセプタの中央に接続することが出来る。
さらに軸の接続は、チャンバ真空の外となるように、真
空シール（ベローズ８６およびＯリング８８）下方の軸
の下部に対して成されてもよい。このことが、中央コン
デンサをチャンバ壁の裏面上に、あるいはチャンバ内部
の真空の外にあるその他の電気的接地された要素に、設
置することを可能にする。チャンバ内プラズマへの中央
コンデンサのいかなる露出も避けることが望ましく、そ
れは中央コンデンサに大きな可変コンデンサを使用する
ことを促進する。軸の垂直移動に対応するために、中央
コンデンサは、その他のコンデンサをサセプタに接続す
るストラップ６１〜６４に類似の、柔軟な金属ストラッ
プ６０を使用して軸に接続されることが望ましい。
【００４７】発明はまた、中央コンデンサ５０のみによ
り、隅のコンデンサ５１〜５４なしで実施されてもよ
く、あるいは中央コンデンサなしで隅のコンデンサのみ
により実施されてもよい。隅の（または周囲の）コンデ
ンサと、サセプタ中央または中央付近に接続されるコン
デンサとの間の比は、ワークピース１４に実施される堆
積処理またはエッチング処理の空間均一性に影響する。
ワークピースの幅または表面積が大きくなるほど、ワー
クピースに実施される半導体製造処理の空間均一性の所
定レベル達成に必要であると予想されるコンデンサの数
が増える。我々が試験した５５０ｍｍ×６５０ｍｍのサ
セプタよりも大きいサセプタに対しては、サセプタ周囲
の周りに空間的に分布する点に、あるいはサセプタの背
面を覆って空間的に分布するその他の点にさえも、コン
デンサを追加して接続することが望ましい。
り、隅のコンデンサ５１〜５４なしで実施されてもよ
く、あるいは中央コンデンサなしで隅のコンデンサのみ
により実施されてもよい。隅の（または周囲の）コンデ
ンサと、サセプタ中央または中央付近に接続されるコン
デンサとの間の比は、ワークピース１４に実施される堆
積処理またはエッチング処理の空間均一性に影響する。
ワークピースの幅または表面積が大きくなるほど、ワー
クピースに実施される半導体製造処理の空間均一性の所
定レベル達成に必要であると予想されるコンデンサの数
が増える。我々が試験した５５０ｍｍ×６５０ｍｍのサ
セプタよりも大きいサセプタに対しては、サセプタ周囲
の周りに空間的に分布する点に、あるいはサセプタの背
面を覆って空間的に分布するその他の点にさえも、コン
デンサを追加して接続することが望ましい。
【００４８】ＨＦ電源およびＬＦ電源の周波数がそれぞ
れ１３．５６ＭＨｚおよび４００ｋＨｚであった我々の
好適な実施例で、我々はそれぞれ１５０ｐｆから３００
ｐｆの３つまたは４つの隅コンデンサと、３００ｐｆか
ら１７００ｐｆの範囲の中央コンデンサとで良好な結果
を得た。すなわち、複合静電容量は７５０ｐｆから３０
００ｐｆの範囲であった。
れ１３．５６ＭＨｚおよび４００ｋＨｚであった我々の
好適な実施例で、我々はそれぞれ１５０ｐｆから３００
ｐｆの３つまたは４つの隅コンデンサと、３００ｐｆか
ら１７００ｐｆの範囲の中央コンデンサとで良好な結果
を得た。すなわち、複合静電容量は７５０ｐｆから３０
００ｐｆの範囲であった。
【００４９】好ましくは、ＬＦ電源３２は、プラズマチ
ャンバ内でアークを起こす危険性がある出力の急上昇を
防ぐために、最初に電源が入れられたときに（負荷出力
ではなく）順出力をゆっくりと上昇するようにプログラ
ムされた電源レギュレータを含むべきである。
ャンバ内でアークを起こす危険性がある出力の急上昇を
防ぐために、最初に電源が入れられたときに（負荷出力
ではなく）順出力をゆっくりと上昇するようにプログラ
ムされた電源レギュレータを含むべきである。
【００５０】比較的高いＲＦ出力レベルでは、プラズマ
の非均一性、すなわちホットスポットなどの、比較的低
濃度または高濃度のプラズマが局所集中する領域を防ぐ
よう、プラズマ濃度の空間均一性を最大にする最適なコ
ンデンサ値を選択することがより重要であろう。たとえ
ば、２８００ワット〜４５００ワット範囲の２つの電源
からのＲＦ出力を使用する試験で、我々は４００ｐｆ〜
１７００ｐｆの可変コンデンサであった中央コンデンサ
５０の値を調節することによって、複合静電容量を調節
した。我々は、あまりにも低い静電容量は、サセプタ支
持軸の底付近またはシャワーヘッド２０の隅付近のプラ
ズマに、明らかに目に見えるホットスポットを生じる可
能性があることを見出した。逆に我々は、あまりにも高
い静電容量は、チャンバの底付近または隅のコンデンサ
に接続された接地ストラップ５５付近の、その他の領域
のプラズマにホットスポットを生じる可能性があること
を見出した。
の非均一性、すなわちホットスポットなどの、比較的低
濃度または高濃度のプラズマが局所集中する領域を防ぐ
よう、プラズマ濃度の空間均一性を最大にする最適なコ
ンデンサ値を選択することがより重要であろう。たとえ
ば、２８００ワット〜４５００ワット範囲の２つの電源
からのＲＦ出力を使用する試験で、我々は４００ｐｆ〜
１７００ｐｆの可変コンデンサであった中央コンデンサ
５０の値を調節することによって、複合静電容量を調節
した。我々は、あまりにも低い静電容量は、サセプタ支
持軸の底付近またはシャワーヘッド２０の隅付近のプラ
ズマに、明らかに目に見えるホットスポットを生じる可
能性があることを見出した。逆に我々は、あまりにも高
い静電容量は、チャンバの底付近または隅のコンデンサ
に接続された接地ストラップ５５付近の、その他の領域
のプラズマにホットスポットを生じる可能性があること
を見出した。
【００５１】我々は、図１に示すプラズマチャンバで、
通常フラットパネル・ディスプレイを作成するのに使用
されるタイプの５５０ｍｍ×６５０ｍｍの長方形ガラス
基板上にシリコン窒化誘電膜を堆積する別の従来のＣＶ
Ｄ処理を用いて、本発明を試験した。ＨＦ電源およびＬ
Ｆ電源の周波数はそれぞれ、１３．５６ＭＨｚおよび４
００ｋＨｚであった。処理ガス流量はＳｉＨ4が４００
ｓｃｃｍ、ＮＨ3が１４００ｓｃｃｍ、およびＮ2が４０
００ｓｃｃｍであり、チャンバ圧力は１．５〜１．８Ｔ
ｏｒｒであった。
通常フラットパネル・ディスプレイを作成するのに使用
されるタイプの５５０ｍｍ×６５０ｍｍの長方形ガラス
基板上にシリコン窒化誘電膜を堆積する別の従来のＣＶ
Ｄ処理を用いて、本発明を試験した。ＨＦ電源およびＬ
Ｆ電源の周波数はそれぞれ、１３．５６ＭＨｚおよび４
００ｋＨｚであった。処理ガス流量はＳｉＨ4が４００
ｓｃｃｍ、ＮＨ3が１４００ｓｃｃｍ、およびＮ2が４０
００ｓｃｃｍであり、チャンバ圧力は１．５〜１．８Ｔ
ｏｒｒであった。
【００５２】隅のコンデンサ５１〜５４の各々は１５０
ｐｆであり、我々は中央軸コンデンサ５０の４つの異な
る値を試験した。２つの電源によって供給される全ＲＦ
電力は２８００Ｗであり、それは２４００ワットＨＦと
４００ワットＬＦであるか、或いは２６００ワットＨＦ
と２００ワットＬＦのいずれかであった。
ｐｆであり、我々は中央軸コンデンサ５０の４つの異な
る値を試験した。２つの電源によって供給される全ＲＦ
電力は２８００Ｗであり、それは２４００ワットＨＦと
４００ワットＬＦであるか、或いは２６００ワットＨＦ
と２００ワットＬＦのいずれかであった。
【００５３】それぞれ中央コンデンサが３００ｐｆ、６
００ｐｆ、および９００ｐｆの別々の３試験で、堆積速
度は１４６０Å／ｍｉｎから２２１０Å／ｍｉｎへと次
第に増加し、ウェットエッチング速度は８９３Å／ｍｉ
ｎから３７５Å／ｍｉｎへと次第に減少し、膜応力は＋
２．６×１０9（引張）ｄｙｎｅ／ｃｍ2から−４．３×
１０9（圧縮）ｄｙｎｅ／ｃｍ2へと変化した。基板周囲
の外側２０ｍｍを除き、膜厚均一性は最初の２つの場合
では１４％、最後の場合では４％であった。よって、９
００ｐｆ中央コンデンサが最良の結果を生んだ。
００ｐｆ、および９００ｐｆの別々の３試験で、堆積速
度は１４６０Å／ｍｉｎから２２１０Å／ｍｉｎへと次
第に増加し、ウェットエッチング速度は８９３Å／ｍｉ
ｎから３７５Å／ｍｉｎへと次第に減少し、膜応力は＋
２．６×１０9（引張）ｄｙｎｅ／ｃｍ2から−４．３×
１０9（圧縮）ｄｙｎｅ／ｃｍ2へと変化した。基板周囲
の外側２０ｍｍを除き、膜厚均一性は最初の２つの場合
では１４％、最後の場合では４％であった。よって、９
００ｐｆ中央コンデンサが最良の結果を生んだ。
【００５４】同じ一連の試験で、中央コンデンサをさら
に１２００ｐｆまで増加したが、４つの隅コンデンサの
うち１つを取り除いた。意外にも、試験結果の多くが３
００ｐｆの中央コンデンサの結果よりも悪いものであっ
た。堆積速度は１１６０Å／ｍｉｎまで落ち、ウェット
エッチング速度は１２９５Å／ｍｉｎまで増加し、応力
は＋３．６５×１０9ｄｙｎｅ／ｃｍ2まで増加した。こ
の試験結果によって、総静電容量の最適値と共に、中央
コンデンサ静電容量の、周辺（たとえば隅）のコンデン
サ静電容量に対する最適比も求める経験的試験の実施が
望ましいことが例証された。
に１２００ｐｆまで増加したが、４つの隅コンデンサの
うち１つを取り除いた。意外にも、試験結果の多くが３
００ｐｆの中央コンデンサの結果よりも悪いものであっ
た。堆積速度は１１６０Å／ｍｉｎまで落ち、ウェット
エッチング速度は１２９５Å／ｍｉｎまで増加し、応力
は＋３．６５×１０9ｄｙｎｅ／ｃｍ2まで増加した。こ
の試験結果によって、総静電容量の最適値と共に、中央
コンデンサ静電容量の、周辺（たとえば隅）のコンデン
サ静電容量に対する最適比も求める経験的試験の実施が
望ましいことが例証された。
【００５５】実際には、プラズマ・インピーダンスはＲ
Ｆ電力、チャンバ圧力、処理ガス流量、およびチャンバ
要素の寸法および形状などの処理パラメータの関数とし
て大きく変化する。したがって、陰極電極と接地との間
に接続される複合静電容量の最適値は経験的に選択され
るべきである。さらに、堆積またはエッチングされる膜
の厚さが処理中に次第に増加または減少し、またプラズ
マ中の反応物および反応副産物の割合も処理中に変化し
得るため、プラズマ・インピーダンスは、ワークピース
上への堆積またはエッチング処理の実施中に変化する。
したがって、いくつかの処理では、任意のワークピース
上で処理を実施中に、コンデンサ５０〜５４のうちの１
つ以上を調節することによって、サセプタと接地間の総
静電容量の値を段々と調節することが望ましいであろ
う。
Ｆ電力、チャンバ圧力、処理ガス流量、およびチャンバ
要素の寸法および形状などの処理パラメータの関数とし
て大きく変化する。したがって、陰極電極と接地との間
に接続される複合静電容量の最適値は経験的に選択され
るべきである。さらに、堆積またはエッチングされる膜
の厚さが処理中に次第に増加または減少し、またプラズ
マ中の反応物および反応副産物の割合も処理中に変化し
得るため、プラズマ・インピーダンスは、ワークピース
上への堆積またはエッチング処理の実施中に変化する。
したがって、いくつかの処理では、任意のワークピース
上で処理を実施中に、コンデンサ５０〜５４のうちの１
つ以上を調節することによって、サセプタと接地間の総
静電容量の値を段々と調節することが望ましいであろ
う。
【００５６】たとえば、上述のシリコン窒化物ＣＶＤ処
理の試験で、中央コンデンサについて試験したすべての
固定値に対して、プラズマがかなり非均一であってプラ
ズマ中にホットスポットが目に見えて明らかであるよう
な、ＣＶＤ処理実施中の時間間隔があることを、我々は
見出した。したがって、このＣＶＤ処理に関しては、堆
積シリコン窒化膜の厚さがＣＶＤ処理中に次第に増加す
るのにつれて、コンデンサの少なくとも１つの値を漸次
調節することが好ましかったと考える。
理の試験で、中央コンデンサについて試験したすべての
固定値に対して、プラズマがかなり非均一であってプラ
ズマ中にホットスポットが目に見えて明らかであるよう
な、ＣＶＤ処理実施中の時間間隔があることを、我々は
見出した。したがって、このＣＶＤ処理に関しては、堆
積シリコン窒化膜の厚さがＣＶＤ処理中に次第に増加す
るのにつれて、コンデンサの少なくとも１つの値を漸次
調節することが好ましかったと考える。
【００５７】したがって、我々の好適実施例は、陰極電
極と電気接地との間の総静電容量５０〜５４を集合的に
決定する１つ以上の可変コンデンサの設定を制御するサ
ーボ・モータに電気制御信号を定期的に送る、プログラ
ム可能なマイクロプロセッサなどの制御回路７０を含
む。上記のように、我々は５つのコンデンサのうち１つ
のみ、すなわち４００ｐｆ〜１７００ｐｆの可変中央コ
ンデンサ５０を調節することによって、総静電容量を調
節することが最も容易であると考える。制御装置は、堆
積時間の関数か或いはプラズマ処理によって堆積される
（あるいはエッチングされる）層の厚さの関数として、
中央コンデンサの静電容量値を漸次変化させるよう、モ
ータに命令を出す。
極と電気接地との間の総静電容量５０〜５４を集合的に
決定する１つ以上の可変コンデンサの設定を制御するサ
ーボ・モータに電気制御信号を定期的に送る、プログラ
ム可能なマイクロプロセッサなどの制御回路７０を含
む。上記のように、我々は５つのコンデンサのうち１つ
のみ、すなわち４００ｐｆ〜１７００ｐｆの可変中央コ
ンデンサ５０を調節することによって、総静電容量を調
節することが最も容易であると考える。制御装置は、堆
積時間の関数か或いはプラズマ処理によって堆積される
（あるいはエッチングされる）層の厚さの関数として、
中央コンデンサの静電容量値を漸次変化させるよう、モ
ータに命令を出す。
【００５８】静電容量を変化させる量は、プラズマ・ホ
ットスポットを避け、堆積された膜の品質が最高になる
ように経験的に決定されることが望ましい。特に、時間
または層厚さの関数としての最適静電容量値は、プラズ
マ中で目に見えて明らかであるか或いは検出可能なホッ
トスポットの発生を避けるのに必要な範囲で静電容量を
手動で調節することにより、堆積またはエッチング処理
の実施中に経験的に決定することが出来る。経験的に決
定された一連の静電容量値は、次に制御装置７０中にプ
ログラムステップとして格納することが出来る。
ットスポットを避け、堆積された膜の品質が最高になる
ように経験的に決定されることが望ましい。特に、時間
または層厚さの関数としての最適静電容量値は、プラズ
マ中で目に見えて明らかであるか或いは検出可能なホッ
トスポットの発生を避けるのに必要な範囲で静電容量を
手動で調節することにより、堆積またはエッチング処理
の実施中に経験的に決定することが出来る。経験的に決
定された一連の静電容量値は、次に制御装置７０中にプ
ログラムステップとして格納することが出来る。
【００５９】あるいは堆積またはエッチング処理の実施
中、プラズマのＲＦインピーダンスを可能な限り一定に
するように、静電容量を調節することも出来る。プラズ
マ・インピーダンスは２つのＲＦ電源のうちの１つの出
力における負荷インピーダンスの測定から推論すること
が出来る。
中、プラズマのＲＦインピーダンスを可能な限り一定に
するように、静電容量を調節することも出来る。プラズ
マ・インピーダンスは２つのＲＦ電源のうちの１つの出
力における負荷インピーダンスの測定から推論すること
が出来る。
【００６０】例示されたＣＶＤチャンバでは、低周波Ｒ
Ｆ電源３２と接地コンデンサ５０〜５４とが、ワークピ
ース１４が上に設置されるサセプタ電極１２に接続され
ている。しかし、いくつかのエッチングチャンバなどプ
ラズマチャンバの中には、高周波電源３０が、上にワー
クピースが設置されるサセプタに接続され、低周波電源
は陽極電極２０に接続されるものがある。そのような場
合、１つ以上のコンデンサ５０〜５４は、電気接地と、
陽極電極、すなわち低周波電源が接続される電極との間
に接続されるであろう。
Ｆ電源３２と接地コンデンサ５０〜５４とが、ワークピ
ース１４が上に設置されるサセプタ電極１２に接続され
ている。しかし、いくつかのエッチングチャンバなどプ
ラズマチャンバの中には、高周波電源３０が、上にワー
クピースが設置されるサセプタに接続され、低周波電源
は陽極電極２０に接続されるものがある。そのような場
合、１つ以上のコンデンサ５０〜５４は、電気接地と、
陽極電極、すなわち低周波電源が接続される電極との間
に接続されるであろう。
【図１】本発明による、接地コンデンサを含むプラズマ
・チャンバの部分略側断面図である。
・チャンバの部分略側断面図である。
【図２】コンデンサが接続される接触域を表わすサセプ
タの部分略下面図である。
タの部分略下面図である。
１０ チャンバ壁 １２ サセプタ １３ サセプタの前面 １４ 基板（ガラス） １５ サセプタの背面 １６ 軸、サセプタ １８ リッド ２０ シャワーヘッド ２２ インレット・マニホールド側壁 ２４ インレット・マニホールド受け板 ２６ インレット・マニホールド周囲の絶縁スペーサ ２８ ガス注入開口部 ３０ ＨＦ電源 ３１ 高域通過フィルタ ３２ ＬＦ電源 ３３ 低域通過フィルタ ３６ 排気スリット ３８ 排気プレナム ５０ コンデンサ、軸 ５１〜５４ コンデンサ、隅 ６０〜６４ 接地ストラップ、金属 ６６ 締め付けブロック ７０ ＣＶＤ中にバイアス電力を漸次的に変化するた
めの制御装置 ８０ サセプタ支持棚 ８１ 支持棚の円筒型部 ８２ 可動リフト・プラットフォーム ８４ リフト基部 ８６ ベローズ ８８ Ｏリング
めの制御装置 ８０ サセプタ支持棚 ８１ 支持棚の円筒型部 ８２ 可動リフト・プラットフォーム ８４ リフト基部 ８６ ベローズ ８８ Ｏリング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 シェン サン アメリカ合衆国， カリフォルニア州， フレモント， ラーウィック ストリート 42745 (72)発明者 ジェフ シー． オルセン アメリカ合衆国， カリフォルニア州， ロス ガトス， エル ケイジョン ウェ イ 239 (72)発明者 サンジェイ ヤダウ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， レッドウッド シティ， 15ティーエイチ アヴェニュー 911 (72)発明者 クワンイェン シャン アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サラトガ， キャニオン ヴュー ドライ ヴ 21090 (72)発明者 カム エス． ロウ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， ユニオン シティ， リヴィエラ ドライ ヴ 461 Ｆターム(参考） 4G075 AA24 AA30 AA62 BA05 BC04 BC06 BD14 CA25 CA47 EB42 EC21 4K030 FA03 JA18 KA14 KA30 LA15 LA18 5F004 AA01 BA04 BB11 BB13 BD04 5F045 AA08 AB33 AC01 AC12 AC15 BB02 DP03 DQ10 EB02 EF05 EH07 EH14 EH20
Claims (31)
- 【請求項１】 電子ワークピースを製造する装置であっ
て、前記装置は：プラズマチャンバと；プラズマチャン
バ内に取り付けられる第１の電極および第２の電極と；
第１の電極と第２の電極との間に電子ワークピースを位
置決めするチャックと；第１の電極に、第１の周波数を
持つ電気信号が供給されるように接続される低周波電源
と；第２の電極に、第１の周波数よりも実質的に高い第
２の周波数を持つ電気信号が供給されるように接続され
る高周波電源と；第１の電極と電気接地との間に接続さ
れる少なくとも１つのコンデンサと、を含む、電子ワー
クピースを製造する装置。 - 【請求項２】 第１の電極は前面と背面とを備え、第１
の面が一般に第２の電極に向かい合い；チャックはワー
クピースを第１の電極の前面に隣接して位置決めする、
請求項１に記載の装置。 - 【請求項３】 少なくとも１つのコンデンサが：第１の
電極の周囲付近に空間的に分布されるそれぞれの点にお
いて、第１の電極にそれぞれ接続された複数のコンデン
サを含む、請求項１に記載の装置。 - 【請求項４】 第１の電極が前面と背面とを備え、第１
の面が一般に第２の電極に向かい合い；少なくとも１つ
のコンデンサが、第１の電極の背面を覆って空間的に分
布されるそれぞれの点において、第１の電極にそれぞれ
接続された複数のコンデンサを含む、請求項１に記載の
装置。 - 【請求項５】 少なくとも１つのコンデンサが：第１の
電極の中央付近の点で第１の電極に電気的に接続される
第１のコンデンサを含む、請求項１に記載の装置。 - 【請求項６】 第１の電極の中央付近の点で第１の電極
に接続される導電性軸をさらに含み；少なくとも１つの
コンデンサは、軸に直接に電気的接続される第１のコン
デンサを含む、請求項５に記載の装置。 - 【請求項７】 少なくとも１つのコンデンサが７５０ｐ
ｆから３０００ｐｆまでの範囲内の総静電容量を有す
る、請求項１に記載の装置。 - 【請求項８】 高周波電源および低周波電源が共同し
て、第１の電極と第２の電極との間の領域でプラズマを
励起し；少なくとも１つのコンデンサが、前記領域中の
前記プラズマの強度を、少なくとも１つのコンデンサが
存在しない場合の前述のプラズマ強度に比べて実質的に
増加させる静電容量を有する、請求項１に記載の装置。 - 【請求項９】 高周波電源および低周波電源が共同し
て、第１の電極と第２の電極との間の領域でプラズマを
励起し；少なくとも１つのコンデンサが、前記領域中の
前記プラズマ濃度の空間均一性を、少なくとも１つのコ
ンデンサが存在しない場合の前記プラズマ濃度の空間均
一性に比べて実質的に向上させる静電容量を有する、請
求項１に記載の装置。 - 【請求項１０】 少なくとも１つのコンデンサが、第１
の電極の後ろのいかなるプラズマ強度をも、少なくとも
１つのコンデンサが存在しない場合の前述のプラズマ強
度に比べて実質的に減少させる静電容量を有する、請求
項１に記載の装置。 - 【請求項１１】 少なくとも１つのコンデンサが、前記
第２の周波数で第１の電極を接地に電気接続するのに充
分なほど大きい静電容量を有する、請求項１に記載の装
置。 - 【請求項１２】 少なくとも１つのコンデンサが、低周
波電源が第１の電極へ充分な電力を供給するのを可能に
するのに充分なほど小さい静電容量を有する、請求項１
に記載の装置。 - 【請求項１３】 少なくとも１つのコンデンサが、プラ
ズマチャンバ内に、目に見える明らかないかなるプラズ
マ・ホットスポットも形成されることを防ぐ静電容量を
有する、請求項１に記載の装置。 - 【請求項１４】 少なくとも１つのコンデンサが静電容
量によって特徴付けられる可変コンデンサを含み；プラ
ズマチャンバが、チャンバ運転中に可変コンデンサの静
電容量を漸次的に変化する制御装置をさらに含む、請求
項１に記載の装置。 - 【請求項１５】 第２の周波数が第１の周波数よりも少
なくとも２倍大きい、請求項１に記載の装置。 - 【請求項１６】 第２の周波数が第１の周波数よりも少
なくとも１０倍大きい、請求項１に記載の装置。 - 【請求項１７】 電子ワークピースを製造する方法であ
って、前記方法は：プラズマチャンバ内に第１の電極お
よび第２の電極を取り付けるステップと；第１の電極と
第２の電極との間に電子ワークピースを位置決めするス
テップと；第１の電極に第１の周波数を持つ第１の電気
信号を供給するステップと；第２の電極に第１の周波数
よりも実質的に高い第２の周波数を持つ第２の電気信号
を供給するステップと；少なくとも１つのコンデンサを
第１の電極と電気接地との間に接続するステップと、を
含む、電子ワークピースを製造する方法。 - 【請求項１８】 ワークピースが大部分、誘電材料によ
って構成される、請求項１７に記載の方法。 - 【請求項１９】 第１の電気信号および第２の電気信号
が共同して第１の電極と第２の電極との間の領域におけ
るプラズマを励起させ；少なくとも１つのコンデンサ
が、前記領域中の前記プラズマの強度を、少なくとも１
つのコンデンサが存在しない場合の前述のプラズマ強度
に比べて実質的に増加させる静電容量を有する、請求項
１７に記載の方法。 - 【請求項２０】 第１の電気信号および第２の電気信号
が共同して第１の電極と第２の電極との間の領域におけ
るプラズマを励起させ；少なくとも１つのコンデンサ
が、前記領域中の前記プラズマ濃度の空間均一性を、少
なくとも１つのコンデンサが存在しない場合の前記プラ
ズマ濃度の空間均一性に比べて実質的に向上させる静電
容量を有する、請求項１７に記載の方法。 - 【請求項２１】 少なくとも１つのコンデンサが、第１
の電極後ろのいかなるプラズマ強度をも、少なくとも１
つのコンデンサが存在しない場合の前述のプラズマ強度
に比べて実質的に減少させる静電容量を有する、請求項
１７に記載の方法。 - 【請求項２２】 少なくとも１つのコンデンサが、前記
第２の周波数で第１の電極を接地に電気接続するのに充
分なほど大きい静電容量を有する、請求項１７に記載の
方法。 - 【請求項２３】 少なくとも１つのコンデンサが、低周
波電源が第１の電極へ充分な電力を供給するのを可能に
するのに充分なほど小さい静電容量を有する、請求項１
７に記載の方法。 - 【請求項２４】 少なくとも１つのコンデンサが、プラ
ズマチャンバ内に目に見える明らかないかなるプラズマ
・ホットスポットも形成されることを防ぐ静電容量を有
する、請求項１７に記載の方法。 - 【請求項２５】 少なくとも１つのコンデンサが静電容
量によって特徴付けられる可変コンデンサを含み；方法
が、チャンバ運転中に可変コンデンサの静電容量を漸次
的に変化させるステップをさらに含む、請求項１７に記
載の方法。 - 【請求項２６】 プラズマチャンバ内で電子ワークピー
ス上に材料を堆積するステップをさらに含み；静電容量
を漸次的に変化させるステップが、材料が堆積される間
に静電容量を変化させるステップを含む、請求項２５に
記載の方法。 - 【請求項２７】 プラズマチャンバ内で電子ワークピー
ス上の材料をエッチングするステップをさらに含み；静
電容量を漸次的に変化させるステップが、材料がエッチ
ングされる間に静電容量を変化させるステップを含む、
請求項２５に記載の方法。 - 【請求項２８】 第１の電気信号および第２の電気信号
が共同して第１の電極と第２の電極との間の領域におけ
るプラズマを励起させ；静電容量を漸次的に変化させる
ステップが、チャンバ運転中にプラズマ・インピーダン
スの変化量を減少するよう静電容量を変化させるステッ
プを含む、請求項２５に記載の方法。 - 【請求項２９】 第１の電気信号および第２の電気信号
が共同して第１の電極と第２の電極との間の領域におけ
るプラズマを励起させ；静電容量を漸次的に変化させる
ステップが、チャンバ運転中にプラズマ濃度の空間均一
性の変化量を減少するよう静電容量を変化させるステッ
プを含む、請求項２５に記載の方法。 - 【請求項３０】 第２の周波数が第１の周波数よりも少
なくとも２倍大きい、請求項１７に記載の方法。 - 【請求項３１】 第２の周波数が第１の周波数よりも少
なくとも１０倍大きい、請求項１７に記載の方法。
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