JP2007180596A - プラズマ処理装置及び高周波電流の短絡回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プラズマ処理装置10は、ガラス基板Gを収容するチャンバ11と、該チャンバ11内に配置されてガラス基板Gを載置する載置台としての下部電極板23と、該下部電極板23に対向して配置され且つチャンバ11内に処理ガスを供給するシャワーヘッド12と、該シャワーヘッド12の上部電極板13に接続された高周波電源20と、下部絶縁部25を介して下部電極板23を支持すると共にチャンバ11の内壁から離間して配置される接地基板26と、該接地基板26及びチャンバ11の内壁を短絡する短絡板36とを備え、該短絡板36及びチャンバ11の内壁の間にコンデンサ37が介在し、該コンデンサ37はチャンバ11の内壁に設けられる。
【選択図】図1
Description
V2 = (ZL+ZC)×I … (1)
通常、ZLやZCはR+jX(Xはリアクタンス)で示されるが、プラズマ処理装置10では、RはXに比べて非常に小さく、無視できる。したがって、本実施の形態では、短絡板36の誘導性リアクタンスをXLとし、コンデンサ37の容量性リアクタンスをXCとすると、接地基板26の電位V2は下記式(2)で示される。
V2 ≒ (XL+XC)×I … (2)
本実施の形態では、コンデンサ37の静電容量を調整することによって電位V2を低減する。具体的には、下記式(3)が成立するようにコンデンサ37の静電容量を調整する。
XC = −XL/2 … (3)
その結果、接地基板26の電位V2は下記式(4)で示される。
V2 ≒ 1/2×XL×I … (4)
一方、従来のプラズマ処理装置のように、接地基板及びチャンバの内壁が短絡板のみで短絡されている場合、接地基板の電位V1は下記式(5)で示される。
V1 ≒ XL×I … (5)
上記式(4)及び(5)を比較すると、接地基板26の電位V2は従来のプラズマ処理装置における接地基板の電位V1の1/2である。したがって、コンデンサ37を短絡板36及びチャンバ11の内壁の間に介在させ、上記式(3)が成立するようにコンデンサ37の静電容量を調整することにより、接地基板26の電位V2を従来のプラズマ処理装置における接地基板の電位V1の1/2にすることができる。
VC ≒ XC×I … (6)
ここで、上記式(3)より、コンデンサ37の電位VCは下記式(7)で示される。
VC ≒ −1/2×XL×I … (7)
したがって、コンデンサ37の電位VCも従来のプラズマ処理装置における接地基板の電位V1の1/2にすることができる。すなわち、コンデンサ37が分担する電位差もV1の1/2となる。
L=0.002a×〔2.303×log{2a/(b+c)}+0.5+0.2235×(b+c)/a〕 … (8)
ここで、b≫cとすると、上記式(8)は下記式(8)’で示される。
L≒0.002a×{2.303×log(2a/b)+0.5+0.2235×b/a} … (8)’
このとき、上記式(8)’におけるLの値をAとし、直線導体における幅−長さ比をb/aとすると、該A及びb/aの関係は図4に示す通りとなる。なお、図4において、横軸は幅−長さ比b/aを示し、縦軸は、幅−長さ比b/aが0.5のときのAを1として各幅−長さ比b/aに対応するAを規格化した場合における規格化されたAを示す。
1/Lall = 1/Ldiv+1/Ldiv … (9)
したがって、上記式(9)より、短絡板41全体のインダクタンスは分岐路41aのインダクタンスの半分となる。
C1 = C2 = 2/(ω2×L) … (10)
ここで、コンデンサ37の容量性リアクタンスをXC1とし、コンデンサ45の容量性リアクタンスをXC2とし、短絡板44の誘導性リアクタンスをXLとすると、接地基板26の電位V3は下記式(11)で示される。
V3 ≒ (XC1+XL+XC2)×I = (−1/(ω×C1)+ω×L−1/(ω×C2))×I … (11)
ここで、上記式(10)より、接地基板26の電位V3は下記式(12)で示される。
V3 ≒ (−ω×L/2+ω×L−ω×L/2)×I … (12)
すなわち、接地基板26の電位V3は0となる。
VC2 ≒ (XC1+XL)×I = (−1/(ω×C1)+ω×L))×I … (13)
ここで、上記式(10)より、コンデンサ45の電位VC2は下記式(14)で示される。
VC2 ≒ 1/2×ω×L×I … (14)
一方、上記式(5)で示される従来のプラズマ処理装置の接地基板の電位V1は、上記式(10)より、下記式(15)で示される。
V1 ≒ XL×I = ω×L×I … (15)
したがって、本実施の形態では、コンデンサ45の電位VC2を従来のプラズマ処理装置における接地基板の電位V1の1/2にすることができる。
VC1 ≒ XC1×I = −1/(ω×C1)×I … (16)
ここで、上記式(10)より、コンデンサ45の電位VC1は下記式(17)で示される。
VC1 ≒ −1/2×ω×L×I … (17)
したがって、本実施の形態では、コンデンサ37の電位VC1も従来のプラズマ処理装置における接地基板の電位V1の1/2にすることができる。
S 処理空間
10,40,43 プラズマ処理装置
11 チャンバ
13 上部電極板
20 高周波電源
22 上部絶縁部
23 下部電極板
25 下部絶縁部
26 接地基板
36,41,44 短絡板
37,45 コンデンサ
37a,45a 絶縁層
41a 分岐路
Claims (8)
- 基板を収容する収容容器と、該収容容器内に配置されて前記基板を載置する載置台としての下部電極と、該下部電極に対向して配置され且つ前記収容容器内に処理ガスを供給する上部電極と、前記下部電極又は前記上部電極の少なくとも一方に接続された高周波電源と、前記下部電極又は前記上部電極の少なくとも一方を絶縁部を介して支持すると共に前記収容容器の内壁から離間して配置される接地基板と、該接地基板及び前記収容容器の内壁を短絡する短絡板とを備えるプラズマ処理装置において、
前記短絡板及び前記収容容器の内壁の間にコンデンサが介在し、該コンデンサは前記収容容器の内壁に設けられることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記コンデンサの容量性リアクタンスをXCとし、前記短絡板の誘導性リアクタンスをXLとした場合、
XC=−XL/2
が成立することを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。 - 前記コンデンサは絶縁層と、該絶縁層を狭持する2つの導電体とからなり、前記絶縁層はセラミックシート、溶射セラミック層及びフッ素樹脂層からなる群から選択された1つであることを特徴とする請求項1又は2記載のプラズマ処理装置。
- 前記短絡板及び前記接地基板の間に他のコンデンサが介在し、該他のコンデンサは前記接地基板に設けられ、
前記コンデンサの静電容量をC1とし、前記短絡板の自己インダクタンスをLとし、前記他のコンデンサの静電容量をC2とし、前記高周波電源が供給する高周波電力の周波数をfとし、角周波数ωを2πfとした場合、
C1=C2=2/(ω2×L)
が成立することを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。 - 基板を収容する収容容器と、該収容容器内に配置されて前記基板を載置する載置台としての下部電極と、該下部電極に対向して配置され且つ前記収容容器内に処理ガスを供給する上部電極と、前記下部電極又は前記上部電極の少なくとも一方に接続された高周波電源と、前記下部電極又は前記上部電極の少なくとも一方を絶縁部を介して支持すると共に前記収容容器の内壁から離間して配置される接地基板と、該接地基板及び前記収容容器の内壁を短絡する短絡板とを備えるプラズマ処理装置において、
前記短絡板は断面が矩形の直線導体からなり、途中で少なくとも2つに分岐していることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記短絡板及び前記収容容器の内壁の間にコンデンサが介在し、該コンデンサは前記収容容器の内壁に設けられることを特徴とする請求項5記載のプラズマ処理装置。
- 基板を収容する収容容器と、該収容容器内に配置されて前記基板を載置する載置台としての下部電極と、該下部電極に対向して配置され且つ前記収容容器内に処理ガスを供給する上部電極と、前記下部電極又は前記上部電極の少なくとも一方に接続された高周波電源と、前記下部電極又は前記上部電極の少なくとも一方を絶縁部を介して支持すると共に前記収容容器の内壁から離間して配置される接地基板とを備えるプラズマ処理装置における前記接地基板及び前記収容容器の内壁を短絡する高周波電流の短絡回路であって、
前記接地基板及び前記収容容器の内壁を短絡する短絡板と、該短絡板及び前記収容容器の内壁の間に介在するコンデンサとを有し、
該コンデンサは前記収容容器の内壁に設けられることを特徴とする短絡回路。 - 基板を収容する収容容器と、該収容容器内に配置されて前記基板を載置する載置台としての下部電極と、該下部電極に対向して配置され且つ前記収容容器内に処理ガスを供給する上部電極と、前記下部電極又は前記上部電極の少なくとも一方に接続された高周波電源と、前記下部電極又は前記上部電極の少なくとも一方を絶縁部を介して支持すると共に前記収容容器の内壁から離間して配置される接地基板とを備えるプラズマ処理装置における前記接地基板及び前記収容容器の内壁を短絡する高周波電流の短絡回路であって、
前記接地基板及び前記収容容器の内壁を短絡する短絡板を有し、
該短絡板は断面が矩形の直線導体からなり、途中で少なくとも2つに分岐していることを特徴とする短絡回路。
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