JP2006104575A - プロセスチャンバのカソードの高周波接地 - Google Patents

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Abstract

【課題】プロセスチャンバ壁と基板支持体との間の高周波電流に短い電流リターンパスを与えるための装置が提供される。
【解決手段】高周波接地され、基板移送ポートの上方に置かれた高周波接地装置が、堆積などの基板処理中のみ、基板支持体と電気的接触を確立し、高周波電流に電流リターンパスを与える。高周波接地装置の一実施形態は、接地されたチャンバ壁および1つ以上の低インピーダンスブロックに電気的に接続されることで、基板処理中、基板支持体と接触する1つ以上の低インピーダンス可撓性カーテンを備える。高周波接地装置の別の実施形態は、接地されたチャンバ壁および1つ以上の低インピーダンスブロックに電気的に接続されることで、基板処理中、基板支持体と接触する複数の低インピーダンス可撓性ストラップを備える。
【選択図】 図3A

Description

発明の分野
[0001]本発明の実施形態は、一般的に、大面積基板の処理時に使用されるプラズマ処理機器に関し、更に詳しく言えば、このような機器の高周波電流リターンパスに関する。
発明の背景
[0002]コンピュータモニタ、テレビモニタ、パーソナルディジタルアシスタント(PDA:personal digital assistants)、携帯電話などのアクティブマトリックスディスプレイには、フラットパネルディスプレイが広く使用されている。フラットパネルディスプレイの1つのタイプである液晶ディスプレイ(LCD:liquid crystal displays)は、一般的に、ガラスまたはプラスチックであってもよい2枚のプレートを備え、プレート間には液晶材料の層が挟まれている。プレートのうち少なくとも1枚の上部には、電源に結合された少なくとも1つの導電膜が配置されている。電源から導電材料膜に供給された電力が、液晶材料の配向を変化させ、ディスプレイ上で見られるテキストやグラフィックなどのパターンを作り出す。フラットパネルを生産するためによく使用される1つの作製プロセスは、プラズマ強化化学気相成長(PECVD:plasma enhanced chemical vapor deposition)である。
[0003]プラズマ強化化学気相成長は、一般的に、フラットパネルの作製に利用されるもののような基板上に薄膜を堆積するために用いられる。プラズマ強化化学気相成長は、一般的に、基板を包含する真空チャンバに前駆体ガスを導入することによって達成される。前駆体ガスは、典型的に、チャンバの上部付近に位置付ける分配プレートを介して方向付けされる。チャンバにある前駆体ガスは、チャンバに結合された1つ以上の高周波源からチャンバに高周波電力を適用することによってプラズマに付勢(例えば、励起)される。励起されたガスは、温度制御された基板支持体上の位置にある基板の表面上に材料層を形成するように反応する。
[0004]堆積中、基板支持体は、基板支持体にわたって電圧降下が生じて堆積の均一性に影響を与えることがないように、適切に高周波接地される必要がある。高周波接地が効果的でないと、プラズマは基板支持体の片側および下方に進み、それらの領域に望ましくない堆積を生じることで、チャンバの洗浄がより困難になり、時間がかかる。基板支持体を高周波接地しやすいように、基板支持体をチャンバ本体に結合するために、低インピーダンスストラップを用いるシステムもある。
[0005]図1(先行技術)は、基板支持体140をチャンバ100の底部134に電気的に結合するための複数の高周波ストラップ120を有する例となる従来の処理チャンバ100の簡易切欠斜視図である。基板移送ポート136は、プロセスチャンバへの基板の移送およびプロセスチャンバからの基板の移送の際に通る開口である。図1に、8本のストラップが示されており、2本のストラップ120は、基板支持体140の各縁部に結合されている。基板支持体140は、典型的に、複数のリフトピン152を含み、そのうちのいくつかが、移送中、基板の縁部を持ち上げるように、基板支持体140の縁部に沿って配置される。ストラップ120の各々は、ベンド126によって接合された第1および第2の湾曲部122、124を含む。ストラップ120は、一般的に、基板支持体140の周囲と整合し、リフトピン152が基板支持体140の下方に延伸できる場所を与えるように間隔を置いて設けられる。基板支持体140は、搬送ポート136の下端部138付近にある基板装填位置と、典型的に、搬送ポート136の上端部139の上方または付近にある基板堆積位置との間を移動できる。V字状のストラップ120は、基板支持位置に従って屈曲する。
[0006]この構成は、応用によって、効果的であり信頼性があることが分かっているが、基板支持体が基板装填位置と基板堆積位置との間でより長い距離を進行する必要があるシステムにとってはあまり効果的ではない。進行距離が長いほど、高周波接地ストラップ120を長くする必要があるため、高周波接地ストラップのインピーダンスが高くなるとともに、ストラップの高周波接地能力が下がる。
[0007]したがって、より短い電流リターンパスを有する高信頼性の低インピーダンス高周波接地が必要とされている。
発明の概要
[0008]一般的に、本発明の実施形態により、大面積基板処理の高周波電流リターンパスが与えられる。一実施形態において、プロセスチャンバ壁と、プロセスチャンバ壁によって囲まれた基板支持体との間に高周波電流リターンパスを与えるための装置が、基板搬送ポートを有するプロセスチャンバ壁と、プロセスチャンバ壁によって囲まれ、処理位置と非処理位置との間を移動するように適合された基板支持体と、プロセスチャンバ壁に据え付けられ、基板移送ポートの上方の位置にある高周波接地アセンブリとを備え、高周波接地アセンブリは、基板支持体が処理位置にあるとき、基板支持体に接触する。
[0009]高周波接地アセンブリは、基板処理中、基板支持体に接触する1つ以上の低インピーダンスブロックと、プロセスチャンバ壁に電気的に接続された第1の端部と、1つ以上の低インピーダンスブロックに接続された第2の端部とを有する、1つ以上の低インピーダンス可撓性カーテンまたはストラップとを更に備える。
[0010]別の実施形態において、プロセスチャンバ壁と、プロセスチャンバ壁によって囲まれた基板支持体との間に高周波電流リターンパスを与えるための装置が、基板搬送ポートを有するプロセスチャンバ壁と、プロセスチャンバ壁によって囲まれ、処理位置と非処理位置との間を移動するように適合された基板支持体と、チャンバ壁に据え付けられ、基板移送ポートの上方の位置にある高周波接地アセンブリとを備え、高周波接地アセンブリは、基板支持体が処理位置にあるとき、基板支持体に接触するように作動され得る。
[0011]高周波接地アセンブリは、基板支持体が処理位置に移動するときに基板支持体に接触する位置と、基板支持体が非処理位置に移動するときに基板支持体に接触しない位置との間を移動可能な複数の高周波接地されたプローブと、プローブに結合され、プローブの動きを制御するように適合された複数のアクチュエータとを更に備える。
[0012]本発明の上述した実施形態が獲得され詳細に理解されるように、上記に簡単に要約した本発明の更に詳細な記載が、添付の図面に例示されている本発明の実施形態を参照しながら与えられてもよい。しかしながら、添付の図面は、本発明の典型的な実施形態しか例示しておらず、したがって、本発明の範囲を限定するものと見なされるべきではなく、本発明は、他の同等の効果的な実施形態を許容してもよいことに留意されたい。
[0029]理解しやすいように、図面に共通する同一の要素を示すために、可能な限り、同一の参照番号を使用する。図面は、すべて略図であって、一定の縮尺のものではない。
詳細な記載
[0030]本発明は、一般的に、大面積基板を支持するシステムに高周波電流リターンパスを与える。本発明は、カリフォルニア州サンタクララのApplied Materials,Inc.の子会社であるAKTから市販されているもののような、プラズマ強化化学気相成長(PECVD)システムを参照して、以下に例示的に記載される。しかしながら、本発明は、物理気相成長システム、エッチシステム、および基板支持体と基板支持体を収容するチャンバとの間に低インピーダンスの高周波電流リターンパスが望まれる他の処理システムなどの他のシステム構成において有用性を有していることを理解されたい。
[0031]本発明の実施形態により、高周波プラズマチャンバにおいてサセプタを一様に高周波接地するための良好な方法が生み出される。典型的に、プロセスチャンバは、構造の点から完全に対称的ではない。例えば、チャンバの片側は、プロセスチャンバへの基板の移送およびプロセスチャンバからの基板の移送のためのポートをチャンバ壁に有してもよい。チャンバ壁は、高周波プラズマチャンバの高周波回路の一部である。チャンバの片側にある移送ポート(または孔)は、プロセスチャンバに非対称性を生じる。このように非対称性であることにより、高周波接地の均一性が低減され、プラズマの均一性が損なわれてしまい、プロセス性能が低下する。
[0032]図1の構成は、応用によっては、効果的で信頼性のあるものであることが分かっているが、基板支持体が基板装填位置と基板堆積位置との間でより長い距離を進行する必要があるシステムでは、あまり効果的ではない。進行距離が長いほど、高周波接地ストラップは長くなるため、高周波接地ストラップのインピーダンスが高くなり、ストラップの高周波接地能力が低下する。インピーダンスZは、抵抗RとリアクタンスXとからなる。数式1は、インピーダンス、抵抗、およびリアクタンスの関係を示し、数式1の「j」は虚数である。
(数1)
Z=R+jX
高周波接地ストラップの長さとともに、抵抗RとリアクタンスXの両方が増大するため(数式2および数式3を参照されたい)、高周波接地ストラップが長くなると、インピーダンスは高くなる。
(数2)
R=pl/A
ρは高周波接地ストラップの抵抗率である。数式2の変数「l」は高周波接地ストラップの長さであり、Aは高周波接地ストラップの断面積である。
(数3)
X=2□fL
fは周波数であり(この例では高周波)、Lは高周波接地ストラップのインダクタンスである。
[0033]高周波接地ストラップが効果的に働くためには、そのインピーダンスが低くなければならない。インピーダンスが高くなれば、基板支持体の両端に電位差が存在して、堆積の均一性に悪影響を及ぼすことがある。更に、高周波接地が効果的でないと、プラズマは基板支持体の片側および下方に進み、それらの領域に望ましくない堆積を生じることで、洗浄がより困難になり、時間が更にかかる。図1に示すような高周波接地ストラップのインピーダンスを高くすると、高周波接地ストラップは、高周波接地ストラップの長さが長いため、より大きな基板を処理するために使用されるシステムの場合、高周波接地の際に効果的ではなくなることがある。
[0034]本発明の実施形態は、プロセスチャンバの構造的な非対称性が、プラズマおよびプロセスの均一性に影響を及ぼさないように、サセプタ(または基板支持体)の高周波接地を高めるための装置および方法について記載する。
[0035]図2(先行技術)は、カリフォルニア州サンタクララのApplied Materials,Inc.の子会社であるAKTから市販されているプラズマ強化化学気相成長システム200の一実施形態の略図的断面図である。システム200は、一般的に、ガス源204に結合された処理チャンバ202を含む。処理チャンバ202は、プロセス容積212を部分的に画成する壁206および底部208を有する。プロセス容積212は、典型的に、基板240が処理チャンバ202へ移動およびそこから移動しやすくする壁206のポート230を介してアクセスされる。図2において、入口ポート230は、上端部231と下端部233との間にある。壁206および底部208は、典型的に、アルミニウムや処理に適合した他の材料からなる一体ブロックから作製される。壁206は、蓋アセンブリ210を支持する。
[0036]温度制御された基板支持アセンブリ238は、処理チャンバ202内の中心に配置される。支持アセンブリ238は、処理中、基板240を支持する。一実施形態において、基板支持アセンブリ238は、アルミニウムなどの伝導性材料から作られた基板支持本体224を備え、この基板支持本体224は、少なくとも1つの埋込型の加熱器232を封入している。支持アセンブリ238に配置された抵抗要素などの加熱器232は、支持アセンブリ238と、その上の位置にある基板240とを、所定の温度まで制御可能に加熱する。典型的に、CVDプロセスにおいて、加熱器232は、堆積される材料の堆積処理パラメータに応じて、約150℃〜少なくとも約460℃の均一な温度で基板240を維持する。
[0037]一般的に、支持アセンブリ238は、下側226および上側234を有する。上側234は、基板240を支持する。下側226は、下側に結合されたステム242を有する。ステム242は、支持アセンブリ238をリストシステム(図示せず)に結合し、このリフトシステムは、上昇した処理位置(図示)と、処理チャンバ202への基板の移送およびそこからの基板の移送を行いやすい下降した位置との間で、支持アセンブリ238を移動させる。ステム242は、支持アセンブリ238とシステム200の他の構成部品との間の導線および熱電対線用の導管を更に与える。
[0038]支持アセンブリ238(またはステム242)と処理チャンバ202の底部208との間に、ベローズ246が結合される。ベローズ246は、支持アセンブリ238を垂直運動しやすくさせながら、チャンバ容積212と処理チャンバ202の外側の大気との間に真空密封を与える。
[0039]支持アセンブリ238は、一般的に、支持本体224と接地との間に低インピーダンスの高周波リターンパスを与える高周波接地パス244によって接続される。高周波接地リターンパス244は、例えば、チャンバ本体202を介して接地に直接的または間接的に結合されてもよく、チャンバ本体は、接地255を介して接地される。蓋アセンブリ210と基板支持アセンブリ238との間の位置にあるガス分配プレートアセンブリ218(またはチャンバの蓋アセンブリ内または付近の位置にある他の電極)に電源222によって供給される高周波電力が、支持アセンブリ238と分配プレートアセンブリ218との間のプロセス容積212に存在するガスを励起してもよいように、支持アセンブリ238は、一般的に、処理中、高周波接地される。電源222からの高周波電力は、一般的に、化学気相成長プロセスを駆動するために、基板のサイズに相応させて選択される。
[0040]支持アセンブリ238は、周囲シャドウフレーム248を更に支持する。一般的に、シャドウフレーム248は、基板が支持アセンブリ238に張り付かないように、基板240および支持アセンブリ238の縁部での堆積を防止する。支持アセンブリ238には、複数のリフトピン250を受ける複数の孔228が貫通して配置されている。リフトピン250は、典型的に、セラミックまたは陽極処理されたアルミニウムから構成される。リフトピン250は、支持表面234から突出するように、任意のリフトプレート254によって支持アセンブリ238に対して作動されることで、支持アセンブリ238に対して間隔を設けて基板を置いてもよい。
[0041]蓋アセンブリ210は、プロセス容積212に上方境界を与える。蓋アセンブリ210は、典型的に、処理チャンバ202を整備するために取り外したり開けたりすることができる。一実施形態において、蓋アセンブリ210は、アルミニウム(Al)から作製される。蓋アセンブリ210は、典型的に、ガス源204によって与えられるプロセスガスが、処理チャンバ202内に導入される際に通る入口ポート205を含む。入口ポート205は、洗浄源207にも結合される。洗浄源207は、典型的に、解離したフッ素などの洗浄剤を与え、この洗浄剤を処理チャンバ202内に導入して、ガス分配プレートアセンブリ218を含む処理チャンバのハードウェアから、堆積副生成物および膜を除去する。
[0042]ガス分配プレートアセンブリ218は、蓋アセンブリ210のトッププレート221の内側220に結合される。蓋アセンブリ210のトッププレート221および側壁211は、アークの発生を防止するために、絶縁体213によって分離される。ガス分配プレートアセンブリ218は、典型的に、例えば、大面積フラットパネル基板の場合は多角形、ウェハの場合は円形など、基板240のプロファイルに実質的に従うように構成される。ガス分配プレートアセンブリ218は、ガス源204から供給されるプロセスおよび他のガスが、プロセス容積212に送り出される際に通る穿孔領域216を含む。ガス分配プレートアセンブリ218の穿孔領域216は、ガス分配プレートアセンブリ218を介して処理チャンバ202内に通過するガスを均一に分配するように構成される。
[0043]ガス分配プレートアセンブリ218は、典型的に、ハンガプレート260から懸架された拡散プレート(または分配プレート)258を含む。拡散プレート258およびハンガプレート260は、あるいは、単一の一体部材を備えてもよい。ガス分配プレートアセンブリ218を通ってプロセス容積212内に所定の分布でガスが流れるように、拡散プレート258を介して複数のガス通路262が形成される。ハンガプレート260は、拡散プレート258および蓋アセンブリ210の内面220を間隔を置いて維持することで、それらの間にプレナム264を画成する。プレナム264により、蓋アセンブリ210を通って流れるガスは、拡散プレート258の幅にわたって均一に分布できるため、ガスは、中心の穿孔領域216の上方に均一に与えられ、ガス通路262を通って均一の分布で流れる。拡散プレート258は、半導体ウェハ製造の場合は円形、またはフラットパネルディスプレイの製造の場合、矩形などの多角形であってもよい。
[0044]図3Aは、非基板処理期間中、基板支持アセンブリ238の基板支持本体224と、例となる高周波接地アセンブリ280との相対位置を例示する。基板支持アセンブリ238は、非基板処理位置にあり、高周波接地アセンブリ280に接触した状態にない。高周波接地アセンブリ280は、1つ以上の接地静止部235上に着座し、非基板処理期間中、静止部235によって支持される。基板支持本体224は、最上部に基板240を有し、基板支持本体224の最上面の外周の周りに1つ以上のピックアップ棚状突起部290を有する。ピックアップ棚状突起部290は、基板支持アセンブリ238が基板処理位置にあるとき、1つ以上の接地静止部235から外すように高周波接地アセンブリ280を持ち上げる。高周波接地アセンブリ280は、搬送ポート開口230の上方に置かれ、チャンバ壁206に取り付けられ、基板支持体の全縁部に及ぶシャドウフレーム248を支持する。一実施形態において、シャドウフレームは、約3インチ〜約5インチの幅であり、約1/2〜約1インチの厚みである。シャドウフレーム248と拡散プレート258との間には空間がある。
[0045]図3Bは、図3Aの円Aの要素を拡大した図を示す。高周波接地アセンブリ280は、溶接、はんだ付け、ろう付けなどの適用可能な手段によって、または取り付けデバイス286によって、チャンバ壁206に取り付けられる。また、高周波アセンブリ280は、チャンバ壁206に取り付けられた1つ以上の低インピーダンス可撓性カーテン284と、1つ以上の被ピックアップブロック282とからなる。1つ以上の可撓性カーテン284は、溶接、はんだ付け、ろう付けなどの適用可能な手段によって、または取り付けデバイス288によって、1つ以上の被ピックアップブロック282に取り付けられる。
[0046]低インピーダンス可撓性カーテン284は、アルミニウムシートなどの高伝導率の可撓性材料から作られなければならない。1つ以上の被ピックアップブロック282は、アルミニウムブロックなどの低インピーダンス(または高伝導率)ブロックから作られなければならない。1つ以上の被ピックアップブロック282は、シャドウフレーム248を支持し、堆積などの基板処理中に、基板支持本体224に接触するようにピックアップ棚状突起部290によって持ち上げられ、高周波リターンパスを与える(以下、図3Cおよび図3Dを参照されたい)。各ピックアップブロック282は、少なくとも1つのピックアップ棚状突起部によって持ち上げられる。
[0047]図3Cは、堆積などの基板処理中の基板支持アセンブリ238の基板支持本体224と、高周波接地アセンブリ280との相対位置を例示する。基板支持アセンブリは、堆積などの基板処理の位置にある。処理中、基板支持アセンブリ238の一部である基板支持本体224は、拡散プレート258の付近へ上向きに移動する。ピックアップ棚状突起部290は、1つ以上の接地静止部235から高周波接地アセンブリ280を外すように、1つ以上の被ピックアップブロック282を持ち上げ、基板支持本体224と高周波接地アセンブリ280との間を接触させる。
[0048]図3Dは、図3Cの円Bの要素を拡大した図を示す。カーテン284は、被ピックアップブロック282がピックアップ棚状突起部290によってわずかに上向きに動かされるため、チャンバ壁206の方へ押し動かされる。典型的に、陽極処理されたシャドウフレーム248は、シャドウフレーム248のレセス225で基板240の縁部を部分的に覆う。シャドウフレームは、基板240の縁部、アーク発生防止のために置かれたセラミックボタン223、および基板支持本体224上にある被ピックアップブロック282によって支持される。
[0049]図3A〜図3Dのカーテン284は、基板支持本体224全体または本体224の周囲の一部分の周りを連続して延伸してもよい。一実施形態において、単一のカーテン284が、本体224の実質的に全周囲の周りを連続して延伸し(例えば、高周波接地アセンブリ280が、基板処理位置にあるとき、多角形の本体224の縁部に接触してもよいように)、1つ以上の被ピックアップブロック282に接続される。あるいは、複数のカーテン284が、本体224の実質的に全周囲の周りを延伸するように、互いに隣接する位置にあってもよく、少なくとも1つのカーテンは、処理位置にあるとき、多角形の支持アセンブリ238の各縁部に結合されてもよい。複数のカーテン284は、1つ以上の被ピックアップブロック282に接続される。
[0050]図3Eは、例となる伝導性カーテン284を平坦に置いた場合を示す。カーテン284は、幅271および長さ273を有する。伝導性カーテン284は、ねじなどの取り付けデバイス286および288が、チャンバ壁突出部286および被ピックアップブロック282に取り付けられるように貫通できる孔286Hおよび288Hを有する。伝導性カーテンは、処理前、処理中、および処理後、反応種が通過できる開口275を有する。開口275は、任意の形状であってもよく、カーテン上の任意の場所にあってもよい。図3Eに示す形状は、一例として使用されているにすぎない。伝導性(または低インピーダンス)のカーテン284は、任意に、反応種が通過しやすいように、更なる孔281を有してもよい。更なる孔281は、任意の形状であってもよい。一実施形態において、各々が約3インチ〜約5インチの幅および約5インチ〜約7インチの長さを有するいくつかのカーテン284が、多角形の本体224の周りに等間隔に設けられ、チャンバ壁206および1つ以上の被ピックアップブロック282に接続される。
[0051]更に、処理中、チャンバ202の温度は、チャンバ底部208付近の50〜130℃から、処理中、基板240に接触した状態にある支持アセンブリ238の表面上の400℃以上までの範囲であってもよい。チャンバ壁206での温度は、基板支持体224より低い50〜350度であってもよい。したがって、基板支持アセンブリ224に接触した状態にあり、被ピックアップブロックに結合されたカーテン284の端部は、通常、チャンバ壁206に結合されたカーテン284の端部よりかなり程度が高い熱膨張にさらされることになる。このような膨張のばらつきにより、カーテン284が変形することで、カーテン284の機能性および耐用年数に望ましくない影響を与える。熱的な差をなくすために、カーテン284の熱膨張を許容するために被ピックアップブロックに結合された端部に近接したカーテン284に、少なくとも1つの穿孔(または開口)275が形成される。一実施形態において、各々が約0.5インチ〜約1インチの幅を有する複数の穿孔275が、被ピックアップブロックに結合されたカーテン284の端部に沿って、約2インチ毎〜約4インチ毎の間隔に設けられる。
[0052]カーテン284は、処理および洗浄用の化学物質に対して耐性のある可撓性低インピーダンス伝導性金属から構成される。一実施形態において、カーテン284は、アルミニウムシートから構成され、約0.008インチ〜約0.016インチの厚みである。あるいは、カーテン284は、チタン、ステンレス鋼、または伝導性金属コーティングでコーティングされた可撓性材料を備えてもよい。
[0053]プラズマから、支持アセンブリ238の伝導性本体224と電気的に接触した状態にある基板240に電流が流れる。電流は、本体224から高周波接地カーテン284およびチャンバ壁突出部213を介して、接地255に接地されたチャンバ壁206およびチャンバ底部208へ流れる。カーテン284により、従来の高周波接地技術と比較すると、処理中の接地までの高周波電流のリターンパスが著しく短くなる。基板支持体224の底部とチャンバ底部208との間にある従来の高周波接地ストラップは、約20インチ以上の長さであってもよいのに対して、被ピックアップブロックとチャンバ壁206との間の高周波接地カーテン284の距離は、約3インチから約5インチ以下であってもよい。
[0054]更に、カーテン284は、より大きな電流保持領域を与え、大面積処理応用において使用するのに適した理想的なものとなる。距離が短くなり、カーテン284の電流保持能力が大きくなるほど、支持アセンブリ238の表面および接地されたチャンバ202にわたった電圧差がかなり小さくなることによって、基板支持体224の側部および下方の領域での非均一なプラズマ堆積および望ましくない堆積の可能性が実質的に低くなる。
[0055]1つ以上の被ピックアップブロック282は、シャドウフレーム248を支持する。各被ピックアップブロック282は、基板支持本体224全体または本体224の周辺の一部分の周りを連続的に延伸してもよい。一実施形態において、単一の被ピックアップブロック282が、本体224の実質的に全周囲の周りを連続して延伸し(例えば、被ピックアップブロック282が、処理位置にあるとき、多角形の本体224の縁部に接触してもよいように)。あるいは、複数のブロック282が、本体224の実質的に全周囲の周りを延伸するように、互いに隣接する位置にあってもよく、少なくとも1つのブロックは、支持アセンブリが堆積などの基板処理位置にあるとき、多角形の支持アセンブリ238の各縁部に接触してもよい。
[0056]ブロック282は、処理および洗浄用の化学物質に対して耐性のある可撓性低インピーダンス伝導性金属から構成される。一実施形態において、ブロック282は、アルミニウムから構成され、約1/4インチ〜約3/4インチ×約1/4〜約3/4インチの断面を有する。あるいは、ブロック282は、チタン、ステンレス鋼、または伝導性金属コーティングでコーティングされた可撓性材料を備える。
[0057]基板240が基板支持本体224に張り付かないように、基板240および基板支持本体224の縁部での堆積を防止するため、シャドウフレーム248を必要とする堆積チャンバもある。シャドウフレームが不要なプロセスチャンバもある。シャドウフレームがないプロセスチャンバの場合、高周波接地アセンブリ280は、シャドウフレーム248がない単独型のものであってもよい。図3Fは、シャドウフレームがない場合の図3Aの実施形態を示す。
[0058]ピックアップ棚状突起部290は、基板支持体224が、堆積などの基板処理位置に達するように上方に移動すると、1つ以上の被ピックアップブロック282を持ち上げる。基板処理中、ピックアップ棚状突起部290の表面は、電気的接触を与えるように、被ピックアップブロックに接触した状態にある。ピックアップ棚状突起部290は、基板支持体の全周囲の周りにある1つの連続的な棚状突起部であってもよく、または棚状突起部がない周囲領域によって分離された幾つかの棚状突起部に分割されてもよい。棚状突起部の幅は、被ピックアップブロック282を持ち上げる機能を果たすために、少なくとも0.01インチであり、好ましくは、少なくとも0.1インチである。被ピックアップブロック282の最上面が基板240の表面と同じレベルになるように、ピックアップ棚状突起部290の高さは、被ピックアップブロック282の高さおよび基板240の厚みに適応させるようにデザインされなければならない。ピックアップ棚状突起部290は、高周波接地アセンブリ280の被ピックアップブロック282のデザインに応じて、基板支持体224全体の周りにあってもよく、または基板支持本体224の一部の周りにのみあってもよい。
[0059]図4Aは、非基板処理期間中、基板支持アセンブリ238の基板支持本体224と、別の例となる高周波アセンブリ280aとの相対位置を例示する。基板支持本体224は、非基板処理位置にあり、高周波接地アセンブリ280aから離れている。高周波接地アセンブリ280aは、1つ以上の接地静止部235上に着座し、非処理期間中、静止部235によって支持される。基板支持本体224は、最上部に基板240を有し、基板支持本体224の最上面の外周囲の周りにピックアップ棚状突起部290を有する。ピックアップ棚状突起部290は、基板支持アセンブリ238が、堆積などの基板処理位置に移動すると、接地静止部235から外れるように、高周波接地アセンブリ280aを持ち上げる。高周波接地アセンブリ280aは、搬送ポート開口230の上方に置かれ、シャドウフレーム248を支持する。高周波接地アセンブリ280aは、チャンバ壁206への結合を可能にする1つ以上の取り付けブロック289を含んでもよい。また、高周波接地アセンブリ280aは、取り付けブロック289なしに、チャンバ壁206に直接結合されてもよい。シャドウフレーム248と拡散プレート258との間には空間がある。
[0060]図4Bは、図4Aの円Cの要素を拡大した図を示す。高周波接地アセンブリ280aは、溶接、はんだ付け、ろう付けなどの適用可能な手段によって、または取り付けデバイス287によって、チャンバ壁206上の1つ以上の取り付けブロック289に取り付けられる。また、高周波アセンブリ280aは、取り付けブロック289に取り付けられた複数の低インピーダンス可撓性ストラップ285と、1つ以上の被ピックアップブロック282とからなる。ストラップ285は、溶接、はんだ付け、ろう付けなどの適用可能な手段によって、または取り付けデバイス283によって、1つ以上の被ピックアップブロック282に取り付けられる。
[0061]低インピーダンスのストラップ285は、アルミニウムストリップなどの高伝導率の可撓性材料から作られなければならない。一実施形態において、各ストラップ285は、被ピックアップブロック282が、堆積などの基板処理位置に上向きに移動でき、非基板処理位置に下向きに移動できるように、屈曲したV字状のストラップが圧縮したり応力が解放されたりできるようにする少なくとも1つのベンド291を包含する。ベンド291は、ベンドの信頼性を高めたり、金属破損の発生を低減させたりするために丸み付けされてもよい。1つ以上の被ピックアップブロック282は、アルミニウムブロックなどの低インピーダンス(または高伝導率)ブロックから作られなければならない。ブロック282は、チタン、ステンレス鋼、または伝導性金属コーティングでコーティングされた固体材料を備えてもよい。1つ以上の被ピックアップブロック282は、シャドウフレーム248を支持し、基板処理中に、基板支持本体224に接触するようにピックアップ棚状突起部290によって持ち上げられ、高周波リターンパスを与える(以下、図4Cおよび図4Dを参照されたい)。
[0062]図4Cは、基板処理中の基板支持アセンブリ238の基板支持本体224と、図4Aの高周波接地アセンブリ280aとの相対位置を例示する。基板支持本体224は、堆積などの基板処理の位置にある。基板支持本体224および高周波接地アセンブリ280aは、被ピックアップブロック282と基板支持本体224との間の接触による接触状態にある。処理中、基板支持アセンブリ238の一部である基板支持本体224は、拡散プレート258の付近へ上向きに移動する。ピックアップ棚状突起部290は、被ピックアップブロック282を持ち上げ、基板支持本体224と高周波接地アセンブリ280aとの間を接触させる。図4Dは、図4Cの円Dの要素を拡大した図を示す。
[0063]複数のストラップ285は、本体224の実質的に全周囲の周りを延伸するように、互いに隣接する位置にあってもよく、少なくとも1つのカーテンは、基板支持体240が基板処理位置にあるとき、多角形の支持アセンブリ238の各縁部に結合される。複数のストラップ285は、1つ以上の被ピックアップブロック282に接続される。一実施形態において、約1/4インチ〜約3/4インチの幅271と、約0.008インチ〜約0.016インチの厚みで、約4インチ〜約6インチの長さ273とを各々が有するいくつかのストラップ285が、多角形の本体224の各縁部の位置に1つずつある。一実施形態において、ベンド291は、ストラップ285のほぼ中央にある。ストラップ285は、処理および洗浄用の化学物質に対して耐性のある可撓性低インピーダンス伝導性金属から作られる。一実施形態において、ストラップ285は、アルミニウムから作られる。あるいは、ストラップ285は、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた可撓性材料を備えてもよい。
[0064]図4Eは、伝導性ストラップ285を平坦に置いた場合の実施形態を示す。伝導性ストラップ285は、ねじなどの取り付けデバイス287および283が、取り付けブロック289および被ピックアップブロック282に取り付けられるように貫通できる孔287Hおよび283Hを有する。一実施形態において、ストラップ285は、取り付けブロック289に取り付けられた端部と、被ピックアップブロック282に取り付けられた端部との間の位置にある少なくとも1つのベンド291を包含する。1つのベンド291を有するストラップ285は、側部から見た場合、V字状である。ベンド291は、取り付けブロック289および被ピックアップブロックの縁部に実質的に平行に向けられる。ベンド291は、ストラップ285の耐用年数を長くするために、ストラップ285に予め形成され、そうしなければ、支持アセンブリ238の垂直方向の移動によって、ストラップ285に繰り返し応力がかかることで、ベンド291に亀裂が生じ、ストラップ285を取り替える必要が生じることがある。
[0065]図4Fは、互いに隣接した位置にあり、取り付けブロック289および被ピックアップブロック282に取り付けられた複数のストラップ285を示す。伝導性ストラップ285間の空間により、反応種の貫通が可能になる。
[0066]ストラップ285は、従来の高周波接地技術と比較すると、処理中の接地までの高周波電流のリターンパスを著しく短くする。基板支持体224の底部とチャンバ底部208との間の従来の高周波接地ストラップは、20インチ以上であってもよいのに対して、被ピックアップブロック282と取り付けブロック289との間の高周波接地ストラップ285の距離は、約4インチ〜約6インチ以下であってもよい。プラズマから、支持アセンブリ238の伝導性本体224と電気的に接触した状態にある基板240へ電流が流れる。電流は、本体224から高周波接地ストラップ285および取り付けブロック289を介して、接地255を介して接地されたチャンバ壁206へ流れる。
[0067]更に、ストラップ285は、大きな電流保持能力を与えてもよく、大面積処理応用において使用するのに適した理想的なものとなる。距離が短くなり(低インピーダンス)、ストラップ285の電流保持能力が大きくなるほど、支持アセンブリ238の表面と接地されたチャンバ202との間の電圧差がかなり小さくなることによって、基板支持体224の側部および下方の領域での非均一なプラズマ堆積および望ましくない堆積の可能性が実質的に低くなる。
[0068]図4A〜図4Fの被ピックアップブロック282およびピックアップ棚状突起部290のデザインは、図3A〜図3Eの高周波接地アセンブリ280に記載したものに類似している。更に、図3A〜図3Eに記載した高周波接地アセンブリデザインと同様に、シャドウフレームがないプロセスチャンバの場合、図4A〜図4Fに記載した高周波接地アセンブリ280aは、シャドウフレーム258がない独立型のものであってもよい。
[0069]図3A〜図3Fに示す高周波接地カーテン284および図4A〜図4Fに示す高周波接地ストラップ285は、図1に示す従来の高周波接地ストラップより小さな屈曲に耐える。
[0070]図5は、本発明の別の実施形態の断面図を描写する。基板支持アセンブリ238の基板支持本体224は、高周波接地プローブ293を含有する1つ以上の高周波接地アセンブリ295によって高周波接地される。高周波接地プローブ293は、図5に示すように、堆積などの基板処理中に基板支持本体224に接触する位置と、非基板処理期間中に基板支持本体224に接触しない位置(図6を参照されたい)との間で移動可能である。高周波接地プローブ293は、図5のベアリング付き真空密封297や図6の密封ベローズ296などの真空密封デバイスでチャンバ壁206を介して挿入される。図5のベアリング付き真空密封297や図6の密封ベローズ296は、伝導性であってもよく、プローブ293をチャンバ壁206へ高周波接地してもよい。図5のベアリング付き真空密封297および図6の密封ベローズ296が伝導性でなければ、プローブ293は、接地257を介して高周波接地されてもよい。高周波接地プローブ293は、基板処理中にプローブが基板支持体224に接触することができ、基板搬送によって影響されないように、基板移送ポート230の上方に置かれる。高周波接地プローブ293の変位を制御するために、アクチュエータ294が高周波接地プローブ293と相互作用する。アクチュエータ294は、高周波接地プローブ293が基板支持本体224に接触した状態および非接触の状態になるように移動させるのに適したソレノイドリニアアクチュエータ、空圧または油圧シリンダ、または他のデバイスであってもよい。アクチュエータ294は、基板処理中、プローブ293が基板支持体240に接触した状態になるように移動させるために、コントローラ(図示せず)に接続されてもよい。
[0071]複数のプローブ293が、本体224の実質的に全周囲の周りを延伸するように、互いに隣接する位置にあってもよく、少なくとも1つのプローブは、基板支持体240が基板処理位置にあるとき、多角形の支持アセンブリ238の各縁部に接触することになる。好ましくは、多角形の基板支持体240の縁部に沿って、少なくとも約4インチ毎〜約8インチ毎に1つのプローブがある。一実施形態において、プローブの直径は、約3/8インチ〜約1/2インチである。
[0072]プローブ293は、処理および洗浄用の化学物質に対して耐性のある低インピーダンス伝導性金属から作られる。一実施形態において、プローブ293は、アルミニウムから作られる。あるいは、プローブ293は、チタン、ステンレス鋼、または伝導性金属コーティングでコーティングされる材料を備えてもよい。
[0073]プローブ293は、従来の高周波接地技術と比較すると、処理中の接地までの高周波電流のリターンパスを著しく短くする。基板支持体224の底部とチャンバ底部208との間の従来の高周波接地ストラップは、20インチ以上であってもよいのに対して、基板支持体224と接地されたチャンバ壁206との間の、基板支持体224に接触する高周波接地プローブ293の長さは、約2インチ〜約3インチ以下であってもよい。好ましくは、基板支持体224と接地されたチャンバ壁206との間の、基板支持体224に接触する高周波接地プローブ293の長さは、10インチ以下である。プラズマから、支持アセンブリ238の伝導性本体224と電気的に接触した状態にある基板240へ電流が流れる。電流は、本体224から高周波接地プローブ293を介して、接地255を介して接地されたチャンバ壁206へ流れる。
[0074]更に、プローブ293は、大きな電流保持能力を与えてもよく、大面積処理応用において使用するのに適した理想的なものとなる。距離が短くなり(低インピーダンス)、カーテン284の電流保持能力が大きくなるほど、支持アセンブリ238の表面と接地されたチャンバ202との間の電圧差がかなり小さくなることによって、基板支持体224の側部および下方の領域での非均一なプラズマ堆積および望ましくない堆積の可能性が実質的に低くなる。
[0075]このように、本発明の実施形態は、より短い高周波リターンパスにより大面積基板処理の分野において著しい進化を遂げる。本発明の実施形態は、任意のプラズマ処理システムに適用されてもよい。本発明の実施形態により、高周波電流リターンパスの電圧降下を著しく制限し、フラットパネルおよび液晶ディスプレイの作製に使用されるものなどの大規模処理システムにおける使用に適した装置が提供される。本発明の実施形態は、基板支持体が長距離を進行する必要がある場合、従来の高周波接地技術より利点を有する。本発明の実施形態は、基板支持体が長距離を進行する必要がないプラズマ処理システムの従来の高周波接地技術にも同様に作用する。
[0076]本発明の実施形態に関して上述してきたが、本発明の他の更なる実施形態は、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく考え出されてよく、本発明の範囲は、特許請求の範囲によって決定される。
高周波電流リターンパスを有する先行技術の処理システムの部分略図である(先行技術)。 例示的な処理チャンバの略図的断面図である(先行技術)。 非基板処理期間中の図2の処理チャンバにおける本発明の高周波接地アセンブリの一実施形態の略図的断面図である。 図3Aの円Aの拡大部分側面断面図である。 基板処理中の図2の処理チャンバにおける本発明の高周波接地アセンブリの一実施形態の略図的断面図である。 図3Cの円Bの拡大部分側面断面図である。 高周波接地カーテンの一実施形態の平面図である。 図2のプロセスチャンバにおける本発明の高周波接地アセンブリの一実施形態の略図的断面図である。 非基板処理期間中の図2の処理チャンバにおける本発明の高周波接地アセンブリの別の実施形態の略図的断面図である。 図4Aの円Cの拡大部分側面断面図である。 基板処理中の図2の処理チャンバにおける本発明の高周波接地アセンブリの別の実施形態の略図的断面図である。 図4Cの円Dの拡大部分側面断面図である。 高周波接地ストラップの一実施形態の平面図である。 ピックアップブロックおよび取り付けブロックに結合された2つの高周波接地ストラップの略図的側面図である。 基板処理中の図2の処理チャンバにおける本発明の高周波接地アセンブリの別の実施形態の略図的断面図である。 非基板処理期間中の図2の処理チャンバにおける本発明の高周波接地アセンブリの別の実施形態の略図的断面図である。
符号の説明
206…チャンバ壁、224…基板支持本体、230…搬送ポート開口、235…接地静止部、238…基板支持アセンブリ、240…基板、248…シャドウフレーム、258…拡散プレート、280…高周波接地アセンブリ、282…被ピックアップブロック、284…カーテン、285…ストラップ、286,288…取り付けデバイス、289…取り付けブロック、290…ピックアップ棚状突起部。

Claims (114)

  1. プロセスチャンバ壁と、前記プロセスチャンバ壁によって囲まれた基板支持体との間に高周波電流リターンパスを与えるための装置であって、
    基板搬送ポートを有するプロセスチャンバ壁と、
    前記プロセスチャンバ壁によって囲まれ、処理位置と非処理位置との間を移動するように適合された基板支持体と、
    前記プロセスチャンバ壁に据え付けられ、前記基板移送ポートの上方の位置にあり、前記基板支持体が前記処理位置にあるとき、前記基板支持体に接触する高周波接地アセンブリと、
    を備える装置。
  2. 前記高周波接地アセンブリが、
    基板処理中に前記基板支持体に接触する1つ以上の低インピーダンスブロックと、
    前記プロセスチャンバ壁に電気的に接続された第1の端部および前記1つ以上の低インピーダンスブロックに接続された第2の端部を有する、1つ以上の低インピーダンス可撓性カーテンとを備える、請求項1に記載の装置。
  3. 各低インピーダンス可撓性カーテンが、反応種が通過できるように適合された1つ以上の開口を包含する、請求項2に記載の装置。
  4. 前記1つ以上の開口の少なくとも1つが、前記低インピーダンス可撓性カーテンの前記第2の端部付近に位置する、請求項3に記載の装置。
  5. 前記1つ以上の開口が、約0.5インチ〜約1インチの幅であり、約2インチ毎〜約4インチ毎の間隔で設けられる、請求項4に記載の装置。
  6. 前記1つ以上の低インピーダンス可撓性カーテンが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた可撓性材料、およびそれらの組み合わせとからなる群から選択された材料から作られる、請求項2に記載の装置。
  7. 前記1つ以上の低インピーダンス可撓性カーテンが、アルミニウムから作られ、約0.008インチ〜約0.016インチの厚みである、請求項2に記載の装置。
  8. 前記1つ以上の低インピーダンス可撓性カーテンの各々が、約3インチ〜約5インチの幅であり、約5インチ〜約6インチの長さである、請求項2に記載の装置。
  9. 各カーテンの前記第1の端部が、溶接、はんだ付け、ろう付けによって、または取り付けデバイスによって、上側チャンバ本体に結合される、請求項2に記載の装置。
  10. 各カーテンの前記第2の端部が、溶接、はんだ付け、ろう付けによって、または取り付けデバイスによって、前記低インピーダンスブロックに結合される、請求項2に記載の装置。
  11. 前記1つ以上の低インピーダンスブロックが、シャドウフレームを支持する、請求項2に記載の装置。
  12. 前記1つ以上の低インピーダンスブロックが、非基板処理期間中、1つ以上の静止部によって支持される、請求項2に記載の装置。
  13. 前記基板支持体が多角形であり、複数の低インピーダンスブロックが、前記基板支持本体の実質的に全周囲の周りを延伸するように互いに隣接した位置にあり、少なくとも1つのブロックが、前記多角形の基板支持体の各縁部に接触する、請求項2に記載の装置。
  14. 前記1つ以上の低インピーダンスブロックが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた固体材料、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された材料から作られる、請求項2に記載の装置。
  15. 前記1つ以上の低インピーダンスブロックの断面が、約1/4インチ〜約3/4インチ×約1/4インチ〜約3/4インチである、請求項2に記載の装置。
  16. 前記基板支持体が、前記基板支持体の最上面の周囲の周りに棚状突起部を有する、請求項1に記載の装置。
  17. 前記棚状突起部の幅が、少なくとも0.01インチである、請求項16に記載の装置。
  18. 前記棚状突起部の幅が、少なくとも0.1インチである、請求項16に記載の装置。
  19. 前記棚状突起部が、前記ブロックが前記基板支持体と電気的に接触した状態にあるように、基板処理中、前記1つ以上の低インピーダンスブロックを持ち上げる、請求項16に記載の装置。
  20. 前記高周波接地アセンブリが、
    基板処理中に前記基板支持体に接触する1つ以上の低インピーダンスブロックと、
    第1の端部および第2の端部を有し、前記第1の端部と前記第2の端部との間に少なくとも1つのベンドを有する複数の低インピーダンス可撓性ストラップとを更に備え、前記第1の端部が、前記プロセスチャンバ壁に電気的に接続され、前記第2の端部が、前記1つ以上の低インピーダンスブロックに電気的に接続される、請求項1に記載の装置。
  21. 前記低インピーダンス可撓性ストラップが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた可撓性材料、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された材料から作られる、請求項20に記載の装置。
  22. 前記低インピーダンス可撓性ストラップが、アルミニウムから作られ、約0.008インチ〜約0.016インチの厚みである、請求項20に記載の装置。
  23. 各低インピーダンス可撓性ストラップが、約1/4インチ〜約3/4インチの幅であり、約4インチ〜約6インチの長さである、請求項20に記載の装置。
  24. 前記基板支持体が多角形であり、前記多角形の基板支持体の各縁部に、少なくとも1つの低インピーダンス可撓性ストラップがある、請求項20に記載の装置。
  25. 前記反応種が、低インピーダンス可撓性ストラップ間を通過する、請求項20に記載の装置。
  26. 前記高周波接地アセンブリを前記プロセスチャンバ壁に結合できるようにする1つ以上の低インピーダンス取り付けブロックを更に備える、請求項20に記載の装置。
  27. 前記1つ以上の取り付けブロックが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた固定材料、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された材料から作られる、請求項26に記載の装置。
  28. 各低インピーダンス可撓性ストラップの前記第1の端部が、溶接、はんだ付け、ろう付けによって、または取り付けデバイスによって、前記1つ以上の取り付けブロックに結合される、請求項26に記載の装置。
  29. 各低インピーダンス可撓性ストラップの前記第2の端部が、溶接、はんだ付け、ろう付けによって、または取り付けデバイスによって、前記1つ以上の低インピーダンスブロックに結合される、請求項20に記載の装置。
  30. 前記1つ以上の低インピーダンスブロックが、シャドウフレームを支持する、請求項20に記載の装置。
  31. 前記1つ以上の低インピーダンスブロックが、非基板処理期間中、1つ以上の静止部によって支持される、請求項20に記載の装置。
  32. 前記基板支持体が多角形であり、複数の低インピーダンスブロックが、前記基板支持本体の実質的に全周囲の周りを延伸するように互いに隣接した位置にあり、少なくとも1つの低インピーダンスブロックが、前記多角形の基板支持体の各縁部に接触する、請求項20に記載の装置。
  33. 前記1つ以上の低インピーダンスブロックが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた固体材料、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された材料から作られる、請求項20に記載の装置。
  34. 前記1つ以上の低インピーダンスブロックの断面が、約1/4インチ〜約3/4インチ×約1/4インチ〜約3/4インチである、請求項20に記載の装置。
  35. 前記プロセスチャンバが、PECVDプロセスチャンバである、請求項1に記載の装置。
  36. 前記プロセスチャンバが、プラズマエッチングチャンバである、請求項1に記載の装置。
  37. プロセスチャンバ壁と、前記プロセスチャンバ壁によって囲まれた基板支持体との間に高周波電流リターンパスを与えるための装置であって、
    基板搬送ポートを有するプロセスチャンバ壁と、
    前記プロセスチャンバ壁によって囲まれ、処理位置と非処理位置との間を移動するように適合された基板支持体と、
    前記チャンバ壁に据え付けられ、前記基板移送ポートの上方の位置にあり、前記基板支持体が前記処理位置にあるとき、前記基板支持体に接触するように構成された高周波接地アセンブリと、
    を備える装置。
  38. 高周波接地アセンブリが、
    前記基板支持体が処理位置に移動するときに前記基板支持体に接触する位置と、前記基板支持体が非接触位置に移動するときに前記基板支持体に接触しない位置との間を移動可能な複数の高周波接地されたプローブと、
    前記プローブに結合され、前記プローブの動きを制御するように適合された複数のアクチュエータとを更に備える、請求項37に記載の装置。
  39. 前記プローブが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた固体材料、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された材料から作られる、請求項38に記載の装置。
  40. 前記プローブが、アルミニウムから作られ、前記プローブの直径が、約3/8インチ〜約1/2インチである、請求項38に記載の装置。
  41. 前記基板支持体と、前記プローブが接触状態にあり高周波接地されたチャンバ壁との間の前記プローブの長さが、約10インチ以下である、請求項38に記載の装置。
  42. 前記基板支持体と、前記プローブが接触状態にあり高周波接地されたチャンバ壁との間の前記プローブの長さが、約3インチ以下である、請求項38に記載の装置。
  43. 前記基板支持体が多角形であり、前記多角形の基板支持体の各縁部に少なくとも1つのプローブがある、請求項38に記載の装置。
  44. 前記基板支持体の周囲の周りに、約4インチ毎〜約8インチ毎に1つのプローブがある、請求項38に記載の装置。
  45. 前記反応種が、前記プローブ間を通過する、請求項38に記載の装置。
  46. 前記プローブが、真空密封デバイスまたは真空密封ベローズのいずれかで、前記チャンバ壁を介して挿入される、請求項38に記載の装置。
  47. 前記アクチュエータが、ソレノイドリニアアクチュエータ、空気圧シリンダ、または油圧シリンダである、請求項38に記載の装置。
  48. 前記プロセスチャンバが、PECVDプロセスチャンバである、請求項37に記載の装置。
  49. 前記プロセスチャンバが、プラズマエッチングチャンバである、請求項37に記載の装置。
  50. プロセスチャンバ壁と、前記プロセスチャンバ壁によって囲まれた基板支持体との間に高周波電流リターンパスを与えるための装置であって、
    基板搬送ポートを有するプロセスチャンバ壁と、
    前記プロセスチャンバ壁によって囲まれ、処理位置と非処理位置との間を移動するように適合された基板支持体と、
    前記プロセスチャンバ壁に据え付けられ、前記基板移送ポートの上方の位置にあり、前記基板支持体が前記処理位置にあるとき、前記基板支持体に接触する高周波接地アセンブリと、
    を備え、
    前記高周波接地アセンブリが、基板処理中に前記基板支持体に接触する1つ以上の低インピーダンスブロックと、前記プロセスチャンバ壁に電気的に接続された第1の端部および前記1つ以上の低インピーダンスブロックに接続された第2の端部を有する1つ以上の低インピーダンス可撓性カーテンと、を備える装置。
  51. 各低インピーダンス可撓性カーテンが、反応種が通過できるように適合された1つ以上の開口を包含する、請求項50に記載の装置。
  52. 前記1つ以上の低インピーダンス可撓性カーテンが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた可撓性材料、およびそれらの組み合わせとからなる群から選択された材料から作られる、請求項50に記載の装置。
  53. 各カーテンの前記第1の端部が、溶接、はんだ付け、ろう付けによって、または取り付けデバイスによって、上側チャンバ本体に結合される、請求項50に記載の装置。
  54. 前記1つ以上の低インピーダンスブロックが、シャドウフレームを支持する、請求項50に記載の装置。
  55. 前記1つ以上の低インピーダンスブロックが、非基板処理期間中、1つ以上の静止部によって支持される、請求項50に記載の装置。
  56. 前記基板支持体が多角形であり、複数の低インピーダンスブロックが、前記基板支持本体の実質的に全周囲の周りを延伸するように互いに隣接した位置にあり、少なくとも1つのブロックが、前記多角形の基板支持体の各縁部に接触する、請求項50に記載の装置。
  57. 前記1つ以上の低インピーダンスブロックが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた固体材料、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された材料から作られる、請求項50に記載の装置。
  58. 前記基板支持体が、前記基板支持体の最上面の周囲の周りに棚状突起部を有する、請求項50に記載の装置。
  59. プロセスチャンバ壁と、前記プロセスチャンバ壁によって囲まれた基板支持体との間に高周波電流リターンパスを与えるための装置であって、
    基板搬送ポートを有するプロセスチャンバ壁と、
    前記プロセスチャンバ壁によって囲まれ、処理位置と非処理位置との間を移動するように適合された基板支持体と、
    前記プロセスチャンバ壁に据え付けられ、前記基板移送ポートの上方の位置にあり、前記基板支持体が前記処理位置にあるとき、前記基板支持体に接触する高周波接地アセンブリと、
    を備え、
    前記高周波接地アセンブリが、基板処理中に前記基板支持体に接触する1つ以上の低インピーダンスブロックと、第1の端部および第2の端部を有し、前記第1の端部と前記第2の端部との間に少なくとも1つのベンドを有する複数の低インピーダンス可撓性ストラップとを備え、前記第1の端部が、前記プロセスチャンバ壁に電気的に接続され、前記第2の端部が、前記1つ以上の低インピーダンスブロックに電気的に接続された装置。
  60. 前記低インピーダンス可撓性ストラップが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた可撓性材料、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された材料から作られる、請求項59に記載の装置。
  61. 前記基板支持体が多角形であり、前記多角形の基板支持体の各縁部に、少なくとも1つの低インピーダンス可撓性ストラップがある、請求項59に記載の装置。
  62. 前記反応種が、低インピーダンス可撓性ストラップ間を通過する、請求項59に記載の装置。
  63. 前記高周波接地アセンブリを前記プロセスチャンバ壁に結合できるようにする1つ以上の低インピーダンス取り付けブロックを更に備える、請求項59に記載の装置。
  64. 前記1つ以上の取り付けブロックが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた固定材料、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された材料から作られる、請求項63に記載の装置。
  65. 前記1つ以上の低インピーダンスブロックが、シャドウフレームを支持する、請求項59に記載の装置。
  66. 前記1つ以上の低インピーダンスブロックが、非基板処理期間中、1つ以上の静止部によって支持される、請求項59に記載の装置。
  67. 前記基板支持体が多角形であり、複数の低インピーダンスブロックが、前記基板支持本体の実質的に全周囲の周りを延伸するように互いに隣接した位置にあり、少なくとも1つの低インピーダンスブロックが、前記多角形の基板支持体の各縁部に接触する、請求項59に記載の装置。
  68. 前記1つ以上の低インピーダンスブロックが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた固体材料、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された材料から作られる、請求項59に記載の装置。
  69. プロセスチャンバ壁と、前記プロセスチャンバ壁によって囲まれた基板支持体との間に高周波電流リターンパスを与えるための装置であって、
    基板搬送ポートを有するプロセスチャンバ壁と、
    前記プロセスチャンバ壁によって囲まれ、処理位置と非処理位置との間を移動するように適合された基板支持体と、
    前記チャンバ壁に据え付けられ、前記基板移送ポートの上方の位置にあり、前記基板支持体が前記処理位置にあるときに前記基板支持体に接触するように構成された高周波接地アセンブリと、
    を備え、
    前記高周波接地アセンブリが、前記基板支持体が処理位置に移動するときに前記基板支持体に接触する位置と、前記基板支持体が非接触位置に移動すると、前記基板支持体に接触しない位置との間を移動可能な複数の高周波接地されたプローブと、前記プローブに結合され、前記プローブの動きを制御するように適合された複数のアクチュエータと、を備える装置。
  70. 前記プローブが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた固体材料、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された材料から作られる、請求項69に記載の装置。
  71. 前記基板支持体が多角形であり、前記多角形の基板支持体の各縁部に少なくとも1つのプローブがある、請求項69に記載の装置。
  72. 前記反応種が、前記プローブ間を通過する、請求項69に記載の装置。
  73. 前記プローブが、真空密封デバイスまたは真空密封ベローズのいずれかで、前記チャンバ壁を介して挿入される、請求項69に記載の装置。
  74. 前記アクチュエータが、ソレノイドリニアアクチュエータ、空気圧シリンダ、または油圧シリンダである、請求項69に記載の装置。
  75. プロセスチャンバ壁と、前記プロセスチャンバ壁によって囲まれた基板支持体との間に高周波電流リターンパスを与えるための高周波接地アセンブリであって、
    基板処理中に前記基板支持体に接触する1つ以上の低インピーダンスブロックと、
    前記プロセスチャンバ壁に電気的に接続された第1の端部および前記1つ以上の低インピーダンスブロックに接続された第2の端部を有する1つ以上の低インピーダンス可撓性カーテンと、
    を備える高周波接地アセンブリ。
  76. 各低インピーダンス可撓性カーテンが、反応種が通過できるように適合された1つ以上の開口を包含する、請求項75に記載の高周波接地アセンブリ。
  77. 前記1つ以上の低インピーダンス可撓性カーテンが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた可撓性材料、およびそれらの組み合わせとからなる群から選択された材料から作られる、請求項75に記載の高周波接地アセンブリ。
  78. 各カーテンの前記第1の端部が、溶接、はんだ付け、ろう付けによって、または取り付けデバイスによって、上側チャンバ本体に結合される、請求項75に記載の高周波接地アセンブリ。
  79. 前記1つ以上の低インピーダンスブロックが、シャドウフレームを支持する、請求項75に記載の高周波接地アセンブリ。
  80. 前記1つ以上の低インピーダンスブロックが、非基板処理期間中、1つ以上の静止部によって支持される、請求項75に記載の高周波接地アセンブリ。
  81. 前記1つ以上の低インピーダンスブロックが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた固体材料、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された材料から作られる、請求項75に記載の高周波接地アセンブリ。
  82. プロセスチャンバ壁と、前記プロセスチャンバ壁によって囲まれた基板支持体との間に高周波電流リターンパスを与えるための高周波接地アセンブリであって、
    基板処理中に前記基板支持体に接触する1つ以上の低インピーダンスブロックと、
    第1の端部および第2の端部を有し、前記第1の端部と前記第2の端部との間に少なくとも1つのベンドを有する複数の低インピーダンス可撓性ストラップとを更に備え、前記第1の端部が、前記プロセスチャンバに電気的に接続され、前記第2の端部が、前記1つ以上の低インピーダンスブロックに電気的に接続される、高周波接地アセンブリ。
  83. 前記低インピーダンス可撓性ストラップが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた可撓性材料、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された材料から作られる、請求項82に記載の高周波接地アセンブリ。
  84. 前記反応種が、低インピーダンス可撓性ストラップ間を通過する、請求項82に記載の高周波接地アセンブリ。
  85. 前記高周波接地アセンブリを前記プロセスチャンバ壁に結合できるようにする1つ以上の低インピーダンス取り付けブロックを更に備える、請求項82に記載の高周波接地アセンブリ。
  86. 前記1つ以上の取り付けブロックが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた固定材料、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された材料から作られる、請求項85に記載の高周波接地アセンブリ。
  87. 前記1つ以上の低インピーダンスブロックが、シャドウフレームを支持する、請求項82に記載の高周波接地アセンブリ。
  88. 前記1つ以上の低インピーダンスブロックが、非基板処理期間中、1つ以上の静止部によって支持される、請求項82に記載の高周波接地アセンブリ。
  89. 前記1つ以上の低インピーダンスブロックが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた固体材料、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された材料から作られる、請求項82に記載の高周波接地アセンブリ。
  90. プロセスチャンバ壁と、前記プロセスチャンバ壁によって囲まれた基板支持体との間に高周波電流リターンパスを与えるための高周波接地アセンブリであって、
    前記基板支持体が処理位置に移動するときに前記基板支持体に接触する位置と、前記基板支持体が非接触位置に移動するときに前記基板支持体に接触しない位置との間を移動可能な複数の高周波接地されたプローブと、
    前記プローブに結合され、前記プローブの動きを制御するように適合された複数のアクチュエータと、
    を備える高周波接地アセンブリ。
  91. 前記プローブが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた固体材料、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された材料から作られる、請求項90に記載の高周波接地アセンブリ。
  92. 前記反応種が、前記プローブ間を通過する、請求項90に記載の高周波接地アセンブリ。
  93. 前記プローブが、真空密封デバイスまたは真空密封ベローズのいずれかで、前記チャンバ壁を介して挿入される、請求項90に記載の高周波接地アセンブリ。
  94. 前記アクチュエータが、ソレノイドリニアアクチュエータ、空気圧シリンダ、または油圧シリンダである、請求項90に記載の高周波接地アセンブリ。
  95. プロセスチャンバ壁と、前記プロセスチャンバ壁によって囲まれた基板支持体との間に高周波電流リターンパスを与える方法であって、
    前記基板支持体を処理位置に移動するステップと、
    前記プロセスチャンバ壁に据え付けられ、前記基板移送ポートの上方の位置にあり、前記基板支持体が前記処理位置にあるときのみ、前記基板支持体に接触する高周波接地アセンブリと、前記基板支持体とを接触させるステップと、
    を備える方法。
  96. 前記高周波接地アセンブリが、基板処理中に前記基板支持体に接触する1つ以上の低インピーダンスブロックと、前記プロセスチャンバ壁に電気的に接続された第1の端部および前記1つ以上の低インピーダンスブロックに接続された第2の端部を有する、1つ以上の低インピーダンス可撓性カーテンとを備える、請求項95に記載の方法。
  97. 各低インピーダンス可撓性カーテンが、反応種が通過できるように適合された1つ以上の開口を包含する、請求項96に記載の方法。
  98. 前記1つ以上の低インピーダンス可撓性カーテンが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた可撓性材料、およびそれらの組み合わせとからなる群から選択された材料から作られる、請求項96に記載の方法。
  99. 前記1つ以上の低インピーダンスブロックが、シャドウフレームを支持する、請求項96に記載の方法。
  100. 前記1つ以上の低インピーダンスブロックが、非基板処理期間中、1つ以上の静止部によって支持される、請求項96に記載の方法。
  101. 前記1つ以上の低インピーダンスブロックが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた固体材料、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された材料から作られる、請求項96に記載の方法。
  102. 前記高周波接地が、基板処理中に前記基板支持体に接触する1つ以上の低インピーダンスブロックと、第1の端部および第2の端部を有し、前記第1の端部と前記第2の端部との間に少なくとも1つのベンドを有する複数の低インピーダンス可撓性ストラップとを更に備え、前記第1の端部が、前記プロセスチャンバに電気的に接続され、前記第2の端部が、前記1つ以上の低インピーダンスブロックに電気的に接続される、請求項95に記載の方法。
  103. 前記低インピーダンス可撓性ストラップが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた可撓性材料、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された材料から作られる、請求項102に記載の方法。
  104. 前記反応種が、低インピーダンス可撓性ストラップ間を通過する、請求項102に記載の方法。
  105. 前記高周波接地アセンブリが、前記高周波接地アセンブリを前記プロセスチャンバ壁に結合できるようにする1つ以上の低インピーダンス取り付けブロックを更に備える、請求項102に記載の方法。
  106. 前記1つ以上の取り付けブロックが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた固定材料、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された材料から作られる、請求項105に記載の方法。
  107. 前記1つ以上の低インピーダンスブロックが、シャドウフレームを支持する、請求項102に記載の方法。
  108. 前記1つ以上の低インピーダンスブロックが、非基板処理期間中、1つ以上の静止部によって支持される、請求項102に記載の方法。
  109. 前記1つ以上の低インピーダンスブロックが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた固体材料、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された材料から作られる、請求項102に記載の方法。
  110. 高周波接地アセンブリが、前記基板支持体が処理位置に移動するときに前記基板支持体に接触する位置と、前記基板支持体が非接触位置に移動するときに前記基板支持体に接触しない位置との間を移動可能な複数の高周波接地されたプローブと、前記プローブに結合され、前記プローブの動きを制御するように適合された複数のアクチュエータとを備える、請求項95に記載の方法。
  111. 前記プローブが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた固体材料、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された材料から作られる、請求項110に記載の方法。
  112. 前記反応種が、前記プローブ間を通過する、請求項110に記載の方法。
  113. 前記プローブが、真空密封デバイスまたは真空密封ベローズのいずれかで、前記チャンバ壁を介して挿入される、請求項110に記載の方法。
  114. 前記アクチュエータが、ソレノイドリニアアクチュエータ、空気圧シリンダ、または油圧シリンダである、請求項110に記載の方法。
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