JP5037560B2 - プロセスチャンバのカソードの高周波接地 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 231
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 11
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 11
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 8
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 8
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 8
- 239000011343 solid material Substances 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 26
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 26
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 26
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 25
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 210000000707 wrist Anatomy 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
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- H—ELECTRICITY
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
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Description
(数1)
Z=R+jX
高周波接地ストラップの長さとともに、抵抗RとリアクタンスXの両方が増大するため(数式2および数式3を参照されたい)、高周波接地ストラップが長くなると、インピーダンスは高くなる。
(数2)
R=pl/A
ρは高周波接地ストラップの抵抗率である。数式2の変数「l」は高周波接地ストラップの長さであり、Aは高周波接地ストラップの断面積である。
(数3)
X=2□fL
fは周波数であり(この例では高周波)、Lは高周波接地ストラップのインダクタンスである。
Claims (35)
- プロセスチャンバ壁と、前記プロセスチャンバ壁によって囲まれた基板支持体との間に高周波電流リターンパスを与えるための装置であって、
第1の位置と第2の位置との間で移動可能な基板支持体と、
高周波リターンアセンブリと
を備え、前記高周波リターンアセンブリが、
前記基板支持体が下降した位置にあるときには前記基板支持体から離れた第3の位置から移動可能であり、前記基板支持体が上昇した位置にあるときには前記基板支持体に接触する第4の位置から移動可能な1つ以上の要素と、
第1の端部および第2の端部を有し、前記第1の端部と前記第2の端部との間に少なくとも1つのベンドを有する複数の可撓性ストラップとを備え、前記第1の端部が、前記プロセスチャンバ壁に取り付けられて該プロセスチャンバ壁に電気的に接続されるように構成され、前記第2の端部が、前記1つ以上の要素に接触して該1つ以上の要素に電気的に接続される、装置。 - 前記可撓性ストラップが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた可撓性材料、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された材料から作られる、請求項1に記載の装置。
- 前記基板支持体が多角形であり、前記多角形の基板支持体の各縁部に、少なくとも1つの可撓性ストラップがある、請求項1に記載の装置。
- 反応種が、前記複数の可撓性ストラップの間を通過する、請求項1に記載の装置。
- 各前記可撓性ストラップと前記プロセスチャンバ壁との間に結合された1つ以上の取り付けブロックを更に備える、請求項1に記載の装置。
- 前記1つ以上の取り付けブロックが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた固体材料、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された材料から作られる、請求項5に記載の装置。
- 各前記可撓性ストラップの前記第1の端部が、溶接、はんだ付け、ろう付けによって、または取り付けデバイスによって、前記1つ以上の取り付けブロックに結合される、請求項5に記載の装置。
- 各前記可撓性ストラップの前記第2の端部が、溶接、はんだ付け、ろう付けによって、または取り付けデバイスによって、前記1つ以上の要素に結合される、請求項1に記載の装置。
- 前記1つ以上の要素が、シャドウフレームを備える、請求項1に記載の装置。
- 前記1つ以上の要素が、前記第3の位置にあるときに、1つ以上の静止部によって支持される、請求項1に記載の装置。
- 前記基板支持体が多角形であり、複数の前記要素が該基板支持体の実質的に全周囲を取り囲むように互いに隣接して配置され、該多角形の基板支持体の各縁部に少なくとも1つの前記要素が接触する、請求項1に記載の装置。
- 前記装置がプラズマ強化化学気相成長装置であり、ガス分配シャワーヘッドと、前記ガス分配シャワーヘッドに結合された高周波電源とを更に備える、請求項1に記載の装置。
- 前記1つ以上の要素および前記複数の可撓性ストラップが、前記ガス分配シャワーヘッドと前記基板支持体との間に配置される、請求項12に記載の装置。
- プロセスチャンバ壁と、前記プロセスチャンバ壁によって囲まれた基板支持体との間に高周波電流リターンパスを与えるためのプラズマ強化化学気相成長装置であって、
ガス分配シャワーヘッドと、
基板搬送ポートを有するプロセスチャンバ壁と、
前記プロセスチャンバ壁によって囲まれ、第1の位置と第2の位置との間を移動可能な基板支持体と、
前記プロセスチャンバ壁に据え付けられ、前記基板移送ポートの上方の位置にある高周波リターンアセンブリと
を備え、前記高周波リターンアセンブリが、
前記基板支持体が下降した位置にあるときの、前記基板支持体から離れた第3の位置と、前記基板支持体が上昇した位置にあるときの、前記基板支持体に接触する第4の位置との間を移動可能な1つ以上の要素と、
第1の端部および第2の端部を有し、前記第1の端部と前記第2の端部との間に少なくとも1つのベンドを有する複数の可撓性ストラップと、を備え、前記第1の端部が、前記プロセスチャンバ壁に取り付けられて該プロセスチャンバ壁に電気的に接続され、前記第2の端部が、前記1つ以上の要素に接触して該1つ以上の要素に接続される、装置。 - プロセスチャンバ壁と、前記プロセスチャンバ壁によって囲まれた基板支持体との間に高周波電流リターンパスを与えるためのプラズマ強化化学気相成長装置であって、
ガス分配シャワーヘッドと、
基板搬送ポートを有するプロセスチャンバ壁と、
前記プロセスチャンバ壁によって囲まれ、第1の位置と第2の位置との間を移動可能な基板支持体と、
前記チャンバ壁に据え付けられ、前記基板移送ポートの上方の位置にある高周波リターンアセンブリと
を備え、前記高周波リターンアセンブリが、
前記第1の位置と前記第2の位置との間に配置され、前記基板支持体から離れた第3の位置で前記基板支持体の上方に配置された1つ以上の要素と、
第1の端部および第2の端部を有し、前記第1の端部と前記第2の端部との間に少なくとも1つのベンドを有する複数の可撓性ストラップとを備え、
前記1つ以上の要素は、該1つ以上の要素が前記基板支持体に接触するときに前記基板支持体に接触する第3の位置の上方の第4の位置に移動可能であり、前記第1の端部が、前記プロセスチャンバ壁に取り付けられて該プロセスチャンバ壁に電気的に接続され、前記第2の端部が、前記1つ以上の要素に接触して該1つ以上の要素に電気的に接続される、装置。 - 前記可撓性ストラップが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた可撓性材料、およびそれらの組み合わせとからなる群から選択された材料から作られる、請求項15に記載の装置。
- 前記基板支持体が多角形であり、前記多角形の基板支持体の各縁部に、少なくとも1つの可撓性ストラップがある、請求項15に記載の装置。
- 各前記可撓性ストラップと前記プロセスチャンバ壁との間に結合された1つ以上の取り付けブロックを更に備える、請求項15に記載の装置。
- 前記1つ以上の取り付けブロックが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた固定材料、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された材料から作られる、請求項18に記載の装置。
- 各前記可撓性ストラップの前記第1の端部が、溶接、はんだ付け、ろう付けによって、または取り付けデバイスによって、前記1つ以上の取り付けブロックに結合される、請求項18に記載の装置。
- 各前記可撓性ストラップの前記第2の端部が、溶接、はんだ付け、ろう付けによって、または取り付けデバイスによって、前記1つ以上の要素に結合される、請求項15に記載の装置。
- 前記1つ以上の要素が、シャドウフレームを備える、請求項15に記載の装置。
- 前記1つ以上の要素が、前記第3の位置にあるときに、1つ以上の静止部によって支持される、請求項15に記載の装置。
- 前記基板支持体が多角形であり、複数の前記要素が該基板支持体の実質的に全周囲を取り囲むように互いに隣接して配置され、該多角形の基板支持体の各縁部に少なくとも1つの前記要素が接触する、請求項15に記載の装置。
- 前記1つ以上の要素が、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた固体材料、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された材料から作られる、請求項15に記載の装置。
- 前記ガス分配シャワーヘッドに結合された高周波電源を更に備える、請求項15に記載の装置。
- 前記1つ以上の要素および前記複数の可撓性ストラップが、前記ガス分配シャワーヘッドと前記基板支持体との間に配置される、請求項15に記載の装置。
- ガス分配プレートアセンブリと、
チャンバ壁を貫通する基板搬送ポートを有するチャンバ本体と、
前記基板搬送ポートと前記ガス分配プレートアセンブリとの間で前記チャンバ壁に結合された高周波接地アセンブリと、
前記チャンバ本体内に配置された基板支持体であって、前記高周波接地アセンブリから離れた第1の位置と前記高周波接地アセンブリに接触する第2の位置との間を移動可能な基板支持体と、
前記基板支持体が前記第1の位置にあるときには前記基板支持体から離れた第3の位置から移動可能であり、前記基板支持体が前記第2の位置にあるときには前記基板支持体に接触する第4の位置から移動可能であるシャドウフレームと、
を備えるプラズマ強化化学気相成長装置。 - 前記基板支持体が、1つ以上のピックアップ棚状突起部を備える、請求項28に記載の装置。
- 前記基板支持体の底部及び前記チャンバ本体の底部に結合された1つ以上の高周波接地パスを更に備える、請求項29に記載の装置。
- 前記シャドウフレームは、該シャドウフレームが前記第3の位置にあるときに前記高周波接地アセンブリに結合される、請求項28に記載の装置。
- 前記基板支持体の底部及び前記チャンバ本体の底部に結合された1つ以上の高周波接地パスを更に備える、請求項28に記載の装置。
- 前記高周波接地アセンブリが、アルミニウムを含む、請求項28に記載の装置。
- 前記高周波接地アセンブリが、約1/4インチ〜約3/4インチの幅及び約4インチ〜約6インチの長さを有する可撓性ストラップを備える、請求項28に記載の装置。
- 前記高周波接地アセンブリが、伝導性金属コーティングでコーティングされた材料を備える、請求項28に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/946403 | 2004-09-21 | ||
US10/946,403 US7534301B2 (en) | 2004-09-21 | 2004-09-21 | RF grounding of cathode in process chamber |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005274384A Division JP5033319B2 (ja) | 2004-09-21 | 2005-09-21 | プラズマ強化化学気相成長装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009280913A JP2009280913A (ja) | 2009-12-03 |
JP5037560B2 true JP5037560B2 (ja) | 2012-09-26 |
Family
ID=36072681
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005274384A Expired - Fee Related JP5033319B2 (ja) | 2004-09-21 | 2005-09-21 | プラズマ強化化学気相成長装置 |
JP2009112186A Expired - Fee Related JP5037560B2 (ja) | 2004-09-21 | 2009-05-01 | プロセスチャンバのカソードの高周波接地 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005274384A Expired - Fee Related JP5033319B2 (ja) | 2004-09-21 | 2005-09-21 | プラズマ強化化学気相成長装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7534301B2 (ja) |
JP (2) | JP5033319B2 (ja) |
KR (2) | KR101441892B1 (ja) |
CN (2) | CN102324367B (ja) |
TW (2) | TWI392017B (ja) |
Families Citing this family (64)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8083853B2 (en) | 2004-05-12 | 2011-12-27 | Applied Materials, Inc. | Plasma uniformity control by gas diffuser hole design |
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WO2008079742A2 (en) * | 2006-12-20 | 2008-07-03 | Applied Materials, Inc. | Prevention of film deposition on pecvd process chamber wall |
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2004
- 2004-09-21 US US10/946,403 patent/US7534301B2/en active Active
-
2005
- 2005-07-27 TW TW098113783A patent/TWI392017B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-07-27 TW TW094125453A patent/TWI314759B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-09-09 CN CN201110192596.6A patent/CN102324367B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-09 CN CN2005101036957A patent/CN1752281B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-20 KR KR1020050087388A patent/KR101441892B1/ko active IP Right Grant
- 2005-09-21 JP JP2005274384A patent/JP5033319B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-03-18 US US12/406,407 patent/US20090178617A1/en not_active Abandoned
- 2009-05-01 JP JP2009112186A patent/JP5037560B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-05-06 KR KR1020090039228A patent/KR101185908B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060051437A (ko) | 2006-05-19 |
KR20090057202A (ko) | 2009-06-04 |
TWI392017B (zh) | 2013-04-01 |
CN102324367B (zh) | 2016-02-03 |
US7534301B2 (en) | 2009-05-19 |
TW200611333A (en) | 2006-04-01 |
CN1752281A (zh) | 2006-03-29 |
JP2006104575A (ja) | 2006-04-20 |
CN102324367A (zh) | 2012-01-18 |
TW201001533A (en) | 2010-01-01 |
JP2009280913A (ja) | 2009-12-03 |
KR101185908B1 (ko) | 2012-09-25 |
CN1752281B (zh) | 2011-08-24 |
TWI314759B (en) | 2009-09-11 |
JP5033319B2 (ja) | 2012-09-26 |
US20090178617A1 (en) | 2009-07-16 |
KR101441892B1 (ko) | 2014-09-19 |
US20060060302A1 (en) | 2006-03-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20101130 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120307 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120427 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120605 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120704 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150713 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5037560 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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