KR100738837B1

KR100738837B1 - 플라즈마화학증착 장치

Info

Publication number: KR100738837B1
Application number: KR1020010007030A
Authority: KR
Inventors: 정기현
Original assignee: 엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority date: 2001-02-13
Filing date: 2001-02-13
Publication date: 2007-07-12
Also published as: KR20020066707A

Abstract

본 발명에서는, 가스 주입구와 배기구를 가지는 진공 챔버(chamber)와; 상기 진공 챔버 내에서 형성된 반응물이 증착되는 기판과; 상기 진공 챔버내에서 상부 전극을 이루는 디퓨저(diffser)와; 상기 디퓨저와 일정 간격 이격되어 대향하며, 상기 기판이 안치되는 기판 접촉영역 및 기판 비접촉영역을 가지고, 상기 기판 비접촉영역의 모서리부에 각각 형성된 얼라인 홀(align hole)을 포함하며, 하부 전극을 이루는 서셉터(susceptor)와; 상기 기판 상부면의 가장자리를 덮으며, 각 모서리 하부에 하부방향으로 상기 서셉터의 얼라인 홀과 대응하는 위치에 지지대가 형성된 섀도우 프레임(shadow frame)과; 상기 디퓨저와 연결되어 고주파를 공급하는 RF 파워(Radio Frequency Power)와; 상기 서셉터의 하부에 위치하며, 상기 서셉터를 상, 하 방향으로 움직이게 하는 지축 엘리베이터(elevator)와; 상기 기판의 외곽을 고정시키는 가이드 핀(guide pin)을 가지는 핀 플레이트(pin plate)를 포함하는 플라즈마화학증착(PECVD ; Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장치를 제공하므로써, 섀도우 프레임을 기판 상에 안정적으로 고정시킬 수 있어 기판의 증착두께의 균일성을 향상시킬 수 있으므로, 장비 가동율 및 수율을 높일 수 있는 장점을 가진다.

Description

플라즈마화학증착 장치{Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition apparatus}

도 1은 종래의 플라즈마화학증착 장치를 개략적으로 도시한 단면도.

도 2는 상기 도 1의 "I" 영역에 해당하는 평면을 개략적으로 도시한 평면도.

도 3a 내지 3c는 상기 도 1의 "I"영역에 대한 확대 단면도로서, 서셉터의 이동위치에 따라 단계별로 나타낸 도면.

도 4a 및 4b는 각각 도 3a 내지 도 3c에서 섀도우 프레임이 미스 얼라인(mis align)되는 경우를 나타낸 도면.

도 5는 본 발명에 따른 플라즈마화학증착 장치를 개략적으로 도시한 단면도.

도 6은 상기 도 5의 섀도우 마스크와 서셉터의 얼라인 관계를 나타낸 사시도.

도 7a 내지 7c는 상기 도 5의 "V"영역에 대한 확대 단면도로서, 서셉터의 이동위치에 따라 단계별로 나타낸 도면.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

플라즈마화학증착 장치 : 100 디퓨저(diffuser) : 101

진공 챔버 : 106 기판 : 110

기판 접촉영역 : III 기판 비접촉영역 : IV

서셉터(susceptor) : 112 RF 파워: 116

얼라인 홀(align hole) : 118 섀도우 프레임(shadow frame) : 120

지지대 : 122

본 발명은 플라즈마화학증착 장치(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Device 이하, PECVD 장치로 약칭함)에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 PECVD 장치용 섀도우 프레임(shadow frame)에 관한 것이다.

상기 PECVD 장치는 박막 트랜지스터 액정표시장치(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display Device)용 박막을 증착하는 공정에 주로 이용되고 있다.

최근에, 액정표시장치는 소비전력이 낮고, 휴대성이 양호한 기술집약적 제품으로 부가가치가 높은 차세대 첨단 디스플레이(display)소자로 각광받고 있다.

일반적으로 액정표시장치는 어레이(array) 기판과 컬러 필터(color filter) 기판 사이에 액정을 주입하여, 그 특성을 이용해 영상효과를 얻는 비발광 소자를 뜻한다.

즉, 상기 액정표시장치의 제조공정중 박막 증착을 위한 상기 PECVD 장치에서는 진공 챔버 내부에 증착에 필요한 가스를 주입하여 원하는 압력과 기판 온도가 설정되면, RF 파워를 이용하여 주입된 가스를 플라즈마 상태로 분해하여 기판 위에 증착을 하는 것으로, 증착 메커니즘(mechanism)은 챔버내로 유입된 기체 화합물이 분해되는 1차 반응, 분해된 가스 이온들과 불안정한 이온상태인 라디칼 이온(Radical Ion)들이 상호 반응하는 2차반응, 피증착 기판 상에서 가스 이온과 라디칼 이온들의 재결합으로 생긴 원자들의 상호작용으로 핵생성 후에 박막이 형성되는 3차 반응으로 나눌 수 있다. 유입되는 기체 화합물은 형성하는 막의 종류에 따라 달라지며, 일반적으로 실리콘 질화막 경우는 SiH₄, H₂, NH₃, N₂ 의 혼합 Gas가 이용되고, 비정질 실리콘막의 증착에는 SiH₄, H₂ 가 쓰이며, 인(P)을 도핑하여 전자 이동도를 높이는 불순물 비정질 실리콘막(n+ a-Si)의 형성 시에는 상기 비정질 실리콘용 반응가스에 PH₃가 첨가된다.

상기 PECVD 장치에 의한 증착공정에서는, RF 파워(Radio Frequency Power), 증착 온도, 가스 유입량 및 전극과 기판 간의 거리가 형성되는 박막의 특성을 좌우한다.

이하, 기술될 내용에서는 상기 PECVD 장치의 내부구조에 대해서 상세히 설명한다.

도 1은 종래의 PECVD 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.

도시한 바와 같이, 가스 주입구(12) 및 배기구(14)를 가지는 진공 챔버(16)내에는 상부 전극을 이루면서, 가스를 확산시키는 디퓨저(11 ; diffuser)와 하부 전극을 이루는 서셉터(20 ; susceptor)가 일정간격 이격되어 대향하고 있고, 이 디 퓨저(11)에는 고주파를 공급하는 RF 파워(24)가 연결되어 있으며, 상기 서셉터(20)에는 RF 파워(24)를 접지시키는 그라운드(ground) 전압이 연결된다.

상기 디퓨저(11)는 가스 주입구(12)를 통해 공급되는 반응 가스의 플로우(flow)를 조절하는 역할을 하고, 상기 서셉터(20)는 피증착 기판(18)에 열에너지를 공급하는 히터기능과, 상기 기판(18)을 상부 및 하부 방향으로 움직이도록 이동성을 가진다.

그리고, 상기 기판(18)의 양 외곽부 상에는 섀도우 프레임(30)이 위치하는데, 이 섀도우 프레임(30)은 기판 외곽부를 일정간격 덮음으로써, 기판(18)의 외부로 플라즈마(31)가 방전되는 것을 방지하여 증착 두께의 균일성을 유지시키는 일종의 마스크 역할을 한다.

이하, 상기 PECVD장치에 있어서, 섀도우 프레임을 진공 챔버내에 고정시키는 방법에 대해서 상세히 설명한다.

도 2는 상기 도 1의 "I" 영역에 해당하는 평면을 개략적으로 도시한 것으로, 설명의 편의상 기판의 도시는 생략하였다.

도시한 바와 같이, 상기 서셉터(20)를 포함하는 진공 챔버(16) 하부와 사각틀 형상의 섀도우 프레임(30)을 각각 분리하여 나타내었다.

이 진공 챔버(16)용 하부에는 기판 접촉영역(i)과 기판 비접촉영역(ii)을 가지는 서셉터(20)가 형성되어 있고, 이 서셉터(20)의 외곽에는 챔버하부 월(wall ; 37)이 둘러싸고 있다.

상기 서셉터(20)의 기판 비접촉영역(ii)상에는 기판 각 모서리부를 고정시키 기 위한 다수 개의 가이드 핀(32)과, 네변의 중심점과 대응하는 위치에서 섀도우 프레임(30)을 고정시키기 위한 얼라인 핀(34)이 형성되어 있고, 상기 기판 접촉영역내에는 기판을 상, 하로 이동시켜 기판의 로딩(loading) 및 언로딩(unloading)을 용이하게 하는 다수 개의 리프트 핀(36)이 형성되어 있다.

한편, 상기 섀도우 프레임(30)에는 다수 개의 얼라인 홈(38)이 형성되어 있는데, 이 얼라인 홈(38)은 섀도우 프레임(30)의 마주보는 변의 중심과 대응하는 위치 및 점선으로 표시한 바와 같이 상기 서셉터(20)의 얼라인 핀(34)과 대응되는 위치관계를 가져, 상기 도 1에서 도시한 단면도에서 보여지듯이 이 얼라인 홈(38)에 얼라인 핀(34)이 정상 삽입되도록 한다.

즉, 상기 섀도우 프레임(30)이 챔버내에 안정되게 고정되는 것은 상기 얼라인 홈(38)과 얼라인 핀(34)의 결합 정도에 의존하게 됨을 알 수 있다.

도 3a 내지 3c는 상기 도 1의 "I" 영역에 대한 확대 단면도로서, 서셉터의 이동위치에 따라 단계별로 나타낸 것으로, 후술될 챔버하부 월은 섀도우 프레임과 접촉하는 내부월과 이와 접촉되지 않는 상태로 상부월과 접촉하며 진공상태를 유지하는 외부월로 구성되나, 이하 기술된 챔버하부 월은 이중 내부월을 의미한다.

도 3a에서는, 기판의 로딩 후, 언리딩(unleading)상태의 서셉터를 도시하였다.

도시한 바와 같이, 상기 서셉터(20)의 하부에는 이 서셉터(20)와 일정간격 이격되어 핀 플레이트(40 ; pin plate)가 형성되어 있고, 이 핀 플레이트(40)와 서셉터(20) 사이 중앙부에는 서셉터(20)를 상, 하로 움직이게 하는 지축 엘리베이터(42 ; elevator)가 위치하고 있다.

이 핀 플레이트(40)의 상부에는 상기 서셉터(20)의 기판 접촉영역(i)과 기판 비접촉영역(ii)의 경계부를 관통하며 기판(18)의 양 끝을 가이드하는 가이드 핀(32)이 상부방향으로 형성되어 있다.

또한, 상기 서셉터(20)의 상부에 놓여진 기판(18)의 양 외곽부와 대응하는 상부에는 섀도우 프레임(30)이 위치하고 있는데, 이 단계에서 이 섀도우 프레임(30)은 챔버하부 월(37)에 의해 지지되며, 기판(18)과는 일정간격 이격된 상태이다.

도 3b는 상기 도 3a 단계의 서셉터를 증착위치로 이동시키는 단계를 도시한 것이다.

이 단계에서 상기 지축 엘리베이터(42)길이가 상부방향으로 늘어남에 따라, 상기 서셉터(20)의 기판 접촉영역(i)과 기판 비접촉영역(ii)이 동시에 상부방향으로 움직이게 되고, 상기 서셉터(20)의 얼라인 핀(34)이 섀도우 프레임(30) 하부의 얼라인 홈(38)과 대응되는 방향으로 같이 이동하게 된다.

도 3c에서는, 상기 도 3b 단계를 거쳐 상기 기판의 증착을 진행하기 위해 기판이 놓인 서셉터를 증착위치까지 이동시킨 상태를 나타내었다.

상기 증착위치에서, 상기 섀도우 프레임(30)은 상기 서셉터(20)의 상승력에 의해 챔버하부 월(37)과 일정간격 이격되며, 상기 서셉터(20)와의 접촉에 의해 고정된다.

이때, 이 서셉터(20)와 섀도우 프레임(30)간의 접촉 정도는 얼라인 핀(34)과 얼라인 홈(38) 간의 얼라인 정도에 달려있다.

그러나, 상기 서셉터(20)의 상승력에 의해 섀도우 프레임(30)이 상부방향으로 들려지게 되면, "iii"로 표시한 영역에서 얼라인 핀(34)이 얼라인 홈(38)에 불완전하게 삽입되어, 섀도우 프레임(30)이 기판(18)과 들뜨게 되어 기판(18)의 증착공정시 증착불량이 발생하게 된다.

도 4a 및 4b는 각각 상기 도 3a 및 3c에서 섀도우 프레임이 미스 얼라인되는 경우를 나타낸 도면이다.

도 4a는 상술한 3a단계에서 섀도우 프레임이 서셉터에 불안정하게 고정되는 경우에 관한 것으로, 이 경우에서는 섀도우 프레임(30)이 챔버내로 로딩시, 챔버하부 월(37) 상부에 별도의 얼라인 표시없이 임시고정되므로, 챔버(16) 내의 펌핑 오프(off)시의 백 스트림(back stream)이나 펌핑(pumping)시에 챔버(16)내의 압력이 급변화함에 따라, 도시한 바와 같이, 상기 섀도우 프레임(30)이 원래위치에서 빗겨나기 쉬워, 섀도우 프레임(30)이 서셉터(20)에 고정시 추후 서셉터(20)의 상승력에 의해 상기 섀도우 프레임(30)과 서셉터(20)간에 미스 얼라인이 발생할 확률이 높아진다.

도 4b는 상기 도 3c 단계에 해당하는 것으로 상기 챔버하부 월(37)에 의해 고정되어 있던 섀도우 프레임(30)을 서셉터(20)의 상승력에 의해 섀도우 프레임(30)이 챔버하부 월(37)로부터 일정간격 이격되어, 기판(18)의 외곽부를 덮으며, 상기 서셉터(20)의 얼라인 핀(34)에 의해 고정되는 단계이다.

일반적으로 얼라인 핀(34)은 세라믹(ceramic) 재질로 이루어지고, 섀도우 프 레임(30)은 세라믹보다 기계적인 강도가 낮은 알루미나(Al₂O₃)로 이루어지기 때문에, 서셉터(20)의 상승력에 의해 섀도우 프레임(30)과 얼라인 핀(34)이 충돌하게 되면, 이 섀도우 프레임(30)과 얼라인 핀(34)의 접촉면에서 증착불량을 일으키는 파티클(particle)이 발생하게 된다.

이 파티클의 발생은 상기 증착막을 사이에 두고 전, 후 공정에 형성된 금속배선간에 쇼트를 발생시키는 원인으로 작용하여, 제품불량을 초래하게 된다.

또한, 상기 도 4a 및 4b와 같이 섀도우 프레임이 진공 챔버내에 불안정하게 고정되면, 증착공정에서 플라즈마 리크(leak)가 유발되어 증착불량을 초래하므로써, 장비가동률이 저하되어 생산수율이 떨어지는 문제점이 있다.

상기 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명에서는 PECVD 장치에서 섀도우 마스크에 기판이 정상접촉되도록 하여, 공정 안정화를 향상시켜 장비 가동률을 높이고, 생산수율이 향상되도록 하는 것을 목적으로 한다.

즉, 상기 섀도우 마스크를 진공 챔버내에 안착시키는 과정에서 발생될 수 있는 문제점을 최소화하기 위해, 섀도우 마스크 자체에 지지장치를 구성하여 외부환경에 관계없이 항상 일정한 위치를 유지할 수 있도록 한다.

상술한 목적을 달성하기 위해 본 발명에서는 가스 주입구와 배기구를 가지는 진공 챔버(chamber)와; 상기 진공 챔버 내에서 형성된 반응물이 증착되는 기판과; 상기 기판이 안치되는 기판 접촉영역 및 기판 비접촉영역을 가지고, 상기 기판 비접촉영역의 모서리부에 각각 형성된 얼라인 홀(align hole)을 포함하는 서셉터(susceptor)와; 상기 기판 상부면의 가장자리를 덮으며, 각 모서리 하부에 하부방향으로 상기 서셉터의 얼라인 홀과 대응하는 위치에 지지대가 형성된 섀도우 프레임(shadow frame)을 포함하고, 상기 서셉터의 승강에 따라 상기 섀도우 프레임이 함께 승강하고, 상기 지지대는 상기 챔버 내부에 위치하는 플라즈마화학증착(PECVD ; Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장치를 제공한다.

상기 지지대는 상기 섀도우 프레임에 볼트결합방식으로 연결되어 있으며, 상기 서셉터는 기판에 열에너지를 공급하는 히터(heater)를 더욱 포함하며, 상기 진공 챔버내에서, 상기 서셉터의 상부에 위치하며 상기 서셉터와 일정간격 이격되어 대향하는 디퓨저(diffser) 및 상기 디퓨저와 연결되어 고주파를 공급하는 RF 파워(Radio Frequency Power)를 더욱 포함한다.

또한, 상기 서셉터의 하부에 위치하며, 상기 서셉터를 상, 하 방향으로 움직이게 하는 지축 엘리베이터(elevator) 및 상기 기판의 외곽을 고정시키는 가이드 핀(guide pin)을 가지는 핀 플레이트(pin plate)를 더욱 포함함을 특징으로 한다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 설명한다.

삭제

도 5는 본 발명에 따른 PECVD 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.

도시한 바와 같이, 가스 주입구(102) 및 배기구(104)를 가지는 진공 챔버(106)내에는 상부 전극을 이루는 디퓨저(101)와 하부 전극을 이루는 서셉터(112)가 일정간격 이격되어 대향하고 있고, 이 디퓨저(101)에는 고주파를 공급하는 RF 파워(116)가 연결되어 있고, 상기 서셉터(112)에는 RF 파워(116)를 접지시키는 그라운드 전압이 연결된다.

상기 디퓨저(101)는 가스 주입구(102)를 통해 공급되는 반응 가스의 플로우(flow)를 조절하는 역할을 하고, 상기 서셉터(112)는 피증착 기판(110)의 증착에 필요한 열에너지를 공급하는 히터를 포함하며, 상기 기판(110)을 상부 및 하부 방향으로 움직이는 이동성을 가진다.

그리고, 이 서셉터(112)는 기판 접촉영역(III)과 기판 비접촉영역(IV)을 가지며, 상기 기판 비접촉영역(IV)의 모서리부에는 얼라인 홀(118)이 형성되어 있다.

또한, 상기 기판(110) 상에는, 이 기판의 양 외곽부를 일정간격 덮는 섀도우 프레임(120)이 위치하는데, 이때 이 섀도우 프레임(120)의 하부에는 상기 얼라인 홀(118)을 관통하는 지지대(122)가 형성되어 있어서, 이 지지대(122)는 상기 섀도우 프레임(120)이 별도의 얼라인 핀없이도 서셉터(112)에 안정적으로 고정될 수 있도록 해준다.

도 6은 상기 도 5의 섀도우 프레임과 서셉터에 대한 개략적인 사시도로서, 섀도우 프레임과 서셉터간의 얼라인 관계를 나타낸 도면이다.

상기 섀도우 프레임(120) 각 모서리 하부에는 하부방향으로 지지대(122)가 형성되어 있다.

상기 서셉터(112)의 기판 접촉영역(III)상에는 기판(110)이 놓여져 있고, 이 기판(110)은 상기 기판 접촉영역(III)의 경계부에 위치하는 가이드 핀(113)이 기판(110)의 모서리부의 양쪽을 고정시키고, 이 서셉터(112)의 모서리부에는 각각 얼라인 홀(118)이 형성되어 있다.

상기 섀도우 프레임(120)은 이 서셉터(112) 상에 로딩시킬 때, 상기 섀도우 프레임(120)의 지지대(122)를 이 얼라인 홀(118)에 관통시키므로써, 항상 일정한 위치에 놓이게 할 수 있다.

또한, 별도의 얼라인 핀이 필요없어져 종래의 얼라인 핀과 섀도우 프레임이 미스얼라인시 얼라인 핀이 빠지거나 틀어지는 일을 방지할 수 있으며, 얼라인 핀과 섀도우 프레임의 충돌에 의한 파티클의 발생도 억제할 수 있다.

이때, 상기 지지대(122)와 섀도우 프레임(120)의 연결방식은 교체가 용이하도록 탭(tap)등의 공구를 이용해 볼트결합 방식으로 형성하는 것이 바람직하며, 그 재질은 상기 섀도우 프레임같은 재질로 이루어지거나 또는 기계적인 강도가 높은 재질로 할 수 있다.

이하, 본 발명에서 섀도우 프레임을 챔버내에 고정시키는 방법에 대해서 설명한다.

도 7a 내지 7c는 상기 도 5의 "V"영역에 대한 확대 단면도로서, 서셉터의 이동위치에 따라 단계별로 도시한 도면이다.

도 7a는 기판의 로딩 후, 언리딩(unleading)상태의 서셉터를 도시한 것으로 섀도우 프레임이 챔버내에 초기 고정되는 단계를 나타낸 것이다.

도시한 바와 같이, 상기 서셉터(112)의 하부에는 이 서셉터(112)와 일정간격 이격되어 핀 플레이트(126)가 형성되어 있고, 이 핀 플레이트(126)와 서셉터(112) 사이 중앙부에는 서셉터(112)를 상, 하로 움직이게 하는 지축 엘리베이터(115)가 위치하고 있다.

이 핀 플레이트(126)의 상부에는 상기 서셉터(112)의 기판 접촉영역(III)과 기판 비접촉영역(IV)의 경계부를 관통하며 기판(110)의 양 끝을 가이드하는 가이드 핀(113)이 상부방향으로 형성되어 있고, 이 기판 비접촉영역(IV)의 모서리부에는 얼라인 홀(118)이 형성되어 있다.

상기 서셉터(112)의 상부에 놓여진 기판(110)의 양 외곽부와 대응하는 상부에는 섀도우 프레임(120)이 위치하고, 이 섀도우 프레임(120) 하부면에 형성된 지지대(122)는 상기 얼라인 홀(118)을 관통하여 상기 핀 플레이트(126) 상에 고정되게 된다.

즉, 이 단계에서 섀도우 프레임(120)은 자체내에 형성된 지지대(122)를 서셉터(112)의 얼라인 홀(118)에 끼움으로서 위치맞춤된 상태에서 챔버 내에 일정한 위치상에서 고정될 수 있다.

도 7b는 상기 도 7a를 거쳐 서셉터를 증착위치로 이동시키는 단계이다.

이 단계에서는, 상기 지축 엘리베이터(115) 길이가 상부방향으로 늘어남에 따라, 상기 서셉터(112)의 기판 접촉영역(III)과 기판 비접촉영역(IV)이 동시에 상부방향으로 움직이게 된다.

이때, 상기 서셉터(112)의 얼라인 홀(118)에는 섀도우 프레임(120)의 지지대(122)가 일정간격 마진을 두고 끼워져 있기 때문에, 서셉터(112)의 움직임에도 섀도우 프레임(120)은 일정한 위치를 유지하게 된다.

도 7c는 증착위치까지 서셉터를 이동시킨 단계를 나타내었다.

이 단계에서는, 상기 섀도우 프레임(120)이 서셉터(112)의 상승력에 의해 지지대(122)가 핀 플레이트(126)로부터 일정간격 이격되며, 상기 서셉터(112)의 기판 비접촉영역(IV)과 섀도우 프레임(120)의 하부면이 접촉하게 되고, 기판(110)의 양 외곽부는 섀도우 프레임(120)의 기판과 대응하는 영역에서 덮게 된다.

이때, 서셉터(112)의 상승력에 따른 섀도우 프레임(120)과 서셉터(112)의 접촉시에도 섀도우 프레임(120)은 초기 로딩시부터 서셉터(112)의 얼라인 홀(118)에 끼워진 상태로 이동하게 되므로 미스 얼라인이 발생할 확률이 최소화되어, 섀도우 프레임(120)의 기판(110)과 접촉되는 부분이 들려지는 것을 방지할 수 있고, 섀도우 프레임(120)과 기판(110)을 정상접촉할 수 있게 된다.

그러나, 본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않으며 본 발명의 취지에 벗어나지 않는 범위내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있으며, 본 발명에 따른 섀도우 프레임은 PECVD 장치뿐만 아니라 다른 종류의 증착장치의 섀도우 프레임에도 적용가능하다.

이와 같이, 본 발명에 따른 섀도우 프레임을 포함하는 PECVD 장치에 의하여 증착공정을 실시하게 되면, 섀도우 프레임을 기판 상에 안정적으로 고정시킬 수 있어 증착두께의 균일성을 향상시킬 수 있으므로, 장비 가동율 및 수율을 높일 수 있는 장점을 가진다.

Claims

가스 주입구와 배기구를 가지는 진공 챔버(chamber)와;

상기 진공 챔버 내에서 형성된 반응물이 증착되는 기판과;

상기 기판이 안치되는 기판 접촉영역 및 기판 비접촉영역을 가지고, 상기 기판 비접촉영역의 모서리부에 각각 형성된 얼라인 홀(align hole)을 포함하는 서셉터(susceptor)와;

상기 기판 상부면의 가장자리를 덮으며, 각 모서리 하부에 하부방향으로 상기 서셉터의 얼라인 홀과 대응하는 위치에 지지대가 형성된 섀도우 프레임(shadow frame)을 포함하고,

상기 서셉터의 승강에 따라 상기 섀도우 프레임이 함께 승강하고, 상기 지지대는 상기 챔버 내부에 위치하는 플라즈마화학증착(PECVD ; Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 지지대는 상기 섀도우 프레임에 볼트결합방식으로 연결되어 있는 플라즈마화학증착 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 서셉터는 기판에 열에너지를 공급하는 히터(heater)를 더욱 포함하는 플라즈마화학증착 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 진공 챔버내에서, 상기 서셉터의 상부에 위치하며 상기 서셉터와 일정간격 이격되어 대향하는 디퓨저(diffser) 및 상기 디퓨저와 연결되어 고주파를 공급하는 RF 파워(Radio Frequency Power)를 더욱 포함하는 플라즈마화학증착 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 서셉터의 하부에 위치하며, 상기 서셉터를 상, 하 방향으로 움직이게 하는 지축 엘리베이터(elevator) 및 상기 기판의 외곽을 고정시키는 가이드 핀(guide pin)을 가지는 핀 플레이트(pin plate)를 더욱 포함하는 플라즈마화학증착 장치.
삭제