CN1752281A - 制程处理室中阴极的射频接地 - Google Patents

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Abstract

一种用以在一制程处理室壁以及一基材支撑件间提供一短RF电流返回电流路径的设备。该RF接地设备为RF接地并位于基材传送埠之上，其仅在基材制程期间(例如沉积)与基材支撑件形成电性接触，以提供RF电流返回电流路径。该RF接地设备的一实施例至少包含一或多个低阻抗可弯曲幕状物，其可电性连接至接地处理室壁，并接至一或多个低阻抗档体，其在基材制程期间可与基材支撑件接触。该RF接地设备的另一实施例包含数个低阻抗可弯曲条体，其可电性连接至接地处理室壁，并接至一或多个低阻抗档体，其在基材制程期间可与基材支撑件接触。该RF接地设备的另一实施例包含数个探针，其可电性连接至接地处理室壁或由其它装置作接地，以及数个附有探针的致动器。该等致动器可移动探针以在基材制程期间电性接触基材支撑件。

Description

制程处理室中阴极的射频接地
技术领域
本发明的实施例大致关于用于大面积基材处理的等离子制程设备，且更明确而言，是关于用于前述设备的RF电流返回路径。
背景技术
面板显示器通常用于主动式数组显示器，例如计算机及电视屏幕、个人数字助理(PDAs)、移动电话及相关类似者。液晶显示器(LCD)为面板显示器的一种，一般包含两个平板(可能为玻璃或塑料)，其间夹设一层液晶材料。这些平板的至少一者至少包括一导电薄膜，沉积其上以耦接至一电源供应器。来自电源供应器且供应至导电材料薄膜的电源会改变液晶材料的方向，形成显示器可看见的图案，例如文字或图形等。常用制造面板的制程为等离子增强化学气相沉积(PECVD)。
等离子增强化学气相沉积通常用于沉积薄膜于一基材上，例如这些用于制造面板的基材。等离子增强化学气相沉积可通过将一先驱物气体引入一内含基材的真空处理室的方式完成。先驱物气体常导经一靠近处理室顶部的分配板。通过一或多个耦接至处理室的RF来源施加RF电源至处理室，可将处理室中的先驱物气体激发(例如活化)成等离子。激发气体可再反应以形成一材料层于基材表面(此基材置于一温度控制基材支撑件上)。
在沉积期间，基材支撑件须适当的作RF接地，以确保不会有压降通过基材支撑件表面而影响沉积均匀性。无效的RF接地会致使等离子通过基材支撑件的侧边或下方，而让吾人不乐见的沉积于该等处发生，不但使处理室难以清洁也相当耗时。某些系统利用低阻抗条体将基材支撑件耦接至处理室本体，以利基材支撑件作RF接地。
图1(现有技术)为一例示性现有制程处理室100其部份切除的一简化示意图，处理室100具有数个RF接地条体120，以电性地将基材支撑件140耦接至处理室100的底部134。基材传送埠136为一开口，基材可通过开口而由制程处理室进出。图1绘有八个条体120，两个条体120耦接至基材支撑件140各边缘。基材支撑件140通常包括数个升举销152，其中某些升举销是沿基材支撑件140的边缘设置，以于传送期间升起基材边缘。这些条体120的每一者包括以一弯折部126结合的第一及第二弯曲部122、124。这些条体120通常与基材支撑件140的外缘对齐，并设有间距以提供空间予升举销152，以延伸于基材支撑件140下方。基材支撑件140可移动于基材装载位置(其靠近传送埠136的下端138)以及一基材沉积位置(大致位于传送埠136的上端139的上或附近)之间。V型条体120会根据基材支撑位置而弯曲。
虽然在某些应用中此配置已证明有效且可靠，但其对于某些需要基材支撑件于基材装载位置及基材沉积位置间移动较远距离的系统则功效不大，因较长移动距离需要较长的RF接地条体120，此可能会增加RF接地条体的阻抗，并降低条体RF接地能力。
因此，业界对于具有较短电流返回路径的可靠低阻抗RF接地存有高度需求。
发明内容
本发明的实施例大致是提供一种用于大型基材制程的RF电流返回路径。在一实施例中，一用于提供RF电流返回路径于制程处理室及基材支撑件之间的设备是由制程处理室壁所封围，制程处理室壁至少包含一具有基材传送埠的制程处理室壁、一由制程处理室壁封围且适于移动于一制程位置及一非制程位置间的基材支撑件以及一安装至制程处理室壁并高于基材传送端口的RF接地组件，其中RF接地组件在基材支撑件处于制程位置时可接触基材支撑件。
RF接地组件更包含一或多个低阻抗档体，其在基材处理期间可接触基材支撑件；以及一或多个低阻抗可弯曲幕状物(curtain)或条体，其具有第一端及第二端，第一端可电性连接制程处理室壁，而第二端可连接至一或多个低阻抗档体。
在另一实施例中，一用于提供RF电流返回路径于制程处理室及基材支撑件之间的设备是由制程处理室壁所封围，制程处理室壁至少包含一具有基材传送埠的制程处理室壁、一由制程处理室壁封围且适于移动于一制程位置及一非制程位置间的基材支撑件以及一安装至制程处理室壁并高于基材传送端口的RF接地组件，其中RF接地组件在基材支撑件处于制程位置时可接触基材支撑件。
RF接地组件更包含数个RF接地探针，其等可移动于一接触该基材支撑件的位置(当基材支撑件移动至制程位置时)以及一未接触基材支撑件的位置(当基材支撑件移至非制程位置时)之间；以及数个制动器，耦接至这些探针并适于控制这些探针移动。
附图说明
为更详细了解本发明前述特征，本发明摘要如上的进一步明确描述可参照其实施例，如附图标记所表示者。然而应了解的是，附图标记仅用于说明本发明的一般实施例，故不应视为是本发明范围的限制，本发明也应涵盖其它等效实施例。
图1是一现有具有RF电流返回路径的制程系统的部分示意图。
图2是一阐示性制程处理室的截面示意图。
图3A是本发明一RF接地组件在图2制程处理室中的非基材处理期间的一实施例的截面示意图。
图3B是图3A圆圈A的放大部分侧边截面图。
图3C是本发明一RF接地组件在图2制程处理室中的基材处理期间的一实施例的截面示意图。
图3D是图3C圆圈B的放大部分侧边截面图。
图3E是RF接地幕状物的一实施例的俯视图。
图3F是本发明一RF接地组件在图2制程处理室的一实施例的截面示意图。
图4A是本发明一RF接地组件在图2制程处理室中的非基材处理期间的另一实施例的截面示意图。
图4B是图4A圆圈C的放大部分侧边截面图。
图4C是本发明一RF接地组件在图2制程处理室中的基材处理期间的另一实施例的截面示意图。
图4D是图4C圆圈D的放大部分侧边截面图。
图4E是一RF接地条体的实施例的俯视图。
图4F是两RF接地条体耦接至一接取挡体(picked-up block)及一连接块的侧视示意图。
图5是本发明一RF接地组件在图2制程处理室中的基材处理期间的另一实施例的截面示意图。
图6是本发明一RF接地组件示意在图2制程处理室中的非基材处理期间的另一实施例的截面示意图。
为便于说明，文中尽可能使用相同参考标记来标示相同组件。附图中的标记均为概要式故未按比例绘制。
附图标记说明：
100现有制程处理室         120RF接地条体
122第一弯曲部             124第二弯曲部
126弯折部                 136基材传送埠
138下端                   139上端
140基材支撑件             152升举销
200等离子增强化学气相沉积系统
202制程处理室             204气体源
205入口埠                 206壁
207清洁气体源             208底部
210盖组件                 212制程体积
216中央穿孔区             218气体分配板组件
220内侧                   221上板
224基材支撑本体           230埠口
231上端                   232加热器
233下端                   234基材支撑件表面
235安置架                 238基材支撑件
240基材                   242轴杆
244RF接地路径             246折箱
248遮蔽框            250升举销
254升举板            255地线
258扩散板            260悬挂板
262气体信道          264空间
280RF接地组件        281孔洞
282已接取档体        283接附装置
284可弯曲幕状物      285可弯曲条体
287接附装置          288接附装置
289连接块            290接取凸架
291弯曲部            134处理室底部
222电源              226支撑组件下端
213绝缘体            211侧壁
228孔洞              225凹处
223陶瓷钮            280a RF接地组件
288H孔洞             286H孔洞
具体实施方式
本发明大致是提供用于支撑大面积基材的系统的RF电流返回路径。本发明例示性描述如下者是参照一等离子增强化学气相沉积(PECVD)系统，例如这些由加州圣塔克拉拉市的AKT公司(应用材料公司分公司)所上市者。然而，应理解的是本发明也可适用于其它系统配置，例如物里气相沉积系统、蚀刻系统及其它制程系统，其中并需要一基材支撑件及一处理室(屏蔽该基材支撑件)间的低阻抗RF电流返回路径。
本发明的这些实施例可提供RF等离子处理室中的晶座较佳且均匀的RF接地。一般而言，制程处理室再结构上并不一定完全对称。例如，处理室的一侧可能在处理室壁会有一埠口，用以将基材传送进出制程处理室。处理室壁为RF等离子处理室中RF电路的一部份。处理室一侧中的传送埠口(或孔)会使得制程处理室无法对称。此非对称会降低RF接地的均匀性，而导致较差的等离子均匀性病劣化制程表现。
在图1中的配置已证明在某些应用上有效且可靠，然而此对需要基材支撑件于基材装载位置及基材沉积位置间移动较长距离的系统效用并不大。较长的移动距离使得RF接地条体需更长，而使RF接地条体的阻抗增加，并降低条体的RF接地能力。阻抗Z是由电阻R及电抗X组成。方程式1表示阻抗、电阻及电抗间的关系，其中「j」为虚数。
Z＝R+jX              (1)
由于电阻R及电抗X两者都会增加RF接地条体的长度(见图2及图3)，较长的RF接地条体便需要较高的阻抗。
R＝ρ1/A             (2)
ρ为RF接地条体的电阻，方程式(2)中可变动的1为RF接地条体的长度，而A是RF接地条体的截面积。
X＝2□fL             (3)
f为频率(在此范例为RF)且L为RF接地条体的电感。
若欲使RF接地条体更有效率的发挥，阻抗必须要低。若阻抗增加，基材支撑件上会有电位差，而不利的影响沉积均匀性。此外，没有效率的RF接地会使等离子移至基材支撑件侧边及下方，使这些区域出现不乐见的沉积，不但让清难以进行且相当耗时。如图1所示，由于RF接地条体的长度增加，RF接地条体所增加的阻抗会使RF接地条体在处理较大基材系统的RF接地上没有效率。
本发明的实施例是描述这些用于经改善的晶座(或基材支撑件)RF接地的设备及方法，以使制程处理室中的结构不对称性不会影响等离子及制程的均匀性。
图2(现有技术)是一等离子增强化学气相沉积系统200的一实施例的截面示意图，其是AKT公司所上市，即加州圣塔克拉拉市应用材料公司的分公司。系统200大致包含一耦接至一气体源204的制程处理室202。制程处理室202俱有数个壁206及一底面208，以部分地界定出一制程体积212。制程体积212通常可经由这些壁206的一埠口230进出，以利基材240进出于制程处理室202。
在图2中，入口埠230位于上端231及下端233之间。壁206及底部208通常由一单一铝块体或其它适于制程的材料制成。壁206可支撑一盖组件210。
一温度控制基材支撑件238设于制程处理室202内中心处。在制程期间支撑组件238可支撑一基材。在一实施例中，基材支撑组件238包括一基材支撑本体224，其是由导电性材料制成(例如铝)，以遮盖至少一内嵌的加热器232。加热器232(例如电阻加热器)设于支撑组件238中，可控制地将支撑组件238及其上的基材240加热至一预定温度。典型来说，在一CVD制程中，加热器232可将基材240维持在一摄氏介约150到至少约460度的均匀温度，取决于欲沉积材料的沉积制程参数。
一般而言，支撑组件238具有一下端226及一上端234。上端234可支撑基材240。下端226具有一相耦接的轴杆242。轴杆242可将支撑组件238耦接至一升举系统(未示出)，以将支撑组件移动于一升高制程位置(如图所示)及一利于基材传送进出制程处理室202的降低位置之间。轴杆242更可于支撑组件238及系统200的其它组件间提供一用于电及热电偶的导管。
一折箱(bellows)246是耦接于支撑组件238(或轴杆242)及制程处理室202的底面208之间。折箱246可提供处理室体积212及制程处理室202外界大气间的真空密封，同时可垂直移动支撑组件238。
支撑组件238一般是由RF接地路径244连接，以于支撑件本体224及接地端间提供低阻抗RF返回路径。RF接地返回路径244可直接或间接耦接至接地端，例如，经由处理室本体202，且处理室本体可经由地线255自行接地。在制程期间支撑组件238通常为RF接地，以使来自电源222的RF电源可提供至一气体分配板组件218(设于盖组件210及基材支撑组件238之间或位于处理室盖组件内或附近的其它组件)，以激发支撑组件238及气体分配板组件218间的制程体积212中的气体。来自电源222的该RF电源通常是依据基材尺寸做选择，以驱动化学气相沉积制程。
支撑组件238更可支撑外切处的遮蔽框体248。一般而言，遮蔽框体248可避免沉积在基材240及支撑组件238边缘处，以使基材不会黏在支撑组件238。支撑组件238穿设有数个孔洞228，以接取数个升举销250。这些升举销250一般是由陶瓷或电镀铝制成。升举销250可通过一选择性的升举板254相对于支撑组件238激活，以由支撑件表面234突出，借以将基材以与支撑组件238相隔一距离的方式作置放。
盖组件210可形成制程体积212的上边界。盖组件210一般可移除或开启以维修制程处理室202。在一实施例中，盖组件210是由铝(aluminum)制成。盖组件210一般包括一入口埠205，以让气体源204的制程气体引入制程处理室202。入口埠205也耦接至一清洁气体源207。清洁气体源207一般可提供清洁剂，例如经解离的氟，其可引入制程处理室202以将沉积副产物及薄膜自制程处理室硬件移除，包括气体分配板组件218。
气体分配板组件218是耦接至盖组件210上板221的内侧220。盖组件210的上板221及侧壁211是由一绝缘体213分隔，以避免电弧。气体分配板组件218一般是经配置以实质配合基材240的轮廓，例如，多边形的大面积面板基材及圆形晶圆。气体分配板组件218包括一穿孔区域216，以让来自气体源204的制程气体及其它气体可传递至制程体积212。气体分配板组件218的穿孔区域216是经配置以提供均匀的气体分配，使之通过气体分配板组件218进入制程处理室202。
气体分配板组件218一般包括一扩散板(或分配板)258，由一悬挂板260悬置。扩散板258及悬挂板260或也可包含一单一组件。数个气体信道262穿设于该扩散板258，以让预定气体分配量通过气体分配板组件218，并进入制程体积212。悬挂板260可将扩散板258及盖组件210的内表面220维持相间隔关系，因此在其间界定出一空间264。空间264可让气体流经盖组件210，以均匀遍及该扩散板258的宽度，因此气体可均匀供应于中央穿孔区216的上方，并均匀流经气体信道262。扩散板258可为半导体晶圆般的圆形或多边形，例如矩形，以用于面板显示器制造。
图3A是说明非基材处理期间基材支撑组件238的一基材支撑本体224的相对位置，以及一例示性RF接地组件280。基材支撑组件238位于非基材制程位置，且并未与RF接地组件280接触。RF接地组件280是位于一或多个接地安置架(rest-pieces)235上，且在非基材处理期间是由接地安置架235做支撑。基材支撑本体224上方具有一基材240并具有一或多个接取凸架(pick-up ledge)290，环绕基材支撑本体224上表面的外缘。接取凸架290会接取RF接地组件280，以在基材支撑组件238位于基材制程位置时将的举离一或多个接地安置架235。RF接地组件280置于传送埠开口230之上，并接附于处理室壁206，且可支撑遮蔽框248(覆盖基材支撑组件的整个边缘)。在一实施例中，遮蔽框约3英寸至5英寸宽，约1/2至约1英寸厚。遮蔽框248及扩散板258间并有一间距。
图3B是表示图3A圆圈A的组件放大图。RF接地组件280是通过可应用的方式接附于处理室壁206，例如熔接、焊接、焊铜或接附装置286。RF接地组件280也由一或多个低阻抗可弯曲幕状物284组成，其是接附于处理室壁206，及一或多个已接取档体282。一或多个可弯曲幕状物284可通过可实施方式接附至一或多个已接取档体282，例如熔接、焊接、焊铜或接附装置288。
低阻抗可弯曲幕状物284应以高导电性的可弯曲材料制成，例如铝薄片。一或多个已接取档体282应由低阻抗(或高导电性)档体制成，例如铝档体。一或多个已接取档体282可支撑遮蔽框248，并由接取凸架290接取已于基材处理期间(例如沉积)接触基材支撑本体224，以提供RF返回路径，参照下文图3C及图3D。每一接取档体282是由至少一个接取凸架承接。
图3C是说明基材处理期间(例如沉积)基材支撑组件238的一基材支撑本体224及一RF接地组件280的相对位置。基材支撑组件是位于基材制程位置，例如沉积位置。在制程期间，基材支撑本体224(为基材支撑组件238的一部分)会上升接近扩散板258。接取凸架290会接取一或多个已接取档体282以将RF接地组件280举离一或多个接地安置架235，并于基材支撑本体224及RF接地组件280间作接触。
图3D是表示图3C的圆圈B组件的放大图。幕状物284会因接取凸架290紧密升起接取档体282而推向处理室壁206。遮蔽框248(一般经电镀)会部分覆盖基材240的边缘，即遮蔽框248的凹处225。遮蔽框是由基材240边缘所支撑，并置放陶瓷钮223以避免电弧，而已接取档体282则位于基材支撑本体224上。
图3A-3D中的幕状物可绕整个基材支撑本体224或本体224边缘的一部份连续延伸。在一实施例中，单一幕状物284会大致绕本体224整个边缘连续延伸(例如，以使RF接地组件280能在其位于基材制程位置时接触多边形本体224的边缘)。或者，多个幕状物284可彼此邻设以大致绕本体224的整个边缘延伸，其中至少一幕状物在其位于制程位置时可耦接至多边形支撑组件238的各边。多个幕状物284可连接至一或多个已接取档体282。
图3E是表示一例示性导电幕状物284在其平放时的态样。幕状物284具有一宽度271及长度273。导电幕状物284具有孔洞286H及288H以允许接附装置286及288，例如螺栓，通过而接附至处理室壁突出部即已接取档体282。导电性幕状物具有数个开口275以在制程之前、期间以及之后让反应性物种通过。等开口275可为任何形状或位于幕状物的任何位置。图3E所示的形状仅用于示范。导电性(或低阻抗)幕状物284可选择性的具有额外孔洞281，以帮助反应性物种的通过。额外孔洞281可为任何形状。在一实施例中，数个幕状物284(其每一者皆具有约3英寸至5英寸的宽度，以及约5英寸至约7英寸的长度)是平均的间隔设置在多边形本体224周围，并连接至处理室壁206以及一或多个已接取档体282。
此外，在制程期间，处理室202中靠近处理室底部208的温度可介于摄氏50至130度，支撑组件238表面上(于制程期间接触基材240)则上升至摄氏400度。处理室壁206的温度可为50至350度，低于基材支撑件224温度。因此，幕状物284耦接至已接取档体的端点是与基材支撑组件224接触，其相较于幕状物284端点(耦接至处理室壁206)一般是受到较大程度的热膨胀。此在膨胀上的变化会使幕状物284变形，以不乐见的方式影响幕状物284的功能及有效寿命。为抵销热差异，可有至少一个穿孔(或开口)275形成在幕状物284的中接近这些端点处(耦接至已接取档体以允许幕状物284的热膨胀)。在一实施例中，数个宽度约0.5英寸至约1英寸的穿孔275会以约每2英寸至约4英寸的间隔沿耦接至已接取档体的幕状物284的端点设置。
幕状物284是由可弯曲、低阻抗导电金属组成，其可抵抗制程及清洁化学物。在一实施例中，幕状物284是由铝薄片制成，且厚约0.008英寸至约0.016英寸。或者，幕状物284可包含钛、不锈钢或一涂覆有导电金属涂层的可弯曲材料。
电流是由等离子流至基材240，基材是电性接触支撑组件238的导电本体224。电流由本体224通过RF接地幕状物284及处理室壁突出部213置处理室壁206及处理室底部208，其等均经由接地件255接地。与现有RF接地技术相比，幕状物284可明显缩短制程期间RF电流的返回路径。现有基材支撑件224底部及处理室底部208间的RF接地条体可约为20英寸或更长，而已接取档体及处理室壁206间的RF接地幕状物284距离可约为3英寸至约5英寸或更短。
此外，幕状物284可提供较大的电流承载区域，其可使的理想的适用于大面积制程应用。较短的距离及幕状物284的大电流承载能力可使支撑组件238及接地处理室202整个表面有较低的电压差，因而实质降低非均匀等离子沉积的可能性及基材支撑件224侧边及底下不乐见的沉积。
一或多个已接取档体282可支撑遮蔽框248。每一已支撑档体282可绕整个基材支撑本体224或本体224边缘的一部份连续延伸。在一实施例中，一单一接取档体282可大致绕本体224(例如，以让已接取档体282在其位于制程位置时可接触多边形本体224的边缘)的整个边缘连续延伸。或者，数个档体282可彼此邻设以在支撑组件位于基材制程位置时(例如沉积位置)大致绕本体224的整个边缘延伸。
档体282是由一可弯曲、低阻抗导电金属(可抵抗制程及清洁化学物)组成。在一实施例中，档体282是由铝组成，且具有约1/4英寸至约3/4英寸乘以约1/4至约3/4的截面积。或者，档体282可包含钛、不锈钢或或一涂覆有导电金属涂层的可弯曲材料。
在某些沉积处理室中需要数个遮蔽框248，这是因其可避免沉积在基材240及基材支撑本体224边缘处，以让基材240不会黏在基材支撑本体224。于某些制程处理室中也可不需要该遮蔽框。在依不需要遮蔽框的制程处理室中，RF接地组件280可独立存在而无需遮蔽框248。图3F是表示图3A中的实施例。
在基材支撑件224移至基材制程位置(例如沉积)时，接取凸架290会接取一或多个已接取档体282。在基材处理期间，接取凸架290的表面会与已接取档体接触以形成电性连接。接取凸架290可为一环绕该基材支撑件整个周围的连续凸架，或可划分为数个以未有凸架的外缘区域分隔的凸架。凸架的宽度至少为0.01英寸，且较佳至少为0.1英寸，以满足接取已接取文件体282的功能。接取凸架290的高度须经设计可容纳已接取档体282的高度及基材240厚度，以让已接取档体282的上表面与基材240的表面为相同高度。接取凸架290应环绕整个基材支撑件224或仅环绕基材支撑本体224的一部份，取决于RF接地组件280的已接取档体282的设计。
图4A是说明非基材制程位置期间该基材支撑组件238的基材支撑本体224及另一例示性RF接地组件280a的相关位置。基材支撑件本体224并非位于基材制程位置，且与RF接地组件280a相隔。RF接地组件280a位于一或多个接地安置架235上，且在非制程期间是由安置架235支撑。基材支撑件本体224上方具有一基材240，且具有一接取凸架290环绕基材支撑件本体224上表面的外缘。接取凸架290可接取RF接地组件280a，并在基材支撑组件238移至基材制程位置(例如沉积)时，将之举离接地安置架235。RF接地组件280a是置于传送埠开口230上，并支撑遮蔽框248。RF接地组件280a可具有一或多个连接块289，以让其耦接至处理室壁206。RF接地组件280a也可直接接附于该处理室壁206而无需连接块289。遮蔽框248及散流板258之间并留有空间。
图4B是表示图4A圆圈C中组件的放大图。RF接地组件280a是通过可应用的装置(例如熔接、焊接、焊铜或接附装置287)接附至处理室壁206上的一或多个连接块289。RF接地组件280a也由多个低阻抗可弯曲条体285组成，其是接附于连接块289及一或多个已接取档体282。条体285是通过可应用的装置接附至一或多个已接取档体282，例如熔接、焊接、焊铜或接附装置283。
低阻抗条体285应由高导电性的可弯曲材料制成，例如铝条。在一实施例中，各条体285含有至少一弯曲部291，以使弯曲的V型条体可作压缩或释放，而上移至基材处理(例如沉积)位置，及下移至非基材制程位置。弯曲部291可呈原形以改善弯曲可靠度，并减少金属破坏的发生率。一或多个已接取档体282应由低阻抗(或高导电性)档体制成，例如铝档体。档体282可至少包含钛、不料锈钢或可涂覆导电金属涂层的固体材料。一或多个已接取档体282可支撑遮蔽框248，并由接取凸架290接取以于基材处理期间与该基材支撑件本体224接触，而形成RF返回路径(参见后文图4C及图4D)。
图4C是说明基材制程期间基材支撑组件238的一基材支撑件本体224及图4A RF接地组件280a的相关位置。基材支撑件本体224是位于基材制程(例如沉积)位置。基材支撑件本体224及RF接地组件280a是经由接取档体282及基材支撑件本体224间的接触点进行接触。在制程期间，基材支撑件本体224(为基材支撑组件238的一部份)是上移靠近扩散板258。接取凸架290可接取已接取档体282，并接触于基材支撑件本体224及RF接地组件280a之间。图4D是表示图4C的圆圈D中组件的放大图。
数个条体285可设置彼此邻近以延伸大致绕本体224整个边缘，其中至少一幕状物在基材支撑件240位于基材制程位置时是耦接至多边形支撑组件238的每一边。多个条体285是连接至一或多个已接取档体282。在一实施例中，数个条体285的每一者宽度271约1/4英寸至约3/4英寸，而长度273约4英寸至6英寸，且厚度约0.008英寸至约0.016英寸，且这些条体是位于多边形本体224的每一边缘上。在一实施例中，弯曲部291大致位于条体285的中间处。这些条体285是由可抵抗制程及清洁化学物的可弯曲、低阻抗导电金属制成。在一实施例中，这些条体285是由铝制成。或者，这些条体285可包含钛、不锈钢或一涂覆有导电金属涂层的可弯曲材料。
图4E是表示一导电条体285平放时的一实施例。导电条体285具有数个孔洞287H及283H，以让连接组件287及283(如螺栓)可通过以连接至连接块289即已接取档体282。在一实施例中，条体285包含至少一弯曲部291，位于接附至连接块289的该端以及接附至已接取档体282的该端之间。具有一弯曲部291的条体285侧面看是呈V型。弯曲部291方向是大致平行于连接块289及已接取档体的边缘。弯曲部291乃预先形成于条体285中，以增加条体285的使用寿命，且借垂直移动支撑组件238传至条体285的重复应力可能会使弯曲部291破裂，迫使条体285位移。
图4F是表示多个条体285是彼此邻近且是接附至连接块289及已接取档体282。这些导电条体285间的空间可使反应性物种通过。
与现有RF接地技术相比，这些条体285可明显缩短制程期间RF电流至接地端的返回路径。现有基材支撑件224及处理示底部208间的RF接地条体可为20英寸或更长，而已接取档体282及连接块289间RF接地条体285的距离可约为4英寸至约6英寸或更短。由等离子至基材240的电流是与支撑组件238导电本体224呈电性接触。由本体224通过RF接地条体285及连接块289而至处理室壁206的电流是经由接地端255接地。
此外，这些条体285可提供大电流承载能力，其可较佳的适用在大面积制程应用中。条体285有较短距离(低阻抗)及大电流承载能力可使支撑组件238表面及接地处理室202间有较小的电压差，以实质降低非均匀等离子沉积的可能性及基材支撑件224侧边及底下不乐见的沉积。
图4A-4F中已接取档体282及接取凸架290的设计类似于图3A-3E中RF接地组件280所述者。此外，与图3A-3E中所述的RF接地组件设计相似的是，对未有遮蔽框的制程处理室而言，图4A-4F中所述的RF接地组件280a可单独设置而无需遮蔽框258。
图3A-3F中所示的RF接地幕状物284及图4A-4F中所示的接地条体285可承受较图1现有RF接地条体为低的弯曲。
图5是描述本发明另一实施例的截面图。基材支撑组件238的基材支撑件本体224是以一或多个RF接地组件295(其包括RF接地探针293)作RF接地。RF接地探针293可移动于一在基材制程(例如沉积)期间接触基材支撑件本体224的位置(如图5)以及一于非基材处理期间(见图6)未有基材支撑件本体224的位置之间。RF接地探针293可经由具有真空密封装置(例如图5中以轴承297密封的真空密封、或图6中的密封折箱296)的处理室壁206插入。图5中具有轴承297的真空密封及图6中的密封折箱296可为导电性，且可将探针293RF接地至处理室壁206。若图5中具有轴承297的真空密封及图6中的密封折箱296非导电性，这些探针293可经由接地端257作RF接地。RF接地探针293是位于基材传送埠230的上，以让其等可在基材制程期间接触基材支撑件224，而不受基材传送的影响。致动器294可与RF接地探针293互动以控制RF接地探针293的移位。致动器294可为螺线管线性致动器、气动式或液压汽缸或是其它适于移动RF接地探针293以接触/不接触基材支撑件本体224的装置。致动器294可连接至一控制器(此处未示出)以于基材制程期间移动探针293与基材支撑件240接触。
数个探针293可彼此邻近以大致绕该本体224的整个边缘延伸，其中在基材支撑件240位于基材制程位置时，至少一探针会接触该多边形支撑组件238的每一边缘。较佳而言，沿该多边形基材支撑件240至少每约4英寸至8英寸便设一探针。在一实施例中，这些探针的尺寸约3/8英寸至约1/2英寸。
这些探针293是由可抵抗制程及清洁化学物的低阻抗导电金属制成。在一实施例中，这些探针293是由铝制成。或者，这些探针293可包含钛、不锈钢或一涂覆有导电金属涂层的可弯曲材料。
与现有RF接地技术相比，这些探针293可明显缩短制程期间RF电流至接地端的返回路径。现有基材支撑件224底部及处理室底部208间的RF接地条体可约为20英寸或更长，而基材支撑件224及接地处理室壁206间接触基材支撑件224的RF接地探针293长度可约为2英寸至约3英寸或更短。较佳而言，接触基材支撑件224的RF接地探针293的长度，即基材支撑件224及接地处理室壁206间的距离约为10英寸或更短。由等离子至基材240的电流是与支撑组件238的导电本体224作电性接触。由本体224经RF接地探针293至处理室壁206的电流是经由接地端255作接地。
此外，探针293可提供大电流承载能力，其可使的理想适用于大面积制程应用中。幕状物284较短的距离(低阻抗)及大电流承载能力可使支撑组件238表面及接地处理室202间有较小的电压差，因而实质降低非均匀等离子沉积的可能性及基材支撑件224侧边及底下不乐见的沉积。
因此，由于本发明的这些实施例可提供较短的RF返回路径，故对大面积基材处理领域具有明显优势。本发明的这些实施例也可应用至任何等离子制程系统中。本发明的这些实施例并提供可有效限制RF电流返回路径中的电压降，且适用于大型制程系统，例如这些用于制造面板及液晶显示器的系统。在基材支撑件需移动长距离时本发明的这些实施例可优于习知RF接地技术。然而，本发明的这些实施例对于现有基材支撑件不需移动长距离的等离子制程系统的RF接地技术也同样适用。
虽然前述内容是关于本发明的实施例，然本发明进一步的实施例也可于不悖离其基本精神及范围下进行变化，且其权利保护范围应由权利要求书所界定。

Claims (114)

1.一种用以在一制程处理室壁及一由制程处理室壁封围的基材支撑件之间提供一RF电流返回路径的设备，其特征在于，至少包含：
一制程处理室壁，其具有一基材传送埠；
一基材支撑件，由制程处理室壁封围，且适于移动于一制程位置及一非制程位置之间；以及
一RF接地组件，安装至制程处理室壁，该RF接地组件位于基材传送埠之上，且在基材支撑件位于制程位置时可接触基材支撑件。
2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述的RF接地组件还包含：
一或多个低阻抗档体(block)，其在基材制程期间可接触基材支撑件；以及
一或多个低阻抗可弯曲幕状物，其具有第一端及第二端，第一端可电性连接至制程处理室壁，而第二端可连接至一或多个低阻抗档体。
3.如权利要求2所述的设备，其特征在于，所述的每一低阻抗可弯曲幕状物(curtain)包括一或多个开口，适于让反应性物种通过。
4.如权利要求3所述的设备，其特征在于，所述的一或多个开口的至少一者是位于该低阻抗可弯曲幕状物的第二端附近。
5.如权利要求4所述的设备，其特征在于，所述的一或多个开口宽度约0.5英寸至约1英寸，且采每2英寸至约每4英寸间隔方式设置。
6.如权利要求2所述的设备，其特征在于，所述的一或多个低阻抗可弯曲幕状物是由铝、钛、不锈钢、一涂覆有导电金属涂层的可弯曲材料及其组合物组成的群组中所选出的材料制成。
7.如权利要求2所述的设备，其特征在于，所述的一或多个低阻抗可弯曲幕状物是由铝制成，且厚约0.008英寸至约0.016英寸。
8.如权利要求2所述的设备，其特征在于，所述的一或多个低阻抗可弯曲幕状物宽约3英寸至约5英寸，且长约5英寸至约6英寸。
9.如权利要求2所述的设备，其特征在于，所述的每一幕状物的第一端是以熔接、焊接、焊铜或接附装置的方式耦接至上处理室本体。
10.如权利要求2所述的设备，其特征在于，所述的每一幕状物的第二端是以熔接、焊接、焊铜或接附装置的方式耦接至低阻抗档体。
11.如权利要求2所述的设备，其特征在于，所述的一或多个低阻抗档体可支撑一遮蔽框。
12.如权利要求2所述的设备，其特征在于，所述的一或多个低阻抗档体于非基材制程期间是由一或多个安置架(rest-pieces)所支撑。
13.如权利要求2所述的设备，其特征在于，所述的基材支撑件为多边形，且数个低阻抗档体是设置彼此邻近以大致绕该基材支撑件本体的整个边缘延伸，且至少一档体是接触该多边形基材支撑件的每一边缘。
14.如权利要求2所述的设备，其特征在于，所述的一或多个低阻抗档体是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组成的群组中所选出的材料制成。
15.如权利要求2所述的设备，其特征在于，所述的一或多个低阻抗档体的截面约1/4英寸至约3/4英寸乘以约1/4英寸至约3/4英寸。
16.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述的基材支撑件具有一凸架，环绕基材支撑件上表面的外缘。
17.如权利要求16所述的设备，其特征在于，所述的凸架宽度至少为0.01英寸。
18.如权利要求16所述的设备，其特征在于，所述的凸架宽度至少为0.1英寸。
19.如权利要求16所述的设备，其特征在于，在基材制程期间凸架可接取一或多个低阻抗档体，以让这些档体可电性接触基材支撑件。
20.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述的RF接地组件还包含：
一或多个低阻抗档体，可于基材制程期间接触基材支撑件；以及
多个低阻抗可弯曲条体，具有第一端及第二端，以及至少一位于第一端及第二端间的弯曲部；其中第一端电性连接至制程处理室壁，而第二端电性连接至一或多个低阻抗档体。
21.如权利要求20所述的设备，其特征在于，所述的低阻抗可弯曲条体是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组成的群组中所选出的材料制成。
22.如权利要求20所述的设备，其特征在于，所述的低阻抗可弯曲条体是由铝制成，且厚约0.008英寸至约0.016英寸厚。
23.如权利要求20所述的设备，其特征在于，所述的每一低阻抗可弯曲条体宽度约1/4英寸至3/4英寸，而长度约4英寸至约6英寸。
24.如权利要求20所述的设备，其特征在于，所述的基材支撑件为多边形，且多边形基材支撑件的各边缘处具有至少一低阻抗可弯曲条体。
25.如权利要求20所述的设备，其特征在于，所述的反应物种可通过低阻抗可弯曲条体之间。
26.如权利要求20所述的设备，其特征在于，还至少包含：
一或多个低阻抗连接块，以让RF接地组件可耦接至制程处理室壁。
27.如权利要求26所述的设备，其特征在于，所述的一或多个连接块是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组成的群组中所选出的材料制成。
28.如权利要求26所述的设备，其特征在于，所述的每一低阻抗可弯曲条体的第一端是以熔接、焊接、焊铜或接附装置的方式耦接至一或多个连接块。
29.如权利要求20所述的设备，其特征在于，所述的每一低阻抗可弯曲条体的第二端是以熔接、焊接、焊铜或接附装置的方式耦接至一或多个低阻抗档体。
30.如权利要求20所述的设备，其特征在于，所述的一或多个低阻抗档体可支撑一遮蔽框。
31.如权利要求20所述的设备，其特征在于，所述的一或多个低阻抗档体于非基材制程期间是以一或多个安置架支撑。
32.如权利要求20所述的设备，其特征在于，所述的基材支撑件为多边形，且数个低阻抗档体设置彼此邻近以大致绕基材支撑件本体的整个边缘延伸，且至少一档体是接触多边形基材支撑件的每一边缘。
33.如权利要求20所述的设备，其特征在于，所述的一或多个低阻抗档体是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组成的群组中所选出的材料制成。
34.如权利要求20所述的设备，其特征在于，所述的一或多个低阻抗档体的截面约1/4英寸至约3/4英寸乘以约1/4英寸至约3/4英寸。
35.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述的制程处理室为一PECVD处理室。
36.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述的制程处理室为一等离子蚀刻处理室。
37.一种用以在一制程处理室壁及一由该制程处理室壁封围的基材支撑件之间提供一RF电流返回路径的设备，其特征在于，至少包含：
一制程处理室壁，其具有一基材传送埠；
一基材支撑件，由制程处理室壁封围，且适于移动在一制程位置及一非制程位置之间；以及
一RF接地组件，安装至制程处理室壁，该RF接地组件是位于基材传送埠之上，且在基材支撑件位于制程位置时可接触基材支撑件。
38.如权利要求37所述的设备，其特征在于，所述的RF接地组件还至少包含：
数个RF接地探针，可移动于一在该基材支撑件移至一制程位置时接触该基材支撑件的位置以及一在该基材支撑件移至一非制程位置时未接触该基材支撑件的位置之间；以及
数个致动器，耦接至这些探针，且适于控制这些探针的移动。
39.如权利要求38所述的设备，其特征在于，所述的这些探针是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组成的群组中所选出的材料制成。
40.如权利要求38所述的设备，其特征在于，所述的这些探针是由铝制成，且这些探针的直径约3/8英寸至约1/2英寸。
41.如权利要求38所述的设备，其特征在于，介于基材支撑件及探针接触的一制程室壁(且RF接地)间的探针长度约10英寸或更短。
42.如权利要求38所述的设备，其特征在于，介于基材支撑件及探针接触的一制程室壁(且RF接地)间的探针长度约3英寸或更短。
43.如权利要求38所述的设备，其特征在于，所述的基材支撑件为多边形，且多边形基材支撑件的各边缘处具有至少一探针。
44.如权利要求38所述的设备，其特征在于，沿基材支撑件外缘约每4英寸至约每8英寸设有一探针。
45.如权利要求38所述的设备，其特征在于，所述的反应性物种可通过这些探针之间。
46.如权利要求38所述的设备，其特征在于，所述的这些探针可经由具有真空密封装置或真空密封折箱的处理室壁插入。
47.如权利要求38所述的设备，其特征在于，所述的这些致动器是螺线管线性致动器、气动式或液压汽缸。
48.如权利要求37所述的设备，其特征在于，所述的制程处理室为一PECVD制程处理室。
49.如权利要求37所述的设备，其特征在于，所述的制程处理室为一等离子蚀刻处理室。
50.一种用以在一制程处理室壁及一由制程处理室壁封围的基材支撑件之间提供一RF电流返回路径的设备，其特征在于，至少包含：
一制程处理室壁，其具有一基材传送埠；
一基材支撑件，由制程处理室壁封围，且适于移动于一制程位置及一非制程位置之间；以及
一RF接地组件，安装至制程处理室壁，该RF接地组件位于基材传送埠之上，且在基材支撑件位于制程位置时可接触该基材支撑件，而RF接地组件至少包含一或多个低阻抗档体，以在基材制程期间接触基材支撑件；以及一或多个低阻抗可弯曲幕状物，其具有一第一端及第二端，其中第一端电性连接至制程处理室壁，而第二端连接至一或多个低阻抗档体。
51.如权利要求50所述的设备，其特征在于，所述的每一低阻抗可弯曲幕状物包含一或多个开口，适于让反应性物种通过。
52.如权利要求50所述的设备，其特征在于，所述的一或多个低阻抗可弯曲幕状物是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组成的群组中所选出的材料制成。
53.如权利要求50所述的设备，其特征在于，所述的每一幕状物的第一端是通过熔接、焊接、焊铜或借一连接装置的方式耦接至上处理室本体。
54.如权利要求50所述的设备，其特征在于，所述的一或多个低阻抗档体可支撑一遮蔽框。
55.如权利要求50所述的设备，其特征在于，所述的一或多个低阻抗档体于非基材制程期间由一或多个安置架支撑。
56.如权利要求50所述的设备，其特征在于，所述的基材支撑件为多边形，且多个低阻抗档体设置彼此邻近以大致绕基材支撑件本体的整个边缘延伸，且至少一档体是接触多边形基材支撑件的每一边缘。
57.如权利要求50所述的设备，其特征在于，所述的一或多个低阻抗档体是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组成的群组中所选出的材料制成。
58.如权利要求50所述的设备，其特征在于，所述的基材支撑件具有一凸架，环绕基材支撑件上表面的外缘。
59.一种用以于一制程处理室壁及一由该制程处理室壁封围的基材支撑件之间提供一RF电流返回路径的设备，其特征在于，至少包含：
一制程处理室壁，其具有一基材传送埠；
一基材支撑件，由制程处理室壁封围，且适于移动于一制程位置及一非制程位置之间；以及
一RF接地组件，安装至制程处理室壁，该RF接地组件是位于基材传送埠之上，且在基材支撑件位于制程位置时可接触基材支撑件，而RF接地组件至少包含一或多个低阻抗档体，以于基材制程期间接触基材支撑件；以及数个低阻抗可弯曲条体，其具有一第一端及第二端，以及第一端及第二端间的至少一弯曲部，其中第一端电性连接至制程处理室壁，而第二端连接至一或多个低阻抗档体。
60.如权利要求59所述的设备，其特征在于，所述的低阻抗可弯曲条体是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组成的群组中所选出的材料制成。
61.如权利要求59所述的设备，其特征在于，所述的基材支撑件为多边形，且多边形基材支撑件的各边缘处具有至少一低阻抗可弯曲条体。
62.如权利要求59所述的设备，其特征在于，所述的反应性物种可通过这些低阻抗可弯曲条体之间。
63.如权利要求59所述的设备，其特征在于，还至少包含：
一或多个低阻抗连接块，以让RF接地组件可耦接至制程处理室壁。
64.如权利要求63所述的设备，其特征在于，所述的一或多个连接块是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组成的群组中所选出的材料制成。
65.如权利要求59所述的设备，其特征在于，所述的一或多个低阻抗档体可支撑一遮蔽框。
66.如权利要求59所述的设备，其特征在于，所述的一或多个低阻抗档体于非基材制程期间是由一或多个安置架支撑。
67.如权利要求59所述的设备，其特征在于，所述的基材支撑件为多边形，且数个低阻抗档体设置彼此邻近以大致绕基材支撑件本体的整个边缘延伸，且至少一低阻抗档体是接触多边形基材支撑件的每一边缘。
68.如权利要求59所述的设备，其特征在于，所述的一或多个低阻抗档体是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组成的群组中所选出的材料制成。
69.一种用以于一制程处理室壁及一由该制程处理室壁封围的基材支撑件的间提供一RF电流返回路径的设备，其特征在于，至少包含：
一制程处理室壁，其具有一基材传送埠；
一基材支撑件，由制程处理室壁封围，且适于移动于一制程位置及一非制程位置之间；以及
一RF接地组件，安装至制程处理室壁，该RF接地组件位于基材传送端口之上，且经配置以在基材支撑件位于制程位置时可接触基材支撑件，而RF接地组件至少包含多个RF接地探针，其等可移动于一在基材支撑件移至一制程位置时接触基材支撑件的位置以及一在基材支撑件移至一非制程位置时未接触基材支撑件的位置之间；以及数个致动器，耦接至这些探针，且适于控制这些探针的移动。
70.如权利要求69所述的设备，其特征在于，所述的这些探针是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组成的群组中所选出的材料制成。
71.如权利要求69所述的设备，其特征在于，所述的基材支撑件为多边形，且多边形基材支撑件的各边缘处具有至少一低阻抗可弯曲条体。
72.如权利要求69所述的设备，其特征在于，所述的反应性物种可通过这些探针之间。
73.如权利要求69所述的设备，其特征在于，所述的这些探针可经由具有真空密封装置或真空密封折箱的处理室壁插入。
74.如权利要求69所述的设备，其特征在于，所述的这些致动器为螺线管线性致动器、气动式或液压汽缸。
75.一种用以于一制程处理室壁及一由制程处理室壁封围的基材支撑件之间提供一RF电流返回路径的RF接地组件，其特征在于，其至少包含：
一或多个低阻抗档体，其可于基材制程期间接触基材支撑件；以及
一或多个低阻抗可弯曲幕状物，具有第一端及第二端，第一端电性连接制程处理室壁，而第二端连接一或多个低阻抗档体。
76.如权利要求75所述的RF接地组件，其特征在于，所述的每一低阻抗可弯曲幕状物包含一或多个开口，适于让反应性物种通过。
77.如权利要求75所述的RF接地组件，其特征在于，所述的一或多个低阻抗可弯曲幕状物是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组成的群组中所选出的材料制成。
78.如权利要求75所述的RF接地组件，其特征在于，所述的每一幕状物的第一端是借熔接、焊接、焊铜或借一连接装置的方式耦接至上处理室本体。
79.如权利要求75所述的RF接地组件，其特征在于，所述的一或多个低阻抗档体可支撑一遮蔽框。
80.如权利要求75所述的RF接地组件，其特征在于，所述的一或多个低阻抗档体在非基材制程期间由一或多个安置架支撑。
81.如权利要求75所述的RF接地组件，其特征在于，所述的一或多个低阻抗档体是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组成的群组中所选出的材料制成。
82.一种用以于一制程处理室壁及一由该制程处理室壁封围的基材支撑件之间提供一RF电流返回路径的RF接地组件，其特征在于，至少包含：
一或多个低阻抗档体，其可于基材制程期间接触基材支撑件；以及
数个低阻抗可弯曲条体，具有第一端及第二端以及第一及第二端间的至少一弯曲部，其中第一端是电性连接至制程处理室壁，而第二端电性连接至一或多个低阻抗档体。
83.如权利要求82所述的RF接地组件，其特征在于，所述的低阻抗可弯曲条体是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组成的群组中所选出的材料制成。
84.如权利要求82所述的RF接地组件，其特征在于，所述的反应性物种可通过等低阻抗可弯曲条体之间。
85.如权利要求82所述的RF接地组件，其特征在于，还至少包含：
一或多个低阻抗连接块，可让RF接地组件耦接至制程处理室壁。
86.如权利要求82所述的RF接地组件，其特征在于，所述的一或多个连接块是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组成的群组中所选出的材料制成。
87.如权利要求82所述的RF接地组件，其特征在于，所述的一或多个低阻抗档体可支撑一遮蔽框。
88.如权利要求82所述的RF接地组件，其特征在于，所述的一或多个低阻抗档体在非基材制程期间由一或多个安置架支撑。
89.如权利要求82所述的RF接地组件，其特征在于，所述的一或多个低阻抗档体是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组成的群组中所选出的材料制成。
90.一种用以于一制程处理室壁及一由该制程处理室壁封围的基材支撑件之间提供一RF电流返回路径的RF接地组件，其特征在于，至少包含：
数个RF接地探针，其可移动于一在基材支撑件移至一制程位置时接触基材支撑件的位置以及一在基材支撑件移至非制程位置时未接触基材支撑件的位置之间；以及
数个致动器，耦接至这些探针并适于控制这些探针的移动。
91.如权利要求90所述的RF接地组件，其特征在于，所述的这些探针是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组成的群组中所选出的材料制成。
92.如权利要求90所述的RF接地组件，其特征在于，所述的反应性物种可通过这些探针之间。
93.如权利要求90所述的RF接地组件，其特征在于，所述的这些探针可经由具有真空密封装置或真空密封折箱的处理室壁插入。
94.如权利要求90所述的RF接地组件，其特征在于，所述的致动器为螺线管线性致动器、气动式或液压汽缸。
95.一种用以于一制程处理室壁及一由该制程处理室壁封围的基材支撑件之间提供一RF电流返回路径的方法，其特征在于，至少包含：
将基材支撑件移至一制程位置；以及
以一RF接地组件接触基材支撑件，该RF接地组件安装至制程处理室壁，并位于基材传送埠上，其中RF接地组件在基材支撑件位于制程位置时仅接触基材支撑件。
96.如权利要求95所述的方法，其特征在于，所述的RF接地组件至少包含一或多个低阻抗档体，可于基材制程期间接触基材支撑件；以及一或多个低阻抗可弯曲幕状物，其具有第一端及第二端，第一端电性连接至制程处理室壁，而第二端连接至一或多个低阻抗档体。
97.如权利要求96所述的方法，其特征在于，所述的各低阻抗可弯曲幕状物包含一或多个开口，适于让反应性物种通过。
98.如权利要求96所述的方法，其特征在于，所述的一或多个低阻抗可弯曲幕状物是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组成的群组中所选出的材料制成。
99.如权利要求96所述的方法，其特征在于，所述的一或多个低阻抗档体可支撑一遮蔽框。
100.如权利要求96所述的方法，其特征在于，所述的一或多个低阻抗档体在非基材制程期间由一或多个安置架支撑。
101.如权利要求96所述的方法，其特征在于，所述的一或多个低阻抗档体是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组成的群组中所选出的材料制成。
102.如权利要求95所述的方法，其特征在于，所述的RF接地组件至少包含一或多个低阻抗档体，其可于基材制程期间接触基材支撑件；以及数个低阻抗可弯曲条体，其具有第一端及第二端以及第一及第二端间的至少一弯曲部，其中第一端电性连接至制程处理室壁，而第二端电性连接至一或多个低阻抗档体。
103.如权利要求102所述的方法，其特征在于，所述的低阻抗可弯曲条体是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组成的群组中所选出的材料制成。
104.如权利要求102所述的方法，其特征在于，所述的反应性物种可通过低阻抗可弯曲条体之间。
105.如权利要求102所述的方法，其特征在于，所述的RF接地组件更包含一或多个低阻抗连接块，以让RF接地组件耦接至制程处理室壁。
106.如权利要求105所述的方法，其特征在于，所述的一或多个连接块是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组成的群组中所选出的材料制成。
107.如权利要求102所述的方法，其特征在于，所述的一或多个低阻抗档体可支撑一遮蔽框。
108.如权利要求102所述的方法，其特征在于，所述的一或多个低阻抗档体于非基材制程期间由一或多个安置架支撑。
109.如权利要求102所述的方法，其特征在于，所述的一或多个低阻抗档体是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组成的群组中所选出的材料制成。
110.如权利要求95所述的方法，其特征在于，所述的RF接地组件至少包含数个RF接地探针，其可移动于一在基材支撑件移至一制程位置时接触基材支撑件的位置以及一在该基材支撑件移至一非制程位置时未接触基材支撑件的位置之间，且数个致动器是耦接至这些探针，并适于控制这些探针的移动。
111.如权利要求110所述的方法，其特征在于，所述的探针是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组成的群组中所选出的材料制成。
112.如权利要求110所述的方法，其特征在于，所述的反应性物种可通过这些探针之间。
113.如权利要求110所述的方法，其特征在于，所述的这些探针可经由具有真空密封装置或真空密封折箱的处理室壁插入。
114.如权利要求110所述的方法，其特征在于，所述的这些致动器为螺线管线性致动器、气动式或液压汽缸。
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