KR101081744B1 - 기판처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판안치수단과 연결되고 기판안치수단과 공정챔버 내벽 사이에 위치한 접지수단을 포함하는 기판처리장치에 관한 것으로, 기판처리장치는 반응공간을 제공하는 공정챔버; 상기 반응공간에 위치하는 가스분배수단; 상기 가스분배수단의 하부에 위치한 기판안치수단; 상기 기판안치수단의 측면과 연결되고, 상기 기판안치수단과 상기 공정챔버의 내벽 사이에 위치한 접지수단;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
기판처리장치, 접지수단, 보조판, 접지대

Description

기판처리장치{Apparatus for treating substrate}
본 발명은 기판안치수단과 연결되고 기판안치수단과 공정챔버 내벽 사이에 위치한 접지수단을 포함하는 기판처리장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자, 표시장치 및 박막 태양전지를 제조하기 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 패터닝하는 식각공정 등을 거치게 된다. 이들 공정 중 박막증착공정 및 식각공정 등은 진공상태로 최적화된 기판처리장치에서 진행한다.
증착공정 및 식각공정에서 사용되는 기판처리장치는 플라즈마의 발생방식에 따라 유도결합 플라즈마(Inductively coupled plasma: ICP)와 축전결합 플라즈마 (capacitively coupled plasma: CCP)의 방식으로 구분되며, 일반적으로 유도결합 플라즈마는 RIE(reactive ion etching) 및 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)에 이용되고, 축전결합 플라즈마는 HDP(high density plasma etching)을 사용하는 식각 및 증착장치에 이용된다. 대면적의 기판을 사용함에 따라 대형화된 공정챔버를 가지는 기판처리장치에는 유도결합 플라즈마의 방식보다는 축전결합 플라즈마의 방식이 상대적으로 유리하다.
도 1은 종래기술에 따른 기판처리장치의 개략도이다.
도 1과 같이, 기판처리장치(10)는 반응공간을 제공하는 공정챔버(12), 반응공간의 상부에 위치하고 플라즈마 소스전극으로 사용되는 후방 플레이트(14), 후방 플레이트(14)와 연결되고 반응공간에 공정가스를 공급하는 가스공급관(36), 후방 플레이트(14)의 하부에 위치하며, 다수의 분사홀(16)을 가지는 알루미늄 재질의 가스분배판(18), 플라즈마 소스전극과 대향하여 플라즈마 접지전극으로 사용되고 기판(20)이 안치되는 기판안치수단(22), 반응공간의 반응가스 및 부산물을 배출하기 위한 배출구(24)를 포함하여 구성된다.
후방 플레이트(14)는 RF전원(30)과 연결되고, 후방 플레이트(14)와 RF전원(30) 사이에는 임피던스 정합을 위한 매처(32)가 설치된다. 가스분배판(18)과 후방 플레이트(14) 사이에는 가스공급관(36)을 통하여 공급되는 공정가스가 수용되는 수용공간(26)이 형성된다. 가스분배판(18)은 후방 플레이트(14)로부터 연장되는 지지대(28)에 거치된다. 기판안치수단(22)은 기판(20)이 안치되고 기판(20)보다 넓은 면적을 가지는 기판지지판(22a)과 기판지지판(22a)을 승강 및 하강시키는 샤프트(22b)를 포함한다. 기판안치수단(22)은 플라즈마의 발생시에 유기되는 전하를 배출시키기 위해 접지된다. 기판안치수단(22)은 기판(20)이 기판처리에 필요한 적정온도를 유지시키기 위하여 히터(40)를 내장할 수 있다.
기판처리장치(10)에서, RF전원(30)이 인가되어 후방 플레이트(14)와 기판안치대(22) 사이에서 공정가스가 이온화 또는 활성화되고 기판(20) 상에 박막이 증착되거나 박막이 식각되는 기판처리공정이 수행된다. 플라즈마가 발생될 때 기판안치수단(22)은 기판지지판(22a)의 측면 및 하면과 샤프트(22b)로 이어지는 접지경로를 따라 전위차에 의한 전하의 흐름이 발생한다. 대면적의 기판을 사용함에 따라 플라즈마의 발생에 필요한 RF전력과 기판안치수단(22)의 면적이 증가하면, 기판안치수단(22)의 접지면적과 기판지지판(22a)의 측면 및 하면과 샤프트(22b)로 이어지는 접지경로가 증가한다.
기판안치수단(22)이 중앙부 만이 접지되는 경우, 접지면적의 부족으로 전하가 충분히 배출되기 어렵고 접지경로의 증가로 인해 기판안치수단(22)에서 전위차가 발생될 수 있다. 이러한 전위차로 인해 기판안치수단(22)의 하부에서 원하지 않은 플라즈마의 방전이 일어날 수 있다. 플라즈마의 방전에 의해 아킹(arcing)이 발생하면, 기판안치수단(22)이 손상되므로 기판안치수단(22)의 수리되거나 교체되어야 한다. 충분한 접지면적의 확보 및 접지경로를 단축시키기 위하여, 기판지지 판(22a)에 다수의 접지대(ground strap)(도시하지 않음)을 연결하는 방법이 제안되었다. 접지대는 기판지지판(22a) 주변부의 하부와 공정챔버(12)의 저면을 연결한다.
그런데, 접지대는 기판안치수단(22)의 반복적인 승하강에 의해 피로가 누적되어 절단되거나 마모될 수 있다. 접지대가 손상되는 경우, 기판안치수단(22)을 완전히 상승시켜 기판안치수단(22)에 하부에서 손상된 접지대를 제거하고 새로운 접지대를 부착시켜야 한다. 접지대의 교체과정이 복잡하고 많은 시간이 소요되어, 기판처리장치(10)의 가동시간을 감소시키는 문제가 있다.
그리고, 기판안치수단(22)과 공정챔버(12)의 내벽 사이에 공정가스가 연통되는 공간이 설치되어 있어, 기판안치수단(22)을 기준으로 상부영역(42) 및 하부영역(44)이 동일한 압력을 가진다. 따라서, 기판처리과정에서 상부영역(42)에서 발생한 이물질(particle)이 정체되어 하부영역(44)에 위치한 배기구(24)로 배출되지 않고, 기판(20)의 표면에 낙착될 가능성이 높아진다. 기판(20)의 표면에 낙착된 이물질은 결함으로 작용된다.
상기와 같은 종래기술의 문제를 해결하기 위하여, 본 발명은 기판안치수단에 연결되고 기판안치수단과 공정챔버의 내벽 사이에 위치하는 접지수단에 의해 기판안치수단에 유기된 전하를 원활하게 배출시킴으로써, 기판안치수단의 하부에서 플라즈마 방전의 최소화, 전력손실의 감소, 및 박막의 균일한 증착 및 식각을 가능하게 하는 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 접지수단을 탈착이 용이한 결합수단에 의해 기판안치수단에 연결시킴으로써, 접지수단의 교체 및 수리가 용이한 기판처리장치를 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
본 발명의 다수의 연통구를 가진 보조판에 의해 기판안치수단을 기준으로 상부영역의 압력을 하부영역의 압력보다 크게 함으로써, 상부영역에서 하부영역으로의 유체 이동도를 증가시켜 이물질이 기판 상에 낙착되는 것을 방지하는 기판처리장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판처리장치는, 반응공간을 제공하는 공정챔버; 상기 반응공간에 위치하는 가스분배수단; 상기 가스분배수단의 하부에 위치한 기판안치수단; 상기 기판안치수단의 측면과 연결되고, 상기 기판안치수단과 상기 공정챔버의 내벽 사이에 위치한 보조판; 상기 보조판과 연결된 접지수단;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에서, 상기 기판안치수단은, 상기 기판이 안치되는 기판지지판과 상기 기판지지판을 승하강시키는 샤프트를 포함하고, 상기 접지수단은, 상기 보조판과 대향하고 상기 공정챔버의 저면에 위치하는 지지대; 상기 보조판과 상기 지지대를 연결하는 다수의 접지대;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 보조판은, 상기 기판지지판의 측면과 연결되는 연결부; 상기 연결부와 수직이고 상기 연결부의 하단에서 상기 공정챔버의 내벽 근처까지 연장되는 연장부; 상기 연장부에 설치되는 다수의 연통구;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 연통구는 슬릿 또는 관통홀인 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 연장부와 상기 공정챔버 저면 사이의 제 1 간격은 상기 기판지지판과 상기 공정챔버 저면 사이의 제 2 간격보다 작은 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 보조판과 상기 기판지지판의 연결 및 상기 다수의 접지대 각각과 상기 보조판 및 상기 지지대의 연결은 볼트를 사용하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 보조판 및 상기 지지대는 일체형 또는 다수의 피스로 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 보조판을 상기 다수의 피스로 구 성하는 경우, 상기 다수의 피스 중 어느 하나는 상기 기판안치수단의 모서리와 대응되는 부분에서 굴절부를 가지는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 보조판을 상기 다수의 피스로 구성하는 경우, 상기 다수의 피스는 상기 기판안치수단의 변과 대응되는 막대형태로 제작하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 보조판이 다수의 피스로 구성되는 경우, 하나의 피스 측면에는 상부 단차부가 형성되고 인접한 다른 하나의 피스 측면에는 하부 단차부가 형성되고, 상기 상부 단차부 및 상기 하부 단차부가 접촉면을 가지고 연결되는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 접지대는 유연성을 가진 금속판으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 지지대의 하면과 상기 공정챔버의 저면에 각각 제 1 삽입구와 제 2 삽입구를 형성하고, 상기 제 1 삽입구 및 상기 제 2 삽입구에 연결핀이 삽입되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기판처리장치는 다음과 같은 효과가 있다.
기판안치수단에 연결되고 기판안치수단과 공정챔버의 내벽 사이에 위치하는접지수단에 의해, 기판안치수단에 유기된 전하를 원할하게 배출할 수 있다. 기판안 치수단에서 접지기능의 개선으로 기판안치수단의 하부에서 플라즈마의 방전을 방지하고, 플라즈마의 방전을 방지함에 따라 전력손실이 감소되고 기판 상에 균일한 박막 증착 및 식각이 가능하다.
접지수단에서 보조판과 기판안치수단의 연결 및 보조판 및 지지대와 접지대의 연결을 탈착이 용이한 결합수단으로 볼트를 사용함에 따라, 접지수단의 교체 및 수리가 용이한다.
다수의 연통구를 가진 보조판에 의해 기판안치수단을 기준으로 상부영역의 압력을 하부영역의 압력보다 크게 함으로써, 상부영역에서 하부영역으로의 유체 이동도를 증가시켜 이물질이 기판 상에 낙착되지 않고, 배기구를 통하여 원활하게 배출될 수 있다.
이하에서는 도 2 내지 도 13을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치의 개략도이다. 도 2와 같이, 기판처리장치(110)는 챔버리드(112a)와 챔버몸체(112b)의 결합에 의해 반응공간을 제공하는 공정챔버(112), 반응공간의 상부에 위치하고 플라즈마의 소스전극으로 사용되는 후방 플레이트(114), 후방 플레이트(114)의 하부에 위치하고 다수의 분사홀(116)을 가지는 가스분배판(118), 가스분배판(118)과 대향하고 플라즈마의 접지 전극으로 사용되는 기판안치수단(122), 기판안치수단(122)과 연결되고 기판안치수단(122)과 공정챔버(112) 내벽 사이에 위치하는 보조판(146) 및 보조판(146)과 연결된 접지수단(144)을 포함하여 구성된다.
기판처리장치(110)는 챔버리드(112a)를 관통하여 후방 플레이트(114)와 연결되고 공정가스를 공급하는 가스공급관(136), 기판(142)을 반입 및 반출시키기 위한 출입구(150) 및 반응공간의 반응가스 및 부산물을 배출하기 위한 배기구(124)를 포함하여 구성된다. 출입구(150)는 가스분배판(118)과 기판안치수단(122) 사이와 대응되는 공정챔버(112)의 측면에 설치된다. 배기구(124)는 기판안치수단(122)의 하부와 대응되는 공정챔버(112)의 측면 또는 저면에 설치된다.
기판처리장치(110)는 기판을 처리하는 과정에서, 기판(142) 상부의 주변부에 박막이 증착되거나 박막이 식각되는 것을 방지하기 위한 에지 프레임(154)을 더 포함할 수 있다. 에지 프레임(154)은 기판(142) 상부의 주변부에서 공정챔버(112)의 내벽 근처까지 연장된다. 에지 프레임(154)은 전기적으로 부유상태(foating state)를 유지한다. 에지 프레임(154)은 절연물질 또는 기판안치수단(122)과 동일한 알루미늄 재질을 이용하여 제작할 수 있다.
후방 플레이트(114)는 RF전원(130)과 연결되고, 후방 플레이트(114)와 RF전원(130) 사이에는 임피던스 정합을 위한 매처(132)가 설치된다. 가스분배판(118)과 후방 플레이트(114) 사이에는 가스공급관(136)을 통하여 공급되는 공정가스가 수용되는 수용공간(126)이 형성된다. 가스분배판(118)은 후방 플레이트(114)로부터 연장되는 지지대(128)에 거치된다. 가스분배판(118)은 지지대(128)에 의해서 후방 플레이트(114)와 전기적으로 연결된다. 플라즈마의 접지전극으로 사용되는 기판안치수단(122)은 기판(142)이 안치되고 기판(142)보다 넓은 면적을 가지는 기판지지판(122a)과 기판지지판(122a)을 승강 및 하강시키는 샤프트(122b)를 포함하고, 기판지지판(122a)의 중앙부는 샤프트(122b)를 통하여 접지된다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 접지수단의 사시도이이다. 도 2 및 도 7과 같이, 보조판(auxiliary plate)(146)은 기판지지판(122a)의 측면에 전기적으로 연결되고, 공정챔버(112)의 내벽 근처까지 연장된다. 접지수단(144)은 보조판(146)과 대응되고 공정챔버(112)의 저면에 위치되는 지지대(支持臺)(supporting plate)(148), 및 보조판(146)과 지지대(148)를 연결하는 다수의 접지대(接地帶)(ground strap)(150)를 포함한다. 접지수단(144)은 기판안치수단(122)의 접지면적을 증가시켜 기판안치수단(122)의 하부에서 플라즈마의 방전을 방지하는 기능을 한다. 대
보조판(146)은 도 2의 기판(142)을 처리하기 위한 공정을 진행할 때, 열팽창을 고려하여 도 2의 기판지지판(122a)과 동일한 알루미늄 재질을 사용한다. 도 7과 같이, 보조판(146)은 다수의 제 1 볼트(170a)에 의해서 도 2의 기판지지판(112a)과 연결되는 연결부(146a)와, 연결부(146a)의 하단에서 연결부(146a)와 수직이고 도 2의 기판지지판(122a)과 평행하며 도 2의 공정챔버(112)의 내벽 근처까지 연장되는 연장부(146b) 및 반응가스 및 부산물이 연통되기 위해 연장부(146b)를 관통하는 다수의 연통구(160)를 포함하여 구성된다.
에지 프레임(154)은 전기적으로 부유상태를 유지하기 때문에, 에지 프레임(154)과 연장부(146b) 사이에서 플라즈마의 방전이 발생되지 않아야 한다. 그러나, 다른 원인에 의한 플라즈마의 방전 가능성을 배제하기 위하여 에지프레임(154)과 연장부(146b)의 간격을 가능하면 넓게 유지시키는 것이 바람직하다. 연결부(146a)의 하단은 공정챔버(112)의 저면 방향으로 확장되어 기판지지판(122a)의 측면에서 돌출되고, 연결부(146a)의 하단으로부터 연장되는 연장부(146b)는 기판지지판(122a)보다 낮은 높이를 가진다. 다시 말하면, 연장부(146b)와 공정챔버(112) 저면사이의 제 1 간격은 기판지지판(112a)와 공정챔버(112) 저면사이의 제 2 간격보다 작다.
도 2의 기판처리장치(110)에서 보조판(146)이 다수의 연통구(160)를 가지고 있지만, 보조판(146)이 유체의 흐름을 방해하므로, 기판안치수단(122)의 상부영역(172)의 압력은 기판안치수단(122)의 하부영역(174)의 압력보다 높아진다. 압력차이가 발생함에 따라 상부영역(172)에서 하부영역(174)의 방향으로 유체 이동도(fluid conductance)가 증가된다. 기판처리과정에서 상부영역(172)에서 발생한 반응가스 및 부산물이 기판(142) 상에 위치하기 전에 하부영역(174)으로 이동하고 배기구(124)를 통하여 외부로 배출된다. 따라서, 이물질(particle)에 의한 결함을 방지할 수 있다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예 따른 보조판의 부분 평면도이다. 도 7에서, 연결부(146a)에 설치되는 다수의 연통구(160)는 슬릿(slit) 형태이지만, 도 9와 같이 슬릿형태 대신 다수의 관통홀(164)을 형성할 수 있다.
도 3 내지 도 5는 본 발명에 다양한 실시예에 따른 접지수단의 평면도이다. 보조판(146)은 기판안치수단(122)의 주변부를 감싸고 공정챔버(112)의 내벽 근처까지 연장되는 기본적인 형태를 벗어나지 않는 한, 필요에 따라 다양하게 구성할 수 있다. 비교적 작은 면적의 기판(142)을 처리하는 기판처리장치(110)에서는 도 3과 같이, 일체형의 보조판(146)을 사용할 수 있다. 대면적의 기판(142)을 처리하는 기판처리장치(110)에서는 설치 및 유지의 편의성을 위하여 도 4 및 도 5와 같이 보조판(146)을 여러 개의 조각으로 구성할 수 있다.
도 4의 보조판(146)을 구성하고, 연결부(146a) 및 연장부(146b)를 포함하는 다수의 피스(190) 중 어느 하나는 기판안치수단(122)의 모서리와 대응되는 부분에서 굴절부(180)를 가진다. 도 4에서 상세하게 도시하지 않았지만, 보조판(146)은 굴절부(180)를 가지는 피스(190)와 기판안치수단(122)의 변과 대응되는 막대형태의 피스(도시하지 않음)를 포함할 수 있다. 도 5의 보조판(146)을 구성하고, 연결부(146a) 및 연장부(146b)를 포함하는 다수의 피스(192)는 기판안치수단(122)의 변과 대응되는 막대형태로 제작된다. 보조판(146)의 설치 및 유지의 편의성을 고려하면, 도 5와 같은 막대형태의 다수의 피스(192)로 제작되는 것이 바람직하다.
도 6은 도 4를 A-A'로 절단한 단면도이다. 도 4와 같이, 보조판(146)을 다수의 피스(190)로 구성하는 경우, 서로 인접한 피스(190)는 도 6과 같은 연결구조를 가진다. 도 6과 같이, 하나의 피스(190)의 측면에는 상부에 단차부를 형성하고, 인접한 다른 하나의 피스(190)의 측면에는 하부에 단차부를 형성하여 치합시킨다. 하나의 피스(190)와 인접한 다른 하나의 피스(190) 사이에 간격이 발생하여도, 각각의 단차부가 접촉하는 접촉면(182)에 의해서 서로 전기적으로 연결되고 공정가스의 연통이 방지된다. 도 5와 같이 다수의 피스(192)로 보조판(146)을 구성하는 경우에도, 서로 인접한 피스가 전기적으로 연결되고 공정가스의 연통이 방지되는 도 6과 같은 연결구조를 가진다.
지지대(148)는 기판안치수단(122)와 동일한 알루미늄 재질로 제작할 수 있고, 보조판(146)과 대향하는 공정챔버(112)의 저면에 고정된다. 지지대(148)은 일체형으로 형성되거나, 필요에 따라 여러 조각으로 구성될 수 있다. 지지대(148)를 공정챔버(112)의 저면에 고정시키기 위하여, 도 8과 같이, 지지대(148)의 하면과 공정챔버(112)의 저면에 각각 제 1 삽입구(184)와 제 2 삽입구(186)를 형성하고, 제 1 삽입구(184)와 제 2 삽입구(186)에 연결핀(186) 삽입하여 고정시킨다.
지지대(148)는 공정챔버(112)의 저면에 볼트 등을 이용하여 고정시킬 수 있지만, 접지수단(146)의 손상이 발생하는 경우 교체를 용이하게 하기 위하여, 지지대(148)를 다수의 조각으로 형성하고, 지지대(148)를 공정챔버(112)의 저면에서 쉽게 분리하기 위하여 연결핀(186)을 사용하는 것이 바람직하다.
도 12 및 도 13은 본 발명의 실시예에 따른 지지대의 평면도이다. 지지대(148)는 도 13과 같이, 보조판(146)과 대향하여 연속적으로 연장되는 형태를 가질 수 있지만. 필요에 따라 도 12와 같이, 다수의 서브 지지판(148a)이 단속적으로 연장되는 형태를 가질 수 있다.
도 7과 같이, 다수의 접지대(150)는 보조판(146) 및 지지대(148)를 전기적으로 연결한다. 접지대(150)의 상단부는 보조판(146)의 하면에서 제 2 볼트(170b)에 의해서 연결되고, 접지대(150)의 하단부는 지지대(148)의 상면에서 제 3 볼트(170c) 의해서 연결된다. 접지대(150)는 유연성을 가진 금속판, 예를 들면 알루미늄으로 만들어진 긴 띠 형태이다. 접지대(150)는 3 내지 20cm의 너비와 유연성이 확보되도록 0.3 내지 0.6mm 정도의 두께를 가진다.
접지대(150)의 길이는 기판안치수단(122)과 공정챔버(112) 저면사이의 거리 및 기판안치수단(122)의 상승높이에 따라 결정된다. 접지대(150)은 기판안치수단(122)의 상승 시에도 보조판(146)과 지지대(148)가 충분히 연결될 수 있도록 여유있는 길이를 가진다. 접지대(150)가 충분한 길이를 가지므로 보조판(146)과 지지대(148) 사이에서 구부러진 파형형태로 배열된다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 기판안치수단이 상승했을 때의 접지수단의 상태도이다. 도 10과 같이, 기판(142)을 처리하는 공정을 수행하기 위하여, 기판안치수단(122)이 상승하면 기판안치수단(122)에 연결된 보조판(144)도 함께 상승한다. 접지대(150)는 보조판(144)의 상승에 따라 상부로 확장되고, 접지대(150)의 하단은 지지대(148)에 의해서 고정된다. 도 11은 본 발명의 실시예에 따른 기판안치수단이 하강했을 때의 접지수단의 상태도이다. 도 11과 같이, 기판안치수단(122)이 하강했을 때의 접지대(150)의 높이가 축소된다.
반복적인 기판안치수단(122)의 승강 및 하강에 따라 피로가 누적되어 접지대(150)가 절단 또는 마모되거나, 플라즈마의 방전에 의해 보조판(146) 및 접지대(150)가 손상될 수 있다. 접지대(150)와 기판안치수단(122)의 연결영역은 다른 부분보다 높은 저항을 가지고 있어, 플라즈마 방전 시에 아킹(arcing)이 발생할 수 있다. 접지대(150) 및 보조판(146)의 손상이 발생하면, 기판안치수단(122)으로부터 보조판(146)을 분리하여, 손쉽게 보조판(146) 또는 접지대(150)를 교체할 수 있다.
도 1은 종래기술에 따른 기판처리장치의 개략도
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치의 개략도
도 3 내지 도 5는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 접지수단의 평면도
도 6은 도 4를 A-A'로 절단한 단면도
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 접지수단의 사시도
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 지지대의 단면도
도 9는 본 발명의 다른 실시예 따른 보조판의 부분 평면도
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 기판안치수단이 상승했을 때의 접지수단의 상태도
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 기판안치수단이 하강했을 때의 접지수단의 상태도
도 12 및 도 13은 본 발명의 실시예에 따른 지지대의 평면도

Claims (12)

  1. 반응공간을 제공하는 공정챔버;
    상기 반응공간에 위치하는 가스분배수단;
    상기 가스분배수단의 하부에 위치한 기판안치수단;
    상기 기판안치수단의 측면과 연결되고, 상기 공정챔버의 내벽 근처까지 연장되며 다수의 연통구가 설치되는 보조판; 및
    상기 보조판과 연결된 접지수단;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판안치수단은, 상기 기판이 안치되는 기판지지판과 상기 기판지지판을 승하강시키는 샤프트를 포함하고,
    상기 접지수단은,
    상기 보조판과 대향하고 상기 공정챔버의 저면에 위치하는 지지대;
    상기 보조판과 상기 지지대를 연결하는 다수의 접지대;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 보조판은,
    상기 기판지지판의 측면과 연결되는 연결부; 및
    상기 연결부와 수직이고 상기 연결부의 하단에서 상기 공정챔버의 내벽 근처까지 연장되며 상기 다수의 연통구가 설치되는 연장부;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 다수의 연통구는 슬릿 또는 관통홀인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 연장부와 상기 공정챔버 저면 사이의 제 1 간격은 상기 기판지지판과 상기 공정챔버 저면 사이의 제 2 간격보다 작은 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 보조판과 상기 기판지지판의 연결 및 상기 다수의 접지대 각각과 상기 보조판 및 상기 지지대의 연결은 볼트를 사용하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 보조판 및 상기 지지대는 일체형 또는 다수의 피스로 구성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 보조판을 상기 다수의 피스로 구성하는 경우, 상기 다수의 피스 중 어느 하나는 상기 기판안치수단의 모서리와 대응되는 부분에서 굴절부를 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 보조판을 상기 다수의 피스로 구성하는 경우, 상기 다수의 피스는 상기 기판안치수단의 변과 대응되는 막대형태로 제작하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제 2 항에 있어서,
    상기 보조판이 다수의 피스로 구성되는 경우, 하나의 피스 측면에는 상부 단차부가 형성되고 인접한 다른 하나의 피스 측면에는 하부 단차부가 형성되고, 상기 상부 단차부 및 상기 하부 단차부가 접촉면을 가지고 연결되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 제 2 항에 있어서,
    상기 다수의 접지대는 유연성을 가진 금속판으로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 제 2 항에 있어서,
    상기 지지대의 하면과 상기 공정챔버의 저면에 각각 제 1 삽입구와 제 2 삽입구를 형성하고, 상기 제 1 삽입구 및 상기 제 2 삽입구에 연결핀이 삽입되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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