TWI394209B - 基底處理裝置及其方法 - Google Patents

Description

基底處理裝置及其方法

本發明是有關於基底處理裝置，具體地說是有關於一種具有基底入口、當基底被載入(load)製程反應室(process chamber)或從製程反應室中卸載(unload)時此基底入口可打開或關閉的基底處理裝置以及基底處理方法。

在習知的半導體晶圓(semiconductor wafer)或液晶基底(liquid crystal substrate)處理裝置中，半導體晶圓或液晶基底是藉由基底入口而出入，此基底入口是形成在製程反應室上的基底傳遞通道(transfer passage)。基底入口處安裝有閘閥(gate valve)來打開或關閉此基底入口。

如圖1所示，閘閥20是安裝在製程反應室10的一個側牆上，用來打開或關閉基底入口12，此基底入口12是製程反應室10的基底傳遞通道。根據這種組態，晶圓W藉由形成在製程反應室10之一側面的基底入口12而被放入製程反應室10或從製程反應室10中被取出。

這種習知的製程反應室存在著問題，下面將會詳細描述。

因為習知閘閥20耦接(couple)製程反應室10之外側以選擇性地打開或關閉形成在製程反應室10之一側面13的基底入口12，所以製程反應室10內會出現空間不對稱(spatial asymmetry)，從而導致基底W的電漿處理(plasma treatment)不均勻(nonuniformity)。也就是說， 在基底入口12處會出現對應於反應室隔牆厚度的空間不均勻，這增加了在製程反應室10內均勻執行電漿處理的難度。特別地，基底W的左邊邊緣“a”與右邊邊緣“b”的電漿密度(plasma density)之間存在著差異，這降低了基底處理的均勻度。

為了解決上述問題，目前已提出各種方法，其中一種方法是在基底入口內側額外安裝一閘閥來配合基底入口。但是，這種方法需要在製程反應室內安裝移動部件，這會導致粒子(particle)產生，且會發生錯誤。

本發明之實施例的目的是提供一種基底處理裝置。在一個實施例中，此基底處理裝置可包括：製程反應室，提供執行基底處理製程的製程空間，且包括一個安裝基底入口的側面，基底藉由此基底入口而出入，且安裝閘閥來打開與關閉此基底入口；基底支撐構件，安裝在製程反應室內，藉由基底入口而進入的基底放在此基底支撐構件上；以及氣體分配板(gas distribution plate)，安裝在製程反應室的上側，此氣體分配板包括多個氣體噴流路徑(gas injection flow path)，這些氣體噴流路徑是按不對稱方式形成以分配電漿與製程氣體到製程空間。

本發明之實施例的目的是提供一種具有氣體分配板的基底處理裝置，此氣體分配板是用來分配電漿與製程氣體給製程反應室內的基底。在一個實施例中，氣體分配板包括多個氣體噴流路徑，這些氣體噴流路徑是按不對稱方式 形成以差別性地分配電漿與製程氣體到製程反應室中。

本發明之實施例的目的是提供一種對基底執行灰化製程(ashing process)的裝置。在一個實施例中，此裝置可包括：製程反應室，提供執行基底處理製程的製程空間，且包括一個安裝基底入口的側面，基底藉由此基底入口而出入；多個基底支撐構件，安裝在製程反應室內，在製程中用來支撐基底；電力施用器(power applicator)，經配置以施加電力給各別基底支撐構件；電漿產生構件，經配置以產生電漿，且將此電漿供應到製程反應室中；排氣構件，經配置以排出製程反應室中的氣體；隔離構件，用來界定製程反應室中的製程空間與排氣構件的排氣空間；以及氣體分配板，安裝在製程反應室之製程空間的上方，此氣體分配板包括多個氣體噴流路徑，這些氣體噴流路徑是按不對稱方式形成以分配電漿與製程氣體給基底支撐構件上的各別基底。

本發明之實施例的目的是提供一種基底處理方法。在一個實施例中，此基底處理方法可包括：藉由製程反應室之基底入口，將基底載入位於製程空間裡的基底支撐構件；將製程反應室中的氣壓減小到預設氣壓；以及藉由氣體供應構件將製程氣體與電漿產生構件所產生的電漿供應到製程反應室之製程空間，其中供應到製程反應室之製程空間的製程氣體與電漿較多地供應到鄰接製程反應室之基底入口的基底邊緣區域。

為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

下面將參照所附圖式來詳細描述本發明，本發明之較佳實施例繪示於圖式中。不過本發明也可體現為許多其他形式，而不應局限於本說明書所列舉之實施例。確切地說，提供這些實施例是為了使揭露的內容更加透徹與完整，且更充分地將本發明的範圍傳遞給熟悉此技藝者。在圖式中，為清楚起見，元件與構件被放大。整個圖式中相同的數字代表相同的元件。

雖然本發明之實施例將會結合電漿灰化裝置來描述，但是本發明並不局限於電漿灰化裝置，而是可應用於所有使用電漿來處理半導體基底的裝置，其中電漿灰化裝置在執行完微影製程(photolithography process)之後使用電漿來清除留在基底上的不想要的光阻(photoresist)。

此外，雖然將要描述的是使用微波(microwave)作為能源來產生電漿，但是也可使用其他的能源，例如射頻(radio frequency,RF)源。

請參照圖2到圖6，依據本發明之實施例的基底處理裝置100是一種使用電漿源部件所產生之自由基(radical)來對半導體基底執行灰化的半導體製造裝置。

如圖2到圖4所示，基底處理裝置100包括提供預定封閉大氣的製程反應室110、基底支撐構件120、排氣構件150、隔離構件160、電漿產生構件140以及具有第一氣體 分配板170a與第二氣體分配板170b的氣體供應構件130。

製程反應室110提供執行灰化製程的製程空間，且經配置以同時處理兩個基底。也就是說，製程反應室100的製程空間被分成第一空間“a”與第二空間“b”，在製程中分別對所容納的各別基底執行灰化製程。基底入口112形成在製程反應室110的一個側壁上，且基底W分別藉由基底入口112而進入第一空間“a”與第二空間“b”或分別從第一空間“a”與第二空間“b”中退出。基底入口112是藉由開門/關門114(例如閘閥)而打開與關閉。

製程反應室的底牆提供排氣口116，且製程反應室110中的氣體藉由此排氣口116而排出。排氣口116形成在基底支撐構件120周圍，呈現環形。雖然本實施例中描述的是製程反應室110具有兩個空間“a”與“b”，但是製程反應室110中被分隔的空間的數量也可以是三個或三個以上。

基底支撐構件120安裝在製程反應室110的第一空間“a”與第二空間“b”中，以在製程中分別支撐著基底W。在製程中，基底W被安裝在基底支撐構件120上，且被加熱到預設的製程溫度。為了加熱基底W，基底支撐構件120具有習知的組態，其包括：加熱器(heater)，用來將基底W加熱到預定溫度；以及升降組件(lift assembly)(沒有繪示)，當其支撐著基底W時使此基底W上升與下降，使上述機器能夠容易地傳遞基底W。基底支撐構件120維持在適合清除基底W上之光阻的溫度(從大約攝氏 200度到大約攝氏400度)。升降組件可包括：升降銷(lift pin)，支撐著被機器(沒有繪示)放進來的基底W的底面；以及驅動器，用來升高(上方位置)與降低(下方位置)升降位置。升降銷使基底W從基底支撐構件120之上表面移動到離開基底支撐構件120之上表面一段距離的上方位置以及基底W被放在基底支撐構件120之上表面的下方位置。電力施用器122連接到基底支撐構件120，且施加預設偏置電力(bias power)給基底支撐構件120。

如圖3所示，提供排氣構件150來使製程反應室110內變為真空，且排出灰化製程中產生的反應物。

排氣構件150包括公用排氣線152、主排氣線154以及減壓構件(decompression member)156。公用排氣線152經配置以將製程反應室110中的氣體排出到外界。此公用排氣線152連接到製程反應室110的排氣口116以排出第一空間“a”與第二空間“b”中的所有氣體。排氣構件150可更6括單獨排氣線152a，以更有效地執行單獨排氣。此單獨排氣線152a以環形方式從排氣線116向下伸出。在製程中，此單獨排氣線152a使藉由排氣口116而從第一空間“a”與第二空間“b”排出的氣體能夠均勻地流到公用排氣線152。單獨排氣線152a可避免藉由排氣口116而排出的氣體回流(backward flow)或非均勻流動(non－uniform flow)。公用排氣線152是用來排出從排氣線152a排出的氣體，排氣線152a分別連接到介於單獨排氣線152a之間的第一空間“a”與第二空間“b”。主排氣 線154連接到公用排氣線152。減壓構件156是安裝在主排氣線154上，且強制性排出第一空間“a”與第二空間“b”中的氣體以減小製程反應室110的內部氣壓。減壓構件156可以是真空幫浦(vacuum pump)。

隔離構件160包括隔離牆(dividing wall)162與隔間牆(partition wall)164。隔離牆162將製程反應室110的內腔隔開，使第一空間“a”與第二空間“b”具有等效結構。隔離牆162垂直地安裝在製程反應室110內的中心。隔離牆162將製程反應室110的內腔隔開，使第一空間“a”與第二空間“b”關於線X2與X3相互對稱。對應於第一空間“a”的線X2是穿過第一空間“a”中之基底支撐構件120之中心的虛擬線，且對應於第二空間“b”的線X3是穿過第二空間“b”中之基底支撐構件120之中心的虛擬線。線X2與X3平行於垂直穿過隔離牆162的線X1。隔離牆162之外側面162a與製程反應室110之內側面111關於線X2與X3對稱。

隔間牆164將公用排氣線152內的排氣空間隔開，以單獨排出從第一空間“a”與第二空間“b”中排出的氣體。隔間牆164從隔離牆162垂直向下延伸。隔間牆164可一直延伸到公用排氣線152與主排氣線154相互連接的位置。隔間牆164將公用排氣線152隔開，使第一排氣空間“c”(第一空間“a”中的氣體被排出到第一排氣空間“c”)與第二排氣空間“d”(第二空間“b”中的氣體被排出到第二排氣空間“d”)具有等效結構。

隔離構件160是為了第一空間“a”與第二空間“b”的單獨排氣而提供的。而且，隔離構件160將第一空間“a”與第二空間“b”隔開以避免施加給第一空間“a”中之基底支撐構件120的電力與施加給第二空間“b”中之基底支撐構件120的電力之間相互作用。為此，隔離構件160要用絕緣材料製造而成。

雖然本實施例中所描述的是“隔離構件160包括隔離牆162與隔間牆164(其合併成一體)來隔開製程反應室110與公用排氣線152”，但是隔離構件的組態、形狀以及安裝方法可有多種形式的改良與變化。例如，隔離構件160可包括相互分開的隔離牆162與隔間牆164，且可提供多個隔離牆162與多個隔間牆164。也可選擇的是，將隔離構件160的隔離牆164以固定方式安裝在製程反應室110上，且可以固定方式來安裝其隔間牆166，以及當基底處理裝置100組裝起來時，隔離牆164與隔間牆166相互耦接。

電漿產生構件140在製程中產生電漿，且將產生的電漿供應給製程反應室110。此電漿產生構件140可以是遠端(remote)電漿產生裝置，且包括第一產生構件142與第二產生構件144。第一產生構件142在製程中將電漿供應給第一供應構件132，且第二產生構件144在製程中將電漿供應給第二供應構件134。第一產生構件142包括磁控管(magnetron)142a、波導線(waveguide line)142b以及氣體供應線142c。第二產生構件144包括磁控管144a、波 導線144b以及氣體供應線144c。磁控管142a與144a在製程中產生形成電漿所需的微波。波導線142b將磁控管142a所產生的微波導向氣體供應線142c，且波導線144b將磁控管144a所產生的微波導向對應的氣體供應線144c。氣體供應線142c與144c經配置以在製程中供應反應氣。此時，利用藉由氣體供應線142c與144c而接收的反應氣藉由磁控管142a與144b所產生的微波可產生電漿。在灰化製程中，電漿產生構件140所產生的電漿被供應給氣體供應構件130。

氣體供應構件130的第一供應構件132與第二供應構件134在製程中將電漿與製程氣體注入製程反應室110的第一空間“a”與第二空間“b”。第一供應構件132是安裝在製程反應室110的第一空間“a”的上方，且第二供應構件134是安裝在製程反應室110的第二空間“b”的上方。第一供應構件132包括覆蓋物136a，此覆蓋物136a提供隧道形流程路徑，連接到第一產生構件142與第一氣體分配板(gas distribution plate,GDP)170a，此第一氣體分配板170a是安裝在覆蓋物136a下面，面向基底W。第二供應構件134包括覆蓋物136b，此覆蓋物136b提供隧道形(tunnel－shaped)流程路徑，連接到第二產生構件144與第二氣體分配板170b，此第二氣體分配板170b是安裝在覆蓋物136b下面，面向基底W。

第一供應構件132在製程中將電漿與製程氣體注入安裝在第一空間“a”中之基底支撐構件120上的基底W。 第二供應構件134在製程中將電漿與製程氣體注入安裝在第二空間“b”中之基底支撐構件120上的基底W。

特別地，第一氣體分配板170a與第二氣體分配板170b包括多個氣體噴流路徑172a與172b，這些氣體噴流路徑172a與172b是以不對稱方式形成以達到供應給第一空間“a”與第二空間“b”的製程氣體與電漿密度均勻的目的。具體地說，第一氣體分配板170a與第二氣體分配板170b包括不對稱的氣體噴流路徑172a與172b，這些不對稱的氣體噴流路徑172a與172b可分成第一邊緣部分K1與鄰接基底入口112的第二邊緣部分K2，第一邊緣部分K1中形成具有相同尺寸的氣體噴流路徑172a，第二邊緣部分K2中形成大於氣體噴流路徑172a的氣體噴流路徑172b。

如圖5所示，製程反應室110的一個側面110a因基底入口112(基底W藉由此基底入口112而進出)而呈現凹形(concave)。基底入口112造成對應於製程反應室110之一個側面厚度的空間不均勻。因此，在基底入口112處產生的氣體及電漿流不同於製程反應室110中的其他區域。這種氣體及電漿流差異增加了均勻處理基底W的難度。就這一點而言，必須改良氣體及電漿分配結構來抑制因基底入口112導致氣體及電漿流差異而造成的密度不均勻。也就是說，如圖5與圖6所示，第一氣體分配板170a與第二氣體分配板170b經配置以藉由形成在第二邊緣部分K2的氣體噴流路徑172b而供應給鄰接基底入口112之 空間的電漿與製程氣體多於供應給第一邊緣部分K1的電漿與製程氣體。包括不對稱氣體噴流路徑172a與172b的第一氣體分配板170a與第二氣體分配板170b會分配較多的電漿在製程反應室110之不對稱空間結構中密度較低的基底入口112周圍。如此一來，基底W之邊緣處產生的電漿的密度變得均勻，從而提高灰化均勻度。形成在第二邊緣部分K2的氣體噴流路徑172b的開孔面積比形成在第一邊緣部分K1的氣體噴流路徑172a的開孔面積大百分之一到百分之一千。形成在中心部分K3的氣體噴流路徑172c是相互對稱的，而且其尺寸小於形成在第二邊緣部分K2的氣體噴流路徑172b。同時，如圖9所示，形成在第二邊緣部分K2的氣體噴流路徑172b可具有槽形。

圖8繪示為改良後的氣體分配板，且圖7是圖8所示之氣體分配板應用於本發明之範例的平面截面圖。

請參照圖3，下面將要描述製程反應室110之第一空間“a”與第二空間“b”中的排氣流(exhaustion flow)。直接連接到公用排氣口152的排氣口116的一側(鄰接隔離牆162的區域(請參照圖4))的氣體及電漿比第一空間“a”與第二空間“b”中其他區域的氣體及電漿流動得快，所以會出現氣體及電漿密度差異。就這一點而言，必須改良氣體及電漿分配結構來抑制因公用排氣線152導致的氣體及電漿流差異而造成的密度不均勻。如圖7與圖8所示，第三氣體分配板170c經配置以藉由第二邊緣部分K2中形成的氣體噴流路徑172b來供應多於第一邊緣部分 K1的電漿與製程氣體給鄰接基底入口112的空間。特別地，第三氣體分配板170c經配置以藉由鄰接公用排氣線152的第三邊緣部分K4中形成的氣體噴流路徑172d來供應多於第一邊緣部分K1的電漿及製程氣體給鄰接公用排氣線152的空間。包括不對稱氣體噴流路徑172a、172b及172d的第三氣體分配板170c使較多的電漿及製程氣體被分配到製程反應室110之不對稱結構中密度較低的基底入口112與公用排氣線152周圍。如此一來，基底W之邊緣處產生的電漿的密度變得均勻，從而提高灰化均勻度。

下面將詳細描述使用圖2所示之基底處理裝置的灰化製程。

請參照圖2與圖3，當基底處理裝置100之製程開始時，分別藉由基底入口112而將基底W載入基底支撐構件120。當基底W被載入基底支撐構件120後，此基底W被基底支撐構件120上提供的加熱器加熱到預設溫度，且電力施用器122施加偏置電力給各別基底支撐構件120。然後減壓構件156強制性地抽取製程反應室110中的空氣，以將製程反應室110中的氣壓減小到預設氣壓。

當製程反應室110中的製程條件(例如製程氣壓與溫度)滿足預設條件時，電漿產生構件140就會產生電漿，且將電漿供應給氣體供應構件130，而且排氣構件150會將製程反應室110中的氣壓維持在固定氣壓。藉由氣體供應構件130而注入的電漿可清除基底W上不想要的阻劑(resist)。排氣構件150以固定流速來排出供應到製程反 應室110中的電漿及製程氣體，以維持製程反應室110中的氣壓。如果基底W上的阻劑被清除，則基底W從基底支撐構件120上卸載之後，藉由基底入口112而從製程反應室110中被取出。

在基底W的阻劑清除製程中，電漿與氣體是以不對稱方式被分配給第一空間“a”與第二空間“b”。也就是說，製程反應室110之不對稱空間結構中密度較小的基底入口112周圍被分配到較多的電漿與氣體。如此一來，基底W之邊緣處產生的電漿的密度變得均勻，從而提高灰化均勻度。

第一空間“a”與第二空間“b”的排氣是獨立執行的。也就是說，第一空間“a”中的電漿與製程氣體被排出到公用排氣線152中的被隔離構件160隔開的第一排氣空間“c”，而第二空間“b”中的電漿與製程氣體被排出到公用排氣線152中的被隔離構件160隔開的第二排氣空間“d”。因為有單獨排氣線152a，所以從第一空間“a”與第二空間“b”中排出的氣體不會回流。因此，供應到第一空間“a”與第二空間“b”的氣體以獨立方式排出，且第一空間“a”中的電漿與氣體流與第二空間“b”中的電漿與氣體流相同。

如上所述，當基底W是在因基底入口112而造成空間結構不對稱的製程反應室110中執行處理時，此基底入口112周圍被分配到較多的電漿與氣體。如此一來，基底W之邊緣處產生的電漿的密度變得均勻，從而提高灰化均勻 度。此外，當製程反應室110中安裝有多個支撐構件120來處理多個基底W時，此製程反應室的內腔被分成多個具有相同尺寸與結構的基底處理空間，且製造成關於支撐構件對稱，以便均勻等效地對各別基底W執行製程。

依據本發明，可以避免因製程反應室之空間不均勻而造成的電漿及氣體分配差異。此外，當製程反應室中執行電漿處理時，可提供均勻的電漿密度來均勻地處理基底。

雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10、110‧‧‧製程反應室

12、112‧‧‧基底入口

13‧‧‧製程反應室的側牆

20、114‧‧‧閘閥

100‧‧‧基底處理裝置

111‧‧‧製程反應室的內側面

116‧‧‧排氣口

120‧‧‧基底支撐構件

122‧‧‧電力施用器

130‧‧‧氣體供應構件

132、134‧‧‧供應構件

136a、136b‧‧‧覆蓋物

140‧‧‧電漿產生構件

142、144‧‧‧產生構件

142a、144a‧‧‧磁控管

142b、144b‧‧‧波導線

142c、144c‧‧‧氣體供應線

150‧‧‧排氣構件

152‧‧‧公用排氣線

152a‧‧‧單獨排氣線

154‧‧‧主排氣線

156‧‧‧減壓構件

160‧‧‧隔離構件

162‧‧‧隔離牆

162a‧‧‧隔離牆的外側面

164‧‧‧隔間牆

170a、170b、170c、170d‧‧‧氣體分配板

172a、172b、172c、172d‧‧‧氣體噴流路徑

W‧‧‧基底

a、b‧‧‧空間

c、d‧‧‧排氣空間

X1、X2、X3‧‧‧虛擬線

K1、K2、K3、K4‧‧‧區域

圖1繪示為習知的灰化裝置。

圖2繪示為依據本發明的基底處理裝置的外形圖。

圖3是依據本發明的基底處理裝置的前視剖面圖。

圖4是沿著圖3中的A－A’線而展開的截面圖。

圖5是沿著圖4中的B－B’線而展開的截面圖。

圖6是第一氣體分配板的俯視平面圖。

圖7是圖8所示之氣體分配板應用於本發明之範例的平面截面圖。

圖8繪示為改良後的氣體分配板。

圖9繪示為第二邊緣部分中形成槽形氣體噴流路徑的氣體分配板。

100‧‧‧基底處理裝置

110‧‧‧製程反應室

111‧‧‧製程反應室的內側面

116‧‧‧排氣口

120‧‧‧基底支撐構件

122‧‧‧電力施用器

130‧‧‧氣體供應構件

132、134‧‧‧供應構件

136a、136b‧‧‧覆蓋物

140‧‧‧電漿產生構件

142、144‧‧‧產生構件

142a、144a‧‧‧磁控管

142b、144b‧‧‧波導線

142c、144c‧‧‧氣體供應線

150‧‧‧排氣構件

152‧‧‧公用排氣線

152a‧‧‧單獨排氣線

154‧‧‧主排氣線

156‧‧‧減壓構件

160‧‧‧隔離構件

162‧‧‧隔離牆

162a‧‧‧隔離牆的外側面

164‧‧‧隔間牆

170a、170b‧‧‧氣體分配板

172a、172b‧‧‧氣體噴流路徑

W‧‧‧基底

a、b‧‧‧空間

c、d‧‧‧排氣空間

X1、X2、X3‧‧‧處擬線

Claims (13)

1. 一種基底處理裝置，包括：製程反應室，提供執行基底處理製程的製程空間，且包括安裝基底入口的側面，基底藉由所述基底入口而出入，且安裝閘閥來打開與關閉所述基底入口；基底支撐構件，安裝在所述製程反應室內，藉由所述基底入口而進入的所述基底被放在所述基底支撐構件上；以及氣體分配板，安裝在所述製程反應室的上側，所述氣體分配板包括多個氣體噴流路徑，所述氣體噴流路徑是按不對稱方式形成以分配電漿與製程氣體到所述製程空間，其中在所述氣體噴流路徑當中，形成在鄰接所述基底入口之區域中的氣體噴流路徑的開孔密度高於形成在其他區域中的氣體噴流路徑的開孔密度。
2. 如申請專利範圍第1項所述之基底處理裝置，其中在不對稱的所述氣體噴流路徑當中，形成在鄰接所述基底入口之區域中的氣體噴流路徑具有較大的尺寸。
3. 如申請專利範圍第1項所述之基底處理裝置，更包括：電漿源單元，配置在所述氣體分配板的上側，用來產生電漿。
4. 如申請專利範圍第1項所述之基底處理裝置，其中所述製程反應室更包括排氣口，形成在所述製程反應室的底部。
5. 如申請專利範圍第4項所述之基底處理裝置，其中形成在鄰接所述排氣口之區域中的氣體噴流路徑的尺寸大於形成在其他區域中的氣體噴流路徑的尺寸。
6. 如申請專利範圍第1項所述之基底處理裝置，其中形成在鄰接所述基底入口之區域中的每個氣體噴流路徑的尺寸比形成在其他區域中的每個氣體噴流路徑的尺寸大百分之一到百分之一千。
7. 一種基底處理裝置，具有基底入口與氣體分配板，所述氣體分配板用來分配電漿與製程氣體給製程反應室中的基底，其中所述氣體分配板包括多個氣體噴流路徑，所述氣體噴流路徑是按不對稱方式形成以差別性地分配所述電漿與所述製程氣體到所述製程反應室中，且在所述氣體噴流路徑當中，形成在鄰接所述基底入口的區域中的氣體噴流路徑的開孔密度高於形成在其他區域中的氣體噴流路徑的開孔密度。
8. 一種執行基底灰化製程的裝置，包括：製程反應室，提供執行基底處理製程的製程空間，且包括安裝基底入口的側面，基底藉由所述基底入口而出入；多個基底支撐構件，安裝在所述製程反應室內，以在製程中支撐著所述基底；電力施用器，經配置以施加電力給各別所述基底支撐構件；電漿產生構件，經配置以產生電漿，且將所述電漿供應到所述製程反應室中； 排氣構件，經配置以排出所述製程反應室中的氣體；隔離構件，用來界定所述製程反應室中的所述製程空間以及所述排氣構件的排氣空間；以及氣體分配板，安裝在所述製程反應室之所述製程空間的上方，所述氣體分配板包括多個氣體噴流路徑，所述氣體噴流路徑是按不對稱方式形成以將電漿與製程氣體分配到所述基底支撐構件上的各別所述基底，其中在所述氣體噴流路徑當中，形成在鄰接所述基底入口之區域中的氣體噴流路徑的尺寸大於形成在其他區域中的氣體噴流路徑的尺寸。
9. 如申請專利範圍第8項所述之執行基底灰化製程的裝置，其中在所述氣體噴流路徑當中，形成在鄰接所述排氣構件之區域中的氣體噴流路徑的尺寸大於形成在其他區域中的氣體噴流路徑的尺寸。
10. 如申請專利範圍第9項所述之執行基底灰化製程的裝置，其中所述排氣構件包括公用排氣線，所述製程空間中的氣體沿著所述公用排氣線藉由排氣口而排出，所述排氣口是以環形方式形成在各別所述基底支撐構件的周圍，其中，所述隔離構件包括隔離牆與隔間牆，所述隔離牆是安裝在所述製程反應室內以界定所述製程空間，所述隔間牆是安裝在所述公用排氣線內以界定排氣空間，使得各別所述製程空間中的氣體能夠單獨排出。
11. 如申請專利範圍第10項所述之執行基底灰化製程 的裝置，其中所述隔離牆相對於穿過所述支撐構件之中心且平行於所述隔離牆的線以對稱的方式來分隔所述製程空間，其中所述隔間牆相對於所述隔間牆以對稱的方式來分隔所述排氣空間。
12. 一種基底處理方法，包括：藉由製程反應室之基底入口將基底載入至製程空間中的基底支撐構件；將所述製程反應室中的氣壓減小到預設氣壓；以及藉由氣體供應構件將製程氣體及電漿產生構件所產生的電漿供應到所述製程反應室的所述製程空間，其中供應到所述製程反應室之所述製程空間的所述製程氣體及所述電漿較多地供應到鄰接所述製程反應室之所述基底入口的基底邊緣區域。
13. 如申請專利範圍第12項所述之基底處理方法，其中所述製程氣體及所述電漿是藉由氣體分配板以不對稱方式被供應到所述製程反應室之所述製程空間，所述氣體分配板包括多個氣體噴流路徑，所述氣體噴流路徑是以不對稱方式形成在所述氣體供應構件上。