TWI677004B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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TWI677004B
TWI677004B TW106125187A TW106125187A TWI677004B TW I677004 B TWI677004 B TW I677004B TW 106125187 A TW106125187 A TW 106125187A TW 106125187 A TW106125187 A TW 106125187A TW I677004 B TWI677004 B TW I677004B
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小川淳
Jun Ogawa
矢部和雄
Kazuo Yabe
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日商東京威力科創股份有限公司
Tokyo Electron Limited
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Abstract

本發明之課題係在將把複數之基板保持成架狀之晶舟搬入至立式處理容器內來進行電漿處理時，於各基板之面內進行均一性高之處理。
本發明將裝置構造成設凸部41、氣體吐出部62、及天線42，該凸部41藉處理容器11之側周壁凸起至外側，而形成與儲存晶舟3來進行處理之處理空間13連通的縱長空間；該氣體吐出部62設於縱長空間，而可將處理氣體吐出至處理空間13；該天線42在凸部41沿著縱方向設置，並可被供給射頻電力以在縱長空間將處理氣體電漿化。又，在該裝置設屏蔽體7，該屏蔽體在凸部41從比天線42更靠處理空間13之位置分別往左右延伸出，而可屏蔽以天線42形成之電場，抑制處理空間13之電漿的形成。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係有關於將把複數之基板保持成架狀之晶舟搬入至立式處理容器內來進行電漿處理的基板處理裝置及基板處理方法。
在製造半導體裝置時，有下述情形，前述情形係使稱為晶舟之保持具將多片基板亦即半導體晶圓(以下記載為晶圓)保持成多段而搬入至立式處理容器，從各晶圓之側邊供給處理氣體，並且，將此處理氣體電漿化，一併進行處理。專利文獻1、2記載有進行此種電漿處理之裝置。此電漿處理有以例如ALD(Atomic Layer Deposition：原子層沉積)所行之成膜處理，可形成SiO2(氧化矽)等之膜。形成此SiO2膜時，反覆進行將含有Si(矽)之原料氣體供至晶圓而使其吸附之製程、及將使被晶圓吸附之原料氣體氧化的氧化氣體電漿化而供給該氧化氣體之活性物種的製程。
在上述晶舟，除了搭載製造半導體裝置之製品用晶圓外，還搭載用以監視對製品用晶圓如何進行成膜之監視用晶圓。於製品用晶圓之表面形成有凹部以 形成半導體裝置之配線，而關於該監視用晶圓之表面，由於不形成該配線，故未形成凹部。
關於製品用晶圓，為提高半導體裝置之成品率，而要求成膜成面內之各部的膜厚之均一性高。如此在製品用晶圓之面內的各部進行膜厚之均一性高的成膜時，為了掌握製品用晶圓之成膜狀態，對監視用晶圓亦要求成膜成在面內各部膜厚之均一性高。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利公開2015-12275
[專利文獻2]日本專利公開2014-93226
因隨著上述凹部之細微化有所進展，製品用晶圓之表面積有增大之趨勢。如此，當表面積增大時，已充分電漿化之處理氣體的活性物種不廣佈晶圓之面內，而有產生在該面內進行不均一處理亦即所謂微負載的弊端之虞。為防止此，檢討了使供給該活性物種之時間較長。即，如上述形成SiO2膜時，耗費較長之時間進行O2氣體之活性物種的供給。
然而，確認了當如此使O2氣體之活性物種的供給時間長時，製品用晶圓之面內雖可形成各部之膜厚的均一性高之SiO2膜，但監視用晶圓之SiO2膜則是周緣 部之膜厚比中心部之膜厚小。如此，在監視用晶圓面內膜厚之所以不均一有以下之理由。接受成膜處理之各晶圓的表面形成為帶電之狀態，從各晶圓之側邊供給的O2氣體之活性物種中極性與帶電之晶圓的周緣部相反之離子被該晶圓之周緣部吸引。如上述藉使活性物種之供給時間長，許多離子被各晶圓之周緣部吸引，而由於監視用晶圓未形成凹部，故比起製品用晶圓，在每一定之表面積被吸引而供給的離子之量較多，而大幅進行SiO2膜之改質。結果，如上述，監視用之晶圓的周緣部之膜厚小。如以上，製品用晶圓之面內的膜厚之均一性與監視用監圓之面內的膜厚之均一性形成為取捨關係。
在專利文獻1之處理裝置中，形成藉處理容器之側周壁凸起至外側而形成與儲存晶舟來進行處理之處理空間連通的縱長空間之凸部，於此凸部之左右外側其中一者設有用以於縱長空間形成感應耦合電漿之天線。再者，於此天線之前方側(靠處理空間之位置)設有屏蔽電場之屏蔽體。然而，即使如此僅於天線之前方側配置屏蔽體，仍有無法充分抑制上述離子之作用之虞。又，在專利文獻2之處理裝置中，設有與專利文獻1之裝置相同的凸部、從左右夾住凸部而於凸部內形成電容耦合電漿之平行板型電極、從左右夾住凸部而於前後自由調整其位置之屏蔽體。然而，如此形成電容耦合電漿時，有如上述不易生成充分廣佈表面積大的晶圓之量的活性物種之虞。
本發明即是鑑於此種情況而作成，其目的係提供一種技術，該技術係將複數基板保持成架狀之晶舟搬入至立式處理容器內來進行電漿處理時，可於各基板之面內進行均一性高之處理。
本發明之基板處理裝置將把複數之基板保持成架狀之晶舟搬入至立式處理容器內，供給處理氣體來進行處理，並包含有凸部、氣體吐出部、天線及屏蔽體，該凸部藉該處理容器之側周壁凸起至外側，而形成與儲存該晶舟來進行處理之處理空間連通的縱長空間；該氣體吐出部設於該縱長空間，而可將該處理氣體吐出至該處理空間；該天線在該凸部沿著縱方向設置，並可被供給射頻電力以在該縱長空間將該處理氣體電漿化；該屏蔽體在該凸部從比該天線更靠該處理空間之位置分別往左右延伸出，而可屏蔽以該天線形成之電場，抑制在該處理空間形成電漿。
本發明之基板處理方法係使用基板處理裝置之基板處理方法，該基板處理裝置將把複數之基板保持成架狀之晶舟搬入至立式處理容器內，供給處理氣體來進行處理，該基板處理方法包含有下列製程：(1)從氣體吐出部將該處理氣體吐出至儲存該晶舟來進行處理之處理空間，該氣體吐出部設於藉該處理容器之側周壁凸起至外側而形成與該處理空間連通的縱長空間之凸部的該縱長空間；(2)將射頻電力供至在該凸部沿著縱方向設置之天線，而在該縱長空間將該處理氣體電漿化；(3)以在該凸部從比該天線更靠該處理空間之位置分別往左右延伸出的屏蔽體，屏蔽以該天線形成之電場，而抑制在該處理空間形成電漿。
在本發明中，設有藉處理容器之側周壁凸起至外側而形成與儲存晶舟來進行處理之處理空間連通的縱長空間之凸部、設於凸部之天線、在比天線更靠處理空間之位置從凸部往左右延伸出之屏蔽體。以如此而設之屏蔽體抑制處理空間之處理氣體的電漿化，而抑制構成電漿之活性物種中生命期較短之離子對處理空間之供給。又，藉適當調整天線之配置，構成電漿之活性物種中生命期較 長且電中性之自由基可供給許多至基板。因而，可於各基板之面內進行均一性高之處理。
1‧‧‧成膜裝置
2‧‧‧歧管
3‧‧‧晶舟
4‧‧‧電漿形成部
7‧‧‧屏蔽體
8‧‧‧成膜裝置
11‧‧‧處理容器
12‧‧‧開口部
13‧‧‧處理空間
14‧‧‧電漿形成空間
21‧‧‧基板搬入搬出口
22‧‧‧蓋體
23‧‧‧台
26‧‧‧排氣口
27‧‧‧排氣管
28‧‧‧排氣機構
29‧‧‧壓力調整部
31‧‧‧頂板
32‧‧‧底板
33‧‧‧支柱
34‧‧‧爪部
35‧‧‧環板
36‧‧‧環板之開口部
37‧‧‧凹部
38‧‧‧SiO2膜
39‧‧‧柱
41‧‧‧電漿形成盒
42‧‧‧天線
44‧‧‧射頻電源
45‧‧‧絕緣構件
51‧‧‧第1氣體供給管
52‧‧‧第1氣體噴嘴
53‧‧‧氣體吐出孔
54‧‧‧二丙基胺基矽烷(DPAS)氣體之供給源
55‧‧‧N2(氮)氣體之供給源
61‧‧‧第2氣體供給管
62‧‧‧第2氣體噴嘴
63‧‧‧氣體吐出孔
64‧‧‧氣體供給源
71‧‧‧主板
72‧‧‧副板
73‧‧‧連接部
74‧‧‧屏蔽體
75‧‧‧屏蔽體
76‧‧‧棒狀構件
77‧‧‧屏蔽體
78‧‧‧屏蔽體
81‧‧‧電極
100‧‧‧控制部
B‧‧‧晶舟下部之晶圓
C‧‧‧晶舟中央部之晶圓
CB‧‧‧晶舟中央部與下部之間的晶圓
MF1‧‧‧流量調整部
MF2‧‧‧流量調整部
MF3‧‧‧流量調整部
MF4‧‧‧流量調整部
L1‧‧‧厚度
L2‧‧‧長度
L3‧‧‧長度
T‧‧‧晶舟上部之晶圓
TC‧‧‧晶舟上部與中央部之間的晶圓
V1‧‧‧閥
V2‧‧‧閥
V3‧‧‧閥
V4‧‧‧閥
W‧‧‧晶圓
W1‧‧‧晶圓
W2‧‧‧晶圓
圖1係本發明一實施形態之成膜裝置的縱斷側面圖。
圖2係該成膜裝置之橫斷平面圖。
圖3係以該成膜裝置處理之晶圓的平面圖。
圖4係以該成膜裝置處理之晶圓的平面圖。
圖5係該成膜裝置之概略立體圖。
圖6係該成膜裝置之概略橫斷平面圖。
圖7係儲存於該成膜裝置之晶舟的側視圖。
圖8係保持於該晶舟之晶圓的縱斷側面圖。
圖9係另一成膜裝置之橫斷平面圖。
圖10係比較例之成膜裝置的橫斷平面圖。
圖11係顯示評估測試之結果的曲線圖。
圖12係顯示評估測試之結果的曲線圖。
圖13係顯示評估測試之結果的曲線圖。
圖14係顯示評估測試之結果的曲線圖。
圖15係顯示評估測試之結果的曲線圖。
圖16係顯示評估測試之結果的曲線圖。
圖17係顯示評估測試之結果的曲線圖。
圖18係顯示評估測試之結果的曲線圖。
圖19係顯示設於該成膜裝置之屏蔽體的結構之立體圖。
圖20係顯示設於該成膜裝置之屏蔽體的結構之立體圖。
圖21係顯示設於該成膜裝置之屏蔽體的結構之立體圖。
圖22係顯示設於該成膜裝置之屏蔽體的結構之立體圖。
圖23係顯示設於該成膜裝置之屏蔽體的結構之立體圖。
圖24係顯示設於該成膜裝置之屏蔽體的結構之立體圖。
[用以實施發明之形態]
就本發明基板處理裝置之一實施形態的成膜裝置1，使用圖1之縱斷側面圖及圖2之橫斷平面圖來說明。成膜裝置1於在晶舟亦即晶舟3保持多片之圓形基板亦即晶圓W以ALD形成SiO2膜。圖中11係石英製處理容器。此處理容器構成為豎立縱長且有頂板之圓筒型。
於上述立式處理容器11之下端側連結有形成圓筒狀之歧管2。歧管2之下端開口作為基板搬入搬出口21，以藉圖中未示之升降機構升降的石英製蓋體22封閉成氣密。於蓋體22之上部側設有載置晶舟3之台23。於蓋體22之下部側設有使該台23繞鉛直軸旋轉之旋轉機構24。
就晶舟3作說明，該晶舟3以水平之圓形頂板31、水平之圓形底板32、垂直之支柱33、爪部34、水平之圓形環板35構成，該等各部以石英構成。支柱33連接於頂板31之周緣部與底部32之周緣部，在頂板31及底板32之圓周方向隔著間隔設例如3根(在圖1中僅顯示2根)。上述爪部34從各支柱33朝被該等支柱33包圍之區域的中心部突出，晶圓W藉其周緣部載置於從各支柱33延伸之爪部34，而 水平地保持於晶舟3。爪部34在各支柱33於上下方向設多個而可將多片例如75片晶圓W保持成架狀。上下相鄰保持之晶圓W與晶圓W的間隔為例如12.6mm。
又，於支柱33設有多個板狀構件亦即上述之環板35。當將保持晶圓W之區域稱為槽時，環板35在各槽之上側、下側與該槽隔開距離而設，在晶舟3，從上往下，環板35與槽交互配置。此外，圖2中36係環板35之開口部。各環板35之中心軸與保持於各槽之晶圓W的中心軸一致，環板35之外徑大於晶圓W之徑。因而，如圖2所示，在平面觀看時，在晶圓W全周，環板35之周緣位於該晶圓W之周緣的外側。
此環板35如上述以介電體亦即石英構成。因而，其表面可極化而帶正電或負電。此帶電因與供至處理容器11內之各氣體的摩擦等而引發。如在發明欲解決之問題此項目所述，有成膜處理中之晶圓W的表面帶電之情形。此與環板35帶電之原因同樣是因與在處理容器11內流動之氣體的摩擦等主要原因引發。環板35藉如上述帶電而取代帶電之晶圓W，構成為吸引構成電漿之正或負離子的吸引部。上述台23旋轉時，此環板35與晶圓W分別繞中心軸旋轉。
而保持於晶舟3之晶圓W如在背景技術此項目所述，有製造半導體裝置之製品用晶圓與進行成膜以監視製品用晶圓之成膜狀態的監視用晶圓。此後，關於晶圓W，有將製品用晶圓作為晶圓W1、將監視用晶圓作為晶圓W2來相互區別記載的情形。在此例中，將3片晶圓W2於晶舟3之上部、中央部、下部之彼此隔開距離的槽各保持1片，將晶圓W1保持於未保持晶圓W2之槽來進行處理。
圖3、圖4分別顯示晶圓W1、晶圓W2之表面。又，該等圖3、圖4中顯示於箭號前端之虛線的框內分別顯示晶圓W1、晶圓W2之縱斷截面。關於徑之大小及厚度，晶圓W1及晶圓W2彼此相同。於第1基板亦即晶圓W1之表面形成有多個凹部37。於第2基板亦即晶圓W2之表面未形成凹部37，該表面以平坦面構成。藉如此分別構成晶圓W1、晶圓W2，晶圓W1之表面側的表面積為晶圓W2之表面側的表面積之例如10倍以上。
返回圖1及圖2，繼續成膜裝置1之說明。如上述，藉處理容器11之蓋體22升降，晶舟3構造成在處理容器11內之處理位置與處理容器11之下方側的真空氣體環境之裝載區25的搬入搬出位置之間升降自如。晶舟3位於處理位置時，以蓋體22堵住處理容器11之基板搬入搬出口21。又，搬入搬出位置係指以設於裝載區25內之圖中未示的移載機構對晶舟3移載晶圓W之位置。
於處理容器11之側壁形成有開口部12，於此開口部12之外側設有電漿形成部4。開口部12形成垂直方向細長之縫隙狀而可將藉電漿形成部4產生之電漿的活性物種供至保持於晶舟3之各晶圓W。開口部12以橫截面形成凹部狀之石英製電漿形成盒41從外側堵住。因而，電漿形成盒41構成處理容器11之側壁，該處理容器11之側壁往處理容器11之外側凸起而形成凸部。
在處理容器11內，在電漿形成盒41內之外側，如上述將儲存晶舟3之空間作為處理空間13。又，在電漿形成盒41內遠離開口部12之內側構成為形成電漿之電漿形成空間14。在之後的說明中，分別將處理空間13側、電漿形成空間14側作為前方側、後方側。此電漿形成部4之後進一步詳細說明。
將處理容器11內排氣之排氣口26於上述歧管2之側壁開口。於排氣口26連接排氣管27之一端，排氣管27之另一端連接於以真空泵等構成之排氣機構28。於排氣管27設有調整排氣量而將處理容器11內調整為預定真空壓力之壓力調整部29。此外，如圖2所示，在平面觀看時，排氣口26於從開口部12往圓周方向稍微偏移之位置開口，而在圖1中，為便於圖示，則顯示成位於開口部12之對側。
又，於歧管2之側壁插入有第1氣體供給管51及第2氣體供給管61，於第1氣體供給管51之前端部、第2氣體供給管61之前端部分別設有第1氣體噴嘴52、第2氣體噴嘴62。第1氣體噴嘴52及第2氣體噴嘴62以石英管構成。第1氣體噴嘴52設成於在處理空間13偏離開口部12之位置沿著處理容器11之側壁延伸至上方，複數之氣體吐出孔53沿著其長度方向隔著預定間隔形成。第2氣體噴嘴62設成在縱長空間亦即電漿形成空間14之後方側延伸至上方，複數之氣體吐出孔63沿著其長度方向隔著預定間隔形成。
第1氣體供給管51之上游側分歧成2個而構成分歧路徑，其中一分歧路徑之上游側依序藉由閥V1、流量調整部MF1連接於含有用以形成SiO2膜之Si的原料氣體亦即二丙基胺基矽烷(DPAS)氣體之供給源54。另一分歧路徑之上游側依序藉由閥V2、流量調整部MF2連接於N2(氮)氣體之供給源55。此N2氣體係將處理容器11內之氣體環境沖洗的沖洗氣體。
又，第2氣體供給管61之上游側分歧成2個而構成分歧路徑，其中一分歧路徑之上游側依序藉由閥V3、流量調整部MF3連接於用以供給氧(O2)氣體之氣體供給源64。另一分歧路徑之上游側依序藉由閥V4、流量調整部MF4連接於上述N2氣體供給源55。O2氣體係如後述電漿化後供至晶圓W而使被吸附至晶圓W之原 料氣體氧化的處理氣體。此外，各閥V進行氣體之供給及停供，流量調整部進行氣體供給量之調整。
接著，一併參照圖5之概略立體圖，一併更詳細說明上述電漿形成部4。從後方往前方觀看時，在電漿形成盒41之右側側壁，從電漿形成盒41之上端部延亙至下端部於縱方向延伸之天線42設成面向後方之外側。此天線42設成前後反覆蜿蜒，且上下延伸，天線42之一端與另一端藉由匹配器43連接於接地之射頻電源44。此外，第2氣體噴嘴62與天線42如圖2所示，在前後方向設於相同之位置，而在圖1中為便於圖示，則將彼此之位置前後錯開來顯示。
當從射頻電源44將射頻電力供至天線42時，電場形成為從天線42擴展至該天線42之周圍，藉此電場將從第2氣體噴嘴62吐出至電漿形成盒41內之氣體電漿化。亦即，以天線42形成感應耦合電漿(ICP)。藉調整天線42之彎曲狀況，天線42周圍之電場的強度變化，而可調整電漿之活性物種的生成量。即，可使天線42彎曲成活性物種之生成量較多，藉如後述生成多量之活性物種，而謀求形成於晶圓W之膜厚的均一化。此外，圖2中45為絕緣構件，將天線42包圍而與周圍絕緣。
又，電漿形成部4具有屏蔽體7。屏蔽體7具有屏蔽上述電場而抑制於處理空間13及電漿形成盒41內之前方側形成該電場的作用，以由例如SUS(不鏽鋼)等金屬構成之導體構成。此屏蔽體7具有從電漿形成盒41之左右各側壁往橫方向延伸出的主板71、從各主板71之基端沿著電漿形成盒41之側壁往前方側延伸出的副板72、連接部73，並以從例如副板72之下端伸出的導電線接地。
主板71及副板72在設天線42及絕緣構件45之位置的前方側，從電漿形成盒41之上端延亙至下端而設。分別設於電漿形成盒41之左側、右側的主板71與副板72藉縱長之1片板沿著鉛直軸彎折大約90°而構成，因而，主板71與副板72於上下方向觀看時呈L字形。圖2所示之主板71及副板72的厚度L1為例如2mm~3mm。又，從後方側往前方觀看時，右側之主板71的左右方向之長度L2為例如25mm，左側之主板71的左右方向之長度L3為例如8mm~17mm。如此，關於2個主板71，設有天線42之右側的主板71形成為比左側之主板71長，而可確實進行上述電場之屏蔽。
關於各主板71，配置於天線42附近之電場強度強的區域，為有效地屏蔽電場，而設成基端側接合於電漿形成盒41。由於即使不設各副板72而僅設各主板71，從天線42觀看處理空間13時仍是於較大之範圍設屏蔽體，而可充分屏蔽電場，故可獲得於後述晶圓W1、W2將膜厚形成高均一性之效果，由於藉設副板72，從天線42觀看時設於前方側之屏蔽體的面積更大，故可更確實地進行該電場之屏蔽。再者，由於副板72設於主板71與構成處理容器11之側壁中形成處理空間13的部位之間的空間，故可抑制裝置之佔據地板面積增大。此副板72以圖中未示之緊固件固定於電漿形成盒41之側壁，而亦具有將屏蔽體7固定於電漿形成盒41之作用。連接部73連接於左右副板72之上端，而支撐於該電漿形成盒41之上部。
又，如圖1所示，成膜裝置1具有控制部100。控制部100以電腦構成，並具有程式，該程式可控制蓋體22之升降、各流量調整部MF之氣體供給量、各閥V之開關、射頻電源44之啟動關閉、壓力調整部29之排氣量、旋轉機構24之台23的旋轉等，執行後述一連串之處理的步驟。藉此程式，控制部100將控制信號輸 出至成膜裝置1之各部，控制各部之動作。此程式可以儲存於例如硬碟、軟性磁碟、光碟、磁光碟(MO)、記憶卡等記錄媒體的狀態，儲存於控制部100。
接著，就以成膜裝置1進行之成膜處理作說明。首先，以圖中未示之搬送機構將晶圓W1及晶圓W2如前述搭載保持於在搬入搬出位置之晶舟3的各槽。之後，將晶舟3由下方搬入(裝載)至處理容器11內之處理空間13，以蓋體22封閉基板搬入搬出口21，將處理容器11密閉。然後，以壓力調整部29使處理容器11內為預定壓力之真空氣體環境。又，晶舟3藉旋轉機構24旋轉。
接著，從第1氣體噴嘴52及第2氣體噴嘴62供給沖洗氣體亦即N2氣體(時刻t1)，而將處理容器11內之氣體環境沖洗(步驟S1)。從時刻t1過例如5秒後，停止從第1氣體噴嘴52及第2氣體噴嘴62吐出沖洗氣體，並且從第1氣體噴嘴52吐出DPAS氣體(時刻t2)。所吐出之DPAS氣體被吸附至各晶圓W之表面(步驟S2)。從時刻t2過例如6秒後，停止從第1氣體噴嘴52吐出DPAS氣體，並從第1氣體噴嘴52及第2氣體噴嘴62吐出沖洗氣體(時刻t3)。以此沖洗氣體將殘留於處理容器11內之DPAS氣體沖洗，而將該處理容器11內置換成N2氣體環境(步驟S3)。
當從例如時刻t3經過3秒時，停止從第1氣體噴嘴52及第2氣體62吐出沖洗氣體，並且開始從第2氣體62吐出O2氣體(時刻t4)。吐出之O2氣體的流量逐漸上升，從例如時刻t4過1秒後達預定之設定值(時刻t5)，進一步以該設定值繼續進行O2氣體之供給。此外，因當將較大流量之氣體急遽地供至氣體噴嘴時，有氣體噴嘴共振而造成產生顆粒之虞，故為防止該顆粒之產生，而如上述使O2氣體之流量逐漸上升。
從時刻t5過例如3秒後，在吐出O2氣體之狀態下，直接啟動射頻電源44(時刻t6)，供給射頻電力，藉此，於天線42之周圍形成電場，從第2氣體噴嘴62吐出之O2氣體電漿化，而在電漿形成盒41內之電漿形成空間14產生O2氣體之活性物種亦即氧自由基及氧離子，而向處理空間13供給。此外，氧離子包含O2 +、O2-。亦即，包含極性為正之氧離子及負之氧離子。
如上述由於藉形成ICP之天線42可在電漿形成空間14形成較強之電場，故可生成多量之活性物種。圖6以虛線之箭號示意顯示如此形成之電場。由於此電場以如前述形成之屏蔽體7屏蔽，故在電漿形成空間14之前方側，不易引發O2氣體之電漿化。再者，由於離子之生命期比自由基之生命期短，故從電漿形成空間14往處理空間13之活性物種中氧離子易在到達晶圓W前去活性化。又，如上述，因電場被屏蔽，故可抑制去活性化之氧離子受到電場之作用而再度形成為離子。因而，對晶圓W主要是供給氧自由基。
由於此氧自由基為電中性，故不致影響晶圓W之帶電狀態，而如圖6中以實線之箭號所示，沿著旋轉之晶圓W的直徑流動。再者，如上述，由於氧自由基與氧離子同樣在電漿形成空間14產生較多，故可充分供給至沿著此直徑方向之各部。亦即，雖然晶圓W1之表面積大，但在晶圓W1之面內，在電漿形成盒41側之周緣部不致將自由基耗盡，而亦可對中心部及電漿形成盒41之對側的周緣部供給該氧自由基。即，可於晶圓W1之直徑方向以高均一性供給氧自由基。對晶圓W2亦與晶圓W1同樣地於直徑方向以高均一性供給氧自由基。由於晶圓W1、晶圓W2旋轉，故可以高均一性將自由基供至該等晶圓W1、W2之表面整面，所吸附之DPAS氣體氧化，而形成SiO2之薄層(步驟S4)。
又，環板35極化，而形成為其表面存在正或負電荷之狀態。因比起晶圓W之周緣部，環板35之周緣部更靠電漿形成空間14附近，故不致從此電漿形成空間14去活性化而供至處理空間13之氧離子中，具有與此環板35之表面的電荷相反的極性之離子被該環板35吸引而撞擊該環板，中和電荷而形成為非活性。在圖7之示意圖中，顯示環板35具正電荷而吸引具負極性之氧離子(O2-)之例。環板35具負電荷時，吸引具正極性之氧離子(O2 +)。藉如此被環板35吸引，可更確實地抑制將氧離子供至晶圓W1、W2之周緣部。
當從開始上述電漿處理之時刻t6經過預定時間、例如50秒~100秒時，射頻電源44便關閉，而停止從第2氣體噴嘴62吐出O2氣體，並且從第1氣體噴嘴52及第2氣體噴嘴62吐出沖洗氣體，將殘留於處理容器11內之O2氣體及其活性物種沖洗，而將該處理容器11內置換成N2氣體環境。亦即，再度進行步驟S1。
之後，進行步驟S2~S4，步驟S4結束後，再進行步驟S1~S4。如此藉反覆進行步驟S1~S4，SiO2之薄層沉積，形成SiO2膜，並且膜厚上升。在如此反覆進行之步驟S4，亦如上述可抑制對晶圓W1、W2之周緣部的氧離子之供給。另一方面，可充分將氧自由基供至晶圓W1、W2的面內全體。因而，可抑制在晶圓W之周緣部過度供給電漿之活性物種，特別是在每一定面積之表面積小的晶圓W2之周緣部，可抑制因SiO2膜38之改質引起的膜厚降低進行。又，可抑制在晶圓W之表面整面被吸附之原料氣體的氧化所需之活性物種的量不足。結果，如圖8所示，在晶圓W1、W2兩者SiO2膜38成長成在中央部與周緣部之間膜厚一致。反覆進行步驟S1~S4預定次數後，當將處理容器11內沖洗時，便停止對處理容器11內之各氣體的供給及晶舟3之旋轉，蓋體22下降，將晶舟3從處理容器11內搬出。
根據此成膜裝置1，在構成藉由使處理容器11之側周壁凸起至外側而形成之凸部的電漿形成盒41之外側，將用以於該電漿形成盒41內形成ICP之天線42設成沿著該電漿形成盒41。還設有屏蔽體7，該屏蔽體具有在電漿形成盒41之左右側壁從此天線42之前方側分別往左右延伸出的主板71。藉此屏蔽體7，在處理空間13及電漿形成盒41之前方側抑制O2氣體之電漿化，而可抑制對晶圓W供給活性物種亦即氧離子之量。再者，由於藉上述天線42，可於電漿形成盒41內形成強度較強之電漿，故氧之自由基產生多量而可供給成廣佈晶圓W1、晶圓W2之表面整面。因而，晶圓W1、W2皆可將SiO2膜形成為在晶圓W之面內具有均一性高之膜厚。
又，由於吸引部亦即環板35只要為表面可具有電荷之介電體即可，故不限石英，亦可為例如陶瓷。此外，由於半導體也可於表面具電荷，故環板35亦可以矽等半導體構成。又，吸引部之形狀亦不限環狀，亦可於晶舟3設未設開口部36之圓板取代例如環板35。再者，此吸引部只要位於電漿形成空間14與晶圓W之間即可，不限設於晶舟3。如圖9所示，亦可在處理空間13，於電漿形成空間14與晶舟3之間的區域設從蓋體22上垂直地延伸之石英柱39，以該柱39吸引離子。又，上述環板35不限與槽交互而設，亦可上下連續設複數片環板35，或每隔複數之槽，設1片環板35，而為謀求在各晶圓W間之處理的均一性之提高，宜如上述結構例般，與槽交互而設。
又，在上述例中，天線42從後方往前方看時，設於電漿形成盒41之右側，只要於該電漿形成盒41設成可形成ICP即可。因而，天線42亦可設於電漿形成盒41之左側或後方側。又，只要可形成ICP，亦可稍微與電漿形成盒41隔開距離而設。再者，主板71與副板72在上述例中成形成一體，亦可不如此成形成一體。 又，副板72可與電漿形成盒41之側壁隔開距離而設，亦可與主板71隔開距離而設。
上述成膜裝置1在常溫對晶圓W進行成膜處理。即，在成膜處理中不將晶圓W進行加熱處理，亦可於例如處理容器11之外側設加熱器，將晶圓W加熱至預定溫度來進行成膜處理。此外，成膜處理不限形成SiO2膜，亦可在例如上述例，使用NH3(氨氣)取代O2作為處理氣體，將該NH3氣體電漿化後，供至晶圓W，藉此，進行ALD而於晶圓W形成SiN(氮化矽)膜。此時亦可抑制對晶圓W之周緣部供給離子，而將電中性之自由基供至晶圓W全體來進行處理。如此，處理氣體不限氧。又，電漿處理舉了電漿ALD處理為例作說明，本發明不限於此，可應用於電漿CVD(Chemical Vapor Deposition：化學氣相沉積)處理、電漿改質處理、在後述評估測試進行之電漿蝕刻處理等使用電漿之各處理。又，前述之實施例可適宜變更或組合。
(評估測試)
就與本發明相關而進行之評估測試作說明。
▪評估測試1
評估測試1係使用成膜裝置1，依循前述程序，於晶圓W形成SiO2膜，對分別配置於晶舟3之上部、中央部、下部之晶圓W2，測定了複數處之膜厚。接著，算出晶圓W2之面內的膜厚之平均值、晶圓W2之面內的膜厚之均一性(以下記載為面內均一性)、晶圓W2之面間的膜厚之均一性(以下記載為面間均一性)。面內均一性及面間均一性以±(膜厚之最大值-膜厚之最小值)/(膜厚之平均值)×100/2(單位：%)算出。因而，膜厚之面內均一性係指絕對值越小，在晶圓W之面內，膜厚之偏差便越小，膜厚之面間均一性係指絕對值越小，在進行了膜厚之 測定的晶圓W間膜厚之偏差便越小。此外，之後有保持於晶舟之上部、中央部、下部的晶圓W分別表示為T、C、B之情形。
此評估測試1之SiO2膜的成膜係變更了電漿處理時間(即，從上述處理之時刻t6至時刻t7之時間)來進行複數次。具體而言，此電漿處理時間分別設定為50秒、65秒、100秒。令此評估測試1中如此將電漿處理時間設定為50秒、65秒、100秒之測試分別為評估測試1-1、1-2、1-3。
又，使用電漿形成部4之結構與成膜裝置1不同的成膜裝置8及結構與晶舟3不同之晶舟，進行了比較測試1。如圖10所示，成膜裝置8之電漿形成部4具有於電漿形成盒41之左右彼此對向的電極81，而構造成對各電極81從射頻電源44供給射頻。當如此供給射頻時，於在電漿形成盒41內被各電極81包夾之電漿形成空間14形成電容耦合電漿(CCP)。又，此成膜裝置8之電漿形成部4未設屏蔽體7。
在比較測試1，所使用之晶舟與上述晶舟之差異點包括：未設置環板35之點、及槽之數量比晶舟3多之點，比較測試1中搭載100片晶圓W而進行處理。此比較測試1亦是每當進行成膜處理時，便變更電漿處理時間，令將電漿處理時間設定為50秒、100秒之測試分別為比較測試1-1、1-2。
圖11之曲線圖顯示評估測試1及比較測試1之結果。曲線圖之縱軸顯示膜厚之平均值(單位：Å)及均一性(單位：%)。此均一性係上述之面內均一性及面間均一性。長條圖顯示膜厚之平均值，四角之圖示顯示面內均一性，三角之圖示顯示面間均一性。有關評估測試1-1之T、C、B，膜厚之平均值分別為323.0Å、322.0Å、320.4Å，面內均一性分別為1.3%、1.6%、1.8%。又，評估測試1-1的面 間均一性為0.4%。有關評估測試1-2之T、C、B，膜厚之平均值分別為320.4Å、317.8Å、317.9Å，面內均一性分別為1.2%、1.9%、2.0%。又，評估測試1-2的面間均一性為0.4%。有關評估測試1-3之T、C、B，膜厚之平均值分別為319.5Å、316.7Å、316.1Å，面內均一性分別為1.4%、2.8%、3.4%。又，評估測試1-3的面間均一性為0.5%。
有關比較測試1-1之T、C、B，膜厚之平均值分別為302.1Å、313.6Å、315.5Å，面內均一性分別為6.8%、3.6%、2.2%。又，比較測試1-1的面間均一性為2.2%。有關比較測試1-2之T、C、B，膜厚之平均值分別為296.9Å、305.8Å、312.1Å，面內均一性分別為9.7%、5.7%、3.3%。又，比較測試1-2的面間均一性為2.5%。
如此，在評估測試1及比較測試1中，當電漿處理時間增長時，面內均一性及面間均一性便降低。然而，比較電漿處理時間同樣為100秒之評估測試1-3及比較測試1-2，評估測試1-3之面內均一性及面間均一性較佳。此係如發明之實施形態所說明，因可以環板35抑制對晶圓W之周緣部供給氧離子之故。
▪評估測試2
試估測試2係與上述評估測試1同樣地對晶圓W進行成膜處理，從成膜處理後之晶圓W1、W2算出作為晶圓W1及晶圓W2之成膜狀態的指標之負載效應(單位：%)。在此評估測試2中，負載效應(%)=(晶圓W2之SiO2膜的膜厚-晶圓W1之SiO2膜的膜厚)/(晶圓W2之SiO2膜的膜厚)×100。因而，顯示負載效應之值越小，在晶圓W2間SiO2膜形成為越高均一性。在此評估測試2中，搭載於晶舟3之晶圓W1使用其表面側之表面積為晶圓W2之表面側的表面積之30倍的晶圓，每當 進行成膜處理時，便變更電漿處理時間。此外，在此評估測試2使用之成膜裝置1的屏蔽體7之主板71及副板72的厚度L1為2mm。
比較測試2-1除了使用上述進行CCP之電漿處理的成膜裝置8外，進行了與評估測試2相同之測試。又，比較測試2-2使用與上述成膜裝置1大約同樣地構成之進行ICP的電漿處理之成膜裝置，與評估測試2同樣地進行了測試。惟，在此比較測試2-2使用之成膜裝置的屏蔽體7僅於從後方往前方觀看時之右側設有主板71及副板72，左側並未設主板71及副板72。又，此比較測試2-2之主板71及副板72的厚度L1為3mm。
圖12之曲線圖顯示評估測試2、比較測試2-1、2-2的結果。曲線圖之縱軸顯示負載效應(單位：%)，曲線圖之橫軸顯示電漿處理時間(單位：秒)。當電漿處理時間為50秒以上時，在評估測試2、比較測試2-1、比較測試2-2之間，負載效應並無太大之差異，而當電漿處理時間小於50秒時，評估測試2、比較測試2-2之負載效應比比較測試2-1小。亦即，可知在評估測試2、比較測試2-2，將更多之活性物種供至晶圓W進行了反應。因而，如在發明之實施形態所說明，可知設天線42而形成ICP來進行處理這點可抑制負載效應，而對於對晶圓W1確實地進行成膜有利。此外，關於此負載效應，雖然比較測試2-2比評估測試2更見改善，但由於如評估測試2般，將主板71及副板72分別設於電漿形成盒41之左右，可更確實地屏蔽電場，而如發明之實施形態所述，可更確實地抑制對晶圓W之周緣部供給離子，故從獲得高膜厚均一性之觀點而言，宜如該評估測試2般構成裝置。
▪評估測試3
評估測試3係與評估測試1同樣地進行成膜處理，取得晶圓W2之膜厚的平均值、面內均一性、面間均一性。又，比較測試3-1除了將晶圓W搭載於與在比較測試1所使用者相同之未具有環板35的晶舟來進行成膜處理外，進行了與評估測試3相同之測試。再者，比較測試3-2除了使用成膜裝置8進行了成膜處理外，進行了與比較測試3-1相同之測試。
圖13之曲線圖與圖11之曲線圖同樣地顯示評估測試3、比較測試3-1、3-2之結果。關於評估測試3之T、C、B，膜厚之平均值分別為214.5Å、213.9Å、212.1Å，面內均一性分別為1.8%、2.0%、3.1%。評估測試3之面間均一性為0.6%。關於比較測試3-1之T、C、B，膜厚之平均值分別為211.0Å、206.9Å、204.1Å，面內均一性分別為2.6%、5.8%、7.1%。比較測試3-1之面間均一性為1.7%。關於比較測試3-2之T、C、B，膜厚之平均值分別為201.9Å、211.1Å、212.0Å，面內均一性分別為9.1%、2.9%、2.8%。比較測試3-2之面間均一性為2.4%。
而圖14之曲線圖顯示評估測試3及比較測試3-1之T的位置之晶圓W2的周緣部之膜厚分佈，圖15之曲線圖顯示評估測試3及比較測試3-1之C的位置之晶圓W2的周緣部之膜厚分佈，圖16之曲線圖顯示評估測試3及比較測試3-1之B的位置之晶圓W2的周緣部之膜厚分佈。各曲線圖之橫軸顯示與晶圓W之中心的距離(單位：mm)，各曲線圖之縱軸顯示膜厚(Å)。又，各曲線圖中，評估測試3之膜厚分佈以實線顯示，比較測試3-1之膜厚分佈以虛線顯示。
如該等圖14~圖16之曲線圖所示，評估測試3比比較測試3-1更抑制了晶圓之周緣側的膜厚之降低。又，如圖13之曲線圖所示，關於面內均一性及面間均一性，評估測試3之值低於比較測試3-1，比較測試3-1之值低於比較測試3-2。因而， 表示比起形成CCP電漿，形成ICP電漿更可使面內均一性及面間均一性提高，當形成ICP電漿時，藉設環板35，可抑制晶圓W2之周緣部的膜厚降低，而可使面內均一性及面間均一性提高。
▪評估測試4
評估測試4係使用與成膜裝置1大約同樣地構成之蝕刻裝置，將形成於搭載在晶舟3之晶圓的SiO2膜進行了蝕刻處理。此蝕刻裝置構造成可從第2氣體噴嘴62供給使以水稀釋為0.125體積%之氫氟酸氣化的蝕刻氣體取代O2氣體。接著，將此蝕刻氣體電漿化，對晶圓W供給60秒鐘進行了處理。處理後，對T、C、B之各晶圓W2，測定了中心部、周緣部的蝕刻速率比。此中心部之蝕刻速率比係以將含有氧來取代上述氫氟酸之氣體供至晶圓W來進行電漿處理時的晶圓W之中心部的蝕刻速率為1時的比率算出，周緣部之蝕刻速率比係以將上述含有氧之氣體供至晶圓W來進行電漿處理時的晶圓W之周緣部的蝕刻速率為1時的比率算出。又，比較測試4-1除了將晶圓W搭載於與在比較測試1所使用者相同之未設環板35的晶舟外，進行了與評估測試4相同之測試。再者，比較測試4-2除了與上述成膜裝置8同樣地形成CCP來進行電漿化外，進行了與比較測試4-1相同之測試。
圖17之曲線圖顯示評估測試4、比較測試4-1、4-2之結果，曲線圖之縱軸顯示蝕刻速率比。比起比較測試4-1、4-2，在評估測試4，晶圓W之中心部的蝕刻速率比與晶圓W之周緣部的蝕刻速率比之差較小。此可視為如上述以環板35抑制了對晶圓W供給離子。因而，亦從評估測試4、比較測試4-1、4-2確認了環板35之效果。又，比較比較測試4-1、比較測試4-2，晶圓W之中心部、周緣部的蝕刻速率比皆是比較測試4-1之值較大。因而，可視為形成ICP之比較測試4-1生成 了比形成CCP之比較測試4-2多的活性物種。因而，顯示了處理如前述晶圓W1般表面積大的晶圓W時，形成ICP來進行處理是有利的。
▪評估測試5
評估測試5-1係使用成膜裝置1，進行了3次成膜。再者，從在各次成膜之配置於晶舟3各槽的晶圓W2與評估測試1同樣地算出了膜厚之平均值、面內均一性、面間均一性。在此評估測試5-1中，除了配置於晶舟3之上部(T)、中央部(C)、下部(B)之各槽的晶圓W2外，配置於上部與中央部之間(令此為TC)之槽的晶圓W2及配置於中央部與下部之間(令此為CB)的槽之晶圓W2，也算出膜厚之平均值、面內均一性、面間均一性。又，在此評估測試5-1中，使用在圖2所說明之L1、L2、L3分別為3mm、25mm、8mm之屏蔽體7，進行了成膜處理。
評估測試5-2與評估測試5-1同樣地進行測試，算出了晶圓W2之膜厚的平均值、面內均一性、面間均一性。惟，在此評估測試5-2中，使用L1為2mm、L2為25mm、L3為17mm之屏蔽體7，進行了成膜處理。又，比較測試5與比較測試2-1同樣地，使用具有從後方往前方看時連接部73之左側未設主板71及副板72之屏蔽體7的成膜裝置1，進行成膜處理1次，算出了晶圓W2之膜厚的平均值、面內均一性、面間均一性。在此屏蔽體7中，L1為2mm，L2為25mm。
圖18之曲線圖與圖11之曲線圖同樣地顯示評估測試5-1、評估測試5-2、比較測試5之結果。當顯示在評估測試5-1之第1次成膜處理所得的各值時，關於T、TC、C、CB、B，膜厚之平均值分別為282.6Å、282.7Å、283.3Å、283.8Å、283.4Å，面內均一性分別為1.96%、1.94%、1.84%、1.83%、1.99%。又，此評估測試5-1之第1次成膜處理的面間均一性為0.21%。當顯示在評估測試5-2之第1次成膜 處理所得的各值時，關於T、TC、C、CB、B，膜厚之平均值分別為284.6Å、284.7Å、284.8Å、285.1Å、284.3Å，面內均一性分別為1.73%、1.79%、1.76%、1.85%、2.04%。又，此評估測試5-2之第1次成膜處理的面間均一性為0.14%。如曲線圖所示，評估測試5-1、5-2皆是關於在第2次、第3次成膜所得之膜厚的平均值、面內均一性、面間均一性，相對於在第1次成膜所得之該等各值，未看出大幅差異。
當顯示在比較測試5之成膜處理所得的各值時，關於T、TC、C、CB、B，膜厚之平均值分別為282.1Å、280.8Å、279.8Å、280.0Å、279.9Å，面內均一性分別為1.98%、3.17%、2.99%、3.48%、3.23%。又，面間均一性為0.41%。
如此在評估測試5-1、5-2、比較測試5中，以大約相同之膜厚進行了成膜，關於面內均一性及面間均一性，比起比較測試5，評估測試5-1、5-2之結果較好。此係如在發明之實施形態所說明，因在評估測試5-1、5-2，比比較測試5大幅屏蔽電場，而可抑制離子之作用。從此種評估測試5之結果，顯示了本發明之效果。
又，比較評估測試5-1之結果與評估測試5-2之結果，評估測試5-2之面內均一性及面間均一性較好。從此結果，可視為藉在圖2所示之L3構造成較長，而大幅屏蔽電場，對獲得更高之膜厚均一性有效。此外，在此評估測試5-1及評估測試5-2中，雖然使用了L3比L2短之屏蔽體7，但由於如上述，使L3越長，便可越大幅屏蔽電場，故L3不論與L2相同或比L2長，均可獲得良好之面內均一性及面間均一性。
而在圖1、圖5等所說明之屏蔽體7構造成在電漿形成盒41之左右各側壁，於延亙上下方向全體之區域設主板71及副板72，但不限如此構成屏蔽體。具體而 言，亦可將屏蔽體形成為在電漿形成盒41之左右各側壁，主板71及副板72從上下方向之僅一部分的局部區域延伸出。藉設此種屏蔽體，可調整電漿形成盒41內之上下方向的電漿之強度，而謀求以晶舟3分別於上下方向載置之晶圓W間的處理之均一性的提高。
如此關於用以調整上下之電漿強度的屏蔽體，以與屏蔽體7之差異點為中心，具體舉例說明。在圖19所示之屏蔽體74中，主板71及副板72之上下方向的長度構造成小於上述屏蔽體7之主板71及副板72之上下方向的長度，屏蔽體74之各主板71在電漿形成盒41之左右側壁，限定設於上下方向之中央部。又，各副板72亦是在電漿形成盒41之左右側壁，設成限定覆蓋上下方向之中央部。藉如此構成屏蔽體74，電漿形成盒41內之上下方向的中央部之電漿強度比上部及下部之電漿強度小。此外，與屏蔽體7同樣地，屏蔽體74之主板71及副板72亦以連接部73支撐於電漿形成盒41，連接部73之左右兩端往下方延伸出比較長來連接於各副板72而使該主板71及副板72如上述設於電漿形成盒41之上下方向的中央部。
於圖20顯示屏蔽體75。在此屏蔽體75，構造成主板71及副板72被上下分割而彼此隔開距離而使電漿形成盒41內之上下方向的中央部之電漿強度比上部及下部之電漿強度大。藉此種結構，主板71及副板72不設於電漿形成盒41之上下方向的中央部而僅設於上部及下部。再者，在電漿形成盒41之左側、右側，各下側副板72對上側副板72以棒狀構件76支撐。該棒狀構件76具導電性，垂直地設成連接上側副板72之下端的前方側與下側副板72之上端的前方側。
又，於圖21顯示屏蔽體77。此屏蔽體77之主板71及副板72的上下長度比屏蔽體7之主板71及副板72的上下長度短，而構造成僅於使電漿形成盒41上下均等或大概均等地分割為二來觀看時的上側設主板71及副板72。藉如此構成屏蔽體77，可使電漿形成盒41之上部側的電漿強度小於下部側之電漿強度。
又，於圖22顯示屏蔽體70。此屏蔽體70與在圖21所說明之屏蔽體77大約同樣地構成，而構造成僅於使電漿形成盒41上下均等或大概均等地分割為二來觀看時的下側設該主板71及副板72。亦即，屏蔽體70構造成電漿形成盒41之下部側的電漿強度比上部側的電漿強度小。
在電漿形成盒41之上下方向的一部分，為使電漿強度大，在主板71及副板72之中僅不設主板71亦可。圖23所示之屏蔽體78與在圖1等說明之屏蔽體7不同，構造成將電漿形成盒41上下分割為三成上部、中央部、下部來觀看時，中央部未設主板71，藉此，該中央部之電漿強度較大。屏蔽體78之副板72與屏蔽體7之副板72同樣地，從電漿形成盒41之上端延亙至下端而設。
在上述各例中，構造成在電漿形成盒41之左側、右側，主板71及副板72位於彼此相同之高度，亦可如圖24所示之屏蔽體79般，藉構造成左側主板71及副板72之高度與右側之主板71及副板72之高度彼此錯開，而調整各高度之電漿強度。在電漿形成盒41之各高度區域，左右皆配置主板71及副板72之區域比僅左右其中一者配置主板71及副板72之區域，更可抑制電漿之強度。在屏蔽體79，僅電漿形成盒41之上下的中央部左右設有主板71及副板72。又，如前述，在電漿形成盒41之左側及右側，各主板71與副板72形成為於上下方向觀看時呈L字形，此L字形並不限主板71與副板72構成之角度為90°，可大於90°，亦可小於 90°。例如在上下方向觀看，主板71與副板72構成之角為60°~120°時，呈L字形。

Claims (7)

  1. 一種基板處理裝置，將把複數之基板保持成櫃架狀之晶舟搬入至立式處理容器內，供給處理氣體來進行處理，該基板處理裝置包含：凸部，藉由以該處理容器之側周壁凸起至外側，而形成「與儲存該晶舟來進行處理之處理空間連通的縱長空間」；氣體吐出部，設於該縱長空間，可將該處理氣體吐出至該處理空間；天線，於該凸部沿著縱方向設置，並可被供給射頻電力以在該縱長空間將該處理氣體電漿化；及屏蔽體，在該凸部從比該天線更靠該處理空間之位置分別往左右延伸出，將由該天線所形成之電場予以屏蔽，抑制在該處理空間形成電漿。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，於該晶舟保持作為該複數之基板的第1基板及第2基板，該第1基板之表面側的表面積為該第2基板之表面側的表面積之10倍以上。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之基板處理裝置，其中，該屏蔽體從在該凸部往左右分別延伸出之各位置朝該處理空間側延伸出，而在上下方向觀看時形成L字形。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，該屏蔽體藉從該凸部之上下方向的一部分之局部區域往左右其中一方且朝該理空間側延伸出，而在該上下方向觀看時形成L字形。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，在該縱長空間與保持於該晶舟的該基板之間，設置由用來吸引構成該電漿之離子的介電體所構成之吸引部。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，包含：旋轉機構，使該晶舟旋轉以令保持於該晶舟之各基板繞該各基板之中心軸旋轉；該吸引部係設於該基板間之複數的板狀構件，在各基板的全周，該板狀構件之周緣位於各該基板之周緣的外側。
  7. 一種基板處理方法，其係使用基板處理裝置之基板處理方法，該基板處理裝置將把複數之基板保持成櫃架狀之晶舟搬入至立式處理容器內，供給處理氣體來進行處理，該基板處理方法包含下列製程：(1)從氣體吐出部將該處理氣體吐出至「儲存該晶舟來進行處理之處理空間」，該氣體吐出部設於「藉該處理容器之側周壁凸起至外側而形成與該處理空間連通的縱長空間之凸部的該縱長空間」；(2)將射頻電力供至在該凸部沿著縱方向設置之天線，而在該縱長空間將該處理氣體電漿化；(3)藉由「在該凸部從比該天線更靠該處理空間之位置分別往左右延伸出的屏蔽體」，屏蔽以該天線形成之電場，而抑制在該處理空間形成電漿。
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