KR100830850B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 복수의 반도체 기판들을 동시에 처리하는 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정시 하나의 하우징에서 복수의 기판들을 수용하여 각각의 기판들을 처리하되, 각각의 기판들이 처리되는 공간들은 공정시 서로 영향을 받지 않고, 서로 균등한 공정 조건을 갖도록 균등하게 구획됨으로써, 각각의 기판들의 공정 효율의 균일성 확보 및 공정 효율 향상을 도모한다.

반도체, 기판, 공정챔버, 구획, 격리,

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATING APPARATUS}

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성도이다.

도 2는 도 1에 도시된 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성도이다.

도 4는 도 3에 도시된 B-B'선을 따라 절단한 단면도이다.

도 5는 본 발명의 기판 처리 장치의 공정 과정을 보여주는 도면이다.

*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명*

100 : 기판 처리 장치

110 : 하우징

120 : 지지부재

130 : 가스공급부재

140 : 플라즈마 생성부재

150 : 배기부재

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 반도체 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.

일반적인 반도체 집적회로 칩 제조 공정은 포토레지스트(photoresist)를 사용하는 리소그래피(lithography) 공정을 포함한다. 포토레지스트는 빛에 감응하는 유기 고분자 또는 감광제와 고분자의 혼합물로 이루어진다. 리소그래피 공정은 기판상에 도포된 포토레지스트를 광원을 이용하여 기판상에 미세 패턴을 형성시키는 공정이다. 기판상에 라인(line) 또는 스페이스(space) 패턴 등과 같은 각종의 미세회로패턴들을 형성하거나 이온 주입(ion implantation) 공정에서 마스크(mask)로 이용된 포토레지스트는 주로 애싱(ashing) 공정을 통하여 기판으로부터 제거된다.

애싱 공정을 수행하는 장치는 하우징, 복수의 척들, 그리고 가스공급부재를 가진다. 하우징은 내부에 애싱 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 척은 하우징 내부에 두 개가 나란히 설치되며, 각각의 척은 공정시 기판을 지지한다. 그리고, 가스공급부재는 공정시 상기 척들에 안착된 기판들로 처리가스를 공급한다.

그러나, 상술한 구조를 가지는 기판 처리 장치는 공정시 기판 처리면에 균일한 공정처리가 어려웠다. 예컨대, 플라즈마를 사용하여 기판을 처리하는 공정에 있어서는 기판 표면에 플라즈마의 균일한 공급 및 배기 등이 이루어져야 한다. 그러나, 상술한 장치는 웨이퍼 주변부의 환경이 상이하고 지지부재 사이의 영역에서 처리가스의 혼합 및 배기가 간섭을 받는 구조를 가지므로, 각각의 공정공간에서 독립적이고 균등한 공정 효율을 얻기 어려웠다.

상술한 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 공정 효율을 향상시키는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 특히, 본 발명은 복수의 기판을 동시에 처리하는 장치에 있어서 공정이 수행되는 각각의 기판들에 균등한 공정 효율을 얻을 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 내부에 기판 처리 공정이 수행되는 하우징, 공정시 상기 하우징 내부 공간을 복수의 공정공간들로 구획하는 구획벽, 상기 공정공간들 각각에 설치되어 공정시 기판을 지지하는 지지부재, 그리고 상기 하우징 내 가스를 배기하는 배기부재를 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 구획벽은 상기 공정공간 각각이 지지부재에 놓여진 기판의 중심을 기준으로 대칭이 되도록 형상지어진다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 구획벽은 상기 지지부재들의 중심을 지나며 상기 구획벽과 평행하는 선을 중심으로 상기 공정공간의 측벽이 좌우대칭되도록 형상지어진다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 하우징의 하부벽에는 각각의 상기 지지부재를 중심을 기준으로 상기 지지부재를 감싸도록 링 형상으로 형성되어 상기 하우징 내 가스를 배출시키는 배기구들이 제공되고, 상기 배기부재는 상기 배기구들과 연결되는 링 형상의 단일 배기관들 및 상기 단일 배기관들 사이에 위치되며 이들 각각과 연결되어 상기 공정공간들 내 가스를 배출시키는 공통 배기관을 구비한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 상기 배기구들과 인접한 위치에서 상기 공정공간들 각각으로부터 배기되는 가스들이 독립적으로 배기되도록 상기 공통 배기관 내 배기공간을 구획하는 격벽을 더 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 격벽은 상기 구획벽으로부터 아래방향으로 연장되어 상기 공통 배기관 내 배기공간을 상기 격벽을 중심으로 좌우대칭되도록 구획한다.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 반도체 기판상에 애싱 공정을 수행하는 장치에 있어서, 내부에 기판 처리 공정이 수행되는 하우징, 상기 하우징 내부에 설치되어 공정시 기판을 지지하는 복수의 지지부재들, 상기 지지부재들 각각에 전력을 인가하는 전력인가기, 플라즈마를 발생시켜 상기 하우징 내부로 플라즈마를 공급하는 플라즈마 생성부재, 상기 하우징 내 가스를 배기시키는 배기부재, 그리고 상기 지지부재들이 설치되는 상기 하우징 내 공정공간들 및 상기 배기부재의 배기공간을 구획하는 구획부재를 포함하되, 상기 배기부재는 상기 하우징의 하부벽에서 상기 지지부재들 각각의 중심을 기준으로 환형으로 형성되는 배기구들을 통해 상기 공정공간들 내 가스를 배출시키는 공통 배기관을 포함하고, 상기 구획부재는 상기 하우징 내부에서 상기 공정공간들을 구획하는 구획벽 및 상기 공정공간들 각각으로부터 배기되는 가스들이 독립적으로 배기되도록 상기 공통 배기관 내 배기공간을 구획하는 격벽을 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 구획벽은 상기 지지부재들의 중심을 지나며 상기 구획벽과 평행하는 선을 중심으로 좌우대칭되도록 상기 공정공간들을 구획하고, 상기 격벽은 상기 격벽을 중심으로 좌우대칭되도록 상기 배기공간을 구획한 다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 배기부재는 상기 배기구들과 상기 공통 배기관 사이에 제공되며, 상기 배기구로부터 환형으로 연장되는 단일 배기관을 더 포함한다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 또한, 본 실시예에서는 플라즈마를 생성하여 반도체 기판상에 애싱 공정을 수행하는 장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 복수의 웨이퍼를 동시에 처리하는 모든 반도체 제조 장치에 적용이 가능하다.

(실시예)

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(substrate treating apparatus)(100)는 하우징(housing)(110), 지지부재(support member)(120), 가스공급부재(gas supply member)(130), 플라즈마 생성부재(plasma generating member)(140), 배기부재(exhaust member)(150), 그리고 구획부 재(division member)(160)를 포함한다.

하우징(110)은 내부에 애싱 공정(ashing process) 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 하우징(110)의 내부는 공정시 두 개의 기판(W)을 동시에 처리할 수 있는 구조를 가진다. 즉, 하우징(110) 내부 공간은 제1 공간(a) 및 제2 공간(b)으로 구획된다. 제1 공간(a) 및 제2 공간(b) 각각은 공정시 수용된 낱장의 기판(W)상에 애싱 공정이 수행되는 공간이다. 하우징(110)의 측벽에는 공정시 기판(W)의 출입이 이루어지는 기판출입구(112)가 형성된다. 기판출입구(112)는 슬릿도어(slit door)와 같은 개폐부재(114)에 의해 개폐된다. 그리고, 하우징(110)의 하부벽에는 하우징(110) 내 가스가 배기되는 배기구(116)가 제공된다. 배기구(116)는 각각의 지지부재(120)를 중심으로 환형으로 형성된다. 본 실시예에서는 두 개의 공정공간을 가지는 하우징(110)을 예로 들어 설명하였으나, 하우징(110) 내 공정공간은 세 개 이상일 수도 있다.

지지부재(120)는 공정시 기판(W)을 지지한다. 지지부재(120)는 제1 공간(a)에 설치되는 제1 지지부재(122) 및 제2 공간(b)에 설치되는 제2 지지부재(124)를 포함한다. 제1 및 제2 지지부재(122, 124)로는 정전척(electrode chuck)이 사용될 수 있다. 또한, 지지부재(120)는 공정시 기판(W)을 안착시켜 기설정된 공정온도로 가열한다. 이를 위해, 지지부재(120)는 기판(W)의 로딩 및 언로딩을 위한 리프트 핀들(lift pin)(미도시됨) 및 적어도 하나의 히터(heater)(미도시됨)를 포함한다. 그리고, 지지부재(120)에는 전력인가기(122a, 122b)가 연결된다. 전력인가기(122a)는 제1 지지부재(122)에 기설정된 바이어스 전력을 인가하고, 전력인가기(122b)는 제2 지지부재(124)에 기설정된 바이어스 전력을 인가한다.

가스공급부재(130)는 공정시 하우징(110) 내부로 플라즈마(plasma)를 분사한다. 가스공급부재(130)는 하우징(110)의 상부벽에 설치된다. 가스공급부재(130)는 제1 공급부재(132) 및 제2 공급부재(134)를 포함한다. 제1 공급부재(132)는 공정시 제1 지지부재(122)에 안착된 기판(W)을 향해 플라즈마를 분사하고, 제2 공급부재(134)는 공정시 제2 지지부재(124)에 안착된 기판(W)을 향해 플라즈마를 분사한다. 가스공급부재(130)로는 샤워헤드(shower head)가 사용될 수 있다.

플라즈마 생성부재(140)는 공정시 플라즈마를 발생시켜 가스공급부재(130)로 공급한다. 플라즈마 생성부재(140)로는 원격 플라즈마 발생장치(remote plasma generating apparatus)가 사용된다. 플라즈마 생성부재(140)는 제1 생성부재(142) 및 제2 생성부재(144)를 포함한다. 제1 생성부재(142)는 공정시 제1 공급부재(132)로 플라즈마를 공급하고, 제2 생성부재(144)는 공정시 제2 공급부재(134)로 플라즈마를 공급한다. 제1 및 제2 생성부재(142, 144) 각각은 마그네트론(magnetron)(142a, 144a), 도파관(wave guide line)(142b, 144b), 그리고 가스 공급관(gas supply line)(142c, 144c)을 포함한다. 마그네트론(142a, 144a)은 공정시 플라즈마 생성을 위한 마이크로파(micro wave)를 발생시킨다. 도파관(142b)은 마그네트론(142a)에서 생성된 마이크로파를 가스 공급관(142c)으로 유도하고, 도파관(144b)은 마그네트론(144a)에서 생성된 마이크로파를 각각의 가스 공급관(144c)으로 유도한다. 가스 공급관(142c, 144c)은 공정시 반응 가스를 공급한다. 이때, 마그네트론(142a, 144b)에서 생성된 마이크로파에 의해 가스 공급관(142c, 144c)을 통해 공급받은 반응가스로부터 플라즈마가 발생된다. 플라즈마 생성부재(140)에서 생성된 플라즈마는 애싱 공정시 가스공급부재(130)로 공급된다.

배기부재(150)는 하우징(110)의 압력 조절 및 내부 공기의 배기를 수행한다. 배기부재(150)는 공통 배기관(152), 메인 배기관(154), 그리고 감압부재(156)를 포함한다. 배기관(152)은 공정챔버(10) 내부 가스를 외부로 배기시킨다. 공통 배기관(152)은 제1 및 제2 공간(a, b) 내 가스를 모두 배기하도록 하우징(110)의 배기구(116)와 연결된다. 여기서, 보다 효과적인 분리배기를 위해 배기부재(150)는 단일 배기관(152a)을 더 구비할 수 있다. 단일 배기관(152a)은 배기구(116)로부터 아래방향으로 환형으로 연장된다. 단일 배기관(152a)은 공정시 제1 및 제2 공간(a, b)으로부터 배기구(116)를 통해 배기되는 가스가 균일한 흐름으로 공통 배기관(152)으로 이동되도록 한다. 단일 배기관(152a)은 배기구(116)를 통해 배기되는 가스의 역류 및 흐름의 불균일을 방지한다. 공통 배기관(152)은 단일 배기관(152a) 사이에서 단일 각각의 제1 및 제2 공간(a, b)과 연결되는 배기관(152a)으로부터 배기되는 가스를 배기시킨다. 메인 배기관(154)은 공통 배기관(152)과 연결된다. 감압부재(156)는 메인 배기관(154)에 설치된다. 감압부재(156)는 하우징(110) 내부 압력을 감압하도록 제1 및 제2 공간(a, b) 내 가스를 강제로 흡입한다. 감압부재(156)로는 진공펌프(vacuum pump)가 사용될 수 있다.

구획부재(160)는 구획벽(162) 및 격벽(164)을 포함한다. 구획벽(162)은 제1 공간(a) 및 제2 공간(b)가 동등한 구조를 갖도록 하우징(110) 내부를 구획한다. 구획벽(162)은 하우징(110) 내부 중앙에서 상하로 수직하게 설치된다. 이때, 구획 벽(162)은 제1 공간(a) 및 제2 공간(b) 각각이 선(X2, X3)을 기준으로 좌우 대칭되도록 하우징(110) 내부를 구획한다. 선(X2)은 제1 지지부재(122)의 중심을 가로지르는 가상선이고, 선(X3)은 제2 지지부재(124)의 중심을 가로지르는 가상선이다. 이때, 선(X2, X3)은 구획벽(162)을 수직하게 가로지르는 선(X1)과 평행하다. 구획벽(162)의 외측면(162a)은 선(X2, X3)을 기준으로 하우징(110)의 내측면(111)과 대칭되는 형상으로 제작된다.

격벽(164)은 제1 공간(a) 및 제2 공간(b)으로부터 배기되는 가스가 분리배기되도록 공통 배기관(152) 내부의 배기공간을 구획한다. 격벽(164)은 구획벽(162)으로부터 아래방향으로 수직하게 연장된다. 격벽(164)은 공통 배기관(152)과 메인 배기관(154)이 연결되는 부분까지 연장되는 것이 바람직하다. 격벽(164)은 제1 공간(a) 내 가스가 배기되는 제1 배기공간(c)과 제2 공간(b) 내 가스가 배기되는 제2 배기공간(d)이 서로 동등한 구조를 갖도록 공통 배기관(152)을 구획한다.

구획부재(160)는 제1 공간(a) 및 제2 공간(b)의 분리배기를 위해 제공된다. 또한, 구획부재(160)는 제1 지지부재(122)에 인가되는 전력과 제2 지지부재(124)에 인가되는 전력이 서로 영향을 받지 않도록 제1 공간(a) 및 제2 공간(b)을 구획한다. 따라서, 구획부재(100)의 재질은 절연체인 것이 바람직하다.

본 실시예에서는 구획부재(160)가 일체형의 구획벽(162) 및 격벽(164)을 구비하여 하우징(110) 및 공통 배기관(152)을 구획하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 구획부재의 구조 및 형상, 그리고 설치 방식은 다양하게 변경 및 변형될 수 있다. 예컨대, 구획부재(160)는 구획벽(162)과 격벽(164)이 서로 분리가능한 구조로 이루어질 수 있으며, 구획벽(162)과 격벽(164)은 복수개로 이루어질 수 있다. 또는, 구획부재(160)의 구획벽(162)은 하우징(110)에 고정설치되고, 격벽(166)은 공통 배기관(152)에 고정설치되어 기판 처리 장치(100)의 조립시 구획벽과 격벽이 서로 체결되는 구성일 수도 있다.

여기서, 도 2를 참조하면, 하우징(110)에 형성되는 기판출입구(112)는 하우징(110)의 내측면에서 파여진 형상을 가진다. 따라서, 공정시 기판출입구(112) 부분에서는 하우징(110) 내 다른 영역에서와는 다른 가스 및 플라즈마의 흐름이 발생되어 기판처리공정의 효율을 저하시킬 수 있다. 따라서, 기판출입구(112)에 의한 가스 및 플라즈마의 흐름 변화를 방지하기 위해 하우징(110) 내부 구조를 개선할 필요성이 있다. 즉, 본 발명의 다른 실시예로서, 도 3 및 도 4를 참조하면, 하우징(110')의 내측면(111)에는 환형의 홈(111a, 111b)이 형성된다. 홈(111a)은 하우징(110) 제1 공간(a)의 내측면(111)에 형성되고, 홈(111b)은 하우징(110)의 제2 공간(b)의 내측면(111)에 형성된다. 각각의 홈(111a, 111b)은 기판출입구(112)의 형상과 동일한 구조를 가지며, 하우징(110)의 내측면(111)을 따라 환형으로 제공된다. 또한, 구획부재(160')의 내측면(162a, 162b)에도 상기 홈(111a, 111b)과 동일한 형상의 홈(162a', 162b')이 형성된다. 홈(162a')은 구획벽(162)의 제1 공간(a) 방향의 내측면(162a)에 형성되고, 홈(162b')은 구획벽(162)의 제2 공간(b) 방향의 내측면(162b)에 형성된다. 각각의 홈(162a' 162b')은 상술한 홈(111a, 111b)과 동일한 구조로 서로 대칭되는 형상을 가진다. 따라서, 하우징(110)의 제1 공간(a) 및 제2 공간(b)은 기판출입구(112)에 대한 부분까지 동등한 구조를 가질 수 있어, 공 정시 가스공급부재(130)를 통해 분사되는 플라즈마 및 가스가 제1 공간(a) 및 제2 공간(b) 내 모든 부분에서 동일한 흐름으로 이동된 후 배기부재(150)로 배기될 수 있다.

이하, 상술한 구성을 가지는 기판 처리 장치(100)의 공정 과정을 상세히 설명한다. 여기서, 상술한 구성들과 동일한 구성들에 대한 참조번호는 동일하게 병기하고, 그 구성들에 대한 상세한 설명은 생략한다.

도 5는 본 발명의 기판 처리 장치의 공정 과정을 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면, 기판 처리 장치(100)의 공정이 개시되면, 기판들(W)은 기판 출입구(112)를 통해 제1 지지부재(122) 및 제2 지지부재(124)에 각각 로딩(loading)된다. 기판들(W)이 지지부재(120)에 로딩되면, 기판(W)은 지지부재(120)에 제공된 히터에 의해 기설정된 온도로 가열된다. 그리고, 전력인가기(122a, 122b)는 제1 및 제2 지지부재(122, 124) 각각에 바이어스 전력을 인가한다. 또한, 감압부재(156)는 하우징(110) 내부 공기를 강제흡입하여, 하우징(110) 내부 압력을 기설정된 압력으로 감압한다.

하우징(110) 내부 공정 압력 및 온도 등의 공정 조건이 기설정된 조건을 만족하면, 플라즈마 생성부재(140)는 플라즈마를 생성하여 가스공급부재(130)로 공급하고, 배기부재(150)는 하우징(110) 내부 압력을 일정압력을 유지시킨다. 가스공급부재(130)를 통해 분사되는 플라즈마는 기판(W) 표면의 불필요한 레지스트를 제거한다. 그리고, 배기부재(150)는 하우징(110) 내부로 공급된 플라즈마 및 공정가스를 일정 유량으로 배기시켜, 하우징(110) 내부 압력을 유지한다. 기판(W) 표면에 레지스트가 제거되면, 기판(W)은 지지부재(120)로부터 언로딩(unloading)된 후 기판 출입구(112)를 통해 하우징(110)로부터 반출된다.

상술한 기판(W) 표면의 레지스트 제거 공정(애싱 공정)이 수행되는 과정에서, 제1 공간(a) 및 제2 공간(b) 각각의 배기는 독립적으로 이루어진다. 즉, 제1 공간(a) 내 플라즈마 및 공정가스는 구획부재(160)에 의해 공통 배기관(152) 내 제1 배기공간(c)으로 배기되고, 제2 공간(b) 내 플라즈마 및 공정가스는 구획부재(160)에 의해 공통 배기관(152) 내 제2 배기공간(d)으로 배기된다. 이때, 제1 및 제2 공간(a, b)으로부터 배기되는 가스는 단일 배기관(152a)에 의해 역류가 방지된다. 따라서, 제1 공간(a)과 제2 공간(b)으로 공급된 가스는 서로 독립적으로 분리배기되며, 제1 공간(a)과 제2 공간(b) 내 플라즈마 및 가스의 흐름은 서로 동일한 흐름을 가진다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 하나의 하우징 내부에 복수의 지지부재들을 구비하여 복수의 기판을 동시에 처리할 때, 각각의 기판이 처리되는 공정공간들을 동등한 크기 및 구조, 그리고 지지부재를 중심으로 좌우대칭되는 구조를 갖도록 하우징 내부를 구획함으로써, 각각의 기판들 상에 균일하고 동등한 공정 처리를 수행할 수 있다.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판들 각각의 처리 공정이 이루어지는 공정공간들이 상호간에 영향을 받지 않도록 구획시켜 각각의 공간들 상호간에 공정 조건을 동등하게 제공함으로써 공정 효율을 향상시킨다.

또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 상기 공정공간들이 지지부재를 중심으로 좌우대칭되는 구조로 구획되고, 서로 동일한 크기 및 구조를 갖도록 구획됨으로써, 각각의 공정공간에서 기판의 동등한 공정 처리가 가능하다.

Claims (11)

1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,

   내부에 기판 처리 공정이 수행되는 하우징과,

   공정시 상기 하우징 내부 공간을 복수의 공정공간들로 구획하는 구획벽과,

   상기 공정공간들 각각에 설치되어 공정시 기판을 지지하는 지지부재와,

   상기 하우징 내 가스를 배기하는 배기부재를 포함하고,

   상기 하우징의 하부벽에는, 각각의 상기 지지부재를 중심을 기준으로 상기 지지부재를 감싸도록 링 형상으로 형성되어 상기 하우징 내 가스를 배출시키는 배기구들이 제공되며,

   상기 배기부재는, 상기 배기구들과 연결되는 링 형상의 단일 배기관들과, 상기 단일 배기관들 사이에 위치되며 이들 각각과 연결되어 상기 공정공간들 내 가스를 배출시키는 공통 배기관을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 구획벽은,

   상기 공정공간 각각이 지지부재에 놓여진 기판의 중심을 기준으로 대칭이 되도록 형상지어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 구획벽은,

   상기 지지부재들의 중심을 지나며 상기 구획벽과 평행하는 선을 중심으로 상기 공정공간의 측벽이 좌우대칭되도록 형상지어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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5. 제 1 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 기판 처리 장치는,

   상기 배기구들과 인접한 위치에서 상기 공정공간들 각각으로부터 배기되는 가스들이 독립적으로 배기되도록 상기 공통 배기관 내 배기공간을 구획하는 격벽을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
6. 제 5 항에 있어서,

   상기 격벽은,

   상기 구획벽으로부터 아래방향으로 연장되어 상기 공통 배기관 내 배기공간을 상기 격벽을 중심으로 좌우대칭되도록 구획하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치
7. 반도체 기판상에 애싱 공정을 수행하는 장치에 있어서,

   내부에 기판 처리 공정이 수행되는 하우징과,

   상기 하우징 내부에 설치되어 공정시 기판을 지지하는 복수의 지지부재들과,

   상기 지지부재들 각각에 전력을 인가하는 전력인가기와,

   플라즈마를 발생시켜 상기 하우징 내부로 플라즈마를 공급하는 플라즈마 생성부재와,

   상기 하우징 내 가스를 배기시키는 배기부재와,

   상기 지지부재들이 설치되는 상기 하우징 내 공정공간들 및 상기 배기부재의 배기공간을 구획하는 구획부재를 포함하되,

   상기 배기부재는,

   상기 하우징의 하부벽에서 상기 지지부재들 각각의 중심을 기준으로 환형으로 형성되는 배기구들을 통해 상기 공정공간들 내 가스를 배출시키는 공통 배기관을 포함하고,

   상기 구획부재는,

   상기 하우징 내부에서 상기 공정공간들을 구획하는 구획벽과,

   상기 공정공간들 각각으로부터 배기되는 가스들이 독립적으로 배기되도록 상기 공통 배기관 내 배기공간을 구획하는 격벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
8. 제 7 항에 있어서,

   상기 구획벽은,

   상기 지지부재들의 중심을 지나며 상기 구획벽과 평행하는 선을 중심으로 좌우대칭되도록 상기 공정공간들을 구획하고,

   상기 격벽은,

   상기 격벽을 중심으로 좌우대칭되도록 상기 배기공간을 구획하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,

   상기 배기부재는,

   상기 배기구들과 상기 공통 배기관 사이에 제공되며, 상기 배기구로부터 환형으로 연장되는 단일 배기관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
10. 기판을 처리하는 장치에 있어서,

    내부에 기판 처리 공정이 수행되는 하우징과,

    공정시 상기 하우징 내부 공간을 복수의 공정공간들로 구획하는 구획벽과,

    상기 공정공간들 각각에 설치되어 공정시 기판을 지지하는 지지부재와,

    상기 하우징 내 가스를 배기하는 배기부재를 포함하고,

    상기 하우징의 바닥면에는 각 공정 공간에 대응하여 배기구들이 형성되고, 각 배기구는 해당 공정 공간에 구비된 지지부재를 감싸도록 링 형상으로 형성되어 상기 공정 공간 내 가스를 균등 배기시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
11. 제10항에 있어서, 상기 배기부재는,

    상기 배기구들과 연결되는 링 형상의 단일 배기관들; 및

    상기 단일 배기관들 사이에 위치되며 이들 각각과 연결되어 상기 공정공간들 내 가스를 배출시키는 공통 배기관을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.

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