KR20140028703A - 배플, 배플 어셈블리, 상기 배플을 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 상기 장치를 이용한 기판 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 배플을 제공한다. 배플은 가스들이 공급되는 소스 공간에 장착되어 상기 가스들을 분배하며, 제1가스가 유입되어 단독으로 아래 방향으로 흐르는 제1그룹의 홀들; 제2가스가 유입되어 단독으로 아래 방향으로 흐르는 제2그룹의 홀들; 및 상기 제1가스와 상기 제2가스가 유입되고, 이들이 혼합된 혼합가스가 아래 방향으로 흐르는 제3그룹의 홀들이 형성된다.

Description

배플, 배플 어셈블리, 상기 배플을 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 상기 장치를 이용한 기판 처리 방법{BAFFLE, BAFFLE ASSEMBLY, SUBSTRATE TREATING APPARATUS INCLUDING THE BAFFLE, AND SUBSTRATE TREATING METHOD USING THE APPARATUS}
본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라스마를 이용하여 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
플라즈마는 이온이나 전자, 라디칼(Radical) 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말하며, 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다.
이러한 플라스마는 반도체 소자를 제조하기 위하여 포토레지스트(photoresist)를 사용하는 리소그래피(lithography) 공정에서 다양하게 활용된다. 일 예로, 기판상에 라인(line) 또는 스페이스(space) 패턴 등과 같은 각종의 미세 회로 패턴들을 형성하거나 이온 주입(ion implantation) 공정에서 마스크(mask)로 이용된 포토레지스트막을 제거하는 애싱(ashing) 공정에서 활용도가 점점 높아지고 있다.
한국등록특허 제10-1165725호에는 애싱 공정을 수행하는 기판 처리 장치가 개시된다. 플라스마 소스 가스는 반응기 내부에 작용하는 자기장에 의해 플라스마 상태로 방전되고, 방전된 소스 가스는 보조 가스와 에너지를 교환하여 보조 가스가 간접 방전된다. 방전된 소스 가스와 보조 가스는 기판으로 제공되어 포토레지스트막을 제거한다.
상술한 기판 처리 장치의 경우, 소스 가스와 보조 가스의 유량 및 혼합비가 가스가 공급되는 영역별로 조절되지 않으므로, 애싱율이 기판의 영역별로 조절되지 않는다.
본 발명은 기판에 도포된 막을 균일하게 제거할 수 있는 장치 및 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 라디칼 발생량을 증가시킬 수 있는 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 배플은 가스들이 공급되는 소스 공간에 장착되어 상기 가스들을 분배하며, 제1가스가 유입되어 단독으로 아래 방향으로 흐르는 제1그룹의 홀들; 제2가스가 유입되어 단독으로 아래 방향으로 흐르는 제2그룹의 홀들; 및 상기 제1가스와 상기 제2가스가 유입되고, 이들이 혼합된 혼합가스가 아래 방향으로 흐르는 제3그룹의 홀들이 형성된다.
또한, 상기 제3그룹의 홀들은 상기 배플의 중심 영역에 형성될 수 있다.
또한, 상기 제3그룹의 홀들은 상기 배플의 가장 자리 영역에 형성될 수 있다.
또한, 상기 제3그룹의 홀들 중 일부는 상기 배플의 중심 영역에 형성되고, 나머지는 상기 배플의 가장자리 영역에 형성될 수 있다.
또한, 상기 제3그룹의 홀들은 링 형상으로 배치될 수 있다.
또한, 상기 제1그룹 및 상기 제3그룹의 홀들은 상기 배플의 상면으로부터 하면으로 연장된 홀이고, 상기 제2그룹의 홀들은 상부가 막히고 하부가 개방된 홀이며, 상기 배플에는, 상기 제2그룹 및 상기 제3 그룹의 홀들로 상기 제2가스를 공급하는 가스 공급 유로가 상기 제1그룹의 홀들과 분리되어 형성될 수 있다.
또한, 상기 가스 공급 유로는 상기 제2그룹의 홀들로 상기 제2가스를 공급하는 제1공급 유로; 및 상기 제1공급 유로와 분리되며, 상기 제3그룹의 홀들로 상기 제2가스를 공급하는 제2공급 유로를 포함할 수 있다.
또한, 상기 가스 공급 유로는 상기 제2그룹의 홀들에 상기 제2가스를 공급하는 제1공급 유로; 상기 제1공급 유로와 분리되며, 상기 제3그룹의 홀들 중 상기 배플의 중심영역에 위치하는 홀들로 상기 제2가스를 공급하는 제2공급 유로; 및 상기 제1공급 유로 및 상기 제2공급 유로와 분리되며, 상기 제3그룹의 홀들 중 상기 배플의 가장자리영역에 위치하는 홀들에 상기 제2가스를 공급하는 제3공급 유로를 포함할 수 있다.
또한, 상기 배플에는 동일한 그룹에 속하는 홀들을 연결하는 연결 유로들이 형성될 수 있다.
또한, 상기 제 1 내지 상기 제3그룹의 홀들은 각각 육각 형상의 단면을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 배플 어셈블리는 가스들이 공급되는 소스 공간에 장착가능한 배플들을 가지며, 제1가스가 단독으로 유입되어 흐르는 제1그룹의 홀들과, 제2가스가 단독으로 유입되어 흐르는 제2그룹의 홀들과, 상기 제1가스 및 상기 제2가스가 유입되고 이들이 혼합된 혼합가스가 흐르는 제3그룹의 홀들이 형성된 제1배플; 및
상기 제1가스가 단독으로 유입되어 흐르는 A그룹의 홀들과, 상기 제2가스가 단독으로 유입되어 흐르는 B그룹의 홀들과, 상기 제1가스 및 상기 제2가스가 유입되고 이들이 혼합된 혼합가스가 흐르는 C그룹의 홀들이 형성된 제2배플을 포함하되, 상기 제3그룹의 홀들이 형성된 상기 제1배플의 영역은 상기 C그룹의 홀들이 형성된 상기 제2배플의 영역과 상이하다.
또한, 상기 제3그룹의 홀들은 상기 제1배플의 중심영역에 형성되고, 상기 C그룹의 상기 제2배플의 가장자리영역에 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1그룹 및 상기 제3그룹의 홀들은 상기 제1배플의 상면으로부터 하면으로 제공되는 홀이고, 상기 A그룹 및 상기 C그룹의 홀들은 상기 제2배플의 상면으로부터 하면으로 제공되는 홀이며, 상기 제2그룹 및 상기 C그룹의 홀들은 상부가 막히고 하부가 개방된 홀이며, 상기 제1배플에는 상기 제2그룹의 홀들 및 상기 제3그룹의 홀들로 상기 제2가스를 공급하는 가스 공급 유로가 형성되고, 상기 제2배플에는 상기 B그룹의 홀들 및 상기 C그룹의 홀들로 상기 제2가스를 공급하는 가스 공급 유로가 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 내부에 처리공간이 형성된 공정 챔버; 상기 처리공간에 위치하며, 기판을 지지하는 서셉터; 상기 공정 챔버 상부에 위치하며, 제1가스가 방전되는 방전공간을 갖는 플라스마 발생부; 상기 공정 챔버와 상기 플라스마 발생부 사이에 위치하며, 상기 방전공간 및 상기 처리공간과 연통되는 소스공간을 갖는 연결 포트; 상기 연결 포트에 연결되며 제2가스를 공급하는 가스 공급부; 및 상기 소스공간에 장착되며, 방전된 상기 제1가스가 상부에서 유입되어 아래 방향으로 흐르는 제1그룹의 홀들과, 상기 가스 공급부로부터 상기 제2가스가 유입되어 아래 방향으로 흐르는 제2그룹의 홀들과, 방전된 상기 제1가스가 상부에서 유입되고 상기 가스 공급부로부터 상기 제2가스가 유입되며 이들이 혼합된 혼합가스가 아래 방향으로 흐르는 제3그룹의 홀들이 형성된 배플을 포함한다.
또한, 상기 제1그룹 및 상기 제3그룹의 홀들은 상기 배플의 상면으로부터 하면으로 연장되는 홀이고, 상기 제2그룹의 홀들은 상부가 막히고 하부가 개방된 홀이며, 상기 배플에는 상기 제2그룹 및 상기 제3그룹의 홀들과 상기 가스 공급부를 연결하는 가스 공급 유로가 형성될 수 있다.
또한, 상기 가스 공급 유로는 상기 가스 공급부와 상기 제2그룹의 홀들을 연결하는 제1공급 유로; 및 상기 제1공급 유로와 분리되며, 상기 가스 공급부와 상기 제3그룹의 홀들로 연결하는 제2공급 유로를 포함하며, 상기 가스 공급부는 상기 제1공급 유로에 공급되는 상기 제2가스의 유량과 상기 제2공급 유로에 공급되는 상기 제2가스의 유량이 상이하도록 조절가능할 수 있다.
또한, 상기 가스 공급 유로는 상기 제2그룹의 홀들과 상기 가스 공급부를 연결하는 제1공급 유로; 상기 제1공급 유로와 분리되며, 상기 제3그룹의 홀들 중 상기 배플의 중심영역에 위치하는 홀들과 상기 가스 공급부를 연결하는 제2공급 유로; 및 상기 제1 및 상기 제2공급 유로와 분리되며, 상기 제3그룹의 홀들 중 상기 배플의 가장자리영역에 위치하는 홀들과 상기 가스 공급부를 연결하는 제3공급 유로를 포함하며, 상기 가스 공급부는 상기 제2공급 유로에 공급되는 상기 제2가스의 유량과 상기 제3공급 유로에 공급되는 상기 제2가스의 유량이 상이하도록 조절가능할 수 있다.
또한, 상기 제3그룹의 홀들은 상기 배플의 중심 영역에 형성될 수 있다.
또한, 상기 제3그룹의 홀들은 상기 배플의 가장 자리 영역에 형성될 수 있다.
또한, 상기 제3그룹의 홀들 중 일부는 상기 배플의 중심 영역에 형성되고, 나머지는 상기 배플의 가장자리 영역에 형성될 수 있다.
또한, 상기 배플은 상기 연결 포트에 탈부착 가능할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 방전공간에서 제1가스를 방전시키고, 상기 방전공간과 연통되는 소스공간으로 유입된 상기 제1가스와 상기 소스공간으로 공급되는 제2가스를 상기 소스공간에 장착된 배플의 홀들을 통과시켜 기판으로 공급하되, 상기 배플의 홀들 중 제1그룹의 홀들에는 상기 제1가스가 상부에서 유입되어 단독으로 아래 방향으로 흐르고, 제2그룹의 홀들에는 상기 제2가스가 유입되어 단독으로 아래 방향으로 흐르며, 제3그룹의 홀들에는 상기 제1가스와 상기 제2가스가 유입되고 이들이 혼합된 혼합가스가 아래 방향으로 흐른다.
또한, 상기 제2가스는 상기 제2그룹의 홀들과 상기 제3그룹의 홀들을 연결하는 가스 공급 유로를 통해 상기 제2그룹의 홀들과 상기 제3그룹의 홀들에 각각 공급될 수 있다.
또한, 상기 제2그룹의 홀들로 유입되는 상기 제2가스의 유량과 상기 제3그룹의 홀들로 유입되는 상기 제2가스의 유량이 서로 상이하도록 조절가능할 수 있다.
또한, 상기 제3그룹의 홀들 중 일부는 상기 배플의 중심영역에 형성되고, 나머지는 상기 배플의 가장자리영역에 형성되며, 상기 배플의 중심영역에 형성된 상기 제3그룹의 홀들에 유입되는 상기 제2가스의 유량과 상기 배플의 가장자리영역에 형성된 상기 제3그룹의 홀들에 유입되는 상기 제2가스의 유량이 상이하도록 조절가능할 수 있다.
또한, 상기 배플은 상기 제3그룹의 홀들이 중심영역에 형성된 제1배플과, 상기 제3그룹의 홀들이 가장자리영역에 형성된 제2배플로 구분되며, 상기 소스공간에는 상기 제1배플과 상기 제2배플 중 어느 하나가 선택적으로 장착될 수 있다.
본 발명에 의하면, 기판 영역별로 애싱율이 조절되므로 기판에 도포된 막이 균일하게 제거된다.
또한, 본 발명에 의하면, 배플에 형상된 홀들에서부터 라디칼이 발생되므로, 불소 계열의 라디칼 발생량이 증가된다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 간략하게 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2의 일부를 확대하여 나타낸 도면이다.
도 4는 도 3의 A-A'선에 따른 배플의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 배플을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 배플을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 배플과 가스 공급부를 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 배플을 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 배플을 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 베플 어셈도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 배플을 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 간략하게 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 설비 전방 단부 모듈(equipment front end module, EFEM, 10)과 공정 처리실(20)를 포함한다. 설비 전방 단부 모듈(EFEM, 10)과 공정 처리실(20)은 일 방향으로 배치된다. 이하, 설비 전방 단부 모듈(EFEM, 10)과 공정 처리실(20)이 배열된 방향을 제1방향(X)이라 정의하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(X)에 수직인 방향을 제2방향(Y)이라 정의한다.
설비 전방 단부 모듈(10)은 공정 처리실(20) 전방에 장착되며, 기판이 수납된 캐리어(16)와 공정 처리실(20) 간에 기판(W)을 이송한다. 설비 전방 단부 모듈(10)은 로드 포트(12)와 프레임(14)을 포함한다.
로드 포트(12)는 프레임(14) 전방에 배치되며, 복수 개 제공된다. 로드 포트(12)들은 서로 이격하여 제2방향(2)을 따라 일렬로 배치된다. 캐리어(16)(예를 들어, 카세트, FOUP 등)는 로드 포트(12)들에 각각 안착된다. 캐이어(16)에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정처리가 완료된 기판(W)이 수납된다.
프레임(14)은 로드 포트(12)와 로드락 챔버(22) 사이에 배치된다. 프레임(14) 내부에는 로드 포트(12)와 로드락 챔버(22)간에 기판(W)을 이송하는 이송로봇(18)이 배치된다. 이송로봇(18)은 제2방향(Y)으로 구비된 이송레일(19)을 따라 이동가능하다.
공정처리실(20)은 로드락 챔버(22), 트랜스퍼 챔버(24), 그리고 복수 개의 기판 처리 장치(30)를 포함한다.
로드락 챔버(22)는 트랜스퍼 챔버(24)와 프레임(14) 사이에 배치되며, 공정에 제공될 기판(W)이 기판 처리 장치(30)로 이송되기 전, 또는 공정 처리가 완료된 기판(W)이 캐리어(16)로 이송되기 전 대기하는 공간을 제공한다. 로드락 챔버(22)는 하나 또는 복수 개 제공될 수 있다. 실시예에 의하면, 로드락 챔버(22)는 두 개 제공된다. 하나의 로드락 챔버(22)에는 공정 처리를 위해 기판 처리 장치(30)로 제공되는 기판(W)이 수납되고, 다른 하나의 로드락 챔버(22)에는 기판 처리 장치(30)에서 공정이 완료된 기판(W)이 수납될 수 있다.
트랜스퍼 챔버(24)는 제1방향(X)을 따라 로드락 챔버(22)의 후방에 배치되며, 상부에서 바라볼 때 다각형의 몸체(25)를 갖는다. 몸체(25)의 외측에는 로드락 챔버(22)들과 복수 개의 기판 처리 장치(30)들이 몸체(25)의 둘레를 따라 배치된다. 실시예에 의하면, 트랜스퍼 챔버(24)는 상부에서 바라볼 때, 오각형의 몸체를 갖는다. 설비 전방 단부 모듈(10)과 인접한 두 측벽에는 로드락 챔버(22)가 각각 배치되고, 나머지 측벽에는 기판 처리 장치(30)들이 배치된다. 몸체(25)의 각 측벽에는 기판(W)이 출입하는 통로(미도시)가 형성된다. 통로는 트랜스퍼 챔버(24)와 로드락 챔버(22) 간에, 또는 트랜스퍼 챔버(24)와 기판 처리 장치(30) 간에 기판(W)이 출입하는 공간을 제공한다. 각 통로에는 통로를 개폐하는 도어(미도시)가 제공된다. 트랜스퍼 챔버(24)는 요구되는 공정모듈에 따라 다양한 형상으로 제공될 수 있다.
트랜스퍼 챔버(24)의 내부에는 반송로봇(26)이 배치된다. 반송로봇(26)은 로드락 챔버(22)에서 대기하는 미처리 기판(W)을 기판 처리 장치(30)로 이송하거나, 기판 처리 장치(30)에서 공정처리가 완료된 기판(W)을 로드락 챔버(22)로 이송한다. 반송 로봇(26)은 기판 처리 장치(30)들에 순차적으로 기판(W)을 제공할 수 있다.
기판 처리 장치(30)는 플라스마 상태의 가스를 기판으로 공급하여 공정 처리를 수행한다. 플라스마 가스는 반도체 제작 공정에서 다양하게 사용될 수 있다. 이하에서는 기판 처리 장치(30)가 애싱(Ashing) 공정을 수행하는 것으로 설명하나, 이에 한정되지 않으며 에칭(etching) 공정과 증착(deposition) 공정 등 플라스마 가스를 이용한 다양한 공정에 적용될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(30)는 공정 처리부(100)와 플라스마 공급부(200)를 포함한다. 공정 처리부(100)는 기판(W) 처리가 수행되는 공간을 제공하고, 플라스마 공급부(200)는 기판(W) 처리 공정에 사용되는 플라스마를 발생시키고, 플라스마를 다운 스크림(Down Stream) 방식으로 기판(W)으로 공급한다. 이하, 각 구성에 대해 상세하게 설명하도록 한다.
공정 처리부(100)는 공정 챔버(110), 서셉터(140), 그리고 샤워 헤드(150)를 가진다.
공정 챔버(110)는 기판(W) 처리가 수행되는 처리공간(TS)을 제공한다. 공정 챔버(110)는 바디(120)와 밀폐 커버(130)를 가진다. 바디(120)는 상면이 개방되며 내부에 공간이 형성된다. 바디(120)의 측벽에는 기판(W)이 출입하는 개구(미도시)가 형성되며, 개구는 슬릿 도어(slit door)(미도시)와 같은 개폐 부재에 의해 개폐된다. 개폐 부재는 공정 챔버(110) 내에서 기판(W) 처리가 수행되는 동안 개구를 폐쇄하고, 기판(W)이 공정 챔버(110) 내부로 반입될 때와 공정 챔버(110) 외부로 반출될 때 개구를 개방한다. 바디(120)의 하부벽에는 배기홀(121)이 형성된다. 배기홀(121)은 배기 라인(170)과 연결된다. 배기 라인(170)을 통해 공정 챔버(110)의 내부 압력이 조절되고, 공정에서 발생된 반응 부산물이 공정 챔버(110) 외부로 배출된다.
밀폐 커버(130)는 바디(120)의 상부벽과 결합하며, 바디(120)의 개방된 상면을 덮어 바디(120) 내부를 밀폐시킨다. 밀폐 커버(130)의 상단은 플라스마 공급부(200)와 연결된다. 밀폐 커버(130)에는 유도공간(DS)이 형성된다. 플라스마 공급부(200)에서 유입된 플라스마는 유도공간(DS)에서 확산되며 샤워 헤드(150)로 이동한다.
서셉터(140)는 처리공간(TS)에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 서셉터(140)는 정전력에 의해 기판(W)을 흡착하는 정전 척(Electro Static Chuck)이 제공될 수 있다. 서셉터(140)에는 리프트 홀(미도시)들이 형성될 수 있다. 리프트 홀들에는 리프트 핀(미도시)들이 각각 제공된다. 리프트 핀들은 기판(W)이 서셉터(140)상에 로딩/언로딩되는 경우, 리프트 홀들을 따라 승강한다. 서셉터(140) 내부에는 히터(141)가 제공될 수 있다. 히터(141)는 기판(W)을 가열하여 공정온도로 유지시킨다.
샤워 헤드(150)는 바디(120)와 밀폐 커버(130)의 사이에서 바디(120)의 상부벽과 결합한다. 샤워 헤드(150)는 원판 형상으로 제공되며, 서셉터(140)의 상면과 나란하게 배치된다. 샤워 헤드(150)는 서셉터(140)와 마주하는 면이 평평하게 제공된다. 샤워 헤드(150)는 기판(W)보다 넓은 면적으로 제공될 수 있다. 샤워 헤드(150)에는 홀(151)들이 형성된다. 유도공간(DS)에서 확산된 플라스마 가스는 홀(151)들을 통과하여 기판(W)으로 공급된다.
플라스마 공급부(200)는 플라스마 발생부(210), 제1가스 공급부(220), 제2가스 공급부(230), 연결 포트(240), 그리고 배플(250)을 포함한다.
플라스마 발생부(210)는 소스가스로 제공되는 제1가스를 방전시켜 플라스마 가스를 생성하고, 제1가스 공급부(220)는 플라스마 발생부(210)의 방전공간(ES)으로 제1가스를 공급한다. 제2가스 공급부(230)는 연결 포트(240) 내부의 소스 공간(SS)으로 제2가스를 공급한다. 배플(250)은 소스 공간(SS)으로 공급되는 제1가스와 제2가스를 분배한다. 이하, 각 구성에 대해 자세하게 설명한다.
플라스마 발생부(210)는 공정 챔버(110)의 상부에 위치하며, 제1가스를 방전시켜 플라스마 가스를 생성한다. 플라스마 발생부(210)는 반응기(211), 가스 주입 포트(212), 유도 코일(215), 그리고 전원(217)을 포함한다.
반응기(211)는 원통 형상으로, 상면 및 하면이 개방되며 내부에 공간이 형성된다. 반응기(211)의 내부는 제1가스가 방전되는 방전공간(ES)으로 제공된다.
반응기(211)의 상단에는 가스 주입 포트(212)가 결합한다. 가스 주입 포트(212)는 제1가스 공급부(220)와 연결되며, 제1가스가 공급된다. 가스 주입 포트(212)의 저면에는 유도 공간(IS)이 형성된다. 유도 공간(IS)은 역 깔때기 형상을 가지며, 방전 공간(ES)과 연통된다. 유도 공간(IS)으로 유입된 제1가스는 확산되며 방전 공간(ES)으로 제공된다.
유도 코일(215)은 반응기(211)의 둘레를 따라 반응기(211)에 복수 회 감긴다. 유도 코일(215)의 일단은 전원(217)과 연결되고, 타단은 접지된다. 전원(217)은 유도 코일(215)에 고주파 전력 또는 마이크로파 전력을 인가한다.
제1가스 공급부(220)는 유도 공간(IS)으로 제1가스를 공급한다. 제1가스는 기판(W)에 형성된 포토레지스트막을 제거하기 위한 소스가스 중 하나로, 다양한 형태로 제공될 수 있다. 제1가스는 수소(H2), 산소(O2), 질소(N2), 그리고 암모니아(NH3) 중 적어도 어느 하나가 포함된 혼합가스로 제공될 수 있다. 제1가스 공급부(220)는 제1가스를 저정하는 제1가스 저장부(221)와, 제1가스 저장부(221)와 가스 주입 포트(212)를 연결되는 가스 공급 라인(222)과, 그리고 가스 공급 라인(222)에 설치되어 제1가스의 공급유량을 조절하는 밸브(223)를 포함할 수 있다.
연결 포트(240)는 플라스마 발생부(210)와 공정 챔버(110) 사이에 위치한다. 연결 포트(240)는 원통 형상을 가지며, 상면 및 하면이 개방되고 내부에 소스공간(SS)이 형성된다. 연결 포트(240)는 반응기(211)에 상응하는 반경으로 제공된다. 연결 포트(240)의 상단은 반응기(211)와 결합하고, 하단은 밀폐 커버(130)와 결합한다.
제2가스 공급부(230)는 소스 공간(SS)으로 제2가스를 공급한다. 제2가스는 불소 계열의 가스를 포함할 수 있다. 제2가스는 NF3 또는 NF3가 혼합된 혼합가스를 포함한다. 제2가스는 HF, HCl, BCl3, HBr, 그리고 ClF3 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 제2가스는 상기 가스 성분들 중 적어도 어느 하나가 혼합된 혼합가스를 포함한다.
제2가스는 제2가스 저장부(231)에 저장되며, 가스 공급 라인(232)을 통해 연결 포트(240)로 공급된다. 가스 공급 라인(232)에는 제2가스의 공급 유량을 조절하는 밸브(233)가 설치된다.
배플(250)은 소스 공간(SS)에 설치된다. 배플(250)은 소정 두께를 갖는 원형 판으로, 소스 공간(SS)에 상응하는 반경을 가진다. 배플(250)은 연결 포트(240)에 탈부착 가능하다.
도 3은 도 2의 일부를 확대하여 나타낸 도면이고, 도 4는 도 3의 A-A'선에 따른 배플의 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 배플(250)에는 홀(251, 252, 253)들과 가스 공급 유로(254)가 형성된다.
홀(251, 252, 253)들은 단면이 원형 또는 다각형으로 제공될 수 있다. 실시예에 의하면, 홀(251, 252, 253)들은 단면이 육각형으로 제공될 수 있다.
홀(251, 252, 253)들은 복수의 그룹으로 구분가능하다. 실시예에 의하면, 홀(251, 252, 253)들은 세 개의 그룹으로 구분되며, 각 그룹에는 복수의 홀들이 포함된다.
제1그룹의 홀(251)들은 배플(250)의 상면으로부터 저면으로 연장되는 관통 홀이다. 제1그룹의 홀(251)들에는 상부에 위치하는 소스 영역(SS)으로부터 제1가스가 유입되고, 제1가스가 단독으로 아래 방향으로 흐른다. 제1그룹의 홀(251)들은 제1가스가 유출되는 유출구(251a)의 반경이 제1가스가 유입되는 유입구(251b)의 반경보다 크게 제공될 수 있다. 그리고 제1그룹의 홀(251)들 각각은 유입구(251b)의 깊이가 서로 상이할 수 있다. 제1그룹의 홀(251)들은 배플(250)의 가장자리영역에 형성될 수 있다. 제1그룹의 홀(251)들은 서로 조합되어 링 형상으로 배치될 수 있다.
제2그룹의 홀(252)들은 배플(250)의 저면으로부터 소정 깊이로 배플(250)의 내측으로 제공된다. 제2그룹의 홀(252)들은 상부가 막히고 하부가 개방된다. 제2그룹의 홀(252)들에는 제2가스가 단독으로 유입되어 아래 방향으로 흐른다. 제2그룹의 홀(252)들은 제1그룹의 홀(251)들에 비하여 배플(250)의 중심영역에 인접하여 형성될 수 있다. 제2그룹의 홀(252)들은 서로 조합되어 링 형상으로 배치될 수 있다. 제2그룹의 홀(252)들은 제1연결 유로(257)를 통해 서로 연결된다. 때문에, 제2그룹의 홀(252)들 중 어느 하나에 공급된 제2가스는 제1연결 유로(257)를 통해 다른 홀들로 유입된다.
제3그룹의 홀(253)들은 배플(250)의 상면으로부터 저면으로 연장되는 관통 홀이다. 제3그룹의 홀(253)들은 상부에 위치하는 소스 영역(SS)으로부터 제1가스가 유입되고, 가스 공급 유로(254)를 통해 제2가스가 유입된다. 제3그룹의 홀(253)들은 배플(250)의 중심영역에 형성될 수 있다. 실시예에 의하면, 제3그룹의 홀(253)들 중 하나의 홀은 배플(250)의 중심에 형성되고, 나머지 홀들은 하나의 홀을 중심으로 링 형상으로 배치될 수 있다. 제3그룹의 홀(253)들은 제2연결 유로(258)를 통해 서로 연결된다. 제3그룹의 홀(253)들 중 어느 하나는 제3연결 유로(259)를 통해 제2그룹의 홀(252)들 중 어느 하나와 연결된다. 제2그룹의 홀(252)들에 공급된 제2가스는 제3연결 유로(259)를 통해 제3그룹의 홀(253)에 공급되며, 제2연결 유로(256)를 통해 다른 제3그룹의 홀(253)들로 확산된다.
제3그룹의 홀(253)들 각각에 유입된 제1가스와 제2가스는 홀(253)들 내부에서 혼합된다. 혼합과정에서 제2가스는 플라스마 상태의 제1가스로부터 에너지를 얻어 간접 방전된다. 제1가스와 제2가스가 혼합된 혼합가스는 제3그룹의 홀(253)들을 통과하여 아래 방향으로 흐른다.
제1그룹의 홀(251)들을 통과한 제1가스, 제2그룹의 홀(252)들을 통과한 제2가스, 그리고 제3그룹(253)의 홀들을 통과한 혼합가스는 배플(250)의 아래에 위치하는 소스 영역(SS)으로 흐르며 서로 혼합된다. 이 과정에서 방전되지 않은 제2가스는 플라스마 상태의 주변 가스로부터 에너지를 얻어 간접 방전된다.
제2가스의 방전은 제3그룹의 홀(253)들 내부에서 먼저 일어나므로, 불소 계열의 라디칼 전체 발생량이 증가한다. 불소 계열의 라디칼 증가는 애싱율을 향상시킨다. 또한, 제3그룹의 홀(253)들을 통과한 혼합 가스는 상대적으로 많은 양의 불소 계열 라디칼을 포함하므로, 제3그룹의 홀(253)들을 통과한 가스가 제공되는 기판(W) 영역은 다른 영역에 비하여 애싱율이 높게 나타난다. 실시예에 의하면, 제3그룹의 홀(253)들은 배플(250)의 중심영역에 형성되므로, 기판(W)의 중심영역의 애싱율이 주변영역에 비하여 높게 나타난다. 따라서, 제3그룹의 홀(253)들이 형성된 위치가 변경되는 경우, 기판(W)의 영역별 애싱율이 조절될 수 있다.
가스 공급 유로(254)는 제2그룹 및 제3그룹의 홀(252, 253)들과 가스 공급 라인(232)을 연결하며, 제2그룹 및 제3그룹의 홀(252, 253)들에 각각 제2가스를 공급한다. 실시예에 의하면, 가스 공급 유로(254)는 단일 유로로 형성되고, 제2그룹과 제3그룹의 홀(252, 253)들에는 동일 유량의 제2가스가 공급된다.
이하, 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 설명한다.
제1가스 공급부(220)로부터 방전 공간(ES)으로 제1가스가 공급된다. 전원(217)으로부터 유도 코일(215)에 전력이 인가되고, 인가된 전력에 의해 방전 공간(ES)에는 유도 전기장이 형성된다. 제1가스는 유도 전기장으로부터 이온화에 필요한 에너지를 얻어 플라스마 상태로 방전된다.
방전된 제1가스는 아래로 흘러 소스 공간(SS)으로 이동한다. 제1가스는 배플(250)에 형성된 제1그룹의 홀(251)들과 제3그룹의 홀(253)들로 유입된다.
제1가스가 소스 공간(SS)으로 이동하는 동안, 제2가스 공급부(230)에서 제2가스가 공급된다. 제2가스는 가스 공급 유로(254)를 통해 제2그룹의 홀(252)들과 제3그룹의 홀(253)들로 공급된다.
제1그룹의 홀(251)들에 유입된 제1가스는 상하방향으로 이동하여 단독으로 제1그룹의 홀(251)들을 통과한다. 제3그룹의 홀(253)들에 유입된 제1가스는 제2가스와 혼합된다. 혼합과정에서 제2가스는 제1가스의 에너지를 흡수하여 간접 방전된다. 혼합 가스는 제3그룹의 홀(253)들을 통과하여 배플(250) 아래로 흐른다. 제2그룹의 홀(252)들에 공급된 제2가스는 제2그룹의 홀(252)들을 통과하여 배플(250) 아래로 흐른다.
제1 내지 제3그룹의 홀(251, 252, 253)들을 통과한 제1가스와 제2가스는 배플(250)의 아래에 위치하는 소스 공간(SS)을 통과하면서 에너지를 주고 받는다. 낮은 에너지를 갖는 가스는 높은 에너지를 갖는 가스로부터 에너지를 흡수하여 방전된다. 이 과정에서 불소계열의 라디칼 발생량이 증가한다.
소스 공간(SS)을 통과한 제1 내지 제2가스는 유도 공간(DS)을 지나면서 확산되고, 샤워 헤드(150)의 홀(151)들을 통과하여 기판(W)으로 공급된다. 가스는 기판(W)상에 도포된 포토레지스트 막을 제거한다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 배플을 나타내는 도면이다.
도 5를 참조하면, 상술한 도 4의 배플(250)과 달리, 제1그룹의 홀(261)들은 배플(260)의 중심영역에 형성되고, 제3그룹의 홀(263)들은 배플(260)의 가장자리영역에 형성되며, 제2그룹의 홀(262)들은 배플(260)의 중심영역과 가장자리영역 사이에 형성된다.
제1그룹의 홀(261)들 중 하나는 배플(260)의 중심에 형성되고, 나머지 홀들은 하나의 홀을 중심으로 링 형상으로 배치된다. 제2그룹의 홀(262)들은 서로 조합되어 링 형상으로 배치되며, 제1연결 유로(266)를 통해 서로 연결된다. 제3그룹의 홀(263)들은 서로 조합되어 링 형상으로 배치되며, 제2연결 유로(267)를 통해 서로 연결된다. 제2그룹의 홀(262)들 중 어느 하나와 제3그룹의 홀(263)들 중 어느 하나는 제3연결 유로(268)를 통해 서로 연결된다.
가스 공급 유로(264)는 단일 유로로 제공되며, 제3그룹의 홀(263)들 중 어느 하나와 연결된다. 가스 공급 유로(264)를 통해 유입된 제2가스는 제1 내지 제3연결 유로(266, 267, 268)를 통해 제2그룹 및 제3그룹의 홀(262, 263)들로 확산된다. 제2그룹 및 제3그룹의 홀(262, 263)들에는 각각 제2가스가 동일 유량으로 공급될 수 있다.
실시예에 의하면, 제3그룹의 홀들(263)은 배플(260)의 가장자리영역에 형성되므로, 기판의 가장자리영역의 애싱율이 다른 영역에 비하여 높게 나타날 수 있다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 배플을 나타내는 도면이다.
도 6을 참조하면, 도 4 및 도 5와 달리, 배플(270)에는 제1그룹의 홀(271a, 271b, 271c,…)들, 제2그룹의 홀(272a, 272b, 272c,…)들, 그리고 제3그룹의 홀(273a, 273b, 273c,…)들이 불규칙하게 배열된다. 제2그룹의 홀(272a, 272b, 272c,…)들과 제3그룹의 홀(273a, 273b, 273c,…)들은 연결 유로(276)들을 통해 서로 연결된다. 가스 공급 유로(274)는 단일 유로로 제공되며, 제2그룹의 홀(272a, 272b, 272c,…)들 및 제3그룹의 홀(273a, 273b, 273c,…)들 중 어느 하나와 연결된다. 제2가스는 가스 공급 유로(274)와 연결 유로(276)들을 통해 제2그룹의 홀(272a, 272b, 272c,…)들 및 제3그룹의 홀(273a, 273b, 273c,…)들로 공급된다.
제3그룹의 홀(273a, 273b, 273c,…)들은 사용자의 선택에 따라 그 위치가 결정될 수 있다. 사용자는 공정이 완료된 기판의 각 영역별 애싱율을 평가하고, 평가 결과에 따라 제3그룹의 홀(273a, 273b, 273c,…)들의 위치를 결정할 수 있다. 사용자는 애싱률이 낮은 기판 영역에 대응하여 제3그룹의 홀(273a, 273b, 273c,…)들의 위치를 결정함으로써, 기판의 영역별 애싱 균일도를 향상시킬 수 있다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 배플과 가스 공급부를 나타내는 도면이다.
도 7을 참조하면, 가스 공급 유로(284)는 제1공급 유로(284a)와 제2공급 유로(284b)를 포함한다. 제1공급 유로(284a)는 제2그룹의 홀(282)들과 연결되고, 제2공급 유로(284b)는 제3그룹의 홀(283)들과 연결된다. 제2그룹의 홀(282)들과 제3그룹의 홀(283)들은 개별적으로 공급 유로(284a, 284b)와 연결되므로, 배플(280)에는 제2그룹의 홀(282)과 제3그룹의 홀(283)을 연결하는 연결 유로가 형성되지 않는다.
가스 공급부(290)는 제1공급 유로(284a)와 제2공급 유로(284b) 각각으로 제2가스를 공급한다. 제1가스 공급 라인(292)은 가스 저장부(291)와 제1공급 유로(284a)를 연결하고, 제2가스 공급 라인(293)은 제1가스 공급 라인(292)로부터 분기되어 제2공급 유로(284b)와 연결된다. 제1가스 공급 라인(292)과 제2가스 공급 라인(293)에는 각각 밸브(294, 295)가 설치된다. 각 밸브(294, 295)의 개폐 조절로, 제1가스 유로(284a)와 제2가스 유로(284b)로 공급되는 제2가스의 유량이 조절될 수 있다. 제2그룹의 홀(282)들과 제3그룹의 홀(283)들에 공급되는 제2가스의 유량 조절로, 불소 계열의 라디칼 발생량을 조절할 수 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 배플을 나타내는 도면이다.
도 8을 참조하면, 제3그룹의 홀(313a, 313b)들 중 일부(313a)는 배플(310)의 중심영역에 형성되고, 나머지(313b)는 배플(310)의 가장자리영역에 형성된다. 제3그룹의 홀(313a, 313b)들은 배플(310)의 중심 영역과 가장자리영역에서 각각 링 형상으로 배열될 수 있다.
가스 공급 유로는 제1 내지 제3공급 유로(314a, 314b, 314c)를 포함한다. 제1공급 유로(314a)는 제2그룹의 홀(312)들 중 어느 하나와 연결된다. 제2공급 유로(314b)는 제3그룹의 홀(313)들 중 배플(310)의 중심영역에 형성된 홀(313a)들 중 어느 하나와 연결된다. 제3공급 유로(314c)는 제3그룹의 홀(313)들 중 배플(310)의 가장자리영역에 형성된 홀(313a)들 중 어느 하나와 연결된다. 제1 내지 제3공급 유로(314a, 314b, 314c)는 서로 분리된다.
가스 공급부(320)는 제1 내지 제3공급 유로(314a, 314b, 314c) 각각으로 제2가스를 공급한다. 제1가스 공급 라인(322)은 가스 저장부(321)와 제1공급 유로(314a)를 연결하고, 제2가스 공급 라인(323)은 제1가스 공급 라인(322)으로부터 분기되며 제2공급 유로(314b)와 연결된다. 제3가스 공급 라인(324)은 제1가스 공급 라인(322)으로부터 분기되며 제3공급 유로(314c)와 연결된다. 제1 내지 제3가스 공급 라인(322, 323, 324)에는 각각 밸브(325, 326, 327)가 설치된다. 밸브(325, 326, 327)들의 개폐 조절로, 제1 내지 제3공급 유로(314a, 314b, 314c)에 공급되는 제2가스의 유량이 조절될 수 있다. 제2공급 유로(314b)와 제3공급 유로(314c)에 공급되는 제2가스의 유량이 상이할 경우, 배플(310)의 중심영역과 가장자리영역에서 생성되는 불소 계열 라디칼 발생량이 상이하다. 이로 인하여, 기판의 중심영역과 가장자리영역의 애싱율이 달라진다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 배플을 나타내는 도면이다.
도 9를 참조하면, 배플(330)에는 링 형상의 가스 공급 유로(334)가 형성된다. 가스 공급 유로(334)는 배플(330)의 가장자리영역에서 배플(330)의 둘레를 따라 형성된다. 연결 유로(335)는 복수 개 형성되며, 배플(330)의 중심을 기준으로 방사상으로 배치될 수 있다. 연결 유로(335)들 중 일부는 제2그룹의 홀(332)들을 연결하고, 다른 일부는 제3그룹의 홀(333)들을 연결할 수 있다. 이와 달리, 연결 유로(335)들은 제2그룹의 홀(332)들과 제3그룹의 홀(333)들을 연결할 수 있다. 가스 공급 유로(334)를 따라 공급된 제2가스(g2)는 연결 유로(335)들을 통하여 제2그룹의 홀(332)들과 제3그룹의 홀(333)들로 공급된다. 제1 내지 제3그룹의 홀(331, 332, 333)들의 배열 및 홀(331, 332, 333)들과 연결 유로(332)들의 연결은 다양하게 변경될 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 베플 어셈블리를 나타내는 도면이다.
도 10을 참조하면, 배플 어셈블리(340)는 도 2의 소스공간(SS)에 장착 가능한 배플(350, 360)을 복수 개 포함한다. 배플(350, 360)들은 선택적으로 소스공간(SS)에 부착 및 탈착될 수 있다. 실시예에 의하면, 배플 어셈블리(340)는 제1배플(350)과 제2배플(360)을 포함한다.
제1배플(350)에는 제1그룹 내지 제3그룹의 홀(351, 352, 353)들이 형성된다. 제1그룹의 홀(351)들은 제1배플(350)의 중심영역과 가장자리영역 사이에 형성된다. 제2그룹의 홀(352)들은 제1배플(350)의 중심영역에 형성되며, 제1연결유로(354)를 통해 서로 연결된다. 제3그룹의 홀(353)들은 제1배플(350)의 가장자리영역에 형성되며 제2연결유로(355)를 통해 서로 연결된다. 제2그룹의 홀(352)들 중 어느 하나와 제3그룹의 홀(353)들 중 어느 하나는 제3연결유로(356)를 통해 서로 연결된다. 소스 공간에 제1배플(350)이 장착될 경우, 제3그룹의 홀(353)들이 형성된 배플(350)의 가장자리영역에서 불소계열 라디칼 발생량이 많아진다.
제2배플(360)에는 세 그룹의 홀(361, 362, 363)들이 형성된다. 제1배플(350)에 형성된 홀들과의 명칭 구분을 위하여, 세 그룹은 A그룹 내지 C그룹으로 호칭한다. A그룹의 홀(361)들은 제1그룹의 홀(351)들에 대응하고, B그룹의 홀(362)들은 제2그룹의 홀(352)들에 대응하며, C그룹의 홀(363)들은 제3그룹의 홀(353)들에 대응한다. A그룹의 홀(361)들은 제2배플(360)의 중심영역과 가장자리영역 사이에 형성된다. B그룹의 홀(362)들은 제2배플(360)의 가장자리영역에 형성되며, 제1연결유로(364)를 통해 서로 연결된다. C그룹의 홀(363)들은 제2배플(360)의 중심영역에 형성되며 제2연결유로(365)를 통해 서로 연결된다. B그룹의 홀(362)들 중 어느 하나와 C그룹의 홀(363)들 중 어느 하나는 제3연결유로(366)를 통해 서로 연결된다. 소스 공간에 제2배플(360)이 장착될 경우, C그룹의 홀(363)들이 형성된 배플(360)의 중심영역에서 불소계열 라디칼 발생량이 많아진다.
이와 같이, 배플 어셈블리(340)는 각 그룹의 홀(351, 352, 353, 361, 362, 363)들이 형성된 위치가 서로 상이한 배플(350, 360) 들을 포함할 수 있다. 실시예에 의하면, 배플 어셈블리(340)는 제3그룹의 홀(353, 363)들이 형성된 위치가 서로 상이한 배플(350, 360)들을 포함한다. 배플(350, 360)들은 선택적으로 소스 공간에 장착함으로써, 기판의 영역별 애싱율을 조절할 수 있다.
배플 어셈블리(340)에서 제1배플(350)과 제2배플(360)의 조합은 상술한 실시예에 한정되지 않는다. 배플 어셈블리(340)는 상술한 도 4 내지 도 9의 실시예에 따른 배플 중 적어도 두 개 이상을 포함할 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나태 내고 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당 업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한, 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
30: 기판 처리 장치 100: 공정 처리부
110: 공정 챔버 140: 서셉터
150: 샤워 헤드 200: 플라스마 공급부
210: 플라스마 발생부 220: 제1가스 공급부
230: 제2가스 공급부 240: 연결 포트
250: 배플 251, 252, 253: 홀
254: 가스 공급 유로 DS: 유도 공간
ES: 방전 공간 TS: 처리 공간
SS: 소스 공간

Claims (26)

  1. 가스들이 공급되는 소스 공간에 장착되어 상기 가스들을 분배하는 배플에 있어서,
    제1가스가 유입되어 단독으로 아래 방향으로 흐르는 제1그룹의 홀들;
    제2가스가 유입되어 단독으로 아래 방향으로 흐르는 제2그룹의 홀들; 및
    상기 제1가스와 상기 제2가스가 유입되고, 이들이 혼합된 혼합가스가 아래 방향으로 흐르는 제3그룹의 홀들이 형성되는 배플.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제3그룹의 홀들은 상기 배플의 중심 영역에 형성되는 배플.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제3그룹의 홀들은 상기 배플의 가장 자리 영역에 형성되는 배플.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제3그룹의 홀들 중 일부는 상기 배플의 중심 영역에 형성되고, 나머지는 상기 배플의 가장자리 영역에 형성되는 배플.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제3그룹의 홀들은 링 형상으로 배치되는 배플
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 제1그룹 및 상기 제3그룹의 홀들은 상기 배플의 상면으로부터 하면으로 연장된 홀이고,
    상기 제2그룹의 홀들은 상부가 막히고 하부가 개방된 홀이며,
    상기 배플에는, 상기 제2그룹 및 상기 제3 그룹의 홀들로 상기 제2가스를 공급하는 가스 공급 유로가 상기 제1그룹의 홀들과 분리되어 형성되는 배플.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 가스 공급 유로는
    상기 제2그룹의 홀들로 상기 제2가스를 공급하는 제1공급 유로; 및
    상기 제1공급 유로와 분리되며, 상기 제3그룹의 홀들로 상기 제2가스를 공급하는 제2공급 유로를 포함하는 배플.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 가스 공급 유로는
    상기 제2그룹의 홀들에 상기 제2가스를 공급하는 제1공급 유로;
    상기 제1공급 유로와 분리되며, 상기 제3그룹의 홀들 중 상기 배플의 중심영역에 위치하는 홀들로 상기 제2가스를 공급하는 제2공급 유로; 및
    상기 제1공급 유로 및 상기 제2공급 유로와 분리되며, 상기 제3그룹의 홀들 중 상기 배플의 가장자리영역에 위치하는 홀들에 상기 제2가스를 공급하는 제3공급 유로를 포함하는 배플.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 배플에는 동일한 그룹에 속하는 홀들을 연결하는 연결 유로들이 형성된 배플.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 내지 상기 제3그룹의 홀들은 각각 육각 형상의 단면을 가지는 배플.
  11. 가스들이 공급되는 소스 공간에 장착가능한 배플들을 가지는 배플 어셈블리에 있어서,
    제1가스가 단독으로 유입되어 흐르는 제1그룹의 홀들과, 제2가스가 단독으로 유입되어 흐르는 제2그룹의 홀들과, 상기 제1가스 및 상기 제2가스가 유입되고 이들이 혼합된 혼합가스가 흐르는 제3그룹의 홀들이 형성된 제1배플; 및
    상기 제1가스가 단독으로 유입되어 흐르는 A그룹의 홀들과, 상기 제2가스가 단독으로 유입되어 흐르는 B그룹의 홀들과, 상기 제1가스 및 상기 제2가스가 유입되고 이들이 혼합된 혼합가스가 흐르는 C그룹의 홀들이 형성된 제2배플을 포함하되,
    상기 제3그룹의 홀들이 형성된 상기 제1배플의 영역은 상기 C그룹의 홀들이 형성된 상기 제2배플의 영역과 상이한 배플 어셈블리.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제3그룹의 홀들은 상기 제1배플의 중심영역에 형성되고, 상기 C그룹의 상기 제2배플의 가장자리영역에 형성되는 배플 어셈블리.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 제1그룹 및 상기 제3그룹의 홀들은 상기 제1배플의 상면으로부터 하면으로 제공되는 홀이고, 상기 A그룹 및 상기 C그룹의 홀들은 상기 제2배플의 상면으로부터 하면으로 제공되는 홀이며,
    상기 제2그룹 및 상기 C그룹의 홀들은 상부가 막히고 하부가 개방된 홀이며,
    상기 제1배플에는 상기 제2그룹의 홀들 및 상기 제3그룹의 홀들로 상기 제2가스를 공급하는 가스 공급 유로가 형성되고, 상기 제2배플에는 상기 B그룹의 홀들 및 상기 C그룹의 홀들로 상기 제2가스를 공급하는 가스 공급 유로가 형성되는 배플 어셈블리.
  14. 내부에 처리공간이 형성된 공정 챔버;
    상기 처리공간에 위치하며, 기판을 지지하는 서셉터;
    상기 공정 챔버 상부에 위치하며, 제1가스가 방전되는 방전공간을 갖는 플라스마 발생부;
    상기 공정 챔버와 상기 플라스마 발생부 사이에 위치하며, 상기 방전공간 및 상기 처리공간과 연통되는 소스공간을 갖는 연결 포트;
    상기 연결 포트에 연결되며 제2가스를 공급하는 가스 공급부; 및
    상기 소스공간에 장착되며, 방전된 상기 제1가스가 상부에서 유입되어 아래 방향으로 흐르는 제1그룹의 홀들과, 상기 가스 공급부로부터 상기 제2가스가 유입되어 아래 방향으로 흐르는 제2그룹의 홀들과, 방전된 상기 제1가스가 상부에서 유입되고 상기 가스 공급부로부터 상기 제2가스가 유입되며 이들이 혼합된 혼합가스가 아래 방향으로 흐르는 제3그룹의 홀들이 형성된 배플을 포함하는 기판 처리 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제1그룹 및 상기 제3그룹의 홀들은 상기 배플의 상면으로부터 하면으로 연장되는 홀이고,
    상기 제2그룹의 홀들은 상부가 막히고 하부가 개방된 홀이며,
    상기 배플에는 상기 제2그룹 및 상기 제3그룹의 홀들과 상기 가스 공급부를 연결하는 가스 공급 유로가 형성되는 기판 처리 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 가스 공급 유로는
    상기 가스 공급부와 상기 제2그룹의 홀들을 연결하는 제1공급 유로; 및
    상기 제1공급 유로와 분리되며, 상기 가스 공급부와 상기 제3그룹의 홀들로 연결하는 제2공급 유로를 포함하며,
    상기 가스 공급부는 상기 제1공급 유로에 공급되는 상기 제2가스의 유량과 상기 제2공급 유로에 공급되는 상기 제2가스의 유량이 상이하도록 조절가능한 기판 처리 장치.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 가스 공급 유로는
    상기 제2그룹의 홀들과 상기 가스 공급부를 연결하는 제1공급 유로;
    상기 제1공급 유로와 분리되며, 상기 제3그룹의 홀들 중 상기 배플의 중심영역에 위치하는 홀들과 상기 가스 공급부를 연결하는 제2공급 유로; 및
    상기 제1 및 상기 제2공급 유로와 분리되며, 상기 제3그룹의 홀들 중 상기 배플의 가장자리영역에 위치하는 홀들과 상기 가스 공급부를 연결하는 제3공급 유로를 포함하며,
    상기 가스 공급부는 상기 제2공급 유로에 공급되는 상기 제2가스의 유량과 상기 제3공급 유로에 공급되는 상기 제2가스의 유량이 상이하도록 조절가능한 기판 처리 장치.
  18. 제 14 항에 있어서,
    상기 제3그룹의 홀들은 상기 배플의 중심 영역에 형성되는 기판 처리 장치.
  19. 제 14 항에 있어서,
    상기 제3그룹의 홀들은 상기 배플의 가장 자리 영역에 형성되는 기판 처리 장치.
  20. 제 14 항에 있어서,
    상기 제3그룹의 홀들 중 일부는 상기 배플의 중심 영역에 형성되고, 나머지는 상기 배플의 가장자리 영역에 형성되는 기판 처리 장치.
  21. 제 14 항에 있어서,
    상기 배플은 상기 연결 포트에 탈부착 가능한 기판 처리 장치.
  22. 방전공간에서 제1가스를 방전시키고,
    상기 방전공간과 연통되는 소스공간으로 유입된 상기 제1가스와 상기 소스공간으로 공급되는 제2가스를 상기 소스공간에 장착된 배플의 홀들을 통과시켜 기판으로 공급하되,
    상기 배플의 홀들 중 제1그룹의 홀들에는 상기 제1가스가 상부에서 유입되어 단독으로 아래 방향으로 흐르고, 제2그룹의 홀들에는 상기 제2가스가 유입되어 단독으로 아래 방향으로 흐르며, 제3그룹의 홀들에는 상기 제1가스와 상기 제2가스가 유입되고 이들이 혼합된 혼합가스가 아래 방향으로 흐르는 기판 처리 방법.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 제2가스는 상기 제2그룹의 홀들과 상기 제3그룹의 홀들을 연결하는 가스 공급 유로를 통해 상기 제2그룹의 홀들과 상기 제3그룹의 홀들에 각각 공급되는 기판 처리 방법.
  24. 제 22 항에 있어서,
    상기 제2그룹의 홀들로 유입되는 상기 제2가스의 유량과 상기 제3그룹의 홀들로 유입되는 상기 제2가스의 유량이 서로 상이하도록 조절가능한 기판 처리 방법.
  25. 제 22 항 내지 제 24 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 제3그룹의 홀들 중 일부는 상기 배플의 중심영역에 형성되고, 나머지는 상기 배플의 가장자리영역에 형성되며,
    상기 배플의 중심영역에 형성된 상기 제3그룹의 홀들에 유입되는 상기 제2가스의 유량과 상기 배플의 가장자리영역에 형성된 상기 제3그룹의 홀들에 유입되는 상기 제2가스의 유량이 상이하도록 조절가능한 기판 처리 방법.
  26. 제 22 항에 있어서,
    상기 배플은 상기 제3그룹의 홀들이 중심영역에 형성된 제1배플과, 상기 제3그룹의 홀들이 가장자리영역에 형성된 제2배플로 구분되며,
    상기 소스공간에는 상기 제1배플과 상기 제2배플 중 어느 하나가 선택적으로 장착되는 기판 처리 방법.
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