KR100870118B1 - 가스 혼합 유닛 및 방법과, 이를 이용한 플라즈마 처리장치 - Google Patents

가스 혼합 유닛 및 방법과, 이를 이용한 플라즈마 처리장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 가스 혼합 유닛 및 방법과, 이를 이용한 플라즈마 처리 장치를 개시한 것으로서, 상이한 성분을 가지는 반응 가스들을 제 1 공간으로 유입시키고, 제 1 공간에 인접 배치된 믹싱 블록의 유로를 통해 제 1 공간으로 유입된 반응 가스들을 유동시키고, 믹싱 블록의 타측에 제공되는 제 2 공간으로 믹싱 블록을 통과한 반응 가스들을 유입시키면서 반응 가스들을 혼합하는 것을 특징으로 가진다.
이러한 특징에 의하면, 반응 가스들을 보다 균일하게 혼합할 수 있는 가스 혼합 유닛 및 방법과, 이를 이용한 플라즈마 처리 장치를 제공할 수 있다.
플라즈마, 반응 가스 혼합

Description

가스 혼합 유닛 및 방법과, 이를 이용한 플라즈마 처리 장치{DEVICE AND METHOD FOR MIXING GASES, AND PLASMA TREATING APPARATUS USING THE SAME}
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치의 구성을 개략적으로 보여주는 도면,
도 2는 도 1의 가스 혼합 유닛의 개략적 사시도,
도 3은 도 2의 가스 혼합 유닛의 개략적 분해 사시도이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
100 : 하부 처리실 110 : 기판 지지 부재
200 : 상부 처리실 300 : 배플 플레이트
400 : 유도 결합형 플라즈마 안테나 500 : 가스 혼합 유닛
510 : 제 1 몸체부 512 : 유입구
520 : 제 2 몸체부 522 : 홀
530 : 제 3 몸체부 532 : 홈부
534 : 유출구 550 : 믹싱 블록
552 : 유로
본 발명은 가스 혼합 유닛 및 방법과, 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반응 가스들을 혼합하는 가스 혼합 유닛 및 방법과, 이를 이용하여 기판을 플라즈마 처리하는 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 플라즈마(Plasma)는 이온이나 전자, 라디칼(Radical) 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말하며, 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다.
특히, 글로우 방전(Glow Discharge)에 의한 플라즈마 생성은 직류나 고주파 전자계에 의해 여기된 자유 전자에 의해 이루어지는데, 여기된 자유 전자는 가스 분자와 충돌하여 이온, 라디칼, 전자 등과 같은 활성종(Active Species)을 생성한다. 그리고, 이와 같은 활성종은 물리 혹은 화학적으로 물질의 표면에 작용하여 표면의 특성을 변화시킨다. 이와 같이 활성종에 의해 물질의 표면 특성을 변화시키는 것을 플라즈마 표면 처리라고 한다.
플라즈마 표면 처리는 반도체 소자의 제조 공정 중 증착, 세정, 애싱 또는 식각 공정 등 다양한 공정들에 이용되고 있으며, 플라즈마 표면 처리를 이용한 반도체 소자의 제조 공정에는 그 처리 공정에 따라 각기 다른 성분을 가지는 여러 종류의 반응 가스들이 사용된다. 반응 가스들은 각기 다른 가스 공급 장치에서 개별적으로 공급되고, 이후 하나의 메인 가스 공급관을 통해 플라즈마 처리 공정이 진행되는 처리실로 공급된다. 그런데, 반응 가스들은 메인 가스 공급관을 경유하는 동안에만 혼합되기 때문에, 균일하게 혼합되지 않은 상태에서 처리실로 공급된다. 이러한 상태에서 플라즈마 생성을 위한 물리-화학적 반응이 진행될 경우, 생성 플라즈마의 균일도가 저하될 수 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 플라즈마 표면 처리에 사용되는 반응 가스들을 보다 효율적으로 혼합하여 공급할 수 있는 가스 혼합 유닛 및 방법과, 이를 이용한 플라즈마 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 가스 혼합 유닛은, 가스 혼합 유닛에 있어서, 상이한 성분의 가스들이 유입되는 유입구가 형성된 제 1 몸체부와; 상기 제 1 몸체부의 하측에 결합되며, 내부에 상기 가스들이 채워지는 버퍼 공간이 형성된 제 2 몸체부와; 상기 제 2 몸체부의 하측에 결합되며, 상기 버퍼 공간에서 혼합된 상기 가스들이 유출되는 유출구들이 형성된 제 3 몸체부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 가스 혼합 유닛에 있어서, 상기 제 2 몸체부의 버퍼 공간에 삽입 설치되며, 상기 가스들이 혼합되면서 유동할 수 있도록 상기 가스들의 흐름을 안내하는 다수의 유로들이 형성된 믹싱 블록;을 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 상기 다수의 유로들은 상기 믹싱 블록의 상부로부터 하부로 연장 형성되는 나선 형상의 관통 홀들로 마련되는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 나선 형상의 관통 홀들은 동일한 중심 축을 가지고, 어느 하나가 다 른 하나를 감싸도록 배치되는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 상기 제 3 몸체부의 상면 중심부에는 오목한 형상의 홈부가 형성되고, 상기 유출구들은 상기 홈부의 바닥면과 통하도록 상기 제 3 몸체부에 관통 형성되는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 유출구들은 원추 형상의 배열을 이루도록 경사지게 형성되는 것이 바람직하다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 플라즈마 처리 장치는, 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 있어서, 플라즈마 처리 공정이 진행되는 처리실과; 상기 처리실 내에 설치되며 기판을 지지하는 기판 지지 부재와; 반응 가스들을 혼합하여 상기 기판 지지 부재에 놓인 상기 기판의 상부 공간으로 공급하는 가스 혼합 유닛과; 상기 가스 혼합 유닛으로 상이한 성분의 반응 가스들을 공급하는 가스 공급 유닛들;을 포함하되, 상기 가스 혼합 유닛은 상기 반응 가스들이 유입되는 유입구가 형성된 제 1 몸체부와; 상기 제 1 몸체부의 하측에 결합되며, 내부에 상기 반응 가스들이 채워지는 버퍼 공간이 형성된 제 2 몸체부와; 상기 제 2 몸체부의 하측에 결합되며, 상기 버퍼 공간에서 혼합된 상기 반응 가스들이 유출되는 유출구들이 형성된 제 3 몸체부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상기 제 2 몸체부의 버퍼 공간에 삽입 설치되며, 상기 반응 가스들이 혼합되면서 유동할 수 있도록 상기 반응 가스들의 흐름을 안내하는 다수의 유로들이 형성된 믹싱 블록;을 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 특징에 따르면, 상기 다수의 유로들은 동일한 중심 축을 가지 고 어느 하나가 다른 하나를 감싸도록 배치되며, 상기 믹싱 블록의 상부로부터 하부로 연장 형성되는 나선 형상의 관통 홀들로 마련되는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 상기 제 3 몸체부의 상면 중심부에는 오목한 형상의 홈부가 형성되고, 상기 유출구들은 상기 홈부의 바닥면과 통하도록 상기 제 3 몸체부에 관통 형성되는 것이 바람직하다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 가스 혼합 방법은, 상이한 성분을 가지는 가스들을 제 1 공간으로 유입시키고, 상기 제 1 공간에 인접 배치된 믹싱 블록의 유로를 통해 상기 제 1 공간으로 유입된 상기 가스들을 유동시키고, 상기 믹싱 블록의 타측에 제공되는 제 2 공간으로 상기 믹싱 블록을 통과한 상기 가스들을 유입시키면서 상기 가스들을 혼합하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같은 특징을 가지는 본 발명에 의한 가스 혼합 방법에 있어서, 상기 제 1 공간으로 유입된 상기 가스들은 상기 믹싱 블록에 형성된 나선형 유로들을 통해 유동하는 것이 바람직하다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 가스 혼합 유닛 및 방법과, 이를 이용한 플라즈마 처리 장치를 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
( 실시 예 )
본 실시 예의 플라즈마 처리 장치로는 플라즈마를 이용하여 사진 공정 후 기판상에 남아있는 불필요한 감광막 층을 제거하는 플라즈마 애싱 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 플라즈마를 이용하여 기판상에 막질을 증착하거나 기판을 세정 또는 식각 처리하는 다른 종류의 장치에도 적용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치(10)의 구성을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치(10)는 플라즈마 처리 공정이 진행되는 공간을 제공하는 처리실(100,200)을 가진다. 처리실(100,200)은 기판에 대한 플라즈마 처리 공정이 진행되는 하부 처리실(100)과, 플라즈마가 생성되는 상부 처리실(200)을 포함한다. 상부 처리실(200)에서 생성된 플라즈마는 배플 플레이트(300)를 통해 하부 처리실(100)로 전달된다.
하부 처리실(100)은 상부가 개방된 구조를 가지고, 하부 처리실(100)의 내측에는 기판(W)을 지지하는 기판 지지 부재(110)가 설치된다. 기판 지지 부재(110)로는 정전력에 의해 기판을 흡착 지지하는 정전척(Electro Static Chuck, ESC)이 사용될 수 있다. 이와는 달리, 기계적 클램핑 방식을 이용하여 기판(W)을 기판 지지 부재(110)에 고정시킬 수 있으며, 또한 진공압에 의해 기판을 흡착 지지하는 방식의 진공 척(Vacuum Chuck)이 기판 지지 부재(110)로 사용될 수도 있다.
기판 지지 부재(110)는 구동 부재(120)에 의해 상하 방향으로 이동이 가능하 도록 설치될 수 있다. 기판 지지 부재(110)가 구동 부재(120)에 의해 상하 이동됨으로써, 기판 지지 부재(110)에 놓인 기판(W)이 보다 균일한 플라즈마 밀도 분포를 나타내는 영역에 놓일 수 있게 된다. 그리고, 기판 지지 부재(110)에는 그 상면에 놓인 기판(W)을 공정 온도로 가열하도록 가열 부재(130)가 설치될 수 있다. 가열 부재(130)로는 코일과 같은 저항 발열체 등 다양한 가열 수단이 사용될 수 있다.
기판 지지 부재(110)에는 고주파 전원(140)이 연결되고, 기판 지지 부재(110)와 고주파 전원(140) 사이에는 정합기(142)가 배치될 수 있다. 고주파 전원(140)은 하부 처리실(100)로 전달되는 플라즈마로부터 빠져나온 이온과 라디칼이 기판(W)의 표면에 충분히 높은 에너지를 가지고 충돌할 수 있도록 바이어스 전압을 제공한다.
하부 처리실(100)의 바닥면에는 배기 포트(152)가 형성된다. 배기 포트(152)에는 배기 라인(154)이 연결되며, 배기 라인(154) 상에는 하부 처리실(100)의 내부를 진공 상태로 유지하기 위한 진공 펌프 등의 배기 부재(150)가 설치된다.
하부 처리실(100)의 상부에는 상부 처리실(200)이 제공된다. 상부 처리실(200)은 하부가 개방된 구조를 가진다. 하부 처리실(100)과 상부 처리실(200)의 개방된 공간은 배플 플레이트(300)에 의해 구분된다. 배플 플레이트(300)는 금속 재질의 판 부재로 마련될 수 있으며, 배플 플레이트(300)에는 상부 처리실(200)에서 생성된 플라즈마를 하부 처리실(100)로 전달하기 위한 다수의 홀들(310)이 형성된다.
상부 처리실(200)의 측벽 둘레에는 코일 구조의 유도 결합형 플라즈 마(Inductively Coupled Plasma, ICP) 안테나(400)가 설치된다. 유도 결합형 플라즈마 안테나(400)는 원통형의 코일 구조로 제공될 수 있다. 유도 결합형 플라즈마 안테나(400)에는 고주파 전원 인가 라인(412)이 연결된다. 고주파 전원 인가 라인(412) 상에는 알에프(RF) 파워를 공급하는 고주파 전원(410)이 연결되고, 고주파 전원(410)과 유도 결합형 플라즈마 안테나(400)의 사이에는 정합기(414)가 설치된다.
상부 처리실(200)의 상부 벽에는 반응 가스를 혼합하여 상부 처리실(200)로 공급하는 가스 혼합 유닛(500)이 설치된다. 가스 혼합 유닛(500)에는 상이한 성분의 반응 가스들을 각기 개별적으로 공급하는 가스 공급 유닛들(610,620,630)이 연결된다. 기판(W)상의 불필요한 감광막 층을 제거하기 위한 애싱 공정에 사용되는 반응 가스로는 산소(O2) 가스, 불화탄소(CF4) 가스 및 질소(N2) 가스의 혼합 가스를 예로 들 수 있다. 산소(O2) 가스는 제 1 가스 공급 유닛(610)으로부터 가스 혼합 유닛(500)으로 공급되고, 불화탄소(CF4) 가스는 제 2 가스 공급 유닛(620)으로부터 가스 혼합 유닛(500)으로 공급되며, 질소(N2) 가스는 제 3 가스 공급 유닛(630)으로부터 가스 혼합 유닛(500)으로 공급될 수 있다. 가스 혼합 유닛(500)으로 공급된 산소(O2) 가스, 불화탄소(CF4) 가스 및 질소(N2) 가스는 가스 혼합 유닛(500)에서 혼합된 후 상부 처리실(200)로 공급된다. 이 밖에도, 플라즈마 처리를 이용한 반도체 소자의 제조 공정에는 증착, 세정, 식각 등과 같은 처리 공정에 따라 각기 다른 성 분을 가지는 여러 종류의 반응 가스들이 사용될 수 있다.
도 2는 도 1의 가스 혼합 유닛의 개략적 사시도이고, 도 3은 도 2의 가스 혼합 유닛의 개략적 분해 사시도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 가스 혼합 유닛(500)은 제 1 몸체부(510), 제 2 몸체부(520) 및 제 3 몸체부(530)를 포함한다. 제 1 내지 제 3 몸체부(510,520,530)들은 상하 방향으로 배열되고, 제 1 몸체부(510)의 하측에는 제 2 몸체부(520)가 결합되며, 제 2 몸체부(520)의 하측에는 제 3 몸체부(530)가 결합된다. 제 1 몸체부(510)와 제 2 몸체부(520) 사이, 그리고 제 2 몸체부(520)와 제 3 몸체부(530) 사이에는 기밀을 유지하기 위해 오링(542,544)이 각각 삽입 설치된다.
제 1 몸체부(510)는 판 형상을 가지며, 제 1 몸체부(510)의 중심부에는 가스 공급 유닛들(610,620,630)로부터 반응 가스들이 유입되는 유입구(512)가 형성된다. 제 2 몸체부(520)에는 제 1 몸체부(510)의 유입구(512)와 연통하는 홀(522)이 형성되며, 홀(522)은 제 2 몸체부(520)를 상하 방향으로 관통하도록 형성된다. 제 2 몸체부(520)의 홀(522)은 제 1 몸체부(510)의 유입구(512)를 통해 유입되는 반응 가스들이 채워지는 공간을 제공하며, 홀(522)에 의해 형성된 공간 내에서 반응 가스들이 혼합된다. 제 3 몸체부(530)는 제 2 몸체부(520)의 하면에 결합되며, 제 2 몸체부(520)와 결합하는 제 3 몸체부(530)의 상면에는 제 2 몸체부(520)의 홀(522)에 연통하는 오목한 형상의 홈부(532)가 형성된다. 홈부(532)의 바닥면과 통하도록 제 3 몸체부(530)에는 유출구들(534)이 관통 형성되며, 유출구들(534)은 원추 형상의 배열을 이루도록 경사지게 형성될 수 있다. 제 2 몸체부(520)의 홀(522)에 의해 형 성된 공간 내에서 혼합된 반응 가스들은 제 3 몸체부(530)의 홈부(532)로 유입되고, 홈부(532)의 바닥면과 통하는 유출구들(534)을 통해 상부 처리실(도 1의 도면 참조 번호 200)로 공급된다.
그리고, 제 2 몸체부(520)의 홀(522)에는 반응 가스들의 혼합이 용이하게 진행되도록 믹싱 블록(550)이 삽입 설치될 수 있다. 믹싱 블록(550)은 제 2 몸체부(520)의 홀(522)에 대응하는 단면 형상을 가지며, 홀(522)의 길이 보다 짧은 길이를 가진다. 믹싱 블록(550)은 홀(522)의 내측 상부에 일정한 버퍼 공간이 형성되도록 제 2 몸체부(520)에 삽입 설치될 수 있다. 그리고, 믹싱 블록(550)에는 홀(522) 내측 상부의 버퍼 공간으로 유입된 반응 가스들의 흐름을 안내하는 다수의 유로들(552)이 형성된다. 유로들(552)은 믹싱 블록(550)의 상부로부터 하부로 연장 형성되는 나선 형상의 관통 홀들로 마련될 수 있다. 나선 형상의 유로들(552)은 동일한 중심축을 가지고, 동일한 중심축을 기준으로 어느 하나가 다른 하나를 감싸도록 배치될 수 있다.
이러한 구성에 의해, 제 1 몸체부(510)의 유입구(512)로 유입된 반응 가스들은 제 2 몸체부(520)의 홀(522) 내측 상단에 형성된 버퍼 공간에서 1 차적으로 혼합된다. 1 차적으로 혼합된 반응 가스들은 버퍼 공간 하부에 배치된 믹싱 블록(550)의 유로들(552)을 통과하면서 2 차적으로 혼합된다. 그리고, 믹싱 블록(550)을 통과한 혼합된 반응 가스들은 제 3 몸체부(530)의 홈부(532)로 유입되고, 홈부(532)의 바닥면과 통하는 유출구들(534) 통해 상부 처리실(200)로 공급된다.
이상에 설명한 바와 같이, 반응 가스들이 가스 공급 유닛(500)을 통과하면서 균일하게 혼합되고, 혼합된 반응 가스들이 가스 공급 유닛(500) 하단의 원추 형상으로 배열된 유출구들(534)을 통해 상부 처리실(200)로 공급됨으로써, 상부 처리실(200)에서 생성되는 플라즈마의 균일도를 향상시킬 수 있다.
다시 도 1을 참조하여 본 발명의 플라즈마 처리 장치(10)를 이용하여 기판상의 감광막층을 제거하는 과정을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 고주파 전원(410)으로부터 유도 결합형 플라즈마 안테나(400)에 알에프 파워가 인가된다. 유도 결합형 플라즈마 안테나(400)의 코일을 따라 흐르는 전류에 의해 상부 처리실(200) 내부 공간에 자기장이 형성되고, 이 자기장의 시간에 따른 변화에 의해 유도 전기장이 형성된다. 그리고, 가스 혼합 유닛(500)을 통해 상부 처리실(200)로 혼합된 반응 가스들이 공급되면, 반응 가스는 유도 전기장으로부터 이온화에 필요한 충분한 에너지를 얻어 플라즈마를 생성한다. 생성된 플라즈마는 배플 플레이트(300)의 홀들(310)을 통과하여 하부 처리실(100)로 전달되고, 기판 지지 부재(110)에 놓인 기판(W)과 작용하여 기판(W)상에 남아 있는 불필요한 감광막 층을 제거한다. 이때 전자 또는 이온 등과 같은 하전 입자는 금속 재질로 마련된 배플 플레이트(300)에 의해 갇히게 되고, 산소 라디칼 등과 같은 전하를 띠지 않는 중성의 입자들만 기판 지지 부재(110) 상의 기판(W)에 도달함으로써, 기판(W)상에 남아 있는 감광막 층을 제거하게 된다. 감광막 층을 제거하는 애싱 공정이 진행되는 동안 하부 처리실(100) 내에는 반응 부산물이 생성되며, 생성된 반응 부산물은 배기 포트(152)를 통해 하부 처리실(100)의 외부로 배출된다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 반응 가스들을 보다 균일하게 혼합할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 균일하게 혼합된 반응 가스들을 공급함으로써, 생성 플라즈마의 균일도를 향상시킬 수 있다.

Claims (13)

  1. 가스 혼합 유닛에 있어서,
    상이한 성분의 가스들이 유입되는 유입구가 형성된 제 1 몸체부와;
    상기 제 1 몸체부의 하측에 결합되며, 상기 유입구를 통해 유입된 상기 가스들이 혼합되는 버퍼 공간이 형성된 제 2 몸체부와;
    상기 제 2 몸체부의 하측에 결합되며, 상기 버퍼 공간에서 혼합된 상기 가스들이 유출되는 유출구들이 형성된 제 3 몸체부를 포함하되,
    상기 제 2 몸체부의 상기 버퍼 공간에는, 상기 버퍼 공간으로 유입된 상기 가스들이 유동하면서 혼합될 수 있도록 상기 가스들의 흐름을 안내하는 나선 형상의 유로가 형성된 믹싱 블록이 삽입 설치되는 것을 특징으로 하는 가스 혼합 유닛.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 나선 형상의 유로는 상기 믹싱 블록의 상부로부터 하부로 연장 형성되는 나선 형상의 관통 홀들로 마련되는 것을 특징으로 하는 가스 혼합 유닛.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 나선 형상의 관통 홀들은 동일한 중심 축을 가지고, 어느 하나가 다른 하나를 감싸도록 배치되는 것을 특징으로 하는 가스 혼합 유닛.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 3 몸체부의 상면 중심부에는 오목한 형상의 홈부가 형성되고,
    상기 유출구들은 상기 홈부의 바닥면과 통하도록 상기 제 3 몸체부에 관통 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 혼합 유닛.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 유출구들은 원추 형상의 배열을 이루도록 경사지게 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 혼합 유닛.
  7. 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    플라즈마 처리 공정이 진행되는 처리실과;
    상기 처리실 내에 설치되며 기판을 지지하는 기판 지지 부재와;
    반응 가스들을 혼합하여 상기 기판 지지 부재에 놓인 상기 기판의 상부 공간으로 공급하는 가스 혼합 유닛과;
    상기 가스 혼합 유닛으로 상이한 성분의 반응 가스들을 공급하는 가스 공급 유닛들;을 포함하되,
    상기 가스 혼합 유닛은,
    상이한 성분의 가스들이 유입되는 유입구가 형성된 제 1 몸체부와;
    상기 제 1 몸체부의 하측에 결합되며, 상기 유입구를 통해 유입된 상기 가스들이 혼합되는 버퍼 공간이 형성된 제 2 몸체부와;
    상기 제 2 몸체부의 하측에 결합되며, 상기 버퍼 공간에서 혼합된 상기 가스들이 유출되는 유출구들이 형성된 제 3 몸체부를 포함하되,
    상기 제 2 몸체부의 상기 버퍼 공간에는, 상기 버퍼 공간으로 유입된 상기 가스들이 유동하면서 혼합될 수 있도록 상기 가스들의 흐름을 안내하는 나선 형상의 유로가 형성된 믹싱 블록이 삽입 설치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  8. 삭제
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 나선 형상의 유로는 동일한 중심 축을 가지고 어느 하나가 다른 하나를 감싸도록 배치되며, 상기 믹싱 블록의 상부로부터 하부로 연장 형성되는 나선 형상의 관통 홀들로 마련되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 3 몸체부의 상면 중심부에는 오목한 형상의 홈부가 형성되고,
    상기 유출구들은 상기 홈부의 바닥면과 통하도록 상기 제 3 몸체부에 관통 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 유출구들은 원추 형상의 배열을 이루도록 경사지게 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  12. 상이한 성분을 가지는 가스들을 제 1 공간으로 유입시키고,
    상기 제 1 공간에 인접 배치된 믹싱 블록의 나선형 유로를 통해 상기 제 1 공간으로 유입된 상기 가스들을 유동시키고,
    상기 믹싱 블록의 타측에 제공되는 제 2 공간으로 상기 믹싱 블록을 통과한 상기 가스들을 유입시키면서 상기 가스들을 혼합하는 것을 특징으로 하는 가스 혼합 방법.
  13. 삭제
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