KR101603972B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버의 내측에 위치되어 기판을 지지하는 서셉터; 상기 공정 챔버의 상부에 위치되고 배관 형상으로 제공되는 반응기; 상기 반응기의 상단에 위치되는 위치되는 가스 주입 포트; 상기 반응기의 둘레에 감기고 전원에 연결되는 유도 코일; 상기 반응기의 내측에 위치되는 내측관; 및 상기 가스 주입 포트에 연결되어 상기 유도 코일에 인가되는 전력에 의해 플라즈마 상태로 여기되는 공정 가스를 공급하는 공정 가스 공급부를 포함한다.
Description
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다.
플라즈마는 이온이나 전자, 라디칼(Radical) 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말하며, 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다.
이러한 플라스마는 반도체 소자를 제조하기 위하여 포토레지스트(photoresist)를 사용하는 리소그래피(lithography) 공정에서 다양하게 활용된다. 일 예로, 기판상에 라인(line) 또는 스페이스(space) 패턴 등과 같은 각종의 미세 회로 패턴들을 형성하거나 이온 주입(ion implantation) 공정에서 마스크(mask)로 이용된 포토레지스트막을 제거하는 애싱(ashing) 공정에서 활용도가 점점 높아지고 있다.
본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 서로 상이한 물성의 공정 가스를 공급할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 공정 챔버; 상기 공정 챔버의 내측에 위치되어 기판을 지지하는 서셉터; 상기 공정 챔버의 상부에 위치되고 배관 형상으로 제공되는 반응기; 상기 반응기의 상단에 위치되는 위치되는 가스 주입 포트; 상기 반응기의 둘레에 감기고 전원에 연결되는 유도 코일; 상기 반응기의 내측에 위치되는 내측관; 및 상기 가스 주입 포트에 연결되어 상기 유도 코일에 인가되는 전력에 의해 플라즈마 상태로 여기되는 공정 가스를 공급하는 공정 가스 공급부를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 공정 가스 공급부는, 상기 내측관의 내측에 형성된 공간으로 제 1 공정 가스를 공급하는 제 1 공정 가스 공급부; 및 상기 내측관의 외면과 상기 반응기 사이에 형성된 공간으로 제 2 공정 가스를 공급하는 제 2 공정 가스 공급부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 1 공정 가스는 식각성 가스로 제공될 수 있다.
또한, 상기 제 2 공정 가스는 비 식각성 가스로 제공될 수 있다.
또한, 상기 제 1 공정 가스 공급부 또는 상기 제 2 공정 가스 공급부는 제 1 공정 가스와 제 2 공정 가스의 비율이 조절 되도록 가스를 공급할 수 있다.
또한, 상기 기판의 처리 시 상기 제 1 공정 가스 공급부와 제 2 공정 가스 공급부 가운데 하나 에서만 상기 제 1 공정 가스 또는 상기 제 2 공정 가스가 공급될 수 있다.
또한, 상기 내측관은 세라믹 재질로 제공될 수 있다.
또한, 상기 내측관은 금속 재질로 제공될 수 있다.
또한, 상기 반응기는 석영으로 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리 할 수 있는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 서로 상이할 물성의 공정 가스를 공급할 수 있는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 모듈을 나타내는 도면이다.
도 3은 반응기 및 유도 코일의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 모듈을 나타내는 도면이다.
도 3은 반응기 및 유도 코일의 사시도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 설비 전방 단부 모듈(equipment front end module, EFEM, 10)과 공정 처리실(20)를 포함한다. 설비 전방 단부 모듈(EFEM, 10)과 공정 처리실(20)은 일 방향으로 배치된다. 이하, 설비 전방 단부 모듈(EFEM, 10)과 공정 처리실(20)이 배열된 방향을 제1방향(X)이라 하고, 위쪽에서 바라볼 때 제 1 방향(X)에 수직인 방향을 제2방향(Y)이라 한다.
설비 전방 단부 모듈(10)은 공정 처리실(20) 전방에 장착되며, 기판이 수납된 캐리어(16)와 공정 처리실(20) 간에 기판(W)을 이송한다. 설비 전방 단부 모듈(10)은 로드 포트(12)와 프레임(14)을 포함한다.
로드 포트(12)는 프레임(14) 전방에 배치되며, 복수 개 제공된다. 로드 포트(12)들은 서로 이격 하여 제2방향(2)을 따라 일렬로 배치된다. 캐리어(16)(예를 들어, 카세트, FOUP 등)는 로드 포트(12)들에 각각 위치된다. 캐이어(16)에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정 처리가 완료된 기판(W)이 수납된다.
프레임(14)은 로드 포트(12)와 로드락 챔버(22) 사이에 배치된다. 프레임(14) 내부에는 로드 포트(12)와 로드락 챔버(22)간에 기판(W)을 이송하는 이송로봇(18)이 배치된다. 이송로봇(18)은 제2방향(Y)으로 구비된 이송레일(19)을 따라 이동 가능하다.
공정처리실(20)은 로드락 챔버(22), 트랜스퍼 챔버(24), 그리고 복수 개의 기판 처리 모듈(30)을 포함한다.
로드락 챔버(22)는 트랜스퍼 챔버(24)와 프레임(14) 사이에 배치되며, 공정에 제공될 기판(W)이 기판 처리 모듈(30)로 이송되기 전, 또는 공정 처리가 완료된 기판(W)이 캐리어(16)로 이송되기 전 대기하는 공간을 제공한다. 로드락 챔버(22)는 하나 또는 복수 개 제공될 수 있다. 실시 예에 의하면, 로드락 챔버(22)는 두 개 제공된다. 하나의 로드락 챔버(22)에는 공정 처리를 위해 기판 처리 모듈(30)로 제공되는 기판(W)이 수납되고, 다른 하나의 로드락 챔버(22)에는 기판 처리 모듈(30)에서 공정이 완료된 기판(W)이 수납될 수 있다.
트랜스퍼 챔버(24)는 제1방향(X)을 따라 로드락 챔버(22)의 후방에 배치되며, 위쪽에서 바라볼 때 다각형의 몸체(25)를 가질 수 있다. 몸체(25)의 외측에는 로드락 챔버(22)들과 복수 개의 기판 처리 모듈(30)들이 몸체(25)의 둘레를 따라 배치된다. 실시 예에 의하면, 트랜스퍼 챔버(24)는 위쪽에서 바라볼 때, 육각형의 몸체를 갖는다. 설비 전방 단부 모듈(10)과 인접한 두 측벽에는 로드락 챔버(22)가 각각 배치되고, 나머지 측벽에는 기판 처리 모듈(30)들이 배치된다. 몸체(25)의 각 측벽에는 기판(W)이 출입하는 통로(미도시)가 형성된다. 통로는 트랜스퍼 챔버(24)와 로드락 챔버(22) 간에, 또는 트랜스퍼 챔버(24)와 기판 처리 모듈(30) 간에 기판(W)이 출입하는 공간을 제공한다. 각 통로에는 통로를 개폐하는 도어(미도시)가 제공된다. 트랜스퍼 챔버(24)는 요구되는 공정모듈에 따라 다양한 형상으로 제공될 수 있다.
트랜스퍼 챔버(24)의 내부에는 반송로봇(26)이 배치된다. 반송로봇(26)은 로드락 챔버(22)에서 대기하는 미처리 기판(W)을 기판 처리 모듈(30)로 이송하거나, 기판 처리 모듈(30)에서 공정처리가 완료된 기판(W)을 로드락 챔버(22)로 이송한다. 또한, 반송 로봇(26)은 기판 처리 모듈(30)들 사이에 기판(W)을 이송 할 수도 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 모듈을 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하면, 기판 처리 모듈(30)은 플라스마 상태의 가스를 기판으로 공급하여 공정 처리를 수행한다. 기판 처리 모듈(30)은 공정 처리부(100)와 플라스마 공급부(200)를 포함한다.
공정 처리부(100)는 기판(W) 처리가 수행되는 공간을 제공한다. 공정 처리부(100)는 공정 챔버(110), 서셉터(140), 그리고 배플(150)을 가진다.
공정 챔버(110)는 기판(W) 처리가 수행되는 처리공간(TS)을 제공한다. 공정 챔버(110)는 바디(120)와 밀폐 커버(130)를 가진다. 바디(120)는 상면이 개방되며 내부에 공간이 형성된다. 바디(120)의 측벽에는 기판(W)이 출입하는 개구(미도시)가 형성되며, 개구는 슬릿 도어(slit door)(미도시)와 같은 개폐 부재에 의해 개폐된다. 개폐 부재는 공정 챔버(110) 내에서 기판(W) 처리가 수행되는 동안 개구를 폐쇄하고, 기판(W)이 공정 챔버(110) 내부로 반입될 때와 공정 챔버(110) 외부로 반출될 때 개구를 개방한다. 바디(120)의 하부벽에는 배기홀(121)이 형성된다. 배기홀(121)은 배기 라인(170)과 연결된다. 배기 라인(170)을 통해 공정 챔버(110)의 내부 압력이 조절되고, 공정에서 발생된 반응 부산물이 공정 챔버(110) 외부로 배출된다.
밀폐 커버(130)는 바디(120)의 상부벽과 결합하며, 바디(120)의 개방된 상면을 덮어 바디(120) 내부를 밀폐시킨다. 밀폐 커버(130)의 상단은 플라스마 공급부(200)와 연결된다. 밀폐 커버(130)에는 유도공간(DS)이 형성된다. 유도공간(DS)은 역깔때기 형상으로 제공될 수 있다. 플라스마 공급부(200)에서 공급된 플라스마 상태의 가스는 유도공간(DS)에서 확산되며 배플(150)로 이동한다.
서셉터(140)는 처리공간(TS)에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 서셉터(140)는 정전력에 의해 기판(W)을 흡착하는 정전 척(Electro Static Chuck)이 제공될 수 있다. 서셉터(140)에는 리프트 홀(미도시)들이 형성될 수 있다. 리프트 홀들에는 리프트 핀(미도시)들이 각각 제공된다. 리프트 핀들은 기판(W)이 서셉터(140)상에 로딩/언로딩되는 경우, 리프트 홀들을 따라 승강한다. 서셉터(140) 내부에는 히터(미도시)가 제공될 수 있다. 히터는 기판(W)을 가열하여 공정온도로 유지시킨다.
배플(150)은 바디(120)와 밀폐 커버(130)의 사이에서 바디(120)의 상부벽과 결합한다.
배플(150)은 베이스(151)와 체결부(153)를 가진다. 베이스(151)는 원판 형상으로, 서셉터(140)의 상면과 나란하게 배치된다. 베이스(151)는 기판(W)보다 넓은 면적으로 제공될 수 있다. 베이스(151)의 저면은 서셉터(140)와 마주하는 면으로, 평평하게 제공된다. 베이스(151)에는 홀(152)들이 형성된다. 유도공간(DS)에서 확산된 플라스마는 홀(152)들을 통과하여 처리공간(TS)으로 유입된다.
체결부(153)는 베이스(151)의 상면 가장자리영역으로부터 상부로 돌출되며, 링 형상을 가진다. 체결부(153)는 배플(150)이 바디(120)의 상부벽과 체결되는 영역으로 제공된다.
플라스마 공급부(200)는 공정가스를 여기 시켜 플라스마 상태의 가스를 생성하고, 생성된 플라스마 상태의 가스를 기판(W)으로 공급한다. 플라스마 공급부(200)는 반응기(210), 유도 코일(220), 전원(230), 가스 주입 포트(240), 그리고 공정 가스 공급부(250, 260)들을 포함한다.
도 3은 반응기(210) 및 유도 코일(220)의 사시도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 반응기(210)는 밀폐 커버(130)의 상부에 위치하며, 그 하단이 밀폐 커버(130)의 상단과 결합한다. 반응기(210)는 상면 및 하면이 개방되며, 내부에 공간이 형성된 배관 형상으로 제공된다. 반응기(210)의 내부공간은 플라스마가 여기 되는 공간으로 제공된다. 반응기(210)의 상단은 가스 주입 포트(240)와 연결되고, 하단은 밀폐커버(130)와 연결된다. 반응기(210)는 석영으로 제공된다.
반응기(210)의 내측에는 내측관(211)이 위치된다. 내측관(211)의 외주면은 반응기(210)의 내면과 이격 되게 위치될 수 있다. 내측관(211)의 상단은 가스 주입 포트에 고정될 수 있다. 내측관(211)의 하단은 반응기(210)의 하단과 동일한 높이에 위치되게 제공될 수 있다. 또한, 내측관(211)의 길이는 반응기(210)의 길이보다 길게 제공되어, 내측관(211)의 하단은 유도공간에 위치되게 제공될 수 있다. 내측관(211)은 반응기(210)와 상이한 재질로 제공된다. 예를 들어, 내측관(211)은 세라믹 또는 사파이어로 제공될 수 있다. 또한, 내측관(211)은 금속 재질로 제공될 수 도 있다.
반응기(210)에는 유도 코일(220)이 감긴다. 유도 코일(220)은 반응기(210)의 둘레를 따라 복수 회 감긴다. 유도 코일(220)의 일단은 전원(230)과 연결되고, 타단은 접지된다. 전원(230)은 유도 코일(220)에 고주파 전력 또는 마이크로파 전력을 인가한다.
가스 주입 포트(240)는 반응기(210)의 상단에 결합하여 공정 가스를 공급한다. 가스 주입 포트에는 제 1 공급홀(241) 및 제 2 공급홀(242)이 형성된다. 제 1 공급홀(241)은 내측관(211)의 안쪽에 형성된 공간과 연결되게 형성되고, 제 2 공급홀(242)은 내측관(211)의 외면과 반응기(210)의 내면 사이에 형성된 공간과 연결되게 형성된다.
공정 가스 공급부(250)는 반응기(210)의 내측으로 공정 가스를 공급한다. 공정 가스 공급부는 제 1 공정 가스 공급부(250) 및 제 2 공정 가스 공급부(260)를 포함한다.
제 1 공정 가스 공급부(250)는 제 1 공급홀(241)에 연결되어, 내측관(211)의 내측에 형성된 공간으로 제 1 공정 가스를 공급한다.
제 1 공정 가스 공급부(250)는 제 1 공정 가스 저장부(251), 제 1 공정 가스 공급라인(252), 그리고 제 1 밸브(253)를 포함한다.
제 1 공정 가스 저장부(251)는 제 1 공정 가스를 저장한다. 제 1 공정 가스는 식각성 가스로 제공될 수 있다. 예를 들어, 제 1 공정 가스는 수소 또는 불소 계열 가스일 수 있다. 또한, 불소 계열 가스는 사불화탄소일 수 있다. 제 1 공정 가스 공급라인(252)은 제 1 공정 가스 저장부(251)와 제 1 공급홀(241)을 연결한다. 제 1 공정 가스 공급라인(252)에는 라인을 개폐하거나 유동하는 가스의 유량을 조절하는 제 1 밸브(253)가 위치된다. 제 1 공정 가스는 유도 코일(220)에 인가되는 전력에 의해 플라즈마 상태로 여기될 수 있다.
제 2 공정 가스 공급부(260)는 제 2 공급홀(242)에 연결되어, 내측관(211)의 외측과 반응기(210) 사이에 형성된 공간으로 제 2 공정 가스를 공급한다.
제 2 공정 가스 공급부(260)는 제 2 공정 가스 저장부(261), 제 2 공정 가스 공급라인(262), 그리고 제 2 밸브(263)를 포함한다.
제 2 공정 가스 저장부(261)는 제 2 공정 가스를 저장한다. 제 2 공정 가스는 비식각성 가스로 제공될 수 있다. 예를 들어, 제 2 공정 가스는 산소, 질소 또는 아르곤일 수 있다. 제 2 공정 가스 공급라인(262)은 제 2 공정 가스 저장부(261)와 제 2 공급홀(242)을 연결한다. 제 2 공정 가스 공급라인(262)에는 라인을 개폐하거나 유동하는 가스의 유량을 조절하는 제 2 밸브(263)가 위치된다. 제 2 공정 가스는 유도 코일(220)에 인가되는 전력에 의해 플라즈마 상태로 여기될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 서로 상이한 성질을 갖는 제 1 공정 가스 또는 제 2 공정 가스로 기판을 처리할 수 있는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다. 이 때, 식각성의 제 1 공정 가스는 내측관(211)으로 공급되어, 석영 재질의 반응기(210)와의 접촉이 차단된다. 따라서, 제 1 공정 가스와 반응기(210) 사이에 식각 반응이 발생되는 것이 차단될 수 있다.
또 다른 실시 예로, 제 1 공정 가스와 제 2 공정 가스는 동일한 물성의 가스일 수 있다. 예를 들어, 제 1 공정 가스와 제 2 공정 가스는 식각성 가스 또는 비식각성 가스일 수 있다. 제 2 공정 가스가 식각성 가스로 제공되는 경우, 반응기(210)는 식각성 가스와 반응하지 않도록 세라믹, 사파이어 또는 금속 재질로 제공될 수 있다.
제 1 공정 가스 공급부(250)와 제 2 공정 가스 공급부(260)는 동시에 또는 시간차를 두고 하나의 기판(W)의 처리를 위해 각각 제 1 공정 가스와 제 2 공정 가스를 공급할 수 있다. 이 때, 제 1 공정 가스 공급부(250) 또는 제 2 공정 가스 공급부(260)는 제 1 공정 가스와 제 2 공정 가스의 비율이 조절 되도록 가스를 공급할 수 있다. 공급되는 제 1 공정 가스와 제 2 공정 가스의 비율이 조절됨에 따라 공정 균일도가 향상될 수 있다.
또한, 제 1 공정 가스 공급부(250)와 제 2 공정 가스 공급부(260) 가운데 하나 에서만 공정 가스의 공급이 이루어져, 기판(W)이 처리 될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
10: 설비 전방 단부 모듈 20: 공정 처리실
30: 기판 처리 모듈 100: 공정 처리부
110: 공정 챔버 120: 바디
130: 밀폐 커버 200: 플라스마 공급부
210: 반응기 220: 유도 코일
230: 전원 240: 가스 주입 포트
250: 제 1 공정 가스 공급부 260: 제 2 공정 가스 공급부
30: 기판 처리 모듈 100: 공정 처리부
110: 공정 챔버 120: 바디
130: 밀폐 커버 200: 플라스마 공급부
210: 반응기 220: 유도 코일
230: 전원 240: 가스 주입 포트
250: 제 1 공정 가스 공급부 260: 제 2 공정 가스 공급부
Claims (9)
- 공정 챔버;
상기 공정 챔버의 내측에 위치되어 기판을 지지하는 서셉터;
상기 공정 챔버의 상부에 위치되고 배관 형상으로 제공되며 석영 재질인 반응기;
상기 반응기의 상단에 위치되는 가스 주입 포트;
상기 반응기의 둘레에 감기고 전원에 연결되는 유도 코일;
상기 반응기의 내측에 위치되고 상기 반응기와 상이한 재질로 제공되는 내측관; 및
상기 가스 주입 포트에 연결되어 상기 유도 코일에 인가되는 전력에 의해 플라즈마 상태로 여기되는 공정 가스를 공급하는 공정 가스 공급부를 포함하되,
상기 공정 가스 공급부는,
상기 내측관의 내측에 형성된 공간에서 상기 유도 코일에 인가된 전력에 의해 플라즈마 상태로 여기되고 식각성 가스인 제1공정 가스를 상기 내측관의 내측에 형성된 공간으로 공급하는 제 1 공정 가스 공급부; 및
상기 내측관의 외면과 상기 반응기 사이에 형성된 공간에서 상기 유도 코일에 인가되는 전력에 의해 플라즈마 상태로 여기되고 비 식각성 가스인 제2공정 가스를 상기 내측관의 외면과 상기 반응기 사이에 형성된 공간으로 공급하는 제 2 공정 가스 공급부를 포함하는 기판 처리 장치. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 공정 가스 공급부 또는 상기 제 2 공정 가스 공급부는 제 1 공정 가스와 제 2 공정 가스의 비율이 조절 되도록 가스를 공급하는 기판 처리 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 처리 시 상기 제 1 공정 가스 공급부와 제 2 공정 가스 공급부 가운데 하나 에서만 상기 제 1 공정 가스 또는 상기 제 2 공정 가스가 공급되는 기판 처리 장치. - 제 1 항, 제 5 항 및 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 내측관은 세라믹 재질로 제공되는 기판 처리 장치. - 제 1 항, 제 5 항 및 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 내측관은 금속 재질로 제공되는 기판 처리 장치. - 삭제
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150026662A KR101603972B1 (ko) | 2015-02-25 | 2015-02-25 | 기판 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150026662A KR101603972B1 (ko) | 2015-02-25 | 2015-02-25 | 기판 처리 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR101603972B1 true KR101603972B1 (ko) | 2016-03-17 |
Family
ID=55651669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150026662A KR101603972B1 (ko) | 2015-02-25 | 2015-02-25 | 기판 처리 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101603972B1 (ko) |
-
2015
- 2015-02-25 KR KR1020150026662A patent/KR101603972B1/ko not_active IP Right Cessation
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| AMND | Amendment | ||
| X091 | Application refused [patent] | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |