TWI520261B - An exhaust ring assembly and a substrate processing device comprising the exhaust ring assembly - Google Patents

An exhaust ring assembly and a substrate processing device comprising the exhaust ring assembly Download PDF

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TWI520261B
TWI520261B TW103112680A TW103112680A TWI520261B TW I520261 B TWI520261 B TW I520261B TW 103112680 A TW103112680 A TW 103112680A TW 103112680 A TW103112680 A TW 103112680A TW I520261 B TWI520261 B TW I520261B
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Description

排氣環組件及包含該排氣環組件的基板處理裝置
本發明係關於一種基板處理裝置，更詳細而言，係關於一種包含排氣環組件之基板處理裝置。
電漿係指包含離子或電子、自由基(Radical)等之離子化之後的氣體狀態，電漿由非常高之溫度、強電場或者高頻電場(RF Electromagnetic Fields)生成。
此種電漿以多種方式活用於為了製造半導體元件而使用光阻(photoresist)之微影(lithography)步驟中。作為一例，於在基板上形成如線(line)或空間(space)圖案等各種微細電路圖案，或利用離子注入(ion implantation)步驟將用作掩模(mask)之光阻膜予以除去之灰化(ashing)步驟中，活用度逐步升高。
於先前技術文獻1中，揭示有利用電漿對基板進行步驟處理之裝置。裝置的靜電夾盤位於步驟腔室中央，於靜電夾盤的周圍設置排氣構件而排出氣體。由於排氣構件所排出之氣體之流動會變動，因此，排氣構件之控制會對步驟均一度產生較大影響。
對於前述先前技術文獻1所揭示之排氣構件而言，在使氣體均一地流動方面存在極限，因此，氣體流動會偏向， 故而步驟均一度不佳。又，大部分之步驟氣體以較快之流動速度經由排氣構件而被排出，因此，滯留於步驟腔室內部之時間縮短，步驟效率低。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]韓國專利公開第10-2007-0118482號公報
本發明提供能夠提高基板處理效率之基板處理裝置。
又，本發明提供能夠提高步驟均一度之基板處理裝置。
又，本發明提供能夠提高煙氣排出效果之排氣環組件。
本發明實施形態之基板處理裝置包含：步驟腔室；夾盤，其位於前述步驟腔室的內部，且支持基板；阻板，其與前述夾盤相對向地配置於前述夾盤的上部，且形成有分配向前述步驟腔室內部供給之步驟氣體之分配孔；以及環形狀之側部排氣環，其設置於高於前述夾盤之位置，包圍通過前述分配孔之步驟氣體所流入之處理空間，且形成有排氣孔。
又，複數個前述側部排氣環可彼此隔開地沿著上下方向積層。
又，前述側部排氣環的排氣孔可沿著上下方向排列設置於同一條直線上。
又，前述側部排氣環的排氣孔有時可不沿著上下方向 排列於同一條直線上。
又，有時前述側部排氣環可被劃分為至少2個以上之群組；屬於同一群組之前述側部排氣環的前述排氣孔沿著上下方向排列於同一條直線上，屬於其他群組之前述側部排氣環的前述排氣孔不沿著上下方向排列於同一條直線上。
又，有時前述側部排氣環可具有自下而上依序積層之第1側部排氣環、第2側部排氣環、第3側部排氣環及第4側部排氣環；前述第1側部排氣環的排氣孔與前述第3側部排氣環的排氣孔沿著上下方向排列於同一條直線上；前述第2側部排氣環的排氣孔與前述第4側部排氣環的排氣孔沿著上下方向排列於同一條直線上；前述第1側部排氣環的排氣孔與前述第2側部排氣環的排氣孔不沿著上下方向排列於同一條直線上。
又，能夠更包含下部排氣環，該下部排氣環設置於與前述夾盤相同之高度或低於前述夾盤之高度，且形成有排氣孔。
又，可設置至少2個以上之前述下部排氣環，前述下部排氣環沿著上下方向彼此隔開地積層；前述下部排氣環的排氣孔沿著上下方向排列於同一條直線上。
又，有時可設置至少2個以上之前述下部排氣環，前述下部排氣環沿著上下方向彼此隔開地積層；前述下部排氣環的排氣孔不沿著上下方向排列於同一條直線上。
本發明之其他實施形態之基板處理裝置包含：步驟腔室，其於內部形成有空間；夾盤，其位於前述步驟腔室的 內部，且支持基板；電漿產生部，其具有生成電漿之放電空間，且向前述步驟腔室的內部供給電漿；阻板，其位於前述夾盤的上部，且形成有分配向前述步驟腔室內部供給之電漿之分配孔；以及環形狀之側部排氣環，其設置於高於前述夾盤之位置，包圍通過前述分配孔之電漿所流入之處理空間，且形成有排氣孔。
又，能夠更包含下部排氣環，該下部排氣環位於與前述夾盤相同之高度或低於前述夾盤之高度，且形成有排氣孔。
又，可設置複數個前述側部排氣環，前述側部排氣環沿著上下方向隔開地積層。
又，前述側部排氣環的排氣孔可沿著上下方向排列設置於同一條直線上。
又，前述側部排氣環的排氣孔有時可不沿著上下方向排列設置於同一條直線上。
又，前述側部排氣環的排氣孔與前述下部排氣環的排氣孔可沿著上下方向排列設置於同一條直線上。
又，前述側部排氣環的排氣孔與前述下部排氣環的排氣孔有時可不沿著上下方向排列設置於同一條直線上。
本發明之實施形態之排氣環組件能夠包含環形狀之側部排氣環，該環形狀之側部排氣環設置於高於放置基板之夾盤之位置，包圍前述夾盤的上部區域，且形成有排氣孔。
又，能夠更包含環形狀之下部排氣環，該環形狀之下部排氣環設置於與前述夾盤相同之高度或低於前述夾盤之 高度，且形成有排氣孔。
又，可設置複數個前述側部排氣環，前述側部排氣環沿著上下方向隔開地積層。
又，前述側部排氣環的排氣孔可沿著上下方向排列設置於同一條直線上。
又，前述側部排氣環的排氣孔有時可不沿著上下方向排列設置於同一條直線上。
又，前述側部排氣環有時可被劃分為至少2個以上之群組；屬於同一群組之前述側部排氣環的排氣孔沿著上下方向排列於同一條直線上，屬於其他群組之前述側部排氣環的排氣孔不沿著上下方向排列於同一條直線上。
根據本發明之實施形態，排氣環組件的封閉步驟氣體之功能提高，從而基板處理效率提高。
又，根據本發明之實施形態，基板所感受之煙氣之流動速度減慢，從而步驟均一度提高。
又，根據本發明，煙氣之流動得到改善，因此，煙氣排出效果提高。
1‧‧‧基板處理設備
10‧‧‧設備前端模組
12‧‧‧裝載埠
14‧‧‧框架
16‧‧‧載體
18‧‧‧移送機械手
19‧‧‧移動軌道
20‧‧‧步驟處理室
22‧‧‧裝載鎖閉腔室
24‧‧‧轉移腔室
25‧‧‧本體
26‧‧‧搬送機械手
30、40‧‧‧基板處理裝置
100‧‧‧步驟處理部
110、510‧‧‧步驟腔室
111‧‧‧主體
112、151、161、162、181、182、183、184、321、322、323、324、341、342、343、344、361、362、363、364‧‧‧排氣孔
113‧‧‧排氣管路
114、511‧‧‧處理空間
115‧‧‧密閉蓋
116、221‧‧‧感應空間
120、520‧‧‧夾盤
130、550‧‧‧阻板
131、552‧‧‧分配孔
140、140e、140f、570‧‧‧排氣環組件
140a‧‧‧阻擋組件
150、150a、150c、150d、150e、311、312、313、314、331、332、333、334、610‧‧‧側部排氣環
160、160a、160b、170、171、172、173、174、620‧‧‧下部排氣環
200‧‧‧電漿供給部
210‧‧‧反應器
211‧‧‧放電空間
220‧‧‧氣體注入口
230‧‧‧感應線圈
240、540‧‧‧電源
250、560‧‧‧氣體供給部
351‧‧‧第1側部排氣環
352‧‧‧第2側部排氣環
353‧‧‧第3側部排氣環
354‧‧‧第4側部排氣環
530‧‧‧下部電極
551‧‧‧緩衝空間
W‧‧‧基板
X‧‧‧第1方向
Y‧‧‧第2方向
圖1係簡略地表示本發明實施形態之基板處理設備之俯視圖。
圖2係簡略地表示本發明之一個實施形態之基板處理裝置之剖面圖。
圖3係將圖2的A予以放大之圖式，且表示本發明之其 他實施形態之排氣環組件。
圖4係將圖2的A予以放大之圖式，且表示本發明之另一實施形態之排氣環組件。
圖5係將圖2的A予以放大之圖式，且表示本發明之另一實施形態之排氣環組件。
圖6係將圖2的A予以放大之圖式，且表示本發明之另一實施形態之排氣環組件。
圖7係將圖2的A予以放大之圖式，且表示本發明之另一實施形態之排氣環組件。
圖8係將圖2的A予以放大之圖式，且表示本發明之另一實施形態之排氣環組件。
圖9係表示本發明之其他實施形態之基板處理裝置之圖式。
以下，參照隨附圖式，更詳細地說明本發明之實施形態。本發明之實施形態可變形為各種形態，且不應解釋為本發明之範圍限定於以下實施形態。本實施形態係為了更完全地說明本發明而對具有業界中的一般知識者提供之實施形態。因此，為了強調更明確之說明而誇張地表示了圖式中的要素之形狀。
圖1係簡略地表示本發明實施形態之基板處理設備之俯視圖。
參照圖1，基板處理設備1包含設備前端模組(equipment front end module，EFEM)10與步驟處理室20。 設備前端模組10與步驟處理室20配置於一個方向。以下，將設備前端模組10與步驟處理室20之排列方向定義為第1方向X，將自上部觀察時與第1方向X垂直之方向定義為第2方向Y。
設備前端模組10安裝於步驟處理室20前方，於收納有基板之載體16與步驟處理室20之間移送基板W。設備前端模組10包含裝載埠12與框架14。
裝載埠12配置於框架14前方，且設置有複數個裝載埠12。裝載埠12彼此隔開地沿著第2方向Y配置為一行。載體16(例如晶圓匣、晶圓搬送盒(FOUP)等)分別安裝於裝載埠12。對步驟提供之基板W及步驟處理已完成基板W收納於載體16。
框架14配置於裝載埠12與裝載鎖閉腔室22之間。移送機械手18配置於框架14內部，該移送機械手18於裝載埠12與裝載鎖閉腔室22之間移送基板W。移送機械手18能夠沿著向第2方向Y設置之移動軌道19移動。
步驟處理室20包含裝載鎖閉腔室22、轉移腔室24、及複數個基板處理裝置30。
裝載鎖閉腔室22配置於轉移腔室24與框架14之間，且提供於向基板處理裝置30移送對步驟提供之基板W之前、或於向載體16移動步驟處理已完成之基板W之前待機之空間。可設置一個或複數個裝載鎖閉腔室22。根據實施形態，設置有2個裝載鎖閉腔室22。於一個裝載鎖閉腔室22中，可收納為了步驟處理而向基板處理裝置30提供之基板W，於 另一個裝載鎖閉腔室22中，可收納已利用基板處理裝置30完成了步驟之基板W。
轉移腔室24沿著第1方向X配置於裝載鎖閉腔室22後方，且於自上部觀察時，具有多邊形之本體25。於本體25的外側，裝載鎖閉腔室22與複數個基板處理裝置30沿著本體25的周邊配置。根據實施形態，轉移腔室24於自上部觀察時，具有六邊形之本體。裝載鎖閉腔室22分別配置於與設備前端模組10鄰接之2個側壁，基板處理裝置30配置於剩餘之側壁。於本體25的各側壁形成有基板W所出入之通路(未圖示)。通路於轉移腔室24與裝載鎖閉腔室22之間，或於轉移腔室24與基板處理裝置30之間提供基板W所出入之空間。於各通路中設置有使通路開閉之門(未圖示)。轉移腔室24可根據所需之步驟模組而被設置為多種形狀。
於轉移腔室24內部配置有搬送機械手26。搬送機械手26向基板處理裝置30移送於裝載鎖閉腔室22中待機之未處理基板W，或向裝載鎖閉腔室22移送已利用基板處理裝置30完成了步驟處理之基板W。搬送機械手26能夠向基板處理裝置30依序提供基板W。
基板處理裝置30將電漿狀態之氣體供給至基板而進行步驟處理。電漿氣體可以多種方式使用於半導體製作步驟。以下，說明由基板處理裝置30進行灰化(ashing)步驟。然而，基板處理裝置30並不限定於此，能夠進行蝕刻(etching)步驟與蒸鍍(deposition)步驟等利用電漿氣體之多種步驟。
圖2係簡略地表示本發明之一個實施形態之基板處理裝置之剖面圖。
參照圖2，基板處理裝置30可提供感應耦合電漿(Inductively Coupled Plasma：ICP)型之裝置。基板處理裝置30包含步驟處理部100與電漿供給部200。步驟處理部100提供對基板W進行處理之空間，電漿供給部200產生基板W處理步驟中所使用之電漿，且將電漿以下游流(Down Stream)方式供給至基板W。以下，詳細地對各構成進行說明。
步驟處理部100包含步驟腔室110、夾盤120、阻板130、及排氣環組件140。
步驟腔室110提供進行步驟處理之空間。步驟腔室110具有主體111與密閉蓋115。主體111的上表面開放，且於內部形成有空間。於主體111的側壁形成有基板W所出入之開口(未圖示)，開口藉由如狹縫門(slit door)(未圖示)般之開閉構件而開閉。開閉構件於在步驟腔室110內對基板W進行處理之期間關閉開口，且於基板W搬入至步驟腔室110的內部時、與向步驟腔室110外部搬出基板W時打開開口。於主體111的下部壁形成有排氣孔112。排氣孔112與排氣管路113連接。經由排氣管路113而調節步驟腔室110之內部壓力，且將步驟過程中所產生之煙氣(fume)與反應部產物向步驟腔室110的外部排出。
密閉蓋115與主體111的上部壁結合，且覆蓋主體111的開放之上表面而使主體111的內部密閉。密閉蓋115的上 端與電漿供給部200連接。於密閉蓋115中形成感應空間116。感應空間116具有倒漏斗形狀。自電漿供給部200流入之電漿於感應空間116中擴散，且向阻板130移動。
夾盤120位於步驟腔室110的內部，且支持基板W。夾盤120可提供藉由靜電力而將基板W予以固定之靜電夾盤(Electro Static Chuck)。此外，夾盤120可設置為藉由真空而將基板W予以固定之真空夾盤(Vacuum Chuck)等多種夾盤。可於夾盤120中形成複數個升降孔(未圖示)。升降銷(未圖示)分別插入至升降孔。於將基板W裝載至夾盤120或自夾盤120卸載基板W之情形時，複數個升降銷沿著升降孔升降。可於夾盤120的內部設置加熱器。加熱器對基板W進行加熱而使其維持於適合於步驟之溫度。
阻板130與主體111的上部壁結合。阻板130具有厚度薄之圓板形狀，且與夾盤120的上表面相對向地並排配置。阻板130的與夾盤120的上表面相對向之面平坦。阻板130能夠具有與基板W相對應之半徑。於阻板130中形成有複數個分配孔131。複數個分配孔131係作為自阻板130的上表面延長至底面之貫通孔而均一地形成於阻板130的各區域中。自電漿供給部200供給至步驟腔室110內部之電漿經由分配孔131，均一地分配至步驟腔室110的內部。
排氣環組件140設置於步驟腔室110的內部。排氣環組件140發揮如下作用，即，以使電漿滯留於處理空間114之方式封閉電漿，且使步驟中所產生之煙氣於排氣過程中均一地流動。處理空間114作為位於基板W上部之空間，係通 過了阻板130之電漿的大部分所流入之空間。排氣環組件140包含側部排氣環150與下部排氣環160。
側部排氣環150係設置為厚度薄之圓環形狀之板。側部排氣環150的內徑對應於夾盤120的外徑，或能夠具有大於夾盤120的外徑之半徑。側部排氣環150位於高於夾盤120之位置。根據實施形態，設置有複數個側部排氣環150，該等側部排氣環150彼此相對向地沿著上下方向積層。側部排氣環150與鄰接之側部排氣環維持特定間隔。側部排氣環150可自鄰接於夾盤120之區域設置至鄰接於阻板130之區域。側部排氣環150包圍處理空間114，且發揮封閉滯留於處理空間114中之電漿之作用。
於側部排氣環150中形成有排氣孔151。排氣孔151係作為自側部排氣環150的上表面到達底面之貫通孔，沿著側部排氣環150的周邊而均一地形成。排氣孔151能夠具有圓形剖面。與此不同地，排氣孔151可設置為多種形狀。
形成於各個側部排氣環150之排氣孔151可沿著上下方向排列於同一條直線上。此外，形成於各個側部排氣環150之排氣孔151有時不沿著上下方向排列於同一條直線上。此外，有時側部排氣環150中的一部分之側部排氣環150的排氣孔151能夠沿著上下方向排列於同一條直線上，剩餘之側部排氣環150的排氣孔151不沿著上下方向排列於同一條直線上。
下部排氣環160係設置為厚度薄之圓環形狀之板。下部排氣環160能夠位於與夾盤120相同之高度，或位於低於夾 盤120之高度。根據實施形態，下部排氣環160位於與夾盤120的上表面相對應之高度。下部排氣環160具有與夾盤120的外徑相對應之內徑，且沿著夾盤120的周邊設置。於下部排氣環160中形成有排氣孔161。排氣孔161係作為自下部排氣環160的上表面到達底面之貫通孔，沿著下部排氣環160的周邊而均一地形成。排氣孔161能夠具有圓形剖面。此外，排氣孔161可設置為多種形狀。
電漿供給部200位於步驟腔室110的上部，且由步驟氣體產生電漿。電漿供給部200包含反應器210、氣體注入口220、感應線圈230、電源240、及氣體供給部250。
反應器210呈圓筒形狀，其上表面及下表面開放，且於內部形成有空間。反應器210的內部設置為使步驟氣體放電之放電空間211。反應器210的下端與密閉蓋115的上端連接，放電空間211與流路116連接。於放電空間211中放電後之步驟氣體經由流路116而流入至步驟腔室110的內部。
氣體注入口220結合於反應器210的上端。氣體注入口220與氣體供給部250連接，且供氣體流入。於氣體注入口220的底面形成有感應空間221。感應空間221具有倒漏斗形狀，且與放電空間211連通。流入至感應空間221之氣體擴散，且流入至放電空間211。
感應線圈230沿著反應器210的周邊而複數次地捲繞於反應器210。感應線圈230的一端與電源240連接，另一端接地。電源240對感應線圈230施加高頻電力或微波電力。
氣體供給部250向放電空間211供給氣體。儲存於氣體 供給部250之步驟氣體經由氣體供給管路而向放電空間211供給。步驟氣體能夠包含NH3、O2、N2、H3、NF3CH4中的至少任一種氣體。步驟氣體能夠進行灰化步驟。
圖3至圖8係將圖2的A予以放大之圖式，且表示本發明之多種實施形態之排氣環組件。
首先，參照圖3，阻擋組件140a包含複數個側部排氣環150a與單一之下部排氣環160a。側部排氣環150a可提供4個側部排氣環311至314。側部排氣環311至314的排氣孔321至324並未沿著上下方向彼此對齊。又，側部排氣環311至314的排氣孔321至324有時可不與下部排氣環160a的排氣孔161對齊。於該情形時，側部排氣環311至314的將電漿封閉於處理空間114內之功能提高，基板處理率例如灰化率提高。又，基板W所感受之煙氣之流動速度減慢，步驟均一度提高。
參照圖4，與圖3之實施形態不同，側部排氣環331至334的排氣孔341至344沿著上下方向彼此對齊。又，側部排氣環331至334的排氣孔341至344可與下部排氣環160b的排氣孔162對齊。於該情形時，處理空間114內所產生之煙氣之排出效果優異，煙氣均一地流動。又，基板W所感受之煙氣之流動速度減慢，基板處理之均一度提高。
參照圖5，側部排氣環150c可根據排氣孔是否對齊而被劃分為複數個群組。根據實施形態，側部排氣環150c自下而上依序積層有第1至第4側部排氣環351至354。形成於第1及第3側部排氣環351、353之排氣孔361、363沿著上下方向 排列於同一條直線上，因此，被劃分至同一群組。而且，形成於第2及第4側部排氣環353、354之排氣孔362、364沿著上下方向排列於同一條直線上，因此，被劃分至同一群組。第1及第3側部排氣環351、353的排氣孔361、363與第2及第4側部排氣環352、354的排氣孔362、364未彼此對齊，因此，被劃分至其他群組。相互之間的排氣孔361至364未對齊之側部排氣環351至354可交替地反復配置。於同一群組中所含之側部排氣環150c中，煙氣會類似地流動，另一方面，於其他群組中所含之側部排氣環150c之間，煙氣以其他形態流動。於該情形時，不僅可提高側部排氣環150c的將電漿封閉於處理空間內之功能，而且可改善煙氣之流動，從而提高排出效果。又，基板W所感受之煙氣之流動速度減慢，基板處理均一度提高。
可設置複數個下部排氣環160b。下部排氣環160b彼此隔開地沿著上下方向積層。根據實施形態，2個下部排氣環171、172設置於夾盤周圍。形成於下部排氣環171、172之排氣孔181、182可沿著上下方向排列於同一條直線上。此種排氣孔181、182之配置會改善煙氣之流動。
此外，如圖6所示，下部排氣環173、174的排氣孔183、184有時可不沿著上下方向排列於同一條直線上。
又，如圖7所示，排氣環組件140e能夠僅由側部排氣環150d構成。有時可不根據所產生之煙氣之流動，將排氣環設置於與夾盤120相同之高度或低於該夾盤120之高度。
另一方面，於上述實施形態中，說明了設置有4個側部 排氣環之情形，但如圖8所示，可設置單一之側部排氣環150e。關於排氣環組件140f，能夠考慮側部排氣環150e對於電漿之封閉性能與所排出之煙氣之流動而決定側部排氣環150e的數量。
圖9係表示本發明之其他實施形態之基板處理裝置之圖式。
參照圖9，基板處理裝置40可提供電容耦合電漿(Capacitively Coupled Plasma：CCP)型之裝置。基板處理裝置40包含步驟腔室510、夾盤520、下部電極530、電源540、阻板550、氣體供給部560、及排氣環組件560。
步驟腔室510於內部形成有空間。夾盤520於步驟腔室510的內部支持基板W。於夾盤520的內部設置有下部電極530。下部電極530與外部電源540連接。阻板550位於夾盤520的上部，底面位於與夾盤530的上表面相對向之位置。於阻板550的內部形成有緩衝空間551，於底面形成有分配孔552。阻板550接地，且設置為上部電極。氣體供給部560與阻板550連接，且向緩衝空間551供給步驟氣體。步驟氣體於緩衝空間551中擴散之後，經由分配孔552而向步驟腔室510內部的處理空間511供給。向下部電極530施加電力，藉此，滯留於處理空間511之步驟氣體會因阻板550與夾盤520之間所形成之電場而被激發為電漿狀態。
排氣環組件570包含側部排氣環610與下部排氣環620。側部排氣環610在高於夾盤520之位置包圍處理空間511。下部排氣環620位於與夾盤520相同之高度或低於該夾 盤520之高度。排氣環組件570如上述圖3至圖8之實施形態般，可由側部排氣環與下部排氣環之多種組合而提供。
以上之詳細說明僅對本發明進行例示。又，前述內容係表示、說明本發明之較佳實施形態之內容，本發明能夠於多種其他組合、變更及環境中使用。亦即，能夠於本說明書所揭示之發明的概念範圍、與前述揭示內容均等之範圍及/或業界之技術或知識之範圍內，進行變更或修正。前述實施形態係對用以體現本發明的技術思想之最佳狀態進行說明之實施形態，亦能夠進行本發明之具體適用領域及用途所需之多種變更。因此，以上之發明的詳細說明並不將本發明限制於已揭示之實施狀態。又，需解釋為隨附之申請專利範圍亦包含其他實施狀態。
30‧‧‧基板處理裝置
100‧‧‧步驟處理部
110‧‧‧步驟腔室
111‧‧‧主體
112、151、161‧‧‧排氣孔
113‧‧‧排氣管路
114‧‧‧處理空間
115‧‧‧密閉蓋
116、221‧‧‧感應空間
120‧‧‧夾盤
130‧‧‧阻板
131‧‧‧分配孔
140‧‧‧排氣環組件
150‧‧‧側部排氣環
160‧‧‧下部排氣環
200‧‧‧電漿供給部
210‧‧‧反應器
211‧‧‧放電空間
220‧‧‧氣體注入口
230‧‧‧感應線圈
240‧‧‧電源
250‧‧‧氣體供給部
W‧‧‧基板

Claims (22)

  1. 一種基板處理裝置，包含：步驟腔室；夾盤，其位於前述步驟腔室的內部，且支持基板；阻板，其與前述夾盤相對向地配置於前述夾盤的上部，且形成有分配向前述步驟腔室內部供給之步驟氣體之分配孔；以及環形狀之側部排氣環，其以與前述夾盤於上下方向隔開的方式設置於高於前述夾盤之位置，包圍通過前述分配孔之步驟氣體所流入之處理空間，且形成有排氣孔。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中，複數個前述側部排氣環彼此隔開地沿著上下方向積層。
  3. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中，前述側部排氣環的排氣孔沿著上下方向排列設置於同一條直線上。
  4. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中，前述側部排氣環的排氣孔不沿著上下方向排列於同一條直線上。
  5. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中，前述側部排氣環被劃分為至少2個以上之群組；屬於同一群組之前述側部排氣環的前述排氣孔沿著上下方向排列於同一條直線上，屬於其他群組之前述側部排氣環的前述排氣孔不沿著上下方向排列於同一條直線上。
  6. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中，前述側部排氣環具有自下而上依序積層之第1側部排氣環、第2側部排氣環、第3側部排氣環及第4側部排氣環；前述第1側部排氣環的排氣孔與前述第3側部排氣環的排氣孔沿著上下方向排列於同一條直線上；前述第2側部排氣環的排氣孔與前述第4側部排氣環的排氣孔沿著上下方向排列於同一條直線上；前述第1側部排氣環的排氣孔與前述第2側部排氣環的排氣孔不沿著上下方向排列於同一條直線上。
  7. 如請求項1至6中任一項所記載之基板處理裝置，更包含下部排氣環，該下部排氣環設置於與前述夾盤相同之高度或低於前述夾盤之高度，且形成有排氣孔。
  8. 如請求項7所記載之基板處理裝置，其中，設置至少2個以上之前述下部排氣環，前述下部排氣環沿著上下方向彼此隔開地積層；前述下部排氣環的排氣孔沿著上下方向排列於同一條直線上。
  9. 如請求項7所記載之基板處理裝置，其中，設置至少2個以上之前述下部排氣環，前述下部排氣環沿著上下方向彼此隔開地積層；前述下部排氣環的排氣孔不沿著上下方向排列於同一條直線上。
  10. 一種基板處理裝置，包含： 步驟腔室，其於內部形成有空間；夾盤，其位於前述步驟腔室的內部，且支持基板；電漿產生部，其具有生成電漿之放電空間，且向前述步驟腔室的內部供給電漿；阻板，其位於前述夾盤的上部，且形成有分配向前述步驟腔室內部供給之電漿之分配孔；以及環形狀之側部排氣環，其以與前述夾盤於上下方向隔開的方式設置於高於前述夾盤之位置，包圍通過前述分配孔之電漿所流入之處理空間，且形成有排氣孔。
  11. 如請求項10所記載之基板處理裝置，更包含下部排氣環，該下部排氣環位於與前述夾盤相同之高度或低於前述夾盤之高度，且形成有排氣孔。
  12. 如請求項10或11所記載之基板處理裝置，其中，設置複數個前述側部排氣環，前述側部排氣環沿著上下方向隔開地積層。
  13. 如請求項12所記載之基板處理裝置，其中，前述側部排氣環的排氣孔沿著上下方向排列設置於同一條直線上。
  14. 如請求項12所記載之基板處理裝置，其中，前述側部排氣環的排氣孔不沿著上下方向排列設置於同一條直線上。
  15. 如請求項11所記載之基板處理裝置，其中，前述側部排氣環的排氣孔與前述下部排氣環的排氣孔沿著上下方向排列設置於同一條直線上。
  16. 如請求項11所記載之基板處理裝置，其中，前述側部排氣環的排氣孔與前述下部排氣環的排氣孔不沿著上下方向排列設置於同一條直線上。
  17. 一種排氣環組件，包含環形狀之側部排氣環，該環形狀之側部排氣環以與夾盤於上下方向隔開的方式設置於高於放置基板之前述夾盤之位置，包圍前述夾盤的上部區域，且形成有排氣孔。
  18. 如請求項17所記載之排氣環組件，更包含環形狀之下部排氣環，該環形狀之下部排氣環設置於與前述夾盤相同之高度或低於前述夾盤之高度，且形成有排氣孔。
  19. 如請求項17或18所記載之排氣環組件，其中，設置複數個前述側部排氣環，前述側部排氣環沿著上下方向隔開地積層。
  20. 如請求項19所記載之排氣環組件，其中，前述側部排氣環的排氣孔沿著上下方向排列設置於同一條直線上。
  21. 如請求項19所記載之排氣環組件，其中前述側部排氣環的排氣孔不沿著上下方向排列設置於同一條直線上。
  22. 如請求項19所記載之排氣環組件，其中，前述側部排氣環被劃分為至少2個以上之群組；屬於同一群組之前述側部排氣環的排氣孔沿著上下方向排列於同一條直線上，屬於其他群組之前述側部排 氣環的排氣孔不沿著上下方向排列於同一條直線上。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101503256B1 (ko) 2014-10-10 2015-03-18 (주) 일하하이텍 기판 처리 장치 및 방법
KR101629213B1 (ko) * 2015-02-02 2016-06-10 (주) 일하하이텍 기판 처리 장치 및 방법
JP6837911B2 (ja) 2017-05-17 2021-03-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置
US11972957B2 (en) 2020-07-31 2024-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Gas flow accelerator to prevent buildup of processing byproduct in a main pumping line of a semiconductor processing tool
CN115763324B (zh) * 2023-01-05 2023-05-05 无锡先为科技有限公司 晶圆反应装置及具有其的半导体制造设备

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6051100A (en) * 1997-10-24 2000-04-18 International Business Machines Corporation High conductance plasma containment structure
JP4602532B2 (ja) * 2000-11-10 2010-12-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US20030092278A1 (en) * 2001-11-13 2003-05-15 Fink Steven T. Plasma baffle assembly
KR100790392B1 (ko) * 2004-11-12 2008-01-02 삼성전자주식회사 반도체 제조장치
US7430986B2 (en) * 2005-03-18 2008-10-07 Lam Research Corporation Plasma confinement ring assemblies having reduced polymer deposition characteristics
KR101218052B1 (ko) * 2005-11-25 2013-01-18 주성엔지니어링(주) 배플, 플라즈마 장치, 및 기판처리방법
KR100796980B1 (ko) * 2007-01-17 2008-01-22 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP5249547B2 (ja) * 2007-09-28 2013-07-31 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びそのガス排気方法
CN101441981A (zh) * 2007-11-20 2009-05-27 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 立体排气环及等离子体加工装置
SG10201405040PA (en) * 2009-08-31 2014-10-30 Lam Res Corp A local plasma confinement and pressure control arrangement and methods thereof
KR20110062534A (ko) * 2009-12-03 2011-06-10 세메스 주식회사 플라즈마 처리 장치
JP5597463B2 (ja) * 2010-07-05 2014-10-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

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