JP2014216644A

JP2014216644A - 排気リングアセンブリー及びこれを含む基板処理装置

Info

Publication number: JP2014216644A
Application number: JP2014076148A
Authority: JP
Inventors: コックヤン，セン; Seung Kook Yang
Original assignee: PSK Inc
Current assignee: PSK Inc
Priority date: 2013-04-23
Filing date: 2014-04-02
Publication date: 2014-11-17
Also published as: CN104124187B; KR101445226B1; CN104124187A; TWI520261B; TW201448110A

Abstract

【課題】基板処理効率を向上させることができる基板処理装置が提供される。【解決手段】本発明による基板処理装置は、工程チャンバー１１０と、前記工程チャンバーの内部に位置し、基板を支持するチャック１２０と、前記チャックの上部で前記チャックと対向して配置され、前記工程チャンバーの内部へ供給される工程ガスを分配する分配ホール１３１が形成されたバッフル１３０と、前記チャックより高い位置に提供され、前記分配ホールを通過した工程ガスが流れ込まれる処理空間を囲み、排気ホール１５１が形成されたリング形状の側部排気リング１５０と、を含む。【選択図】図２

Description

本発明は基板処理装置に関し、より詳細には排気リングアセンブリーを含む基板処理装置に関する。

プラズマはイオンや電子、ラジカル（Ｒａｄｉｃａｌ）等からなされたイオン化されたガス状態を言い、プラズマは非常に高い温度や、強い電界或いは高周波電磁界（ＲＦＥｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃＦｉｅｌｄｓ）によって生成される。
このようなプラズマは半導体素子を製造するためにフォトレジスト（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）を使用するリソグラフィー（ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）工程で多様に活用される。一例として、基板上にライン（ｌｉｎｅ）又はスペース（ｓｐａｃｅ）パターン等のような各種の微細回路パターンを形成するか、或いはイオン注入（ｉｏｎｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ）工程でマスク（ｍａｓｋ）として利用されたフォトレジスト膜を除去するアッシング（ａｓｈｉｎｇ）工程で活用度が段々高くなっている。
先行文献１にはプラズマを利用して基板を工程処理する装置が開示されている。装置は工程チャンバーの中央に靜電チャックが位置し、靜電チャックの周囲に排気部材が提供されてガスを排気する。排気部材にしたがって排気されるガスの流動が変動されるので、排気部材のコントロールは工程の均一度に大きい影響を及ぶ。
前記先行文献１に開示された排気部材の場合、ガスの流動を均一に合わせるのに限界があるので、ガス流動が偏向され、したがって、工程の均一度が悪い。また、工程ガスの大部分は速い流動速度に排気部材を通じて排気されるので、工程チャンバーの内部に留まる時間が短くなって、工程効率が低い。

韓国特許公開第１０−２００７−０１１８４８２号公報

発明が解決しようする課題

本発明は基板処理効率を向上させることができる基板処理装置を提供する。
また、本発明は工程の均一度を向上させることができる基板処理装置を提供する。
また、本発明はヒュームの排出効果を向上させることができる排気リングアセンブリーを提供する。

本発明の実施形態による基板処理装置は、工程チャンバーと、前記工程チャンバーの内部に位置し、基板を支持するチャックと、前記チャックの上部で前記チャックと対向して配置され、前記工程チャンバーの内部へ供給される工程ガスを分配する分配ホールが形成されたバッフルと、前記チャックより高い位置に提供され、前記分配ホールを通過した工程ガスが流れ込まれる処理空間を囲み、排気ホールが形成されたリング形状の側部排気リングと、を含む。

また、前記側部排気リングは、複数個が互いに離隔して上下方向に積層され得る。

また、前記側部排気リングの排気ホールは、上下方向に同一直線上に整列されて提供され得る。

また、前記側部排気リングの排気ホールは、上下方向に同一直線上に整列されないことがあり得る。

また、前記側部排気リングは、少なくとも２つ以上のグループに区分され、同一グループに属する前記側部排気リングは、前記排気ホールが上下方向に同一直線上に整列され、他のグループに属する前記側部排気リングは、前記排気ホールが上下方向に同一直線上に整列されないことがあり得る。

また、前記側部排気リングは、下から上に順次的に積層される第１乃至第４側部排気リングを有し、前記第１側部排気リングの排気ホールと前記第３側部排気リングの排気ホールとは、上下方向に同一直線上に整列され、前記第２側部排気リングの排気ホールと前記第４側部排気リングの排気ホールとは、上下方向に同一直線上に整列され、前記第１側部排気リングの排気ホールと前記第２側部排気リングの排気ホールとは、上下方向に同一直線上に整列されないことがあり得る。

また、前記チャックと同一高さ又は前記チャックより低い高さに提供され、排気ホールが形成された下部排気リングをさらに包含することができる。

また、前記下部排気リングは、少なくとも２つ以上が提供され、上下方向に互いに離隔して積層され、前記下部排気リングの排気ホールは、上下方向に同一直線上に整列され得る。

また、前記下部排気リングは、少なくとも２つ以上が提供され、上下方向に互いに離隔して積層され、前記下部排気リングの排気ホールは、上下方向に同一直線上に整列されないことがあり得る。

本発明の他の実施形態による基板処理装置は、内部に空間が形成された工程チャンバーと、前記工程チャンバーの内部に位置し、基板を支持するチャックと、プラズマが生成される放電空間を有し、プラズマを前記工程チャンバーの内部へ供給するプラズマ発生部と、前記チャックの上部に位置し、前記工程チャンバーの内部へ供給されるプラズマを分配する分配ホールが形成されたバッフルと、前記チャックより高い位置に提供され、前記分配ホールを通過したプラズマが流れ込まれる処理空間を囲み、排気ホールが形成されたリング形状の側部排気リングと、を含む。

また、前記チャックと同一高さ又は前記チャックより低い高さに位置し、排気ホールが形成された下部排気リングをさらに包含することができる。

また、前記側部排気リングは、複数個が提供され、上下方向に離隔して積層され得る。

また、前記側部排気リングの排気ホールは、上下方向に同一直線上に整列されて提供されないことがあり得る。

また、前記側部排気リングの排気ホールと前記下部排気リングの排気ホールとは、上下方向に同一直線上に整列されて提供され得る。

また、前記側部排気リングの排気ホールと前記下部排気リングの排気ホールとは、上下方向に同一直線上に整列されて提供されないことがあり得る。

本発明の実施形態による排気リングアセンブリーは、基板が置かれるチャックより高い位置に提供され、前記チャックの上部領域を囲み、排気ホールが形成されたリング形状の側部排気リングを包含することができる。

また、前記チャックと同一高さに又は前記チャックより低い高さに提供され、排気ホールが形成されたリング形状の下部排気リングをさらに包含することができる。

また、前記側部排気リングは、少なくとも２つ以上のグループに区分され、同一グループに属する前記側部排気リングの排気ホールは、上下方向に同一直線上に整列され、他のグループに属する前記側部排気リングの排気ホールは、上下方向に同一直線上に整列されないことがあり得る。

本発明の実施形態によれば、排気リングアセンブリーが工程ガスを閉じ込める機能が向上されて基板処理効率が向上される。

また、本発明の実施形態によれば、基板が感じるヒュームの流動速度が減速されて工程の均一度が向上される。

また、本発明によると、ヒュームの流動が改善されるので、ヒュームの排出効果が向上される。

本発明の実施形態による基板処理設備を簡略に示す平面図である。本発明の一実施形態による基板処理装置を簡略に示す断面図である。図２のＡを拡大した図面であって、本発明の他の実施形態による排気リングアセンブリーを示す。図２のＡを拡大した図面であって、本発明のその他の実施形態による排気リングアセンブリーを示す。図２のＡを拡大した図面であって、本発明のその他の実施形態による排気リングアセンブリーを示す。図２のＡを拡大した図面であって、本発明のその他の実施形態による排気リングアセンブリーを示す。図２のＡを拡大した図面であって、本発明のその他の実施形態による排気リングアセンブリーを示す。図２のＡを拡大した図面であって、本発明のその他の実施形態による排気リングアセンブリーを示す。本発明の他の実施形態による基板処理装置を示す図面である。

以下、本発明の実施形態を添付された図面を参照してさらに詳細に説明する。本発明の実施形態は様々な形態に変形され得り、本発明の範囲が以下の実施形態に限定されることとして解釈されてはならない。本実施形態は当業界で平均的な知識を有する者に本発明をさらに完全に説明するために提供されることである。したがって、図面での要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張された。

図１は本発明の実施形態による基板処理設備を簡略に示す平面図である。

図１を参照すれば、基板処理設備１は設備前方端部モジュール（ｅｑｕｉｐｍｅｎｔｆｒｏｎｔｅｎｄｍｏｄｕｌｅ、ＥＦＥＭ）１０と工程処理室２０とを含む。設備前方端部モジュールＥＦＥＭ、１０と工程処理室２０とは一方向に配置される。以下、設備前方端部モジュールＥＦＥＭ、１０と工程処理室２０が配列された方向を第１方向Ｘであると定義し、上部から見る時、第１方向Ｘと垂直である方向を第２方向Ｙであると定義する。

設備前方端部モジュール１０は工程処理室２０の前方に装着され、基板が収納されたキャリヤー１６と工程処理室２０との間に基板Ｗを移送する。設備前方端部モジュール１０はロードポート１２とフレーム１４とを含む。

ロードポート１２はフレーム１４の前方に配置され、複数個が提供される。ロードポート１２は互いに離隔して第２方向Ｙにしたがって一列に配置される。キャリヤー１６（例えば、カセット、ＦＯＵＰ等）はロードポート１２に各々安着される。キャリヤー１６には工程に提供される基板Ｗ及び工程処理が完了された基板Ｗが収納される。

フレーム１４はロードポート１２とロードロックチャンバー２２との間に配置される。フレーム１４の内部にはロードポート１２とロードロックチャンバー２２との間に基板Ｗを移送する移送ロボット１８が配置される。移送ロボット１８は第２方向Ｙに具備された移送レール１９にしたがって移動可能である。

工程処理室２０はロードロックチャンバー２２、トランスファーチャンバー２４、及び複数個の基板処理装置３０を含む。

ロードロックチャンバー２２はトランスファーチャンバー２４とフレーム１４との間に配置され、工程に提供される基板Ｗが基板処理装置３０へ移送される前、又は工程処理が完了された基板Ｗがキャリヤー１６に移送される前に待機する空間を提供する。ロードロックチャンバー２２は１つ又は複数個提供され得る。実施形態によれば、ロードロックチャンバー２２は２つが提供される。１つのロードロックチャンバー２２には工程処理のために基板処理装置３０へ提供される基板Ｗが収納され、他の１つのロードロックチャンバー２２には基板処理装置３０で工程が完了された基板Ｗが収納され得る。

トランスファーチャンバー２４は第１方向Ｘにしたがってロードロックチャンバー２２の後方に配置され、上部から見る時、多角形の本体２５を有する。本体２５の外側にはロードロックチャンバー２２と複数個の基板処理装置３０とが本体２５の周辺にしたがって配置される。実施形態によれば、トランスファーチャンバー２４は上部から見る時、六角形の本体を有する。設備前方端部モジュール１０と隣接する２つの側壁にはロードロックチャンバー２２が各々配置され、残る側壁には基板処理装置３０が配置される。本体２５の各側壁には基板Ｗが出入する通路（図示せず）が形成される。通路はトランスファーチャンバー２４とロードロックチャンバー２２との間に、又はトランスファーチャンバー２４と基板処理装置３０との間に基板Ｗが出入する空間を提供する。各通路には通路を開閉するドア（図示せず）が提供される。トランスファーチャンバー２４は要求される工程モジュールによって多様な形状に提供され得る。

トランスファーチャンバー２４の内部には搬送ロボット２６が配置される。搬送ロボット２６はロードロックチャンバー２２で待機する未処理基板Ｗを基板処理装置３０へ移送するか、或いは基板処理装置３０で工程処理が完了された基板Ｗをロードロックチャンバー２２へ移送する。搬送ロボット２６は基板処理装置３０へ順次的に基板Ｗを提供することができる。

基板処理装置３０はプラズマ状態のガスを基板に供給して工程処理を遂行する。プラズマガスは半導体製作工程で多様に使用され得る。以下では基板処理装置３０がアッシング（Ａｓｈｉｎｇ）工程を遂行することと説明する。しかし、基板処理装置３０はこれに限定されなく、エッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）工程と蒸着（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）工程等のプラズマガスを利用する多様な工程を遂行することができる

図２は本発明の一実施形態による基板処理装置を簡略に示す断面図である。

図２を参照すれば、基板処理装置３０は誘導結合プラズマ（ＩｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙＣｏｕｐｌｅｄＰｌａｓｍａ：ＩＣＰ）タイプの装置が提供される。基板処理装置３０は工程処理部１００とプラズマ供給部２００とを含む。工程処理部１００は基板Ｗ処理が遂行される空間を提供し、プラズマ供給部２００は基板Ｗ処理工程に使用されるプラズマを発生させ、プラズマをダウンストリーム（ＤｏｗｎＳｔｒｅａｍ）方式に基板Ｗに供給する。以下、各構成に対して詳細に説明するようにする。

工程処理部１００は工程チャンバー１１０、チャック１２０、バッフル１３０、及び排気リングアセンブリー１４０を含む。

工程チャンバー１１０は工程処理が遂行される空間を提供する。工程チャンバー１１０はボディー１１１と密閉カバー１１５とを有する。ボディー１１１は上面が開放され、内部に空間が形成される。ボディー１１１の側壁には基板Ｗが出入する開口（図示せず）が形成され、開口はスリットドア（ｓｌｉｔｄｏｏｒ）（図示せず）のような開閉部材によって開閉される。開閉部材は工程チャンバー１１０内で基板Ｗ処理が遂行される間に開口を閉鎖し、基板Ｗが工程チャンバー１１０の内部に搬入される時と工程チャンバー１１０外部へ搬出される時に開口を開放する。ボディー１１１の下部壁には排気ホール１１２が形成される。排気ホール１１２は排気ライン１１３と連結される。排気ライン１１３を通じて工程チャンバー１１０の内部圧力が調節され、工程過程で発生されたヒューム（ｆｕｍｅ）と反応部産物とが工程チャンバー１１０の外部へ排出される。

密閉カバー１１５はボディー１１１の上部壁と結合し、ボディー１１１の開放された上面を覆ってボディー１１１の内部を密閉させる。密閉カバー１１５の上端はプラズマ供給部２００と連結される。密閉カバー１１５には誘導空間１１６が形成される。誘導空間１１６は逆漏斗形状を有する。プラズマ供給部２００から流入されたプラズマは誘導空間１１６で拡散され、バッフル１３０へ移動する。

チャック１２０は工程チャンバー１１０の内部に位置し、基板Ｗを支持する。チャック１２０は静電力によって基板Ｗを固定する靜電チャック（ＥｌｅｃｔｒｏＳｔａｔｉｃＣｈｕｃｋ）が提供され得る。これと異なりに、チャック１２０は真空によって基板Ｗを固定する真空チャック（ＶａｃｃｕｍＣｈｕｃｋ）等の多様に提供され得る。チャック１２０には複数のリフトホール（図示せず）が形成され得る。リフトホールにはリフトピン（図示せず）が各々提供される。複数のリフトピンは基板Ｗがチャック１２０にローディング／アンローディングされる場合、リフトホールにしたがって昇降する。チャック１２０の内部にはヒーターが提供され得る。ヒーターは基板Ｗを加熱して工程に適合な温度に維持させる。

バッフル１３０はボディー１１１の上部壁と結合する。バッフル１３０は厚さが薄い円板形状を有し、チャック１２０の上面と対向して並べに配置される。バッフル１３０はチャック１２０の上面と対向する面が平らに提供される。バッフル１３０は基板Ｗに相応する半径を有することができる。バッフル１３０には複数の分配ホール１３１が形成される。複数の分配ホール１３１はバッフル１３０の上面から底面に延長される貫通ホールとして、バッフル１３０の各領域に均一に形成される。プラズマ供給部２００から工程チャンバー１１０内部に供給されるプラズマは分配ホール１３１を通過し、工程チャンバー１１０の内部に均一に分配される。

排気リングアセンブリー１４０は工程チャンバー１１０の内部に提供される。排気リングアセンブリー１４０は処理空間１１４にプラズマが留まるようにプラズマを閉じ込める役割を果たし、工程で発生したヒュームが排気される過程で均一な流動を発生させる。処理空間１１４は基板Ｗの上部に位置する空間として、バッフル１３０を通過したプラズマ大部分が流れ込まれる空間である。排気リングアセンブリー１４０は側部排気リング１５０と下部排気リング１６０とを含む。

側部排気リング１５０は厚さが薄い丸いリング形状の板として提供される。側部排気リング１５０は内径がチャック１２０の外径に相応するか、或いはそれより大きい半径を有することができる。側部排気リング１５０はチャック１２０より高い地点に位置する。実施形態によれば、側部排気リング１５０は複数個が提供され、互いに対向して上下方向に積層される。側部排気リング１５０は隣接する側部排気リングと所定の間隔を維持する。側部排気リング１５０はチャック１２０に隣接する領域からバッフル１３０に隣接する領域に提供され得る。側部排気リング１５０は処理空間１１４を囲み、処理空間１１４に留まるプラズマを閉じ込める役割を果たす。

側部排気リング１５０には排気ホール１５１が形成される。排気ホール１５１は側部排気リング１５０の上面から底面に提供される貫通ホールとして、側部排気リング１５０の周辺にしたがって均一に形成される。排気ホール１５１は円形断面を有することができる。これと異なりに、排気ホール１５１は多様な形状に提供され得る。

側部排気リング１５０の各々に形成された排気ホール１５１は上下方向に同一直線上に整列され得る。これと異なりに、側部排気リング１５０の各々に形成された排気ホール１５１は上下方向に同一直線上に整列されないことがあり得る。これと異なりに、側部排気リング１５０の中で一部は排気ホール１５１が上下方向に同一直線上に整列されることができ、残りは排気ホール１５１が上下方向に同一直線上に整列されないことがあり得る。

下部排気リング１６０は厚さが薄い丸いリング形状の板として提供される。下部排気リング１６０はチャック１２０と同一高さに位置するか、或いはそれより低い高さに位置することができる。実施形態によれば、下部排気リング１６０はチャック１２０の上面に相応する高さに位置する。下部排気リング１６０はチャック１２０の外径に相応する内径を有し、チャック１２０の周辺にしたがって提供される。下部排気リング１６０には排気ホール１６１が形成される。排気ホール１６１は下部排気リング１６０の上面から底面に提供される貫通ホールとして、下部排気リング１６０の周辺にしたがって均一に形成される。排気ホール１６１は円形断面を有することができる。これと異なりに、排気ホール１６１は多様な形状に提供され得る。

プラズマ供給部２００は工程チャンバー１１０の上部に位置し、工程ガスからプラズマを発生させる。プラズマ供給部２００は反応器２１０、ガス注入ポート２２０、誘導コイル２３０、電源２４０、及びガス供給部２５０を含む。

反応器２１０は円筒形状に、上面及び下面が開放され、内部に空間が形成される。反応器２１０の内部は工程ガスが放電される放電空間２１１として提供される。反応器２１０は下端が密閉カバー１１５の上端と連結され、放電空間２１１は流路１１６と連結される。放電空間２１１で放電された工程ガスは流路１１６を通じて工程チャンバー１１０の内部へ流れ込まれる。

反応器２１０の上端にはガス注入ポート２２０が結合する。ガス注入ポート２２０はガス供給部２５０と連結され、ガスが流れ込まれる。ガス注入ポート２２０の底面には誘導空間２２１が形成される。誘導空間２２１は逆漏斗形状を有し、放電空間２１１と連通される。誘導空間２２１へ流入されたガスは拡散され、放電空間２１１へ流れ込まれる。

誘導コイル２３０は反応器２１０の周辺にしたがって反応器２１０に複数回に巻かれる。誘導コイル２３０の一端は電源２４０と連結され、他端は接地される。電源２４０は誘導コイル２３０に高周波電力又はマイクロ波電力を印加する。

ガス供給部２５０は放電空間２１１へガスを供給する。ガス供給部２５０に格納された工程ガスはガス供給ラインを通じて放電空間２１１へ供給される。工程ガスはＮＨ_３、Ｏ_２、Ｎ_２、Ｈ_３、ＮＦ_３ＣＨ_４の中で少なくともいずれか１つのガスを包含することができる。工程ガスはアッシング工程を遂行することができる。

図３乃至図８は図２のＡを拡大した図面であって、本発明の多様な実施形態による排気リングアセンブリーを示す。

先ず、図３を参照すれば、バッフルリングアセンブリー１４０ａは複数個の側部排気リング１５０ａと単一の下部排気リング１６０ａとを含む。側部排気リング１５０ａは４つ３１１乃至３１４が提供され得る。側部排気リング３１１乃至３１４の排気ホール３２１乃至３２４は上下方向に互いに整列されない。また、側部排気リング３１１乃至３１４の排気ホール３２１乃至３２４は下部排気リング１６０ａの排気ホール１６１と整列されないことがあり得る。この場合、側部排気リング３１１乃至３１４が処理空間１１４内にプラズマを閉じ込める機能が向上されて基板処理率、例えばアッシング率が向上される。また、基板Ｗが感じるヒュームの流動速度が減速されて工程の均一度が向上される。

図４を参照すれば、図３の実施形態と異なりに側部排気リング３３１乃至３３４の排気ホール３４１乃至３４４は上下方向に互いに整列されている。また、側部排気リング３３１乃至３３４の排気ホール３４１乃至３４４は下部排気リング１６０ｂの排気ホール１６２と整列され得る。この場合、処理空間１１４内に発生したヒュームの排出効果が優れ、ヒュームの流動が均一に発生する。また、基板Ｗが感じるヒュームの流動速度が減速されて基板処理の均一度が向上される。

図５を参照すれば、側部排気リング１５０ｃは排気ホールの整列の可否にしたがって複数のグループに区分され得る。実施形態によれば、側部排気リング１５０ｃは下から上に第１乃至第４側部排気リング３５１乃至３５４が順次的に積層される。第１及び第３側部排気リング３５１、３５３に形成された排気ホール３６１、３６３は上下方向に同一直線上に整列されるので、同一グループに区分される。そして、第２及び第４側部排気リング３５３、３５４に形成された排気ホール３６２、３６４は上下方向に同一直線上に整列されるので、同一グループに区分される。第１及び第３側部排気リング３５１、３５３の排気ホール３６１、３６３と第２及び第４側部排気リング３５２、３５４の排気ホール３６２、３６４とは互いに整列されないので、他のグループに区分される。相互間に排気ホール３６１乃至３６４が整列されない側部排気リング３５１乃至３５４は交互に反複して配置され得る。同一グループに含まれた側部排気リング１５０ｃではヒュームの流動が類似に発生する反面、他のグループに含まれた側部排気リング１５０ｃの間にはヒュームの流動が他の形態に発生する。この場合、側部排気リング１５０ｃが処理空間内にプラズマを閉じ込める機能が向上されるだけでなく、ヒュームの流動が改善されて排出効果が向上され得る。また、基板Ｗが感じるヒュームの流動速度が減速されて基板処理均一度が向上される。

下部排気リング１６０ｂは複数個が提供され得る。下部排気リング１６０ｂは互いに離隔して上下方向に積層される。実施形態によれば、２つの下部排気リング１７１、１７２がチャックの周囲に提供される。下部排気リング１７１、１７２に形成された排気ホール１８１、１８２は上下方向に同一直線上に整列され得る。このような排気ホール１８１、１８２の配置はヒュームの流動を改善する。

これと異なりに、図６のように下部排気リング１７３、１７４の排気ホール１８３、１８４は上下方向に同一直線上に整列されないことがあり得る。

また、図７のように排気リングアセンブリー１４０ｅは側部排気リング１５０ｄのみで構成されることができる。発生するヒュームの流動によってチャック１２０と同一高さ又はそれより低い高さには排気リングが提供されないことがあり得る。

一方、上述した実施形態では側部排気リングが４つずつ提供されることと説明したが、図８のように単一の側部排気リング１５０ｅが提供され得る。排気リングアセンブリー１４０ｆは側部排気リング１５０ｅがプラズマを閉じ込める性能と排出されるヒュームの流動とを考慮して側部排気リング１５０ｅの数を決定することができる。

図９は本発明の他の実施形態による基板処理装置を示す図面である。

図９を参照すれば、基板処理装置４０は蓄電結合プラズマ（ＣａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙＣｏｕｐｌｅｄＰｌａｓｍａ：ＣＣＰ）タイプの装置が提供され得る。基板処理装置４０は工程チャンバー５１０、チャック５２０、下部電極５３０、電源５４０、バッフル５５０、ガス供給部５６０、及び排気リングアセンブリー５６０を含む。

工程チャンバー５１０は内部に空間が形成される。チャック５２０は工程チャンバー５１０の内部で基板Ｗを支持する。チャック５２０の内部には下部電極５３０が提供される。下部電極５３０は外部電源５４０と連結される。バッフル５５０はチャック５２０の上部に位置し、底面がチャック５３０の上面と対向して位置する。バッフル５５０の内部にはバッファ空間５５１が形成され、底面には分配ホール５５２が形成される。バッフル５５０は接地され、上部電極として提供される。ガス供給部５６０はバッフル５５０と連結され、バッファ空間５５１へ工程ガスを供給する。工程ガスはバッファ空間５５１で拡散された後、分配ホール５５２を通じて工程チャンバー５１０の内部の処理空間５１１へ供給される。処理空間５１１に留まる工程ガスは下部電極５３０への電力印加によって、バッフル５５０とチャック５２０との間に形成された電界によってプラズマ状態に励起される。

排気リングアセンブリー５７０は側部排気リング６１０と下部排気リング６２０とを含む。側部排気リング６１０はチャック５２０より高い位置で処理空間５１１を囲む。下部排気リング６２０はチャック５２０と同一の高さに、又はそれより低い高さに位置する。排気リングアセンブリー５７０は上述した図３乃至図８の実施形態のように側部排気リングと下部排気リングとの多様な組合で提供され得る。

以上の詳細な説明は本発明を例示することに過ぎない。また、前述した内容は本発明の望ましい実施形態を示し、説明することであり、本発明は多様な他の組合、変更及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲及び／又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的な思想を具現するための最良の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとすることでない。また、添付された請求の範囲は他の実施状態も含むこととして解釈されなければならない。

３０・・・基板処理装置
１００・・・工程処理部
１１０・・・工程チャンバー
１２０・・・チャック
１３０・・・バッフル
１４０・・・バッフルアセンブリー
１５０・・・側部排気リング
１７０・・・下部排気リング
２００・・・プラズマ供給部
２１０・・・反応器
２２０・・・ガス注入ポート
２３０・・・誘導コイル
２４０・・・電源
２５０・・・ガス供給部

Claims

工程チャンバーと、
前記工程チャンバーの内部に位置し、基板を支持するチャックと、
前記チャックの上部で前記チャックと対向して配置され、前記工程チャンバーの内部へ供給される工程ガスを分配する分配ホールが形成されたバッフルと、
前記チャックより高い位置に提供され、前記分配ホールを通過した工程ガスが流れ込まれる処理空間を囲み、排気ホールが形成されたリング形状の側部排気リングと、を含む基板処理装置。
前記側部排気リングは、複数個が互いに離隔して上下方向に積層される請求項１に記載の基板処理装置。
前記側部排気リングの排気ホールは、上下方向に同一直線上に整列されて提供される請求項２に記載の基板処理装置。
前記側部排気リングの排気ホールは、上下方向に同一直線上に整列されない請求項２に記載の基板処理装置。
前記側部排気リングは、少なくとも２つ以上のグループに区分され、
同一グループに属する前記側部排気リングは、前記排気ホールが上下方向に同一直線上に整列され、他のグループに属する前記側部排気リングは、前記排気ホールが上下方向に同一直線上に整列されない請求項２に記載の基板処理装置。
前記側部排気リングは、下から上に順次的に積層される第１乃至第４側部排気リングを有し、
前記第１側部排気リングの排気ホールと前記第３側部排気リングの排気ホールとは、上下方向に同一直線上に整列され、
前記第２側部排気リングの排気ホールと前記第４側部排気リングの排気ホールとは、上下方向に同一直線上に整列され、
前記第１側部排気リングの排気ホールと前記第２側部排気リングの排気ホールとは、上下方向に同一直線上に整列されない請求項２に記載の基板処理装置。
前記チャックと同一高さ又は前記チャックより低い高さに提供され、排気ホールが形成された下部排気リングをさらに含む請求項１乃至請求項６の中でいずれか１つに記載の基板処理装置。
前記下部排気リングは、少なくとも２つ以上が提供され、上下方向に互いに離隔して積層され、
前記下部排気リングの排気ホールは、上下方向に同一直線上に整列される請求項７に記載の基板処理装置。
前記下部排気リングは、少なくとも２つ以上が提供され、上下方向に互いに離隔して積層され、
前記下部排気リングの排気ホールは、上下方向に同一直線上に整列されない請求項７に記載の基板処理装置。
内部に空間が形成された工程チャンバーと、
前記工程チャンバーの内部に位置し、基板を支持するチャックと、
プラズマが生成される放電空間を有し、プラズマを前記工程チャンバーの内部へ供給するプラズマ発生部と、
前記チャックの上部に位置し、前記工程チャンバーの内部へ供給されるプラズマを分配する分配ホールが形成されたバッフルと、
前記チャックより高い位置に提供され、前記分配ホールを通過したプラズマが流れ込まれる処理空間を囲み、排気ホールが形成されたリング形状の側部排気リングと、を含む基板処理装置。
前記チャックと同一高さ又は前記チャックより低い高さに位置し、排気ホールが形成された下部排気リングをさらに含む請求項１０に記載の基板処理装置。
前記側部排気リングは、複数個が提供され、上下方向に離隔して積層される請求項１０又は請求項１１に記載の基板処理装置。
前記側部排気リングの排気ホールは、上下方向に同一直線上に整列されて提供される請求項１２に記載の基板処理装置。
前記側部排気リングの排気ホールは、上下方向に同一直線上に整列されて提供されない請求項１２に記載の基板処理装置。
前記側部排気リングの排気ホールと前記下部排気リングの排気ホールとは、上下方向に同一直線上に整列されて提供される請求項１１に記載の基板処理装置。
前記側部排気リングの排気ホールと前記下部排気リングの排気ホールとは、上下方向に同一直線上に整列されて提供されない請求項１１に記載の基板処理装置。
基板が置かれるチャックより高い位置に提供され、前記チャックの上部領域を囲み、排気ホールが形成されたリング形状の側部排気リングを含む排気リングアセンブリー。
前記チャックと同一高さに又は前記チャックより低い高さに提供され、排気ホールが形成されたリング形状の下部排気リングをさらに含む請求項１７に記載の排気リングアセンブリー。
前記側部排気リングは、複数個が提供され、上下方向に離隔して積層される請求項１７又は請求項１８に記載の排気リングアセンブリー。
前記側部排気リングの排気ホールは、上下方向に同一直線上に整列されて提供される請求項１９に記載の排気リングアセンブリー。
前記側部排気リングの排気ホールは、上下方向に同一直線上に整列されて提供されない請求項１９に記載の排気リングアセンブリー。
前記側部排気リングは、少なくとも２つ以上のグループに区分され、
同一グループに属する前記側部排気リングの排気ホールは、上下方向に同一直線上に整列され、他のグループに属する前記側部排気リングの排気ホールは、上下方向に同一直線上に整列されない請求項１９に記載の排気リングアセンブリー。