JP2012015451A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 102
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 15
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 27
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 8
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 7
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 abstract description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005192 partition Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 28
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 26
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 22
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
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- H01L21/3105—After-treatment
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- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
- H01L21/31122—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching of layers not containing Si, e.g. PZT, Al2O3
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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Abstract
【解決手段】基板処理装置10は、ウエハWを収容してプラズマエッチング処理を施す処理室13と、該処理室13と連通する排気室14と、処理室13及び排気室14を仕切り且つ処理室13内のプラズマが排気室14内へ漏洩するのを防止する排気プレート15と、排気室14内に配される上部電極板28とを備え、排気プレート15は複数の貫通穴を有し、上部電極板28も複数の貫通穴を有し、上部電極板28は排気プレート15と互いに平行に接触可能であるとともに、排気プレート15から離間可能である。
【選択図】図1
Description
CM=K2×C1×5800=0.359×8.2×10−4×5800 … (1)
また、処理室13からの排気の抵抗が高抵抗となる低排気コンダクタンスモードでは、図2(B)に示すように、排気調整板28を排気室14内の下方へ移動させて排気調整板28を排気プレート15から離間させる。このとき、排気調整板28及び排気プレート15は排気の方向に関して直列に配置された別個の抵抗体とみなすことができる。
C=K2×C1×5800=0.514×8.2×10−4×5800 … (2)
また、上述したように、排気プレート15及び排気調整板28は直列に配置された抵抗体とみなすことができるため、本実施の形態における低排気コンダクタンスモードにおけるコンダクタンスCLは、下記式(3)の通りとなり、1.2(m3/s)となる。
1/CL=1/C+1/C=1/2.4+1/2.4 … (3)
低排気コンダクタンスモードにおいて、排気調整板28を排気プレート15から離間させる際、排気調整板28が排気プレート15に近いと、排気調整板28が排気プレート15のコンダクタンスの端効果の影響を受けて排気調整板28が確実に抵抗体として機能しないことがある。コンダクタンスの端効果の影響を受ける距離は、排気プレート15の厚さをL、排気プレート15における貫通穴の直径をDとすると、L+4×D/3で表すことができるので、排気調整板28が排気プレート15のコンダクタンスの端効果の影響を受けないためには、排気調整板28を排気プレート15から4×D/3以上離す必要がある。ここでDは3mmなので、低排気コンダクタンスモードにおいて、排気調整板28は排気プレート15から4mm以上離されるのが好ましい。
L<4×D/3 … (4)
排気プレート15における厚さL及び貫通穴の直径Dの関係は、L/D<1.33となるのが好ましい。
CH=C=2.4 … (5)
なお、高排気コンダクタンスモードでは開口部34の大きさを或る値以上確保する必要があるため、内周部分31a及び外周部分31bは図中上下方向に関して少なくとも4mm以上離間させるのが好ましい。
10 基板処理装置
13 処理室
14 排気室
15 排気プレート
16 排気管
28、31、45、46 排気調整板
31a 内周部分
31b 外周部分
Claims (12)
- 基板を収容して該基板にプラズマ処理を施す処理室と、該処理室と連通する排気室と、前記処理室及び前記排気室を仕切り且つ前記処理室内のプラズマが前記排気室内へ漏洩するのを防止する排気板とを備え、前記排気板は該排気板を貫通する複数の第1の通気穴を有する基板処理装置において、
前記排気室内に配される排気調整板を備え、
前記排気調整板は、該排気調整板を貫通する複数の第2の通気穴を有し、前記排気板と互いに平行に接触可能であるとともに、前記排気板から離間可能であることを特徴とする基板処理装置。 - 前記排気調整板は2以上の部分に分割可能であり、前記排気調整板が分割された際、前記2以上の部分は、排気の流れ方向に関してそれぞれ異なる位置に配置されることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記排気調整板は平面視で環状を呈し、少なくとも内周部分及び外周部分に分割されることを特徴とする請求項2記載の基板処理装置。
- 前記排気調整板は、前記排気板から4mm以上離間することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記第1の通気穴は円筒状であり、前記第1の通気穴の長さをL、直径をDとすると、L/D<1.33であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記第1の通気穴の断面形状は、丸、矩形又はスリット状であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記第2の通気穴の断面形状は、丸、矩形又はスリット状であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記排気板は前記処理室内に収容された前記基板と平行に配され、該基板の上面よりも低い位置に配置されることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 基板を収容して該基板にプラズマ処理を施す処理室と、該処理室と連通する排気室と、前記処理室及び前記排気室を仕切り且つ前記処理室内のプラズマが前記排気室内へ漏洩するのを防止する排気板と、前記排気室内に配される排気調整板をと備え、前記排気板は該排気板を貫通する複数の第1の通気穴を有し、前記排気調整板は、該排気調整板を貫通する複数の第2の通気穴を有し、前記排気板と互いに平行に接触可能であるとともに、前記排気板から離間可能である基板処理装置における基板処理方法であって、
前記処理室内からの排気の抵抗が中程度である中排気コンダクタンスモードでは、前記排気調整板を前記排気板に接触させ、
前記処理室内からの排気の抵抗が高い低排気コンダクタンスモードでは、前記排気調整板を前記排気板から離間させることを特徴とする基板処理方法。 - 前記低排気コンダクタンスモードでは、前記排気調整板を前記排気板から4mm以上離間させることを特徴とする請求項9記載の基板処理方法。
- 前記排気調整板は2以上の部分に分割可能であり、
前記処理室内からの排気の抵抗が低い高排気コンダクタンスモードでは、前記2以上の部分は、排気の流れ方向に関してそれぞれ異なる位置に配置されることを特徴とする請求項9又は10記載の基板処理方法。 - 前記中排気コンダクタンスモードでは反射防止膜及び/又はハードマスクがエッチングされ、前記高排気コンダクタンスモードではアモルファスカーボン膜及び/又は酸化膜がエッチングされ、前記低排気コンダクタンスモードではウエハレスドライクリーニング処理が実行されることを特徴とする請求項11記載の基板処理方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010153096A JP5597463B2 (ja) | 2010-07-05 | 2010-07-05 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US13/175,096 US8790489B2 (en) | 2010-07-05 | 2011-07-01 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010153096A JP5597463B2 (ja) | 2010-07-05 | 2010-07-05 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012015451A true JP2012015451A (ja) | 2012-01-19 |
JP5597463B2 JP5597463B2 (ja) | 2014-10-01 |
Family
ID=45398905
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010153096A Active JP5597463B2 (ja) | 2010-07-05 | 2010-07-05 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8790489B2 (ja) |
JP (1) | JP5597463B2 (ja) |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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