TWI814533B - 基板處理設備 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種處理基板的設備。處理基板的設備可包括：處理室，其提供處理基板的處理空間；電漿產生室，其從製程氣體產生向處理空間供應的電漿；擴散室，其使電漿產生室產生的電漿擴散到處理空間；擋板，其安裝於處理室的上端，並形成有多個擋板孔；及氣流引導構件，其配備於擴散室內部，引導電漿的流動方向；且，氣流引導構件可包括電漿的流動方向部分變更的引導體；引導體可包括：上部引導體，其與擴散室的側壁組合以形成第一通路；及下部引導體，其位於上部引導體下部，與上部引導體組合以形成第二通路。

Description

基板處理設備
本發明係關於基板處理設備，更具體地，係關於一種利用電漿來處理基板的基板處理設備。
電漿是指由離子或自由基以及電子等構成並離子化的氣體狀態。電漿因極高溫度或強電場或高頻電磁場（RF Electromagnetic Fields）而產生。半導體元件製造製程包括利用電漿去除基板上的薄膜的灰化或蝕刻製程。灰化或蝕刻製程藉由電漿中含有的離子及自由基粒子與基板上的薄膜碰撞或反應而執行。
通常，電漿在腔室的上部區域形成並流入處理基板W的空間內。在處理空間的上部提供均一分配電漿的擋板。由於電漿腔室的結構性特徵，電漿集中供應到處理空間的中心。因此，電漿集中到與處理空間中心對應的擋板中央區域。擋板的中央區域因電漿過度集中而發生熱變形。這縮短了擋板的更換週期並增加了維護費用。
另外，在擋板變形的過程中發生顆粒，發生的顆粒藉助於腔室內部的包含電漿的氣流而沉積到位於處理空間的基板上部。沉積到基板上部的顆粒引起使對基板的灰化或蝕刻製程效率降低的問題。
[技術課題]
本發明目的係提供一種能夠最大限度減少電漿集中到擋板的一區域的基板處理設備。
另外，本發明目的係提供一種可最大限度減少擋板因電漿而變形的基板處理設備。
另外，本發明目的係提供一種可最大限度減少在擋板上部發生顆粒的基板處理設備。
另外，本發明目的係提供一種可將包含顆粒的氣流引導到處理空間邊緣區域的基板處理設備。
本發明要解決的課題並不限定於上述課題，未提及的課題是本發明所屬技術領域的技藝人士可從本說明書及圖式明確理解的。 [技術方案]
本發明提供一種處理基板的設備。處理基板的裝置可包括：處理室，前述處理室提供處理基板的處理空間；電漿產生室，前述電漿產生室從製程氣體產生向前述處理空間供應的電漿；擴散室，前述擴散室使前述電漿產生室產生的前述電漿擴散到前述處理空間；擋板，前述擋板安裝於前述處理室的上端，並形成有多個擋板孔；及氣流引導構件，前述氣流引導構件配備於前述擴散室內部，引導前述電漿的流動方向；而且，前述氣流引導構件可包括前述電漿的流動方向部分變更的引導體；前述引導體可包括：上部引導體，前述上部引導體與前述擴散室的側壁組合以形成第一通路；及下部引導體，前述下部引導體位於前述上部引導體下部，與前述上部引導體組合以形成第二通路。
根據一實施例，前述下部引導體可包括：底部，前述底部從前述擴散室的側壁下端朝向前述擴散室的中心水平延伸；及傾斜部，前述傾斜部從前述底部朝向前述擴散室的中心越來越向上傾斜地配備。
根據一實施例，在前述底部可形成有沿上下方向貫穿前述底部的底孔。
根據一實施例，前述上部引導體可與前述擴散室的側壁平行地配備。
根據一實施例，前述傾斜部可與前述擴散室的側壁平行地配備。
根據一實施例，前述氣流引導構件可進一步包括引導環構件，前述引導環構件配備成環狀，將經由前述第一通路和前述第二通路流動的前述電漿的氣流引導到前述處理空間，而且，前述引導環構件的上側端部可與前述上部引導體的內側面進行線接觸，前述引導環構件的下側端部可與前述傾斜部的上端進行線接觸。
根據一實施例，在前述引導環構件的側面可沿周向形成有流入孔，前述流入孔供藉由前述第二通路流入的前述電漿氣流流入。
根據一實施例，前述引導環構件的下面可開放。
根據一實施例，在前述引導環構件的下面可形成有供從前述流入孔流入的前述電漿氣流流出的至少一個以上流出孔。
根據一實施例，前述底孔和前述流出孔的直徑可小於前述擋板孔。
另外，本發明提供一種處理基板的設備。處理基板的設備可包括：處理室，前述處理室提供處理基板的處理空間；電漿產生室，前述電漿產生室從製程氣體產生向前述處理空間供應的電漿；擴散室，前述擴散室使前述電漿產生室產生的前述電漿擴散到前述處理空間；擋板，前述擋板安裝於前述處理室的上端，形成有多個擋板孔；及氣流引導構件，前述氣流引導構件配備於前述擴散室內部以引導前述電漿的流動方向；而且，前述氣流引導構件可包括引導環構件，前述引導環構件配備成環狀，安裝於前述擴散室內部。
根據一實施例，在前述引導環構件的側面可沿前述側面周向形成有供前述電漿的氣流流入的流入孔。
根據一實施例，前述引導環構件的下面可開放。
根據一實施例，在前述引導環構件的下面可形成有至少一個以上流出孔，前述流出孔供從前述流入孔流入的前述電漿氣流流出。
根據一實施例，前述氣流引導構件可包括引導體，前述引導體可包括：上部引導體，前述上部引導體與前述擴散室的側壁組合以形成第一通路，引導前述擴散室中流動的前述電漿的一部分；及下部引導體，前述下部引導體位於前述上部引導體下部，與前述上部引導體組合以形成第二通路，將從前述第一通路引導的前述電漿經由前述第二通路引導到前述流入孔。
根據一實施例，前述下部引導體可包括：底部，前述底部從前述擴散室的側壁下端朝向前述擴散室的中心水平延伸；及傾斜部，前述傾斜部從前述底部朝向前述擴散室的中心越來越向上傾斜地配備。
根據一實施例，在前述底部可形成有沿上下方向貫通前述底部的底孔。
根據一實施例，前述引導環構件的上側端部可與前述上部引導體的內側面進行線接觸，前述引導環構件的下側端部可與前述傾斜部的上端進行線接觸。
根據一實施例，前述上部引導體和前述傾斜部可與前述擴散室的側壁平行地配備。
根據一實施例，前述擴散室可配備成倒漏斗形狀。 [發明效果]
根據本發明一實施例，可最大限度減少電漿集中到擋板一區域。
另外，根據本發明一實施例，可最大限度減少擋板因電漿而變形。
另外，根據本發明一實施例，可最大限度減少在擋板上部產生顆粒。
另外，根據本發明一實施例，包含顆粒的氣流可被引導到處理空間的邊緣區域。
本發明的效果不限於上述效果，未提及的效果是本發明所屬技術領域的技藝人士可從本說明書及圖式明確理解的。
下文參照隨附圖式，更詳細地描述本發明的實施例。本發明的實施例可變形為多種形態，不得解釋為本發明的範圍限定於以下敘述的實施例。提供本實施例是為了向本行業一般技藝人士更完整地描述本發明。因此，圖式中的構成要素的形狀進行誇張以強調更明確的描述。
下文參照圖1至圖8，對本發明的實施例進行詳細描述。
圖1係簡要示出本發明的基板處理設備的圖。參照圖1，基板處理設備1具有設備前端模組（Equipment Front End Module；EFEM）20和處理模組30。設備前端模組20和處理模組30沿一個方向配置。
設備前端模組20具有載入埠（load port）200和移送框架220。載入埠200沿第一方向2配置於設備前端模組20的前方。載入埠200具有多個支撐部202。各個支撐部202沿第二方向4配置成一列，安放有收納將向製程提供的基板W和製程處理完畢的基板W的承載架C（例如載片盒、FOUP等）。在承載架C上收納將向製程提供的基板W和製程處理完畢的基板W。移送框架220配置於載入埠200與處理模組30之間。移送框架220包括配置於其內部並在載入埠200與處理模組30間移送基板W的第一移送機器人222。第一移送機器人222沿著在第二方向4上配備的移送軌道224移動，在承載架C與處理模組30間移送基板W。
處理模組30包括裝載閘腔室300、傳輸腔室400及製程腔室500。
裝載閘腔室300鄰接移送框架220配置。作為一個示例，裝載閘腔室300可配置於傳輸腔室400與設備前端模組20之間。裝載閘腔室300提供將向製程提供的基板W在移送到製程腔室500之前或製程處理完畢的基板W在移送到設備前端模組20之前等待的空間。
傳輸腔室400鄰接裝載閘腔室300配置。傳輸腔室400從上部觀察時具有多邊形的主體。例如，傳輸腔室400從上部觀察時可具有五邊形的主體。在主體的外側，沿著主體周向配置有裝載閘腔室300和多個製程腔室500。在主體的各側壁上形成有供基板W進出的通路（未示出），通路連接傳輸腔室400與裝載閘腔室300或製程腔室500。在各通路上提供對通路進行開閉而使內部密閉的門（未示出）。在傳輸腔室400的內部空間，配置有在裝載閘腔室300與製程腔室500間移送基板W的第二移送機器人420。第二移送機器人420將在裝載閘腔室300等待的未處理的基板W移送到製程腔室500，或將製程處理完畢的基板W移送到裝載閘腔室300。而且，為了依次向多個製程腔室500依次提供基板W，在製程腔室500間移送基板W。例如，如圖1所示，當傳輸腔室400具有五邊形的主體時，在與設備前端模組20鄰接的側壁分別配置有裝載閘腔室300，在其餘側壁連續配置有製程腔室500。傳輸腔室400的形狀不限於此，可根據要求的製程模組而變形為多樣形態提供。
製程腔室500沿著傳輸腔室400的周向配置。製程腔室500可配備多個。在各個製程腔室500內執行對基板W的製程處理。製程腔室500從第二移送機器人420接到移送的基板W並執行製程處理，將製程處理完畢的基板W提供給第二移送機器人420。在各個製程腔室500中進行的製程處理可彼此不同。以下對執行電漿處理製程的製程腔室500進行詳細描述。
圖2係簡要示出圖1的基板處理設備的製程腔室中執行電漿處理製程的製程腔室的圖。
參照圖2，製程腔室500利用電漿在基板W上執行既定的製程。作為一個示例，可蝕刻或灰化（Ashing）基板W上的薄膜。薄膜可為多晶矽膜、氧化膜及氮化矽膜等多樣種類的膜。視情況，薄膜可為自然氧化膜或化學產生的氧化膜。
製程腔室500可包括處理室520、電漿產生室540、擴散室560以及排氣室580。
處理室520供基板W放置，提供對基板W執行處理的處理空間5200。在後述的電漿產生室540中使製程氣體放電而產生電漿（Plasma），並將其供應給處理室520的處理空間5200。處理室520內部滯留的製程氣體和/或在處理基板W的過程中產生的反應副產物和顆粒等藉由後述的排氣室580排出到外部。因此，可將處理室520內的壓力保持在設置壓力。
處理室520可包括外殼5220、支撐單元5240、排氣擋板5260以及擋板5280。在外殼5220的內部可具有執行基板處理製程的處理空間5200。外殼5220的外壁可以導體配備。作為一個示例，外殼5220的外壁可以包括鋁的金屬材質配備。外殼5220可上部開放並在側壁上形成有開口（未示出）。基板W藉由開口進出外殼5220的內部。開口可藉助於諸如門（未示出）的開閉構件而開閉。另外，在外殼5220的底面形成有排氣孔5222。藉由排氣孔5222可將處理空間5200內製程氣體和/或副產物排出到處理空間5200的外部。排氣孔5222可與包括後述排氣室580的構成連接。
支撐單元5240在處理空間5200支撐基板W。支撐單元5240可包括支撐板5242以及支撐軸5244。
支撐板5242可在處理空間5200支撐基板W。支撐板5242可被支撐軸5244支撐。支撐板5242可與外部電源連接，藉助施加的電力而產生靜電。產生的靜電所具有的靜電引力可使基板W固定於支撐單元5240。
支撐軸5244可使對象物移動。例如，支撐軸5244可使基板W沿上下方向移動。作為一個示例，支撐軸5244可與支撐板5242結合，使支撐板5242升降以使基板W移動。
排氣擋板5260使電漿從處理空間5200按區域均一排出。排氣擋板5260從上部觀察時具有環狀。排氣擋板5260可在處理空間5200內位於外殼5220的內側壁與支撐單元5240之間。在排氣擋板5260上形成有多個排氣孔5262。排氣孔5262可朝向上下方向配備。排氣孔5262可以從排氣擋板5260上端延伸至下端的孔配備。排氣孔5262可沿著排氣擋板5260的圓周方向相互隔開排列。
擋板5280可配置於處理室520與電漿產生室540之間。擋板5280可配置於處理室520與擴散室560之間。擋板5280可配置於支撐單元5240與擴散室560之間。檔板5280可配置於支撐單元5240的上部。作為一例，檔板5280可配置於處理室520的上端。
擋板5280可將電漿產生室540產生的電漿均一傳遞給處理空間5200。在擋板5280上可形成有擋板孔5282。擋板孔5282可配備多個。擋板孔5282可相互隔開配備。擋板孔5282可貫通擋板5280的上下方向。擋板孔5282可發揮供電漿產生室540產生的電漿流動到處理空間5200的通路功能。
擋板5280從上部觀察時可具有板狀。擋板5280從上部觀察時可具有圓板狀。擋板5280從端面觀察時，其上面高度可從邊緣區域向中心區域越來越高。擋板5280從端面觀察時，其上面可具有從邊緣區域向中心區域越來越向上傾斜的形狀。因此，電漿產生室540發生的電漿可沿著擋板5280傾斜的端面向處理空間5200邊緣區域流動。不同於上述示例，擋板5280的端面可不傾斜。作為一例，擋板5280可配備成具有既定厚度的圓板狀。
電漿產生室540可激發從後述的氣體供應單元5440供應的製程氣體以產生電漿，並將所產生的電漿供應給處理空間5200。
電漿產生室540可位於處理室520的上部。電漿產生室540可位於比外殼5220和後述的擴散室560更上部。處理室520、擴散室560以及電漿產生室540可從地面起沿著與第一方向2和第二方向4均垂直的第三方向6依次配置。
電漿產生室540可包括電漿腔室5420、氣體供應單元5440以及電力施加單元5460。
電漿腔室5420可具有上面以及下面開放的形狀。電漿腔室5420可具有上面以及下面開放的筒形狀。電漿腔室5420可具有上面以及下面開放的圓筒形狀。電漿腔室5420的上端和下端可形成有開口。電漿腔室5420可具有電漿產生空間5422。電漿腔室5420可以包括氧化鋁Al2O3的材質配備。
電漿腔室5420的上面可被氣體供應埠5424密閉。氣體供應埠5424可與後述的氣體供應單元5440連接。製程氣體可藉由氣體供應埠5424供應到電漿產生空間5422。向電漿產生空間5422供應的製程氣體可經擋板孔5282而均一分配到處理空間5200。
氣體供應單元5440可供應製程氣體。氣體供應單元5440可與氣體供應埠5424連接。氣體供應單元5440供應的製程氣體可包括氟（Fluorine）和/或氫（Hydrogen）。
電力施加單元5460向電漿產生空間5422施加高頻電力。電力施加單元5460可為在電漿產生空間5422激發製程氣體以產生電漿的電漿源。電力施加單元5460可包括天線5462和電源5464。
天線5462可為電感耦合型電漿（ICP）天線。天線5462可配備成線圈形狀。天線5462可在電漿腔室5420的外部纏繞電漿腔室5420多圈。天線5462可在電漿腔室5420的外部以螺旋型纏繞電漿腔室5420多圈。
天線5462可在對應於電漿產生空間5422的區域纏繞於電漿腔室5420。天線5462的一端在從電漿腔室5420主剖面觀察時，可配備於與電漿腔室5420上部區域對應的高度處。天線5462的另一端在從電漿腔室5420主剖面觀察時，可配備於與電漿腔室5420下部區域對應的高度處。
電源5464可向天線5462施加電力。電源5464可向天線5462施加高頻交流電流。施加於天線5462的高頻交流電流可在電漿產生空間5422形成感應電場。向電漿產生空間5422內供應的製程氣體可從感應電場獲得離子化所需的能量而變換成電漿狀態。
電源5464可連接於天線5462的一端。電源5464可連接於在與電漿腔室5420上部區域對應的高度處配備的天線5462的一端。另外，天線5462的另一端可接地。在與電漿腔室5420的下部區域對應高度處配備的天線5462的另一端可接地。但不限於此，天線5462的一端可接地，電源5464可連接於天線5462另一端。
擴散室560可使電漿產生室540產生的電漿擴散到處理空間5200。擴散室560可具有擴散腔室5620和氣流引導構件6000。
擴散腔室5620可使電漿產生室540產生的電漿擴散到處理空間5200。擴散腔室5620具有內部空間。擴散腔室5620的內部空間可配備有後述的氣流引導構件6000。擴散腔室5620位於電漿腔室5420的下部。擴散腔室5620可位於外殼5220與電漿腔室5420之間。外殼5220、擴散腔室5620以及電漿腔室5420可從地面起沿著第三方向6依次配置。
擴散腔室5620的內周面可以非導體配備。作為一個示例，擴散腔室5620的內周面可以包含石英（Quartz）的材質配備。擴散腔室5620可包括擴散部5624和連接部5626。
擴散部5624可從電漿腔室5420向下方延伸。擴散部5624可從電漿腔室5420向下方延伸至連接部5626。
擴散部5624可具有上部和下部開放的形狀。在擴散部5624的上端和下端可形成有開口。擴散部5624可具有倒漏斗形狀。作為一個示例，擴散部5624可配備成圓錐形。擴散部5624的上端開口直徑可配備得小於擴散部5624的下端開口直徑。擴散部5624可配備得從上端向下端直徑越來越大。在擴散部5624的上端配備的開口直徑可具有與電漿腔室5420下面直徑對應的直徑。
連接部5626可連接外殼5220和擴散部5624。連接部5626可位於擴散部5624的下部。連接部5626可配置於外殼5220與擴散部5624之間。連接部5626可包括上壁5626a和下壁5626b。
上壁5626a從擴散部5624的下端延伸。上壁5626a可朝向遠離在擴散部5624下端形成的開口中心的方向延伸。下壁5626b可從上壁5626a側端向朝向下方的方向延伸。下壁5626b可與外殼5220的上端連接。擴散部5624和外殼5220藉由連接部5626而連接，從而可形成使處理空間5200與外部密閉的狀態。
圖3係簡要顯示圖2的氣流引導構件的立體圖。下文參照圖2和圖3，詳細描述本發明實施例的氣流引導構件。
氣流引導構件6000位於擴散室560的內部。氣流引導構件6000可配備於擴散腔室5620內部。氣流引導構件6000可位於擋板5280的上部。氣流引導構件6000可在擋板5820的上部與擋板5820相向配置。氣流引導構件6000可引導電漿產生室540發生的電漿的流動方向。氣流引導構件6000可引導包含因電漿而產生的顆粒的氣流的流動方向。
氣流引導構件6000可包括引導體6200和引導環構件6800。引導體6200可變更電漿產生室540發生的電漿的流動方向的一部分。引導體6200可變更包含因電漿而發生的顆粒的氣流的流動方向的一部分。
引導體6200可包括上部引導體6400和下部引導體6600。上部引導體6400配備於擴散腔室5620內部。上部引導體6400可大致配備成倒漏斗形狀。上部引導體6400從上部觀察時可大致配備成圓形形狀。上部引導體6400可具有頂部6420和第一傾斜部6440。
頂部6420從上部觀察時可大致配備成圓板形狀。頂部6420從上部觀察時可位於包括擴散腔室5620中心區域的區域。作為一個示例，頂部6420從上部觀察時可具有與在擴散腔室5620下端形成的開口相同的直徑。
第一傾斜部6440從上部觀察時可大致具有包括中心在內的區域開放的圓板形狀。第一傾斜部6440可從頂部6420延伸形成。第一傾斜部6440的上端可與頂部6420的側端連接。第一傾斜部6440的上端可沿著頂部6420的周向進行面接觸。第一傾斜部6440可沿著從擴散腔室5620側壁朝向擴散腔室5620中心的方向隔開配備。
第一傾斜部6440可傾斜地形成。第一傾斜部6440可配備成從上端向下端直徑越來越大。作為一個示例，第一傾斜部6440可具有與擴散腔室5620相同的斜率。因此，第一傾斜部6440可與擴散腔室5620的側壁平行。但不限於此，第一傾斜部6440的斜率和擴散腔室5620的斜率可不同地配備。第一傾斜部6440可與後述的引導環構件6800進行線接觸。作為一個示例，第一傾斜部6440的內側面可與引導環構件6800的上側端部進行線接觸。第一傾斜部6440的下端可位於比擴散腔室5620下端更上方。頂部6420和第一傾斜部6440可一體形成。
上部引導體6400可與擴散腔室5620組合以形成第一通路P1。上部引導體6400可與擴散腔室5620的側壁組合以形成第一通路P1。作為一個示例，第一傾斜部6440可與擴散腔室5620的側壁組合以形成第一通路P1。第一通路P1發揮供電漿產生室540產生的電漿流動的通路功能。第一通路P1發揮供包含在電漿產生過程中產生的顆粒的氣流流動的通路功能。
下部引導體6600配備於擴散腔室5620內部。下部引導體6600可位於上部引導體6400下方。下部引導體6600從上部觀察時可大致配備成圓形形狀。下部引導體6600可包括底部6620和第二傾斜部6640。
底部6620可從擴散腔室5620的側壁向擴散腔室5620的中心延伸。底部6620可從擴散腔室5620的側壁下端朝向擴散腔室5620的中心沿水平方向延伸。在底部6620可形成有底孔6622。底孔6622可配備多個。底孔6622可沿上下方向貫通底部6620。底孔6622的直徑可配備成小於擋板孔5282的直徑。
第二傾斜部6640可從底部6620延伸。第二傾斜部6640可從底部6620朝向擴散腔室5620的中心越來越傾斜地形成。作為一個示例，第二傾斜部6640可從底部6620向擴散腔室5620的中心越來越向上傾斜地形成。第二傾斜部6640可配備成從下端向上端直徑越來越大。作為一個示例，第二傾斜部6640可配備成與擴散腔室5620的側壁相同的斜率。因此，第二傾斜部6640可與擴散腔室5620的側壁平行。但不限於此，第二傾斜部6640的斜率和擴散腔室5620的斜率可不同地配備。
第二傾斜部6640的上端可與後述的引導環構件6800相接。作為一個示例，第二傾斜部6640的上端可與引導環構件6800的下側端部進行線接觸。第二傾斜部6640的上端可位於比第一傾斜部6440下端更高處。底部6620和第二傾斜部6640可一體形成。
下部引導體6600可與上部引導體6400組合以形成第二通路P2。下部引導體6600可與第一傾斜部6440相互組合以形成第二通路P2。作為一個示例，第二傾斜部6640的外側面與第一傾斜部6440的內側面可相互組合以形成第二通路P2。
第二通路P2發揮供包括藉由第一通路P1而引導的電漿和/或在電漿產生過程中形成的顆粒的氣流流動的通路功能。第二通路P2發揮將藉由第一通路P1流入的電漿氣流引導到後述引導環構件6800的流入孔6820的通路功能。作為一個示例，經過第一通路P1的電漿氣流的一部分流出到後述底孔6622，另一部分流入第二通路P2。
圖4係簡要示出從下方觀察圖2的引導環構件的狀態的圖。下文參照圖2至圖4，詳細描述本發明實施例的引導環構件。
引導環構件6800可將經由第一通路P1和第二通路P2流動的電漿氣流引導到處理空間5200。引導環構件6800可將藉由第一通路P1和第二通路P2流動的包含顆粒的氣流引導到處理空間5200的邊緣區域。引導環構件6800可大致配備成環狀。引導環構件6800可配備成具有既定厚度的環狀。作為一個示例，引導環構件6800可配備成上下部被堵塞的環狀。例如，引導環構件6800可配備成在內部具有空間的環狀。
引導環構件6800可位於擴散腔室5620內部。引導環構件6800可位於上部引導體6400下方。引導環構件6800可位於下部引導體6600上方。作為一個示例，引導環構件6800可配置於上部引導體6400與下部引導體6600之間。引導環構件6800可與上部引導體6400相接。例如，引導環構件6800的上側端部可與第一傾斜部6440的內側面進行線接觸。引導環構件6800可與下部引導體6600相接。例如，引導環構件6800的下側端部可與第二傾斜部6640上端進行線接觸。
在引導環構件6800的側面可形成有流入孔6820。流入孔6820可在上部引導體6400和下部引導體6600相互組合而形成的第二通路P2上形成。流入孔6820可配備多個。流入孔6820可沿著引導環構件6800的側面周向相互隔開地配備。藉由第二通路P2，包括電漿和/或在電漿產生過程中形成的顆粒的氣流流入流入孔6820。
在引導環構件6800的下面可形成有流出孔6840。流出孔6840可配備多個。流出孔6840可在引導環構件6800的下面相互隔開既定間隔配備。藉由流入孔6820流入引導環構件6800內部空間的電漿氣流，可藉由流出孔6840流動到處理空間5200。例如，藉由流出孔6840流動的氣流可沿著在第二傾斜部6640配備的傾斜面流動到處理空間5200的邊緣區域。流出孔6840的直徑可配備成小於擋板孔5282的直徑。
上述本發明一實施例的引導環構件6800以在下面形成有流出孔6840的情形為例進行了描述，但不限於此。另外，在上述本發明實施例中，以引導環構件6800上下面堵塞的環狀配備的情形為例進行了描述。但不限於此，引導環構件6800可配備成上面堵塞、下面開放的環狀。因此，藉由流入孔6820流入引導環構件6800內部空間的電漿氣流，可藉由開放的引導環構件6800的下面流動到處理空間5200。
再次參照圖2，排氣室580可將處理室520內部的製程氣體和雜質排出到外部。排氣室580可將基板W處理過程中產生的雜質和顆粒等排出到製程腔室500的外部。排氣室580可將供應到處理空間5200內的製程氣體排出到外部。排氣室580可包括排氣管線5820和泄壓構件5840。排氣管線5820可與在外殼5220的底面形成的排氣孔5222連接。排氣管線5820可與提供泄壓的泄壓構件5840連接。
泄壓構件5840可對處理空間5200提供泄壓。泄壓構件5840可將處理空間5200殘留的電漿、雜質以及顆粒排出到外殼5220的外部。另外，泄壓構件5840可提供泄壓，以便使處理空間5200的壓力保持在預設壓力。減壓構件5840可為泵。但不限於此，泄壓構件5840可配備成提供泄壓的公知的裝置。
圖5係簡要示出圖2的執行電漿處理製程的製程腔室中的氣流流動的圖。參照圖5，包括在電漿產生過程中形成的雜質或顆粒的氣流和/或電漿，流動到擴散腔室5620和上部引導體6400相互組合而形成的第一通路P1。例如，氣流沿著在第一傾斜部6440形成的傾斜面向下方流動。穿過第一通路P1的氣流的一部分穿過底孔6622。穿過底孔6622的氣流沿著第一通路P1的傾斜面流動，從而可流動到處理空間5200的邊緣區域。
穿過第一通路P1的氣流的另一部分流動到由上部引導體6400和下部引導體6600相互組合而形成的第二通路P2。穿過第二通路P2的氣流流動到在引導環構件6800形成的流入孔6820。穿過流入孔6820的氣流經由在引導環構件6800中形成的內部空間而穿過流出孔6840。流經第二通路P2的氣流流動方向在穿過流出孔6840的過程中變更，氣流藉助於離心力而流動到處理空間5200的邊緣區域。另外，穿過流出孔6840的氣流沿著在第二傾斜部6640形成的傾斜面流動到處理空間5200的邊緣區域。
根據上述本發明一實施例，電漿產生室540產生的電漿流動到由擴散腔室5620和上部引導體6400相互組合而形成的第一通路P1。穿過第一通路P1的電漿的一部分藉由底孔6622流動到處理空間5200的邊緣區域。另外，穿過第一通路P1的電漿的另一部分流動到由上部引導體6400和下部引導體6600相互組合而形成的第二通路P2。藉由第二通路P2流入的電漿依次經由流入孔6820和流出孔6840流動到處理空間5200的邊緣區域。
因此，可最大限度減少電漿產生室540產生的電漿集中到包括擋板5280中央區域的區域。從上部觀察時，可最大限度減少電漿在位於與電漿產生室540重疊區域的擋板5280內集中。因此，可最大限度減少因擋板5280內電漿集中現象而可能發生的擋板5280的熱變形現象。藉由最大限度減少擋板的熱變形，從而擋板更換週期相對延長，因而可節省維護所需費用。另外，藉由最大限度減少擋板熱變形，可減少在擋板變形過程中產生的顆粒。
另外，可最大限度減少電漿在包括基板W中心的中央區域集中，電漿可均一地分配到基板W上。因此，利用電漿處理基板W時，可確保作用於基板的電漿處理的均一性。
另外，根據上述本發明一實施例，包含在電漿產生過程中形成的雜質或顆粒的氣流流動到第一通路P1。穿過第一通路P1的氣流的一部分藉由底孔6622流動到處理空間5200的邊緣區域。另外，穿過第一通路P1的氣流的另一部分流動到由上部引導體6400和下部引導體6600相互組合而形成的第二通路P2。藉由第二通路P2流入的氣流依次經由流入孔6820和流出孔6840而流動到處理空間5200的邊緣區域。
可將包含在電漿產生過程中形成的顆粒等的氣流引導到處理空間5200的邊緣區域。因此，可最大限度減少向被位於處理空間5200的支撐單元5240支撐的基板W流動。可最大限度減少雜質或顆粒沉積於基板W的上部。因此，可最大限度減小因顆粒沉積於基板W上部而在電漿處理過程產生的製程不良率。
圖6係簡要示出圖2的執行電漿處理製程的製程腔室的另一實施例的圖。圖7係簡要顯示圖6的氣流引導構件的立體圖。下文對本發明一實施例的製程腔室的描述中，除氣流引導構件之外，與對前述一實施例的製程腔室的描述類似，從而為了防止內容重複，下文對重複構成不再贅述。
下文參照圖6和圖7，對製程腔室的另一實施例進行詳細描述。本發明一實施例的製程腔室500包括氣流引導構件6000。
氣流引導構件6000位於擴散室560內部。氣流引導構件6000可配備於擴散腔室5620內部。氣流引導構件6000可位於擋板5280的上部。氣流引導構件6000可在擋板5280的上部與擋板5280相向地配置。氣流引導構件6000可引導在電漿產生室540產生的電漿的流動方向。氣流引導構件6000可引導包含因電漿而產生的顆粒的氣流的流動方向。
氣流引導構件6000可包括引導體6200和引導環構件6800。引導體6200可變更電漿產生室540產生的電漿的流動方向的一部分。引導體6200可變更包含因電漿而產生的顆粒的氣流的流動方向的一部分。
引導體6200可包括上部引導體6400和下部引導體6600。上部引導體6400配備於擴散腔室5620內部。上部引導體6400從主剖面觀察時可大致配備成梯形形狀。上部引導體6400從上部觀察時可大致配備成圓形形狀。上部引導體6400可具有頂部6420、第一傾斜部6440以及外底面部6460。
頂部6420從上部觀察時可大致配備成圓板形狀。頂部6420從上部觀察時，可位於包括擴散腔室5620中心區域的區域。作為一個示例，頂部6420從上部觀察時，可具有與在擴散腔室5620下端形成的開口相同的直徑。
第一傾斜部6440從上部觀察時，可大致具有包括中心在內的區域開放的圓板形狀。第一傾斜部6440可從頂部6420延伸形成。第一傾斜部6440的上端可與頂部6420的側端連接。第一傾斜部6440的上端可沿頂部6420周向進行面接觸。第一傾斜部6440可沿著從擴散腔室5620的側壁朝向擴散腔室5620中心的方向隔開配備。
第一傾斜部6440可傾斜地形成。第一傾斜部6440可配備成從上端向下端直徑越來越大。作為一個示例，第一傾斜部6440可具有與擴散腔室5620相同的斜率。因此，第一傾斜部6440可與擴散腔室5620的側壁平行。但不限於此，第一傾斜部6440的斜率和擴散腔室5620的斜率可不同地配備。第一傾斜部6440的下端可位於比擴散腔室5620下端更上方。第一傾斜部6440的下端可位於比擴散部5624的下端更上方。第一傾斜部6440的下端可位於比後述下部引導體6600的上端更上方。
外底面部6460從上部觀察時可大致配備成圓板形狀。外底面部6460從上部觀察時，可位於包括擴散腔室5620中心區域的區域。外底面部6460可具有大於頂部6420的直徑。外底面部6460從上部觀察時可具有大於頂部6420的面積。外底面部6460可從第一傾斜部6440延伸。外底面部6460可沿著從第一傾斜部6440下端朝向擴散腔室5620中心的方向水平延伸。外底面部6460可與後述的引導環構件6800進行線接觸和/或面接觸。作為一個示例，外底面部6460的下端可與引導環構件6800的上端進行線接觸和/或面接觸。在上部引導體6400上配備的頂部6420、第一傾斜部6440以及外底面部6460可一體形成。
上部引導體6400可與擴散腔室5620組合以形成第一通路P1。上部引導體6400可與擴散腔室5620的側壁組合以形成第一通路P1。作為一個示例，第一傾斜部6440可與擴散腔室5620的側壁組合以形成第一通路P1。第一通路P1發揮供電漿產生室540產生的電漿流動的通路功能。第一通路P1發揮供包括在電漿產生過程中可能產生的顆粒的氣流流動的通路功能。
下部引導體6600配備於擴散腔室5620內部。下部引導體6600可位於上部引導體6400下方。下部引導體6600從上部觀察時可大致配備成圓形形狀。作為一個示例，下部引導體6600從上部觀察時，可配備成包括中心的區域開放的環狀。
下部引導體6600可從擴散腔室5620的側壁朝向擴散腔室5620的中心延伸。下部引導體6600可從擴散腔室5620的側壁下端朝向擴散腔室5620的中心沿水平方向延伸。下部引導體6600的上端可位於比擴散部5624下端更上方。下部引導體6600的上端可位於比後述引導環構件6800的下端更上方。下部引導體6600的上端可位於比外底面部6460的下端更下方。
下部引導體6600的下端可與擴散部5624下端鄰接配備。作為一個示例，下部引導體6600的下端可配備於與擴散部5624下端距離地面相同的高度處。下部引導體6600的下端可鄰接引導環構件6800下端配備。作為一個示例，下部引導體6600的下端可位於與引導環構件6800下端距離地面相同的高度處。
在下部引導體6600上可形成有孔6660。孔6660可配備多個。孔6660可沿上下方向貫通下部引導體6600。孔6660的直徑可小於擋板孔5282的直徑。
下部引導體6600可與上部引導體6400組合以形成第二通路P2。下部引導體6600可與外底面部6460相互組合以形成第二通路P2。作為一個示例，下部引導體6600的上面與外底面部6460的下面可相互組合以形成第二通路P2。
第二通路P2發揮供包括藉由第一通路P1引導的電漿和/或在電漿產生過程中形成的顆粒的氣流流動的通路作用。第二通路P2發揮將藉由第一通路P1流入的電漿氣流引導到後述引導環構件6800的流入孔6820的通路功能。作為一個示例，流經第一通路P1的電漿氣流的一部分流出到後述的底孔6622，另一部分流入第二通路P2。
引導環構件6800可將流經第一通路P1和第二通路P2的電漿的氣流引導到處理空間5200。引導環構件6800可將藉由第一通路P1和第二通路P2流動的包含顆粒的氣流引導到處理空間5200的邊緣區域。引導環構件6800可大致配備成環狀。作為一個示例，引導環構件6800可配備成上下部堵塞的環狀。例如，引導環構件6800可配備成在內部具有空間的環狀。
引導環構件6800可位於擴散腔室5620內部。引導環構件6800可位於上部引導體6400下方。引導環構件6800可與外底面部6460相接。作為一個示例，引導環構件6800的上端可與外底面部6460的下端進行線接觸和/或面接觸。引導環構件6800可與下部引導體6600相接。例如，引導環構件6800的側面可與下部引導體6600的內側面進行面接觸。引導環構件6800的下端可與下部引導體6600的下端鄰接配置。作為一個示例，引導環構件6800的下端可位於與下部引導體6600的下端距離地面相同高度處。引導環構件6800的上端可位於比下部引導體6600上端更高處。
在引導環構件6800的側面可形成有流入孔6820。流入孔6820可在由上部引導體6400和下部引導體6600相互組合而形成的第二通路P2上形成。作為一個示例，流入孔6820可在引導環構件6800的側面，配備於外底面部6460的下端與下部引導體6600的上端之間。流入孔6820可配備多個。流入孔6820可沿著引導環構件6800的側面周向相互隔開地配備。藉由第二通路P2，包含電漿和/或在電漿產生過程中形成的顆粒的氣流流入流入孔6820。
在引導環構件6800的下面可形成有流出孔6840。流出孔6840可配備多個。流出孔6840可在引導環構件6800的下面相互隔開既定間隔配備。藉由流入孔6820流入引導環構件6800內部空間的電漿氣流可藉由流出孔6840流動到處理空間5200。流出孔6840的直徑可小於擋板孔5282的直徑。
上述本發明一實施例的引導環構件6800以在下面形成有流出孔6840的情形為例進行了描述，但不限於此。另外，在上述本發明實施例中，以引導環構件6800為上下面被堵塞的環狀的情形為例進行了描述。但不限於此，引導環構件6800可配備成上面堵塞、下面開放的環狀。因此，藉由流入孔6820流入引導環構件6800內部空間的電漿氣流，可藉由開放的引導環構件6800的下面而流動到處理空間5200。
圖8係簡要示出圖6的執行電漿處理製程的製程腔室中的氣流流動的圖。參照圖8，包含電漿產生過程中形成的雜質或顆粒的氣流和/或電漿，流動到由擴散腔室5620和上部引導體6400相互組合而形成的第一通路P1。例如，氣流沿著在第一傾斜部6440形成的傾斜面向下方流動。穿過第一通路P1的氣流的一部分穿過孔6660。穿過孔6660的氣流沿著第一通路P1的傾斜面流動，從而可流動到處理空間5200的邊緣區域。
穿過第一通路P1的氣流的另一部分流動到由上部引導體6400和下部引導體6600相互組合而形成的第二通路P2。穿過第二通路P2的氣流流動到在引導環構件6800上形成的流入孔6820。穿過流入孔6820的氣流經由在引導環構件6800中形成的內部空間而穿過流出孔6840。第二通路P2中流動的氣流的流動方向在穿過流出孔6840的過程中變更，氣流因離心力而流動到處理空間5200的邊緣區域。
根據上述本發明一實施例，電漿產生室540產生的電漿流動到由擴散腔室5620和上部引導體6400相互組合而形成的第一通路P1。穿過第一通路P1的電漿的一部分藉由孔6660而流動到處理空間5200的邊緣區域。另外，穿過第一通路P1的電漿的另一部分流動到由上部引導體6400和下部引導體6600相互組合而形成的第二通路P2。藉由第二通路P2流入的電漿依次經由流入孔6820和流出孔6840而流動到處理空間5200的邊緣區域。
因此，可最大限度減少電漿產生室540發生的電漿集中到包括擋板5280中央區域的區域。可最大限度減少從上部觀察時電漿在位於與電漿產生室540重疊區域的擋板5280內集中。由此，可最大限度減少擋板5280內由於電漿集中現象而可能發生的擋板5280的熱變形現象。藉由最大限度減少擋板的熱變形，從而擋板更換週期相對延長，因而可節省維護所需費用。另外，藉由最大限度減少擋板的熱變形，從而可減少在擋板變形過程中發生的顆粒。
另外，可最大限度減少電漿在包括基板W中心的中央區域集中，電漿可向基板W上均一地分散。因而可在利用電漿處理基板W時，確保作用於基板的電漿處理的均一性。
另外，根據上述本發明一實施例，包含電漿產生過程中形成的雜質或顆粒的氣流流動到第一通路P1。穿過第一通路P1的氣流的一部分藉由孔6660流動到處理空間5200的邊緣區域。另外，穿過第一通路P1的氣流的另一部分流動到由上部引導體6400和下部引導體6600相互組合而形成的第二通路P2。藉由第二通路P2流入的氣流依次經過流入孔6820和流出孔6840而流動到處理空間5200的邊緣區域。
可將包含在電漿產生過程中形成的顆粒等的氣流引導到處理空間5200的邊緣區域。因此，可最大限度減少向被位於處理空間5200的支撐單元5240支撐的基板W流動。可最大限度減少雜質或顆粒在基板W的上部沉積。因此，可最大限度減小因顆粒沉積到基板W上部而在電漿處理過程中發生的製程不良率。
以上的詳細描述是對本發明進行舉例。另外，前述內容顯示並描述了本發明的較佳實施形態，本發明可在多樣的其他組合、變更及環境下使用。即，可在本說明書中公開的發明的概念範圍、與前述公開內容均等的範圍和/或本行業的技術或知識範圍內進行變更或修訂。前述實施例描述了用於體現本發明技術思想所需的最佳狀態，也可進行本發明具體應用領域和用途所要求的多樣變更。因此，以上的發明內容並非要將本發明限定為公開的實施形態。另外，附帶的申請專利範圍應解釋為也包括其他實施形態。
1:基板處理設備 2:第一方向 4:第二方向 20:設備前端模組 30:處理模組 200:載入埠 202:支撐部 220:移送框架 222:第一移送機器人 224:移送軌道 300:裝載閘腔室 400:傳輸腔室 420:第二移送機器人 500:製程腔室 520:處理室 540:電漿產生室 560:擴散室 580:排氣室 5200:處理空間 5220:外殼 5222:排氣孔 5240:支撐單元 5242:支撐板 5244:支撐軸 5260:排氣擋板 5262:排氣孔 5280:檔板 5282:擋板孔 5420:電漿腔室 5422:電漿產生空間 5424:氣體供應埠 5440:氣體供應單元 5460:電力施加單元 5462:天線 5464:電源 5620:擴散腔室 5626:連接部 5820:排氣管線 5840:泄壓構件 6000:氣流引導構件 6200:引導體 6400:上部引導體 6420:頂部 6440:第一傾斜部 6460:外底面部 6600:下部引導體 6620:底部 6622:底孔 6640:第二傾斜部 6660:孔 6800:引導環構件 6820:流入孔 6840:流出孔 C:承載架 P1:第一通路 P2:第二通路 W:基板
圖1係簡要示出本發明的基板處理設備的圖。 圖2係簡要示出圖1的基板處理設備的製程腔室中執行電漿處理製程的製程腔室的一實施例的圖。 圖3係簡要顯示圖2的氣流引導構件的立體圖。 圖4係簡要示出從下面觀察圖2的引導環構件的狀態的圖。 圖5係簡要示出圖2的執行電漿處理製程的製程腔室中的氣流流動的圖。 圖6係簡要示出圖2的執行電漿處理製程的製程腔室的另一實施例的圖。 圖7係簡要顯示圖6的氣流引導構件的立體圖。 圖8係簡要示出圖6的執行電漿處理製程的製程腔室中的氣流流動的圖。
500:製程腔室
520:處理室
540:電漿產生室
560:擴散室
580:排氣室
5200:處理空間
5220:外殼
5222:排氣孔
5240:支撐單元
5242:支撐板
5244:支撐軸
5260:排氣擋板
5262:排氣孔
5280:檔板
5282:擋板孔
5420:電漿腔室
5422:電漿產生空間
5424:氣體供應埠
5440:氣體供應單元
5460:電力施加單元
5462:天線
5464:電源
5620:擴散腔室
5626:連接部
5820:排氣管線
5840:泄壓構件
6200:引導體
6400:上部引導體
6420:頂部
6440:第一傾斜部
6600:下部引導體
6620:底部
6622:底孔
6640:第二傾斜部
6800:引導環構件
6820:流入孔
W:基板

Claims (19)

  1. 一種基板處理設備，前述基板處理設備用於處理基板，前述基板處理設備包括：處理室，前述處理室提供處理基板的處理空間；電漿產生室，前述電漿產生室從製程氣體產生向前述處理空間供應的電漿；擴散室，前述擴散室使前述電漿產生室產生的前述電漿擴散到前述處理空間；擋板，前述擋板安裝於前述處理室的上端，並形成有多個擋板孔；及氣流引導構件，前述氣流引導構件配備於前述擴散室內部，引導前述電漿的流動方向，前述氣流引導構件包括前述電漿的流動方向部分變更的引導體；前述引導體包括：上部引導體，前述上部引導體與前述擴散室的側壁組合以形成第一通路；及下部引導體，前述下部引導體位於前述上部引導體下部，與前述上部引導體組合以形成第二通路，其中，前述下部引導體包括：底部，前述底部從前述擴散室的前述側壁下端朝向前述擴散室的中心水平延伸；及傾斜部，前述傾斜部從前述底部朝向前述擴散室的前述中心越來越向上傾斜地配備。
  2. 如請求項1所述之基板處理設備，其中，在前述底部形成有沿上下方向貫穿前述底部的底孔。
  3. 如請求項1所述之基板處理設備，其中，前述上部引導體與前述擴散室的前述側壁平行地配備。
  4. 如請求項1所述之基板處理設備，其中，前述傾斜部與前述擴散室的前述側壁平行地配備。
  5. 如請求項2所述之基板處理設備，其中，前述氣流引導構件進一步包括引導環構件，前述引導環構件配備成環狀，將經由前述第一通路和前述第二通路流動的前述電漿的氣流引導到前述處理空間，且前述引導環構件的上側端部與前述上部引導體的內側面進行線接觸，前述引導環構件的下側端部與前述傾斜部的上端進行線接觸。
  6. 如請求項5所述之基板處理設備，其中，在前述引導環構件的側面沿周向形成有流入孔，前述流入孔供藉由前述第二通路流入的前述電漿氣流流入。
  7. 如請求項6所述之基板處理設備，其中，前述引導環構件的下面開放。
  8. 如請求項6所述之基板處理設備，其中，在前述引導環構件的下面形成有供從前述流入孔流入的前述電漿氣流流出的至少一個流出孔。
  9. 如請求項8所述之基板處理設備，其中，前述底孔和前述流出孔的直徑小於前述擋板孔。
  10. 一種基板處理設備，前述基板處理設備用於處理基板，前述基板處理設備包括：處理室，前述處理室提供處理基板的處理空間；電漿產生室，前述電漿產生室從製程氣體產生向前述處理空間供應的電漿；擴散室，前述擴散室使前述電漿產生室產生的前述電漿擴散到前述處理空間；擋板，前述擋板安裝於前述處理室的上端，形成有多個擋板孔；及氣流引導構件，前述氣流引導構件配備於前述擴散室內部以引導前述電漿的流動方向， 前述氣流引導構件包括引導環構件，前述引導環構件配備成環狀，安裝於前述擴散室內部。
  11. 如請求項10所述之基板處理設備，其中，在前述引導環構件的側面沿前述側面周向形成供前述電漿的氣流流入的流入孔。
  12. 如請求項11所述之基板處理設備，其中，前述引導環構件的下面開放。
  13. 如請求項11所述之基板處理設備，其中，在前述引導環構件的下面形成有至少一個流出孔，前述流出孔供從前述流入孔流入的前述電漿氣流流出。
  14. 如請求項13所述之基板處理設備，其中，前述氣流引導構件進一步包括引導體，前述引導體包括：上部引導體，前述上部引導體與前述擴散室的側壁組合以形成第一通路，引導前述擴散室中流動的前述電漿的一部分；及下部引導體，前述下部引導體位於前述上部引導體下部，與前述上部引導體組合以形成第二通路，將從前述第一通路引導的前述電漿經由前述第二通路引導到前述流入孔。
  15. 如請求項14所述之基板處理設備，其中，前述下部引導體包括：底部，前述底部從前述擴散室的前述側壁下端朝向前述擴散室的中心水平延伸；及傾斜部，前述傾斜部從前述底部朝向前述擴散室的前述中心越來越向上傾斜地配備。
  16. 如請求項15所述之基板處理設備，其中，在前述底部形成有沿上下方向貫通前述底部的底孔。
  17. 如請求項16所述之基板處理設備，其中，前述引導環構件的上 側端部與前述上部引導體的內側面進行線接觸，前述引導環構件的下側端部與前述傾斜部的上端進行線接觸。
  18. 如請求項15所述之基板處理設備，其中，前述上部引導體和前述傾斜部與前述擴散室的前述側壁平行地配備。
  19. 如請求項10至18中任一項所述之基板處理設備，其中，前述擴散室配備成倒漏斗形狀。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116791065A (zh) * 2023-07-03 2023-09-22 拓荆科技(上海)有限公司 一种扩散构件和半导体工艺设备

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190135829A (ko) * 2018-05-29 2019-12-09 피에스케이홀딩스 (주) 배플 어셈블리 및 이를 갖는 기판 처리 장치
TW202042597A (zh) * 2019-04-30 2020-11-16 南韓商Ｐｓｋ有限公司 基板處理裝置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5983906A (en) * 1997-01-24 1999-11-16 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for a cleaning process in a high temperature, corrosive, plasma environment
US20030019428A1 (en) * 2001-04-28 2003-01-30 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition chamber
JP5951095B1 (ja) * 2015-09-08 2016-07-13 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム
KR101939225B1 (ko) * 2017-08-11 2019-04-11 피에스케이 주식회사 배플 어셈블리 및 이를 갖는 기판 처리 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190135829A (ko) * 2018-05-29 2019-12-09 피에스케이홀딩스 (주) 배플 어셈블리 및 이를 갖는 기판 처리 장치
TW202042597A (zh) * 2019-04-30 2020-11-16 南韓商Ｐｓｋ有限公司 基板處理裝置

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