TW202042597A - 基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明概念係關於一種用於處理基板之裝置。前述基板處理裝置包括散射器，前述散射器安置於擋板上方且分離電漿與雜質。前述散射器包括：具有第一開口之板，前述第一開口在自上方檢視時形成於前述板之中心區域中；及碰撞區塊，前述碰撞區塊安置於前述第一開口上方以面向前述第一開口且與自電漿產生單元供應之電漿及雜質碰撞。

Description

基板處理裝置
本文中描述之本發明概念的實施例係關於一種基板處理裝置，且更特定而言，係關於一種用於使用電漿處理基板的基板處理裝置。
電漿係指含有離子、自由基及電子之離子化氣態物質，且藉由加熱中性氣體至極高溫度或使中性氣體經受強電場或RF電磁場影響來產生。半導體裝置製造製程包括使用電漿移除基板上之薄膜的灰化或蝕刻製程。灰化或蝕刻製程藉由允許含有於電漿中之離子及自由基與基板上之膜碰撞或反應來執行。
圖1為說明典型電漿處理裝置之視圖。參看圖1，電漿處理裝置2000具有處理單元2100及電漿產生單元2300。
處理單元2100使用藉由電漿產生單元2300產生之電漿處理基板W。處理單元2100包括外殼2110、支撐單元2120及擋板2130。外殼2110具有內部空間2112，且支撐單元2120支撐基板W於內部空間2112中。擋板2130具有形成於其中之複數個孔，且安置於支撐單元2120上方。
電漿產生單元2300產生電漿。電漿產生單元2300包括電漿產生腔室2310、氣體供應單元2320、功率施加單元2330，及擴散腔室2340。藉由氣體供應單元2320供應之處理氣體藉由RF功率激發為電漿狀態，該RF功率藉由功率施加單元2330來施加。所產生之電漿經由擴散腔室2340供應至內部空間2112中。
然而，諸如反應副產物、微粒或類似者之雜質D產生於使用電漿處理基板W的製程中。雜質D自內部空間2112流回至電漿產生單元2300。引入至電漿產生單元2300中之雜質D阻礙電子與電漿產生腔室2310中之處理氣體碰撞，以使電漿產生效率惡化。此外，在雜質D引入至電漿產生腔室2310中之後，雜質D與產生的電漿一起又引入至外殼2110的處理空間2112中。如圖2中所說明，引入至處理空間2112中之雜質D附接至基板W之頂側以使基板處理效率惡化。
本發明概念之實施例提供一種用於有效地處理基板之基板處理裝置。
此外，本發明概念之實施例提供一種用於防止在使用電漿之基板處理期間產生的雜質引入至電漿產生單元中的基板處理裝置。
此外，本發明概念之實施例提供一種用於分離引入至處理單元中之雜質與供應至處理單元中之離子及自由基且將經分離雜質排出至外部的基板處理裝置。
待藉由本發明概念解決之技術問題不限於前述問題，且本文中尚未提及之任何其他技術問題將藉由熟習本發明概念係關於之技術者自此說明書及附圖清楚地理解。
根據例示性實施例，一種用於處理基板之裝置包括：外殼，其具有形成於其中之處理空間；支撐單元，其將前述基板支撐於前述處理空間中；電漿產生單元，其定位於前述支撐單元上方且將電漿供應至前述處理空間中；擋板，其安置於前述支撐單元與前述電漿產生單元之間且允許前述電漿通過；及散射器，其安置於前述擋板上方且分離前述電漿與雜質。前述散射器包括：具有第一開口之板，前述第一開口在自上方檢視時形成於前述板之中心區域中；及碰撞區塊，前述碰撞區塊安置於前述第一開口上方以面向前述第一開口且與自前述電漿產生單元供應的前述電漿以及前述雜質碰撞。
根據實施例，前述板可具有第二開口，前述第二開口在自上方檢視時形成於前述板的邊緣區域中。
根據實施例，前述第二開口在自上方檢視時可具有圓弧形狀。
根據實施例，複數個第二開口可形成於前述板之前述邊緣區域中且沿著前述板之圓周方向可彼此隔開。
根據實施例，前述第一開口與前述第二開口之間的區域可設置為阻斷區域。
根據實施例，前述外殼可具有形成於前述外殼之底部中的排氣孔以自前述處理空間釋放氣體，且前述排氣孔在自上方檢視時可經形成以與前述第二開口重疊或可在前述第二開口外部形成。
根據實施例，前述碰撞區塊可包括碰撞部件，且前述碰撞部件當在垂直截面中檢視時可具有上部末端自中心朝向外側向下傾斜的形狀。
根據實施例，前述碰撞區塊可包括導引部件，且前述導引部件可插入至前述第一開口中。
根據實施例，前述導引部件當在垂直截面上檢視時可具有下部末端自前述外側朝向前述中心向下傾斜的形狀。
根據實施例，前述碰撞區塊當在垂直截面上檢視時可具有上部部分為平坦的形狀。
根據實施例，前述擋板可具有形成於其中之複數個孔，且當在垂直截面上檢視時可包括上表面及下表面，且前述上表面可經形成為彎曲表面。
根據實施例，前述彎曲表面可經彎曲以向上凸起。
下文中，本發明概念之實施例將詳細參看隨附圖式來描述，使得熟習本發明概念係關於之技術者可易於實行本發明概念。然而，本發明概念可以各種不同形式實施，且並不限於本文中所描述的實施例。此外，在描述本發明概念之實施例中，關於熟知功能或組態之詳細描述在前述功能及組態可能使得本發明概念之標的不必要地晦澀時將被省略。此外，執行類似功能及操作之組件貫穿隨附圖式具備相同元件符號。
說明書中之術語「包括」及「包含」為「開放型」表達，即對應組件存在，且除非具體相反地陳述，否則並不排除而是可包括額外組件。具體而言，應理解，術語「包括」、「包含」及「具有」在本文中使用時指定所陳述特徵、整數、步驟、操作、組件及/或部件的存在，但不排除一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、組件、部件及/或其群組的存在或添加。
單數形式之術語可包括複數形式，除非以其他方式指定。此外，在圖式中，組件之形狀及尺寸可為了說明清楚而予以誇示。
下文中，本發明概念之實施例將詳細參看圖3至圖12予以描述。
圖3為圖示本發明概念之基板處理裝備的示意圖。參看圖3，基板處理裝備1具有裝備前端模組(equipment front end module；EFEM) 20及處理模組30。裝備前端模組20及處理模組30配置於一個方向上。
裝備前端模組20具有載入埠10及傳送框架21。載入埠10在第一方向11上安置於裝備前端模組20前部。載入埠10具有複數個支撐件6。支撐件6在第二方向12上配置成列，且收納待處理之基板W及完全處理之基板W的托架4(例如，卡匣、FOUP或類似者)置放於支撐件6上。待處理之基板W及完全處理之基板W收納於托架4中。傳送框架21安置於載入埠10與處理模組30之間。傳送框架21包括第一傳送機器人25，該第一傳送機器人安置於傳送框架21內部且在載入埠10與處理模組30之間傳送基板W。第一傳送機器人25沿著配置於第二方向12上之傳送導軌27移動，且在托架4與處理模組30之間傳送基板W。
處理模組30包括載入鎖定腔室40、傳送腔室50及處理腔室60。
載入鎖定腔室40鄰接於傳送框架21安置。舉例而言，載入鎖定腔室40可安置於傳送腔室50與裝備前端模組20之間。載入鎖定腔室40提供空間，在該空間處，待處理之基板W在傳送至處理腔室60之前做好準備或完全處理之基板W在傳送至裝備前端模組20之前做好準備。
傳送腔室50鄰接於載入鎖定腔室40安置。傳送腔室50在自上方檢視時具有呈多邊形形狀的主體。參看圖3，傳送腔室50在自上方檢視時具有五邊形本體。載入鎖定腔室40及複數個處理腔室60安置於主體周圍。主體在其側壁中具有通路(未圖示)，基板W經由該等通路進入或離開傳送腔室50，且通路連接傳送腔室50及載入鎖定腔室40或處理腔室60。為各別通路提供門(未圖示)以開啟/關閉通路，且門氣密地密封傳送腔室50之內部。第二傳送機器人53安置於傳送腔室50之內部空間中，且在載入鎖定腔室40與處理腔室60之間傳送基板W。第二傳送機器人53將載入鎖定腔室40中準備好之未經處理基板W傳送至處理腔室60，或將完全處理之基板W傳送至載入鎖定腔室40。此外，第二傳送機器人53在處理腔室60之間傳送基板W以依序提供基板W至複數個處理腔室60。如圖3中所圖示，當傳送腔室50具有五邊形主體時，載入鎖定腔室40安置於鄰接於裝備前端模組20之側壁上，且處理腔室60連續地安置於剩餘側壁上。除前述形狀外，傳送腔室50可根據所需要之處理模組按各種形狀提供。
處理腔室60圍繞傳送腔室50安置。可提供複數個處理腔室60。在處理腔室60中，製程分別對數個基板W執行。處理腔室60處理傳送自第二傳送機器人53的基板W，且提供完全處理之基板W至第二傳送機器人53。在各別處理腔室60中執行之製程可彼此不同。
下文中，在處理腔室60之間，將詳細描述執行電漿製程之基板處理裝置1000。
圖4為圖示圖3之基板處理裝置的視圖。參看圖4，基板處理裝置1000使用電漿對基板W執行預定製程。舉例而言，基板處理裝置1000可蝕刻基板W上之薄膜。薄膜可為各種類型之膜，諸如多晶矽膜、氧化矽膜、氮化矽膜及類似者。替代地，薄膜可為天然氧化物膜或以化學方式產生之氧化物膜。
基板處理裝置1000具有處理單元200、電漿產生單元400及排氣單元600。
處理單元200提供基板W經置放且製程對基板W執行所在的空間。定位於處理單元200外部之電漿產生單元400自處理氣體產生電漿且供應電漿至處理單元200。排氣單元600排出在處理單元200中滯留之氣體及在基板處理期間產生之反應副產物至外部，且維持處理單元200中之壓力於設定電壓。
處理單元200具有外殼210、支撐單元230及擋板250。
外殼210具有形成於其中之處理空間212，在該處理空間中，基板處理被執行。外殼210可在其頂部處開放，且可具有形成於其側壁中的開口(未圖示)。基板W經由開口置放於外殼210中，或自該外殼提取。開口可藉由諸如門(未圖示)之開啟/關閉構件來開啟或關閉。此外，排氣孔214形成於外殼210之底部中。處理空間212中之氣體可經由排氣孔214釋放。排氣孔214可與在下文將描述之排氣單元600中包括的組件連接。此外，當自上方檢視時，排氣孔214可經形成以與將在下文描述之第二開口314重疊，或可形成於第二開口314外部。
支撐單元230支撐基板W於處理空間212中。支撐單元230藉由支撐軸240支撐。基板W置放於支撐單元230之上表面上。支撐單元230與外部電源供應器連接且藉由所施加功率產生靜電。所產生靜電可將基板W固定至支撐單元230。
支撐軸240可移動物件。舉例而言，支撐軸240可垂直地移動基板W。舉例而言，支撐軸240可與支撐單元230組合且可提升或降低支撐單元230以移動基板W。
擋板250位於支撐單元230上方以面向支撐單元230。擋板250可安置於支撐單元230與電漿產生單元400之間。藉由電漿產生單元400產生之電漿傳遞通過形成於擋板250中的複數個孔252。
擋板250允許電漿流動至處理空間212中以均勻地供應至基板W。形成於擋板250中之孔252經提供為自擋板250之頂側沿伸至擋板之底側的通孔，且均勻地形成於擋板250之整個區域上方。此外，在形成於擋板250中之孔252之間，最外孔252大小上可大於其他孔252。當在垂直截面上檢視時，擋板250可包括上表面及下表面，且上表面可經形成為彎曲表面。此外，彎曲上表面可具有經彎曲以向上凸起的形狀。
電漿產生單元400位於外殼210上方。電漿產生單元400激發處理氣體為電漿，且供應所產生之電漿至處理空間212中。電漿產生單元400包括電漿腔室410、氣體供應單元420、功率供應單元430及擴散腔室440。
電漿腔室410具有形成於其中之電漿產生空間412，且電漿產生空間412在其頂部及底部處開放。電漿腔室410之上部末端藉由氣體供應埠414與外部氣密地密封。氣體供應埠414與氣體供應單元420連接。處理氣體經由氣體供應埠414供應至電漿產生空間412中。供應至電漿產生空間412中之氣體經由擋板250引入至處理空間212中。
功率供應單元430將RF功率供應至電漿產生空間412。功率供應單元430包括天線432及電源供應器434。
天線432係電感耦合電漿(inductively coupled plasma；ICP)天線，且具有線圈空間。天線432捲繞電漿腔室410複數次。天線432捲繞電漿腔室410以對應於電漿產生空間412。電源供應器434供應RF功率至天線432。供應至天線432之RF功率施加至電漿產生空間412。所誘發電場藉由高頻電流形成於電漿產生空間412中，且電漿產生空間412中之處理氣體自所誘發電場獲得離子化需要的能量且轉換為電漿狀態。
擴散腔室440將在電漿腔室410中產生之電漿擴散。擴散腔室440可具有整體倒漏斗狀形狀，且可在擴散腔室之頂部及底部處開放。電漿腔室410中產生之電漿可經擴散，同時通過擴散腔室440且可經由擋板250引入至處理空間212中。
排氣單元600可抽吸處理單元200內部之電漿及雜質。排氣單元600可包括排氣線路602及壓力減小構件604。排氣線路602與形成於外殼210之底部中的排氣孔214連接。此外，排氣線路602可與提供減小之壓力的壓力減小構件604連接。因此，壓力減小構件604可提供減小之壓力至處理空間212。壓力減小構件604可為泵。壓力減小構件604可排出剩餘在處理空間212中之電漿及雜質至外殼210外部。此外，壓力減小構件604可提供減小之壓力以將處理空間212中之壓力維持於預設壓力。
散射器300可安置於擋板250上方。散射器300可耦接至擴散腔室440之內壁。散射器300安置於擋板250上方且分離產生於電漿腔室410中之電漿與雜質。
下文中，將參看圖5至圖8來詳細地描述根據本發明概念之實施例的散射器300之組態。
圖5為圖示根據本發明概念之實施例之散射器的視圖，且圖6為圖示圖5之散射器的俯視圖。參看圖5及圖6，散射器300可包括板310及碰撞區塊330。
板310安置於擋板250上方。板310可具有第一開口312，該第一開口在自上方檢視時形成於板310之中心區域中。第一開口312可形成於對應於基板W之中心區域的位置中。第一開口312在自上方檢視時可具有圓形形狀。
此外，板310可具有第二開口314，該開口在自上方檢視時形成於板310之邊緣區域中。可形成複數個第二開口314。第二開口314在自上方檢視時可具有圓弧形狀。第二開口314在自上方檢視時可與形成於擋板250中之複數個孔252中的最外孔252重疊。第一開口312與第二開口314之間的區域可設置為並不形成孔的阻斷區域。
此外，板310可具有耦接部件316。耦接部件316在自上方檢視時可彼此以相等空間隔開。此外，板310可藉由耦接部件316耦接至擴散腔室440之內壁。
碰撞區塊330與產生於電漿腔室410中之離子及自由基以及引入於電漿腔室410中之雜質碰撞。碰撞區塊330可提供於對應於基板W之中心區域的位置中。碰撞區塊330可提供於對應於電漿腔室410之縱向中心軸線的位置中。碰撞區塊330可包括碰撞部件332、誘發部件334、導引部件336及支撐部件338。
碰撞部件332與離子、自由基及雜質碰撞。與碰撞部件332碰撞之離子、自由基及雜質的流逕自向下方向改變至側向方向。當在垂直截面上檢視時，碰撞部件332可具有上部末端自中心朝向外側向下傾斜的形狀。舉例而言，碰撞部件332可具有總體圓錐形狀。此外，當在垂直截面上檢視時，碰撞部件332之上部末端可具有彎曲表面或平坦表面。
誘發部件334可設置於碰撞部件332下方。誘發部件334可誘發離子、自由基及雜質，前述各者與碰撞部件332碰撞以在向外方向上流動。誘發部件334可自碰撞部件332之下部末端沿伸。誘發部件334在自上方檢視時可具有圓形板。誘發部件334大小可大於第一開口312。當自上方檢視時，誘發部件334可經提供以覆蓋第一開口312。
導引部件336設置於誘發部件334下方。導引部件336使得離子及自由基沿著誘發部件334在向外方向上流動以流動至板310與擋板250之間的空間中。此外，導引部件336可防止流動至第一開口312中之離子及自由基流彼此碰撞而不產生漩渦。導引部件336可自誘發部件334之下部末端向下沿伸。舉例而言，導引部件336可自誘發部件334之中心區域向下沿伸。當在垂直截面上檢視時，導引部件336可具有下部末端自外部朝向中心向下傾斜的形狀。舉例而言，導引部件336可具有總體漏斗形狀。此外，當在垂直截面上檢視時，導引部件336之下部末端可具有彎曲表面或平坦表面。導引部件336可插入至第一開口312中。導引部件336之最下端可與擋板250接觸。然而，在不限於此情況下，導引部件336之最下端可與擋板250隔開。
支撐部件338支撐碰撞區塊330於板310上。支撐部件338可具有銷或桿形狀。支撐部件338可自誘發部件334之邊緣區域的底部沿伸。替代地，支撐部件338可提供為獨立構件，且可耦接至誘發部件334之底側及板310的頂側。此外，可提供複數個支撐部件338。舉例而言，可提供此等支撐部件338。支撐部件338可在圓周上彼此隔開。
圖7為根據本發明概念之實施例的圖示雜質產生自基板處理裝置中之基板的狀態之視圖。參看圖7，雜質D，諸如反應副產物、微粒及類似者在基板處理裝置1000中產生於處理基板W的製程中。當下沖流在基板W完成處理之後消失時，雜質D可自處理空間212流回至電漿產生空間412中。然而，根據本發明概念之實施例，散射器300安置於擋板250上方。特別而言，在散射器300之組件之間，碰撞區塊330之板310及誘發部件334歸因於逆流使雜質D至電漿產生空間412中之引入停止或最小化。因此，散射器300可歸因於雜質D至電漿產生空間412中之引入使電漿產生效率之惡化最小化，且可使雜質D至處理空間212中之重新引入及雜質D至基板W的附接最小化。
圖8為根據本發明概念之實施例的圖示基板處理裝置中電漿流的視圖。參看圖8，電漿P產生於電漿腔室410中。具體而言，氣體供應單元420供應處理氣體至電漿腔室410之電漿產生空間412中，且功率供應單元430形成RF電磁場。藉由氣體供應單元420供應之處理氣體藉由RF電磁場激發至電漿狀態。含有於電漿P中之離子及自由基藉由處理氣體之激發引起，且因此雜質D之質量顯著大於離子及自由基的質量。因此，自電漿產生空間412流動至處理空間212之雜質D的加速度顯著大於離子及自由基的加速。
當離子、自由基及雜質D於碰撞區塊330碰撞時，流徑改變至側向方向。此時，雜質D繼續在側向方向上流動藉由之慣性亦大於離子及自由基的慣性，此係因為雜質D之質量顯著大於離子及自由基的質量。因此，雜質D繼續經由碰撞部件332之上表面、誘發部件334之上表面及板310的上表面朝向第二開口314流動。此外，因為離子及自由基之質量顯著小於雜質D之質量，所以離子及自由基繼續在側向方向上流動藉由的慣性亦小於雜質D之慣性。因此，離子及自由基之大部分藉由施加至處理空間212之減小的壓力朝向第一開口312流動。通過第一開口312之離子及自由基可均勻地施加至基板W之整個區域，同時沿著擋板250之彎曲上表面向外流動。即，根據本發明概念之實施例的基板處理裝置1000可分離自電漿腔室410流動至處理空間212的離子/自由基與雜質D。分離雜質D可經由形成於外殼210之底部中的排氣孔214排出至基板處理裝置1000外部。因此，基板處理裝置1000可使引入至電漿腔室410中、處理空間212中之雜質D的重新引入以及雜質D至基板W的附接最小化。
儘管已在上述實施例中例證，碰撞區塊330具有碰撞部件332、誘發部件334及導引部件336，但本發明概念不限於此。舉例而言，如圖9中所圖示，碰撞區塊700可具有僅碰撞部件732及導引部件736。替代地，如圖10中所圖示，碰撞區塊800可具有僅誘發部件834及導引部件836。在另一狀況下，如圖11中所圖示，碰撞區塊900可具有僅誘發部件934。支撐部件738、838及938之結構及功能與上述內容相同或類似。因此，關於前述各者之詳細描述將被省略。
儘管在上述實施例中已例證，形成於板310之邊緣區域中的第二開口314具有圓弧形狀，但本發明概念不限於此。舉例而言，如圖12中所圖示，複數個第二開口1114可形成於板1110中，且在自上方檢視時可具有圓形形狀。此外，第二開口1114可在圓周方向上以相等空間彼此隔開。板1110之剩餘組件與上述板310之彼等組件相同或類似。因此，關於前述各者之詳細描述將被省略。
對基板執行灰化製程之裝置已在上述實施例中例證。然而，在不限於此情況下，本發明概念可應用至使用電漿且具有支撐單元的各種處理裝置。舉例而言，上述支撐單元及包括該支撐單元之基板處理裝置可應用至使用電漿執行沉積製程或蝕刻製程的裝置。
本發明概念可改良基板處理效率。
此外，本發明概念可使在使用電漿進行基板處理期間產生的雜質至電漿產生單元中之引入最小化。
此外，本發明概念可分離引入至處理單元中之雜質與供應至處理單元中之離子及自由基，且可排出分離雜質至外部，藉此使雜質至基板的附接最小化。
本發明概念之效應不限於前述效應，且本文中並未提及之任何其他效應可藉由熟習本發明概念係關於之技術者自此說明書及圖式來清楚地理解。
上述描述內容例證本發明之概念。此外，上文提及之內容描述本發明概念之例示性實施例，且本發明概念可以各種其他組合、改變及環境使用。即，可對本發明概念進行變化或修改而不背離本發明概念之在說明書中揭示之範疇、所撰寫之揭示內容的等效範疇及/或熟習此項技術者瞭解的技術或知識範圍。所撰寫實施例描述用於實施本發明概念之技術精神的最佳狀態，且可進行本發明概念之特定應用及用途中需要的各種改變。因此，本發明概念之詳細描述並不意欲約束本發明概念於所揭示實施例狀態。此外，應解譯附加申請專利範圍包括其他實施例。
雖然本發明概念已參看例示性實施例予以了描述，但對於熟習此項技術者顯而易見的是，可進行各種改變及修改而不偏離本發明概念之精神及範疇。因此，應理解，上述實施例並非限制性而是係說明性的。
1:基板處理裝備 4:托架 6:支撐件 10:載入埠 11:第一方向 12:第二方向 20:裝備前端模組 21:傳送框架 25:第一傳送機器人 27:傳送導軌 30:處理模組 40:載入鎖定腔室 50:傳送腔室 53:第二傳送機器人 60:處理腔室 200:處理單元 210:外殼 212:處理空間 214:排氣孔 230:支撐單元 240:支撐軸 250:擋板 252:孔 300:散射器 310:板 312:第一開口 314:第二開口 316:耦接部件 330:碰撞區塊 332:碰撞部件 334:誘發部件 336:導引部件 338:支撐部件 400:電漿產生單元 410:電漿腔室 412:電漿產生空間 414:氣體供應埠 420:氣體供應單元 430:功率供應單元 432:天線 434:電源供應器 440:擴散腔室 600:排氣單元 602:排氣線路 604:壓力減小構件 700:碰撞區塊 732:碰撞部件 736:導引部件 738:支撐部件 800:碰撞區塊 834:誘發部件 836:導引部件 838:支撐部件 900:碰撞區塊 934:誘發部件 938:支撐部件 1000:基板處理裝置 1110:板 1114:第二開口 2000:電漿處理裝置 2100:處理單元 2110:外殼 2112:內部空間/處理空間 2120:支撐單元 2130:擋板 2300:電漿產生單元 2310:電漿產生腔室 2320:氣體供應單元 2330:功率施加單元 2340:擴散腔室 W:基板 D:雜質 P:電漿
上述及其他目標及特徵將自參看以下諸圖進行之以下描述變得顯而易見，其中類似元件符號貫穿各圖指類似部件，除非以其他方式指定。
圖1為圖示典型電漿處理裝置之視圖。
圖2為圖示藉由圖1之電漿處理裝置處理之基板的視圖。
圖3為圖示本發明概念之基板處理裝備的示意圖。
圖4為圖示圖3之基板處理裝置的視圖。
圖5為圖示根據本發明概念之實施例之散射器的視圖。
圖6為圖示圖5之散射器的俯視圖。
圖7為根據本發明概念之實施例的圖示雜質自基板處理裝置中之基板產生之狀態的視圖。
圖8為根據本發明概念之實施例的圖示基板處理裝置中電漿流的視圖。
圖9為根據本發明概念之另一實施例之圖示散射器的截面圖。
圖10為根據本發明概念之另一實施例之圖示散射器的截面圖。
圖11為根據本發明概念之另一實施例之圖示散射器的截面圖。
圖12為根據本發明概念之另一實施例之圖示散射器的平面圖。
1:基板處理裝備
4:托架
6:支撐件
10:載入埠
11:第一方向
12:第二方向
20:裝備前端模組
21:傳送框架
25:第一傳送機器人
27:傳送導軌
30:處理模組
40:載入鎖定腔室
50:傳送腔室
53:第二傳送機器人
60:處理腔室
W:基板

Claims (12)

  1. 一種用於處理基板之裝置，前述裝置包含： 外殼，其具有形成於其中之處理空間； 支撐單元，其經組態以將前述基板支撐於前述處理空間中； 電漿產生單元，其定位於前述支撐單元上方且經組態以將電漿供應至前述處理空間中； 擋板，其安置於前述支撐單元與前述電漿產生單元之間且經組態以允許前述電漿通過；及 散射器，其安置於前述擋板上方且經組態以分離前述電漿與雜質； 其中前述散射器包括： 具有第一開口之板，前述第一開口在自上方檢視時形成於前述板之中心區域中；及 碰撞區塊，前述碰撞區塊安置於前述第一開口上方以面向前述第一開口且經組態以與自前述電漿產生單元供應的前述電漿以及前述雜質碰撞。
  2. 如請求項1所記載之裝置，其中前述板具有第二開口，前述第二開口在自上方檢視時形成於前述板的邊緣區域中。
  3. 如請求項2所記載之裝置，其中前述第二開口在自上方檢視時具有圓弧形狀。
  4. 如請求項2所記載之裝置，其中複數個前述第二開口形成於前述板之前述邊緣區域中且沿著前述板之圓周方向彼此隔開。
  5. 如請求項3或4所記載之裝置，其中前述第一開口與前述第二開口之間的區域設置為阻斷區域。
  6. 如請求項2所記載之裝置，其中前述外殼具有形成於前述外殼之底部中的排氣孔以自前述處理空間釋放氣體，且 其中前述排氣孔在自上方檢視時經形成以與前述第二開口重疊或在前述第二開口外部形成。
  7. 如請求項1至4中任一項所記載之裝置，其中前述碰撞區塊包括碰撞部件，且 其中前述碰撞部件當在垂直截面中檢視時具有上部末端自中心朝向外側向下傾斜的形狀。
  8. 如請求項1至4中任一項所記載之裝置，其中前述碰撞區塊包括導引部件，且 其中前述導引部件插入至前述第一開口中。
  9. 如請求項8所記載之裝置，其中前述導引部件當在垂直截面上檢視時具有下部末端自外側朝向中心向下傾斜的形狀。
  10. 如請求項1至4中任一項所記載之裝置，其中前述碰撞區塊當在垂直截面上檢視時具有上部部分為平坦的形狀。
  11. 如請求項1至4中任一項所記載之裝置，其中前述擋板具有形成於其中之複數個孔，且當在垂直截面上檢視時包括上表面及下表面，且 其中前述上表面經形成為彎曲表面。
  12. 如請求項11所記載之裝置，其中前述彎曲表面經彎曲以向上凸起。
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