JPH0684837A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH0684837A JPH0684837A JP4237251A JP23725192A JPH0684837A JP H0684837 A JPH0684837 A JP H0684837A JP 4237251 A JP4237251 A JP 4237251A JP 23725192 A JP23725192 A JP 23725192A JP H0684837 A JPH0684837 A JP H0684837A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、デバイスにダメージを与えない
で、被処理基板をプラズマ処理することができるように
改良されたプラズマ処理装置を得ることをもっとも主要
な特徴とする。 【構成】 被処理基板５を収容し、プラズマ処理を行な
うための反応室２の上に、プラズマを発生させるための
プラズマ発生室１が設けられる。反応室２とプラズマ発
生室１とを仕切るように、これらの境界に第１のグリッ
ド板３０１と第２のグリッド板３０２が設けられてい
る。第１のグリッド板３０１と第２のグリッド板３０２
は、互いに所定の間隔を隔てて平行に配置される。第１
のグリッド板３０１と第２のグリッド板３０２には、そ
れぞれ複数個の孔が設けられている。第１のグリッド板
３０１に設けられた孔と、第２のグリッド板３０２に設
けられた孔は、上下方向に互いに重ならないように配置
されている。
で、被処理基板をプラズマ処理することができるように
改良されたプラズマ処理装置を得ることをもっとも主要
な特徴とする。 【構成】 被処理基板５を収容し、プラズマ処理を行な
うための反応室２の上に、プラズマを発生させるための
プラズマ発生室１が設けられる。反応室２とプラズマ発
生室１とを仕切るように、これらの境界に第１のグリッ
ド板３０１と第２のグリッド板３０２が設けられてい
る。第１のグリッド板３０１と第２のグリッド板３０２
は、互いに所定の間隔を隔てて平行に配置される。第１
のグリッド板３０１と第２のグリッド板３０２には、そ
れぞれ複数個の孔が設けられている。第１のグリッド板
３０１に設けられた孔と、第２のグリッド板３０２に設
けられた孔は、上下方向に互いに重ならないように配置
されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、一般にプラズマ処理
装置に関するものであり、より特定的には、被処理基板
にダメージを与えないでプラズマ処理できるように改良
されたプラズマ処理装置に関する。
装置に関するものであり、より特定的には、被処理基板
にダメージを与えないでプラズマ処理できるように改良
されたプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図８は、従来のプラズマ処理装置の概略
構成図である。プラズマ処理装置は、プラズマ処理を行
うための円筒形状の反応室２を備える。反応室２の上に
は、プラズマを発生させるための円筒形状のプラズマ発
生室１が設けられている。反応室２とプラズマ発生室１
では真空気密が保持されている。反応室２とプラズマ発
生室１とを仕切るように、これらの境界に、グリッド板
３が設けられる。グリッド板３には、複数個の孔３ａが
設けられている。反応室２内には、基板ステージ４が配
置されている。基板ステージ４の上に、半導体ウエハ５
が配置される。反応室２の底部には、排気路６が設けら
れ、排気路６には真空ポンプ（図示せず）が接続され、
これにより、プラズマ発生室１および反応室２内は真空
排気される。プラズマ発生室１の上面には、アッシング
ガスを導入するガス導入路７が設けられている。プラズ
マ発生室１には、マイクロ波導入窓８が設けられてい
る。マイクロ波導入窓８には導波管１０が接続され、導
波管１０はマイクロ波発生装置９に接続されている。マ
イクロ波発生装置９から発生したマイクロ波は、導波管
１０およびマイクロ波導入窓８を通って、プラズマ発生
室１内に導入される。
構成図である。プラズマ処理装置は、プラズマ処理を行
うための円筒形状の反応室２を備える。反応室２の上に
は、プラズマを発生させるための円筒形状のプラズマ発
生室１が設けられている。反応室２とプラズマ発生室１
では真空気密が保持されている。反応室２とプラズマ発
生室１とを仕切るように、これらの境界に、グリッド板
３が設けられる。グリッド板３には、複数個の孔３ａが
設けられている。反応室２内には、基板ステージ４が配
置されている。基板ステージ４の上に、半導体ウエハ５
が配置される。反応室２の底部には、排気路６が設けら
れ、排気路６には真空ポンプ（図示せず）が接続され、
これにより、プラズマ発生室１および反応室２内は真空
排気される。プラズマ発生室１の上面には、アッシング
ガスを導入するガス導入路７が設けられている。プラズ
マ発生室１には、マイクロ波導入窓８が設けられてい
る。マイクロ波導入窓８には導波管１０が接続され、導
波管１０はマイクロ波発生装置９に接続されている。マ
イクロ波発生装置９から発生したマイクロ波は、導波管
１０およびマイクロ波導入窓８を通って、プラズマ発生
室１内に導入される。
【０００３】次に動作について説明する。プラズマ発生
室１および反応室２を真空排気する。ガス導入路７よ
り、所定流量のガスを流し、プラズマ発生室１内を所定
の圧力にする。プラズマ発生室１内にマイクロ波を導入
し、プラズマをプラズマ発生室１内に発生させる。反応
室２内の半導体ウエハ５は、上述のプラズマによりアッ
シング処理される。
室１および反応室２を真空排気する。ガス導入路７よ
り、所定流量のガスを流し、プラズマ発生室１内を所定
の圧力にする。プラズマ発生室１内にマイクロ波を導入
し、プラズマをプラズマ発生室１内に発生させる。反応
室２内の半導体ウエハ５は、上述のプラズマによりアッ
シング処理される。
【０００４】図８を参照して、グリッド板３はプラズマ
中のイオン、電子等の荷電粒子をトラップし、中性粒子
のみを孔３ａを通し、反応室２に送る働きを有する。ア
ッシング中にイオン、電子等の荷電粒子が半導体ウエハ
上に到達した場合、半導体ウエハ上でのチャージアップ
の発生や、物理的なスパッタ作用により、デバイスへダ
メージを与える要因となり、グリッド板３はこの防止策
として、必要不可欠なものである。しかし、最近、これ
らの荷電粒子の他に、プラズマからの紫外光、真空紫外
光もデバイスにダメージを与える要因になることがわか
ってきた。従来装置の場合、これらの光は、グリッド板
３の孔３ａを通して、半導体ウエハ５上へ到達するた
め、デバイスへダメージを与えてしまうという問題点が
ある。
中のイオン、電子等の荷電粒子をトラップし、中性粒子
のみを孔３ａを通し、反応室２に送る働きを有する。ア
ッシング中にイオン、電子等の荷電粒子が半導体ウエハ
上に到達した場合、半導体ウエハ上でのチャージアップ
の発生や、物理的なスパッタ作用により、デバイスへダ
メージを与える要因となり、グリッド板３はこの防止策
として、必要不可欠なものである。しかし、最近、これ
らの荷電粒子の他に、プラズマからの紫外光、真空紫外
光もデバイスにダメージを与える要因になることがわか
ってきた。従来装置の場合、これらの光は、グリッド板
３の孔３ａを通して、半導体ウエハ５上へ到達するた
め、デバイスへダメージを与えてしまうという問題点が
ある。
【０００５】また、マイクロ波による放電においては、
中心部の電界が大きいという特徴がある。これにより、
周辺部に比べ、中心部の密度が大きいプラズマが生成さ
れる。それゆえに、グリッド板３の孔３ａを通して、反
応室２内へ導入される中性粒子の密度も同様な分布とな
り、半導体ウエハ面内のアッシングレートも、周辺に比
べ、中心部の速度が高い、不均一な分布となる。
中心部の電界が大きいという特徴がある。これにより、
周辺部に比べ、中心部の密度が大きいプラズマが生成さ
れる。それゆえに、グリッド板３の孔３ａを通して、反
応室２内へ導入される中性粒子の密度も同様な分布とな
り、半導体ウエハ面内のアッシングレートも、周辺に比
べ、中心部の速度が高い、不均一な分布となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
プラズマ処理装置においては、図８を参照して、プラズ
マ発生室１内で生成したプラズマからの紫外光、真空紫
外光が、グリッド板３の孔３ａを通して、半導体ウエハ
５上へ到達するため、デバイスへダメージを与えるとい
う問題点があった。
プラズマ処理装置においては、図８を参照して、プラズ
マ発生室１内で生成したプラズマからの紫外光、真空紫
外光が、グリッド板３の孔３ａを通して、半導体ウエハ
５上へ到達するため、デバイスへダメージを与えるとい
う問題点があった。
【０００７】また、マイクロ波放電の特徴から、プラズ
マ発生室１内において、周辺に比べ中心部の密度が大き
いプラズマが生成されるため、グリッド板３の孔３ａを
通して、反応室２へ導入される中性粒子の密度も、同様
な分布となり、半導体ウエハ面内のアッシングレート
も、周辺に比べ、中心部の速度が高い、不均一な分布に
なるという問題点があった。
マ発生室１内において、周辺に比べ中心部の密度が大き
いプラズマが生成されるため、グリッド板３の孔３ａを
通して、反応室２へ導入される中性粒子の密度も、同様
な分布となり、半導体ウエハ面内のアッシングレート
も、周辺に比べ、中心部の速度が高い、不均一な分布に
なるという問題点があった。
【０００８】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、ダメージの要因となる紫外
光、真空紫外光が半導体ウエハ上に到達しないように改
良されたプラズマ処理装置を提供することを目的とす
る。
るためになされたもので、ダメージの要因となる紫外
光、真空紫外光が半導体ウエハ上に到達しないように改
良されたプラズマ処理装置を提供することを目的とす
る。
【０００９】この発明の他の目的は、ウエハ面内のいず
れの部分においても、アッシングレートが均一になるよ
うに改良されたプラズマ処理装置を提供することを目的
とする。
れの部分においても、アッシングレートが均一になるよ
うに改良されたプラズマ処理装置を提供することを目的
とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明に従うプラズマ処理装置は、被処理基板を
収容し、プラズマ処理を行なうための反応室と、上記反
応室の上に設けられ、プラズマを発生させるためのプラ
ズマ発生室と、を備える。上記反応室と上記プラズマ発
生室とを仕切るように、これらの境界に第１のグリッド
板と第２のグリッド板とが設けられる。第１のグリッド
板と第２のグリッド板は、互いに所定の間隔を隔てて平
行に配置される。第１のグリッド板と第２のグリッド板
は、上記プラズマ発生室内で発生した上記プラズマ中の
イオン、電子等の荷電粒子をトラップし、中性粒子のみ
を上記反応室に送込むためのものである。上記第１のグ
リッド板と上記第２のグリッド板には、それぞれ複数個
の孔が設けられている。上記第１のグリッド板に設けら
れた孔と、上記第２のグリッド板に設けられた孔は、上
下方向に互いに重ならないように配置されている。
に、この発明に従うプラズマ処理装置は、被処理基板を
収容し、プラズマ処理を行なうための反応室と、上記反
応室の上に設けられ、プラズマを発生させるためのプラ
ズマ発生室と、を備える。上記反応室と上記プラズマ発
生室とを仕切るように、これらの境界に第１のグリッド
板と第２のグリッド板とが設けられる。第１のグリッド
板と第２のグリッド板は、互いに所定の間隔を隔てて平
行に配置される。第１のグリッド板と第２のグリッド板
は、上記プラズマ発生室内で発生した上記プラズマ中の
イオン、電子等の荷電粒子をトラップし、中性粒子のみ
を上記反応室に送込むためのものである。上記第１のグ
リッド板と上記第２のグリッド板には、それぞれ複数個
の孔が設けられている。上記第１のグリッド板に設けら
れた孔と、上記第２のグリッド板に設けられた孔は、上
下方向に互いに重ならないように配置されている。
【００１１】この発明の好ましい実施態様によれば、上
記第１のグリッド板に設けられた複数個の孔は同心円上
に配置されており、上記第２のグリッド板に設けられた
複数個の孔は同心円上に配置されている。
記第１のグリッド板に設けられた複数個の孔は同心円上
に配置されており、上記第２のグリッド板に設けられた
複数個の孔は同心円上に配置されている。
【００１２】この発明の他の局面に従うプラズマ処理装
置は、被処理基板を収納し、プラズマ処理を行なうため
の反応室と、上記反応室に設けられ、プラズマを発生さ
せるためのプラズマ発生室と、を備える。上記反応室と
上記プラズマ発生室とを仕切るように、これらの境界
に、グリッド板が設けられている。上記グリッド板に
は、複数個の孔が設けられている。上記複数個の孔は、
中心から半径方向にそれらの径が徐々に大きくされてい
る。
置は、被処理基板を収納し、プラズマ処理を行なうため
の反応室と、上記反応室に設けられ、プラズマを発生さ
せるためのプラズマ発生室と、を備える。上記反応室と
上記プラズマ発生室とを仕切るように、これらの境界
に、グリッド板が設けられている。上記グリッド板に
は、複数個の孔が設けられている。上記複数個の孔は、
中心から半径方向にそれらの径が徐々に大きくされてい
る。
【００１３】
【作用】この発明の第１の局面に従うプラズマ処理装置
によれば、第１のグリッド板に設けられた孔と、第２の
グリッド板に設けられた孔は、上下方向に互いに重なら
ないように配置されているので、プラズマから生じる紫
外光、真空紫外光が被処理基板に到達しなくなる。
によれば、第１のグリッド板に設けられた孔と、第２の
グリッド板に設けられた孔は、上下方向に互いに重なら
ないように配置されているので、プラズマから生じる紫
外光、真空紫外光が被処理基板に到達しなくなる。
【００１４】この発明の第２の局面に従うプラズマ処理
装置によれば、グリッド板に設けられた複数個の孔が、
中心から半径方向に、それらの径が徐々に大きくされて
いるので、均一な密度分布の中性粒子を反応室内に送込
むことができる。
装置によれば、グリッド板に設けられた複数個の孔が、
中心から半径方向に、それらの径が徐々に大きくされて
いるので、均一な密度分布の中性粒子を反応室内に送込
むことができる。
【００１５】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。
する。
【００１６】図１は、この発明の一実施例にかかるプラ
ズマ処理装置の概略構成図である。プラズマ処理装置
は、半導体ウエハ５を収容し、これのプラズマ処理を行
なうための反応室２を備える。反応室２の上には、プラ
ズマを発生させるためのプラズマ発生室１が設けられて
いる。反応室２とプラズマ発生室１とを仕切るように、
これらの境界に第１のグリッド板３０１と第２のグリッ
ド板３０２が設けられている。第１のグリッド板３０１
と第２のグリッド板３０２は、数ｍｍ間隔を隔てて、平
行に配置されている。第１のグリッド板３０１と第２の
グリッド板３０２には、それぞれ複数個の孔が設けられ
ている。第１のグリッド板３０１と第２のグリッド板３
０２は、プラズマ発生室１内で発生したプラズマ中のイ
オン、電子等の荷電粒子をトラップし、中性粒子のみを
反応室２に送込むためのものである。反応室２内には、
基板ステージ４が設けられている。基板ステージ４は、
その軸心を中心に回転する。基板ステージ４の上に、半
導体ウエハ５が配置される。反応室２の底面には排気路
６が設けられており、排気路６は、真空ポンプ（図示せ
ず）に接続される。排気路６から、プラズマ発生室１お
よび反応室２内が真空排気される。プラズマ発生室１の
上面には、アッシングガスを導入するガス導入路７が設
けられている。プラズマ発生室１の上面には、石英のマ
イクロ波導入窓８が設けられている。マイクロ波導入窓
８には、導波管１０を介して、マイクロ波発生装置９が
接続されている。第１のグリッド板３０１に設けられた
孔と、第２のグリッド板３０２に設けられた孔は、図２
を参照して、上下方向に互いに重ならないように配置さ
れている。また、第１のグリッド板３０１に設けられた
複数個の孔は同心円上に配置されており、第２のグリッ
ド板３０２に設けられた複数個の孔は同心円上に配置さ
れている。
ズマ処理装置の概略構成図である。プラズマ処理装置
は、半導体ウエハ５を収容し、これのプラズマ処理を行
なうための反応室２を備える。反応室２の上には、プラ
ズマを発生させるためのプラズマ発生室１が設けられて
いる。反応室２とプラズマ発生室１とを仕切るように、
これらの境界に第１のグリッド板３０１と第２のグリッ
ド板３０２が設けられている。第１のグリッド板３０１
と第２のグリッド板３０２は、数ｍｍ間隔を隔てて、平
行に配置されている。第１のグリッド板３０１と第２の
グリッド板３０２には、それぞれ複数個の孔が設けられ
ている。第１のグリッド板３０１と第２のグリッド板３
０２は、プラズマ発生室１内で発生したプラズマ中のイ
オン、電子等の荷電粒子をトラップし、中性粒子のみを
反応室２に送込むためのものである。反応室２内には、
基板ステージ４が設けられている。基板ステージ４は、
その軸心を中心に回転する。基板ステージ４の上に、半
導体ウエハ５が配置される。反応室２の底面には排気路
６が設けられており、排気路６は、真空ポンプ（図示せ
ず）に接続される。排気路６から、プラズマ発生室１お
よび反応室２内が真空排気される。プラズマ発生室１の
上面には、アッシングガスを導入するガス導入路７が設
けられている。プラズマ発生室１の上面には、石英のマ
イクロ波導入窓８が設けられている。マイクロ波導入窓
８には、導波管１０を介して、マイクロ波発生装置９が
接続されている。第１のグリッド板３０１に設けられた
孔と、第２のグリッド板３０２に設けられた孔は、図２
を参照して、上下方向に互いに重ならないように配置さ
れている。また、第１のグリッド板３０１に設けられた
複数個の孔は同心円上に配置されており、第２のグリッ
ド板３０２に設けられた複数個の孔は同心円上に配置さ
れている。
【００１７】第１のグリッド板３０１に設けられた孔
と、第２のグリッド板３０２に設けられた孔が、上下方
向に互いに重ならないように配置されている。またこれ
らの孔は、図３を参照して、プラズマ発生室１内で発生
した光が、第１のグリッド板３０１に設けられた孔にど
の角度から入射しようとも、第２のグリッド板３０２に
遮られ、反応室２内に入らないように配置されている。
と、第２のグリッド板３０２に設けられた孔が、上下方
向に互いに重ならないように配置されている。またこれ
らの孔は、図３を参照して、プラズマ発生室１内で発生
した光が、第１のグリッド板３０１に設けられた孔にど
の角度から入射しようとも、第２のグリッド板３０２に
遮られ、反応室２内に入らないように配置されている。
【００１８】上述のように構成されたプラズマ処理装置
においては、アッシング処理を行なった場合、プラズマ
内で発生する紫外光、真空紫外光は、第１のグリッド板
３０１の孔を通過するが、第２のグリッド板３０２に遮
断され、反応室２内には入射しない。したがって、実施
例にかかるプラズマ処理装置を用いると、半導体ウエハ
５上には紫外光、真空紫外光は到達せず、デバイスにダ
メージを与えることがない。
においては、アッシング処理を行なった場合、プラズマ
内で発生する紫外光、真空紫外光は、第１のグリッド板
３０１の孔を通過するが、第２のグリッド板３０２に遮
断され、反応室２内には入射しない。したがって、実施
例にかかるプラズマ処理装置を用いると、半導体ウエハ
５上には紫外光、真空紫外光は到達せず、デバイスにダ
メージを与えることがない。
【００１９】図４は、従来例と本実施例のグリッド板を
用いて、ウエハ上の表面電荷を測定した結果を示す。実
施例の場合、従来例の場合に比べて、電荷量も低減し、
かつ、ウエハの中心および周辺のいずれの部分において
も、電荷は均一に分布していた。
用いて、ウエハ上の表面電荷を測定した結果を示す。実
施例の場合、従来例の場合に比べて、電荷量も低減し、
かつ、ウエハの中心および周辺のいずれの部分において
も、電荷は均一に分布していた。
【００２０】図５は、この発明の他の実施例にかかるプ
ラズマ処理装置に用いるグリッド板の平面図である。グ
リッド板に設けられた孔は、中心から半径方向に徐々に
大きい径にされ、同心円上に配置されている。このよう
な構成のグリッド板を用いて、図６に示すようなプラズ
マ処理装置を構成した場合、プラズマ発生室１で発生
し、グリッド板３を通過するプラズマ内の中性粒子量
は、中心部に比べ周辺部の方が多くなる。図７は、図８
に示す従来例と図６に示す本実施例にかかる装置を用い
て、アッシングレートを測定した結果を示す。図７に示
す結果から明らかなように、本実施例にかかる装置を用
いた場合、グリッド板を通過するときに、プラズマ発生
室１の周辺で少なかった中性粒子量が補正するように増
加させられ、ウエハ周辺部のアッシングレートが増加
し、ひいては均一性が向上する。
ラズマ処理装置に用いるグリッド板の平面図である。グ
リッド板に設けられた孔は、中心から半径方向に徐々に
大きい径にされ、同心円上に配置されている。このよう
な構成のグリッド板を用いて、図６に示すようなプラズ
マ処理装置を構成した場合、プラズマ発生室１で発生
し、グリッド板３を通過するプラズマ内の中性粒子量
は、中心部に比べ周辺部の方が多くなる。図７は、図８
に示す従来例と図６に示す本実施例にかかる装置を用い
て、アッシングレートを測定した結果を示す。図７に示
す結果から明らかなように、本実施例にかかる装置を用
いた場合、グリッド板を通過するときに、プラズマ発生
室１の周辺で少なかった中性粒子量が補正するように増
加させられ、ウエハ周辺部のアッシングレートが増加
し、ひいては均一性が向上する。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の第１の
局面に従うプラズマ処理装置によれば、第１のグリッド
板に設けられた孔と、第２のグリッド板に設けられた孔
が、上下方向に互いに重ならないように配置されている
ので、プラズマ発生室内で発生した紫外光、真空紫外光
は、第１のグリッド板に設けられた孔を通過するが、第
２のグリッド板に遮断され、反応室内に入射しなくな
る。そのため、ウエハ上には、紫外光、真空紫外光は到
達せず、ひいてはデバイスにダメージを与えないという
効果を奏する。
局面に従うプラズマ処理装置によれば、第１のグリッド
板に設けられた孔と、第２のグリッド板に設けられた孔
が、上下方向に互いに重ならないように配置されている
ので、プラズマ発生室内で発生した紫外光、真空紫外光
は、第１のグリッド板に設けられた孔を通過するが、第
２のグリッド板に遮断され、反応室内に入射しなくな
る。そのため、ウエハ上には、紫外光、真空紫外光は到
達せず、ひいてはデバイスにダメージを与えないという
効果を奏する。
【００２２】また、この発明の第２の局面に従うプラズ
マ処理装置によれば、グリッド板の孔を中心から半径方
向に徐々にその径を大きくしたので、プラズマ発生室で
発生しグリッド板を通過するプラズマ内の中性粒子量
は、中心部に比べ周辺部の方が多くなる。その結果、グ
リッド板を通過するときに、プラズマ発生室の周辺で少
なかった中性粒子量が補正するように増加させられ、ウ
エハ周辺部のアッシングレートが増加し、均一性が向上
する。
マ処理装置によれば、グリッド板の孔を中心から半径方
向に徐々にその径を大きくしたので、プラズマ発生室で
発生しグリッド板を通過するプラズマ内の中性粒子量
は、中心部に比べ周辺部の方が多くなる。その結果、グ
リッド板を通過するときに、プラズマ発生室の周辺で少
なかった中性粒子量が補正するように増加させられ、ウ
エハ周辺部のアッシングレートが増加し、均一性が向上
する。
【図１】本発明の一実施例にかかるプラズマ処理装置の
概略構成図である。
概略構成図である。
【図２】本発明に用いられる第１のグリッド板と第２の
グリッド板に設けられた孔の、相対的位置関係を示す図
である。
グリッド板に設けられた孔の、相対的位置関係を示す図
である。
【図３】第１のグリッド板と第２のグリッド板との組合
せにより、紫外光等が遮られる様子を示す図である。
せにより、紫外光等が遮られる様子を示す図である。
【図４】本実施例と従来例にかかる装置を用いたとき
の、表面電荷量を示すグラフである。
の、表面電荷量を示すグラフである。
【図５】本発明の他の実施例にかかるプラズマ処理装置
に用いるグリッド板の概略図である。
に用いるグリッド板の概略図である。
【図６】本発明の他の実施例にかかるプラズマ処理装置
の概略構成図である。
の概略構成図である。
【図７】本発明の第２の実施例と従来例にかかる装置を
用いたときのアッシングレートを示すグラフ図である。
用いたときのアッシングレートを示すグラフ図である。
【図８】従来のプラズマ処理装置の概略構成図である。
１ プラズマ発生室 ２ 反応室 ３０１ 第１のグリッド板 ３０２ 第２のグリッド板 ５ 半導体ウエハ
Claims (2)
- 【請求項１】 被処理基板を収容し、プラズマ処理を行
なうための反応室と、 前記反応室の上に設けられ、プラズマを発生させるため
のプラズマ発生室と、 上記反応室と上記プラズマ発生室とを仕切るように、こ
れらの境界に設けられ、かつ互いに所定の間隔を隔てて
平行に配置され、前記プラズマ発生室内で発生した前記
プラズマ中のイオン、電子等の荷電粒子をトラップし、
中性粒子のみを前記反応室に送込むための第１のグリッ
ド板と第２のグリッド板と、を備え、 前記第１のグリッド板と前記第２のグリッド板には、そ
れぞれ複数個の孔が設けられており、 前記第１のグリッド板に設けられた孔と、前記第２のグ
リッド板に設けられた孔は、上下方向に互いに重ならな
いように配置されている、プラズマ処理装置。 - 【請求項２】 被処理基板を収容し、プラズマ処理を行
なうための反応室と、 前記反応室の上に設けられ、プラズマを発生させるため
のプラズマ発生室と、 前記反応室と前記プラズマ発生室とを仕切るように、こ
れらの境界に設けられたグリッド板と、を備え、 前記グリッド板には、複数個の孔が設けられており、 前記複数個の孔は、中心から半径方向にそれらの径が徐
々に大きくされている、 プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4237251A JPH0684837A (ja) | 1992-09-04 | 1992-09-04 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4237251A JPH0684837A (ja) | 1992-09-04 | 1992-09-04 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684837A true JPH0684837A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=17012642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4237251A Pending JPH0684837A (ja) | 1992-09-04 | 1992-09-04 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0684837A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0897155A (ja) * | 1994-09-28 | 1996-04-12 | Sony Corp | プラズマ加工方法およびプラズマ発生装置 |
| WO1996015545A1 (en) * | 1994-11-15 | 1996-05-23 | Mattson Technology, Inc. | Inductive plasma reactor |
| JPH10324981A (ja) * | 1997-05-23 | 1998-12-08 | Samuko Internatl Kenkyusho:Kk | プラズマドライクリーナー |
| JPH11135441A (ja) * | 1997-10-31 | 1999-05-21 | Canon Inc | プラズマｃｖｄ法による薄膜半導体の作製装置及び作製方法 |
| WO1999040609A1 (en) * | 1998-02-09 | 1999-08-12 | Applied Materials, Inc. | Plasma assisted processing chamber with separate control of species density |
| WO1999040608A1 (en) * | 1998-02-09 | 1999-08-12 | Applied Materials, Inc. | High selectivity etch using an external plasma discharge |
| JP2002506570A (ja) * | 1997-06-25 | 2002-02-26 | ラム・リサーチ・コーポレーション | 基板をパッシベートするためのプラズマ反応炉 |
| WO2006129643A1 (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-07 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JP2012156261A (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP2020184607A (ja) * | 2019-04-30 | 2020-11-12 | ピーエスケー インコーポレイテッド | 基板処理装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04225226A (ja) * | 1990-12-26 | 1992-08-14 | Fujitsu Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1992
- 1992-09-04 JP JP4237251A patent/JPH0684837A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04225226A (ja) * | 1990-12-26 | 1992-08-14 | Fujitsu Ltd | プラズマ処理装置 |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0897155A (ja) * | 1994-09-28 | 1996-04-12 | Sony Corp | プラズマ加工方法およびプラズマ発生装置 |
| US6143129A (en) * | 1994-11-15 | 2000-11-07 | Mattson Technology, Inc. | Inductive plasma reactor |
| WO1996015545A1 (en) * | 1994-11-15 | 1996-05-23 | Mattson Technology, Inc. | Inductive plasma reactor |
| JPH10508985A (ja) * | 1994-11-15 | 1998-09-02 | マットソン テクノロジー インコーポレーテッド | 誘導性プラズマリアクター |
| US5811022A (en) * | 1994-11-15 | 1998-09-22 | Mattson Technology, Inc. | Inductive plasma reactor |
| US6551447B1 (en) | 1994-11-15 | 2003-04-22 | Mattson Technology, Inc. | Inductive plasma reactor |
| JPH10324981A (ja) * | 1997-05-23 | 1998-12-08 | Samuko Internatl Kenkyusho:Kk | プラズマドライクリーナー |
| JP2002506570A (ja) * | 1997-06-25 | 2002-02-26 | ラム・リサーチ・コーポレーション | 基板をパッシベートするためのプラズマ反応炉 |
| JPH11135441A (ja) * | 1997-10-31 | 1999-05-21 | Canon Inc | プラズマｃｖｄ法による薄膜半導体の作製装置及び作製方法 |
| WO1999040608A1 (en) * | 1998-02-09 | 1999-08-12 | Applied Materials, Inc. | High selectivity etch using an external plasma discharge |
| WO1999040609A1 (en) * | 1998-02-09 | 1999-08-12 | Applied Materials, Inc. | Plasma assisted processing chamber with separate control of species density |
| WO2006129643A1 (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-07 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JP2012156261A (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP2020184607A (ja) * | 2019-04-30 | 2020-11-12 | ピーエスケー インコーポレイテッド | 基板処理装置 |
| US11139152B2 (en) | 2019-04-30 | 2021-10-05 | Psk Inc. | Substrate processing apparatus |
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| A02 | Decision of refusal |
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