JP2003142465A - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ処理装置Info
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- JP2003142465A JP2003142465A JP2001342738A JP2001342738A JP2003142465A JP 2003142465 A JP2003142465 A JP 2003142465A JP 2001342738 A JP2001342738 A JP 2001342738A JP 2001342738 A JP2001342738 A JP 2001342738A JP 2003142465 A JP2003142465 A JP 2003142465A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板に導かれるプラズマガスの流れを均一化
して基板表面全体のプラズマ処理の速度を均一化させ、
処理後の基板品質を均質化させる。 【解決手段】 真空容器（１０）の一部となる略円形の
誘電体板（１８）を通して真空容器内へマイクロ波（２
２）を導き、真空容器内から誘電体板付近に導かれる反
応ガスをマイクロ波によってプラズマ放電させ、このプ
ラズマガスを用いて真空容器内に保持した基板（３０）
を処理するマイクロ波プラズマ処理装置において、反応
ガスを誘電体板付近に導く少なくとも一部のガス導入口
（２６）を、誘電体板の中心方向に対して傾くように偏
向させた。複数のガス導入口（２６）を周方向に等間隔
に設け、全てのガス導入口を誘電体板の中心に対して同
一旋回方向に偏向させ、反応ガスの旋回流を生成させる
のが望ましい。
して基板表面全体のプラズマ処理の速度を均一化させ、
処理後の基板品質を均質化させる。 【解決手段】 真空容器（１０）の一部となる略円形の
誘電体板（１８）を通して真空容器内へマイクロ波（２
２）を導き、真空容器内から誘電体板付近に導かれる反
応ガスをマイクロ波によってプラズマ放電させ、このプ
ラズマガスを用いて真空容器内に保持した基板（３０）
を処理するマイクロ波プラズマ処理装置において、反応
ガスを誘電体板付近に導く少なくとも一部のガス導入口
（２６）を、誘電体板の中心方向に対して傾くように偏
向させた。複数のガス導入口（２６）を周方向に等間隔
に設け、全てのガス導入口を誘電体板の中心に対して同
一旋回方向に偏向させ、反応ガスの旋回流を生成させる
のが望ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、プラズマを用いて基
板などにアッシングなどの処理を施すためのプラズマ処
理装置に関するものである。
板などにアッシングなどの処理を施すためのプラズマ処
理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より真空容器内に発生させたプラズ
マを用いて、基板（ウェハなど）にアッシング（灰化）
処理や、エッチング処理や、薄膜形成処理などを行う方
法が広く知られている。
マを用いて、基板（ウェハなど）にアッシング（灰化）
処理や、エッチング処理や、薄膜形成処理などを行う方
法が広く知られている。
【０００３】アッシングでは、プラズマ発生室で反応ガ
スをプラズマ化し、基板表面のレジストをプラズマによ
り活性化したイオンやラジカルと反応させて気体にし、
排気することによってレジストを除去する。エッチング
では、処理対象である基板（ウェハ）の保持台に放電用
の高周波電圧を印加することによりイオンやラジカルを
基板表面に衝突させたり（スパッタ）、基板表面と化学
反応させてエッチングする（ドライエッチング）。
スをプラズマ化し、基板表面のレジストをプラズマによ
り活性化したイオンやラジカルと反応させて気体にし、
排気することによってレジストを除去する。エッチング
では、処理対象である基板（ウェハ）の保持台に放電用
の高周波電圧を印加することによりイオンやラジカルを
基板表面に衝突させたり（スパッタ）、基板表面と化学
反応させてエッチングする（ドライエッチング）。
【０００４】薄膜形成処理では、例えば反応ガスをプラ
ズマ化し化学的に活性なイオンやラジカル（励起原子・
分子）にし、これらの粒子により基板表面での化学反応
を促進することによって、基板表面に生成物を堆積させ
る（プラズマＣＶＤなど）。
ズマ化し化学的に活性なイオンやラジカル（励起原子・
分子）にし、これらの粒子により基板表面での化学反応
を促進することによって、基板表面に生成物を堆積させ
る（プラズマＣＶＤなど）。
【０００５】この種のプラズマを用いた処理装置で、プ
ラズマ発生室にプラズマを発生させるためにマイクロ波
を用いるものがある。例えばマイクロ波プラズマ源や電
気サイクロトロン共鳴（Electron Cyclotron Resonanc
e, ＥＣＲ）プラズマ源がある。
ラズマ発生室にプラズマを発生させるためにマイクロ波
を用いるものがある。例えばマイクロ波プラズマ源や電
気サイクロトロン共鳴（Electron Cyclotron Resonanc
e, ＥＣＲ）プラズマ源がある。
【０００６】これらのマイクロ波を用いるプラズマ源
は、真空容器の一部を石英（ＳｉＯ2）などの誘電体の
円板で形成し、この誘電体板を通して真空容器の外側か
らマイクロ波を真空容器内に導き、この真空容器内の誘
電体板付近に供給される反応ガスをプラズマ化するもの
である。このプラズマにより生成されたイオンやラジカ
ル（励起原子・分子）などを基板の表面に導いて基板表
面と反応させるものである。
は、真空容器の一部を石英（ＳｉＯ2）などの誘電体の
円板で形成し、この誘電体板を通して真空容器の外側か
らマイクロ波を真空容器内に導き、この真空容器内の誘
電体板付近に供給される反応ガスをプラズマ化するもの
である。このプラズマにより生成されたイオンやラジカ
ル（励起原子・分子）などを基板の表面に導いて基板表
面と反応させるものである。
【０００７】ここに従来の装置においては、真空容器内
に反応ガスを導入するガス導入口を、誘電体板の外側か
ら中心に向かって反応ガスを導入するように設けてい
た。例えば４個のガス導入口を上方（誘電体板の中心軸
方向）から見て周方向に等間隔（９０°おき）かつ中心
に向かって配置し、各ガス導入口が横方向（前記中心軸
の直交方向）から見てそれぞれ誘電体板の真空容器側の
内面に向かって斜め（約６０°）になるようにしてい
た。
に反応ガスを導入するガス導入口を、誘電体板の外側か
ら中心に向かって反応ガスを導入するように設けてい
た。例えば４個のガス導入口を上方（誘電体板の中心軸
方向）から見て周方向に等間隔（９０°おき）かつ中心
に向かって配置し、各ガス導入口が横方向（前記中心軸
の直交方向）から見てそれぞれ誘電体板の真空容器側の
内面に向かって斜め（約６０°）になるようにしてい
た。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】近年アッシングレート
（単位時間内でのアッシング処理量）を増大させるため
に、反応ガスの流量を増やすことが考えられ、また実行
されている。この場合にはプラズマ温度が上昇し、その
輻射熱が被処理物である基板温度に影響を及ぼす。また
反応ガスの流動速度が増大する。
（単位時間内でのアッシング処理量）を増大させるため
に、反応ガスの流量を増やすことが考えられ、また実行
されている。この場合にはプラズマ温度が上昇し、その
輻射熱が被処理物である基板温度に影響を及ぼす。また
反応ガスの流動速度が増大する。
【０００９】特に従来装置では反応ガスは誘電体板の中
心付近に向かって真空容器内に流入するため、誘電体基
板の中心付近に反応ガスが集まって基板方向に流れるこ
とになる。このため基板の中央付近のガス流速と基板の
周辺付近のガス流速との差が大きくなり、ガス温度の増
加による影響も加わって基板表面の中央付近と周辺付近
との処理速度の差が大きくなる。このため基板表面にお
けるアッシングレートなどの処理速度の均一性が悪くな
る、という問題が生じる。
心付近に向かって真空容器内に流入するため、誘電体基
板の中心付近に反応ガスが集まって基板方向に流れるこ
とになる。このため基板の中央付近のガス流速と基板の
周辺付近のガス流速との差が大きくなり、ガス温度の増
加による影響も加わって基板表面の中央付近と周辺付近
との処理速度の差が大きくなる。このため基板表面にお
けるアッシングレートなどの処理速度の均一性が悪くな
る、という問題が生じる。
【００１０】この発明はこのような事情に鑑みなされた
ものであり、基板に導かれるプラズマガスの流れを均一
化して基板表面全体のプラズマ処理の速度を均一化さ
せ、処理後の基板品質を均質化させることができるマイ
クロ波プラズマ処理装置を提供することを目的とする。
ものであり、基板に導かれるプラズマガスの流れを均一
化して基板表面全体のプラズマ処理の速度を均一化さ
せ、処理後の基板品質を均質化させることができるマイ
クロ波プラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【発明の構成】この発明によればこの目的は、真空容器
の一部となる略円形の誘電体板を通して前記真空容器内
へマイクロ波を導き、前記真空容器内から前記誘電体板
付近に導かれる反応ガスを前記マイクロ波によってプラ
ズマ放電させ、このプラズマガスを用いて真空容器内に
保持した基板を処理するマイクロ波プラズマ処理装置に
おいて、前記反応ガスを前記誘電体板付近に導く少なく
とも一部のガス導入口を、前記誘電体板の中心方向に対
して傾くように偏向させたことを特徴とするマイクロ波
プラズマ処理装置、により達成される。
の一部となる略円形の誘電体板を通して前記真空容器内
へマイクロ波を導き、前記真空容器内から前記誘電体板
付近に導かれる反応ガスを前記マイクロ波によってプラ
ズマ放電させ、このプラズマガスを用いて真空容器内に
保持した基板を処理するマイクロ波プラズマ処理装置に
おいて、前記反応ガスを前記誘電体板付近に導く少なく
とも一部のガス導入口を、前記誘電体板の中心方向に対
して傾くように偏向させたことを特徴とするマイクロ波
プラズマ処理装置、により達成される。
【００１２】複数のガス導入口を周方向に等間隔に設
け、全てのガス導入口を誘電体板の中心に対して同一旋
回方向に偏向させ、反応ガスの旋回流を生成させるのが
望ましい。この場合にはガスは中心付近に集中せず、周
縁にも十分にガスが流れるからである。
け、全てのガス導入口を誘電体板の中心に対して同一旋
回方向に偏向させ、反応ガスの旋回流を生成させるのが
望ましい。この場合にはガスは中心付近に集中せず、周
縁にも十分にガスが流れるからである。
【００１３】なお全てのガス導入口を同一旋回方向に指
向させるのに代え、一部のガス導入口を逆の旋回方向に
指向させてもよい。この場合は中央付近に集まるガスの
量が減少すると共に、異なるガス導入口から導入された
ガスが衝突して乱流となり、乱流によって均一化したガ
スが基板全体に均等に導かれる。
向させるのに代え、一部のガス導入口を逆の旋回方向に
指向させてもよい。この場合は中央付近に集まるガスの
量が減少すると共に、異なるガス導入口から導入された
ガスが衝突して乱流となり、乱流によって均一化したガ
スが基板全体に均等に導かれる。
【００１４】同一の目的は、真空容器の一部となる略円
形の誘電体板を通して前記真空容器内へマイクロ波を導
き、前記真空容器内から前記誘電体板付近に導かれる反
応ガスを前記マイクロ波によってプラズマ放電させ、こ
のプラズマガスを用いて真空容器内に保持した基板を処
理するマイクロ波プラズマ処理装置において、前記誘電
体板の前記真空容器内側の面に前記誘導体板と同心状の
環状溝を設け、前記反応ガスを前記誘電体板付近に導く
ガス導入口を前記環状溝方向を指向させたことを特徴と
するマイクロ波プラズマ処理装置、によっても達成でき
る。
形の誘電体板を通して前記真空容器内へマイクロ波を導
き、前記真空容器内から前記誘電体板付近に導かれる反
応ガスを前記マイクロ波によってプラズマ放電させ、こ
のプラズマガスを用いて真空容器内に保持した基板を処
理するマイクロ波プラズマ処理装置において、前記誘電
体板の前記真空容器内側の面に前記誘導体板と同心状の
環状溝を設け、前記反応ガスを前記誘電体板付近に導く
ガス導入口を前記環状溝方向を指向させたことを特徴と
するマイクロ波プラズマ処理装置、によっても達成でき
る。
【００１５】この場合ガス導入口は中心方向を指向させ
ておけば、ガス導入口から導入されたガスは環状溝によ
って左右に振り分けられ、中央付近に集まるガスの量が
減少する。なお少くとも一部のガス導入口を中心から外
側へ偏向させてもよい。この時各ガス導入口は同一旋回
方向に偏向させてもよいし、一部のガス導入口を逆の旋
回方向に偏向させてもよい。
ておけば、ガス導入口から導入されたガスは環状溝によ
って左右に振り分けられ、中央付近に集まるガスの量が
減少する。なお少くとも一部のガス導入口を中心から外
側へ偏向させてもよい。この時各ガス導入口は同一旋回
方向に偏向させてもよいし、一部のガス導入口を逆の旋
回方向に偏向させてもよい。
【００１６】
【実施態様】図１は本発明の一実施態様であるマイクロ
波プラズマエッチング装置の基本構成図、図２は反応ガ
ス導入口付近の拡大断面図、図３は反応ガス導入方向を
示すための誘電体板の平面図である。
波プラズマエッチング装置の基本構成図、図２は反応ガ
ス導入口付近の拡大断面図、図３は反応ガス導入方向を
示すための誘電体板の平面図である。
【００１７】図１において符号１０は真空容器であり、
その内部の上方が円筒型のプラズマ発生部１２となり、
下方が円筒型の反応室１４となっている。プラズマ発生
部１２の上壁には誘電体の板である円形の石英板１８が
嵌め込まれ、この石英板１８の上面には導波管２０によ
ってマイクロ波２２がマイクロ波発振器２４から導かれ
る。
その内部の上方が円筒型のプラズマ発生部１２となり、
下方が円筒型の反応室１４となっている。プラズマ発生
部１２の上壁には誘電体の板である円形の石英板１８が
嵌め込まれ、この石英板１８の上面には導波管２０によ
ってマイクロ波２２がマイクロ波発振器２４から導かれ
る。
【００１８】プラズマ発生部１２は反応室１４より小径
であり、その壁面積を小さくすることにより壁面の状況
が反応に及ぼす影響を少なくしている。プラズマ発生部
１２には反応ガス導入口２６からＯ2ガスなどの反応ガ
スが供給可能である。この反応ガス導入口２６について
は後記する。反応室１４にはヒータ付きの保持台２８が
昇降可能に設けられ、この保持台２８の上にはアッシン
グ処理の被処理物である基板３０が保持される。
であり、その壁面積を小さくすることにより壁面の状況
が反応に及ぼす影響を少なくしている。プラズマ発生部
１２には反応ガス導入口２６からＯ2ガスなどの反応ガ
スが供給可能である。この反応ガス導入口２６について
は後記する。反応室１４にはヒータ付きの保持台２８が
昇降可能に設けられ、この保持台２８の上にはアッシン
グ処理の被処理物である基板３０が保持される。
【００１９】反応室１４の内面には水平な環状の排気整
流板３２が固定され、この整流板３２より下方に排気孔
３４が開口している。整流板３２には周方向に等間隔に
多数の小孔３６が形成され、反応室１４内の反応ガスの
流れを安定化させる。
流板３２が固定され、この整流板３２より下方に排気孔
３４が開口している。整流板３２には周方向に等間隔に
多数の小孔３６が形成され、反応室１４内の反応ガスの
流れを安定化させる。
【００２０】反応ガス導入口２６は、図２に示すよう
に、側面視で６０°上方を指向してガスを導入する。す
なわちプラズマ発生部１２の内壁には、石英板１８の中
心軸１８Ａを中心にして周方向に等間隔となるように４
つの凹部３８が形成され、反応ガス導入口２６は各凹部
３８から斜め上方を指向して開口する。
に、側面視で６０°上方を指向してガスを導入する。す
なわちプラズマ発生部１２の内壁には、石英板１８の中
心軸１８Ａを中心にして周方向に等間隔となるように４
つの凹部３８が形成され、反応ガス導入口２６は各凹部
３８から斜め上方を指向して開口する。
【００２１】またこれらの反応ガス導入口２６は、中心
軸１８Ａ方向から見て（上方から見て）図３に実線２６
Ａで示す方向を指向する。すなわち各反応ガス導入口２
６は、中心軸１８Ａに対して同一旋回方向に偏向してい
る。なおこの図３で破線２６Ｂは、従来装置におけるガ
ス導入方向を参考のために示したものであり、中心軸１
８Ａ方向を指向している。この実施態様では実線２６Ａ
は破線２６Ｂに対して約３０°偏向している。
軸１８Ａ方向から見て（上方から見て）図３に実線２６
Ａで示す方向を指向する。すなわち各反応ガス導入口２
６は、中心軸１８Ａに対して同一旋回方向に偏向してい
る。なおこの図３で破線２６Ｂは、従来装置におけるガ
ス導入方向を参考のために示したものであり、中心軸１
８Ａ方向を指向している。この実施態様では実線２６Ａ
は破線２６Ｂに対して約３０°偏向している。
【００２２】次にこの実施態様によるアッシング処理の
動作を説明する。エッチングレジストが付着している被
処理物である基板３０は、図示しないローディング装置
によって真空容器１０内に搬入され、保持台２８上に保
持される。この保持台２８上で基板を一定温度に保持し
た状態で反応ガス導入口２６からＯ2ガスなどの反応ガ
スを供給する。
動作を説明する。エッチングレジストが付着している被
処理物である基板３０は、図示しないローディング装置
によって真空容器１０内に搬入され、保持台２８上に保
持される。この保持台２８上で基板を一定温度に保持し
た状態で反応ガス導入口２６からＯ2ガスなどの反応ガ
スを供給する。
【００２３】一方、排気孔３４からは排気して真空容器
１０内を減圧する。この状態でマイクロ波発振器２４を
起動させてマイクロ波をプラズマ発生部１２に導く。マ
イクロ波は反応ガスの電子がトラップされる周波数を選
定する。通常は２．４５ＧＨ Zとする。
１０内を減圧する。この状態でマイクロ波発振器２４を
起動させてマイクロ波をプラズマ発生部１２に導く。マ
イクロ波は反応ガスの電子がトラップされる周波数を選
定する。通常は２．４５ＧＨ Zとする。
【００２４】この場合反応ガス（Ｏ2）はプラズマ化さ
れ、プラズマ化により生成された活性な酸素ラジカル
（Ｏ*）と、有機膜であるレジストとが反応する。この
反応によってレジストは、ＣＯ2、ＣＯ、Ｈ2Ｏ等となっ
て排気孔３４から排気される。
れ、プラズマ化により生成された活性な酸素ラジカル
（Ｏ*）と、有機膜であるレジストとが反応する。この
反応によってレジストは、ＣＯ2、ＣＯ、Ｈ2Ｏ等となっ
て排気孔３４から排気される。
【００２５】このアッシング処理中において、反応ガス
導入口２６は図３に実線２６Ａで示すように同一旋回方
向に偏向しているので、反応ガスは石英板１８の下面に
沿って図３で反時計方向に旋回する。このため反応ガス
は中心軸１８Ａ付近に集中することなく石英板１８の下
面全体に広がる。
導入口２６は図３に実線２６Ａで示すように同一旋回方
向に偏向しているので、反応ガスは石英板１８の下面に
沿って図３で反時計方向に旋回する。このため反応ガス
は中心軸１８Ａ付近に集中することなく石英板１８の下
面全体に広がる。
【００２６】そして反応室１４の下方から排気整流板３
２を通して排気されるが、この時ガスは基板３０の上面
全体に均等に当たる。このため基板３０のアッシングレ
ートが上面全体に亘って均等化し、均質なアッシング処
理が可能になる。
２を通して排気されるが、この時ガスは基板３０の上面
全体に均等に当たる。このため基板３０のアッシングレ
ートが上面全体に亘って均等化し、均質なアッシング処
理が可能になる。
【００２７】
【他の実施態様】図４は他の実施態様を示す断面図、図
５はそのガス流動を示す平面図である。この実施態様は
円形の石英板４０の下面に、環状溝４２を形成したもの
である。
５はそのガス流動を示す平面図である。この実施態様は
円形の石英板４０の下面に、環状溝４２を形成したもの
である。
【００２８】また反応ガス導入口４４は、前記図３に破
線２６Ｂで示した方向、すなわち従来装置と同様に中心
軸１８Ａの方向を指向している。なおガス導入口４４は
斜め上方を向いて開口し、反応ガスを環状溝４２の外周
縁付近に向って導入する。
線２６Ｂで示した方向、すなわち従来装置と同様に中心
軸１８Ａの方向を指向している。なおガス導入口４４は
斜め上方を向いて開口し、反応ガスを環状溝４２の外周
縁付近に向って導入する。
【００２９】このため各ガス導入口４４から真空容器１
０内に導入された反応ガスは、環状溝４２内面に導かれ
て図４に破線で示すように流動する。すなわち反応ガス
は、この環状溝４２に当たって図５に示すように左右に
分かれて、環状溝４２に導かれて広がる。この結果反応
ガスは石英板４０の中心付近に集中することなく石英板
４０の下面全体に拡がる。このためガスは基板３０の全
面に均等に当たることになり、均質なアッシング処理が
可能になる。
０内に導入された反応ガスは、環状溝４２内面に導かれ
て図４に破線で示すように流動する。すなわち反応ガス
は、この環状溝４２に当たって図５に示すように左右に
分かれて、環状溝４２に導かれて広がる。この結果反応
ガスは石英板４０の中心付近に集中することなく石英板
４０の下面全体に拡がる。このためガスは基板３０の全
面に均等に当たることになり、均質なアッシング処理が
可能になる。
【００３０】以上の実施態様は基板表面のレジストをア
ッシング（炭化）する装置に適用したものであるが、本
発明はこれに限られない。例えばエッチング装置や薄膜
形成装置にも適用でき、本発明はこれらを包含する。
ッシング（炭化）する装置に適用したものであるが、本
発明はこれに限られない。例えばエッチング装置や薄膜
形成装置にも適用でき、本発明はこれらを包含する。
【００３１】
【発明の効果】請求項１〜３の発明によれば、反応ガス
導入口を誘電体板の中央に対して外側へ傾くように偏向
させたものであるから、反応ガスが誘電体板の中央付近
に集中することがない。このため基板に導かれるプラズ
マガスの流れが均一化し、基板全体の処理が均等に行わ
れることになり、処理後の基板の品質を向上させること
ができる。
導入口を誘電体板の中央に対して外側へ傾くように偏向
させたものであるから、反応ガスが誘電体板の中央付近
に集中することがない。このため基板に導かれるプラズ
マガスの流れが均一化し、基板全体の処理が均等に行わ
れることになり、処理後の基板の品質を向上させること
ができる。
【００３２】請求項４〜５の発明によれば、誘電体板に
環状溝を形成し、この環状溝に向って反応ガスを導入す
るから、反応ガスは中央に集中せず、ガスの流れを均質
化できる。このため前記発明と同様な効果が得られる。
環状溝を形成し、この環状溝に向って反応ガスを導入す
るから、反応ガスは中央に集中せず、ガスの流れを均質
化できる。このため前記発明と同様な効果が得られる。
【図１】本発明の実施に用いるマイクロ波プラズマエッ
チング装置の基本構成図
チング装置の基本構成図
【図２】反応ガス導入口付近の拡大断面図
【図３】反応ガス導入方向を示すための誘電体板の平面
図
図
【図４】他の実施態様の反応ガス導入口付近を示す断面
図
図
【図５】そのガス流動を示す平面図
１０ 真空容器
１２ プラズマ発生部
１４ 反応室
１８、４０ 石英板（誘電体板）
２６、４４ 反応ガス導入口
２８ 保持台
３０ 基板（被処理物）
３４ 排気孔
４２ 環状溝
Claims (5)
- 【請求項１】 真空容器の一部となる略円形の誘電体板
を通して前記真空容器内へマイクロ波を導き、前記真空
容器内から前記誘電体板付近に導かれる反応ガスを前記
マイクロ波によってプラズマ放電させ、このプラズマガ
スを用いて真空容器内に保持した基板を処理するマイク
ロ波プラズマ処理装置において、 前記反応ガスを前記誘電体板付近に導く少なくとも一部
のガス導入口を、前記誘電体板の中心方向に対して傾く
ように偏向させたことを特徴とするマイクロ波プラズマ
処理装置。 - 【請求項２】 複数のガス導入口を周方向に等間隔に設
け、全ての前記ガス導入口を前記誘電体板の中心に対し
て同一旋回方向に偏向させて反応ガスの旋回流を生成さ
せる請求項１のマイクロ波プラズマ処理装置。 - 【請求項３】 複数のガス導入口を周方向に等間隔に設
け、これらのガス導入口を前記誘電体板の中心に対して
互いに異なる旋回方向に偏向させる請求項１のマイクロ
波プラズマ処理装置。 - 【請求項４】 真空容器の一部となる略円形の誘電体板
を通して前記真空容器内へマイクロ波を導き、前記真空
容器内から前記誘電体板付近に導かれる反応ガスを前記
マイクロ波によってプラズマ放電させ、このプラズマガ
スを用いて真空容器内に保持した基板を処理するマイク
ロ波プラズマ処理装置において、 前記誘電体板の前記真空容器内側の面に前記誘導体板と
同心状の環状溝を設け、前記反応ガスを前記誘電体板付
近に導くガス導入口を前記環状溝方向を指向させたこと
を特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。 - 【請求項５】 複数のガス導入口を周方向に等間隔に設
け、全ての前記ガス導入口を前記誘電体板の中心方向に
指向させて反応ガスを環状溝で周方向に分流させる請求
項４のマイクロ波プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001342738A JP2003142465A (ja) | 2001-11-08 | 2001-11-08 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001342738A JP2003142465A (ja) | 2001-11-08 | 2001-11-08 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003142465A true JP2003142465A (ja) | 2003-05-16 |
Family
ID=19156540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001342738A Pending JP2003142465A (ja) | 2001-11-08 | 2001-11-08 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003142465A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013534725A (ja) * | 2010-06-18 | 2013-09-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 処理チャンバ洗浄ガスの乱流を誘発するための方法および装置 |
-
2001
- 2001-11-08 JP JP2001342738A patent/JP2003142465A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2013534725A (ja) * | 2010-06-18 | 2013-09-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 処理チャンバ洗浄ガスの乱流を誘発するための方法および装置 |
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