JPH0897155A - プラズマ加工方法およびプラズマ発生装置 - Google Patents
プラズマ加工方法およびプラズマ発生装置Info
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- JPH0897155A JPH0897155A JP6232606A JP23260694A JPH0897155A JP H0897155 A JPH0897155 A JP H0897155A JP 6232606 A JP6232606 A JP 6232606A JP 23260694 A JP23260694 A JP 23260694A JP H0897155 A JPH0897155 A JP H0897155A
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- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32871—Means for trapping or directing unwanted particles
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、プラズマ加工時にプラズマが生成
される領域から発生する紫外線を排除してプラズマのみ
を試料の被加工面に供給することで、試料の保護を図
る。 【構成】 チェンバー１１内に発生させたプラズマ領域
２１から放出される紫外線ＵＶを遮るとともに、プラズ
マ領域２１中のプラズマ化した粒子（プラズマ）Ｐを試
料１０１の被加工面１０１Ｓに導くような紫外線遮蔽手
段３１を設ける。この紫外線遮蔽手段３１を通過した粒
子によって、試料１０１にドーピングを行う、または試
料１０１の被加工面１０１Ｓをエッチングする、または
試料１０１の被加工面１０１Ｓに堆積膜を形成する。
される領域から発生する紫外線を排除してプラズマのみ
を試料の被加工面に供給することで、試料の保護を図
る。 【構成】 チェンバー１１内に発生させたプラズマ領域
２１から放出される紫外線ＵＶを遮るとともに、プラズ
マ領域２１中のプラズマ化した粒子（プラズマ）Ｐを試
料１０１の被加工面１０１Ｓに導くような紫外線遮蔽手
段３１を設ける。この紫外線遮蔽手段３１を通過した粒
子によって、試料１０１にドーピングを行う、または試
料１０１の被加工面１０１Ｓをエッチングする、または
試料１０１の被加工面１０１Ｓに堆積膜を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造プロ
セスにおけるプラズマを用いた加工を行うプラズマ加工
方法およびプラズマ発生装置に関するものである。
セスにおけるプラズマを用いた加工を行うプラズマ加工
方法およびプラズマ発生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造プロセスでは、プラズ
マ発生装置（例えばプラズマドーピング装置，プラズマ
ＣＶＤ装置，プラズマエッチング装置，プラズマアッシ
ング装置等）を用いた種々の加工がなされている。上記
いずれの装置による加工もプラズマを発生させて、その
プラズマを用いて加工を行う。
マ発生装置（例えばプラズマドーピング装置，プラズマ
ＣＶＤ装置，プラズマエッチング装置，プラズマアッシ
ング装置等）を用いた種々の加工がなされている。上記
いずれの装置による加工もプラズマを発生させて、その
プラズマを用いて加工を行う。
【０００３】プラズマドーピング装置では、例えばドー
プする不純物原子を含むガス雰囲気中でグロー放電プラ
ズマを発生させて試料中に不純物原子をドーピングす
る。
プする不純物原子を含むガス雰囲気中でグロー放電プラ
ズマを発生させて試料中に不純物原子をドーピングす
る。
【０００４】またプラズマＣＶＤ装置では、例えば反応
性ガス雰囲気に高周波グロー放電プラズマを発生させ、
反応性ガスを分解して得た原子を堆積することで薄膜を
形成する。
性ガス雰囲気に高周波グロー放電プラズマを発生させ、
反応性ガスを分解して得た原子を堆積することで薄膜を
形成する。
【０００５】さらにプラズマエッチング装置では、例え
ば反応性ガス雰囲気中でプラズマを発生させ、中性活性
種の作用でエッチングを進行させる。このような装置に
は、プラズマアッシング装置もある。または中性活性種
と反応性ガスイオンとの相乗効果によってエッチングを
進行させる。もしくは磁場により形成された発散磁界に
沿ってイオン源よりプラズマを放射させ、プラズマ流内
に置かれた試料をエッチングする。
ば反応性ガス雰囲気中でプラズマを発生させ、中性活性
種の作用でエッチングを進行させる。このような装置に
は、プラズマアッシング装置もある。または中性活性種
と反応性ガスイオンとの相乗効果によってエッチングを
進行させる。もしくは磁場により形成された発散磁界に
沿ってイオン源よりプラズマを放射させ、プラズマ流内
に置かれた試料をエッチングする。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記説明したプラズマ
発生装置では、プラズマを発生させるとプラズマの発生
領域から紫外線が放出される。そのため、プラズマ加工
中の試料に紫外線が照射されるので、試料が損傷を受け
る。
発生装置では、プラズマを発生させるとプラズマの発生
領域から紫外線が放出される。そのため、プラズマ加工
中の試料に紫外線が照射されるので、試料が損傷を受け
る。
【０００７】その一例をプラズマドーピングによる水素
化処理によって説明する。プラズマ水素化処理は、多結
晶シリコン膜中に水素をドーピングして多結晶シリコン
膜の結晶粒界を排除する技術である。上記プラズマ水素
化処理では、プラズマ生成領域から１１０ｎｍ〜１８０
ｎｍの波長範囲の高エネルギーな紫外線が放出される。
多結晶シリコンデバイスは、このような紫外線にさらさ
れると容易に損傷を受ける。
化処理によって説明する。プラズマ水素化処理は、多結
晶シリコン膜中に水素をドーピングして多結晶シリコン
膜の結晶粒界を排除する技術である。上記プラズマ水素
化処理では、プラズマ生成領域から１１０ｎｍ〜１８０
ｎｍの波長範囲の高エネルギーな紫外線が放出される。
多結晶シリコンデバイスは、このような紫外線にさらさ
れると容易に損傷を受ける。
【０００８】例えば、図７にプラズマ水素化ＴＦＴ（Th
in Film Transistor）デバイスの特性としてドレイン
電流−ゲート電圧曲線（Ｉｄ−Ｖｇ曲線）を示す。図で
は、縦軸にドレイン電流を示し、横軸にドレイン電圧を
示す。
in Film Transistor）デバイスの特性としてドレイン
電流−ゲート電圧曲線（Ｉｄ−Ｖｇ曲線）を示す。図で
は、縦軸にドレイン電流を示し、横軸にドレイン電圧を
示す。
【０００９】図７の（ａ）の特性曲線（実線で示す）で
示すデバイスは水素化したものであって、非水素化デバ
イスと比較してかなり良好な特性を示してはいるが、特
に優れた特性ではない。これはグロー放電で発生する紫
外線およびエネルギーに富んだ粒子によって生じる損傷
のためである。
示すデバイスは水素化したものであって、非水素化デバ
イスと比較してかなり良好な特性を示してはいるが、特
に優れた特性ではない。これはグロー放電で発生する紫
外線およびエネルギーに富んだ粒子によって生じる損傷
のためである。
【００１０】次いで、上記デバイスの被加工面側を水素
流束を阻止する石英ガラスでカバーした後、２８５℃の
プラズマ発生領域から放出される紫外線にさらした。そ
の結果、図７の（ｂ）に示すような特性曲線（破線で示
す）が得られた。この特性曲線からわかるように、紫外
線にさらした後のデバイス特性は大きく劣化することが
わかった。
流束を阻止する石英ガラスでカバーした後、２８５℃の
プラズマ発生領域から放出される紫外線にさらした。そ
の結果、図７の（ｂ）に示すような特性曲線（破線で示
す）が得られた。この特性曲線からわかるように、紫外
線にさらした後のデバイス特性は大きく劣化することが
わかった。
【００１１】その後さらに、２８５℃の温度で１時間に
わたってアニーリングを行った。このアニーリングによ
って、紫外線にさらした部分で発生した損傷が修復可能
か否かを確認した。その結果、図７の（ｃ）に示す特性
曲線（１点鎖線で示す）のように、デバイス特性はある
程度回復するが、完全には回復していないことがわかっ
た。したがって、デバイスは紫外線にさらされると、特
性が劣化するような損傷を受けることがわかった。
わたってアニーリングを行った。このアニーリングによ
って、紫外線にさらした部分で発生した損傷が修復可能
か否かを確認した。その結果、図７の（ｃ）に示す特性
曲線（１点鎖線で示す）のように、デバイス特性はある
程度回復するが、完全には回復していないことがわかっ
た。したがって、デバイスは紫外線にさらされると、特
性が劣化するような損傷を受けることがわかった。
【００１２】本発明は、プラズマ発生装置で発生する紫
外線の影響を排除するのに優れたプラズマ加工方法およ
びプラズマ発生装置を提供することを目的とする。
外線の影響を排除するのに優れたプラズマ加工方法およ
びプラズマ発生装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたプラズマ加工方法およびプラズマ
発生装置である。
成するためになされたプラズマ加工方法およびプラズマ
発生装置である。
【００１４】プラズマ加工方法は、チェンバー内に発生
させたプラズマ領域から放出される紫外線を遮るととも
に、プラズマ領域中の粒子を試料表面に導いて、試料に
粒子をドーピングする、または粒子によって試料表面を
エッチングする、または試料表面に粒子を堆積して膜を
形成する。
させたプラズマ領域から放出される紫外線を遮るととも
に、プラズマ領域中の粒子を試料表面に導いて、試料に
粒子をドーピングする、または粒子によって試料表面を
エッチングする、または試料表面に粒子を堆積して膜を
形成する。
【００１５】プラズマ発生装置は、チェンバー内にプラ
ズマを発生させてそのチェンバー内に配置した試料の加
工を行うもので、プラズマ領域と試料との間にプラズマ
化した粒子を通すとともに紫外線を遮る紫外線遮蔽手段
を設けたものである。
ズマを発生させてそのチェンバー内に配置した試料の加
工を行うもので、プラズマ領域と試料との間にプラズマ
化した粒子を通すとともに紫外線を遮る紫外線遮蔽手段
を設けたものである。
【００１６】またプラズマ領域が試料の被加工面にほぼ
対向する位置に発生するプラズマ発生装置では、紫外線
遮蔽手段は、複数の孔を設けた複数枚の紫外線遮蔽板を
所定間隔にかつ各紫外線遮蔽板どうしで各孔が互い違い
になるように配置した構成になっている。または紫外線
遮蔽手段は、複数の紫外線遮蔽板を試料の被加工面に対
して傾斜させた状態でかつ所定間隔を置いて重なる状態
に配置した構成になっている。
対向する位置に発生するプラズマ発生装置では、紫外線
遮蔽手段は、複数の孔を設けた複数枚の紫外線遮蔽板を
所定間隔にかつ各紫外線遮蔽板どうしで各孔が互い違い
になるように配置した構成になっている。または紫外線
遮蔽手段は、複数の紫外線遮蔽板を試料の被加工面に対
して傾斜させた状態でかつ所定間隔を置いて重なる状態
に配置した構成になっている。
【００１７】さらにチェンバーの側壁に沿ってプラズマ
領域が発生するプラズマ発生装置では、紫外線遮蔽手段
は、プラズマ領域を介してチェンバーの側壁に沿って設
けられ、複数の孔を設けた複数の紫外線遮蔽板を所定間
隔に、かつ紫外線遮蔽板どうしで各孔が互い違いになる
ように配置した構成になっている。または紫外線遮蔽手
段は、チェンバーの側壁側に傾斜させてなる複数枚の紫
外線遮蔽板をチェンバーの側壁に沿って所定間隔に置い
て配置した構成になっている。
領域が発生するプラズマ発生装置では、紫外線遮蔽手段
は、プラズマ領域を介してチェンバーの側壁に沿って設
けられ、複数の孔を設けた複数の紫外線遮蔽板を所定間
隔に、かつ紫外線遮蔽板どうしで各孔が互い違いになる
ように配置した構成になっている。または紫外線遮蔽手
段は、チェンバーの側壁側に傾斜させてなる複数枚の紫
外線遮蔽板をチェンバーの側壁に沿って所定間隔に置い
て配置した構成になっている。
【００１８】
【作用】上記プラズマ加工方法では、チェンバー内に発
生させたプラズマ領域から放出される紫外線を遮ること
から、試料表面には紫外線が照射されない。このため、
試料は紫外線によって損傷を受けない。またプラズマ領
域中のプラズマ化した粒子は試料表面に導かれて、試料
内に粒子をドーピングする、または粒子によって試料表
面をエッチングする、または試料表面に粒子を堆積して
膜を形成する。このため、試料は紫外線による損傷を受
けることなく所望の加工が成される。
生させたプラズマ領域から放出される紫外線を遮ること
から、試料表面には紫外線が照射されない。このため、
試料は紫外線によって損傷を受けない。またプラズマ領
域中のプラズマ化した粒子は試料表面に導かれて、試料
内に粒子をドーピングする、または粒子によって試料表
面をエッチングする、または試料表面に粒子を堆積して
膜を形成する。このため、試料は紫外線による損傷を受
けることなく所望の加工が成される。
【００１９】上記プラズマ発生装置では、チェンバー内
に発生するプラズマ領域と試料との間にプラズマ化した
粒子を通すとともに紫外線を遮る紫外線遮蔽手段を設け
たことから、試料表面にはプラズマ化した粒子は導かれ
るが紫外線は照射されない。したがって、プラズマ加工
中に試料は紫外線によって損傷を受けない。
に発生するプラズマ領域と試料との間にプラズマ化した
粒子を通すとともに紫外線を遮る紫外線遮蔽手段を設け
たことから、試料表面にはプラズマ化した粒子は導かれ
るが紫外線は照射されない。したがって、プラズマ加工
中に試料は紫外線によって損傷を受けない。
【００２０】例えばプラズマ領域が試料の被加工面にほ
ぼ対向する位置に発生するプラズマ発生装置では、紫外
線遮蔽手段が、複数の孔を設けた複数枚の紫外線遮蔽板
を所定間隔にかつ各紫外線遮蔽板どうしで各孔が互い違
いになるように配置されたもので構成されている。この
ため、プラズマ領域で発生する紫外線は直進性を有する
ので複数枚の紫外線遮蔽板で遮られる。たとえ、一枚目
の紫外線遮蔽板に設けられた孔を通過しても二枚目の紫
外線遮蔽板によって遮られる。一方、プラズマ化した粒
子は各孔と紫外線遮蔽板間とを通り抜けて試料表面に到
達する。
ぼ対向する位置に発生するプラズマ発生装置では、紫外
線遮蔽手段が、複数の孔を設けた複数枚の紫外線遮蔽板
を所定間隔にかつ各紫外線遮蔽板どうしで各孔が互い違
いになるように配置されたもので構成されている。この
ため、プラズマ領域で発生する紫外線は直進性を有する
ので複数枚の紫外線遮蔽板で遮られる。たとえ、一枚目
の紫外線遮蔽板に設けられた孔を通過しても二枚目の紫
外線遮蔽板によって遮られる。一方、プラズマ化した粒
子は各孔と紫外線遮蔽板間とを通り抜けて試料表面に到
達する。
【００２１】また紫外線遮蔽手段が、複数の紫外線遮蔽
板を試料の被加工面に対して斜めに所定間隔を置いた状
態でかつ重なる状態に配置した構成になっていることか
ら、斜めにかつオーバラップする状態に配置されている
紫外線遮蔽板によって直進性のある紫外線は遮られる。
一方、プラズマ化した粒子は紫外線遮蔽板間を通って試
料表面に到達する。
板を試料の被加工面に対して斜めに所定間隔を置いた状
態でかつ重なる状態に配置した構成になっていることか
ら、斜めにかつオーバラップする状態に配置されている
紫外線遮蔽板によって直進性のある紫外線は遮られる。
一方、プラズマ化した粒子は紫外線遮蔽板間を通って試
料表面に到達する。
【００２２】さらにプラズマ領域がチェンバーの側壁に
沿って発生するプラズマ発生装置では、紫外線遮蔽手段
が、複数の孔を設けた複数の紫外線遮蔽板を所定間隔
に、かつ紫外線遮蔽板どうしで各孔が互い違いになるよ
うに配置した構成になっているから、直進性をもつ紫外
線は紫外線遮蔽板によって遮られる。たとえ、一枚目の
紫外線遮蔽板に設けられた孔を通過しても二枚目の紫外
線遮蔽板によって遮られる。一方、プラズマ化した粒子
は各孔と紫外線遮蔽板間とを通って試料表面に到達す
る。
沿って発生するプラズマ発生装置では、紫外線遮蔽手段
が、複数の孔を設けた複数の紫外線遮蔽板を所定間隔
に、かつ紫外線遮蔽板どうしで各孔が互い違いになるよ
うに配置した構成になっているから、直進性をもつ紫外
線は紫外線遮蔽板によって遮られる。たとえ、一枚目の
紫外線遮蔽板に設けられた孔を通過しても二枚目の紫外
線遮蔽板によって遮られる。一方、プラズマ化した粒子
は各孔と紫外線遮蔽板間とを通って試料表面に到達す
る。
【００２３】また紫外線遮蔽手段が、チェンバーの側壁
側に傾斜させてなる複数枚の紫外線遮蔽板をチェンバー
の側壁に沿って所定間隔に置いて配置した構成のもので
は、複数枚の紫外線遮蔽板によって、紫外線は遮蔽され
る。一方、プラズマ化した粒子は紫外線遮蔽板間を通っ
て試料表面に到達する。
側に傾斜させてなる複数枚の紫外線遮蔽板をチェンバー
の側壁に沿って所定間隔に置いて配置した構成のもので
は、複数枚の紫外線遮蔽板によって、紫外線は遮蔽され
る。一方、プラズマ化した粒子は紫外線遮蔽板間を通っ
て試料表面に到達する。
【００２４】
【実施例】本発明のプラズマ加工方法を以下に説明す
る。ここでは、プラズマ加工方法の一例として水素ドー
ピング法を、図１によって説明する。
る。ここでは、プラズマ加工方法の一例として水素ドー
ピング法を、図１によって説明する。
【００２５】図１に示すように、水素ドーピングを行う
には、まずチェンバー１１の内部の所定位置に試料１０
１を配置する。そして排気手段（図示省略）によって、
チェンバー１１の内部を高真空状態にした後、所定圧力
になるように水素ガスＨを導入する。水素ガスＨが導入
されている際も、チェンバー１１の内部は上記排気手段
によって真空引きされていて、所定の圧力に保たれてい
る。そして例えばグロー放電によってチェンバー１１の
内部にプラズマ化した水素（以下水素プラズマと記す）
ＰＨを発生させる。
には、まずチェンバー１１の内部の所定位置に試料１０
１を配置する。そして排気手段（図示省略）によって、
チェンバー１１の内部を高真空状態にした後、所定圧力
になるように水素ガスＨを導入する。水素ガスＨが導入
されている際も、チェンバー１１の内部は上記排気手段
によって真空引きされていて、所定の圧力に保たれてい
る。そして例えばグロー放電によってチェンバー１１の
内部にプラズマ化した水素（以下水素プラズマと記す）
ＰＨを発生させる。
【００２６】発生した水素プラズマＰＨは上記試料１０
１に導入され、水素ドーピングが行われる。その際、水
素プラズマＰＨが発生するプラズマ領域２１からは直進
性を有する紫外線ＵＶ（図中ではプラズマ領域２１から
出る直線の矢印で示す）が放出される。一方水素プラズ
マＰＨはガス状態になっている。このような性質を利用
して、直進する紫外線ＵＶを遮り、曲がりくねった経路
も通ることができる水素プラズマＰＨを通すようなフィ
ルター作用を有する紫外線遮蔽手段３１によって、試料
１０１の被加工面１０１Ｓには水素プラズマＰＨのみを
到達させる。
１に導入され、水素ドーピングが行われる。その際、水
素プラズマＰＨが発生するプラズマ領域２１からは直進
性を有する紫外線ＵＶ（図中ではプラズマ領域２１から
出る直線の矢印で示す）が放出される。一方水素プラズ
マＰＨはガス状態になっている。このような性質を利用
して、直進する紫外線ＵＶを遮り、曲がりくねった経路
も通ることができる水素プラズマＰＨを通すようなフィ
ルター作用を有する紫外線遮蔽手段３１によって、試料
１０１の被加工面１０１Ｓには水素プラズマＰＨのみを
到達させる。
【００２７】上記プラズマ加工方法では、チェンバー１
１内に発生させたプラズマ領域２１から放出される紫外
線ＵＶを遮ることから、試料１０１の被加工面１０１Ｓ
には紫外線ＵＶは照射されない。このため、試料１０１
は紫外線ＵＶの影響による損傷を受けない。またプラズ
マ領域２１中の水素プラズマＰＨは試料１０１の被加工
面１０１Ｓに導入されて、試料１０１に水素プラズマＰ
Ｈがドーピングされる。
１内に発生させたプラズマ領域２１から放出される紫外
線ＵＶを遮ることから、試料１０１の被加工面１０１Ｓ
には紫外線ＵＶは照射されない。このため、試料１０１
は紫外線ＵＶの影響による損傷を受けない。またプラズ
マ領域２１中の水素プラズマＰＨは試料１０１の被加工
面１０１Ｓに導入されて、試料１０１に水素プラズマＰ
Ｈがドーピングされる。
【００２８】上記プラズマ加工方法は、プラズマドーピ
ングの一例を説明したが、プラズマエッチング，プラズ
マアッシング，プラズマＣＶＤ，プラズマ陽極酸化等で
も、上記と同様にして、プラズマ領域から放出される紫
外線を遮蔽してプラズマ化した粒子（水素）のみを試料
表面に到達させることで紫外線の影響を受けない加工が
行える。すなわち、従来、紫外線が照射されることによ
って試料に発生していたダングリングボンドが発生しな
くなる。
ングの一例を説明したが、プラズマエッチング，プラズ
マアッシング，プラズマＣＶＤ，プラズマ陽極酸化等で
も、上記と同様にして、プラズマ領域から放出される紫
外線を遮蔽してプラズマ化した粒子（水素）のみを試料
表面に到達させることで紫外線の影響を受けない加工が
行える。すなわち、従来、紫外線が照射されることによ
って試料に発生していたダングリングボンドが発生しな
くなる。
【００２９】次に本発明のプラズマ発生装置の第１実施
例を、図２の概略模式断面図によって説明する。本図で
は上記図１で説明したのと同様の構成部品には同一符号
を付す。
例を、図２の概略模式断面図によって説明する。本図で
は上記図１で説明したのと同様の構成部品には同一符号
を付す。
【００３０】このプラズマ発生装置は、上記プラズマ加
工方法を実施するためのものである。図２に示すよう
に、プラズマ発生装置１は、チェンバー１１内に配置し
た試料１０１の被加工面１０１Ｓにほぼ対向する位置に
プラズマ化した粒子（以下プラズマと記す）Ｐを発生さ
せて被加工面１０１Ｓのプラズマ加工を行うものであ
る。ここでは、一例として一般的な平行平板型の第１，
第２電極１２，１３を有するものを示す。したがって、
プラズマＰは第１電極１２と第２電極１３との間に発生
する。そして第２電極１３上には試料１０１が載置され
る。また上記第１，第２電極１２，１３には電源１４が
接続されている。またチェンバー１１の天井側にはプロ
セスガスＧを導入するガス導入部１５が設けられてい
る。さらにチェンバー１１の底部側には真空排気を行う
排気部１６は設けられている。
工方法を実施するためのものである。図２に示すよう
に、プラズマ発生装置１は、チェンバー１１内に配置し
た試料１０１の被加工面１０１Ｓにほぼ対向する位置に
プラズマ化した粒子（以下プラズマと記す）Ｐを発生さ
せて被加工面１０１Ｓのプラズマ加工を行うものであ
る。ここでは、一例として一般的な平行平板型の第１，
第２電極１２，１３を有するものを示す。したがって、
プラズマＰは第１電極１２と第２電極１３との間に発生
する。そして第２電極１３上には試料１０１が載置され
る。また上記第１，第２電極１２，１３には電源１４が
接続されている。またチェンバー１１の天井側にはプロ
セスガスＧを導入するガス導入部１５が設けられてい
る。さらにチェンバー１１の底部側には真空排気を行う
排気部１６は設けられている。
【００３１】そして上記プラズマＰを発生する領域（以
下プラズマ領域と記す）２１と第２電極１３上の試料１
０１との間には、プラズマＰ（プラズマＰの経路はプラ
ズマ領域２１から出る曲線の矢印で示す）を通すととも
にプラズマ領域２１から放出される紫外線ＵＶ（図中で
はプラズマ領域２１から出る直線の矢印で示す）を遮る
紫外線遮蔽手段３１が設けられている。
下プラズマ領域と記す）２１と第２電極１３上の試料１
０１との間には、プラズマＰ（プラズマＰの経路はプラ
ズマ領域２１から出る曲線の矢印で示す）を通すととも
にプラズマ領域２１から放出される紫外線ＵＶ（図中で
はプラズマ領域２１から出る直線の矢印で示す）を遮る
紫外線遮蔽手段３１が設けられている。
【００３２】上記紫外線遮蔽手段３１は、例えば所定間
隔ｄ１だけ離してほぼ平行に配置した２枚の遮蔽板３２
ａ，３２ｂからなる。各遮蔽板３２ａ，３２ｂには、複
数の孔３３ａ，３３ｂが設けられていて、各孔３３ａ，
３３ｂは互い違いに配置されている。すなわち、例えば
プラズマ領域２１側から見た場合に、孔３３ａと３３ｂ
とを通して試料１０１側が見えない状態に配置されてい
る。
隔ｄ１だけ離してほぼ平行に配置した２枚の遮蔽板３２
ａ，３２ｂからなる。各遮蔽板３２ａ，３２ｂには、複
数の孔３３ａ，３３ｂが設けられていて、各孔３３ａ，
３３ｂは互い違いに配置されている。すなわち、例えば
プラズマ領域２１側から見た場合に、孔３３ａと３３ｂ
とを通して試料１０１側が見えない状態に配置されてい
る。
【００３３】そして上記紫外線遮蔽手段３１は、例え
ば、第１電極１２に絶縁体３４を介して支持される状態
に取り付けられている。この紫外線遮蔽手段３１の側方
は、チェンバー１１の側壁１１Ｓに接続されていて、プ
ラズマＰが紫外線遮蔽手段３１の側方から排気されない
ようになっている。
ば、第１電極１２に絶縁体３４を介して支持される状態
に取り付けられている。この紫外線遮蔽手段３１の側方
は、チェンバー１１の側壁１１Ｓに接続されていて、プ
ラズマＰが紫外線遮蔽手段３１の側方から排気されない
ようになっている。
【００３４】上記プラズマ発生装置１では、チェンバー
１１内に発生するプラズマ領域２１と試料１０１との間
にプラズマＰを通すとともに紫外線ＵＶを遮る紫外線遮
蔽手段３１を設けたことから、プラズマＰは試料１０１
の被加工面１０１Ｓに導かれるが、紫外線ＵＶは紫外線
遮蔽手段３１によって遮られるので被加工面に照射され
ない。
１１内に発生するプラズマ領域２１と試料１０１との間
にプラズマＰを通すとともに紫外線ＵＶを遮る紫外線遮
蔽手段３１を設けたことから、プラズマＰは試料１０１
の被加工面１０１Ｓに導かれるが、紫外線ＵＶは紫外線
遮蔽手段３１によって遮られるので被加工面に照射され
ない。
【００３５】すなわち、プラズマ領域２１で発生する紫
外線ＵＶが直進性を有するので、紫外線ＵＶは上記紫外
線遮蔽手段３１の複数枚の紫外線遮蔽板３２ａ，３２ｂ
で遮られる。たとえ、紫外線ＵＶが一枚目の紫外線遮蔽
板３２ａに設けた孔３３ａを通過しても、孔３３ａと孔
３３ｂとは互い違いに配置されているので、一枚目の紫
外線遮蔽板３２ａを通過した紫外線ＵＶは、ほとんどの
場合、二枚目の紫外線遮蔽板３２ｂによって遮られる。
一方、プラズマＰは各孔３３ａ，３３ｂおよび紫外線遮
蔽板３２ａ，３２ｂ間を通り抜けて試料１０１の被加工
面１０１Ｓに到達する。したがって、プラズマ加工中に
試料１０１は紫外線ＵＶによる損傷を受けない。
外線ＵＶが直進性を有するので、紫外線ＵＶは上記紫外
線遮蔽手段３１の複数枚の紫外線遮蔽板３２ａ，３２ｂ
で遮られる。たとえ、紫外線ＵＶが一枚目の紫外線遮蔽
板３２ａに設けた孔３３ａを通過しても、孔３３ａと孔
３３ｂとは互い違いに配置されているので、一枚目の紫
外線遮蔽板３２ａを通過した紫外線ＵＶは、ほとんどの
場合、二枚目の紫外線遮蔽板３２ｂによって遮られる。
一方、プラズマＰは各孔３３ａ，３３ｂおよび紫外線遮
蔽板３２ａ，３２ｂ間を通り抜けて試料１０１の被加工
面１０１Ｓに到達する。したがって、プラズマ加工中に
試料１０１は紫外線ＵＶによる損傷を受けない。
【００３６】上記紫外線照射手段３１の取り付け位置は
電極１２に限定されない。例えば、図３の（１）に示す
ように、上記紫外線遮蔽手段３１を、チェンバー１１の
側壁１１Ｓに例えば絶縁体３５を介して取り付けてもよ
い。または直接取り付けても差し支えはない。また図３
の（２）に示すように、上記紫外線遮蔽手段３１を、上
記試料１０１を載置するステージになる第２電極１３に
例えば絶縁体３６を介して取り付けてもよい。
電極１２に限定されない。例えば、図３の（１）に示す
ように、上記紫外線遮蔽手段３１を、チェンバー１１の
側壁１１Ｓに例えば絶縁体３５を介して取り付けてもよ
い。または直接取り付けても差し支えはない。また図３
の（２）に示すように、上記紫外線遮蔽手段３１を、上
記試料１０１を載置するステージになる第２電極１３に
例えば絶縁体３６を介して取り付けてもよい。
【００３７】次に別構成の一例を示す紫外線遮蔽手段４
１を図４の概略模式断面図によって説明する。
１を図４の概略模式断面図によって説明する。
【００３８】図４に示すように、紫外線遮蔽手段４１
は、断面が略く字形で環状の複数（例えばｍ枚）の紫外
線遮蔽板４２ａ，４２ｂ，・・・，４５ｍを試料１０１
の被加工面１０１Ｓに対して斜めでかつ該紫外線遮蔽板
４２ａ，４２ｂ，・・・，４２ｍどうしが所定間隔ｄ２
を置いて重なる状態に配置したものからなる。すなわ
ち、例えば図中の上方から下方を見た場合に、各紫外線
遮蔽板４２ａ，４２ｂ，・・・，４２ｍの間隔ｄ２から
試料側が見えない状態に配置されている。
は、断面が略く字形で環状の複数（例えばｍ枚）の紫外
線遮蔽板４２ａ，４２ｂ，・・・，４５ｍを試料１０１
の被加工面１０１Ｓに対して斜めでかつ該紫外線遮蔽板
４２ａ，４２ｂ，・・・，４２ｍどうしが所定間隔ｄ２
を置いて重なる状態に配置したものからなる。すなわ
ち、例えば図中の上方から下方を見た場合に、各紫外線
遮蔽板４２ａ，４２ｂ，・・・，４２ｍの間隔ｄ２から
試料側が見えない状態に配置されている。
【００３９】上記構成の紫外線遮蔽手段４１では、紫外
線遮蔽板４２ａ，・・・，４２ｍが試料１０１の被加工
面１０１Ｓに対して斜めに所定間隔ｄ２を置いた状態で
かつオーバラップする状態に配置した構成になっている
ことから、プラズマ領域２１から発生する紫外線ＵＶは
直進性があるので紫外線遮蔽板４２ａ，・・・，４２ｍ
によって遮られる。一方、排気部１６によって真空排気
をしているため、プラズマ領域２１のプラズマＰは紫外
線遮蔽板４２ａ，４２ｂ，・・・，４２ｍ間を通って試
料１０１の被加工面１０１Ｓに到達する。
線遮蔽板４２ａ，・・・，４２ｍが試料１０１の被加工
面１０１Ｓに対して斜めに所定間隔ｄ２を置いた状態で
かつオーバラップする状態に配置した構成になっている
ことから、プラズマ領域２１から発生する紫外線ＵＶは
直進性があるので紫外線遮蔽板４２ａ，・・・，４２ｍ
によって遮られる。一方、排気部１６によって真空排気
をしているため、プラズマ領域２１のプラズマＰは紫外
線遮蔽板４２ａ，４２ｂ，・・・，４２ｍ間を通って試
料１０１の被加工面１０１Ｓに到達する。
【００４０】上記説明した平行平板型電極のプラズマ発
生装置１以外にも、上記紫外線遮蔽手段３１または紫外
線遮蔽手段４１を設けることができる。すなわち、チェ
ンバー内でプラズマを発生させてプラズマ加工を行う装
置であれば、紫外線遮蔽手段３１または紫外線遮蔽手段
４１を取り付けることが可能である。ここでいうプラズ
マ加工とは、変質加工であるドーピングおよび酸化，除
去加工であるエッチングおよびアッシング，成膜加工で
あるＣＶＤ等の加工をいう。装置例としては、平行平板
型のプラズマ発生装置の他に、ヘキソード型プラズマ発
生装置，ＥＣＲプラズマ発生装置，マイクロ波プラズマ
発生装置等に適用できる。そして各プラズマ発生装置
は、ドーピング装置，エッチング装置，ＣＶＤ装置，ア
ッシング装置等に適用される。
生装置１以外にも、上記紫外線遮蔽手段３１または紫外
線遮蔽手段４１を設けることができる。すなわち、チェ
ンバー内でプラズマを発生させてプラズマ加工を行う装
置であれば、紫外線遮蔽手段３１または紫外線遮蔽手段
４１を取り付けることが可能である。ここでいうプラズ
マ加工とは、変質加工であるドーピングおよび酸化，除
去加工であるエッチングおよびアッシング，成膜加工で
あるＣＶＤ等の加工をいう。装置例としては、平行平板
型のプラズマ発生装置の他に、ヘキソード型プラズマ発
生装置，ＥＣＲプラズマ発生装置，マイクロ波プラズマ
発生装置等に適用できる。そして各プラズマ発生装置
は、ドーピング装置，エッチング装置，ＣＶＤ装置，ア
ッシング装置等に適用される。
【００４１】次に第２実施例を図５の概略模式断面図に
よって説明する。なお上記図２で説明したのと同様の構
成部品には同一符号を付す。
よって説明する。なお上記図２で説明したのと同様の構
成部品には同一符号を付す。
【００４２】図５に示すように、プラズマ発生装置２
は、チェンバー１１の側壁１１Ｓに沿ってプラズマＰを
発生させるものである。このプラズマ発生装置２では、
チェンバー１１内に配置した試料１０１の被加工面１０
１Ｓの側方からその上方にかけて上記プラズマＰが発生
し、そのプラズマＰによって被加工面１０１Ｓのプラズ
マ加工を行う。なお、図ではプラズマＰが発生する領域
（以下プラズマ領域と記す）５１と試料１０１と紫外線
遮蔽手段６１との位置関係を示し、プラズマ発生手段の
図示は省略した。
は、チェンバー１１の側壁１１Ｓに沿ってプラズマＰを
発生させるものである。このプラズマ発生装置２では、
チェンバー１１内に配置した試料１０１の被加工面１０
１Ｓの側方からその上方にかけて上記プラズマＰが発生
し、そのプラズマＰによって被加工面１０１Ｓのプラズ
マ加工を行う。なお、図ではプラズマＰが発生する領域
（以下プラズマ領域と記す）５１と試料１０１と紫外線
遮蔽手段６１との位置関係を示し、プラズマ発生手段の
図示は省略した。
【００４３】すなわち、上記プラズマ領域５１はチェン
バー１１の側壁１１Ｓに沿って発生される。またチェン
バー１１の底面側には紫外線１０１がステージ１１１上
に載置されている。そして上記プラズマ領域５１と試料
１０１との間には、プラズマＰを通すとともにプラズマ
領域５１から放出される紫外線ＵＶを遮る紫外線遮蔽手
段６１が設けられている。
バー１１の側壁１１Ｓに沿って発生される。またチェン
バー１１の底面側には紫外線１０１がステージ１１１上
に載置されている。そして上記プラズマ領域５１と試料
１０１との間には、プラズマＰを通すとともにプラズマ
領域５１から放出される紫外線ＵＶを遮る紫外線遮蔽手
段６１が設けられている。
【００４４】上記紫外線遮蔽手段６１は、例えば所定間
隔ｄ３だけ離して試料１０１を中心にしてほぼ同心状に
配置した２枚の筒状の遮蔽板６２ａ，６２ｂからなる。
各遮蔽板６２ａ，６２ｂには、複数の孔６３ａ，６３ｂ
が設けられていて、各孔６３ａ，６３ｂは互い違いに配
置されている。すなわち、例えば図中の試料１０１の上
方からチェンバー１１の側壁方向に見た場合に、各孔６
３ａ，６３ｂどうしが重ならない状態に配置されてい
る。
隔ｄ３だけ離して試料１０１を中心にしてほぼ同心状に
配置した２枚の筒状の遮蔽板６２ａ，６２ｂからなる。
各遮蔽板６２ａ，６２ｂには、複数の孔６３ａ，６３ｂ
が設けられていて、各孔６３ａ，６３ｂは互い違いに配
置されている。すなわち、例えば図中の試料１０１の上
方からチェンバー１１の側壁方向に見た場合に、各孔６
３ａ，６３ｂどうしが重ならない状態に配置されてい
る。
【００４５】そして上記紫外線照射手段６１は、例え
ば、チェンバー１１の側壁に絶縁体６４を介して、チェ
ンバー１１の側壁１１Ｓと紫外線遮蔽手段６１との間に
プラズマ領域５１を確保する状態に取り付けられてい
る。
ば、チェンバー１１の側壁に絶縁体６４を介して、チェ
ンバー１１の側壁１１Ｓと紫外線遮蔽手段６１との間に
プラズマ領域５１を確保する状態に取り付けられてい
る。
【００４６】上記プラズマ発生装置２では、チェンバー
１１内に発生するプラズマ領域５１と試料１０１との間
にプラズマＰを通すとともに紫外線ＵＶを遮る紫外線遮
蔽手段６１を設けたことから、試料１０１の被加工面１
０１ＳにはプラズマＰは導かれるが紫外線ＵＶは照射さ
れない。したがって、プラズマ加工中に試料１０１は紫
外線ＵＶによって損傷を受けない。
１１内に発生するプラズマ領域５１と試料１０１との間
にプラズマＰを通すとともに紫外線ＵＶを遮る紫外線遮
蔽手段６１を設けたことから、試料１０１の被加工面１
０１ＳにはプラズマＰは導かれるが紫外線ＵＶは照射さ
れない。したがって、プラズマ加工中に試料１０１は紫
外線ＵＶによって損傷を受けない。
【００４７】そして上記紫外線遮蔽手段６１では、プラ
ズマ領域５１で発生する紫外線ＵＶは直進するので複数
枚の紫外線遮蔽板６２ａ，６２ｂで遮られる。たとえ、
一枚目の紫外線遮蔽板６２ａに設けられた孔６３ａを通
過しても、孔６３ａと孔６３ｂとは互い違いに配置され
ているので、ほとんどの場合、二枚目の紫外線遮蔽板６
２ｂによって遮られる。一方、プラズマＰは各孔６３
ａ，６３ｂを通り抜けて試料１０１の被加工面１０１Ｓ
に到達する。
ズマ領域５１で発生する紫外線ＵＶは直進するので複数
枚の紫外線遮蔽板６２ａ，６２ｂで遮られる。たとえ、
一枚目の紫外線遮蔽板６２ａに設けられた孔６３ａを通
過しても、孔６３ａと孔６３ｂとは互い違いに配置され
ているので、ほとんどの場合、二枚目の紫外線遮蔽板６
２ｂによって遮られる。一方、プラズマＰは各孔６３
ａ，６３ｂを通り抜けて試料１０１の被加工面１０１Ｓ
に到達する。
【００４８】上記紫外線照射手段６１の取り付け位置
は、チェンバー１１の側壁に限定されることはなく、プ
ラズマ領域５１が確保される状態に取り付けられるので
あれば、どの位置に取り付けても差し支えはない。
は、チェンバー１１の側壁に限定されることはなく、プ
ラズマ領域５１が確保される状態に取り付けられるので
あれば、どの位置に取り付けても差し支えはない。
【００４９】次に別構成の紫外線遮蔽手段７１を図６に
示す概略模式断面図によって説明する。
示す概略模式断面図によって説明する。
【００５０】図に示すように、紫外線遮蔽手段７１は、
チェンバー１１の側壁１１Ｓ側に傾斜するほぼ環状のも
のからなる複数（例えばｎ枚）の紫外線遮蔽板７２ａ，
７２ｂ，・・・，７５ｎを所定間隔ｄ４を置いてかつ側
壁１１Ｓに対してプラズマ領域５１を介して側壁１１Ｓ
に沿う方向に配置されているものからなる。しかも、例
えばチェンバー１１の側壁１１Ｓからその中心側方向に
向かって見た場合に、各紫外線遮蔽板７２ａ，７２ｂ，
・・・，７２ｎが順に重なる状態に配置されている。
チェンバー１１の側壁１１Ｓ側に傾斜するほぼ環状のも
のからなる複数（例えばｎ枚）の紫外線遮蔽板７２ａ，
７２ｂ，・・・，７５ｎを所定間隔ｄ４を置いてかつ側
壁１１Ｓに対してプラズマ領域５１を介して側壁１１Ｓ
に沿う方向に配置されているものからなる。しかも、例
えばチェンバー１１の側壁１１Ｓからその中心側方向に
向かって見た場合に、各紫外線遮蔽板７２ａ，７２ｂ，
・・・，７２ｎが順に重なる状態に配置されている。
【００５１】上記構成の紫外線遮蔽手段７１では、紫外
線遮蔽板７２ａ，７１ｂ，・・・，７２ｎが試料１０１
の被加工面１０１Ｓに対して斜めに所定間隔ｄ４を置い
た状態でかつオーバラップする状態に配置した構成にな
っていることから、直進性を有する紫外線ＵＶは紫外線
遮蔽板７２ａ，７２ｂ，・・・，７２ｎによって遮られ
る。一方、プラズマＰは紫外線遮蔽板７２ａ，７２ｂ，
・・・，７２ｎ間を通って試料１０１の被加工面１０１
Ｓに到達する。
線遮蔽板７２ａ，７１ｂ，・・・，７２ｎが試料１０１
の被加工面１０１Ｓに対して斜めに所定間隔ｄ４を置い
た状態でかつオーバラップする状態に配置した構成にな
っていることから、直進性を有する紫外線ＵＶは紫外線
遮蔽板７２ａ，７２ｂ，・・・，７２ｎによって遮られ
る。一方、プラズマＰは紫外線遮蔽板７２ａ，７２ｂ，
・・・，７２ｎ間を通って試料１０１の被加工面１０１
Ｓに到達する。
【００５２】
【発明の効果】以上、説明したように本発明のプラズマ
加工方法によれば、チェンバー内に発生させたプラズマ
領域から放出される紫外線を遮ることから、試料には紫
外線が照射されない。このため、試料は紫外線によって
損傷を受けない。またプラズマ領域中の粒子は試料表面
に導かれて、試料に粒子をドーピングする、または粒子
によって試料表面をエッチングする、または試料表面に
粒子を堆積して膜を形成する。このため、試料は損傷を
受けることなく所望の加工を成すことができる。したが
って、試料に半導体装置を形成する場合には半導体装置
の電気的特性の向上を図ることは可能になる。
加工方法によれば、チェンバー内に発生させたプラズマ
領域から放出される紫外線を遮ることから、試料には紫
外線が照射されない。このため、試料は紫外線によって
損傷を受けない。またプラズマ領域中の粒子は試料表面
に導かれて、試料に粒子をドーピングする、または粒子
によって試料表面をエッチングする、または試料表面に
粒子を堆積して膜を形成する。このため、試料は損傷を
受けることなく所望の加工を成すことができる。したが
って、試料に半導体装置を形成する場合には半導体装置
の電気的特性の向上を図ることは可能になる。
【００５３】本発明のプラズマ発生装置によれば、チェ
ンバー内に発生するプラズマ領域と試料との間にプラズ
マ化した粒子を通すとともに紫外線を遮る紫外線遮蔽手
段を設けたので、試料表面にプラズマ化した粒子は導か
れるが紫外線は照射されない。したがって、プラズマ加
工中に試料は紫外線によって損傷を受けない。したがっ
て、電気的特性に優れた半導体装置の形成が可能にな
る。
ンバー内に発生するプラズマ領域と試料との間にプラズ
マ化した粒子を通すとともに紫外線を遮る紫外線遮蔽手
段を設けたので、試料表面にプラズマ化した粒子は導か
れるが紫外線は照射されない。したがって、プラズマ加
工中に試料は紫外線によって損傷を受けない。したがっ
て、電気的特性に優れた半導体装置の形成が可能にな
る。
【図１】プラズマ加工方法の一例の説明図である。
【図２】プラズマ発生装置の第１実施例の概略模式断面
図である。
図である。
【図３】紫外線遮蔽手段の取り付け位置の説明図であ
る。
る。
【図４】別構成の紫外線遮蔽手段の概略模式断面図であ
る。
る。
【図５】プラズマ発生装置の第２実施例の概略模式断面
図である。
図である。
【図６】別構成の紫外線遮蔽手段の概略模式断面図であ
る。
る。
【図７】課題を説明するＩｄ−Ｖｇ特性図である。
１ プラズマ発生装置 ２ プラズマ発生
装置 １１ チェンバー ２１ プラズマ領
域 ３１ 紫外線遮蔽手段 ３２ａ，３２ｂ
紫外線遮蔽板 ３３ａ，３３ｂ 孔 ４１ 紫外線遮蔽
手段 ４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，・・・，４２ｍ 紫外線遮蔽
板 ５１ プラズマ領域 ６１ 紫外線遮蔽
手段 ６２ａ，６２ｂ 紫外線遮蔽板 ６３ａ，６３ｂ
孔 ６１ プラズマ領域 ７１ 紫外線遮蔽
手段 ７２ａ，７２ｂ，７２ｃ，・・・，７２ｎ 紫外線遮蔽
板 １０１ 試料 １０１Ｓ 被加工
面 ＰＨ 水素プラズマ Ｐ プラズマ ＵＶ 紫外線
装置 １１ チェンバー ２１ プラズマ領
域 ３１ 紫外線遮蔽手段 ３２ａ，３２ｂ
紫外線遮蔽板 ３３ａ，３３ｂ 孔 ４１ 紫外線遮蔽
手段 ４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，・・・，４２ｍ 紫外線遮蔽
板 ５１ プラズマ領域 ６１ 紫外線遮蔽
手段 ６２ａ，６２ｂ 紫外線遮蔽板 ６３ａ，６３ｂ
孔 ６１ プラズマ領域 ７１ 紫外線遮蔽
手段 ７２ａ，７２ｂ，７２ｃ，・・・，７２ｎ 紫外線遮蔽
板 １０１ 試料 １０１Ｓ 被加工
面 ＰＨ 水素プラズマ Ｐ プラズマ ＵＶ 紫外線
Claims (6)
- 【請求項１】 チェンバー内にプラズマを発生させて、
該プラズマによって該チェンバー内に配置した試料を加
工するプラズマ加工方法において、 前記チェンバー内に発生させたプラズマ領域から放射さ
れる紫外線を遮るとともに該プラズマ領域中の粒子を該
試料表面に導いて、該試料に該粒子をドーピングする、
または該粒子によって該試料表面をエッチングする、ま
たは該試料表面に該粒子を堆積して膜を形成することを
特徴とするプラズマ加工方法。 - 【請求項２】 チェンバー内にプラズマを発生させて該
チェンバー内に配置した試料の加工を行うプラズマ発生
装置において、 前記チェンバー内に発生させるプラズマ領域と該チェン
バー内に配置した前記試料との間に、プラズマを通すと
ともに紫外線を遮る紫外線遮蔽手段を設けたことを特徴
とするプラズマ発生装置。 - 【請求項３】 請求項２記載のプラズマ発生装置におい
て、 前記プラズマ領域が前記試料の被加工面にほぼ対向する
位置に発生するものであって、 前記紫外線遮蔽手段は、複数の孔を設けた複数枚の紫外
線遮蔽板を所定間隔に、かつ各紫外線遮蔽板どうしで各
孔が互い違いになるように配置したものからなることを
特徴とするプラズマ発生装置。 - 【請求項４】 請求項２記載のプラズマ発生装置におい
て、 前記プラズマ領域が前記試料の被加工面にほぼ対向する
位置に発生するものであって、 前記紫外線遮蔽手段は、複数の紫外線遮蔽板を前記試料
の被加工面に対して傾斜させた状態でかつ所定間隔を置
いて重なる状態に配置したものからなることを特徴とす
るプラズマ発生装置。 - 【請求項５】 請求項２記載のプラズマ発生装置におい
て、 前記プラズマ領域が前記試料の被加工面の側方側に発生
するものであって、 前記紫外線遮蔽手段は、前記プラズマ領域を介して前記
チェンバーの側壁に沿って設けられ、複数の孔を設けた
複数の紫外線遮蔽板を所定間隔に、かつ該紫外線遮蔽板
どうしで各孔が互い違いになるように配置したものから
なることを特徴とするプラズマ発生装置。 - 【請求項６】 請求項２記載のプラズマ発生装置におい
て、 前記プラズマ領域が前記試料の被加工面の側方側に発生
するものであって、 前記紫外線遮蔽手段は、前記プラズマ領域を介して前記
チェンバーの側壁に沿って設けられ、チェンバーの側壁
側に傾斜させてなる複数枚の紫外線遮蔽板を該チェンバ
ーの側壁に沿って所定間隔を置いて配置したものからな
ることを特徴とするプラズマ発生装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23260694A JP3339200B2 (ja) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | プラズマ発生装置、プラズマ加工方法および薄膜トランジスタの製造方法 |
| DE69520772T DE69520772T2 (de) | 1994-09-28 | 1995-09-25 | Plasmagenerator |
| US08/533,095 US5637180A (en) | 1994-09-28 | 1995-09-25 | Plasma processing method and plasma generator |
| EP95115060A EP0704552B1 (en) | 1994-09-28 | 1995-09-25 | Plasma generator |
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