JPH1140398A - プラズマ生成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 排気速度として所望の速度を確保しながら、
プラズマの生成効率の向上と、プラズマの分布の均一性
の改善とを図ることができるようにする。 【解決手段】 プラズマ生成装置は、プラズマ生成領域
Ｒが設定される真空容器２１と、プラズマ生成領域Ｒで
放電を発生させるための平板状の電極２２、２３と、高
周波電場がプラズマ生成領域Ｒから漏れることがないよ
うにこの高周波電場を遮蔽するための２枚の遮蔽板２
４，２５とを有する。遮蔽板２４，２５は、下部電極２
３の周囲を囲むようにリング状に形成されている。上側
の遮蔽板２４は、電気的にフローティング状態に設定さ
れている。下側の遮蔽板２５は、接地状態に設定されて
いる。遮蔽板２４，２５には、それぞれプラズマ生成領
域Ｒに存在する雰囲気を排出するための複数の排出孔３
１，３２が形成されている。これらは、全く重なること
がないように形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ガス分子が存在す
るプラズマ生成領域で放電を発生させ、この放電によっ
て発生した走行電子がガス分子に衝突してこのガス分子
をイオン化したり、励起したりすることを利用してプラ
ズマを生成するプラズマ生成装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体装置（半導体デバイス）
を製造するためには、ウェーハの表面に所定の薄膜を形
成したり、ウェーハの表面やこの表面に形成された薄膜
をエッチングしたりする必要がある。この成膜処理やエ
ッチング処理は、プラズマを用いて行われることがあ
る。

【０００３】成膜処理やエッチング処理をプラズマを用
いて行う場合、プラズマを生成するプラズマ生成装置が
必要になる。このプラズマ生成装置としては、従来、電
子を使ってプラズマを生成する放電方式の装置や熱を使
ってプラズマを生成する熱方式の装置、さらには、レー
ザ光線を使ってプラズマを生成するレーザ方式の装置等
が考えられている。

【０００４】ウェーハに成膜処理やエッチング処理を施
すウェーハ処理装置においては、通常、プラズマ生成装
置として、放電方式の装置が用いられる。この放電方式
のプラズマ生成装置は、ガス分子が存在するプラズマ生
成領域で放電を発生させ、この放電によって発生した走
行電子がガス分子に衝突してこのガス分子をイオン化し
たり、励起したりすることを利用してプラズマを生成す
るようになっている。この放電方式のプラズマ生成装置
においては、放電電場を形成するための電源として、通
常、高周波電源が用いられる。

【０００５】ところで、現在、０．２５μｍ以下の超微
細加工におけるプラズマプロセス技術には、極めて高精
度なものが要求されている。８インチのウェーハはすで
に量産の段階に入り、１２インチのウェーハに対するプ
ラズマプロセス技術の開発も進んでいる。それに伴って
真空容器も大型になり、プラズマの生成に必要な高周波
電力もかなり大きくなっているので、プラズマを生成す
る場合の効率化が強く求められている。その一方、超微
細化と共にプラズマプロセスは、エッチングだけでな
く、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｅｒ Ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ）においても、工程によっては、低い気圧
で行うことが期待されている。

【０００６】図６は、ウェーハの成膜処理やエッチング
処理で一番広く使われている放電方式のプラズマ生成装
置の構成を示す側断面図である。図示のプラズマ生成装
置は、放電方式として平行平板容量結合方式を用い、放
電電源として高周波電源を用いる平行平板容量結合型高
周波放電プラズマ生成装置といわれるものである。

【０００７】このプラズマ生成装置は、真空容器１１の
内部に２つの平板状の電極１２，１３を対向するように
配置し、これらの間に高周波電源１４を使って高周波電
力を印加することにより、プラズマ生成領域Ｒで放電を
発生させるようになっている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このプ
ラズマ生成装置には、ガスの圧力が低くなる程プラズマ
の生成効率が低下するという問題と、プラズマの分布が
均一にならないという問題があった。

【０００９】プラズマの生成効率が低下するのは、プラ
ズマ生成領域Ｒで生成されたプラズマがプラズマ生成領
域Ｒ以外の領域に拡散するためと、プラズマ生成領域Ｒ
以外の領域で寄生放電が発生するためである。ここで、
寄生放電とは、主な放電の他に違う場所で発生する望ま
しくない放電をいう。

【００１０】プラズマ生成領域Ｒで生成されたプラズマ
がプラズマ生成領域Ｒ以外の領域に拡散するのは、荷電
粒子の平均自由工程が長いのと、拡散する空間が存在す
るからである。

【００１１】すなわち、ガスの圧力が高い場合は、プラ
ズマの拡散速度が遅く、高周波電極表面におけるシース
ポティンシャルが低く、プラズマ空間電位振幅も小さい
ので問題がない。

【００１２】しかし、ガスの圧力が低い場合は、ガスの
圧力が低くなるにつれて荷電粒子の平均自由工程が長く
なるので、プラズマが拡散しやすくなる。これにより、
従来のプラズマ生成装置では、圧力が低い程プラズマ生
成領域Ｒで生成されたプラズマがプラズマ生成領域Ｒ以
外の領域に拡散するわけである。

【００１３】プラズマの分布が均一にならない原因とし
て挙げられるのは、プラズマの生成領域Ｒ以外の領域で
寄生放電が発生するということである。プラズマ生成領
域Ｒ以外の領域で寄生放電が発生すると、プラズマの分
布が均一にならないのは、このような場合、プラズマの
分布が非対称になるためである。なお、上述したような
問題は、放電方式として平行平板容量結合方式以外の容
量結合方式を用いるプラズマ生成装置や、容量結合方式
以外の放電方式、例えば、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）方式、ＩＣ
Ｐ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａ
ｓｍａ）方式、へリコン波方式、ＵＨＦ（Ｕｌｔｒａ
Ｈｉｇｈ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）方式等を用いるプラズ
マ生成装置でも発生する。また、このような問題は、放
電電源として、高周波電源以外の電源、例えば、直流電
源を用いるプラズマ生成装置でも発生する。

【００１４】そこで、本発明は、排気速度として所望の
速度を確保しながら、プラズマの拡散と寄生放電の発生
とを防止することにより、プラズマの生成効率の向上と
プラズマの分布の均一性の改善とを図ることができるプ
ラズマ生成装置を提供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項１記載のプラズマ生成装置は、ガス分子が存在
するプラズマ生成領域で放電を発生させ、この放電によ
って発生した走行電子がガス分子に衝突してこのガス分
子をイオン化したり、励起したりすることを利用してプ
ラズマを生成する装置において、真空容器と、ガス導入
手段と、放電手段と、遮蔽手段と、排気手段とを備えた
ことを特徴とする。

【００１６】ここで、真空容器の内部には、プラズマ生
成領域が設定される。ガス導入手段は、真空容器の内部
に設定されたプラズマ生成領域にプラズマ生成用のガス
を導入する機能を有する。放電手段は、真空容器の内部
に設定されたプラズマ生成領域で放電を発生させる機能
を有する。

【００１７】遮蔽手段は、複数の遮蔽板によって放電電
場がプラズマ生成領域から漏れることがないようにこの
放電電場を遮蔽する機能を有する。排気手段は、複数の
遮蔽板に互いに全体的に重なることがないように形成さ
れた複数の排気孔を介してプラズマ生成領域に存在する
雰囲気を排出する機能を有する。

【００１８】この請求項１記載のプラズマ生成装置で
は、ガス導入手段によりプラズマ生成領域にガスが導入
される。また、放電手段によりプラズマ生成領域で放電
が発生させられる。これにより、走行電子がプラズマ生
成領域のガス分子に衝突し、このガス分子がイオン化さ
れたり、励起されたりする。その結果、プラズマ生成領
域にプラズマが生成される。

【００１９】この場合、放電電場は、複数の遮蔽板によ
ってプラズマ生成領域から漏れることがないように遮蔽
される。これにより、プラズマ生成領域以外の領域での
寄生放電の発生が防止される。その結果、プラズマの生
成効率の向上とプラズマの分布の均一性の改善とが図ら
れる。

【００２０】また、プラズマ生成領域に存在する雰囲気
は、遮蔽板に形成された排出孔を介してプラズマ生成領
域から排出される。これにより、遮蔽板を設けているに
もかかわらず、プラズマ生成領域に存在する雰囲気を排
出するための排気速度として所望の速度が確保される。

【００２１】また、各遮蔽板に形成された排出孔は、互
いに全体的に重なることがないように形成されている。
これにより、プラズマ生成領域で生成されたプラズマが
プラズマ生成領域以外の領域に拡散する場合、荷電粒子
が遮蔽板と接触しやすくなる。その結果、荷電粒子が中
和され、プラズマ生成領域で生成されたプラズマがプラ
ズマ生成領域に閉じ込められる。これにより、プラズマ
の生成効率が高められる。

【００２２】請求項２記載のプラズマ生成装置は、請求
項１記載の装置において、遮蔽板が２つ設けられ、この
２つの遮蔽板のうちプラズマ生成領域側の遮蔽板がフロ
ーティング状態に設定され、プラズマ生成領域側とは反
対側の遮蔽板が接地状態に設定されていることを特徴と
する。

【００２３】この請求項２記載のプラズマ生成装置で
は、プラズマ生成領域側の遮蔽板がフローティング状態
に設定されているので、この遮蔽板を接地状態に設定す
る場合よりプラズマの生成効率が高められる。

【００２４】また、この請求項２記載のプラズマ生成装
置では、プラズマ生成領域側とは反対側の遮蔽板が接地
状態に設定されているので、この遮蔽板をフローティン
グ状態に設定する場合より遮蔽効果を高めることができ
る。これは、この遮蔽板をフローティング状態に設定す
ると、その電位がプラズマ電位と一緒に揺れて、寄生放
電が発生する可能性があるのに対し、接地状態に設定し
た場合は、このような可能性がないからである。

【００２５】請求項３記載のプラズマ生成装置は、請求
項１記載の装置において、遮蔽板が２つ設けられ、この
２つの遮蔽板がいずれも接地状態に設定されていること
を特徴とする。

【００２６】この請求項３記載のプラズマ生成装置で
は、プラズマ生成領域側の遮蔽板が接地状態に設定され
ているので、この遮蔽板がフローティング状態に設定さ
れている場合より、放電電場の遮蔽効果が高められると
ともに、高いガス圧力まで対処可能とされる。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態を詳細に説明する。

【００２８】図１は、本発明の一実施の形態の構成を示
す側断面図である。なお、図には、本発明を平行平板容
量結合型高周波放電プラズマ生成装置に適用する場合を
代表として示す。

【００２９】図示のプラズマ生成装置は、プラズマ生成
領域Ｒが設定される真空容器２１と、プラズマ生成領域
Ｒで放電を発生させるための平板状の電極２２、２３
と、高周波電場（放電電場）がプラズマ生成領域Ｒから
漏れることがないようにこの高周波電場を遮蔽するため
の２枚の遮蔽板２４，２５とを有する。遮蔽板２４，２
５は、例えば、金属により形成されている。

【００３０】上側の電極（以下「上部電極」という。）
２２は、真空容器２１の内部の上方に水平に配設されて
いる。この場合、この上部電極２２は、絶縁体２６を介
して真空容器２１の内部の上面に支持されている。ま
た、この上部電極２２は、直流阻止コンデンサ２７を介
して高周波電源２８に接続されている。

【００３１】下側の電極（以下「下部電極」という。）
２３は、真空容器２１の内部の下方に水平にかつ上部電
極２２と対向するように配設されている。この下部電極
２３と真空容器２１とは接地されている。遮蔽板２４，
２５は、下部電極２３の周辺部に配設されている。

【００３２】このような構成においては、プラズマ生成
領域Ｒは、２つの電極２２，２３の間に設定される。

【００３３】上部電極２２は、ガスを拡散するためのガ
ス拡散部２２１と、このガス拡散部２２１にガスを導入
するためのガス導入部２２２とを有する。ガス拡散部２
２１の下面には、このガス拡散部２２１で拡散されたガ
スをプラズマ生成領域Ｒに分散させるためのガス分散孔
２２３が形成されている。

【００３４】遮蔽板２４，２５は、下部電極２３の周囲
を囲むようにリング状に形成されている。図２は、この
様子を示す図である。この図２は、下部電極２３と上側
の遮蔽板（以下「上部遮蔽板」という。）２４とを上方
より見た平面図である。また、この遮蔽板２４，２５
は、水平にかつ互いに平行に配設されている。

【００３５】図３は、図１において、丸Ａで囲む部分を
拡大して示す側断面図である。図示のごとく、上部遮蔽
板（プラズマ生成領域Ｒ側の遮蔽板）２４の内側の周縁
部は、絶縁体２９を介して下部電極２３の周縁部の上部
に取り付けられている。また、この上部遮蔽板２４の外
側の周縁部は、絶縁体３０を介して真空容器２１の内部
の側面に取り付けられている。これにより、この上部遮
蔽板２４は、電気的にフローティング状態に設定されて
いる。

【００３６】下側の遮蔽板（プラズマ生成領域Ｒ側とは
反対側の遮蔽板。以下「下部遮蔽板」という。）２５の
内側の周縁部は、直接下部電極２３の周縁部の下部に取
り付けられている。また、この下部遮蔽板２５の外側の
周縁部は、直接真空容器２１の内部の側面に取り付けら
れている。これにより、この下部遮蔽板２５は、下部電
極２３と真空容器２１とを介して接地されている。

【００３７】遮蔽板２４，２５には、それぞれプラズマ
生成領域Ｒに存在する雰囲気を排出するための複数の排
出孔３１，３２が設けられている。これらは、図２に示
すように、例えば、円形状に形成されている。また、こ
れらは、図３に示すように異なる水平位置に形成されて
いる。さらに、これらは、全く重なることがないように
形成されている。すなわち、排出孔３１，３２は、例え
ば、上部遮蔽板２４の上方からこれらを介して下部遮蔽
板２５の下方を見通すことができないように形成されて
いる。なお、排出孔３１，３２の大きさは、プロセスの
ガス圧力とプラズマ空間電位の振幅に応じて決定され
る。

【００３８】上記真空容器２１の下面には、図１に示す
ように、排出孔３１，３２を介して下部電極２３の下側
に排出された雰囲気を真空容器２１の外部に排出するた
めの排出口３３が設けられている。

【００３９】以上が、本実施の形態のプラズマ生成装置
の構成である。なお、このプラズマ生成装置を使ってウ
ェーハに成膜処理等の処理を施す場合、すなわち、この
プラズマ生成装置をウェーハ処理装置として利用する場
合は、例えば、下部電極２３にウェーハが載置される。

【００４０】上記構成において、プラズマ生成動作を説
明する。

【００４１】プラズマを生成する場合、上部電極２２の
ガス導入部２２２を介してガス部拡散部２２１にプラズ
マ生成用のガスが導入される。ガス拡散部２２１に導入
されたガスは、このガス拡散部２２１の内部で拡散され
た後、ガス分散孔２２３を介してプラズマ生成領域Ｒに
分散される。

【００４２】また、この場合、高周波電源２８がオン状
態に設定される。これにより、電極２２，２３間に高周
波電力が印加される。その結果、プラズマ生成領域Ｒで
放電が発生させられる。これにより、プラズマ生成領域
Ｒのガス分子に走行電子が衝突し、このガス分子がイオ
ン化されたり、励起されたりする。その結果、プラズマ
生成領域Ｒにプラズマが形成される。

【００４３】また、この場合、真空容器２１の内部が排
出口３３を介して真空引きされる。これにより、プラズ
マ生成領域Ｒに存在する雰囲気は、遮蔽板２４，２５に
形成された排出孔３１，３２を介して下部電極２３の下
側に排出される。この下部電極２３の下側に排出された
雰囲気は、排出口３３を介して真空容器２１の外部に排
出される。

【００４４】以上詳述した本実施の形態によれば、次の
ような効果を得ることができる。

【００４５】（１）まず、本実施の形態によれば、下部
電極２３の周囲に遮蔽板２４，２５を設け、高周波電場
がプラズマ生成領域Ｒから漏れることがないようにこの
高周波電場を遮蔽するようにしたので、プラズマ生成領
域Ｒ以外の領域に寄生放電が発生することを防止するこ
とができる。これにより、プラズマ生成領域Ｒにおける
プラズマの生成効率を高めることができるとともに、プ
ラズマの分布の均一性を改善することができる。

【００４６】（２）また、本実施の形態によれば、２つ
の遮蔽板２４，２５にプラズマ生成領域Ｒに存在する雰
囲気を排出するための排出孔を３１，３２を設けるよう
にしたので、下部電極２３の周囲に遮蔽板２４，２５を
設けるにもかかわらず、プラズマ生成領域Ｒの排気速度
として所望の排気速度を確保することができる。

【００４７】（３）また、本実施の形態によれば、２つ
の排出孔３１，３２を異なる水平位置に形成するように
したので、プラズマ生成領域Ｒで生成されたプラズマが
プラズマ生成領域Ｒ以外の領域に拡散する場合、上部遮
蔽板２４の排気孔３１を通った荷電粒子が下部遮蔽板２
５と接触しやすくなる。これにより、荷電粒子が中和さ
れ、プラズマ生成領域Ｒで生成されたプラズマをプラズ
マ生成領域Ｒに閉じ込めることができる。その結果、プ
ラズマ生成領域Ｒにおけるプラズマの生成効率を高める
ことができる。

【００４８】（４）また、本実施の形態のよれば、２つ
の排出孔３１，３２を形成する場合、異なる水平位置に
形成するだけでなく、両者が全く重ならないように形成
したので、両者の一部が重なるように形成する場合よ
り、プラズマの閉込め効果を高めることができる。

【００４９】（５）また、本実施の形態によれば、２つ
の遮蔽板２４，２５のうち、上部遮蔽板２４をフローテ
ィング状態に設定するようにしたので、この上部遮蔽板
２４を接地状態に設定する場合より、プラズマ生成領域
Ｒにおけるプラズマ生成効率を高めることができる。

【００５０】（６）また、本実施の形態によれば、２つ
の遮蔽板２４，２５のうち、下部遮蔽板２５を接地状態
に設定するようにしたので、この下部遮蔽板２５をフロ
ーティング状態に設定する場合より、遮蔽効果を高める
ことができる。これは、下部遮蔽板２５をフローティン
グ状態に設定すると、この下部遮蔽板２５の電位がプラ
ズマ電位と一緒に揺れて寄生放電を起こす可能性がある
のに対し、接地状態に設定した場合は、このような可能
性がないからである。

【００５１】（７）また、本実施の形態によれば、遮蔽
板２４，２５を設け、この遮蔽板２４，２５に排気孔３
１，３２を設けるだけの簡単な構成により、所望の排気
速度を確保しながら、プラズマの生成効率とプラズマの
分布の均一性の改善とを図ることができるという利点が
得られる。

【００５２】なお、変形マグネトロン高周波放電プラズ
マ生成装置を用いた実験で、本実施の形態によれば、同
じプラズマ生成条件で、従来の構成よりプラズマ生成領
域Ｒにおけるプラズマ密度を倍にすることができること
が確かめられている。また、プラズマの分布の均一性も
大幅に改善することができることが確かめられている。

【００５３】以上本発明の一実施の形態を詳細に説明し
たが、本発明は、上述したような実施の形態に限定され
るものではない。

【００５４】（１）例えば、先の実施の形態によれば、
排気孔３１，３２を形成する場合、これらが全く重なら
ないように形成する場合を説明した。しかし、本発明
は、図４に示すように、これらを全体的に重なるのでな
ければ、一部が重なるように形成するようにしてもよ
い。

【００５５】このような構成によれば、排気孔３１，３
２が全く重ならないように構成する場合より、排気速度
として所望の速度を確保するための設計が容易となる。

【００５６】（２）また、先の実施の形態によれば、上
部遮蔽板（プラズマ生成領域Ｒ側の遮蔽板）２４をフロ
ーティング状態に設定する場合を説明した。しかし、本
発明では、これを接地状態に設定するようにしてもよ
い。これは、例えば、図５に示すように、遮蔽板２４を
絶縁体２９，３１を介さず直接下部電極２３や真空容器
２１に取り付けることにより可能である。

【００５７】このような構成によれば、上部遮蔽板２４
をフローティング状態に設定する場合より、高周波電場
の遮蔽効果を高めることができるとともに、高いガス圧
力まで対処することができる。

【００５８】（３）また、先の実施の形態では、排気孔
として円形の孔を形成する場合を説明した。しかし、本
発明は、円形以外の形状の孔を形成するようにしてもよ
い。例えば、細長い孔、すなわち、スリットを形成する
ようにしてもよい。

【００５９】（４）また、先の実施の形態では、遮蔽板
として２枚の遮蔽板２４，２５を設ける場合を説明し
た。しかし、本発明は、３枚以上の遮蔽板を設けるよう
にしてもよい。

【００６０】（５）また、先の実施の形態では、本発明
を放電方式として平行平板容量結合方式を用いるプラズ
マ生成装置に適用する場合を説明した。しかし、本発明
は、これ以外の容量結合方式を用いるプラズマ生成装置
にも適用することができる。また、本発明は、容量結合
方式以外の放電方式、例えば、ＥＣＲ方式、ＩＣＰ方
式、へリコン波方式、ＵＨＦ方式等を用いるプラズマ生
成装置にも適用することができる。

【００６１】（６）また、先の実施の形態では、本発明
を放電電源として高周波電源を用いるプラズマ生成装置
に適用する場合を説明した。しかし、本発明は、これ以
外の電源、例えば、直流電源を用いるプラズマ生成装置
にも適用することができる。

【００６２】（７）このほかにも、本発明は、その要旨
を逸脱しない範囲で種々様々変形実施可能なことは勿論
である。

【００６３】

【発明の効果】以上詳述したように請求項１記載のプラ
ズマ生成装置によれば、複数の遮蔽板によって放電電場
がプラズマ生成領域から漏れることがないようにこの放
電電場を遮蔽するようにしたので、プラズマ生成領域以
外の領域に寄生放電が発生することを防止することがで
きる。これにより、プラズマ生成領域におけるプラズマ
の生成効率を高めることができるとともに、プラズマの
分布の均一性を改善することができる。

【００６４】また、この請求項１記載のプラズマ生成装
置によれば、複数の遮蔽板にプラズマ生成領域に存在す
る雰囲気を排出するための排出孔を設けるようにしたの
で、遮蔽板を設けるにもかかわらず、プラズマ生成領域
の排気速度として所望の排気速度を確保することができ
る。

【００６５】また、この請求項１記載のプラズマ生成装
置によれば、複数の遮蔽板に排出孔を形成する場合、こ
れらが全体的に重なることがないように形成したので、
プラズマ生成領域で生成されたプラズマがプラズマ生成
領域以外の領域に拡散する場合、荷電粒子が遮蔽板と接
触しやすくすることができる。これにより、荷電粒子が
中和され、プラズマ生成領域で生成されたプラズマをプ
ラズマ生成領域に閉じ込めることができるので、プラズ
マ生成領域におけるプラズマの生成効率を高めることが
できる。

【００６６】また、請求項２記載のプラズマ生成装置に
よれば、遮蔽板として２つの遮蔽板を設け、プラズマ生
成領域側の遮蔽板をフローティング状態に設定するよう
にしたので、この遮蔽板を接地状態に設定する場合よ
り、プラズマ生成領域におけるプラズマ生成効率を高め
ることができる。

【００６７】また、この請求項２記載のプラズマ生成装
置によれば、２つの遮蔽板のうち、プラズマ生成領域側
とは反対側の遮蔽板を接地状態に設定するようにしたの
で、この遮蔽板をフローティング状態に設定する場合よ
り、遮蔽効果を高めることができる。

【００６８】また、請求項３記載のプラズマ生成装置に
よれば、遮蔽板として２つの遮蔽板を設け、これらをい
ずれも接地状態に設定するようにしたので、プラズマ生
成領域側の遮蔽板をフローティング状態に設定する場合
より、放電電場の遮蔽効果を高めることができるととも
に、高いガス圧力まで対処することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態の構成を示す側断面図で
ある。

【図２】本発明の一実施の形態の構成を示す平面図であ
る。

【図３】本発明の一実施の形態の構成の一部を拡大して
示す側断面図である。

【図４】本発明の他の実施の形態の構成の一部を拡大し
て示す側断面図である。

【図５】本発明のさらに他の実施の形態の構成の一部を
拡大して示す側断面図である。

【図６】従来のプラズマ生成装置の構成を示す側断面図
である。

【符号の説明】

２１…真空容器、２２…上部電極、２３…下部電極、２
４，２５…遮蔽板、２６，２９，３０…絶縁体、２７…
直流阻止コンデンサ、２８…高周波電源、３１，３２…
排出孔、３３…排出口。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ // Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ガス分子が存在するプラズマ生成領域で
   放電を発生させ、この放電によって発生した走行電子が
   前記ガス分子に衝突してこのガス分子をイオン化した
   り、励起したりすることを利用してプラズマを生成する
   プラズマ生成装置において、 内部に前記プラズマ生成領域が設定される真空容器と、 この真空容器の内部に設定された前記プラズマ生成領域
   にプラズマ生成用のガスを導入するガス導入手段と、 前記真空容器の内部に設定された前記プラズマ生成領域
   で放電を発生させる放電手段と、 複数の遮蔽板によって放電電場が前記プラズマ生成領域
   から漏れることがないようにこの放電電場を遮蔽する遮
   蔽手段と、 前記複数の遮蔽板のそれぞれに互いに全体的に重なるこ
   とがないように形成された複数の排気孔を介して前記プ
   ラズマ生成領域に存在する雰囲気を排出する排気手段と
   を備えたことを特徴とするプラズマ生成装置。
2. 【請求項２】 前記遮蔽板は２枚設けられ、この２枚の
   遮蔽板のうち、前記プラズマ生成領域側の遮蔽板がフロ
   ーティング状態に設定され、前記プラズマ生成領域側と
   は反対側の遮蔽板が接地状態に設定されていることを特
   徴とする請求項１記載のプラズマ生成装置。
3. 【請求項３】 前記遮蔽板は２枚設けられ、この２枚の
   遮蔽板はいずれも接地状態に設定されていることを特徴
   とする請求項１記載のプラズマ生成装置。