JPH07161490A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH07161490A JPH07161490A JP5311408A JP31140893A JPH07161490A JP H07161490 A JPH07161490 A JP H07161490A JP 5311408 A JP5311408 A JP 5311408A JP 31140893 A JP31140893 A JP 31140893A JP H07161490 A JPH07161490 A JP H07161490A
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- processing
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32697—Electrostatic control
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Abstract
(57)【要約】
【目的】中性粒子で被処理物であるウェーハ１２を処理
するプラズマ処理装置において、プラズマ室９で発生す
るプラズマ密度を高め、下部電極６より取出される均一
濃度の中性粒子でウェーハ１２を短時間で処理する。 【構成】誘電体線路４によりプラズマ室９内にマイクロ
波を導入し、大面積で、且つ高密度なプラズマを発明さ
せる。更に、プラズマ処理室から放出されるイオンを中
性化するために、誘電体線路４の下側にマイクロ波放射
口１４を有した上部電極５と、プラズマ室９から処理室
１０へ微小粒子を通過させる多数の孔６ａを有した下部
電極６を具備し、上記一組の電極に粒子を加速するため
の電源部１３を備え、イオンがこの孔６ａを通過中に起
こる、イオンの電極に対する衝突により発生した２次電
子との再結合、もしくは、オージェ電子放出過程による
中性化により中性粒子ビームを得てウェーハ１２を処理
する。
するプラズマ処理装置において、プラズマ室９で発生す
るプラズマ密度を高め、下部電極６より取出される均一
濃度の中性粒子でウェーハ１２を短時間で処理する。 【構成】誘電体線路４によりプラズマ室９内にマイクロ
波を導入し、大面積で、且つ高密度なプラズマを発明さ
せる。更に、プラズマ処理室から放出されるイオンを中
性化するために、誘電体線路４の下側にマイクロ波放射
口１４を有した上部電極５と、プラズマ室９から処理室
１０へ微小粒子を通過させる多数の孔６ａを有した下部
電極６を具備し、上記一組の電極に粒子を加速するため
の電源部１３を備え、イオンがこの孔６ａを通過中に起
こる、イオンの電極に対する衝突により発生した２次電
子との再結合、もしくは、オージェ電子放出過程による
中性化により中性粒子ビームを得てウェーハ１２を処理
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ処理装置に関
し、特に中性粒子で被処理物を処理するプラズマ処理装
置に関する。
し、特に中性粒子で被処理物を処理するプラズマ処理装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造において、ドライエッ
チング技術は、微細加工手段として広く用いられてい
る。一般に、ドライエッチングでは、エッチングガスを
高周波で励起し、得られた活性な粒子を用い被処理表面
の処理を行うものである。特にエッチング工程に於いて
は、励起された粒子のなかでイオンを電界により加速し
処理基板に衝突させることにより、異方性エッチングが
可能となり、パターンの加工精度を得ることができる。
チング技術は、微細加工手段として広く用いられてい
る。一般に、ドライエッチングでは、エッチングガスを
高周波で励起し、得られた活性な粒子を用い被処理表面
の処理を行うものである。特にエッチング工程に於いて
は、励起された粒子のなかでイオンを電界により加速し
処理基板に衝突させることにより、異方性エッチングが
可能となり、パターンの加工精度を得ることができる。
【０００３】しかしながら、電荷を持ったイオンでエッ
チングする場合、被処理体表面がチャージを帯びること
となり、このチャージアップが原因となる素子の破壊が
発生する。即ち、素子の信頼性を低下させる問題があ
る。従って、良好な異方性を確保しつつ、信頼性の高い
エッチングを行うためには、方向性の揃って電気的に中
性な活性種によるエッチングが不可欠となる。
チングする場合、被処理体表面がチャージを帯びること
となり、このチャージアップが原因となる素子の破壊が
発生する。即ち、素子の信頼性を低下させる問題があ
る。従って、良好な異方性を確保しつつ、信頼性の高い
エッチングを行うためには、方向性の揃って電気的に中
性な活性種によるエッチングが不可欠となる。
【０００４】図２は従来のプラズマ処理装置の一例にお
ける構成を示す図である。この目的を達成するための装
置として特開平４−３４３４２１号公報に開示されてい
る。そこで、この装置について、図２を参照し説明す
る。このプラズマ処理装置は、プラズマ室２０とエッチ
ング室２２とがマイクロチャネル板２４で仕切られてい
る。このマイクロチャネル板２４には微細なマイクロチ
ャネル孔２４Ａが貫通され、且つ、その両面には第一表
面電極３４と第二表面電極３６とが付設されている。
ける構成を示す図である。この目的を達成するための装
置として特開平４−３４３４２１号公報に開示されてい
る。そこで、この装置について、図２を参照し説明す
る。このプラズマ処理装置は、プラズマ室２０とエッチ
ング室２２とがマイクロチャネル板２４で仕切られてい
る。このマイクロチャネル板２４には微細なマイクロチ
ャネル孔２４Ａが貫通され、且つ、その両面には第一表
面電極３４と第二表面電極３６とが付設されている。
【０００５】また、この装置の動作は、まずプラズマ室
２０にエッチングガスがガス導入孔２６より導入し高周
波電源３０によりプラズマを発生させる。これととも
に、電子像倍用電源３８第一及び第二表面電極の間に電
圧を加え、プラズマ中のラジカル等の中性粒子はマイク
ロチャネル孔を通って被処理体３２に中性ビームとして
入射される。また、その他の正イオンは、マイクロチャ
ネル孔２４の電子増倍効果により中性化され中性ビーム
として被処理体２４に入射される。
２０にエッチングガスがガス導入孔２６より導入し高周
波電源３０によりプラズマを発生させる。これととも
に、電子像倍用電源３８第一及び第二表面電極の間に電
圧を加え、プラズマ中のラジカル等の中性粒子はマイク
ロチャネル孔を通って被処理体３２に中性ビームとして
入射される。また、その他の正イオンは、マイクロチャ
ネル孔２４の電子増倍効果により中性化され中性ビーム
として被処理体２４に入射される。
【０００６】マイクロチャネル孔２４中における中性化
過程は、次のように説明される。まず、プラズマ室中の
遊離電子がマイクロチャネル内に導入されるかもしくは
イオンがマイクロチャネル内に導入された場合に、２次
電子が発生することにより、電子倍増効果が発生し、マ
イクロチャネル内の電子数が飛躍的に増加する。マイク
ロチャネル内に導入されたイオンは、この電子と再結合
することにより中性化されることとなる。
過程は、次のように説明される。まず、プラズマ室中の
遊離電子がマイクロチャネル内に導入されるかもしくは
イオンがマイクロチャネル内に導入された場合に、２次
電子が発生することにより、電子倍増効果が発生し、マ
イクロチャネル内の電子数が飛躍的に増加する。マイク
ロチャネル内に導入されたイオンは、この電子と再結合
することにより中性化されることとなる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したプラズマ処理
装置に於ては、中性粒子によりエッチングが行われると
いう特徴を有している。しかしながら、このような従来
のエッチング装置では、プラズマを発生させるのに、プ
ラズマ室での十分なプラズマ密度が得られない。従っ
て、取出されるイオン密度及び活性種の濃度がひくく、
実用的なエッチング速度、もしくは、処理速度が得られ
ない。
装置に於ては、中性粒子によりエッチングが行われると
いう特徴を有している。しかしながら、このような従来
のエッチング装置では、プラズマを発生させるのに、プ
ラズマ室での十分なプラズマ密度が得られない。従っ
て、取出されるイオン密度及び活性種の濃度がひくく、
実用的なエッチング速度、もしくは、処理速度が得られ
ない。
【０００８】従って、本発明の目的は濃度の高いプラズ
マ密度が得られ均一性の高い中性粒子を取出し高速に処
理できるプラズマ処理装置を提供することである。
マ密度が得られ均一性の高い中性粒子を取出し高速に処
理できるプラズマ処理装置を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、複数の
微小な孔を有する陰極電極部でプラズマ室と処理室とに
仕切られるとともに処理ガスを導入し排気する排気口を
もつチャンバと、前記プラズマ室側に配置される板状の
誘電体線路部材と、この誘電体線路部材を覆うとともに
マイクロ波を導出する複数のマイクロ波放射口を有する
陽極電極部と、前記誘電体線路部材の一端からマイクロ
波を導入するマイクロ波発生部と、前記処理室に配置さ
れ被処理物を載置する処理台と、前記陽極電極部と前記
陰極電極部との間に電圧を印加する電源部とを備えるブ
ラズマ処理装置である。
微小な孔を有する陰極電極部でプラズマ室と処理室とに
仕切られるとともに処理ガスを導入し排気する排気口を
もつチャンバと、前記プラズマ室側に配置される板状の
誘電体線路部材と、この誘電体線路部材を覆うとともに
マイクロ波を導出する複数のマイクロ波放射口を有する
陽極電極部と、前記誘電体線路部材の一端からマイクロ
波を導入するマイクロ波発生部と、前記処理室に配置さ
れ被処理物を載置する処理台と、前記陽極電極部と前記
陰極電極部との間に電圧を印加する電源部とを備えるブ
ラズマ処理装置である。
【００１０】
【実施例】図１は本発明のプラズマ処理装置の一実施例
における構成を示す模式断面図である。
における構成を示す模式断面図である。
【００１１】このプラズマ処理装置は、図１に示すよう
に、複数の微小な孔６ａを有する下部電極６でプラズマ
室９と処理室１０とに仕切られるとともに処理ガスを導
入し排気する排気口３をもつチャンバ１と、プラズマ室
９の蓋２に接して配置される誘電体線路４であるテフロ
ン製の板部材と、この板状の誘電体線路４を覆いマイク
ロ波を導出する複数のマイクロ波放射口１４を有する上
部電極５と、誘電体線路の４の一端に導波管８を介して
取付けられるマイクロ波電源部７と、下部電極６の下方
に配置され被処理物であるウェーハ１２を載置する処理
台１１と、上部電極５と下部電極６との間に電圧を印加
する電源部１３とを備えている。
に、複数の微小な孔６ａを有する下部電極６でプラズマ
室９と処理室１０とに仕切られるとともに処理ガスを導
入し排気する排気口３をもつチャンバ１と、プラズマ室
９の蓋２に接して配置される誘電体線路４であるテフロ
ン製の板部材と、この板状の誘電体線路４を覆いマイク
ロ波を導出する複数のマイクロ波放射口１４を有する上
部電極５と、誘電体線路の４の一端に導波管８を介して
取付けられるマイクロ波電源部７と、下部電極６の下方
に配置され被処理物であるウェーハ１２を載置する処理
台１１と、上部電極５と下部電極６との間に電圧を印加
する電源部１３とを備えている。
【００１２】このプラズマ処理装置の動作プラズマ室９
内において、まず、広い範囲に散在するマイクロ波放出
口１４より一様にマイクロ波が導出され密度の高いプラ
ズマを発生させる。そして下部電極６の微小な孔６ａを
通して活性種が処理室１０に供給される。ここで２枚の
電極には、下部電極６が負となるように直流電源である
電源部１３が接続され、通過するイオンは処理台１１方
向に加速される。また、イオンが陰極である下部電極６
の孔６ａを通過中に起こるイオンの電極に対する衝突に
より発生した２次電子との再結合、もしくは、オージェ
電子放出過程によって引き出されるイオンは中性化し下
方に加速された中性粒子ビームを得られる。
内において、まず、広い範囲に散在するマイクロ波放出
口１４より一様にマイクロ波が導出され密度の高いプラ
ズマを発生させる。そして下部電極６の微小な孔６ａを
通して活性種が処理室１０に供給される。ここで２枚の
電極には、下部電極６が負となるように直流電源である
電源部１３が接続され、通過するイオンは処理台１１方
向に加速される。また、イオンが陰極である下部電極６
の孔６ａを通過中に起こるイオンの電極に対する衝突に
より発生した２次電子との再結合、もしくは、オージェ
電子放出過程によって引き出されるイオンは中性化し下
方に加速された中性粒子ビームを得られる。
【００１３】このように、広い面積から放射されるマイ
クロ波をプラズマ発生手段として用いているので、従来
ではプラズマ密度が１０11／ｃｍ3 に対し１０13／ｃｍ
3 という二桁も高いプラズマ密度が得られる。その結
果、引き出される中性化したイオンを均一に高い密度が
得られるので、高いエッチング速度が得られる。
クロ波をプラズマ発生手段として用いているので、従来
ではプラズマ密度が１０11／ｃｍ3 に対し１０13／ｃｍ
3 という二桁も高いプラズマ密度が得られる。その結
果、引き出される中性化したイオンを均一に高い密度が
得られるので、高いエッチング速度が得られる。
【００１４】また、電源部１２に直流電源を使用した
が、直流電源に変え、高周波電源を用いても、中性粒子
による処理が十分行え得た。
が、直流電源に変え、高周波電源を用いても、中性粒子
による処理が十分行え得た。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、中性粒子
を用いるプラズマ処理装置に於いて、プラズマを発生さ
せる手段としてマイクロ波を用い、装置内にマイクロ波
を導入する導波路として広い放射面積をもつ誘電体線路
を用いることにより、大面積にわたり均一な密度の高い
プラズマを形成し、このプラズマから、２枚の電極を用
い中性粒子を取り出すことにより均一性の高い中性粒子
ビームを得ることによって、被処理物を高速で処理でき
るという効果がある。
を用いるプラズマ処理装置に於いて、プラズマを発生さ
せる手段としてマイクロ波を用い、装置内にマイクロ波
を導入する導波路として広い放射面積をもつ誘電体線路
を用いることにより、大面積にわたり均一な密度の高い
プラズマを形成し、このプラズマから、２枚の電極を用
い中性粒子を取り出すことにより均一性の高い中性粒子
ビームを得ることによって、被処理物を高速で処理でき
るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のプラズマ処理装置の一実施例における
構成を示す模式断面図である。
構成を示す模式断面図である。
【図２】従来のプラズマ処理装置の一例における構成を
示す模式断面図である。
示す模式断面図である。
１ チャンバ ２ 蓋 ３ 排気口 ４ 誘電体線路 ５ 上部電極 ６ 下部電極 ６ａ 孔 ７ マイクロ波電源 ８ 導波管 ９ プラズマ室 １０ 処理室 １１ 処理台 １２ ウェーハ １３ 電源部 ２０ プラズマ室 ２２ エッチング室 ２４ マイクロチャネル板 ２４Ａ マイクロチャンネル孔 ２６ ガス導入口 ３０ 高周波電源 ３２ 被処理体 ３４ 第一表面電極 ３６ 第二表面電極 ３８ 電子増倍用電源
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０５Ｈ 3/00 9014−2Ｇ
Claims (1)
- 【請求項１】 複数の微小な孔を有する陰極電極部でプ
ラズマ室と処理室とに仕切られるとともに処理ガスを導
入し排気する排気口をもつチャンバと、前記プラズマ室
側に配置される板状の誘電体線路部材と、この誘電体線
路部材を覆うとともにマイクロ波を導出する複数のマイ
クロ波放射口を有する陽極電極部と、前記誘電体線路部
材の一端からマイクロ波を導入するマイクロ波発生部
と、前記処理室に配置され被処理物を載置する処理台
と、前記陽極電極部と前記陰極電極部との間に電圧を印
加する電源部とを備えることを特徴とするブラズマ処理
装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5311408A JP2611732B2 (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | プラズマ処理装置 |
| US08/351,517 US5614025A (en) | 1993-12-13 | 1994-12-07 | Plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5311408A JP2611732B2 (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161490A true JPH07161490A (ja) | 1995-06-23 |
| JP2611732B2 JP2611732B2 (ja) | 1997-05-21 |
Family
ID=18016846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5311408A Expired - Fee Related JP2611732B2 (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | プラズマ処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5614025A (ja) |
| JP (1) | JP2611732B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0749149A2 (en) * | 1995-06-15 | 1996-12-18 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Plasma processing apparatus |
| EP0749148A2 (en) * | 1995-06-15 | 1996-12-18 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Plasma processing apparatus |
| KR101052062B1 (ko) * | 2006-12-13 | 2011-07-26 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 방사선 시스템 및 리소그래피 장치 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2921499B2 (ja) * | 1996-07-30 | 1999-07-19 | 日本電気株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP2001023959A (ja) * | 1999-07-05 | 2001-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置 |
| JP3650025B2 (ja) * | 2000-12-04 | 2005-05-18 | シャープ株式会社 | プラズマプロセス装置 |
| KR100883697B1 (ko) * | 2002-11-20 | 2009-02-13 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
| US20160013020A1 (en) * | 2014-07-14 | 2016-01-14 | Lam Research Corporation | Systems and methods for producing energetic neutrals |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63106768U (ja) * | 1986-12-29 | 1988-07-09 | ||
| JPH04117437U (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-21 | 住友金属工業株式会社 | マイクロ波プラズマ装置 |
| JP3006829U (ja) * | 1994-07-15 | 1995-01-31 | パール金属株式会社 | バーベキュー用コンロ |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5364519A (en) * | 1984-11-30 | 1994-11-15 | Fujitsu Limited | Microwave plasma processing process and apparatus |
| JPH0387372A (ja) * | 1988-07-22 | 1991-04-12 | Canon Inc | 堆積膜形成方法 |
| DE3830249A1 (de) * | 1988-09-06 | 1990-03-15 | Schott Glaswerke | Plasmaverfahren zum beschichten ebener substrate |
| JP2993675B2 (ja) * | 1989-02-08 | 1999-12-20 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理方法及びその装置 |
| US5134965A (en) * | 1989-06-16 | 1992-08-04 | Hitachi, Ltd. | Processing apparatus and method for plasma processing |
| KR910016054A (ko) * | 1990-02-23 | 1991-09-30 | 미다 가쓰시게 | 마이크로 전자 장치용 표면 처리 장치 및 그 방법 |
| JPH04343421A (ja) * | 1991-05-21 | 1992-11-30 | Kawasaki Steel Corp | プラズマ処理装置 |
| JPH0521393A (ja) * | 1991-07-11 | 1993-01-29 | Sony Corp | プラズマ処理装置 |
-
1993
- 1993-12-13 JP JP5311408A patent/JP2611732B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-12-07 US US08/351,517 patent/US5614025A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63106768U (ja) * | 1986-12-29 | 1988-07-09 | ||
| JPH04117437U (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-21 | 住友金属工業株式会社 | マイクロ波プラズマ装置 |
| JP3006829U (ja) * | 1994-07-15 | 1995-01-31 | パール金属株式会社 | バーベキュー用コンロ |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0749149A2 (en) * | 1995-06-15 | 1996-12-18 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Plasma processing apparatus |
| EP0749148A2 (en) * | 1995-06-15 | 1996-12-18 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Plasma processing apparatus |
| EP0749148A3 (en) * | 1995-06-15 | 1999-01-20 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Plasma processing apparatus |
| EP0749149A3 (en) * | 1995-06-15 | 1999-01-20 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Plasma processing apparatus |
| US5911852A (en) * | 1995-06-15 | 1999-06-15 | Sumitomo Metal Industries Limited | Plasma processing apparatus |
| KR101052062B1 (ko) * | 2006-12-13 | 2011-07-26 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 방사선 시스템 및 리소그래피 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2611732B2 (ja) | 1997-05-21 |
| US5614025A (en) | 1997-03-25 |
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