CN116417325A - 电浆产生单元及以该电浆产生单元处理基板的设备 - Google Patents

电浆产生单元及以该电浆产生单元处理基板的设备 Download PDF

Info

Publication number
CN116417325A
CN116417325A CN202210618736.XA CN202210618736A CN116417325A CN 116417325 A CN116417325 A CN 116417325A CN 202210618736 A CN202210618736 A CN 202210618736A CN 116417325 A CN116417325 A CN 116417325A
Authority
CN
China
Prior art keywords
plasma
antenna
unit
chamber
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210618736.XA
Other languages
English (en)
Inventor
朴钟佑
尹星进
金雅兰
梁秀荣
金知胜
张有镇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
PSK Inc
Original Assignee
PSK Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by PSK Inc filed Critical PSK Inc
Publication of CN116417325A publication Critical patent/CN116417325A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H01J37/32119—Windows
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32522—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32651—Shields, e.g. dark space shields, Faraday shields
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H05H1/4645—Radiofrequency discharges
    • H05H1/4652—Radiofrequency discharges using inductive coupling means, e.g. coils
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/327—Arrangements for generating the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

本发明提供一种电浆产生单元及以该电浆产生单元处理基板的设备。基板处理设备包含提供用于处理基板的处理空间的制程处理单元；及提供于前述制程处理单元上方且由制程气体产生电浆的电浆产生单元，且其中，前述电浆产生单元包含具有形成于其中的放电空间的电浆腔室；围绕前述电浆腔室的外侧且使高频电流从其间流过的天线；以及围绕前述天线的外侧的包覆构件，且其中，前述包覆构件是接地的。

Description

电浆产生单元及以该电浆产生单元处理基板的设备
技术领域
本文所述之本发明实施例关于一种电浆产生单元及用其处理基板的设备，特别是关于使用电浆处理基板的设备。
背景技术
电浆是指由离子、自由基和电子构成的离子化气体状态。电浆是藉由高温、强电场或高频RF电磁场产生。半导体装置制造制程包含使用电浆移除基板上的薄膜的灰化制程或蚀刻制流。灰化制程或蚀刻制程是藉由使包含于电浆中的离子或自由基粒子与基板上的薄膜碰撞或反应而执行。
缠绕有复数个线圈的天线被提供于产生电浆的电浆源。天线包含输入端，对其施加高频电源、及接地的终端端子。天线的输入端具有与天线的终端端子相比相对强的高频电源的量值，因此，在相邻于天线的输入端的区域及相邻于天线的终端端子的区域之间产生的电磁场强度是不同的。据此，在电浆腔室中产生的电浆是不对称地形成。这造成了在基板上工作的电浆的不对称且成为阻碍基板处理制程均匀性的因素。
发明内容
本发明实施例提供电浆产生单元及以该电浆产生单元处理基板的设备，以有效在基板上实施电浆处理。
本发明实施例提供电浆产生单元及以该电浆产生单元处理基板的设备，以最小化电浆的不对称性。
本发明实施例提供电浆产生单元及以该电浆产生单元处理基板的设备，以最小化在电浆腔室的外部结构的天线处产生的电磁场的影响。
本发明实施例提供电浆产生单元及以该电浆产生单元处理基板的设备，以最小化由于电浆的产生而造成电浆腔室的热量。
本发明的技术目标并不局限于上述目标，其他未被提及的技术目标对于本领域的技术人员来说，能从以下描述中可以知悉。
本发明提供一种基板处理设备。基板处理设备包括制程处理单元，前述制程处理单元提供用于处理基板的处理空间；以及电浆产生单元，前述电浆产生单元提供于前述制程处理单元上方且由制程气体产生电浆，其中，前述电浆产生单元包含：电浆腔室，前述电浆腔室具有形成于其中的放电空间；天线，前述天线围绕前述电浆腔室的外侧且使高频电流从其间流过；及包覆构件，前述包覆构件围绕前述天线的外侧，且其中，前述包覆构件是接地的。
在一实施例中，前述包覆构件具有槽孔，前述槽孔从前述包覆构件的顶端延伸至前述包覆构件的底端。
在一实施例中，前述槽孔以复数个提供，复数个前述槽孔在围绕前述天线的方向上彼此间隔开安装。
在一实施例中，前述包覆构件的纵向方向的长度等于或大于前述天线的纵向方向的长度。
在一实施例中，前述电浆产生单元进一步包括风扇单元，前述风扇单元供应气流至前述包覆构件及前述电浆腔室之间的空间。
在一实施例中，前述风扇单元设置于前述包覆构件处且在不与前述槽孔重迭的位置。
在一实施例中，前述天线包含线圈部，前述线圈部以复数个匝数围绕前述电浆腔室，且前述线圈部具有用以接地的接地端子、及用以供应高频电源(high frequencypower)的电源端子。
在一实施例中，前述线圈部包含复数个线圈，并且复数个线圈中的每一个独立地连接至前述电源端子及前述接地端子。
在一实施例中，前述电浆产生单元进一步包含屏蔽构件，其定位于前述天线及前述电浆腔室之间且是接地的。
在一实施例中，前述包覆构件当由上方看时具有圆盘形状。
在一实施例中，前述包覆构件当由上方看时具有多边形形状。
本发明提供一种电浆产生单元，其提供于使用电浆的基板处理设备中。前述电浆产生单元包括电浆腔室，前述电浆腔室具有形成于其中的放电空间；天线，前述天线围绕前述电浆腔室的外侧且使高频电流从其间流过；以及包覆构件，前述包覆构件围绕前述天线的外侧，且其中，前述包覆构件经接地以产生与前述高频电流的方向为相反的感应电流。
在一实施例中，前述包覆构件具有槽孔，前述槽孔沿着前述屏蔽构件的纵轴方向延伸。
在一实施例中，前述槽孔提供有复数个，复数个槽孔在围绕前述天线的方向上彼此间隔开安装。
在一实施例中，电浆产生单元进一步包含风扇单元，前述风扇单元供应气流至前述包覆构件及前述电浆腔室之间的空间，以冷却前述电浆腔室。
在一实施例中，前述天线包含线圈部，前述线圈部围绕前述电浆腔室多次，且前述线圈部具有用以接地的接地端子、及用以供应高频电源的电源端子。
在一实施例中，前述线圈部包含复数个线圈，并且复数个前述线圈中的每一个独立地连接至前述电源端子及前述接地端子。
在一实施例中，前述包覆构件的纵向方向的长度等于或大于前述天线的纵向方向的长度。
在一实施例中，当由上方看时，前述包覆构件具有多边形形状。
本发明提供一种基板处理设备。该基板处理设备包括制程处理单元，前述制程处理单元用于处理基板；以及电浆产生单元，前述电浆产生单元定位于前述制程处理单元上方，用于藉由激活气体而产生电浆，且其中，前述制程处理单元包含：壳体，前述壳体具有处理空间；及支撑单元，前述支撑单元安装于前述处理空间中且支撑基板，其中，前述电浆产生单元包含：电浆腔室，前述电浆腔室具有形成于其中的放电空间；天线，前述天线围绕前述电浆腔室的外侧且使高频电流从其间流过；及包覆构件，前述包覆构件围绕前述天线的外侧且是接地的，且其中，前述包覆构件具有至少一个槽孔从前述包覆构件的顶端延伸至前述包覆构件的底端。
根据本发明一实施例，可以执行有效处理基板的电浆处理。
根据本发明一实施例，可以最小化电浆的不对称性。
根据本发明一实施例，可以最小化在天线处产生的影响电浆腔室的外部结构的电磁场。
根据本发明一实施例，可以最小化由于电浆的产生而造成对电浆腔室的加热。
本发明的效果不限于上述效果，未被提及的效果将由本领域中具有通常知识者从本说明书和随附图式中清楚地了解。
附图说明
通过参考以下图式的以下描述，上述和其他目的和特征将变得显而易见，其中除非另有说明，否则相同的附图标记在各个图式中指代表相同的部分。
图1是根据本发明实施例的基板处理设备的示意图。
图2是根据本发明实施例制程腔室在图1中的基板处理设备的电浆腔室中实施电浆处理制程的示意图。
图3是根据图2的实施例的包覆构件的俯视示意图。
图4是根据图2的实施例的包覆构件的立体示意图。
图5是根据图2的实施例说明电流于天线及包覆构件中流动的状态的示意图。
图6是形成于图2的制程腔室内的电浆的俯视图。
图7是根据图2的另一实施例的包覆构件的立体示意图。
图8至图10是根据图2的另一实施例的包覆构件的俯视示意图。
符号说明
100：制程处理单元
101：处理空间
11：第一方向
110：壳体
112：排出孔
12：第二方向
120：支撑单元
13：第三方向
130：挡板
132：挡板孔
140：排出挡板
142：排出孔
20：装备前端模块
200：排出单元
21：装载埠
210：排出管线
22：支撑单元
220：减压构件
23：输送框
25：第一转运机器人
27：输送轨道
30：处理模块
300：电浆产生单元
301：放电空间
310：电浆腔室
315：气体供应埠
320：气体供应单元
322：气体供应管
324：气体供应源
330：电浆产生单元
340：天线
345：电源端子
346：接地端子
350：电源模块
351：电源
360：包覆构件
362：槽孔
363：第一槽孔
364：第二槽孔
370：屏蔽构件
380：风扇单元
40：装载锁定腔室
400：扩散单元
401：扩散空间
50：输送腔室
55：第二转运机器人
60：制程腔室
C：载体
W：基板
具体实施方式
本发明可以进行各种修改并具有各种形式，并且将在图式中示出且详细描述其具体实施例。然而，根据本发明的实施例并不旨在限制具体公开的形式，且应当理解为本发明包含在本发明的精神和技术范围中的所有转换、相同和取代的概念。在本发明的描述中，当相关已知技术的详细描述可能使本发明构思的本质不清楚时，可以省略其详细描述。
本文所使用的术语仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限定本发明。如本文所使用的单数形式的术语“一个”和“该/所述”还包含复数形式，除非上下文清楚指出并非如此。还应当理解的是，本文所使用的术语“包含”、“包括”是指存在所述的特征、整体、步骤、操作、组件、和/或组件，但是不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、组件、和/或以上的组合。如本文所使用的术语“和/或”包括所列出的相关项目中的任意一个或多个、或者它们的所有组合。此外，术语“示例性”旨在指代示例或说明。
应当理解，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可用于描述各种组件、组件、区域、层和/或部分，但是这些组件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元素、组件、区域、层或部分与另一个区域、层或部分区分开来。因此，在不背离本发明的教示情况下，下面讨论的第一组件、组件、区域、层或部分可以被称为第二组件、组件、区域、层或部分。
于此，将参考图1至图10详细描述本发明一实施例。
图1是根据本发明实施例的基板处理设备的示意图。参阅图1，基板处理设备1包含装备前端模块(EFFM)20及处理模块30。装备前端模块20及处理模块30是排列设置。于此，装备前端模块20及处理模块30排列设置的方向定义为第一方向11。此外，垂直于第一方向11的方向定义为第二方向12，并且垂直于第一方向11及第二方向12的方向定义为第三方向13。
装备前端模块20具有装载端口21及输送框23。装载埠21设置于第一方向11在装备前端模块20之前。装载端口21具有支撑单元22。可提供复数个支撑单元22。各个支撑单元22可被排列在第二方向12。在支撑单元22中，载体C(如卡匣、FOUP等)是坐落在将被提供于制程中的基板W及在完成处理被储存的基板W中。输送框23是设置于装载端口21及处理模块30之间。输送框23可具有内部空间。装载埠21及第一转运机器人25可在装载端口21及处理模块30之间输送基板W。第一转运机器人25可沿着提供在第二方向12中的输送轨道27移动，以在载体C及处理模块30之间输送基板W。
处理模块30可包含装载锁定腔室40、输送腔室50及制程腔室60。
装载锁定腔室40邻近于输送框架23设置。例如，装载锁定腔室40可设置于输送腔室50及装备前端模块20之间。在将被提供于制程中的基板W输送至制程腔室60之前，或在完成处理的基板W输送至装备前端模块20之前，装载锁定腔室40提供备用的空间。
输送腔室50邻近于装载锁定腔室40设置。输送腔室50当由上方看时可具有多边形主体。例如，输送腔室50当由上方看时可具有五边形主体。在主体外侧，装载锁定腔室40及复数个制程腔室60可沿着主体的周围设置。基板W进入及离开通过的信道(未图标)可形成于主体的各个侧壁。信道(未图标)可将输送腔室50连接至装载锁定腔室40或制程腔室60。开启及关闭信道(未图标)以封闭其中的门(未图示)可提供于各个信道(未图标)。
用于装载锁定腔室40及制程腔室60之间输送基板W的第二转运机器人55设置于输送腔室50的内部空间中。第二转运机器人55可将未被处理且于装载锁定腔室40中等待的基板W输送至制程腔室60。第二转运机器人55可输送已完成处理的基板W至装载锁定腔室40。此外，第二转运机器人55可于复数个制程腔室60之间输送基板W，以连续地将基板W提供至复数个制程腔室60。
在一实施例中，当输送腔室50具有如图1所示的五边形主体，装载锁定腔室40可各自被设置于邻近于装备前端模块20的侧壁上，并且制程腔室60可被连续地设置于其他侧壁上。然而，本发明不限于前述实例，且输送腔室50的形状不限于此，并且可依据需要的制程模块以各种形式修改和提供。
制程腔室60系沿着输送腔室50的周边设置。可提供复数个制程腔室60。在每个制程腔室60中，对基板W执行制程处理。制程腔室60接收并处理来自第二转运机器人55的基板W，并将已完成制程处理的基板W提供至第二转运机器人55。
在每个制程腔室60中执行的制程处理可彼此不同。由制程腔室60所执行的制程可以是使用基板W制造半导体装置或显示器面板的制程中的一者。被基板处理设备1处理的基板W是一个综合的概念，包含所有半导体装置、平板显示器(FPD)及用于制造其上形成有薄膜电路图案的物体的其他基板W。例如，基板W可以是硅晶圆、玻璃基板或有机基板。
图2示意性示出在图1的基板处理设备的制程腔室中执行电浆处理的制程腔室的实施例。于此，在制程腔室60中使用电浆处理基板W的制程将以一个例子来描述。
参阅图2所示，制程腔室60可使用电浆于基板W上执行预定制程。例如，制程腔室60可蚀刻或灰化基板W上的薄膜。薄膜可以是各种形式的薄膜，例如多晶硅膜、氧化膜或氮化硅膜。视需要地，薄膜可以为天然氧化膜或化学反应产生的氧化膜。
处理腔室60可包含制程处理单元100、排出单元200、电浆产生单元300和扩散单元400。
制程处理单元100提供处理空间101，在其中放置基板W且执行基板W的处理。于后续描述的电浆产生单元300排出制程气体以产生电浆，且将所产生的电浆供应至制程处理单元100的处理空间101。于处理基板W的制程中产生且保留于制程处理单元100中的制程气体及/或反应副产物会经由后续描述的排出单元200排出于制程腔室60之外。据此，制程处理单元100的内部压力可被维持于设定压力。
制程处理单元100可包含壳体110、支撑单元120、挡板130及排出挡板140。
壳体110具有在其中处理基板W的处理空间。壳体110的外壁可被提供为导体。在一实施例中，壳体110的外壁可由包含铝的金属材料所构成。根据一实施例，壳体110可为接地的。壳体110的顶部可能是开启的。壳体110的开启顶部可被连接至后续描述的扩散腔室410中。开口(未图示)可被连接于壳体110的侧壁。开口(未图示)可被开启构件及关闭构件，如门(未图示)所开启或关闭。基板经由形成于壳体110的侧壁的开口(未图示)进入及离开壳体110。
此外，排出孔112可被形成于壳体110的底面。排出孔112可将流经处理空间101的制程气体及/或反应副产物排出至处理空间101外。排出孔112可被连接至包含于后续介绍的排出单元200的组件。
支撑单元120位于处理空间101内侧。支撑单元120支撑于处理空间101中的基板W。支撑单元120可包含支撑板122及支撑轴124。
支撑板122可固定及/或支撑物体。支撑板122可固定及/或支撑基板W。当由上方看时，支撑板122可以实质上为圆盘形状提供。支撑板122被支撑轴124所支撑。支撑板122可被连接至外部电源(未图示)。支撑板122可藉由外部电源(未图示)提供的电力产生静电。产生的静电的静电力可将基板W固定于支撑板122的顶面。然而，本发明不受限于此，并且支撑板122可以物理方式，例如机械夹持或真空吸引分方法固定及/或支撑基板W。
支撑轴124可移动物体。支撑轴124可于上下方向移动基板W。例如，支撑轴124可耦接于支撑板122并且可藉由抬升及降低支撑板122以移动位于支撑板122的顶面的基板W。
挡板130可一致地输送于电浆产生单元300产生的电浆至后续描述的处理空间101。挡板130可一致地分配产生于电浆产生单元300且于扩散单元400流动的电浆至处理空间101。
挡板130可设置于制程处理单元100及电浆产生单元300之间。挡板130可设置于支撑单元120及扩散单元400之间。例如，挡板130可设置于支撑板122上。
挡板130可具有板状外形。当从上方看时，挡板130可具有实质上圆盘外形。当从上方看时，挡板130可设置成与支撑板122的顶面重迭。
挡板孔132形成于挡板130中。可提供复数个挡板孔132。挡板孔132可彼此间隔开提供。例如，挡板孔132可以彼此间隔开预定间隔来形成在挡板130的同心圆的周围上，以供应一致的电浆(或自由基)。复数个挡板孔132可由顶端贯穿至挡板130的底端。复数个挡板孔132可作用在电浆产生单元330中产生的电浆流至处理空间101的通道。
挡板130的表面可以由氧化铝材料制成。挡板130可以与壳体110的顶壁电性连接。视需要地，挡板130可独立接地。当挡板130接地时，包含于电浆且穿过挡板孔132的离子可能被捕捉。例如，包含于电浆的带电粒子如电子或离子可能被挡板130所困住，并且没有带电的中性粒子，如包含于电浆的自由基，可能穿过挡板孔132且被供应至处理空间101。
如上所述，依据本发明一实施例的挡板130已被描述作为一实例，其提供为具有厚度的圆盘形状，但本发明不受限于此。例如，当从上方看时，挡板130可具有大致圆形形状，但是，当从横截面看时，可以具有其顶表面的高度从边缘区域向中心区域增加的形状。在一实施例中，当从横截面看时，挡板130可具有其顶表面从边缘区域朝向中心区域向上倾斜的形状。据此，从电浆产生单元330产生的电浆可能沿着挡板130的倾斜截面流向处理空间101的边缘区域。
排出挡板140一致地将于处理空间101流动的电浆排出至各个区域。此外，排出挡板140可调整电浆于处理空间101中流动的剩余时间。当从上方看时，排出挡板140具有环状外形。排出挡板140可位于壳体110的内壁及处理空间中的支撑单元120之间。
复数个排出孔142形成于排出挡板140中。复数个排出孔142提供为穿过排出挡板140的顶面及底面的穿孔。排出孔142可被提供为朝向上/下方向。排出孔142可沿着排出挡板140的圆周方向彼此间隔开排列。穿过排出挡板140的反应副产物被排出至制程腔室60外侧，经由形成于壳体110底面的排出孔及后续描述的排出管线210。
排出单元200将不纯物，例如处理空间101的制程气体及/或反应副产物排出。排出单元200可将处理基板W的制程中产生的不纯物及粒子排出至制程腔室60外侧。排出单元200可能包含排出管线210及减压构件220。
排出管线210用作通道，留在处理空间101中的反应副产物经由该通道被排出至制程腔室60外。排出管线210的一端与形成在壳体110的底面上的排出孔112连通。排出管线210的另一端连接到提供负压的减压构件220。
减压构件220向处理空间101提供负压。减压构件220可将残留在处理空间101中的反应副产物、处理气体、电浆等排放到壳体110外侧。此外，减压构件220可调节处理空间101的压力，使得处理空间101的压力保持在预设压力。减压构件220可以提供为泵。然而，本发明不受限于此，并且减压构件220可进行各种修改并作为用于提供负压的习知装置来提供。
电浆产生单元300可位于制程处理单元100上方。此外，电浆产生单元300可位于后续描述的扩散单元400上方。制程处理单元100、扩散单元400及电浆产生单元300可沿着第三方向13从地面依序设置。电浆产生单元300可与壳体110及扩散单元400分离。密封构件(未图示)可被提供在电浆产生单元300及扩散单元400耦接的位置。
电浆产生单元300可包括电浆腔室310、气体供应单元320、及电浆产生单元330。
电浆腔室310于其中具有放电空间301。放电空间301用作为藉由激活处理气体以形成电浆的空间，该处理气体是从后续描述的气体供应单元320所供应。电浆腔室310可具有顶面及底面为开放的形状。在一实施例中，电浆腔室310可具有圆柱形状，其具有开放的上表面及开放的下表面。电浆腔室310可由陶瓷材料或包含氧化铝(Al2O3)的材料所构成。电浆腔室310的顶端被气体供应埠315所密封。气体供应埠315连接至后续描述的气体供应管322。电浆腔室310的底端可连接至后续描述的扩散腔室410的顶端。
气体供应单元320供应制程气体至气体供应埠315。气体供应单元320经由气体供应埠315供应制程气体至放电空间301。被供应至放电空间301的制程气体可被一致地经由后续描述的扩散空间401及挡板孔132分配至处理空间101。
气体供应单元320可包含气体供应管322及气体供应源324。气体供应管322的一端连接至气体供应埠315，并且气体供应管322的另一端连接气体供应源324。气体供应源324作为储存及/或供应制程气体的来源。被气体供应源324储存及/或供应的制程气体可能是用来产生电浆的气体。例如，制程气体可能包含二氟甲烷(CH2F2)、氮气(N2)及/或氧气(O2)。可选地，制程气体可能进一步包含四氟甲烷(CF4)、氟及/或氢。
电浆产生单元330藉由激活从气体供应单元320供应的制程气体以在放电空间301中产生电浆。电浆产生单元330藉由供应高频电源至放电空间301以激活供应至放电空间301的制程气体。电浆产生单元330可包含天线340、电源模块350、包覆构件360及屏蔽构件370。天线340及电源模块350可用作为在放电空间301产生电浆的电浆来源。
天线340可为电感耦合电浆(ICP)天线。天线340可包含缠绕电浆腔室310外侧多次的线圈部342。线圈部342可围绕电浆腔室310外侧。线圈部342可以螺旋缠绕电浆腔室310外侧多次。线圈部342可对应于放电空间301的区域缠绕电浆腔室310。
例如，线圈部342可具有在上/下方向的长度，上/下方向是对应于电浆腔室310的顶端至底端。例如，当从电浆腔室310的前端面看时，线圈部342的一端可提供在对应于电浆腔室的顶部区域的高度处。此外，当从电浆腔室310的前端面看时，线圈部342的另一端可提供在对应于电浆腔室310的底部区域的高度处。
电源端子345及接地端子346可形成于线圈部342中。后续描述的电源351可连接至电源端子345。电源351供应的高频电源可经由电源端子345被供应至线圈部342。接地端子346可连接至接地线。接地端子346可使线圈部342接地。尽管未示出，电容器(未图示)可安装在连接至接地端子346的接地在线。。安装在接地在线的电容器(未图示)可以是可变装置。安装在接地在线的电容器(未图示)可提供为具有可变电容的可变电容器。视需要地，安装在接地在线的电容器(未图示)可提供为具有固定电容的固定电容器。
电源端子345可形成于对应于线圈部342的总长度的一半的位置。此外，接地端子346可形成于线圈部342的一端及另一端。然而，本发明不受限于此，并且电源端子345及接地端子346可由改变到线圈部的多个位置来形成。例如，形成在线圈部342中的电源端子345可形成于线圈部342的一端，并且形成于线圈部342中的接地端子346可形成于线圈部342的另一端。
在上述实例中，为了描述方便，线圈部342用单个线圈围绕于电浆腔室310外侧，并且电源端子345和接地端子346形成在线圈部分342中，但本发明不限于此。
例如，根据本发明一实施例的线圈部342可包含第一线圈部343及第二线圈部344。第一线圈部343及第二线圈部344中的每一个可经提供以螺旋外形围绕电浆腔室310外。第一线圈部343及第二线圈部344可经提供以横穿且围绕电浆腔室310外侧。此外，电源端子345及接地端子346可分别独立地形成于第一线圈部343及第二线圈部344。供应至第一线圈部343及第二线圈部344的高频电源的量值可以不同。据此，可以不同地提供电浆腔室310邻近于第一线圈部343的区域及电浆腔室310邻近第二线圈部344的另一区域的电浆尺寸。
电源模块350可包括电源351、电源开关(未图示)和匹配器352。电源351向天线340供应电源。电源351可将高频电源供应至天线340。可根据电源开关(未图示)的开/关向天线340供应电源。供应至天线340的高频电源在线圈部342中产生高频电流。供应至天线340的高频电流可在放电空间301中形成感应电场。供应至放电空间301的制程气体可藉由从感应电场获得电离所需的能量而在电浆状态下被激发。
匹配器352可对从电源351施加到天线340的高频电源执行匹配。匹配器352可以连接到电源351的输出端以匹配电源351的输出阻抗和输入阻抗。
尽管本发明一实施例中的前述电源模块350包含电源351、电源开关(未图示)及匹配器352，但本发明不受限于此。根据本发明一实施例的电源模块350可进一步包含电容器(未图示)。电容器(未图标)可为可变装置。电容器(未图示)可被提供为电容改变的可变电容器。视需要地，电容器(未图示)可被提供为具有固定电容的固定电容器。
图3是根据图2的实施例的包覆构件的俯视示意图。图4是根据图2的实施例的包覆构件的立体示意图。
于此，本发明一实施例中的包覆构件360将参阅图2至图4做详细描述。参阅图2至图4，包覆构件360可被设置于电浆腔室360外侧。包覆构件360可经形成以围绕天线340外侧。包覆构件360在垂直方向的长度可对应于天线340在垂直方向的长度。视需要地，从包覆构件360的顶端至底端的长度可被提供为大于天线340从顶端至底端的长度。例如，包覆构件360的顶端可位于高于天线340顶端的位置。此外，包覆构件360的底端可位在低于天线340底端的位置。
包覆构件360可由金属材料所构成。包覆构件360是接地的。当包覆构件360接地，感应电流可以相反于流自天线340的高频电流(如顺时钟)的方向(如逆时钟)形成于包覆构件360中。据此，藉由包覆构件360流自天线340的高频电流产生的电磁场能被防止流出包覆构件360。例如，天线340产生的电磁场仅流进电浆腔室310的放电空间301并且不会流出包覆构件360。据此，可以最小化电磁场对存在于包覆构件360外部的组件和基板处理设备1的组件的损坏。
包覆构件360可具有多边形形状。在一实施例中，当从前截面看时，包覆构件360可具有八边形形状。槽孔362形成于包覆构件360的侧壁。槽孔362可形成于其中从包覆构件360的侧壁的纵向方向对应于包覆构件360的纵向方向的方向的方向中。例如，槽孔362可形成于上/下方向。槽孔362可从包覆构件360的顶端延伸至底端。
可形成至少一个槽孔362。例如，复数个槽孔362可形成于包覆构件360的侧壁。例如，如图3所示，两个槽孔362形成于包覆构件360的侧壁。与图3不同，根据制程需要，槽孔362可以3个或更多整数个形成于包覆构件360的侧壁。复数个槽孔可彼此间隔地设置于包覆构件360的圆周方向。例如，多个槽孔362可以围绕天线340的方向彼此间隔开。
返回参考图2，屏蔽构件370可提供为法拉第屏蔽。屏蔽构件370可安装于电浆腔室310外侧。屏蔽构件370可位于电浆腔室310及天线340之间。屏蔽构件370可安装于电浆腔室310的外侧壁。屏蔽构件370可形成为环形形状。屏蔽构件370于上/下方向的长度可相同于天线340的长度或可大于天线340于上/下方向的长度。屏蔽构件370可以接地。屏蔽构件370可由包含金属的材料所构成。屏蔽构件370可最小化施加到天线340的高频电源直接暴露于放电空间301中产生的电浆。
扩散单元400可将电浆产生单元300产生的电浆扩散进处理空间101。扩散单元400可包含扩散腔室410。扩散腔室410中具有扩散空间。扩散空间可扩散放电空间301产生的电浆。扩散空间401将处理空间101及放电空间301彼此连接且作为产生于放电空间301的电浆流至处理空间101的通道。
扩散腔室410可一般提供为倒漏斗形。扩散腔室410可具有直径从顶端增加至底端的形状。扩散腔室410的内圆周表面可由非导体形成。例如，扩散腔室410的内圆周表面可以由包含石英的材料构成。
扩散腔室410位于壳体110及电浆腔室310之间。扩散腔室410的顶端可连接于电浆腔室310的底端。密封构件(未图示)可被提供于扩散腔室410的顶端及电浆腔室310的底端。
图5是根据图2的实施例说明电流于天线及包覆构件中流动的状态的示意图。图6是形成于图2的制程腔室中的电浆的示意图。于此，根据本发明一实施例，根据包覆构件360及天线340产生于电浆腔室310的电浆流将会参考图5及图6做详细说明
于此，为了方便描述，第一槽孔363及第二槽孔364形成于包覆构件360中，第一槽孔363设置于邻近电源端子345的位置，并且第二槽孔364设置于邻近接地端子346的位置。此外，放电空间301中邻近于第一槽孔363形成的区域定义为区域A，并且放电空间301以顺时钟方向依序被分为区域A、区域B、区域C及区域D。
参阅图5，来自高频电源的高频电流流经天线340，高频电源是供应自电源351。例如，如图5所示，流经天线340的高频电流可能以顺时钟方向流动。此外，由于包覆构件360是接地的，感应电流是以相反于高频电流流经天线340的方向于包覆构件360中流动。例如，如图5所示，感应电流是以逆时钟方向流于包覆构件360内。
形成于包覆构件360内的感应电流可能不会在槽孔362形成的区域内流动。据此，因为在形成槽孔362的部分处包覆构件360的感应电流不会在流过天线340的高频电流中发生干扰，与其中没有形成槽孔362的天线340产生的电磁场的强度相比，从其中形成有槽孔362的天线340产生到放电空间301的电磁场的强度可以相对强。例如，天线340对应于第一槽孔363形成的部分产生的电磁场的强度，是相对强于天线340对应于第一槽孔363没有形成的部分产生的电磁场的强度。
例如，如图5及图6所示，放电空间301的区域A中对应于第一槽孔363形成的部分产生的电磁场强度，是相对强于槽孔362未形成于其中的放电空间301的区域B及区域D中产生的电磁场强度。因此，邻近于第一槽孔363形成的区域的放电空间301的区域A中产生的电浆强度是相对高于区域B及区域D中形成的电浆强度。
此外，如图5及图6所示，对应于第二槽孔364形成的部分的放电空间301的区域C中产生的电磁场强度，是相对强于槽孔362没有形成的放电空间301的区域B及区域D中产生的电磁场强度。据此，邻近于第二槽孔364形成的部分的放电空间301的区域C中产生的电浆强度是相对高于区域B及区域D中产生的电浆强度。
一般来说，天线340被提供有供应到高频电源的输入端子(如电源端子345)及要被接地的终端端子(如接地端子346)。天线340的输入端子具有相对于天线340的终端端子较强的高频电源的磁场。据此，作用于邻近于天线340的输入端子的放电空间301的电磁场强度，是相对强于作用于邻近于天线340的终端端子的放电空间301的电磁场强度。据此，在放电空间301中的电浆强度是有差异的。这导致电浆以不同大小作用在基板W上，并且成为阻碍基板处理制程一致性的因素。
根据本发明的上述实施例，可以防止由于包覆构件360而从天线流动的高频电流产生的电磁场流出包覆构件360。进一步来说，藉由于包覆构件360中形成槽孔362，可调节在邻近于形成有槽孔362的部分的区域及在邻近于没有形成槽孔362的部分的区域中产生的电磁场强度。也就是说，在邻近于形成有槽孔362的部分的放电空间301中，可相对强地控制电磁场的强度，并且在邻近于没有形成槽孔362的部分的放电空间301中，可相对弱地控制电磁场的强度。据此，可最小化由于天线340的输入端子及终端端子的结构限制导致的电浆产生在放电空间301中的不一致性。据此，可以藉由使电浆一致地影响基板W来改善基板处理制程的一致性。
根据上述本发明一实施例的包覆构件360例如具有八边形形状。然而，本发明不受限于此，根据实施例的包覆构件360可藉由修改为多种多边形形状(诸如四边形或六边形)而形成。
进一步来说，尽管根据上述本发明一实施例的电浆产生单元330包含屏蔽构件370，本发明不受限于此。例如，根据一实施例，屏蔽构件370可以不被提供至电浆产生单元330。
于此，将详细描述根据本发明另一实施例的包覆构件360。以下描述的包覆构件360以相似于以上描述的大部分包覆构件且另外解释除外的方式提供。据此，为了避免内容重复，重复组件的描述会被忽略。
图7是根据图2的另一实施例的包覆构件的立体示意图。根据本发明一实施例，槽孔362可形成于包覆构件360中。槽孔362可形成于包覆构件360的侧表面。槽孔362可形成于包覆构件360的顶端及底端。槽孔362的纵向方向可沿着包覆构件360的纵向方向形成。槽孔362的顶端可形成在对应于天线340顶端的高度。槽孔362的底端可能形成在对应于天线340底端的高度。
此外，可提供至少一个槽孔362。例如，可提供复数个槽孔362。复数个槽孔362可以包覆构件360的圆周方向彼此间隔开设置。复数个槽孔362可形成于包覆构件360的侧表面，其对应于在放电空间301中形成的电浆的强度系根据于放电空间301中形成的电浆的移动而相对较弱的区域。
图8至图10是根据图2的另一实施例的包覆构件的俯视示意图。参阅图8所示，根据本发明一实施例的包覆构件360可进一步包含风扇单元380。风扇单元380可安装于包覆构件360。风扇单元380可安装于包覆构件360的侧表面上。
可提供至少一个风扇单元380。例如，可提供复数个风扇单元380。风扇单元380形成于不与形成于包覆构件360中的槽孔362重迭的区域。例如，风扇单元可能不会安装于其中形成有槽孔362的包覆构件360的侧壁。此外，槽孔352可能不会安装于安装有风扇单元380的包覆构件360的侧壁。
风扇单元380可以朝向电浆腔室310的方向提供气流。例如，风扇单元380可提供气流至电浆腔室310及包覆构件360之间的空间。风扇单元380可提供有调节的温度及调节的湿度的气流至之间的空间。
风扇单元380可防止中间空间的温度剧烈地被提升。风扇单元380可作为防止中间空间的温度剧烈地被提升的冷却器。例如，风扇单元380可冷却在天线340内产生的热量，其源自供应自天线340的高频电流。据此，可以最小化从天线340至电浆腔室310的热传递。
参阅图9所示，复数个槽孔362可形成于在天线340的电源端子345及接地端子346间隔开的位置处。例如，槽孔362可能不会形成于连接电源端子345及接地端子346的虚拟直线上。此外，复数个风扇单元380可安装于没有槽孔362形成的包覆构件360的侧壁。
参阅图10所示，当从上方看时，包覆构件360可形成为圆形形状。例如，包覆构件360可提供为实质上圆柱形状。圆柱状的包覆构件360可设置于天线340外侧绕电浆腔室310外侧。
本发明概念的效果不限于上述效果，未提及的效果可由本发明所属技术领域技术人员从说明书和图式中清楚了解。
尽管已经说明和描述了本发明的较佳实施例，但本发明并不限于上述的具体实施例，并且注意到本发明所属技术领域技术人员可以在不背离说明书中所要求的本发明本质情况下，不同程度地实施本发明，并且不应脱离本发明的技术精神或前景来单独解释这些修改。

Claims (20)

1.一种基板处理设备，其包括：
制程处理单元，前述制程处理单元提供用于处理基板的处理空间；及
电浆产生单元，前述电浆产生单元提供于前述制程处理单元上方且由制程气体产生电浆，
其中，前述电浆产生单元包含：
电浆腔室，前述电浆腔室具有形成于其中的放电空间；
天线，前述天线围绕前述电浆腔室的外侧且使高频电流从其间流过；及
包覆构件，前述包覆构件围绕前述天线的外侧，且
其中，前述包覆构件是接地的。
2.如请求项1所述之基板处理设备，其中，
前述包覆构件具有槽孔，前述槽孔由前述包覆构件的顶端延伸至前述包覆构件的底端。
3.如请求项2所述之基板处理设备，其中，
前述槽孔以复数个提供，且复数个前述槽孔在围绕前述天线的方向上彼此间隔开安装。
4.如请求项3所述之基板处理设备，其中，
前述包覆构件的纵向方向的长度等于或大于前述天线的纵向方向的长度。
5.如请求项2所述之基板处理设备，其中，
前述电浆产生单元进一步包含风扇单元，前述风扇单元供应气流至前述包覆构件及前述电浆腔室之间的空间。
6.如请求项5所述之基板处理设备，其中，
前述风扇单元设置于前述包覆构件处且在不与前述槽孔重迭的位置。
7.如请求项1所述之基板处理设备，其中，
前述天线包含线圈部，前述线圈部以复数个匝数围绕前述电浆腔室，且前述线圈部具有用以接地的接地端子、及用以供应高频电源的电源端子。
8.如请求项7所述之基板处理设备，其中，
前述线圈部包含复数个线圈，且复数个前述线圈中的每一个独立地连接至前述电源端子及前述接地端子。
9.如请求项1所述之基板处理设备，其中，
前述电浆产生单元进一步包含屏蔽构件，其位于前述天线及前述电浆腔室之间且是接地的。
10.如请求项1至9中任一项所述之基板处理设备，其中，
当由上方看时，前述包覆构件具有圆盘形状。
11.如请求项1至9中任一项所述之基板处理设备，其中，
当由上方看时，前述包覆构件具有多边形形状。
12.一种电浆产生单元，其提供于使用电浆的基板处理设备中，前述电浆产生单元包括：
电浆腔室，前述电浆腔室具有形成于其中的放电空间；
天线，前述天线围绕前述电浆腔室的外侧且使高频电流从其间流过；及
包覆构件，前述包覆构件围绕前述天线的外侧，
其中，前述包覆构件经接地以产生与前述高频电流的方向为相反的感应电流。
13.如请求项12所述之电浆产生单元，其中，
前述包覆构件具有槽孔，前述槽孔沿屏蔽构件的纵轴方向延伸。
14.如请求项13所述之电浆产生单元，其中，
前述槽孔以复数个提供，且复数个前述槽孔在围绕前述天线的方向上彼此间隔开安装。
15.如请求项12所述之电浆产生单元，其中，
进一步包含风扇单元，前述风扇单元供应气流至前述包覆构件及前述电浆腔室之间的空间，以冷却前述电浆腔室。
16.如请求项12所述之电浆产生单元，其中，
前述天线包含线圈部，前述线圈部以复数个匝数围绕前述电浆腔室，且前述线圈部具有用以接地的接地端子、及用以供应高频电源的电源端子。
17.如请求项16所述之电浆产生单元，其中，
前述线圈部包含复数个线圈，且复数个前述线圈中的每一个独立地连接至前述电源端子及前述接地端子。
18.如请求项12所述之电浆产生单元，其中，
前述包覆构件的纵向方向的长度等于或大于前述天线的纵向方向的长度。
19.如请求项12至18中任一项所述之电浆产生单元，其中，
当由上方看时，前述包覆构件具有多边形形状。
20.一种基板处理设备，其包括：
制程处理单元，前述制程处理单元用于处理基板；及
电浆产生单元，前述电浆产生单元位于前述制程处理单元上方，用于藉由激活气体而产生电浆，
其中，前述制程处理单元包含：
壳体，前述壳体具有处理空间；及
支撑单元，前述支撑单元安装于前述处理空间中且支撑前述基板，
其中，前述电浆产生单元包含：
电浆腔室，前述电浆腔室具有形成于其中的放电空间；
天线，前述天线围绕前述电浆腔室的外侧且使高频电流从其间流过；及
包覆构件，前述包覆构件围绕前述天线的外侧且是接地的，且
其中，前述包覆构件具有至少一槽孔由前述包覆构件的顶端延伸至前述包覆构件的底端。
CN202210618736.XA 2021-12-29 2022-06-01 电浆产生单元及以该电浆产生单元处理基板的设备 Pending CN116417325A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210190689A KR102654487B1 (ko) 2021-12-29 2021-12-29 플라즈마 발생 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR10-2021-0190689 2021-12-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116417325A true CN116417325A (zh) 2023-07-11

Family

ID=86897158

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210618736.XA Pending CN116417325A (zh) 2021-12-29 2022-06-01 电浆产生单元及以该电浆产生单元处理基板的设备

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230207262A1 (zh)
JP (1) JP7343226B2 (zh)
KR (1) KR102654487B1 (zh)
CN (1) CN116417325A (zh)

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2592217B2 (ja) * 1993-11-11 1997-03-19 株式会社フロンテック 高周波マグネトロンプラズマ装置
JP3846970B2 (ja) * 1997-04-14 2006-11-15 キヤノンアネルバ株式会社 イオン化スパッタリング装置
GB9714341D0 (en) * 1997-07-09 1997-09-10 Surface Tech Sys Ltd Plasma processing apparatus
JP5031944B2 (ja) 1998-09-30 2012-09-26 オー・ツェー・エリコン・バルザース・アクチェンゲゼルシャフト 真空処理装置および表面処理方法
EP1203441A1 (en) 1999-07-13 2002-05-08 Tokyo Electron Limited Radio frequency power source for generating an inductively coupled plasma
JP2004063663A (ja) 2002-07-26 2004-02-26 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
RU2414766C2 (ru) 2005-09-09 2011-03-20 Улвак, Инк. Источник ионов и устройство для плазменной обработки
JP6552780B1 (ja) * 2018-03-22 2019-07-31 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及び静電シールド
JP6909824B2 (ja) 2019-05-17 2021-07-28 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
KR102323580B1 (ko) * 2021-04-01 2021-11-09 피에스케이 주식회사 플라즈마 발생 유닛 및 기판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230100969A (ko) 2023-07-06
JP7343226B2 (ja) 2023-09-12
KR102654487B1 (ko) 2024-04-05
US20230207262A1 (en) 2023-06-29
JP2023098793A (ja) 2023-07-11
TW202327408A (zh) 2023-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0159178B1 (ko) 플라즈마처리 장치와 플라즈마처리 방법
US5591268A (en) Plasma process with radicals
EP1727186A1 (en) Plasma chamber with discharge inducing bridge
US20110094682A1 (en) Plasma processing apparatus
KR20050106506A (ko) 반도체처리용의 기판유지구조 및 플라즈마 처리장치
JP2022100339A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2001148378A (ja) プラズマ処理装置、クラスターツールおよびプラズマ制御方法
US7482757B2 (en) Inductively coupled high-density plasma source
JPH06267903A (ja) プラズマ装置
KR20070112988A (ko) 다중 배열된 방전실을 갖는 플라즈마 반응기 및 이를이용한 플라즈마 처리 시스템
KR100862685B1 (ko) 다중 배열된 방전실을 갖는 플라즈마 반응기 및 이를이용한 플라즈마 처리 시스템
CN116417325A (zh) 电浆产生单元及以该电浆产生单元处理基板的设备
CN112768334B (zh) 基板处理设备
JPH10284291A (ja) プラズマ処理装置及び処理方法
TWI841941B (zh) 電漿產生單元及以該電漿產生單元處理基板的設備
KR101559874B1 (ko) 기판 처리 장치 및 챔버 제조 방법
US20090137128A1 (en) Substrate Processing Apparatus and Semiconductor Device Producing Method
KR100553757B1 (ko) 유도결합형 플라즈마 처리장치
KR102553189B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20050049169A (ko) 유도 결합형 플라즈마 발생 장치와 그 유도전기장 발생을위한 안테나 코일 구조
TWI813110B (zh) 法拉第屏蔽罩與處理基板的設備
KR102548570B1 (ko) 기판 처리 장치 및 도어 어셈블리 구동 방법
KR102247468B1 (ko) 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 지지 유닛 제조 방법
KR100921635B1 (ko) 플라즈마 기판 처리 장치
KR20230072680A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination