KR101928008B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 카세트가 위치되는 로드 포트를 갖는 설비 전방 단부 모듈; 기판을 이송하는 전방 기판 이송기를 갖는 전방 트랜스퍼 챔버; 상기 설비 전방 단부 모듈과 상기 전방 트랜스퍼 챔버 사이에 위치되고 기판을 어닐링 처리 할 수 있는 로드락 챔버; 기판을 이송하는 후방 기판 이송기를 갖는 후방 트랜스퍼 챔버; 상기 전방 트랜스퍼 챔버와 상기 후방 트랜스퍼 챔버 사이에 위치되고 기판을 어닐링 처리 할 수 있는 연결 챔버; 및 상기 전방 트랜스퍼 챔버 및 상기 후방 트랜스퍼 챔버의 둘레에 위치되는 복수의 공정 챔버를 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate treating apparatus and substrate treating method}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
플라즈마는 이온이나 전자, 라디칼(Radical) 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태이다. 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다.
이러한 플라즈마는 반도체 소자를 제조하기 위한 기판 처리에 사용된다. 예를 들어, 플라즈마는 포토레지스트(photoresist)를 사용하는 리소그래피(lithography) 공정에서 활용될 수 있다. 일 예로, 기판상에 라인(line) 또는 스페이스(space) 패턴 등과 같은 각종의 미세 회로 패턴들을 형성하거나 이온 주입(ion implantation) 공정에서 마스크(mask)로 이용된 포토레지스트막을 제거하는 애싱(ashing) 공정에서 활용될 수 있다.
한편, 기판에 플라즈마를 이용하여 기판 처리 공정을 수행 한 뒤, 공정 중 생성된 반응부산물을 제거하는 공정으로써 어닐링 공정이 수행된다.
본 발명은 기판을 효율적으로 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 기판을 플라즈마 처리 후 효과적으로 어닐링 처리 할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 기판 처리의 공정 효율이 향상되는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 카세트가 위치되는 로드 포트를 갖는 설비 전방 단부 모듈; 기판을 이송하는 전방 기판 이송기를 갖는 전방 트랜스퍼 챔버; 상기 설비 전방 단부 모듈과 상기 전방 트랜스퍼 챔버 사이에 위치되고 기판을 어닐링 처리 할 수 있는 로드락 챔버; 기판을 이송하는 후방 기판 이송기를 갖는 후방 트랜스퍼 챔버; 상기 전방 트랜스퍼 챔버와 상기 후방 트랜스퍼 챔버 사이에 위치되고 기판을 어닐링 처리 할 수 있는 연결 챔버; 및 상기 전방 트랜스퍼 챔버 및 상기 후방 트랜스퍼 챔버의 둘레에 위치되는 복수의 공정 챔버를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 로드락 챔버는, 기판이 위치되는 반입 지지부를 갖는 이송 챔버; 및 상기 공정 챔버에서 처리된 기판을 어닐링 처리하고, 기판이 상기 전방 트랜스퍼 챔버에서 상기 설비 전방 단부 모듈로 반출되는 경로를 제공하는 반출 챔버를 포함할 수 있다.
또한, 상기 연결 챔버는, 기판이 위치되는 이송 지지부를 갖는 제1 연결 챔버; 및 상기 공정 챔버에서 처리된 기판을 어닐링 처리하고, 기판이 상기 후방 트랜스퍼 챔버에서 상기 전방 트랜스퍼 챔버로 이동되는 경로를 제공하는 제2 연결 챔버를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 연결 챔버는 기판의 정렬 방향을 조절하는 얼라이너를 포함할 수 있다.
또한, 상기 후방 트랜스퍼 챔버의 둘레에 위치되는 상기 공정 챔버의 수는 상기 전방 트랜스퍼 챔버의 둘레에 위치되는 상기 공정 챔버의 수 이상으로 제공될 수 있다.
또한, 상기 공정 챔버는 2개가 쌍을 이루어 상기 전방 트랜스퍼 챔버 및 상기 후방 트랜스퍼 챔버의 일측에 선형으로 배열될 수 있다.
또한, 상기 공정 챔버는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리 할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 카세트가 위치되는 로드 포트를 갖는 설비 전방 단부 모듈; 기판을 이송하는 전방 기판 이송기를 갖는 전방 트랜스퍼 챔버; 상기 설비 전방 단부 모듈과 상기 전방 트랜스퍼 챔버 사이에 위치되고 기판을 어닐링 처리 할 수 있는 로드락 챔버; 기판을 이송하는 후방 기판 이송기를 갖는 후방 트랜스퍼 챔버; 상기 전방 트랜스퍼 챔버와 상기 후방 트랜스퍼 챔버 사이에 위치되고 기판을 어닐링 처리 할 수 있는 연결 챔버; 및 상기 전방 트랜스퍼 챔버 및 상기 후방 트랜스퍼 챔버의 둘레에 위치되는 복수의 공정 챔버를 포함하는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에 있어서, 상기 후방 트랜스퍼 챔버의 둘레에 위치된 상기 공정 챔버에서 처리된 기판은 상기 연결 챔버에서 어닐링 처리하고, 상기 전방 트랜스퍼 챔버의 둘레에 위치된 상기 공정 챔버에서 처리된 기판은 상기 로드락 챔버에서 어닐링 처리할 수 있다.
또한, 상기 후방 트랜스퍼 챔버의 둘레에 위치된 상기 공정 챔버에서 처리되기 위해, 상기 전방 트랜스퍼 챔버에서 상기 연결 챔버로 전달된 기판은 상기 연결 챔버에서 정렬 방향이 변경될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 플라즈마 처리 후 효과적으로 어닐링 처리 할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 처리의 공정 효율이 향상되는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 로드락 챔버를 나타내는 도면이다.
도 3은 연결 챔버를 나타내는 도면이다.
도 4는 공정 챔버를 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 설비 전방 단부 모듈(10, equipment front end module, EFEM), 전방 공정 처리부(30) 및 후방 공정 처리부(50)를 포함한다.
설비 전방 단부 모듈(10), 전방 공정 처리부(30) 및 후방 공정 처리부(50)는 일 방향으로 배치된다. 이하, 설비 전방 단부 모듈(10), 전방 공정 처리부(30) 및 후방 공정 처리부(50)가 배열된 방향을 제 1 방향이라 하고, 위쪽에서 바라볼 때 제 1 방향에 수직인 방향을 제 2 방향이라 한다.
설비 전방 단부 모듈(10)은 로드 포트(load port, 11) 및 이송프레임(15)을 포함한다. 로드 포트(11)는 제1방향으로 설비 전방 단부 모듈(10)의 전방에 배치된다. 로드 포트(11)는 복수 개가 제 2 방향으로 배치되어, 각각의 로드 포트에는 공정에 제공되거나 공정처리가 완료된 기판을 수용하는 캐리어(C)(예를 틀어, 카세트, FOUP등)가 위치된다. 이송프레임(15)은 로드 포트(11)와 전방 공정 처리부(30) 사이에 배치된다. 이송프레임(15)의 내측공간은 별도의 압력 조절 없이 대기압 또는 대기압에 근접한 압력 상태로 제공될 수 있다. 이송프레임(15)의 내부에는 로드 포트(11)와 전방 공정 처리부(30)간에 기판을 이송하는 이송로봇(16)이 위치된다. 이송로봇(16)은 제 2 방향으로 구비된 이송 레일(17)을 따라 이동하여 캐리어(C)와 전방 공정 처리부(30)간에 기판을 이송한다.
전방 공정 처리부(30)는 로드락 챔버(31), 전방 트랜스퍼 챔버(35), 그리고 공정 챔버(80)를 포함한다.
로드락 챔버(31)는 이송프레임(15)에 인접하게 배치된다. 일 예로, 로드락 챔버(31)는 전방 트랜스퍼 챔버(35)와 설비 전방 단부 모듈(10)사이에 배치될 수 있다. 로드락 챔버(31)는 기판이 설비 전방 단부 모듈(10)과 전방 트랜스퍼 챔버(35) 사이에 이송되는 동안, 설비 전방 단부 모듈(10)의 기체가 전방 트랜스퍼 챔버(35)로 유입되는 것을 방지하고, 전방 트랜스퍼 챔버(35)의 압력이 상승하는 것을 방지하는 기능을 수행한다.
전방 트랜스퍼 챔버(35)는 로드락 챔버(31)에 인접하게 배치된다. 전방 트랜스퍼 챔버(35)의 내측 공간은 대기압 보다 낮은 설정 압력 상태로 제공된다. 설정 압력은 진공압 상태일 수 있다. 전방 트랜스퍼 챔버(35)는 상부에서 바라볼 때, 다각형의 몸체를 갖는다. 일 예로, 전방 트랜스퍼 챔버(35)는 상부에서 바라볼 때, 사각형의 몸체를 가질 수 있다.
전방 트랜스퍼 챔버(35)의 둘레에는 로드락 챔버(31)들, 복수개의 공정 챔버(80)들, 후술할 연결 챔버(51)가 배치된다. 전방 트랜스퍼 챔버(35)와 각각의 공정 챔버(80) 사이에는 기판이 이동되는 경로를 개폐하는 도어(81)가 제공된다. 도어(81)는 기판이 공정 챔버(80)로 반입되거나 공정 챔버(80)로 반출될 때 개방되고, 공정 챔버(80)에서 기판이 처리될 때 닫힌다.
전방 트랜스퍼 챔버(35)의 내부공간에는 기판을 이송하는 전방 기판 이송기(36)가 배치된다. 전방 기판 이송기(36)는 로드락 챔버(31)에서 대기하는 미처리된 기판을 공정 챔버(80)로 이송하거나, 공정 챔버(80)에서 처리된 기판을 로드락 챔버(31)로 이송한다. 또한, 전방 기판 이송기(36)는 공정 챔버(80)들 사이에 기판을 이송할 수 있다. 또한, 전방 기판 이송기(36)는 로드락 챔버(31)에서 대기하는 미처리된 기판을 연결 챔버(51)로 이송할 수 있다. 또한, 기판 이송기는 연결 챔버(51)의 처리된 기판을 로드락 챔버(31)로 이송할 수 있다. 전방 기판 이송기(36)는 2장의 기판을 함께 상술한 일 위치에서 다른 위치로 이송할 수 있다.
후방 공정 처리부(50)는 연결 챔버(51), 후방 트랜스퍼 챔버(55), 그리고 공정 챔버(80)를 포함한다.
후방 트랜스퍼 챔버(55)는 전방 트랜스퍼 챔버(35)에 인접하게 배치된다. 후방 트랜스퍼 챔버(55)의 내측 공간은 대기압 보다 낮은 설정 압력 상태로 제공된다. 후방 트랜스퍼 챔버(55)는 전방 트랜스퍼 챔버(35)와 동일 또한 유사한 구조로 제공될 수 있다. 후방 트랜스퍼 챔버(55)는 상부에서 바라볼 때, 다각형의 몸체를 갖는다. 일 예로, 후방 트랜스퍼 챔버(55)는 상부에서 바라볼 때, 사각형의 몸체를 가질 수 있다.
후방 트랜스퍼 챔버(55)의 둘레에는 연결 챔버(51), 복수개의 공정 챔버(80) (50) 들이 배치된다. 연결 챔버(51)는 전방 트랜스퍼 챔버(35)와 후방 트랜스퍼 챔버(55) 사이에 위치된다. 후방 트랜스퍼 챔버(55)와 각각의 공정 챔버(80) 사이에는 기판이 이동되는 경로를 개폐하는 도어(81)가 제공된다. 도어(81)는 기판이 공정 챔버(80)로 반입되거나 공정 챔버(80)로 반출될 때 개방되고, 공정 챔버(80)에서 기판이 처리될 때 닫힌다.
후방 트랜스퍼 챔버(55)의 내부공간에는 기판을 이송하는 후방 기판 이송기(56)가 배치된다. 후방 기판 이송기(56)는 연결 챔버(51)에서 대기하는 미처리된 기판을 공정 챔버(80)로 이송하거나, 공정 챔버(80)에서 처리된 기판을 연결 챔버(51)로 이송한다. 또한, 후방 기판 이송기(56)는 공정 챔버(80)들 사이에 기판을 이송할 수 있다. 후방 기판 이송기(56)는 2장의 기판을 함께 상술한 일 위치에서 다른 위치로 이송할 수 있다.
공정 챔버(80)을 플라즈마를 이용하여 기판을 처리한다. 공정 챔버(80)은 2개가 쌍을 이루어 전방 트랜스퍼 챔버(35) 및 후방 트랜스퍼 챔버(55)의 일측에 선형으로 배열될 수 있다. 도 1에 도시 된 바와 같이 전방 트랜스퍼 챔버(35)의 평면상 모양이 4각형인 경우, 공정 챔버(80)은 전방 트랜스퍼 챔버(35)의 제2 방향 양측에 각각 2개씩 위치될 수 있다. 또한, 후방 트랜스퍼 챔버(55)의 평면상 모양이 4각형인 경우, 공정 챔버(80)은 연결 챔버(51)가 위치된 측면을 제외한 3 측면에 각각 2개씩 6개가 위치될 수 있다. 또한, 후방 트랜스퍼 챔버(55)의 평면상 모양이 4각형인 경우, 공정 챔버(80)은 전방 트랜스퍼 챔버(35)와 유사하게 후방 트랜스퍼 챔버(55)의 제2 방향 양측에 각각 2개씩 4개가 위치될 수 도 있다.
도 2는 로드락 챔버를 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하면, 로드락 챔버(31)는 이송 챔버(300) 및 반출 챔버(320)를 포함한다. 이송 챔버(300)는 공정에 제공될 기판이 공정 챔버(80)로 이송되는 경로를 제공한다. 또한, 이송 챔버(300)는 공정 처리가 완료된 기판이 설비 전방 단부 모듈(10)로 반출되는 경로를 제공할 수 있다. 반출 챔버(320)는 공정 챔버(80)에서 처리된 기판이 반출되는 경로를 제공한다. 또한, 반출 챔버(320)는 공정 처리가 완료된 기판이 설비 전방 단부 모듈(10)로 반출되는 경로를 제공할 수 있다.
각각의 로드락 챔버(31)에는 전방 도어(32) 및 후방 도어(33)가 제공된다. 전방 도어(32)는 설비 전방 단부 모듈(10)과 로드락 챔버(31)의 내측 공간을 연결하는 경로를 개폐한다. 후방 도어(33)는 전방 트랜스퍼 챔버(35)와 로드락 챔버(31)의 내측 공간을 연결하는 경로를 개폐한다.
이송 챔버(300)에는 기판이 위치되는 반입 지지부(311)가 제공된다. 반입 지지부(311)는 2개가 제공될 수 있다. 반입 지지부(311)들은 상하로 배열될 수 있다. 전방 기판 이송기(36)는 동시에 또는 순차적으로 반입 지지부(311)들에서 2장의 기판을 반출할 수 있다.
이송 챔버(300)는 복수로 제공된다. 일 예로, 이송 챔버(300)는 2개가 제공될 수 있다. 2개의 이송 챔버(300)는 동일 높이에 제2 방향을 따라 좌우로 위치될 수 있다.
반출 챔버(320)에는 기판이 위치되는 반출 지지부(321)가 제공된다. 반출 챔버(320)는 기판을 가열하여 기판을 어닐링 처리 가능하게 제공된다. 일 예로, 반출 지지부(321)는 기판을 가열 가능하게 제공되어, 기판을 어닐링 처리 할 수 있다. 반출 챔버(320)는 복수개가 제공될 수 있다. 일 예로, 반출 챔버(320)는 이송 챔버(300)와 동일하게 2개가 제공될 수 있다. 반출 챔버(320)는 이송 챔버(300)와 상하 방향으로 배열되도록, 이송 챔버(300)의 위쪽 또는 아래쪽에 위치될 수 있다. 다른 실시 예로, 반출 챔버(320)는 이송 챔버(300)보다 많은 수가 제공될 수 있다. 예를 들어, 반출 챔버(320)는 4개가 제공될 수 있다. 2개의 반출 챔버(320)는 각각의 이송 챔버(300)와 상하로 배열되게 될 수 있다. 2개의 반출 챔버(320)는 이송 챔버(300)의 위쪽 또는 아래쪽에 위치될 수 있다. 또한, 2개의 반출 챔버(320)는 이송 챔버(300)의 위쪽 및 아래쪽에 하나씩 위치될 수 도 있다.
또 다른 예로, 복수의 이송 챔버(300)는 제2 방향 일측에 상하 방향으로 배열 되도록 위치되고, 복수의 반출 챔버(320)는 이송 챔버(300)의 제2 방향 측면에 상하 방향으로 배열되어 위치될 수 도 있다.
도 3은 연결 챔버를 나타내는 도면이다.
도 3을 참조하면 연결 챔버(51)는 제1 연결 챔버(500) 및 제2 연결 챔버(520)를 포함한다.
연결 챔버(51)에는 전방 도어(52) 및 후방 도어(53)가 제공될 수 있다. 전방 도어(52)는 전방 트랜스퍼 챔버(35)와 연결 챔버(51)의 내측 공간을 연결하는 경로를 개폐한다. 후방 도어(53)는 후방 트랜스퍼 챔버(55)와 연결 챔버(51)의 내측 공간을 연결하는 경로를 개폐한다.
제1 연결 챔버(500)는 기판이 전방 트랜스퍼 챔버(35)에서 후방 트랜스퍼 챔버(55)로 이동되는 경로를 제공한다. 또한, 제1 연결 챔버(500)는 기판이 후방 트랜스퍼 챔버(55)에서 전방 트랜스퍼 챔버(35)로 이동되는 경로를 제공할 수 도 있다.
제1 연결 챔버(500)에는 기판이 위치되는 이송 지지부(511)가 제공된다. 이송 지지부(511)는 2개가 제공될 수 있다. 이송 지지부(511)들은 상하로 배열될 수 있다. 후방 기판 이송기(56)는 동시에 또는 순차적으로 이송 지지부(511)들에서 2장의 기판을 반출할 수 있다.
제1 연결 챔버(500)는 복수가 제공된다. 일 예로, 제1 연결 챔버(500)는 2개가 제공될 수 있다. 2개의 제1 연결 챔버(500)는 동일 높이에 제2 방향을 따라 좌우로 위치될 수 있다.
제1 연결 챔버(500)에는 얼라이너(512)가 제공될 수 있다. 얼라이너(512)는 기판을 회전시켜 기판의 정렬 방향을 바꾼다. 기판에는 방향 설정을 위해 노치가 형성된 상태일 수 있다. 기판은 노치가 설정 방향을 향하도록 공정 챔버(80)로 반입된 후 처리된다. 기판은 노치가 설정 방향을 향하도록 이송 챔버(300)로 반입된다. 이후, 이송 챔버(300)의 기판은 전방 기판 이송기(36)에 의해 전방 트랜스퍼 챔버(35) 둘레의 공정 챔버(80)로 반입되어 처리될 수 있다. 또한, 이송 챔버(300)의 기판은 전방 기판 이송기(36)에 의해 제1 연결 챔버(500)로 이동되고, 후방 기판 이송기(56)에 의해 후방 트랜스퍼 챔버(55) 둘에의 공정 챔버(80)로 반입되어 처리될 수 도 있다. 이송 챔버(300)의 기판이 전방 기판 이송기(36)에 의해 제1 연결 챔버(500)로 이동되면, 제1 연결 챔버(500)에서의 노치 방향은 이송 챔버(300)에서의 노치 방향과 반대가 된다. 따라서, 후방 트랜스퍼 챔버(55) 둘레의 공정 챔버(80)로 반입되는 기판의 정렬 방향이 전방 트랜스퍼 챔버(35) 둘레의 공정 챔버(80)로 반입되는 기판의 정렬 방향과 동일하게 되도록 하기 위해, 얼라이너(512)는 기판의 정렬 방향을 바꿀 수 있다. 일 예로, 얼라이너(512)는 제1 연결 챔버(500)로 반입된 기판을 180°회전 시킬 수 있다.
제2 연결 챔버(520)는 후방 트랜스퍼 챔버(55) 둘레의 공정 챔버(80)에서 처리된 기판이 전방 트랜스퍼 챔버(35)로 이동되는 경로를 제공한다.
제2 연결 챔버(520)에는 기판이 위치되는 반송 지지부(521)가 제공된다. 제2 연결 챔버(520)는 기판을 가열하여 기판을 어닐링 처리 가능하게 제공된다. 일 예로, 반송 지지부(521)는 기판을 가열 가능하게 제공되어, 기판을 어닐링 처리 할 수 있다. 제2 연결 챔버(520)는 복수개가 제공될 수 있다. 일 예로, 제2 연결 챔버(520)는 제1 연결 챔버(500)와 동일하게 2개가 제공될 수 있다. 제2 연결 챔버(520)는 제1 연결 챔버(500)와 상하 방향으로 배열되도록, 제1 연결 챔버(500)의 위쪽 또는 아래쪽에 위치될 수 있다. 다른 실시 예로, 제2 연결 챔버(520)는 제1 연결 챔버(500)보다 많은 수가 제공될 수 있다. 예를 들어, 제2 연결 챔버(520)는 4개가 제공될 수 있다. 2개의 제2 연결 챔버(520)는 각각의 제1 연결 챔버(500)와 상하로 배열되게 될 수 있다. 2개의 제2 연결 챔버(520)는 제1 연결 챔버(500)의 위쪽 또는 아래쪽에 위치될 수 있다. 또한, 2개의 제1 연결 챔버(500)는 제1 연결 챔버(500)의 위쪽 및 아래쪽에 하나씩 위치될 수 도 있다.
또 다른 예로, 복수의 제1 연결 챔버(500)는 제2 방향 일측에 상하 방향으로 배열 되도록 위치되고, 복수의 제2 연결 챔버(520)는 제1 연결 챔버(500)의 제2 방향 측면에 상하 방향으로 배열되도록 위치될 수 도 있다.
도 4는 공정 챔버를 나타내는 도면이다.
도 4를 참조하면, 공정 챔버(80)은 하우징(810), 기판 지지 부재(820) 및 플라즈마 여기부(830)를 포함한다.
하우징(810)는 공정 처리가 수행되는 내측 공간을 제공한다. 하우징(810)의 측벽의 하부 또는 하부벽에는 배기홀(811)이 형성된다. 배기홀(811)은 배기 라인(812)과 연결된다. 배기 라인(812)을 통해 하우징(810)의 내부 압력이 조절되거나, 공정에서 발생된 반응 부산물이 하우징(810) 외부로 배출될 수 있다.
기판 지지 부재(820)는 하우징(810) 내부에 위치된다. 기판 지지 부재(820)의 상면에는 처리될 기판이 놓여진다. 기판 지지 부재(820)의 내부에는 냉각 유체가 순환하는 냉각 유로(미도시)가 형성될 수 있다. 냉각 유체는 냉각 유로를 따라 순환하며 기판 지지 부재(820)를 냉각한다. 기판 지지 부재(820)에는 리프트 핀(821)이 제공된다. 리프트 핀(821)을 기판을 지지한 상태로 상하로 이동될 수 있다.
기판 지지 부재(820)와 하우징(810)의 내측벽 사이에는 배플(840)이 제공될 수 있다. 배플(840)에 의해 하우징(810)의 내부는 상부 공간(811) 및 하부 공간(812)으로 구획될 수 있다. 배플(840)은 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 배플(840)에는 복수의 관통홀들이 형성된다. 하우징(810) 내에 제공된 공정 가스는 배플(840)의 관통홀들을 통과하여 하부 공간(812)으로 공급된다.
플라즈마 여기부(830)는 하우징(810)의 내측 공간에 기판의 처리에 이용되는 플라즈마를 제공한다. 플라즈마 여기부(830)는 하우징(810)의 상부에 제공될 수 있다. 플라즈마 여기부(830)는 리모트 타입 플라즈마 여기부, 용량결합 플라즈마 여기부, 유도결합 플라즈마 여기부 등으로 제공될 수 있다. 도 4에는 리모트 타입 플라즈마 여기부(830)를 일 예로 도시 하였다.
이하, 기판이 처리되는 과정을 설명한다. 처리되지 않은 기판은 전방 트랜스퍼 챔버(35) 둘레의 공정 챔버(80)들 또는 후방 트랜스퍼 챔버(55) 둘레의 공정 챔버(80)들 중 하나로 반입되어 플라즈마를 통해 처리된다. 기판이 플라즈마를 통해 처리되면, 기판에는 반응 부산물이 발생된다. 반응 부산물의 제거를 위해 기판은 반출 챔버(320)들 또는 제2 연결 챔버(520)들 가운데 하나에서 어닐링 처리된다.
일 예로, 이송 챔버(300)를 통해 반입된 미처리 기판들 중 일부는 전방 기판 이송기(36)를 통해 전방 트랜스퍼 챔버(35)의 둘레에 위치된 공정 챔버(80)로 반입되어 처리된다. 이송 챔버(300)를 통해 반입된 미처리 기판들 중 일부는 제1 연결 챔버(500)를 통해 후방 트랜스퍼 챔버(55)의 둘레에 위치된 공정 챔버(80)로 이동되어 처리된다.
전방 트랜스퍼 챔버(35)의 둘레에 위치된 공정 챔버(80)에서 1차적으로 처리된 기판은 반출 챔버(320)들 가운데 하나로 이동되어 어닐링 처리된 후 설비 전방 단부 모듈(10)로 반출된다. 후방 트랜스퍼 챔버(55)의 둘레에 위치된 공정 챔버(80)에서 1차적으로 처리된 기판은 제2 연결 챔버(520)에서 어닐링 처리된 후 전방 트랜스퍼 챔버(35)로 전달 된 후, 로드락 챔버(31)를 통해 반출된다. 이 때, 제2 연결 챔버(520)에서 어닐링된 기판은 이송 챔버(300)를 통해 반출되거나, 반출 챔버(320)를 통해 어닐링은 생략되고 반출 작업이 이루어 질 수 있다. 반출 챔버(320)는 전방 트랜스퍼 챔버(35) 둘레의 공정 챔버(80)에서 처리된 기판에 대해 어닐링 공정을 수행한다. 또한, 반출 챔버(320)는 기판의 반출 시 외기가 유입되는 방지하기 위한 압력 조절을 수행한다. 제2 연결 챔버(520)는 후방 트랜스퍼 챔버(55) 둘레의 공정 챔버(80)에서 처리된 기판에 대해 어닐링 공정을 수행한다. 이때, 기판은 압력이 조절된 상태의 전방 트랜스퍼 챔버(35)로 이동되므로, 제2 연결 챔버(520)는 압력 조절을 수행하지 않아, 단위 시간당 제2 연결 챔버(520)는 반출 챔버(320) 보다 많은 수의 기판에 대해 어닐링 공정을 수행할 수 있다. 따라서, 후방 트렌스퍼 챔버의 둘레에 상대적으로 많은 수의 공정 챔버(80)가 위치되어도 효율적으로 어닐링 처리되고, 반출 챔버(320)가 어닝링 처리 및 압력 조절을 수행하는 시간과 반출 챔버(320)가 어닐링 처리 하는 시간이 균형을 이룰 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
10: 설비 전방 단부 모듈 11: 로드 포트
15: 이송프레임 30: 전방 공정 처리부
50: 후방 공정 처리부 80: 공정 챔버

Claims (9)

  1. 카세트가 위치되는 로드 포트를 갖는 설비 전방 단부 모듈;
    기판을 이송하는 전방 기판 이송기를 갖는 전방 트랜스퍼 챔버;
    상기 설비 전방 단부 모듈과 상기 전방 트랜스퍼 챔버 사이에 위치되고 기판을 어닐링 처리 할 수 있는 로드락 챔버;
    기판을 이송하는 후방 기판 이송기를 갖는 후방 트랜스퍼 챔버;
    상기 전방 트랜스퍼 챔버와 상기 후방 트랜스퍼 챔버 사이에 위치되고 기판을 어닐링 처리 할 수 있는 연결 챔버; 및
    상기 전방 트랜스퍼 챔버 및 상기 후방 트랜스퍼 챔버의 둘레에 위치되는 복수의 공정 챔버를 포함하며,
    상기 연결 챔버는,
    기판이 위치되는 이송 지지부를 갖는 제1 연결 챔버; 및
    상기 공정 챔버에서 처리된 기판을 어닐링 처리하고, 기판이 상기 후방 트랜스퍼 챔버에서 상기 전방 트랜스퍼 챔버로 이동되는 경로를 제공하는 제2 연결 챔버를 포함하고,
    상기 제1 연결 챔버는 기판의 정렬 방향을 조절하는 얼라이너를 포함하고,
    상기 제1 연결 챔버와 상기 제2 연결 챔버는, 상하 방향으로 배열되도록 위치된 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 로드락 챔버는,
    기판이 위치되는 반입 지지부를 갖는 이송 챔버; 및
    상기 공정 챔버에서 처리된 기판을 어닐링 처리하고, 기판이 상기 전방 트랜스퍼 챔버에서 상기 설비 전방 단부 모듈로 반출되는 경로를 제공하는 반출 챔버를 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 후방 트랜스퍼 챔버의 둘레에 위치되는 상기 공정 챔버의 수는 상기 전방 트랜스퍼 챔버의 둘레에 위치되는 상기 공정 챔버의 수 이상으로 제공되는 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 공정 챔버는 2개가 쌍을 이루어 상기 전방 트랜스퍼 챔버 및 상기 후방 트랜스퍼 챔버의 일측에 선형으로 배열되는 기판 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 공정 챔버는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리 하는 기판 처리 장치.
  8. 제1항의 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에 있어서,
    상기 후방 트랜스퍼 챔버의 둘레에 위치된 상기 공정 챔버에서 처리된 기판은 상기 연결 챔버에서 어닐링 처리하고, 상기 전방 트랜스퍼 챔버의 둘레에 위치된 상기 공정 챔버에서 처리된 기판은 상기 로드락 챔버에서 어닐링 처리하는 기판 처리 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 후방 트랜스퍼 챔버의 둘레에 위치된 상기 공정 챔버에서 처리되기 위해, 상기 전방 트랜스퍼 챔버에서 상기 연결 챔버로 전달된 기판은 상기 연결 챔버에서 정렬 방향이 변경되는 기판 처리 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2014511575A (ja) * 2011-03-01 2014-05-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド デュアルロードロック構成内の除害及びストリップ処理チャンバ
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