TWI550712B - 基板處理裝置及方法 - Google Patents

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TWI550712B TW103121578A TW103121578A TWI550712B TW I550712 B TWI550712 B TW I550712B TW 103121578 A TW103121578 A TW 103121578A TW 103121578 A TW103121578 A TW 103121578A TW I550712 B TWI550712 B TW I550712B
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Description

基板處理裝置及方法
本發明係關於基板處理裝置及方法，更特定言之，係關於一種利用電漿處理基板的裝置及方法。
電漿係指由離子或電子、原子團(radical)等構成的離子化氣體狀態，電漿藉助於極高溫度或強電場或射頻電磁場(RF Electromagnetic Fields)而產生。
此種電漿在使用光阻劑(photoresist)來製造半導體元件的微影(lithography)製程中獲多樣地使用。作為一個示例，在基板上形成諸如線條(line)或空間(space)圖案等的各種精細電路圖案時，或在用於移除離子佈植(ion implantation)製程中用作遮罩(mask)之光阻劑膜的灰化(ashing)製程中，電漿利用率正在逐漸提高。
在韓國註冊專利第10-1234595號中，揭示一種利用電漿對基板進行製程處理的裝置。裝置在製程腔室之中央配置有基座，在反應器內產生的電漿經由擴散空間擴散並流入製程腔室中。
在擴散空間之中心部，電漿以比在其他區域更快之速度流下，與隔板碰撞。電漿引起渦流。此種電漿之流動向 隔板之中心部持續供應粒子。粒子穿過在隔板之中心部形成的分配孔，從而提供為基板之污染源。
先前技術文獻
專利文獻
韓國註冊專利第10-1234595號
本發明提供一種能夠達成基板之污染源最小化的基板處理裝置及方法。
本發明實施例之基板處理裝置包括：製程腔室，其內部形成有空間；基座，其位於該製程腔室內部以支撐基板；隔板，其位於該基座的上部，形成有分配孔；電漿產生部，其位於該製程腔室之上部，具有產生電漿的放電空間；以及，電漿擴散部，其位於該放電空間與該隔板之間，用以使自該放電空間向下流的電漿擴散至該隔板之邊緣區域。
另外，該電漿擴散部可包括：擴散塊，其位於該放電空間下方，具有與該放電空間相向之上表面；以及，多個支撐桿，其連接該擴散塊與該製程腔室以支撐該擴散塊。
另外，該擴散塊可不與該隔板接觸。
另外，該擴散塊之上表面可為向上凸起的凸起面。
另外，該擴散塊的上表面可為平坦平面。
另外，該擴散塊的上表面可為向下凹陷的凹陷面。
另外，該支撐桿可以該擴散塊為中心呈放射狀配置。
另外，該支撐桿垂直於長度方向的剖面可以為上下長 的橢圓形。
另外，該支撐桿垂直於長度方向之剖面可為翼形。
另外，該支撐桿可經配置以自該擴散塊愈朝向該製程腔室一側，高度愈逐漸升高以向上傾斜。
另外，該支撐桿可經配置以自該擴散塊愈朝向該製程腔室一側，高度愈逐漸降低以向下傾斜。
另外，該擴散塊之底面可與該隔板相向，具有向下尖銳之圓錐形狀。
另外，該製程腔室可包括：腔室主體，其上表面敞開以形成供該基座置放的空間；以及，腔室導流部，其將該隔板置於其間，與該腔室主體之上端結合，具有愈向下寬度愈逐漸加寬的擴散空間；該擴散塊可位於該擴散空間中。
本發明一個實施例的基板處理方法是，把在反應空間產生的電漿向置放於製程腔室內部的基板供應，處理該基板，且從該反應空間流下來的電漿沿著擴散塊的上表面流動，向隔板的邊緣區域擴散，穿過該隔板的噴射孔，向該基板供應。
另外，該擴散塊可在與該反應空間對準，位於該反應空間下方。
另外，該擴散塊可不與該隔板接觸。
另外，該擴散塊之上表面可與該反應空間相向，為向上凸起的凸起面。
另外，該製程腔室可位於該反應空間與該隔板之間， 具有愈向下寬度愈逐漸加寬的擴散空間；該擴散塊可位於該擴散空間中。
根據本發明之實施例，達成向基板之粒子供應的最小化，從而預防基板污染。
10‧‧‧設備前方端部模組/EFEM
12‧‧‧載入埠
14‧‧‧框架
16‧‧‧載體
18‧‧‧移送機器人
19‧‧‧移送軌道
20‧‧‧製程處理腔室
22‧‧‧加載鎖定腔室
24‧‧‧傳輸腔室
25‧‧‧主體
26‧‧‧搬運機器人
30‧‧‧基板處理裝置
100‧‧‧製程處理部
110‧‧‧製程腔室
111‧‧‧腔室主體
112‧‧‧腔室導流部
113‧‧‧排氣孔
114‧‧‧擴散空間
119‧‧‧排氣管線
120‧‧‧基座
130‧‧‧隔板
131‧‧‧分配孔
140‧‧‧排氣板
141‧‧‧排氣孔
200‧‧‧電漿產生部
210‧‧‧反應容器
211‧‧‧放電空間
220‧‧‧氣體注入埠
221‧‧‧感應空間
230‧‧‧感應線圈
240‧‧‧電源
250‧‧‧氣體供應部
251‧‧‧氣體儲存部
252‧‧‧氣體供應管線
300‧‧‧電漿擴散部
310‧‧‧擴散塊
311‧‧‧上表面
312‧‧‧底面
320‧‧‧支撐桿
330‧‧‧擴散塊
331‧‧‧上表面
340‧‧‧擴散塊
341‧‧‧上表面
350‧‧‧支撐桿
360‧‧‧支撐桿
370‧‧‧支撐桿
380‧‧‧支撐桿
P‧‧‧電漿
W‧‧‧基板
圖1為簡略地示出本發明實施例之基板處理設備的俯視圖。
圖2為概略地示出本發明實施例之基板處理裝置的圖。
圖3為示出本發明一個實施例之電漿擴散部安裝於腔室導流部的狀態立體圖。
圖4為示出根據本發明實施例之電漿流至電漿擴散部的狀態圖。
圖5為示出本發明一個實施例之支撐桿的剖面圖。
圖6為示出本發明另一實施例之電漿擴散部的圖。
圖7為示出本發明另一實施例之電漿擴散部的圖。
圖8為示出本發明又一實施例之電漿擴散部的圖。
圖9為示出本發明又一實施例之電漿擴散部的圖。
圖10為示出本發明另一實施例之支撐桿的剖面圖。
圖11為示出本發明又一實施例之支撐桿的剖面圖。
以下參照附圖，進一步詳細說明本發明之實施例。本發明之實施例可變形為多種形態，但不應解釋為本發明之範圍限於以下實施例。本發明之實施例提供用於向熟習此 項技術者更完全地說明本發明。因此，為更明確地強調說明內容，將附圖中要素之形狀進行誇示。
圖1為簡略地示出本發明實施例之基板處理設備的俯視圖。
如圖1所示，基板處理設備(1)包括設備前方端部模組(equipment front end module,EFEM,10)及製程處理腔室(20)。設備前方端部模組(EFEM,10)及製程處理腔室(20)配置於一個方向上。以下，將設備前方端部模組(EFEM,10)與製程處理腔室(20)佈置之方向定義為第一方向(X)，將自上部俯視時垂直於第一方向(X)之方向定義為第二方向(Y)。
設備前方端部模組(10)加裝於製程處理腔室(20)前方，用以向收納基板之載體(carrier)(16)與製程處理腔室(20)間移送基板(W)。設備前方端部模組(10)包括載入埠(12)及框架(14)。
載入埠(12)配置於框架(14)前方，且提供為多個。載入埠(12)相互隔開，沿著第二方向(2)配置成一列。載體(16)(例如儲放匣(cassette)、FOUP等)分別加裝於載入埠(12)。提供至製程之基板(W)及完成製程處理之基板(W)係收納於載體(16)中。
框架(14)配置於載入埠(12)與加載鎖定腔室(22)之間。在框架(14)內部，配置向載入埠(12)及加載鎖定腔室(22)間移送基板(W)之移送機器人(18)。移送機器人(18)可沿著於第二方向(Y)配備的移送軌道(19)移動。
製程處理腔室(20)包括加載鎖定腔室(22)、傳輸腔室(24)及多個基板處理裝置(30)。
加載鎖定腔室(22)配置於傳輸腔室(24)與框架(14)之間，提供用於使提供至製程的基板(W)在移送至基板處理裝置(30)之前待用或完成製程處理的基板(W)在移送至載體(16)之前待用的空間。加載鎖定腔室(22)可提供為一或多個。根據實施例，加載鎖定腔室(22)提供為兩個。在一個加載鎖定腔室(22)中，收納提供至基板處理裝置(30)以便製程處理的基板(W)，在另一加載鎖定腔室(22)中，可收納在基板處理裝置(30)中完成處理的基板(W)。
傳輸腔室(24)沿著第一方向(X)配置於加載鎖定腔室(22)之後方，自上部俯視時具有多邊形主體(25)。在主體(25)外側，加載鎖定腔室(22)及多個基板處理裝置(30)沿著主體(25)外周配置。根據實施例，傳輸腔室(24)在自上部俯視時，具有五邊形主體。在與設備前方端部模組(10)鄰接的兩側壁處，分別配置加載鎖定腔室(22)；在其餘側壁處，配置基板處理裝置(30)。在主體(25)之各側壁處，形成供基板(W)出入的通道(未圖示)。通道介於傳輸腔室(24)與加載鎖定腔室(22)之間，或介於傳輸腔室(24)與基板處理裝置(30)之間，其提供供基板(W)出入的空間。在各通道中，提供使通道開閉的門(未圖示)。傳輸腔室(24)可根據所要製程模組而以多樣的形狀來提供。
在傳輸腔室(24)內部，配置搬運機器人(26)。搬運機器人(26)將加載鎖定腔室(22)中待用的未處理基板(W)移 送至基板處理裝置(30)，或將基板處理裝置(30)中完成製程處理的基板(W)移送至加載鎖定腔室(22)。搬運機器人(26)可向基板處理裝置(30)連續地提供基板(W)。
基板處理裝置(30)向基板供應電漿狀態的氣體以執行製程處理。電漿氣體可在半導體製作製程中多樣地使用。以下說明基板處理裝置(30)執行灰化(ashing)製程的情形，但並非限定於此，該裝置可應用於蝕刻(etching)製程及氣相沈積(deposition)製程等利用電漿氣體的多樣製程。
圖2為概略地示出本發明實施例之基板處理裝置的圖。
如圖2所示，基板處理裝置(30)包括製程處理部(100)、電漿產生部(200)及電漿擴散部(300)。製程處理部(100)提供執行基板(W)處理的空間，電漿產生部(200)產生用於基板(W)處理製程的電漿，電漿擴散部(3000)使以向下流(Down Stream)方式流動的電漿擴散。以下對各構成進行詳細說明。
製程處理部(100)包括製程腔室(110)、基座(120)、隔板(130)及排氣板(140)。
製程腔室(110)提供執行基板處理的空間。製程腔室(110)包括腔室主體(111)之腔室導流部(112)。腔室主體(111)內部形成有空間，其上表面敞開。製程氣體流入腔室主體(111)的敞開上表面。在腔室主體(111)之底壁，形成有排氣孔(113)。排氣孔(113)形成為多個，其可在腔室 主體(111)之底壁邊緣區域形成。排氣孔(113)與排氣管線(119)連接。利用連接於排氣管線(119)之真空泵(未圖示)的驅動，真空壓經由排氣管線(119)及排氣孔(113)而接入製程腔室(110)內部。真空壓將滯留於製程腔室(110)內部的製程氣體吸入排氣孔(113)，將吸入的製程氣體藉由排氣管線(119)排出至外部。
在腔室主體(111)之側壁，可形成出入口。出入口提供作為基板向腔室內部及腔室外部移動的通道。出入口藉助於門(未圖示)來開閉。
腔室導流部(112)位於腔室主體(111)的上部。腔室導流部(112)覆蓋腔室主體(111)之敞開上表面。腔室導流部(112)之上端形成擴散空間(114)。擴散空間(114)之寬度愈靠近隔板(130)愈逐漸加寬。擴散空間(114)可具有倒漏斗形狀。擴散空間(114)與電漿產生部(200)連接，提供作為電漿向腔室(110)內部移動的通道。擴散空間(114)對電漿之流動進行引導，使得在電漿擴散過程中，原子團(radical)能夠不被消耗地良好流動。
基座(120)為具有既定厚度之圓形板，其上表面置放基板(W)。基座(120)之上表面可具有與基板(W)相應或比基板(W)大的半徑。基座(120)可提供藉助於靜電力而固定吸附基板(W)的靜電吸盤(electrostatic chuck)。
在基座(120)內部，可埋設加熱器(未圖示)。加熱器產生的熱藉由基座(120)傳遞至基板(W)，將基板(W)加熱至製程溫度。加熱器可將基板(W)加熱至約200℃~300℃。
在基座(120)上，可形成冷卻流路(未圖示)及頂起孔(未圖示)。冷卻流路提供作為冷卻流體循環的通道。冷卻流體對加熱至製程溫度的基板(W)及基座(120)進行迅速冷卻。基座(120)可冷卻至約-10℃~60℃。冷卻流路可在加熱器下部形成。冷卻流路可以螺旋形狀形成。不同於此，冷卻流路可由具有不同半徑的多個圓形流路同心地加以配置。冷卻流路可相互連接。
在頂起孔中，分別提供頂銷(未圖示)。頂銷在基板(W)載入於基座(120)上或卸載時、於支撐基板(W)的狀態下，沿著頂起孔升降。
隔板(130)位於基座(120)上部。在腔室主體(111)與腔室導流部(112)結合的區域處，隔板(130)兩端可支撐於製程腔室(110)。隔板(130)與基座(120)上表面相向配置。隔板(130)上形成分配孔(131)。分配孔(131)在隔板(130)之各區域均一地形成。分配孔(131)之尺寸可隨著隔板(130)之區域而不同。在隔板(130)中心部形成的分配孔(131)之尺寸可比在隔板(130)之邊緣部形成的分配孔(131)之尺寸小。在擴散空間(114)之中心部供應的電漿之流速比其他區域快，其與隔板(130)碰撞以使得產生渦流。此成為繼續向隔板(130)之中心部供應粒子(particle)之要因。為達成粒子穿過分配孔(131)情形的最小化，隔板(130)中心部之分配孔(131)尺寸提供得較小。
排氣板(140)提供為厚度較薄的圓環狀板。排氣板(140)沿著基座(120)之外周提供，其可位於與基座(120)相同高 度或位於比其更低的高度。排氣板(140)上形成排氣孔(141)。排氣孔(141)作為自排氣板(140)上表面向底面提供的貫通孔，其沿著排氣板(140)之外周均一地形成。排氣孔(141)向製程腔室(110)內部各區域均一地接入真空壓。電漿在向基板(W)各區域均一供應後流入排氣孔(141)。
電漿產生部(200)位於製程腔室(110)上部，使得自製程氣體產生電漿。電漿產生部(200)包括反應容器(210)、氣體注入埠(220)、感應線圈(230)、電源(240)及氣體供應部(250)。
反應容器(210)為圓筒形狀，其上表面及下表面敞開，其內部形成有空間。反應容器(210)之內部提供作為製程氣體放電的放電空間(211)。反應容器(210)下端與腔室導流部(112)之上端連接，放電空間(211)與擴散空間(114)連接。在放電空間(211)放電的製程氣體係在擴散空間(114)擴散，且流入製程腔室(110)內部。
反應容器(210)上端結合氣體注入埠(220)。氣體注入埠(220)與氣體供應部(250)連接以供氣體流入。在氣體注入埠(220)底面形成有感應空間(221)。感應空間(221)具有倒漏斗形狀，與放電空間(211)連通。流入感應空間(221)之氣體進行擴散，以流入放電空間(211)。
感應線圈(230)沿著反應容器(210)的外周於反應器(210)上纏繞多圈。感應線圈(230)之一端與電源(240)連接，而另一端接地。電源(240)向感應線圈(230)接入高頻電力或微波電力。
氣體供應部(250)向放電空間(211)供應氣體。在氣體儲存部(251)儲存的製程氣體藉由氣體供應管線(252)向放電空間(211)供應。製程氣體可包括NH3、O2、N2、H3、NF3CH4中之至少一種氣體。
電漿擴散部(300)位於放電空間(211)與隔板(130)之間，以使自放電空間(211)流下的電漿擴散至隔板(130)之邊緣區域。
圖3為示出本發明一個實施例之電漿擴散部安裝於腔室導流部的狀態立體圖。
如圖2及圖3所示，電漿擴散部(300)包括擴散塊(310)及支撐桿(320)。
擴散塊(310)作為具有既定體積之塊，其位於擴散空間(114)之中心部。擴散塊(310)之上表面(311)與放電空間(211)相向，底面(312)與隔板(130)相向。擴散塊(310)之上表面(311)可提供為中心部比邊緣高。根據實施例，擴散塊(310)之上表面(311)可提供為向上凸出的凸起面。
在擴散空間(114)之中心部，電漿(P)以很快的速度向下流，如圖4所示，碰撞擴散塊(310)之上表面(311)。電漿(P)沿著擴散塊(310)之上表面(311)流動，從而引導至擴散空間(114)之邊緣區域以提供至隔板(130)的邊緣區域。在此過程中，電漿(P)中包含的粒子向隔板(130)中心部及基板(W)的供應可實現最小化。另外，電漿(P)沿著以曲面提供的擴散塊(310)之上表面(311)流動，因而能夠預防渦流產生。
擴散塊(310)之底面(312)以中心部向下尖銳的圓錐形狀提供。擴散塊(310)之底面(312)形狀不妨害電漿的順利擴散，以便向隔板(130)之各區域均一地供應電漿。
擴散塊(310)與隔板(130)未接觸。擴散塊(310)之底面(312)末端與隔板(130)保持既定距離。擴散塊(310)比隔板(130)更靠近熱源，亦即，靠近電漿產生之放電空間(211)的區域，因而容易加熱至高溫。隔板(130)與擴散塊(310)未接觸，因而能夠防止擴散塊(310)因加熱導致的熱變形。
支撐桿(320)為具有既定長度的桿以支撐擴散塊(310)。支撐桿(320)一端與擴散塊(310)結合，另一端與製程腔室(110)結合。支撐桿(320)之另一端與腔室導流部(112)之內側面結合。根據實施例，支撐桿(320)沿水平方向配置，一端與另一端位於相同高度。支撐桿(320)提供為多個，以擴散塊(310)為中心呈放射狀配置。沿著擴散塊(310)之外周，支撐桿(320)構成既定角度。根據實施例，支撐桿(320)提供為4個，其以擴散塊(310)為中心呈十字形態配置。與之不同，支撐桿(320)可提供為2個、3個、6個或8個，將擴散空間(114)分割成多個區域。
如圖5所示，支撐桿(320)垂直於長度方向之剖面可提供為橢圓形。支撐桿(320)之剖面可為向下長長地下垂的橢圓形。此種支撐桿(320)之剖面形狀使得電漿(P)的向下流動順利。電漿(P)沿著以曲面提供的支撐桿(320)之外側面而流下。
以下說明利用上述基板處理裝置處理基板的過程。
儲存於氣體儲存部(251)中的製程氣體藉由氣體供應管線(252)向反應容器(210)內供應。電源(240)向感應線圈(230)接入高頻電力，在放電空間(211)形成電磁場。電磁場自製程氣體產生電漿。
電漿沿著放電空間(211)向下流，在擴散空間(114)擴散。在擴散空間(114)中心部，電漿之流速比其他區域快。流至擴散空間(114)中心部的電漿碰撞擴散塊(310)之上表面(311)，沿著擴散塊(310)之上表面(311)擴散至隔板(130)之邊緣區域。電漿以均一的流動穿過隔板(130)之分配孔(131)來向基板(W)供應。
電漿移除基板(W)上塗佈的光阻劑層。基板處理後，電漿穿過隔板(140)之排氣孔(141)流入排氣孔(113)。
圖6為示出本發明另一實施例之電漿擴散部的圖。
如圖6所示，擴散塊(330)之上表面(331)以平坦平面提供。流至擴散空間(114)中心部的電漿(P)沿著擴散塊(330)之上表面(331)流動，以便擴散至隔板(130)之邊緣區域。
圖7為示出本發明另一實施例之電漿擴散部的圖。
如圖7所示，擴散塊(340)之上表面(341)以向下凹陷的凹陷面提供。擴散塊(340)之上表面(341)提供為中心部比邊緣部低。流至擴散空間(114)之中心部的電漿(P)沿著擴散塊(340)之上表面(341)流動，以便擴散至隔板(130)之邊緣區域。
圖8為示出本發明又一實施例之電漿擴散部的圖。如 圖8所示，支撐桿(350)可自擴散塊(310)愈向腔室導流部(112)一側，高度愈逐漸升高以向上傾斜地提供。
圖9為示出本發明又一實施例之電漿擴散部的圖。如圖9所示，支撐桿(360)可自擴散塊(310)愈向腔室導流部(112)一側，高度愈逐漸降低以向下傾斜地提供。
圖9及圖10的支撐桿(350,360)可調節擴散塊(310)與隔板(130)之間的距離。藉由使支撐桿(350,360)之傾斜方向及傾斜角不同，從而調節擴散塊(310)與隔板(130)之間的距離。另外，支撐桿(350,360)可根據流至擴散空間(114)的電漿之流動來調節傾斜方向及傾斜角。
圖10為示出本發明另一實施例之支撐桿的剖面圖。如圖10所示，支撐桿(370)在上下方向上可具有翼形剖面。
圖11為示出本發明又一實施例之支撐桿的剖面圖。如圖11所示，支撐桿(380)可具有在上下方向上長長地提供的矩形剖面。
支撐桿(370,380)之剖面的形狀可因流至擴散空間的電漿之流動而異。
以上詳細說明為對本發明的例示。另外，前述內容藉由列舉本發明之較佳實施形態進行說明，本發明可以多樣的其他組合、變更及情形來使用。換言之，可在本說明書中揭示的發明概念之範圍、與前述揭示內容等效的範圍及/或所述技術領域之技術或知識範圍內做出變更或修改。前述實施例說明用於體現本發明技術思想之最佳狀態，亦能夠對本發明之具體應用領域及用途要求做出多種變更。因 此，以上發明之詳細說明並非意在將本發明限於所揭示的實施狀態。另外，附加申請範圍應解釋為還包含其他實施狀態。
30‧‧‧基板處理裝置
110‧‧‧製程腔室
111‧‧‧腔室主體
112‧‧‧腔室導流部
113‧‧‧排氣孔
114‧‧‧擴散空間
119‧‧‧排氣管線
120‧‧‧基座
130‧‧‧隔板
131‧‧‧分配孔
140‧‧‧排氣板
141‧‧‧排氣孔
200‧‧‧電漿產生部
210‧‧‧反應容器
211‧‧‧放電空間
220‧‧‧氣體注入埠
221‧‧‧感應空間
230‧‧‧感應線圈
240‧‧‧電源
250‧‧‧氣體供應部
251‧‧‧氣體儲存部
252‧‧‧氣體供應管線
300‧‧‧電漿擴散部
310‧‧‧擴散塊
311‧‧‧上表面
312‧‧‧底面
320‧‧‧支撐桿
W‧‧‧基板

Claims (13)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵在於，包括：一製程腔室，其內部形成有一空間；一基座，其位於該製程腔室內部以支撐該基板；一隔板，其位於該基座之上部，形成有分配孔；一電漿產生部，其位於該製程腔室之上部，具有產生電漿的放電空間；一電漿擴散部，其位於該放電空間與該隔板之間，用以自該放電空間向下流的電漿擴散至該隔板之邊緣區域；以及一擴散塊，其位於該放電空間正下方，具有與該放電空間相向之上表面；其中該擴散塊對齊於放電空間且位於該電漿擴散部之中心部。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中，該電漿擴散部包括：多個支撐桿，其連接該擴散塊與該製程腔室以支撐該擴散塊。
  3. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中，該擴散塊與該隔板未接觸。
  4. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中，該擴散塊之上表面為向上凸起的凸起面。
  5. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中，該擴散塊之上表面為平坦平面。
  6. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中，該擴散塊之上表面為向下凹陷的凹陷面。
  7. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中，該支撐桿以該擴散塊為中心呈放射狀配置。
  8. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中，該支撐桿垂直於長度方向之剖面為上下長的橢圓形。
  9. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中，該支撐桿垂直於長度方向之剖面為翼形。
  10. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中，該支撐桿經配置以自該擴散塊愈朝向該製程腔室一側，高度愈逐漸升高以向上傾斜。
  11. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中，該支撐桿經配置以自該擴散塊愈朝向該製程腔室一側，高度愈逐漸降低以向下傾斜。
  12. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中，該擴散塊之底面與該隔板相向，具有向下尖銳之圓錐形狀。
  13. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中，該製程腔室包括：一腔室主體，其上表面敞開以形成供該基座置放的空間；以及一腔室導流部，其將該隔板置於其間，與該腔室主體之上端結合，具有愈向下寬度愈逐漸加寬的擴散空間；該擴散塊位於該擴散空間中。
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