JPH06260450A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
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- JPH06260450A JPH06260450A JP4382293A JP4382293A JPH06260450A JP H06260450 A JPH06260450 A JP H06260450A JP 4382293 A JP4382293 A JP 4382293A JP 4382293 A JP4382293 A JP 4382293A JP H06260450 A JPH06260450 A JP H06260450A
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- Japan
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- chamber
- electrode
- etching
- plate electrode
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Abstract
(57)【要約】
【目的】高スループットを実現したドライエッチング装
置を提供する。 【構成】平行平板方式のエッチング室を有するドライエ
ッチング装置において、１つのエッチング室ＥＣの中に
複数の平行平板電極対（UE11,LE11),(UE12,LE12),(UE1
3,LE13),(UE14,LE14), ・・・・(UE1n,LE1n)、(UE21,LE
21),(UE22,LE14),(UE23,LE23),(UE24,LE24)・・・・(UE
2n,LE2n)を備えた。 【効果】１つのエッチング室で同時に多数枚の基板を処
理でき、また同時に異なる基板処理が可能となり、スル
ープットが向上できる。
置を提供する。 【構成】平行平板方式のエッチング室を有するドライエ
ッチング装置において、１つのエッチング室ＥＣの中に
複数の平行平板電極対（UE11,LE11),(UE12,LE12),(UE1
3,LE13),(UE14,LE14), ・・・・(UE1n,LE1n)、(UE21,LE
21),(UE22,LE14),(UE23,LE23),(UE24,LE24)・・・・(UE
2n,LE2n)を備えた。 【効果】１つのエッチング室で同時に多数枚の基板を処
理でき、また同時に異なる基板処理が可能となり、スル
ープットが向上できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属膜，半導体膜，絶
縁膜等を所望のパターンにパターニングするためのドラ
イエッチング装置に係り、特に大面積液晶表示デバイス
用薄膜トランジスタ基板等の電子デバイスの製造に好適
なドライエッチング装置に関する。
縁膜等を所望のパターンにパターニングするためのドラ
イエッチング装置に係り、特に大面積液晶表示デバイス
用薄膜トランジスタ基板等の電子デバイスの製造に好適
なドライエッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や薄膜ダイ
オード等の素子を基板上に形成する方法としてプラズマ
を用いてパターンエッチングを行うドライエッチング法
が広く用いられるようになった。このドライエッチング
法は、薬液を用いる既存のウエットエッチング法に比べ
て、加工形状，エッチング速度のコントロール、および
コントロールの開始／停止が瞬時に行うことができるこ
と、そして微細な加工を高精度で容易に行うことができ
るという特徴がある。
オード等の素子を基板上に形成する方法としてプラズマ
を用いてパターンエッチングを行うドライエッチング法
が広く用いられるようになった。このドライエッチング
法は、薬液を用いる既存のウエットエッチング法に比べ
て、加工形状，エッチング速度のコントロール、および
コントロールの開始／停止が瞬時に行うことができるこ
と、そして微細な加工を高精度で容易に行うことができ
るという特徴がある。
【０００３】図６は従来技術による一般的なドライエッ
チング装置の構成を説明する模式図であって、Ｃ１，Ｃ
２は基板ＳＧを入れるカセットケース、ＬＣはロード
室、ＡＭ１，ＡＭ２は搬送アーム、ＥＣはエッチング
室、ＵＥ，ＬＥは平行平板電極対、ＵＣはアンロード
室、ＥＳは高周波電源、ＭＢは整合器、ＭＣは流量調整
器、ＶＰは真空ポンプ、ＷＴ１，ＷＴ２は冷却室、Ｖ
１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４はバルブである。
チング装置の構成を説明する模式図であって、Ｃ１，Ｃ
２は基板ＳＧを入れるカセットケース、ＬＣはロード
室、ＡＭ１，ＡＭ２は搬送アーム、ＥＣはエッチング
室、ＵＥ，ＬＥは平行平板電極対、ＵＣはアンロード
室、ＥＳは高周波電源、ＭＢは整合器、ＭＣは流量調整
器、ＶＰは真空ポンプ、ＷＴ１，ＷＴ２は冷却室、Ｖ
１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４はバルブである。
【０００４】同図において、基板ＳＧはロード室ＬＣに
搬送され、ついで搬送アームＡＭ１によりエッチング室
ＥＣ内に送られる。ロード室ＬＣはバルブＶ１を介して
真空に引かれている。エッチング室ＥＣには相対して配
置された平行平板電極対ＵＥ，ＬＥが設置されており、
搬送された基板ＳＧは一方の電極（下部電極ＬＥ）上に
載置される。
搬送され、ついで搬送アームＡＭ１によりエッチング室
ＥＣ内に送られる。ロード室ＬＣはバルブＶ１を介して
真空に引かれている。エッチング室ＥＣには相対して配
置された平行平板電極対ＵＥ，ＬＥが設置されており、
搬送された基板ＳＧは一方の電極（下部電極ＬＥ）上に
載置される。
【０００５】そして、他方の電極（上部電極ＵＥ）には
整合器ＭＢを通して高周波電源ＥＳから高周波電力が加
えられる。また、平行平板電極ＵＥ，ＬＥのそれぞれに
は、冷却水ＷＴ１，ＷＴ２が流され、動作中に発生する
熱を冷却する。エッチング室ＥＣには、流量調整器Ｍ
Ｃ，バルブＶ４を通してエッチャントガスが導入される
と共に、導入されたエッチャントガスはバルブＶ２，真
空ポンプＶＰにより排気される。
整合器ＭＢを通して高周波電源ＥＳから高周波電力が加
えられる。また、平行平板電極ＵＥ，ＬＥのそれぞれに
は、冷却水ＷＴ１，ＷＴ２が流され、動作中に発生する
熱を冷却する。エッチング室ＥＣには、流量調整器Ｍ
Ｃ，バルブＶ４を通してエッチャントガスが導入される
と共に、導入されたエッチャントガスはバルブＶ２，真
空ポンプＶＰにより排気される。
【０００６】このとき、エッチング室ＥＣ内の真空度は
バルブＶ２によって、通常は数１００ｍｍＴｏｒｒに調
整される。エッチング室ＥＣに導入されたエッチャント
ガスは、高周波電力によってプラズマ放電で分解、活性
化して基板ＳＧの表面をエッチングする。エッチングさ
れた後の基板ＳＧはアンロード室ＵＣの搬送アームＡＭ
２により搬送され、カセットケースＣ２に送られる。な
お、アンロード室ＵＣもバルブＶ３を介して真空に引か
れている。
バルブＶ２によって、通常は数１００ｍｍＴｏｒｒに調
整される。エッチング室ＥＣに導入されたエッチャント
ガスは、高周波電力によってプラズマ放電で分解、活性
化して基板ＳＧの表面をエッチングする。エッチングさ
れた後の基板ＳＧはアンロード室ＵＣの搬送アームＡＭ
２により搬送され、カセットケースＣ２に送られる。な
お、アンロード室ＵＣもバルブＶ３を介して真空に引か
れている。
【０００７】なお、この種の従来技術を開示したものと
しては、カーナーズ エクスポジション（株）主催「第
１回 ファインプロセステクノロジー・ジャパン ’９
１専門技術セミナー”セミナーテキスト 製造技術（プ
ロセス・装置）セッションＲ−５ 「ドライ・エッチン
グ・プロセスの現状と今後の課題」”（１９９１年７月
６日）を挙げることができる。
しては、カーナーズ エクスポジション（株）主催「第
１回 ファインプロセステクノロジー・ジャパン ’９
１専門技術セミナー”セミナーテキスト 製造技術（プ
ロセス・装置）セッションＲ−５ 「ドライ・エッチン
グ・プロセスの現状と今後の課題」”（１９９１年７月
６日）を挙げることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術のプラズ
マエッチング装置は、基板ＳＧを１枚ずつエッチング処
理するため、１枚のサイズが３０ｃｍ角〜４０ｃｍ角と
大きい薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ基板）等の大型基
板のエッチング処理では、所謂スループットが悪いとい
う問題がある。
マエッチング装置は、基板ＳＧを１枚ずつエッチング処
理するため、１枚のサイズが３０ｃｍ角〜４０ｃｍ角と
大きい薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ基板）等の大型基
板のエッチング処理では、所謂スループットが悪いとい
う問題がある。
【０００９】これを改善するため、エッチング室を多数
並べることも提案されているが、これは多数のエッチン
グを並設することと等価であり、装置のコストが高くな
る。また、ドライエッチングでは、複数の異なるエッチ
ング処理を連続して行う場合が多く、このような場合に
は複数のエッチング室を直列に接続した構成として対応
している。このような構成もやはり装置のコストが高く
なってしまう。
並べることも提案されているが、これは多数のエッチン
グを並設することと等価であり、装置のコストが高くな
る。また、ドライエッチングでは、複数の異なるエッチ
ング処理を連続して行う場合が多く、このような場合に
は複数のエッチング室を直列に接続した構成として対応
している。このような構成もやはり装置のコストが高く
なってしまう。
【００１０】さらに、平行平板電極対の各電極を大面積
として、多数の基板を並べて一括処理するという方法も
考えられるが、（１）平行平板電極対の電極面積が大き
くなると、エッチングガスの均一な流れを保証すること
ができなくなり、プラズマが不均一となってエッチング
量の均一性が低下する、（２）平行平板電極対の電極面
積が大きくなる程、精度よく電極を加工することが困難
となり、温度上昇に伴う「そり」の発生等の問題が生じ
る、そして（３）平行平板電極対の電極重量が大きくな
り、その取付けや取外し等、装置のメンテナンスが困難
になる、などの新たな問題が発生する。
として、多数の基板を並べて一括処理するという方法も
考えられるが、（１）平行平板電極対の電極面積が大き
くなると、エッチングガスの均一な流れを保証すること
ができなくなり、プラズマが不均一となってエッチング
量の均一性が低下する、（２）平行平板電極対の電極面
積が大きくなる程、精度よく電極を加工することが困難
となり、温度上昇に伴う「そり」の発生等の問題が生じ
る、そして（３）平行平板電極対の電極重量が大きくな
り、その取付けや取外し等、装置のメンテナンスが困難
になる、などの新たな問題が発生する。
【００１１】本発明の目的は、上記従来技術の諸問題を
解消し、装置コストを上げることなく高スループットを
実現したドライエッチング装置を提供することにある。
解消し、装置コストを上げることなく高スループットを
実現したドライエッチング装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、平行平板方式のエッチング室を有するド
ライエッチング装置において、１つのエッチング室の中
にシャワー電極とこのシャワー電極と対になる対向電極
とからなる複数の平行平板電極対を備え、上記各対向電
極の周辺に設けた排気口およびこの排気口に接続する単
一の排気室と、上記各シャワー電極に設けたエッチャン
トガスを供給する単一のガス導入口と、上記各平行平板
電極対の群間に設けた放電プラズマとエッチャントガス
の流れを均一にするための均一板とを具備したことを特
徴とする。
に、本発明は、平行平板方式のエッチング室を有するド
ライエッチング装置において、１つのエッチング室の中
にシャワー電極とこのシャワー電極と対になる対向電極
とからなる複数の平行平板電極対を備え、上記各対向電
極の周辺に設けた排気口およびこの排気口に接続する単
一の排気室と、上記各シャワー電極に設けたエッチャン
トガスを供給する単一のガス導入口と、上記各平行平板
電極対の群間に設けた放電プラズマとエッチャントガス
の流れを均一にするための均一板とを具備したことを特
徴とする。
【００１３】また、本発明は、平行平板方式のエッチン
グ室を有するドライエッチング装置において、１つのエ
ッチング室の中にシャワー電極とこのシャワー電極と対
になる対向電極とからなる複数の平行平板電極対を備
え、上記複数の平行平板電極対が異なるドライエッチン
グを行う複数の平行平板電極対群に分離されてなると共
に、上記複数の平行平板電極対の群間に設けたにプラズ
マを遮断するための仕切り板と、上記各対向電極の周辺
に設けた排気口およびこの排気口に接続する単一の排気
室と、上記平行平板電極群の各々にエッチャントガスを
供給する共通のガス導入室とを具備したことを特徴とす
る。
グ室を有するドライエッチング装置において、１つのエ
ッチング室の中にシャワー電極とこのシャワー電極と対
になる対向電極とからなる複数の平行平板電極対を備
え、上記複数の平行平板電極対が異なるドライエッチン
グを行う複数の平行平板電極対群に分離されてなると共
に、上記複数の平行平板電極対の群間に設けたにプラズ
マを遮断するための仕切り板と、上記各対向電極の周辺
に設けた排気口およびこの排気口に接続する単一の排気
室と、上記平行平板電極群の各々にエッチャントガスを
供給する共通のガス導入室とを具備したことを特徴とす
る。
【００１４】以下、本発明の主要構成を個別に記述する
と、下記のとおりである。 （１）図１に示したように、１つのエッチング室ＥＣの
中に複数の平行平板電極対（ＵＥ１１，ＬＥ１１），
（ＵＥ１２，ＬＥ１２），（ＵＥ１３，ＬＥ１３），
（ＵＥ１４，ＬＥ１４）・・・・（ＵＥ１ｎ，ＬＥ１
ｎ）、（ＵＥ２１，ＬＥ２１），（ＵＥ２２，ＬＥ２
２），（ＵＥ２３，ＬＥ２３），（ＵＥ２４，ＬＥ２
４）・・・・（ＵＥ２ｎ，ＬＥ２ｎ）を備えたことを特
徴とする。
と、下記のとおりである。 （１）図１に示したように、１つのエッチング室ＥＣの
中に複数の平行平板電極対（ＵＥ１１，ＬＥ１１），
（ＵＥ１２，ＬＥ１２），（ＵＥ１３，ＬＥ１３），
（ＵＥ１４，ＬＥ１４）・・・・（ＵＥ１ｎ，ＬＥ１
ｎ）、（ＵＥ２１，ＬＥ２１），（ＵＥ２２，ＬＥ２
２），（ＵＥ２３，ＬＥ２３），（ＵＥ２４，ＬＥ２
４）・・・・（ＵＥ２ｎ，ＬＥ２ｎ）を備えたことを特
徴とする。
【００１５】（２）前記平行平板電極対の一方を構成す
るシャワー電極に対向する他方の電極である対向電極の
周辺に排気口を設けたことを特徴とする。 （３）前記複数の平行平板電極対の群間に、放電プラズ
マとエッチャントガスの流れを均一にするための均一板
を設けたことを特徴とする。 （４）前記複数の平行平板電極対を構成する各シャワー
電極にエッチャントガスを供給する単一のガス導入口
と、前記排気口に接続する単一の排気室とを設けたこと
を特徴とする。
るシャワー電極に対向する他方の電極である対向電極の
周辺に排気口を設けたことを特徴とする。 （３）前記複数の平行平板電極対の群間に、放電プラズ
マとエッチャントガスの流れを均一にするための均一板
を設けたことを特徴とする。 （４）前記複数の平行平板電極対を構成する各シャワー
電極にエッチャントガスを供給する単一のガス導入口
と、前記排気口に接続する単一の排気室とを設けたこと
を特徴とする。
【００１６】（５）前記複数の平行平板電極対が異なる
ドライエッチングを行う複数の平行平板電極対群に分離
されてなることを特徴とする。 （６）前記複数の平行平板電極対の群間にプラズマを遮
断するための仕切り板を有することを特徴とする。 （７）前記平行平板電極対の群の各々にエッチャントガ
スを供給する共通のガス導入室を設けたことを特徴とす
る。
ドライエッチングを行う複数の平行平板電極対群に分離
されてなることを特徴とする。 （６）前記複数の平行平板電極対の群間にプラズマを遮
断するための仕切り板を有することを特徴とする。 （７）前記平行平板電極対の群の各々にエッチャントガ
スを供給する共通のガス導入室を設けたことを特徴とす
る。
【００１７】なお、上記平行平板電極対の群を構成する
平行平板電極対はそれぞれ１または複数とすることがで
きる。
平行平板電極対はそれぞれ１または複数とすることがで
きる。
【００１８】
【作用】上記本発明の構成において、被処理基板（図示
せず）を各平行平板対の上電極（ＵＥ１ｎ，ＵＥ２ｎ）
と下電極（ＬＥ２ｎ，ＬＥ２ｎ）の間にセットしてエッ
チング処理することにより、平行平板電極対を構成する
電極の面積を大きくすることなく、また装置コストをそ
れ程高くすることもなくスループットが向上される。
せず）を各平行平板対の上電極（ＵＥ１ｎ，ＵＥ２ｎ）
と下電極（ＬＥ２ｎ，ＬＥ２ｎ）の間にセットしてエッ
チング処理することにより、平行平板電極対を構成する
電極の面積を大きくすることなく、また装置コストをそ
れ程高くすることもなくスループットが向上される。
【００１９】また、エッチングガス（エッチャントガ
ス）流やプラズマの均一性に関しては、平行平板電極対
の各電極対の範囲内で均一にすればよく、従来の技術と
同様の技術で対応することができる。さらに、複数の平
行平板電極対の間に仕切り板を入れることにより、エッ
チングの均一性を向上でき、また各平行平板電極対相互
間の影響をなくすことができるので隣接する平行平板電
極対で異なるドライエッチング処理を行うことが可能と
なる。
ス）流やプラズマの均一性に関しては、平行平板電極対
の各電極対の範囲内で均一にすればよく、従来の技術と
同様の技術で対応することができる。さらに、複数の平
行平板電極対の間に仕切り板を入れることにより、エッ
チングの均一性を向上でき、また各平行平板電極対相互
間の影響をなくすことができるので隣接する平行平板電
極対で異なるドライエッチング処理を行うことが可能と
なる。
【００２０】そして、電子デバイス、特に大面積のＴＦ
Ｔ基板を低コストでエッチング処理できる。
Ｔ基板を低コストでエッチング処理できる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の実施例につき、図面を参照し
て詳細に説明する。図２は本発明によるドライエッチン
グ装置の構成を説明する図１の矢印Ａ方向からみた断面
に相当する構成図であって、平行平板電極対を縦２列×
横４列に配列して被処理基板としてＴＦＴを形成するガ
ラス基板をエッチング対象とした装置例を示す。
て詳細に説明する。図２は本発明によるドライエッチン
グ装置の構成を説明する図１の矢印Ａ方向からみた断面
に相当する構成図であって、平行平板電極対を縦２列×
横４列に配列して被処理基板としてＴＦＴを形成するガ
ラス基板をエッチング対象とした装置例を示す。
【００２２】同図において、図１と同一符号は同一部分
に対応し、ＥＳは高周波電源、ＭＢ１，ＭＢ２，ＭＢ
３，ＭＢ４は整合器、ＷＴは冷却水、ＧＡはエッチャン
トガス、ＭＣは流量調整器、ＥＰＣは排気口、ＰＣは排
気室、ＥＷはエッチング室ＥＣのチャンバー壁、Ｓ１，
Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４はガラス基板、ＶＰは真空ポンプ、Ｖ
２，Ｖ４はバルブである。
に対応し、ＥＳは高周波電源、ＭＢ１，ＭＢ２，ＭＢ
３，ＭＢ４は整合器、ＷＴは冷却水、ＧＡはエッチャン
トガス、ＭＣは流量調整器、ＥＰＣは排気口、ＰＣは排
気室、ＥＷはエッチング室ＥＣのチャンバー壁、Ｓ１，
Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４はガラス基板、ＶＰは真空ポンプ、Ｖ
２，Ｖ４はバルブである。
【００２３】ガラス基板Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の寸法
は、例えば約３０ｃｍ角であり、平行平板電極対を構成
する上部電極ＵＥ１１〜ＵＥ１４、下部電極ＬＥ１１〜
ＬＥ１４の寸法は約４０ｃｍ角である。エッチャントガ
スＧＡは、例えばＳＦ6 ，Ｃｌ2 ，ＢＣｌ3 ，Ａｒ，Ｃ
Ｈ3 ＯＨ，ＣＣｌＦ3 ，Ｎ2 を成分として含む。
は、例えば約３０ｃｍ角であり、平行平板電極対を構成
する上部電極ＵＥ１１〜ＵＥ１４、下部電極ＬＥ１１〜
ＬＥ１４の寸法は約４０ｃｍ角である。エッチャントガ
スＧＡは、例えばＳＦ6 ，Ｃｌ2 ，ＢＣｌ3 ，Ａｒ，Ｃ
Ｈ3 ＯＨ，ＣＣｌＦ3 ，Ｎ2 を成分として含む。
【００２４】真空ポンプＶＰは、ターボ分子ポンプ，メ
カニカルブースタポンプ，ドライポンプを組み合わせて
用いる。同図の上部電極ＵＥ１１〜ＵＥ１４には、約１
ｃｍのピッチで径が１ｍｍφの多数の孔を形成した所謂
シャワー電極として、この孔からエッチャントガスＧＡ
を下部電極に向けて噴出させるようにしている。
カニカルブースタポンプ，ドライポンプを組み合わせて
用いる。同図の上部電極ＵＥ１１〜ＵＥ１４には、約１
ｃｍのピッチで径が１ｍｍφの多数の孔を形成した所謂
シャワー電極として、この孔からエッチャントガスＧＡ
を下部電極に向けて噴出させるようにしている。
【００２５】また、下部電極ＬＥ１１〜ＬＥ１４の周辺
には、チャンバー壁ＥＷとの間に数ｍｍ以下の排気口Ｅ
ＰＣを設けている。これにより、エッチャントガスは図
中矢印で示したように流線ｌのように層流となると共
に、平行平板電極対間でのエッチャントガス流の相互の
影響が回避される。排気口ＥＰＣは排気室ＰＣに開いて
おり、プラズマ処理後のエッチャントガスＧＡはこの排
気室ＰＣを介して排気される。
には、チャンバー壁ＥＷとの間に数ｍｍ以下の排気口Ｅ
ＰＣを設けている。これにより、エッチャントガスは図
中矢印で示したように流線ｌのように層流となると共
に、平行平板電極対間でのエッチャントガス流の相互の
影響が回避される。排気口ＥＰＣは排気室ＰＣに開いて
おり、プラズマ処理後のエッチャントガスＧＡはこの排
気室ＰＣを介して排気される。
【００２６】本実施例により、平行平板電極対を構成す
る電極の面積を大きくすることなく、また装置コストを
それ程高くすることもなくスループットを向上できる。
図３は本発明によるドライエッチング装置の第２実施例
の構成を説明する図１の矢印Ｂ方向からみた断面に相当
する構成図であって、上記実施例と同様に被処理基板と
してＴＦＴを形成するガラス基板をエッチング対象とし
た装置例を示す。
る電極の面積を大きくすることなく、また装置コストを
それ程高くすることもなくスループットを向上できる。
図３は本発明によるドライエッチング装置の第２実施例
の構成を説明する図１の矢印Ｂ方向からみた断面に相当
する構成図であって、上記実施例と同様に被処理基板と
してＴＦＴを形成するガラス基板をエッチング対象とし
た装置例を示す。
【００２７】同図において、図２と同一符号は同一部分
に対応し、Ｓａ，Ｓｂはガラス基板、ＧＣはガス導入室
である。この実施例では、エッチング室ＥＣの上部にエ
ッチャントガスを導入するガス導入室ＧＣを設けたもの
で、その他の構成は上記実施例と同様である。エッチャ
ントガスＧＡは、エッチング室ＥＣに入る前に先ずこの
ガス導入室ＧＣに導入され、このガス導入室ＧＣからエ
ッチング室ＥＣの各々のシャワー板すなわち上部電極Ｕ
Ｅ１１・・・，ＵＥ２１・・・に供給される。
に対応し、Ｓａ，Ｓｂはガラス基板、ＧＣはガス導入室
である。この実施例では、エッチング室ＥＣの上部にエ
ッチャントガスを導入するガス導入室ＧＣを設けたもの
で、その他の構成は上記実施例と同様である。エッチャ
ントガスＧＡは、エッチング室ＥＣに入る前に先ずこの
ガス導入室ＧＣに導入され、このガス導入室ＧＣからエ
ッチング室ＥＣの各々のシャワー板すなわち上部電極Ｕ
Ｅ１１・・・，ＵＥ２１・・・に供給される。
【００２８】本実施例によれば、エッチャントガスＧＡ
がガス導入室ＧＣに導入された後にシャワー板に供給さ
れるものであるため、複数の平行平板電極対に対してさ
らに均一なエッチャントガス供給を行うことができる。
なお、上記各実施例では平行平板電極対を縦２列×横４
列に配列したものとして説明したが、これに限るもので
はないことは言うまでもない。
がガス導入室ＧＣに導入された後にシャワー板に供給さ
れるものであるため、複数の平行平板電極対に対してさ
らに均一なエッチャントガス供給を行うことができる。
なお、上記各実施例では平行平板電極対を縦２列×横４
列に配列したものとして説明したが、これに限るもので
はないことは言うまでもない。
【００２９】図４は本発明によるドライエッチング装置
の第３実施例の構成を説明する図２と同様の構成図であ
って、図２と同一符号は同一部分に対応し、ＥＣ１，Ｅ
Ｃ２，ＥＣ３，ＥＣ４はサブエッチング室、ＵＰ１，Ｕ
Ｐ２，ＵＰ３は仕切り板である。本実施例では、エッチ
ング室に仕切り板ＵＰ１，ＵＰ２，ＵＰ３を設けて、各
仕切り板で区画された平行平板電極対の群についてサブ
エッチング室ＥＣ１〜ＥＣ４としたものである。この仕
切り板ＵＰ１，ＵＰ２，ＵＰ３を設けたことによって、
各平行平板電極対の群間のエッチャントガス流とそのプ
ラズマ放電が均一化される。
の第３実施例の構成を説明する図２と同様の構成図であ
って、図２と同一符号は同一部分に対応し、ＥＣ１，Ｅ
Ｃ２，ＥＣ３，ＥＣ４はサブエッチング室、ＵＰ１，Ｕ
Ｐ２，ＵＰ３は仕切り板である。本実施例では、エッチ
ング室に仕切り板ＵＰ１，ＵＰ２，ＵＰ３を設けて、各
仕切り板で区画された平行平板電極対の群についてサブ
エッチング室ＥＣ１〜ＥＣ４としたものである。この仕
切り板ＵＰ１，ＵＰ２，ＵＰ３を設けたことによって、
各平行平板電極対の群間のエッチャントガス流とそのプ
ラズマ放電が均一化される。
【００３０】この実施例によれば、上記各実施例の効果
に加えて、そのエッチング均一性が±１５〜±１０％程
度に改善できる。なお、その他の作用効果は前記図２と
同様であるので説明を省略する。図５は本発明によるド
ライエッチング装置の第４実施例の構成を説明する図３
と同様の構成図であって、図３と同一符号は同一部分に
対応し、ＥＣ１１，ＥＣ１２はサブエッチング室、ＵＰ
４は仕切り板、ＥＷＧは仕切り壁、ＧＡ１，ＧＡ２はエ
ッチャントガスである。
に加えて、そのエッチング均一性が±１５〜±１０％程
度に改善できる。なお、その他の作用効果は前記図２と
同様であるので説明を省略する。図５は本発明によるド
ライエッチング装置の第４実施例の構成を説明する図３
と同様の構成図であって、図３と同一符号は同一部分に
対応し、ＥＣ１１，ＥＣ１２はサブエッチング室、ＵＰ
４は仕切り板、ＥＷＧは仕切り壁、ＧＡ１，ＧＡ２はエ
ッチャントガスである。
【００３１】本実施例では、エッチング室を仕切り板Ｕ
Ｐ４によりサブエッチング室ＥＣ１，ＥＣ２に分割する
と共に、図３に示したものと同様のガス導入室に仕切り
壁ＥＷＧを設けてガス導入室ＧＡ１，ＧＡ２としたもの
である。このように、ガス導入室を仕切り板ＵＰ４で区
画されたそれぞれの平行平板電極対の群について独立さ
せることにより、エッチング室ＥＣ１１とＥＣ１２に異
なるエッチャントガスＧＡ１，ＧＡ２を導入して別種の
エッチングを行わせることができる。
Ｐ４によりサブエッチング室ＥＣ１，ＥＣ２に分割する
と共に、図３に示したものと同様のガス導入室に仕切り
壁ＥＷＧを設けてガス導入室ＧＡ１，ＧＡ２としたもの
である。このように、ガス導入室を仕切り板ＵＰ４で区
画されたそれぞれの平行平板電極対の群について独立さ
せることにより、エッチング室ＥＣ１１とＥＣ１２に異
なるエッチャントガスＧＡ１，ＧＡ２を導入して別種の
エッチングを行わせることができる。
【００３２】例えば、エッチャントガスＧＡ１としてＢ
Ｃｌ32とＡｒの混合ガスを用いてＡｌ膜をドライエッチ
ングし、エッチャントガスＧＡ２としてＯ2 ガスを用い
て酸素プラズマ処理を行うようにすることができるもの
である。したがって、本実施例によれば、ドライエッチ
ング処理と酸素プラズマ処理とを１つのエッチング室内
で実行できる。なお、ドライエッチング処理と酸素プラ
ズマ処理との処理条件が異なるため、この場合はサブエ
ッチング室ＥＣ１１とＥＣ１２の各平行平板電極対の群
に印加する高周波電源は別々のものとするのが望まし
い。
Ｃｌ32とＡｒの混合ガスを用いてＡｌ膜をドライエッチ
ングし、エッチャントガスＧＡ２としてＯ2 ガスを用い
て酸素プラズマ処理を行うようにすることができるもの
である。したがって、本実施例によれば、ドライエッチ
ング処理と酸素プラズマ処理とを１つのエッチング室内
で実行できる。なお、ドライエッチング処理と酸素プラ
ズマ処理との処理条件が異なるため、この場合はサブエ
ッチング室ＥＣ１１とＥＣ１２の各平行平板電極対の群
に印加する高周波電源は別々のものとするのが望まし
い。
【００３３】なお、本発明は上記の実施例に限るもので
はなく、本発明の精神を逸脱しない範囲で種々の変更が
可能であることは言うまでもない。
はなく、本発明の精神を逸脱しない範囲で種々の変更が
可能であることは言うまでもない。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
被処理基板を各平行平板対の上部電極と下部電極の間に
セットしてエッチング処理することにより、平行平板電
極対を構成する電極の面積を大きくすることなく、また
装置コストをそれ程高くすることもなくスループットを
向上できる。
被処理基板を各平行平板対の上部電極と下部電極の間に
セットしてエッチング処理することにより、平行平板電
極対を構成する電極の面積を大きくすることなく、また
装置コストをそれ程高くすることもなくスループットを
向上できる。
【００３５】また、複数の平行平板電極対の群の間に仕
切り板を入れることにより、エッチングの均一性を向上
でき、また各平行平板電極対相互間の影響をなくすこと
ができるので隣接する平行平板電極対で異なるドライエ
ッチング処理を行うことが可能となる。そして、電子デ
バイス、特に大面積のＴＦＴ基板を低コストでエッチン
グ処理でき、従来技術に比較して装置コストが３０％程
度高くなるが、スループットは６倍程度向上でき、ドラ
イエッチング処理コストは１０％程度下げることが可能
である。
切り板を入れることにより、エッチングの均一性を向上
でき、また各平行平板電極対相互間の影響をなくすこと
ができるので隣接する平行平板電極対で異なるドライエ
ッチング処理を行うことが可能となる。そして、電子デ
バイス、特に大面積のＴＦＴ基板を低コストでエッチン
グ処理でき、従来技術に比較して装置コストが３０％程
度高くなるが、スループットは６倍程度向上でき、ドラ
イエッチング処理コストは１０％程度下げることが可能
である。
【図１】本発明による平行平板方式のエッチング室を有
するドライエッチング装置の構成を説明する模式図であ
る。
するドライエッチング装置の構成を説明する模式図であ
る。
【図２】本発明によるドライエッチング装置の構成を説
明する図１の矢印Ａ方向からみた断面に相当する構成図
である。
明する図１の矢印Ａ方向からみた断面に相当する構成図
である。
【図３】本発明によるドライエッチング装置の第２実施
例の構成を説明する図１の矢印Ｂ方向からみた断面に相
当する構成図である。
例の構成を説明する図１の矢印Ｂ方向からみた断面に相
当する構成図である。
【図４】本発明によるドライエッチング装置の第３実施
例の構成を説明する図２と同様の構成図である。
例の構成を説明する図２と同様の構成図である。
【図５】本発明によるドライエッチング装置の第４実施
例の構成を説明する図３と同様の構成図である。
例の構成を説明する図３と同様の構成図である。
【図６】従来技術による一般的なドライエッチング装置
の構成を説明する模式図である。
の構成を説明する模式図である。
ＵＥ１１〜ＵＥ１ｎ，ＵＥ２１〜ＬＥ２ｎ 上部電極 ＬＥ１１〜ＬＥ１ｎ，ＬＥ２１〜ＬＥ２ｎ 下部電極 ＥＳ 高周波電源 ＭＢ１，ＭＢ２，ＭＢ３，ＭＢ４ 整合器 ＷＴ 冷却水 ＧＡ，ＧＡ１，ＧＡ２ エッチャントガス ＭＣ 流量調整器 ＥＰＣ 排気口 ＰＣ 排気室 ＥＷ エッチング室ＥＣのチャンバー壁 Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４ ガラス基板 ＶＰ 真空ポンプ Ｖ２，Ｖ４ バルブ ＧＣはガス導入室 ＥＣ１，ＥＣ２，ＥＣ３，ＥＣ４ サブエッチング室 ＵＰ１，ＵＰ２，ＵＰ３，ＵＰ４ 仕切り板 ＥＣ１１，ＥＣ１２ サブエッチング室 ＥＷＧ 仕切り壁
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年２月１５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小西 信武 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】平行平板方式のエッチング室を有するドラ
イエッチング装置において、 １つのエッチング室の中にシャワー電極とこのシャワー
電極と対になる対向電極とからなる複数の平行平板電極
対を備え、上記各対向電極の周辺に設けた排気口および
この排気口に接続する単一の排気室と、上記各シャワー
電極に設けたエッチャントガスを供給する単一のガス導
入口と、上記各平行平板電極対の群間に設けた放電プラ
ズマとエッチャントガスの流れを均一にするための均一
板とを具備したことを特徴とするドライエッチング装
置。 - 【請求項２】平行平板方式のエッチング室を有するドラ
イエッチング装置において、 １つのエッチング室の中にシャワー電極とこのシャワー
電極と対になる対向電極とからなる複数の平行平板電極
対を備え、上記複数の平行平板電極対が異なるドライエ
ッチングを行う複数の平行平板電極対群に分離されてな
ると共に、上記複数の平行平板電極対の群間に設けたに
プラズマを遮断するための仕切り板と、上記各対向電極
の周辺に設けた排気口およびこの排気口に接続する単一
の排気室と、上記平行平板電極群の各々にエッチャント
ガスを供給する共通のガス導入室とを具備したことを特
徴とするドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4382293A JPH06260450A (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4382293A JPH06260450A (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06260450A true JPH06260450A (ja) | 1994-09-16 |
Family
ID=12674448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4382293A Pending JPH06260450A (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06260450A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4411582A1 (de) * | 1994-03-30 | 1995-10-05 | Worlee Sweet E H Worlee & Co G | Kristallsüße |
| JP2001077091A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-03-23 | Ulvac Japan Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2001140085A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-05-22 | Ulvac Japan Ltd | プラズマ処理装置 |
| KR100830850B1 (ko) * | 2006-11-22 | 2008-05-20 | 피에스케이 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| JP2010135629A (ja) * | 2008-12-05 | 2010-06-17 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置 |
| KR100980279B1 (ko) * | 2008-01-15 | 2010-09-06 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 다중 기판 처리 챔버와 이를 구비한 다중 기판 처리 시스템 |
-
1993
- 1993-03-04 JP JP4382293A patent/JPH06260450A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4411582A1 (de) * | 1994-03-30 | 1995-10-05 | Worlee Sweet E H Worlee & Co G | Kristallsüße |
| DE4411582C2 (de) * | 1994-03-30 | 1996-11-14 | Worlee Sweet E H Worlee & Co G | Kristallsüße |
| JP2001077091A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-03-23 | Ulvac Japan Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2001140085A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-05-22 | Ulvac Japan Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP4576011B2 (ja) * | 1999-09-03 | 2010-11-04 | 株式会社アルバック | プラズマ処理装置 |
| JP4585648B2 (ja) * | 1999-09-03 | 2010-11-24 | 株式会社アルバック | プラズマ処理装置 |
| KR100830850B1 (ko) * | 2006-11-22 | 2008-05-20 | 피에스케이 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| KR100980279B1 (ko) * | 2008-01-15 | 2010-09-06 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 다중 기판 처리 챔버와 이를 구비한 다중 기판 처리 시스템 |
| JP2010135629A (ja) * | 2008-12-05 | 2010-06-17 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置 |
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