JP4579522B2 - プラズマ表面処理装置 - Google Patents
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Description
このようにUVランプやエキシマランプを用いた表面改質は、製造コストの増大を招く。
固体誘電体9で覆ったのは、平板電極7、8の金属で被処理基板wが汚染されるのを防止するためで、固体誘電体9の比誘電率が大きく、固体誘電体9の表面間に電界が集中するので、固体誘電体9の間隙が、実質的な電極間隙Gとなる。この電極間隙Gの長さは、改質性能に大きい変化を与えるので、通過する反応ガスの励起状態を発光分光器で観測することにより決定する。
反応ガスは、絶縁体12に設けた内部空洞22から、拡散板23aを備えた拡散室23に流され、乱流をなくした状態で対向した一方の電極7と他方の電極8との間に供給される構造となっている。
2 コンベア
3 シールドケース
4、5、6 リアクタ
7、16a、16b 一方の電極
8、8a、8b、17 他方の電極
9 固体誘電体
10、13、20、21 反応ガスの供給孔
12 絶縁物
11、14、15、18 反応ガスの噴射孔
19a、19b 供給路
22、25 内部空洞
23a、26a 拡散板
23、26 拡散室
24、27、28 冷却用空洞
29 混合室
30、31 流量調整弁
32 混合器
G 電極間隙
RF 高周波電源
Claims (2)
- リアクタの対向電極間の高周波電界によってプラズマ化された反応ガスを、大気圧近傍の圧力の下に被処理基板に噴射供給して表面処理を行う装置において、
前記対向電極は、それぞれが固体誘電体で覆われた平行平板電極で構成され、この対向電極が、前記被処理基板と対面する一方の電極と、この一方の電極と所定の間隙を保ち、この一方の電極によって被処理基板から隠される位置に配置される他方の電極とから構成されるとともに、前記被処理基板を搬送するコンベアを横断して該コンベアと直交するように配置されてなり、
前記一方の電極が高周波電源の出力端子の接地側に接続されるとともに、前記他方の電極における被処理基板の搬送方向の幅が前記一方の電極の幅よりも小さく設定され、
前記反応ガスは、前記リアクタの対向電極の一方の側端から供給され対向電極の間隙を通り、その他方の側端に下方に向けてスリット状に開口して設けられた噴射孔から被処理基板に向けて噴射されるように構成されていることを特徴とするプラズマ表面処理装置。 - 前記リアクタの外周に、前記一方の電極と前記反応ガスの噴射孔の位置を除いて、接地導体板を配置したことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ表面処理装置。
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