EA027687B1 - Способ и устройство зажигания для пар электродов диэлектрического барьерного разряда (дбр) - Google Patents
Способ и устройство зажигания для пар электродов диэлектрического барьерного разряда (дбр) Download PDFInfo
- Publication number
- EA027687B1 EA027687B1 EA201590775A EA201590775A EA027687B1 EA 027687 B1 EA027687 B1 EA 027687B1 EA 201590775 A EA201590775 A EA 201590775A EA 201590775 A EA201590775 A EA 201590775A EA 027687 B1 EA027687 B1 EA 027687B1
- Authority
- EA
- Eurasian Patent Office
- Prior art keywords
- electrodes
- substrate
- inductance
- voltage
- electrode
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32348—Dielectric barrier discharge
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
Способ обработки поверхности посредством диэлектрического барьерного разряда (ДБР), включающий следующие операции: подачу или прохождение подложки в реакционную камеру (2), где расположены по меньшей мере два электрода (10, 12) и по меньшей мере один противоэлектрод (13, 14, 15), при этом между указанными по меньшей мере двумя электродами (10, 12) и указанным по меньшей мере одним противоэлектродом (13, 14, 15) помещен диэлектрический барьер (16); подключение индуктивности (L, L) последовательно с каждым из указанных электродов (10, 12), при этом указанные индуктивности (L, L) намотаны на общий магнитный сердечник таким образом, чтобы результирующий магнитный поток этих двух индуктивностей являлся нулевым, когда в двух электродах (10, 12) циркулируют одинаковые токи; генерирование высокочастотного электрического напряжения такой величины, чтобы оно вызывало генерирование плазмы между по меньшей мере двумя электродами (10, 12) и по меньшей мере одним противоэлектродом (13, 14, 15); подачу в реакционную камеру смеси, состав которой таков, что при контакте с плазмой она разрушается и образует вещества, способные реагировать с поверхностью подложки (4).
Description
(51) ΙηΙ. С1. Н0Ы37/32 (2006.01) (54) СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ЗАЖИГАНИЯ ДЛЯ ПАР ЭЛЕКТРОДОВ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО БАРЬЕРНОГО РАЗРЯДА (ЦБР) (31) 12199066.7 (32) 2012.12.21
Claims (15)
- ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ1. Способ обработки поверхности посредством диэлектрического барьерного разряда (ДБР), включающий следующие операции:подачу или прохождение подложки в реакционную камеру (2), где расположены по меньшей мере два электрода (10, 12) и по меньшей мере один противоэлектрод (13, 14, 15), при этом между указанными по меньшей мере двумя электродами (10, 12) и указанным по меньшей мере одним противоэлектродом (13, 14, 15) помещен по меньший мере один диэлектрический барьер (16);генерирование высокочастотного электрического напряжения такой величины, чтобы оно вызывало образование плазмы между по меньшей мере двумя электродами (10, 12) и по меньшей мере одним про- 5 027687 тивоэлектродом (13, 14, 15);подачу в реакционную камеру смеси, состав которой таков, что при контакте с плазмой она разрушается и образует вещества, способные реагировать с поверхностью подложки (4);отличающийся тем, что он дополнительно включает следующую операцию:соединение последовательно с каждым из указанных электродов (10, 12) индуктивности (Ь1, Ь2), при этом величина указанных индуктивностей (Щ, Ь2) такова, что в случае, когда плазма зажигается под одиночным электродом, ток, циркулирующий в индуктивности, последовательно соединенной с этим электродом, вызывает магнитный поток в другой индуктивности, и такова, что результирующее напряжение на зажимах этой второй индуктивности вызывает повышение напряжения на зажимах электрода, остающегося незажженным, вынуждая его зажигание, при этом указанные индуктивности намотаны на общий магнитный сердечник так, чтобы результирующий магнитный поток этих двух индуктивностей (Ь1, Ь2) являлся нулевым, когда в двух электродах (10, 12) циркулируют одинаковые токи.
- 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что намотка индуктивностей (Ъ1? Ь2), последовательно соединенных с каждым из указанных электродов (10, 12) и намотанных на общий магнитный сердечник, является обратной.
- 3. Способ по одному из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что смесь, подаваемую в реакционную камеру, подают через канал (20), сообщающийся с промежутком (22), разделяющим указанные два электрода (10, 12).
- 4. Способ по одному из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что для выполнения обработки поверхности с каждой стороны подложки (2) плазму генерируют с каждой стороны подложки (4) между по меньшей мере двумя электродами (10, 12) и по меньшей мере одним противоэлектродом (13, 14, 15).
- 5. Способ по п.4, отличающийся тем, что в реакционную камеру (2) с каждой стороны подложки (4) подают реакционноспособные смеси (18, 19) разных составов, для того чтобы выполнять отличающуюся обработку поверхности с каждой стороны подложки (4).
- 6. Способ по одному из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что два противоэлектрода (13, 15), обращенные к двум электродам (10, 12), размещают рядом, при этом реакционную смесь (19) подают в реакционную камеру через канал (26), сообщающийся с промежутком (28), разделяющим эти два противоэлектрода (13, 15).
- 7. Способ по одному из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что он дополнительно включает следующие операции:ввод в действие регулируемой индуктивности (Ь), расположенной параллельно индуктивности самой установки и генерирующей электрическое напряжение с целью уменьшения сдвига по фазе между напряжением и генерируемым током;адаптация напряжения и/или частоты, подаваемой цепью генератора, и/или регулируемой величины индуктивности (Ь) в начале или в ходе процесса с целью увеличения отношения активной мощности к реактивной мощности.
- 8. Способ по п.7, отличающийся тем, что он дополнительно включает следующую операцию: адаптацию напряжения и/или частоты, подаваемой цепью генератора, и/или регулируемой величины (Ь) индуктивности с целью возбуждения выработки гармоник, продлевающих время, в течение которого напряжение остается выше значения, необходимого для поддержания электрического разряда.
- 9. Способ по п.8, отличающийся тем, что, по существу, возбуждают гармоники 3-го и 5-го порядков.
- 10. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что он дополнительно включает следующую операцию:приведение атмосферы, преобладающей в камере, к давлению ниже атмосферного давления.
- 11. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что камера (2) является открытой и включает зону ввода и зону вывода для подложки (4).
- 12. Способ по одному из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что подложка (4) является изолирующей и сама образует по меньшей мере один из диэлектрических барьеров (16).
- 13. Установка для обработки поверхности подложки (4) посредством диэлектрического барьерного разряда (ДБР), содержащая камеру, средства переноса и опорные средства для введения подложки (4) в указанную камеру, высоковольтный и высокочастотный источник питания, соединенный по меньшей мере с двумя электродами (10, 12) и по меньшей мере одним противоэлектродом (13, 14, 15), при этом указанные по меньшей мере два электрода (10, 12) и указанный по меньшей мере один противоэлектрод (13, 14, 15) расположены с каждой стороны средств переноса и опоры подложки (2), по меньшей мере один диэлектрический барьер, расположенный между указанными по меньшей мере двумя электродами (10, 12) и по меньшей мере одним противоэлектродом (13, 14, 15), средства регулирования и управления источником питания, средства подачи реакционноспособных веществ в камеру, средства извлечения фоновых веществ, при этом указанная установка подходит для генерирования плазмы для обработки поверхности подложки (4), отличающаяся тем, что к каждому из указанных электродов последовательно подключены индуктивности, при этом величина указанных индуктивностей (Щ, Ь2) такова, что в случае, когда плазма зажигается под одиночным электродом, ток, циркулирующий в индуктивности, последова- 6 027687 тельно соединенной с этим электродом, вызывает магнитный поток в другой индуктивности, и такова, что результирующее напряжение на зажимах этой второй индуктивности вызывает повышение напряжения на зажимах электрода, остающегося незажженным, вынуждая его зажигание, при этом указанные индуктивности намотаны на общий магнитный сердечник так, чтобы результирующий магнитный поток этих двух индуктивностей являлся нулевым, когда в двух электродах циркулируют одинаковые токи.
- 14. Установка для обработки поверхности по п.13, отличающаяся тем, что плазма генерируется в двух отдельных зонах, расположенных с каждой стороны подложки таким образом, чтобы одновременно проводить обработку на каждой из лицевых поверхностей этой подложки (2).
- 15. Установка для обработки поверхности подложки (4) посредством диэлектрического барьерного разряда (ДБР), содержащая две камеры (2а, 2Ь), средства переноса и опорные средства для введения подложки (4) в камеры, единый высоковольтный и высокочастотный источник питания, соединенный по меньшей мере с двумя электродами (10а, 12а) и по меньшей мере одним противоэлектродом (13а, 15а) в первой камере и с по меньшей мере двумя электродами (10Ь, 12Ь) и по меньшей мере одним противоэлектродом (13Ь, 15Ь) - во второй камере, при этом указанные по меньшей мере четыре электрода (10, 12) и указанные по меньшей мере два противоэлектрода (13, 15) расположены с каждой стороны средств переноса и опоры подложки (2), по меньшей мере один диэлектрический барьер, расположенный между по меньшей мере четырьмя электродами (10, 12) и по меньшей мере двумя противоэлектродами (13, 15), средства регулирования и управления источником питания, средства подачи реакционноспособных веществ в камеры, средства извлечения фоновых веществ, при этом указанная установка подходит для генерирования плазмы для обработки поверхности подложки (4) в каждой камере, отличающаяся тем, что отдельно для каждой камеры последовательно с указанными электродами подключены первичные индуктивности, при этом величина указанных первичных индуктивностей (Ь1, Ь2 и Б3. Ь4) такова, что в случае, когда плазма зажигается под одиночным электродом, ток, циркулирующий в этой первичной индуктивности, последовательно соединенной с этим электродом, вызывает магнитный поток в другой первичной индуктивности, и такова, что результирующее напряжение на зажимах этой другой первичной индуктивности вызывает повышение напряжения на зажимах электрода, остающегося незажженным, вынуждая его зажигание, при этом указанные первичные индуктивности намотаны на общий магнитный сердечник так, чтобы результирующий магнитный поток этих двух первичных индуктивностей являлся нулевым, когда в указанных двух электродах циркулируют одинаковые токи, при этом вторичные индуктивности подключены последовательно с указанными первичными индуктивностями, и величина указанных дополнительных вторичных индуктивностей (Ь5, Б6) такова, что ток, циркулирующий в первой вторичной индуктивности, последовательно соединенной с первой камерой, вызывает магнитный поток в другой вторичной индуктивности, и такова, что результирующее напряжение на зажимах этой другой вторичной индуктивности обеспечивает уравновешивание напряжений между двумя камерами, при этом указанные вторичные индуктивности намотаны на общий магнитный сердечник так, чтобы результирующий магнитный поток этих двух вторичных индуктивностей являлся нулевым, когда в двух камерах циркулируют одинаковые токи.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP12199066 | 2012-12-21 | ||
PCT/JP2013/007432 WO2014097620A1 (en) | 2012-12-21 | 2013-12-18 | Ignition process and device for pairs of dbd electrodes |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
EA201590775A1 EA201590775A1 (ru) | 2015-10-30 |
EA027687B1 true EA027687B1 (ru) | 2017-08-31 |
Family
ID=47709769
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
EA201590775A EA027687B1 (ru) | 2012-12-21 | 2013-12-18 | Способ и устройство зажигания для пар электродов диэлектрического барьерного разряда (дбр) |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150332897A1 (ru) |
EP (1) | EP2936539B1 (ru) |
JP (1) | JP2016507853A (ru) |
EA (1) | EA027687B1 (ru) |
HU (1) | HUE032619T2 (ru) |
PL (1) | PL2936539T3 (ru) |
SI (1) | SI2936539T1 (ru) |
WO (1) | WO2014097620A1 (ru) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999004411A1 (en) * | 1997-07-14 | 1999-01-28 | The University Of Tennessee Research Corporation | Plasma treater systems and treatment methods |
EP1796442A1 (en) * | 2004-09-29 | 2007-06-13 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Plasma processing system |
US20100112235A1 (en) * | 2005-06-24 | 2010-05-06 | Softal Electronic Erik Blumenfeld Gmbh & Co. Kg | Method for treating plasma under continuous atmospheric pressure of work pieces, in particular, material plates or strips |
US20120199286A1 (en) * | 2009-11-27 | 2012-08-09 | Ngk Insulators Ltd. | Plasma treating apparatus |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0822898A (ja) * | 1994-07-05 | 1996-01-23 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置及び放電装置 |
US6083355A (en) * | 1997-07-14 | 2000-07-04 | The University Of Tennessee Research Corporation | Electrodes for plasma treater systems |
US6480086B1 (en) * | 1999-12-20 | 2002-11-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Inductor and transformer formed with multi-layer coil turns fabricated on an integrated circuit substrate |
JP4579522B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2010-11-10 | 株式会社イー・スクエア | プラズマ表面処理装置 |
JP2005200710A (ja) * | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Konica Minolta Holdings Inc | 薄膜の形成方法とそれにより造られた薄膜および透明プラスチックフィルム |
EP2145978A1 (fr) | 2008-07-16 | 2010-01-20 | AGC Flat Glass Europe SA | Procédé et installation pour le dépôt de couches sur un substrat |
EP2145979A1 (fr) * | 2008-07-16 | 2010-01-20 | AGC Flat Glass Europe SA | Procédé et installation pour le dépôt de couches sur les deux faces d'un substrat de façon simultanée |
JP5262501B2 (ja) * | 2008-09-19 | 2013-08-14 | 富士電機株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
2013
- 2013-12-18 JP JP2015529349A patent/JP2016507853A/ja active Pending
- 2013-12-18 PL PL13818465T patent/PL2936539T3/pl unknown
- 2013-12-18 EA EA201590775A patent/EA027687B1/ru not_active IP Right Cessation
- 2013-12-18 US US14/654,307 patent/US20150332897A1/en not_active Abandoned
- 2013-12-18 SI SI201330633T patent/SI2936539T1/sl unknown
- 2013-12-18 EP EP13818465.0A patent/EP2936539B1/en active Active
- 2013-12-18 HU HUE13818465A patent/HUE032619T2/en unknown
- 2013-12-18 WO PCT/JP2013/007432 patent/WO2014097620A1/en active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999004411A1 (en) * | 1997-07-14 | 1999-01-28 | The University Of Tennessee Research Corporation | Plasma treater systems and treatment methods |
EP1796442A1 (en) * | 2004-09-29 | 2007-06-13 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Plasma processing system |
US20100112235A1 (en) * | 2005-06-24 | 2010-05-06 | Softal Electronic Erik Blumenfeld Gmbh & Co. Kg | Method for treating plasma under continuous atmospheric pressure of work pieces, in particular, material plates or strips |
US20120199286A1 (en) * | 2009-11-27 | 2012-08-09 | Ngk Insulators Ltd. | Plasma treating apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2936539B1 (en) | 2017-02-22 |
JP2016507853A (ja) | 2016-03-10 |
EP2936539A1 (en) | 2015-10-28 |
WO2014097620A1 (en) | 2014-06-26 |
PL2936539T3 (pl) | 2017-08-31 |
US20150332897A1 (en) | 2015-11-19 |
SI2936539T1 (sl) | 2017-09-29 |
EA201590775A1 (ru) | 2015-10-30 |
HUE032619T2 (en) | 2017-10-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5043824B2 (ja) | 真空プラズマ発生器 | |
US9287086B2 (en) | System, method and apparatus for controlling ion energy distribution | |
US9537422B2 (en) | High-frequency power supply apparatus for supplying high-frequency power | |
JP6224266B2 (ja) | 放電発生器とその電源装置 | |
DE502004006845D1 (de) | Gasentladungsprozess-spannungsversorgungseinheit | |
MX2013009317A (es) | Sistema, circuito y metodo para controlar la combustion. | |
US8470095B2 (en) | Process and installation for surface preparation by dielectric barrier discharge | |
WO2011064217A8 (fr) | Procédé et dispositif de polarisation d'une électrode dbd | |
CN109792811B (zh) | 次级电路中的具有电容器装置的变流器馈电式电弧炉 | |
EA027687B1 (ru) | Способ и устройство зажигания для пар электродов диэлектрического барьерного разряда (дбр) | |
US8232501B2 (en) | Plasma arc power supply and control method therefor | |
CA2539412A1 (en) | Pulsed arc discharge for nanopowder synthesis | |
KR101706775B1 (ko) | 공진 컨버터를 갖는 플라즈마 발생기용 전원 장치 | |
RU2127220C1 (ru) | Озонатор и генератор озона | |
JP4949285B2 (ja) | プラズマ放電装置 | |
Stryczewska et al. | Properties of gliding arc (GA) reactors energized from AC/DC/AC power converters | |
Millner | Power electronics topologies for plasma generators | |
Komarzyniec et al. | Reduction of the Conducted Disturbances Generated by the Ignition Systems of Glidarc Plasma Reactors | |
KR101562507B1 (ko) | 플라즈마 발생기용 전원 장치 | |
Aftyka et al. | Cooperation of the AC/DC/AC Power Converterwith a GlidArc Multi-Electrode Plasma Reactor | |
US1620506A (en) | System of distribution | |
RU135639U1 (ru) | Генератор озона | |
SU819506A1 (ru) | Способ питани электрогазовойгОРЕлКи | |
US3253184A (en) | Arc initiating system for an arc welder | |
RU150168U1 (ru) | Плазменный источник светового излучения на основе магнитоприжатого разряда |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s) |
Designated state(s): AM AZ KZ KG TJ TM |
|
PD4A | Registration of transfer of a eurasian patent in accordance with the succession in title | ||
MM4A | Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s) |
Designated state(s): BY |