JP4949285B2 - プラズマ放電装置 - Google Patents

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この発明は、直流スパッタ装置などのプラズマ放電装置、特に、広範囲の定電力入力又は定電流入力を必要とする構成に適したプラズマ放電装置に関する。
プラズマ放電装置、例えばスパッタ装置は真空チャンバ内にアルゴン(Ar)などの不活性ガスを導入し、ターゲット電極に数百V以上の負極性電圧を印加してプラズマ放電を発生させ、不活性ガスをイオン化して正イオンを発生させる。このプラズマ放電装置の一例が、正イオンを加速し、ターゲットの表面に衝突させてターゲット材料を蒸発させ、この蒸気を半導体表面又は光ディスクなどの基板面に沈着させることによって、ターゲット材料の薄膜を形成する薄膜形成装置である。このようなスパッタ装置の内、真空中又は不活性ガス中で、比較的低い電圧でプラズマ放電を発生させる直流スパッタ装置は広範囲の定電力入力又は定電流入力を必要とする。
図8に、一般的な最大定格1kWの直流スパッタ装置が必要とする入力特性の一例を示して、かかる従来の直流スパッタ装置の直流電源(以下ではスパッタ電源と言う。)に要求される電力特性を具体的に説明する。このようなスパッタ電源は、例えば、定格放電電圧が500Vで2Aの電流を供給することが可能であるが、放電電圧が250Vの場合には4Aの電流を供給できなければならない。つまり、定格出力特性曲線Aの場合には、出力電流が2〜4A(出力電圧が500V〜250V)の範囲では定電力を維持する定電力制御機能を備えていなければならない。放電電圧が100Vよりも低い範囲はアーク放電などの異常放電が発生している領域なので、通常では使用されない領域であった。スパッタ電源に対して要求される制御範囲は、最大定格1kWの定格出力特性曲線Aから、通常は曲線Bのように、定格電力の10%に相当する電力(ほぼ100W)まで制御できることが要求されていた。
しかしながら、最近では、従来では要求されることのなかった定格電力の10%よりも低い電力領域まで制御できることを要求されることが多くなってきている。形成する薄膜の厚みの精度と生産性の均一性をより向上させ、維持するために、例えば図8の曲線Cで示すように定格電力の1%程度まで、この場合には10W程度までの出力特性を安定に実現できることが求められる。従来のスパッタ電源では後述の理由からこの要求を実際上で満足させるには難点があった。なお、チャンバ内にプラズマ放電を発生させる点火電圧については上述していないが、一般的にスパッタ電源には定格電圧の2倍以上の高電圧を発生できる機能が必要であり、従来の多くのスパッタ電源は点火電圧発生部をわざわざ備えている。
次に公知のスパッタ電源の主な二つの方式について説明する。先ず第1の方式としては、出力トランスの1次巻線に4個のスイッチング半導体素子をブリッジに接続してなるブリッジインバータと、直列共振回路と、その出力トランスの2次巻線に接続された整流回路と、コンデンサインプット回路などからなる共振型ブリッジコンバータを用いた直列共振方式A(例えば、特許文献1、2参照)があり、第2の方式としては、出力トランスの1次巻線に4個のスイッチング半導体素子をブリッジに接続してなるブリッジ型インバータと、その出力トランスの2次巻線に接続された整流回路と、チョークインプット回路などからなる非共振方式B(例えば、特許文献3参照)が知られている。
前記直列共振方式Aは、その動作については知られているので詳しくは説明しないが、前記ブリッジインバータのスイッチング周波数にほぼ比例する出力電力を出力できるという利点を有する。この利点によれば、前記ブリッジインバータのスイッチング周波数を制御することにより、プラズマ放電装置が必要とする定格放電電力から微小な放電電力まで非常に広い範囲の出力電力を得ることができる。しかし、前記直列共振方式Aは直列共振回路固有の定電流特性を呈するため、定電力特性のスパッタ電源に適用する場合、定格出力範囲内の電圧、電流の双方とも大きな値に選定して定格電力の設計を行わなければならない。このことはスパッタ電源を構成する部品、特にスイッチング半導体素子やダイオードなどの半導体素子、トランスなどの大型化を招くだけでなく、コストアップになるという問題点を生じる。さらに、直列共振電流は共振回路に流れ込む順電流部分とそれと逆方向の帰還電流部分とがあって、実際に負荷に供給される電流部分は前記順電流部分と前記帰還電流部分との差分であるだけであり、無効電流部分が大きく、それによる回路損失が増加する欠点があり、環境面でも好ましくない。
前記非共振方式Bの電源回路はブリッジ型コンバータ回路であり、その動作についてはよく知られているので詳しくは説明しないが、ブリッジ型コンバータ回路のスイッチング半導体素子はパルス幅制御(PWM)され、出力電圧はスイッチング半導体素子のオンデューティ(1周期のオン幅の割合)を制御して行われる。したがって、例えば定格放電電圧が500Vで電流が2Aの場合、放電電圧を250Vにするには、定電力出力特性を維持するために、スイッチング半導体素子のオンデューティを1/2に小さくして4Aの電流を流すことになり、当然にスイッチング半導体素子のスイッチング損失とそのオン期間の電力損失が増える。
前述したような定格放電電力から微小な放電電力まで非常に広い範囲の電力を必要とするプラズマ放電装置に、前記非共振方式Bの電源回路を採用した場合の最大の欠点は、PWM制御では最小パルス幅よりもパルス幅を小さく制御できないことであり、つまり最小電力よりも小さい電力に制御できないという点である。例えば、定格放電電力が1kWの場合、その1%の設定電力はほぼ10Wになるが、実際上のPWM制御では前記最小パルス幅の厳しい制約があるので、定格放電電力の1%程度までは到底制御できない。したがって、この場合には、最小パルス幅の駆動パルスを制御周期の一部分で除去することにより、ある周期では駆動パルスの存在しない空白の期間をもつ間欠制御をせざるを得ないが、この間欠制御では低リプルで安定した電力制御を行うことができない。
また前述したように、プラズマ放電装置では定格放電電圧の2倍程度の高電圧を最初に点火電圧として印加して、放電を発生させるプロセスが必須である。前記直列共振方式A及び前記非共振方式Bでは、点火時に定格放電電圧の2倍以上の高電圧を発生できるような昇圧比で、出力トランスの1次巻線と2次巻線の巻数比を設定しているものが多い。この場合には、スイッチング半導体素子を1/2以上のオンデューティでスイッチング動作させるケースがあるから、当然に点火時の高電圧で最大定格電流が出力トランスの2次巻線N2に流れる設計を行うことになり、等価的に1次巻線を流れる1次電流のピーク値が増加するために、スイッチング半導体素子の電流利用率が低くなり、不経済である。この問題を解決するために、点火電圧発生用の第3の巻線を出力トランスに設けたり、あるいは別途、高電圧発生回路を備えたプラズマ放電装置もある(例えば、特許文献4参照)が、やはり小型化の面、経済性の面で難点がある。
特開2004−40962公報 特表平11−505661号公報 特開2003−268541公報 特開2005−33968公報
本発明は、上述のような従来の課題を解決するために、片波のシングル又はダブルのフォワード型DC−DCコンバータを用い、プラズマ放電装置独特の特性に適合するようにそのフォワード型DC−DCコンバータを制御することにより、特別な回路あるいは部品を用いることなく容易に点火電圧を発生することができ、しかも定格放電電圧から定格放電電力の1%程度の放電電力までの非常に広い範囲の電力を安定に得ることができるプラズマ放電装置を提供するものである。
第1の発明は、直流電源部と、その直流電源部から出力ケーブルを通して電力を受電するプラズマ放電部とからなるプラズマ放電装置において、前記直流電源部は、前記プラズマ放電部を点火させる点火電圧を発生するのに適した巻数比を有する1次巻線と2次巻線とを備えるトランスと、そのトランスの前記1次巻線に直列に接続された単一のスイッチング半導体素子部又は前記1次巻線を挟んで互いに直列に接続された一対のスイッチング半導体素子部と、前記単一のスイッチング半導体素子部又は前記一対のスイッチング半導体素子部のスイッチング動作を制御する制御回路と、前記トランスの前記2次巻線に接続された整流素子とフィルタ用チョークとフィルタ用コンデンサとフライホイールダイオードとからなるチョークインプット型整流回路とを備えてなる片波のフォワード型DC−DCコンバータであり、前記点火電圧を発生させる点火時には、前記フォワード型DC−DCコンバータがカットオフモードで動作して、前記フィルタ用コンデンサに充電された電圧を前記点火電圧として前記プラズマ放電部に印加し、前記プラズマ放電部が点火した後のプラズマ放電時には、前記制御回路が、前記2次巻線の電圧が前記チョークインプット型整流回路により平均化されて所定の電圧値にされるオンデューティで前記単一のスイッチング半導体素子部又は前記一対のスイッチング半導体素子部をスイッチングさせ、前記フォワード型DC−DCコンバータを電流連続モードで動作させて、所望のプラズマ放電電圧を前記プラズマ放電部に供給することを特徴とするプラズマ放電装置を提供する。
第2の発明は、前記第1の発明において、前記フィルタ用コンデンサのキャパシタンスと前記出力ケーブルが有するインダクタンスとが直列共振するように前記フィルタ用コンデンサの前記キャパシタンスを選定し、プラズマ放電部に異常放電が発生するときには、前記キャパシタンスと前記インダクタンスとが直列共振を行い、この直列共振によって前記フィルタ用コンデンサの電圧が反転して逆極性になるとき、この逆極性の電圧を前記プラズマ放電部に印加して前記異常放電を消滅させることを特徴とするプラズマ放電装置を提供する。
第3の発明は、前記第1の発明又は前記第2の発明において、前記プラズマ放電部が必要とするプラズマ放電電力に応じて前記フォワード型DC−DCコンバータの出力電力を変化させるときには、前記制御回路は、周波数変調により、前記スイッチング半導体素子部のオンデューティを制御することを特徴とするプラズマ放電装置を提供する。
第4の発明は、前記第1の発明ないし前記第3の発明のいずれかにおいて、前記制御回路が、検出電力信号と電力基準信号との誤差信号と、前記出力電圧の大きさに応じて設定される周波数の三角波信号とを比較して、前記出力電圧の大きさに応じて設定された周波数であって、前記誤差信号に左右されるオンデューティ又はパルス幅の駆動パルスで前記スイッチング半導体素子部を駆動することを特徴とするプラズマ放電装置を提供する。
前記第1の発明によれば、片波のシングル又はダブルのフォワード型DC−DCコンバータを用い、プラズマ放電装置の点火時には前記フォワード型DC−DCコンバータをカットオフ動作モードで動作させることによって、特別な回路あるいは部品を用いることなく簡単な構成のフォワード型コンバータで容易に点火電圧を発生することができ、しかも必要とされるプラズマ放電電力を安定に得ることができるプラズマ放電装置を提供することができる。
前記第2の発明によれば、前記第1の発明が奏する効果の他に、プラズマ放電部に異常放電が発生するときには、フィルタ用コンデンサのキャパシタンスと出力ケーブルのインダクタンスとが直列共振して異常放電を消滅させるので、異常放電を消滅させるための特別な回路などが不要であり、更にプラズマ放電装置を簡便にすることができる。
前記第3の発明によれば、前記第1の発明又は前記第2の発明が奏する効果の他に、前記プラズマ放電部が必要とするプラズマ放電電力に応じて前記フォワード型DC−DCコンバータの出力電力を変化させるときには、前記制御回路は、周波数変調により、前記スイッチング半導体素子部のオンデューティを制御するので、定格プラズマ放電電力から定格プラズマ放電電力の1%程度の放電電力までの非常に広い範囲の電力を安定に得ることができる。
前記第4の発明によれば、前記第1の発明ないし前記第3の発明が奏する効果の他に、プラズマ放電部が要求する定電力を供給しながら、プラズマ放電電圧の変動に追従して周波数を変調し、変化する出力電力を供給することができ、より品質の高い薄膜の形成などを行えるプラズマ放電装置を提供することができる。
[実施形態1]
本発明に係る実施形態1の第1のプラズマ放電装置100について、図1〜図4により説明する。この第1のプラズマ放電装置100の特徴は、第1に小型化及び経済性の面で有利な片波のフォワード型コンバータを用いること、第2にプラズマ放電装置の点火の際に片波のフォワード型コンバータを後述する電流不連続モード(以下、カットオフモードという。)で動作させることにある。図1は第1のプラズマ放電装置100の主要な部分の回路構成を示す図であり、図2、図3は第1のプラズマ放電装置100の動作を説明するための各部の波形を示す図である。図2は、プラズマ放電しているときに、フォワード型コンバータを後述する電流連続モードで動作させるときの波形を示し、図2(A)は駆動パルスの電圧波形、図2(B)はトランスの1次巻線の電圧波形、図2(C)はトランスの1次巻線の電流波形、図2(D)はフィルタ用チョークの電流波形をそれぞれ示す。また、図3は、プラズマ放電部が点火する前に、フォワード型コンバータを後述するカットオフモードで動作させるときの波形を示し、図3(A)は駆動パルスの電圧波形、図3(B)はトランスの1次巻線の電圧波形、図3(C)はフィルタ用チョークの電流波形、図3(D)はフィルタ用コンデンサの充電電圧波形をそれぞれ示す。図4はスイッチング半導体素子部のオンデューティ制御を説明するための1周期Tの波形を示している。
第1のプラズマ放電装置100は大きく分けて直流電源部1と、直流電源部1から電力を受電するプラズマ放電部50と、直流電源部1とプラズマ放電部50とを接続する同軸ケーブルのような出力ケーブル60とからなる。直流電源部1は片波のフォワード型DC−DCコンバータからなり、以下ではフォワード型コンバータ1という。フォワード型コンバータ1は、不図示の商用電源の交流電圧を直流に変換するコンバータとフィルタ回路などからなる一般的な直流電源2、プラズマ放電部50を点火させる点火電圧を発生するのに適した巻数比を有する1次巻線N1と2次巻線N2とを備えるトランス3と、トランス3の1次巻線N1を挟んで互いに直列に接続された一対のスイッチング半導体素子部4、5と、トランス3の磁気エネルギーを直流電源部1に帰還させるよう接続されたリセット用ダイオード6、7と、トランス3の2次巻線N2に直列接続された整流素子8と、トランス3の2次巻線N2と整流素子8とに跨って接続されたフライホイールダイオード9と、フィルタ回路を構成するフィルタ用チョーク10とフィルタ用コンデンサ11と、出力電流を検出する電流検出器12と、出力電圧を検出する電圧検出器13と、検出されたそれら電流と電圧とを乗算して得られる検出電力に対応する電力検出信号Pdを出力する乗算回路14と、スイッチング半導体素子部4、5に駆動パルスを与える制御回路15とからなる。ここで、整流素子8とフライホイールダイオード9とフィルタ用チョーク10とフィルタ用コンデンサ11とはチョークインプット回路30を構成する。フォワード型コンバータ1は、4個のスイッチング半導体素子をブリッジ接続してなる従来のブリッジコンバータに比べて小型化及び経済性の面でも有利である。
制御回路15は、主として誤差増幅部15A、周波数設定部15B、オンデューティ変調部15C、及び駆動パルス発生部15Dからなる。誤差増幅部15Aは、乗算回路14からの電力検出信号Pdと予め設定された電力基準信号Prとの誤差信号S1を生じる誤差増幅器などからなる。周波数設定部15Bは、誤差増幅部15Aからの誤差信号を受けて、その誤差信号の値に応じた周波数の信号を出力する電圧―周波数変換回路15B1と、電圧―周波数変換回路15B1からの信号に基づいて周波数が制御される三角波信号を発生する三角波信号発生回路15B2などからなり、前記誤差信号に応じた周波数をもつ三角波信号S2を出力する。オンデューティ変調部15Cは、誤差増幅部15Aからの誤差信号S1と周波数設定部15Bからの三角波信号S2とを比較するコンパレータなどからなり、誤差信号S1と三角波信号S2とによって、三角波信号S2の周波数を基準にして出力電力が一定になるようにオンデューティが変調された制御信号S3を駆動パルス発生部15Dに出力する。駆動パルス発生部15Dは、制御信号S3を適当な大きさの駆動パルスにしてスイッチング半導体素子部4、5に供給する。
図1に示すフォワード型コンバータ1は、トランス3の1次巻線N1を挟んで互いに直列に接続された一対のスイッチング半導体素子部4、5を少なくとも備えるので、ダブルフォワード型コンバータと称するが、単一のスイッチング半導体素子部をトランス3の1次巻線N1に直列に接続した構成、例えば図1でスイッチング半導体素子部4又はスイッチング半導体素子部5のどちらか一方を削除して短絡すると共に、リセット用ダイオード7又はリセット用ダイオード6のどちらか一方を削除し、1次巻線N1に直列に付加された不図示のリセット巻線にリセット用ダイオード7又はセット用ダイオード6を接続してなる一般的な回路構成のシングルフォワード型コンバータでもよい。また、例えば図1でスイッチング半導体素子部4又はスイッチング半導体素子部5のどちらか一方を削除して短絡すると共に、リセット用ダイオード6、7を削除し、トランス3の1次巻線N1と2次巻線N2のそれぞれに不図示のコンデンサを並列に接続し、トランス3の励磁インダクタンスと前記不図示のコンデンサとを共振させてリセットする回路構成のシングルフォワード型コンバータであっても勿論よい。
この本発明ではダブルフォワード型コンバータ、シングルフォワード型コンバータのいずれでもよいが、実施形態1では電圧が高い場合に適した構成のダブルフォワード型コンバータを採用している。なお、スイッチング半導体素子部は単体のFETあるいはIGBT、又はトランジスタなどのスイッチング半導体素子でもよいが、必要に応じてこのようなスイッチング半導体素子を複数個直列又は並列、あるいは直並列接続したものでもよい。また、図1に示すダブルフォワード型コンバータにおいて、リセット用ダイオード6及び7としてスイッチング半導体素子部4又はスイッチング半導体素子部5と同様なスイッチング半導体素子を用い、これらの有する内部ダイオードを利用し、これらスイッチング半導体素子をリセット用ダイオードとして用いても良い。
フォワード型コンバータ1の出力端子16、17は同軸ケーブルなどの出力ケーブル60によってプラズマ放電部50に接続される。なお、実際には一方の電極が接地されるプラズマ放電部50と、商用電源に接続される直流電源部1との間を直流的に絶縁するために、電流検出器12又は電圧検出器13からスイッチング半導体素子部4、5との間の配線にフォトカプラあるいはパルストランスのような直流絶縁手段が備えられているが、図1では省略している。
先ず、このフォワード型コンバータ1の基本的な電流連続モードの動作を説明する。スイッチング半導体素子部4、5は、図2(A)に示すような同等の大きさの駆動パルスで同時にオン、オフを繰り返し、スイッチング半導体素子部4、5がオンしているオン幅T1でトランス3の1次巻線N1に直流電源2の直流電圧V1を印加することにより、図2(B)に示すような電圧を1次巻線N1に発生する。このときトランス3の1次巻線N1には図2(C)に示すような電流、つまりスイッチング半導体素子部4、5がオンしているオン幅T1には励磁電流Imが重畳されて増加する右肩上がりの電流、スイッチング半導体素子部4、5がオフしているオフ幅T2には励磁電流Imが減少する右肩下がりの電流が流れ、フィルタ用チョーク10には図2(D)に示すような連続した脈動する電流が流れる。一般にこれを電流連続モードと言っている。このとき、スイッチング半導体素子部4、5のオフ幅T2の時間内に、トランス3のコアに蓄えられた磁気エネルギーをリセット電流として、リセット用ダイオード6、7を通して直流電源2に戻すことにより、励磁電流がゼロになり、トランス3がリセットされる。なお、1周期Tは、T=T1+T2で表される。
スイッチング半導体素子部4、5のオフ幅T2の時間内に、励磁電流がリセット用ダイオード6、7を通して電源2にすべて帰還されることによりゼロになって、1次巻線N1の電圧がリセットを終了しなければならない。トランス3のリセットに要するリセット時間を確保するために、オン幅T1をオフ幅T2以下(T1≦T2)にしなければならない。この条件により、T1/(T1+T2)で決まるスイッチング半導体素子部4、5のオンデューティDの最大値は0.5となり、スイッチング半導体素子部4、5は0.5以下のオンデューティDでスイッチングを行わなければならない。トランス3の2次巻線N2の電圧V2は、前記チョークインプット回路30で整流、平滑される、つまり平均化される。したがって、オンデューティDの最大値(0.5)では、出力端子16、17間の直流出力電圧Voはトランス3の2次巻線N2の電圧V2のほぼ1/2となるから、例えばプラズマ放電部50の定格プラズマ放電電圧が500Vの場合には、トランス3の2次巻線N2の電圧V2は定格プラズマ放電電圧の2倍の電圧に等しい1000V程度の電圧を必要とする。
一般的なインピーダンス負荷の場合には、図2(D)に示すように、フォワード型コンバータを電流連続モードで動作させるので、正常な動作範囲では、図3(C)に示すようなフィルタ用チョーク10に電流が流れない期間が存在するカットオフモードで動作させることはほとんどない。例えば、フォワード型コンバータ1をカットオフモードで動作させる場合は、電流連続モードと同じ制御では出力電圧が高くなってしまい、正常に動作できなくなる。したがって、通常はダミー抵抗を出力端子16と17との間に接続してフィルタ用チョーク10に流れる電流が途切れないようにするなどの工夫が必要になる。つまり、従来ではフォワード型コンバータ1をカットオフモードでは動作させないが、本発明では、プラズマ放電部50を点火させる際にはフォワード型コンバータ1を積極的にカットオフモードで動作させることを一つの特徴にしている。プラズマ放電部50を点火させる際には駆動初期からフォワード型コンバータ1をカットオフモードで動作させることによって、特別な高電圧発生回路又は部品を必要とすることなく、直流高電圧を発生させることができる。なお、ダミー抵抗を出力端子16と17との間に接続した場合には、ダミー抵抗を通してフィルタ用チョーク10に連続して電流が流れるから、出力端子16、17間にはトランス3の2次巻線N2の電圧V2に近い高電圧は得られない。
次に、第1のプラズマ放電装置100の動作について説明する。先ず、制御回路15は、図3(A)に示すような初期の駆動パルスをスイッチング半導体素子部4、5に供給してオン、オフ動作をさせ、トランス3の1次巻線N1に図3(B)に示すような電圧を発生し、2次巻線N2に電流を流す。2次巻線N2の極性を示す黒点側が正の電圧であるとき、2次巻線N2を流れる電流はフィルタ用コンデンサ11、フィルタ用チョーク10及び整流素子8を通して流れ、フィルタ用コンデンサ11を充電する。次に、2次巻線N2の極性を示す黒点側が負の電圧になるとき、フィルタ用チョーク10に蓄えられている磁気エネルギーによる電流がフライホイールダイオード9を通してフィルタ用コンデンサ11に流れる。実施形態1において、プラズマ放電部50が点火する前は、プラズマ放電部50がほぼ無限大の負荷抵抗となる。このとき、制御回路15からの前記初期の駆動パルスは、フィルタ用チョーク10を流れる電流が連続せずに断続する図3(C)に示す波形となるように、スイッチング半導体素子部4、5のオンデューティDが例えば0.5よりも小さいオン幅T1とする。つまり、スイッチング半導体素子部4、5のオンデューティDを小さいオン幅T1にすることにより、図3(C)に示すように、フィルタ用チョーク10を電流が流れる区間は短くなり、フィルタ用チョーク10を電流が流れない区間が生じる。この動作がフォワード型コンバータ1のカットオフモードである。
フィルタ用チョーク10を電流が流れない区間では、フィルタ用チョーク10の電圧降下はゼロであるから、フィルタ用コンデンサ11の電圧にほぼ等しい電圧が出力端子16、17を介してプラズマ放電部50に印加される。フィルタ用コンデンサ11の充電電圧が上昇するのに伴い、出力端子16、17を介してプラズマ放電部50に印加される電圧が上昇する。フィルタ用コンデンサ11が例えば数十〜数百周期で最大値で2次巻線N2の高電圧(例えば1000V)まで充電されると、2次巻線N2の高電圧に近い電圧がプラズマ放電部50に印加されることになり、プラズマ放電部50を点火することができる。そして、プラズマ放電部50がプラズマ放電状態に至ると、放電電流を流すためにスイッチング半導体素子部4、5のオンデューティDを例えば0.5のオン幅T1にすることにより、フィルタ用チョーク10を通して流れる電流は図2(D)に示すように連続し、フォワード型コンバータ1は電流連続モードで動作する。
前述の場合には、最初からスイッチング半導体素子部4、5のオンデューティDを小さいオン幅T1にして、フォワード型コンバータ1のカットオフモードで動作させたが、プラズマ放電装置によっては要求される点火までの時間が異なることがある。この場合には、スイッチング半導体素子部4、5のオンデューティDを調整することにより、フィルタ用コンデンサ11の充電時間を制御し、点火までの時間を調整することができる。例えば、スイッチング半導体素子部4、5のオン幅T1が一定であるならば、フィルタ用コンデンサ11の充電電圧の上昇に伴って、フィルタ用チョーク10を流れる電流は図3(C)に示すように減少するから、当然にフィルタ用コンデンサ11の充電電圧の上昇率は図3(D)に示すように低くなる。この充電電圧の上昇率を低下させないためには、フォワード型コンバータ1をカットオフモードで動作させる範囲で、スイッチング半導体素子部4、5のオン幅T1を徐々に大きくして、フィルタ用チョーク10を流れる電流を減少させないようにする。そして、更にプラズマ放電部50の点火までの時間を短縮する場合には、フィルタ用コンデンサ11が2次巻線N2の高電圧(例えば1000V)の例えば70〜100%に充電されるまで、スイッチング半導体素子部4、5のオンデューティDのオン幅T1を大きくし、フィルタ用チョーク10を流れる電流を増加させて、短時間でフィルタ用コンデンサ11を充電してもよい。
その一例として、最初はスイッチング半導体素子部4、5のオンデューティDを大きくし、フォワード型コンバータ1を電流連続モードで動作させて、フィルタ用コンデンサ11を短い時間で2次巻線N2の高電圧(例えば1000V)の70〜100%の範囲の選定された電圧値まで充電し、その電圧値に達した時点で、スイッチング半導体素子部4、5のオンデューティDを小さな値に切り替えることにより、フォワード型コンバータ1をカットオフモードで動作させてもよい。この場合には、フォワード型コンバータ1をカットオフモードに切り替えた時点で、プラズマ放電部50に印加される電圧は、最大値で2次巻線N2の高電圧(例えば1000V)となる。フィルタ用コンデンサ11の充電電圧が2次巻線N2の電圧に達していない場合には、次の周期以降で今までよりも緩やかに上昇するフィルタ用コンデンサ11の充電電圧がプラズマ放電部50に印加される。このようにして、前述よりも短い時間で所望の点火電圧をプラズマ放電部50に印加し、点火することができる。この場合、点火時間の調整が可能である。なお、フィルタ用コンデンサ11が2次巻線N2の高電圧の70〜100%の範囲の選定された電圧値に達した時点は、予め設定された周期が経過する時点であってもよい。
前述の例で、最大定格プラズマ放電電圧の500Vを出力するためには、トランス3の2次巻線N2の電圧がほぼ1000Vであり、スイッチング半導体素子部4、5のオンデューティDは0.5でなければならない。そして、スイッチング半導体素子部4、5に与えられる駆動パルスのオン幅T1を例えば5μsであるとすると、1周期が10μsであるからスイッチング半導体素子部4、5の駆動パルスの周波数は100kHzとなる。このときのオンデューティDは0.5である。フォワード型コンバータは出力電圧により駆動パルスのオン幅T1がほぼ決まるために、誤差増幅部15Aが出力する出力電圧の誤差信号S1に応じて周波数を変調しても、出力電圧により駆動パルスの周波数が決まることになる。したがって、最大定格プラズマ放電電圧の出力時には、制御回路15の周波数設定部15Bは駆動パルスの周波数が100kHzになるように設定されており、最大定格プラズマ放電電圧時にはオンデューティ変調部15Cの基礎的な周波数を100kHzにする。なお、駆動パルスのオン幅T1がほぼ一定であれば、オンデューティDは周波数に比例し、周波数が1/2になれば、オンデューティDも1/2になる。
オンデューティ変調部15Cは、誤差増幅部15Aからの誤差信号の大きさに応じて100kHzを中心にオンデューティDを変調し、一定の出力電力になるように変調されたオンデューティDの制御信号S3を駆動パルス発生部15Dに与える。そして、駆動パルス発生部15Dは、適当な電圧の駆動パルスをスイッチング半導体素子部4、5に供給する。このようにスイッチング半導体素子部4、5がほぼ100kHzの駆動周波数を中心に制御されたオンデューティDでスイッチング動作を行うことにより、フォワード型コンバータ1は電流連続モードで動作し、ほぼ500Vの電圧の定格プラズマ放電電力をプラズマ放電部50に供給する。
次にプラズマ放電部50が必要とするプラズマ放電電圧が250Vになる場合、トランス3の2次巻線N2の電圧の波高値は巻数比nだけで決まるからほぼ1000Vであり、したがって必要なオンデューティDは必然的に0.25となる。前述から駆動パルスのオン幅はほぼ5μsであり、オンデューティDが0.25であることから逆算すると、1周期は20μsとなり、駆動パルスの周波数はほぼ50kHzとなる。つまり、プラズマ放電部50が必要とするプラズマ放電電圧を第1のプラズマ放電電圧(例えば500V)から第2のプラズマ放電電圧(例えば250V)に変化させるとき、分かり易くするために制御回路15がパルス幅(オン幅T1)を実質的に変えないものとすれば、前記第1のプラズマ放電電圧の大きさに対する前記第2のプラズマ放電電圧の大きさの比率を前記第1のプラズマ放電電圧のときのオンデューティ(例えば0.5)に乗じたオンデューティ(例えば0.25)になる周波数(例えば50kHz)の駆動パルスでスイッチング半導体素子部4、5を駆動する。
したがって、プラズマ放電部50が必要とするプラズマ放電電圧が250Vの場合には、制御回路15の周波数設定部15Bは誤差増幅部15Aからの誤差信号S1によって駆動周波数Fを50kHzに設定し、オンデューティ変調部15Cは50kHzの周波数を基本にして、出力電力が定格値に維持されるようにオンデューティDの変調を行う。スイッチング半導体素子部4、5は、前述のように周波数設定部15Bで設定された駆動周波数Fで、かつオンデューティ変調部15CによりオンデューティDの変調された駆動パルスでスイッチング動作を行い、フォワード型コンバータ1はほぼ250Vの電圧で定格プラズマ放電電力をプラズマ放電部50に供給することができる。プラズマ放電電圧が500Vから250Vの範囲では、前述したように、その電圧値に比例する周波数を駆動周波数Fとして周波数設定部15Bが設定する。
この点について図4を用いて説明する。図4(A)は誤差信号S1のレベルが高いときの1周期Tの誤差信号S1と三角波信号S2とを示している。誤差信号S1のレベルが高いときには三角波信号S2の周波数はそれに応じて高くなることを示している。また、図4(B)は誤差信号S1のレベルが低いときの1周期Tの誤差信号S1と三角波信号S2とを示し、誤差信号S1のレベルが低いときには三角波信号S2の周波数がそれに応じて低くなる。オンデューティ変調部15Cは、誤差信号S1のレベルに応じて周波数が変化する三角波信号S2と誤差信号S1とを比較し、三角波信号S2が誤差信号S1と同等以下にある区間をオン幅T1、三角波信号S2が誤差信号S1よりも大きな区間と三角波信号S2が一定の低レベルにある区間との和の区間をオフ幅T2とする制御信号S3を出力する。したがって、制御信号S3は三角波信号S2の周波数を基準にして誤差信号S1と三角波信号S2とによってオンデューティD、つまり周波数が変調される。
ここで、定電力負荷装置であるプラズマ放電装置50にあっては、プラズマ放電電圧が500Vのときも250Vのときも伝達負荷電力は等しいので、500Vのときにスイッチング半導体素子部4、5を流れる電流をIpとすると、250Vのときにスイッチング半導体素子部4、5を流れる電流は当然に2Ipとなる。この場合のスイッチング半導体素子部4、5のスイッチング損失を比較すると、250Vのときにはスイッチング半導体素子部4、5を流れる電流が500Vのときの2倍になるが、スイッチング周波数、換言すればオンデューティDがほぼ1/2になるので、スイッチング損失を総合的に大きく減少させることができる。
次に、プラズマ放電装置50が定格プラズマ放電電力(例えば1kW)よりも大幅に小さい電力、例えば定格プラズマ放電電力の1%程度である10W(例えば電圧が5V、電流が2A)の一定電力を必要とする場合、電圧比率に応じて定格プラズマ放電電力時の駆動周波数100kHzの1%程度に相当する1kHz程度まで周波数を下げれば、オンデューティDが0.01程度になる。つまり、プラズマ放電部50が必要とするプラズマ放電電力を第1のプラズマ放電電力(例えば500V×2A=1kW)から第2のプラズマ放電電力(例えば5V×2A=10W)に変化させるときには、制御回路15は、パルス幅(オン幅T1)を実質的に変えずに前記第1のプラズマ放電電力(放電電圧)の大きさに対する前記第2のプラズマ放電電力(放電電圧)の大きさの比率(0.01)を前記第1のプラズマ放電電力(放電電圧)のときのオンデューティD(例えば0.5)に乗じたオンデューティD(例えば0.005)になる周波数(例えば1kHz)の駆動パルスでスイッチング半導体素子部4、5を駆動する。
したがって、この場合には、制御回路15の周波数設定部15Bは駆動パルスの駆動周波数Fを1kHzに設定し、オンデューティ変調部15Cは誤差増幅部15Aからの誤差信号S1と周波数設定部15Bからの1kHzの周波数の三角波信号S2とを比較して、1kHzの周波数を中心にオンデューティDの変調された制御信号S3を出力する。駆動パルス発生部15Dは制御信号S3を受けて、1kHzを中心にオンデューティDが変調された駆動パルスをスイッチング半導体素子部4、5に送出することにより、フォワード型コンバータ1はほぼ10Wの一定の電力をプラズマ放電部50に供給する。
前述からも明らかなように、駆動周波数F、つまりオンデューティDを低下させたときのスイッチング半導体素子部4、5のスイッチング損失は総合的に小さくなり、また、この小電力領域ではスイッチング半導体素子部4、5を1kHz程度の駆動周波数Fでスイッチング動作させても、パワーが小さいので騒音などの悪影響はほとんど問題にならない。なお、前述した最大の定格放電電圧の値、駆動周波数F、スイッチング半導体素子部4、5の前記オン幅、プラズマ定格電力の値などはすべて一例であってそれら値に制限されるものでない。
以上で述べた実施形態1によれば、周波数設定部15Bは誤差増幅部15Aからの誤差信号S1によりプラズマ放電電力(放電電圧)に対応して駆動周波数Fの変更を行ったが、プラズマ放電電力(放電電圧)の設定に対応して電力基準信号Prの設定を変更するときに連動して、駆動周波数Fの設定などを自動的に又は手動的に行えるようにしてもよい。例えば、周波数設定部15Bはプラズマ放電部50が要求する定格プラズマ放電電力(放電電圧)値から前述したような小さい一定のプラズマ放電電力(放電電圧)値(例えば10W)まで対応する周波数値の周波数制御テーブルを内蔵するマイクロコンピュータ(不図示)などから構成されてもよい。また、そのマイクロコンピュータに、プラズマ放電電力(放電電圧)に対応する電力基準信号Prの設定テーブルを備えても勿論よい。以上で述べたように、フォワード型コンバータとプラズマ放電装置の双方を熟知し、双方が有する独特の特徴を組み合わせることによって、特別な高電圧発生部や高電圧を発生するための部品を必要とせず、小型化、経済性などに優れたプラズマ放電装置100を提供することができる。
[実施形態2]
図5及び図6により実施形態2に係る第2のプラズマ放電装置200について説明する。図5はプラズマ放電装置200を説明するための図であり、図5において、図1で用いた記号と同じ記号の部材は同一の名称の部材を示すものとする。図6は異常放電がプラズマ放電部50のチャンバ(不図示)に発生した場合のシミュレーション波形を示している。第2のプラズマ放電装置200は、図1に示した第1のプラズマ放電装置100と同じ回路構成であるので、説明に必要な部分の回路構成を等価的に示し、他の回路部品は図示するのを省略している。
このプラズマ放電装置200の大きな特徴は、プラズマ放電部50に異常放電が発生するときに出力ケーブル60のインダクタンスLと直列共振を生じるようにフィルタ用コンデンサ11のキャパシタンスCを選定し、プラズマ放電部50のチャンバ(不図示)に逆電圧を印加して異常放電を消滅させる働きを行うところにある。このとき、フォワード型コンバータ1のフィルタ用チョーク10のインダクタンスが出力ケーブル60のインダクタンスLに比べて大幅に大きいために、フライホイールダイオード9により制限又は短絡されることなく、プラズマ放電部50のチャンバに逆電圧を印加することができる。つまり、別途、共振用のインダクタンス手段を備えずに、プラズマ放電部50に異常放電が発生したときだけ実質的に出力ケーブル60のインダクタンスLとフィルタ用コンデンサ11のキャパシタンスCとで直列共振させ、その直列共振を異常放電の消滅に利用しているところに特徴がある。この部分の技術内容について説明する。
共振によって異常放電を消滅させる技術については種々の文献に既に開示されているが、異常放電が発生したときに出力ケーブルのインダクタンスを共振用インダクタンスとして用いて共振させ、別途、共振用インダクタンス手段を備えずに異常放電を消滅させるプラズマ放電装置についてはそれら文献に開示されていない。したがって、主として出力ケーブル60のインダクタンスLを直列共振に利用する内容について説明を行う。
実際のプラズマ放電装置200にあっては、フォワード型コンバータ1の出力端子16、17とプラズマ放電部50との間の距離は通常、数mから50m程度の距離であり、フォワード型コンバータ1とプラズマ放電部50とはこのような距離と同等以上の長さをもつ出力ケーブル60によって接続されている。出力ケーブル60としては同軸ケーブルが用いられている。先ず、用いる一般的な長さの同軸ケーブルのインダクタンスLの大きさを考慮して、同軸ケーブルのインダクタンスLと直列共振を行うのに適したキャパシタンスCをもつようフィルタ用コンデンサ11を選定する。
図5において、フィルタ用チョーク10のインダクタンスをLf、異常放電時のプラズマ放電部50のチャンバ(不図示)をスイッチS、共振によるフィルタ用コンデンサ11の反転電圧をEで示し、反転電圧Eの極性は図示のとおりである。プラズマ放電部50の点火前はスイッチSが開いた状態にある。フォワード型コンバータ1が時刻t0で動作を開始し、図6(B)に示すようにほぼ時刻t0で点火電圧を発生することにより、プラズマ放電部50にプラズマ放電が発生する。過渡的な短い時間が経過すると、出力電流Ioは図6(A)に示すように、出力電圧Voは図6(B)に示すように、また、プラズマ放電部50のプラズマ放電電圧Vo2は図6(C)で示すように、それぞれのほぼ一定の値で安定する。
このようにフォワード型コンバータ1が連続電流動作モードで動作して、プラズマ放電部50に所望の放電電力を供給している定常時に、時刻t1でプラズマ放電部50のチャンバ(不図示)に異常放電が発生すると、図6(C)で示すように、プラズマ放電部50のプラズマ放電電圧Vo2が瞬時的に大きく低下する。つまり、図5でスイッチSが閉じた状態と等しくなると、フィルタ用コンデンサ1の両端は出力ケーブル60のインダクタンスL及びスイッチSを通して短絡され、LC直列共振が発生することにより、図6(B)に示すようにフィルタ用コンデンサ11の電圧は反転し、その電圧は図5で示す極性になる。このとき時刻t1で、スイッチSを通して流れる電流を一旦遮断してゼロにし、時刻t2で出力電圧Voの逆電圧がピークになるようにするには、フィルタ用コンデンサ11のキャパシタンスCと出力ケーブル60のインダクタンスLとの共振インピーダンスが(L/C)1/2であるとすれば、共振電流のピーク値IpがE/(L/C)1/2よりも大きくなければならないという条件を満足しなければならない。
フィルタ用コンデンサ11のキャパシタンスCを大きくすれば、前記条件を満足するが、フィルタ用コンデンサ11のキャパシタンスCが大き過ぎれば、共振電流のピーク値Ipが過大となって、プラズマ放電部50のチャンバ(不図示)を損傷させる危険性がある。このような危険性を避けるという面からは、Ip=E/(L/C)1/2であることが好ましい。例えば、定格放電電圧が500Vで、プラズマ電流が5Aのプラズマ放電装置で、インダクタンスLが50μHの出力ケーブル60を用いた場合には、前記式からフィルタ用コンデンサ11のキャパシタンスCは5nFとなる。シミュレーションでは、異常放電時に確実に有効な直列共振が発生するようにキャパシタンスCに余裕をみて、フィルタ用コンデンサ11のキャパシタンスCを13nFとした。このシミュレーション時の共振周波数Frは197.5kHzで、1周期はほぼ5μsである。
この実施形態2では、出力端子16、17から見た内部インピーダンスを与えるフィルタ用チョーク10が高インピーダンスを呈するので、LC直列共振による共振電流Irは、出力端子16、17からフィルタ用チョーク10及びフライホイールダイオード9を通して実質的に流れない。したがって、前述したように直列共振によるフィルタ用コンデンサ11の反転電圧Eはプラズマ放電部50のチャンバ(不図示)に逆電圧として印加され、負荷電流とは逆極性の電流を流して確実に異常放電を消滅させる。逆に、フィルタ用チョーク10のインダクタンスが小さい場合、例えば出力ケーブル60のインダクタンスLと同程度、又はそれよりも小さい場合には、LC直列共振による共振電流がフィルタ用チョーク10及びフライホイールダイオード9を通して流れるので、フィルタ用コンデンサ11の反転電圧Eは小さくなり、プラズマ放電部50のチャンバ(不図示)の異常放電を消滅させるに足る逆電圧を与えることができない。
プラズマ放電部50のチャンバ(不図示)から異常放電が消滅すると、フォワード型コンバータ1が継続して連続電流動作モードで動作しているから、フィルタ用コンデンサ11のキャパシタンスCと出力ケーブル60のインダクタンスLとのLC直列共振は実質的に消滅する。つまり、このプラズマ放電装置200にあっては、フィルタ用コンデンサ11のキャパシタンスCと出力ケーブル60のインダクタンスLとでLC直列共振を発生させるだけでなく、チョークインプット回路30の特性を利用し、フィルタ用チョーク10のインダクタンスLfが出力ケーブル60のインダクタンスLに比べて大幅に大きなことから、フィルタ用コンデンサ11のキャパシタンスCと出力ケーブル60のインダクタンスLとの直列共振による共振電流を実質的にすべてプラズマ放電部50のチャンバ(不図示)に流すようにしているので、有効にプラズマ放電部50のチャンバ(不図示)の異常放電を消滅させることができる。
実施形態2によれば、フォワード型コンバータ1とプラズマ放電装置50の双方が有する独特の特徴を組み合わせることによって、特別な高電圧発生部や高電圧を発生するための部品を必要とせず、小型化、経済性などに優れたプラズマ放電装置200を提供することができるだけでなく、特別な部品を必要とすることなくプラズマ放電部50のチャンバ(不図示)の異常放電を速やかに消滅させることができる。また、図6のシミュレーション波形からも分かるように、プラズマ放電部50が定常のプラズマ放電状態にある場合、フィルタ用コンデンサ11のキャパシタンスCと出力ケーブル60のインダクタンスLとは実質的に共振を行わず、ほぼ一定の直流電流がプラズマ放電部50に流れている。したがって、定常のプラズマ放電状態ではフィルタ用コンデンサ11のキャパシタンスCと出力ケーブル60のインダクタンスLとの共振による影響は皆無である。なお、実施形態2でも、プラズマ放電部50が点火されてプラズマ放電が発生するまでは、フォワード型コンバータ1はカットオフ動作モードで動作する。
[実施形態3]
図7により実施形態3に係るプラズマ放電装置300について説明する。図7において、図1、図5で用いた記号と同じ記号の部材は同一の名称の部材を示すものとする。制御回路15は、プラズマ放電装置100の制御回路15と同様に、主として乗算回路14からの電力検出信号Pdと予め設定された電力基準信号Prとの誤差信号S1を生じる誤差増幅部15A、誤差増幅部15Aからの誤差信号S1を受けて、誤差信号S1に応じて設定される周波数の三角波信号S2を生じる三角波信号発生回路15B2を有する周波数設定部15Bと、誤差信号S1と三角波信号S2とによりオンデューティDの変調された制御信号S3を出力するオンデューティ変調部15Cと、駆動パルス発生部15Dとからなる。また、プラズマ放電装置300は、電圧検出器13からの電圧検出信号Vdに対応する周波数信号Fdに変換する電圧−周波数変換器20を有する。プラズマ放電装置300は基本的にはプラズマ放電装置100と同様であるので、主に異なる部分について説明する。なお、実施形態3でも、プラズマ放電部50が点火されてプラズマ放電が発生するまでは、フォワード型コンバータ1がカットオフ動作モードで動作する。
プラズマ放電装置300にあっては、電圧−周波数変換器20が電圧検出器13により検出された出力電圧検出信号Vdをそれにほぼ比例する周波数信号Fdに変換し、周波数設定部15Bに与える。周波数設定部15Bは電圧−周波数変換器20からの周波数信号Fdにより決められる周波数の三角波信号S2をオンデューティ変調部15Cの一方の入力端子に与える。オンデューティ変調部15Cは、誤差増幅部15Aからの前述した誤差信号S1と出力電圧の大きさにほぼ比例する周波数の三角波信号S2とを比較し、図4に示したように、誤差信号S1と三角波信号S2とが交差する時点により左右されるオンデューティDの制御信号S3を駆動パルス発生部15Dに与える。つまり、制御信号S3はプラズマ放電電圧値に応じて設定される周波数であって、電力の誤差信号S1に左右されるオンデューティDの信号である。
前記実施形態で説明したように、図8に示したような定格出力特性曲線Aのプラズマ放電電圧値又はプラズマ放電電力値を満足する駆動周波数Fでフォワード型コンバータ1を動作させている状態で、例えば、プラズマ放電部50が必要とする電力がほぼ10W(5V、2A)になるものとする。電圧検出器13がその電圧(ほぼ5Vの電圧)を検出し、電圧検出器13の電圧検出信号Vdは電圧−周波数変換器20にも入力され、電圧検出信号Vdに比例する周波数の周波数信号Fd、つまりほぼ1kHzの周波数の周波数信号Fdに変換される。その周波数信号Fdは制御回路15の周波数設定部15Bに入力され、周波数設定部15Bの三角波信号発生回路15B2は周波数信号Fdにほぼ等しい周波数の三角波信号S2をオンデューティ変調部15Cに与える。誤差増幅部15Aは、前述したように、電力検出信号Pdと10Wに対応する電力基準信号Prとの誤差信号Pdをオンデューティ変調部15Cに入力する。したがって、この場合、制御回路15はプラズマ放電電圧の検出電圧Vdに対応するほぼ1kHzの周波数であって、誤差信号S1に左右されるオンデューティDの駆動パルスをスイッチング半導体素子部4、5に与え、プラズマ放電電力をほぼ10Wに維持すると共に、プラズマ放電電圧をほぼ5Vに維持する。他のプラズマ放電電力値及びプラズマ放電電圧値の場合も同様である。
以上の実施形態1〜3では、オンデューティDが変調された駆動パルスでスイッチング半導体素子部4、5を駆動する例について述べたが、前述したように、定格プラズマ放電電力又は定格プラズマ放電電圧の駆動周波数Fを基本にして、検出されたプラズマ放電電力又はプラズマ放電電圧に応じた周波数に駆動信号の周波数を設定してフォワード型コンバータ1を運転し、その動作中にプラズマ放電部50のプラズマ放電電力(プラズマ放電電圧)が変動する場合には、駆動パルスのパルス幅制御を行うことにより、プラズマ放電部50のプラズマ放電電力(プラズマ放電電圧)に追従するようにフォワード型コンバータ1の出力電力又は出力電圧を制御してもよい。つまり、オンデューティD(周波数)の変調ではなく、パルス幅制御を行ってもよい。
また、以上の実施形態1〜3では定電力制御について述べたが、一般的な定電流制御でも勿論よい。この場合には、図1において、電流検出器12で検出された電流検出信号と電流基準信号との誤差信号を小さくする方向に誤差増幅部15Aが制御した駆動パルスを、制御回路15がスイッチング半導体素子部4、5に送出すればよい。この場合、駆動パルスは周波数設定部15Bにより設定された周波数を中心に制御されるオンデューティDの制御、あるいは周波数設定部15Bにより設定された周波数でパルス幅が変調されるパルス幅制御のいずれでもよい。
なお、以上の実施形態1〜3で挙げた定格プラズマ放電電力の値、定格プラズマ放電電圧、駆動周波数Fなどの値は説明をより分かり易くするための一例であって、本発明はこれら各種の値に限定されるものではない。また、実施形態2で説明した出力ケーブル60のインダクタンスとフィルタ用コンデンサ11のキャパシタンスによる共振を実施形態3に適用して、異常放電を消滅させるようにしても勿論よい。更にまた、制御回路15が定格プラズマ放電電力(そのときのプラズマ放電電圧)から必要とされる最小のプラズマ放電電力(プラズマ放電電圧)までの範囲の値に対応する電力基準信号Prの基準信号テーブルを内蔵し、プラズマ放電部50のプラズマ放電電力(プラズマ放電電圧)が設定されたときに自動的に相当する定電力基準信号Prを前記基準信号テーブルから読み出して設定しても良い。
発明の実施形態1にかかる第1のプラズマ放電装置100を説明するための図面である。 フィルタ用チョークを流れる電流の電流連続モードを説明するための波形を示す図面である。 フィルタ用チョークを流れる電流の電流不連続モードを説明するための波形を示す図面である。 発明の実施形態1にかかる第2のプラズマ放電装置100を説明するための1周期Tの波形を示す図面である。 発明の実施形態2にかかる第2のプラズマ放電装置200の一部分を説明するための図面である。 発明の実施形態2にかかる第2のプラズマ放電装置200を説明するための各部の波形を示す図面である。 発明の実施形態3にかかる第3のプラズマ放電装置300を説明するための図面である。 プラズマ放電装置におけるプラズマ放電部の一般的な入力特性発明を説明するための図面である。
符号の説明
1・・・フォワード型コンバータ (直流電源部)
2・・・直流電源
3・・・トランス
4、5・・・スイッチング半導体素子部
6、7・・・リセット用ダイオード
8・・・整流素子
9・・・フライホイールダイオード
10・・・フィルタ用チョーク
11・・・フィルタ用コンデンサ
12・・・電流検出器
13・・・電圧検出器
14・・・乗算回路
15・・・制御回路
15A・・・誤差増幅部
15B・・・周波数設定部
15B1・・・電圧−周波数変換回路
15B2・・・三角波信号発生回路
15C・・・オンデューティ変調部
15D・・・駆動パルス発生部
16、17・・・フォワード型コンバータ1の出力端子
20・・・電圧−周波数変換器
30・・・チョークインプット回路
50・・・プラズマ放電部
60・・・出力ケーブル

Claims (4)

  1. 直流電源部と、該直流電源部から出力ケーブルを通して電力を受電するプラズマ放電部とからなるプラズマ放電装置において、
    前記直流電源部は、前記プラズマ放電部を点火させる点火電圧を発生するのに適した巻数比を有する1次巻線と2次巻線とを備えるトランスと、該トランスの前記1次巻線に直列に接続された単一のスイッチング半導体素子部又は前記1次巻線を挟んで互いに直列に接続された一対のスイッチング半導体素子部と、前記単一のスイッチング半導体素子部又は前記一対のスイッチング半導体素子部のスイッチング動作を制御する制御回路と、前記トランスの前記2次巻線に接続された整流素子とフィルタ用チョークとフィルタ用コンデンサとフライホイールダイオードとからなるチョークインプット型整流回路とを備えてなる片波のフォワード型DC−DCコンバータであり、
    前記点火電圧を発生させる点火時には、前記フォワード型DC−DCコンバータがカットオフモードで動作して、前記フィルタ用コンデンサに充電された電圧を前記点火電圧として前記プラズマ放電部に印加し、
    前記プラズマ放電部が点火した後のプラズマ放電時には、前記制御回路が、前記2次巻線の電圧が前記チョークインプット型整流回路により平均化されて所定の電圧値にされるオンデューティで前記単一のスイッチング半導体素子部又は前記一対のスイッチング半導体素子部をスイッチングさせ、前記フォワード型DC−DCコンバータを電流連続モードで動作させて、プラズマ放電電圧を前記プラズマ放電部に供給することを特徴とするプラズマ放電装置。
  2. 請求項1において、
    前記フィルタ用コンデンサのキャパシタンスと前記出力ケーブルが有するインダクタンスとが直列共振するように前記フィルタ用コンデンサの前記キャパシタンスを選定し、プラズマ放電部に異常放電が発生するときには、前記キャパシタンスと前記インダクタンスとが直列共振を行い、この直列共振によって前記フィルタ用コンデンサの電圧が反転して逆極性になるとき、この逆極性の電圧を前記プラズマ放電部に印加して前記異常放電を消滅させることを特徴とするプラズマ放電装置。
  3. 請求項1又は請求項2において、
    前記プラズマ放電部が必要とするプラズマ放電電力に応じて前記フォワード型DC−DCコンバータの出力電力を変化させるときには、前記制御回路は、周波数変調により、前記スイッチング半導体素子部のオンデューティを制御することを特徴とするプラズマ放電装置。
  4. 請求項1ないし請求項3のいずれかにおいて、
    前記制御回路が、検出電力信号と電力基準信号との誤差信号と、前記出力電圧の大きさに応じて設定される周波数の三角波信号とを比較して、前記出力電圧の大きさに応じて設定された周波数であって、前記誤差信号に左右されるオンデューティ又はパルス幅の駆動パルスで前記スイッチング半導体素子部を駆動することを特徴とするプラズマ放電装置。
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