CN112768334A - 基板处理设备 - Google Patents

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Abstract

本发明关于一种基板处理设备包括：外壳，前述外壳在内部具有处理空间且具有穿过前述外壳形成的排气孔；支撑单元，其支撑前述基板于前述处理空间中；及排气单元，前述排气单元设置于前述外壳的底部处且使前述处理空间排气。前述排气单元包括：本体，前述本体在内部具有缓冲空间且具有穿过前述本体形成的通孔，前述缓冲空间连接至前述处理空间；及排气管道，前述排气管道排出前述缓冲空间中的气体。

Description

基板处理设备
技术领域
本文中所描述的本发明概念的实施例涉及一种基板处理设备，且更特定而言涉及一种用于使用等离子体处理基板的基板处理设备。
背景技术
等离子体指含有离子、自由基及电子的离子化气态物质，且通过将中性气体加热至极高温度或使中性气体经受强电场或RF电磁场影响来产生。半导体装置制造工艺包括通过使用等离子体来移除基板上的薄膜的灰化或蚀刻工艺。灰化或蚀刻工艺通过允许含有于等离子体中的离子及自由基与基板上的膜碰撞或反应来执行。
图1为图示一般等离子体处理设备的视图。参看图1，等离子体处理设备2000包括处理单元2100及等离子体产生单元2300。
处理单元2100通过使用由等离子体产生单元2300产生的等离子体来处理基板W。处理单元2100包括外壳2110、支撑单元2120及挡板2130。外壳2110具有内部空间2112，且支撑单元2120将基板W支撑于内部空间2112中。挡板2130具有形成于其中的多个孔且安置于支撑单元2120上方。
等离子体产生单元2300产生等离子体。等离子体产生单元2300包括等离子体产生腔室2310、气体供应单元2320、电源供应单元2330及扩散腔室2340。通过气体供应单元2320供应的处理气体通过由电源供应单元2330供应的RF功率激励至等离子体状态。所产生的等离子体经由扩散腔室2340供应至内部空间2112中。
供应至内部空间2112中的等离子体P及处理气体经递送至基板W以处理基板W。其后，等离子体P及/或处理气体经由与外壳2110连接的排气端2114经排出至外部。在一般基板处理设备2000中，排气端2114连接至外壳2110的边缘区。此是因为包括于支撑单元2120中的支撑轴安置于内部空间2112的中心区中。在排气端2114与外壳2110的边缘区连接的状况下，内部空间2112中的等离子体P及/或处理器气体朝向内部空间2112的边缘区流动。在此状况下，等离子体P可能并不适当地递送至基板W，且因此处理基板W的效率可被恶化。因此，将排气端2114定位于靠近于支撑轴的位置的方式可被考虑在内。然而，在此状况下，等离子体P及/或处理气体可经不对称地排出。因此，基板处理的均一性可被恶化。此外，在排气端2114安置于外壳2110的中心区中的状况下，归因于排气端2114与支撑单元2120的支撑轴之间的干涉可存在空间限制。
发明内容
本发明概念的实施例提供一种用于有效地处理基板的基板处理设备。
此外，本发明概念的实施例提供一种用于通过允许等离子体/气体在外壳的内部空间中均一地流动而均一地执行基板处理的基板处理设备。
此外，本发明概念的实施例提供一种用于归因于支撑轴使排气管道的配置中的空间限制最小化的基板处理设备。
待通过本发明概念解决的技术问题不限于前述问题，且本文中未提及的任何其他技术问题通过本领域技术人员将自此说明书及说明书附图清楚地理解。
根据例示性实施例，一种用于处理基板的设备包括：外壳，前述外壳在内部具有处理空间且具有穿过前述外壳形成的排气孔；支撑单元，其支撑前述基板于前述处理空间中；及排气单元，前述排气单元设置于前述外壳的前述底部处且使前述处理空间排气。前述排气单元包括：本体，前述本体在内部具有缓冲空间且具有穿过前述本体形成的通孔，前述缓冲空间连接至前述处理空间；及排气管道，其排出前述缓冲空间中的气体。前述支撑单元包括：支撑板，前述支撑板支撑前述基板于前述处理空间中；及支撑轴，前述支撑轴与前述支撑板连接且插入至前述通孔及前述排气孔中，前述支撑轴相较于前述通孔具有较小直径。
根据实施例，前述排气单元可进一步包括穿孔板，前述穿孔板设置于前述缓冲空间中且具有穿过前述穿孔板形成的多个穿孔，且前述穿孔板可包围前述支撑轴，且可与前述支撑轴隔开。
根据实施例，前述排气管道在自上方检视时可连接至前述缓冲空间的边缘。
根据实施例，前述本体可包括：具有环形形状的插入部分，前述通孔穿过前述环形状形成；及排出部分，前述排出部分在一方向上远离前述支撑轴自前述插入部分延伸。前述排气管道可连接至前述排出部分。
根据实施例，阻断板可设置于前述本体的顶部处。
根据实施例，前述本体可与前述外壳组合以形成前述缓冲空间。
根据实施例，前述支撑轴的中心及前述通孔的中心在自上方检视时可彼此重合。
根据实施例，前述支撑轴可经设置以便在上/下方向上可移动，且前述设备可进一步包括伸缩囊，前述伸缩囊经包围前述支撑轴且与前述本体耦接。
根据实施例，前述设备可进一步包括气体供应单元，其定位于前述支撑单元上方且供应前述气体至前述处理空间中。
根据实施例，前述设备可进一步包括电源供应单元，其定位于前述支撑单元上方且自前述气体产生等离子体。
根据实施例，前述支撑板可具有圆形板形状，且前述支撑板的侧面可与前述外壳的内壁隔开。
根据实施例，前述排气孔可形成于前述外壳的前述底部的中心中。
根据实施例，前述支撑板可与电源连接且可产生静电力，且连接前述电源与前述支撑板的介接线路可设置于前述支撑轴中。
根据实施例，调整前述支撑板的温度的温度调整部件可设置于前述支撑板中，且连接前述温度调整部件与电源的介接线路可设置于前述支撑轴中。
根据实施例，下部电极可设置于前述支撑板中，前述下部电极可与RF电源连接，RF电源供应RF功率至前述下部电极，且连接前述下部电极与前述RF电源的电力线可设置于支撑轴中。
根据例示性实施例，一种用于处理基板的设备包括：具有载入端的装备前端模块，其中收纳有前述基板的托架坐落于前述载入端上；及处理模块，其处理自前述装备前端模块传送的前述基板。前述处理模块包括：传送腔室，其传送前述基板；及处理腔室，其邻近于前述传送腔室安置且处理前述基板。前述处理腔室包括：外壳，其在内部具有处理空间且具有穿过前述外壳形成的排气孔；支撑单元，其支撑前述基板于前述处理空间中；气体供应单元，前述气体供应单元定位于前述支撑单元上方且供应气体至前述处理空间；等离子体产生单元，前述等离子体产生单元定位于前述支撑单元上方且自前述气体产生等离子体；及排气单元，其设置于前述外壳的底部处且使前述处理空间排气。前述排气单元包括：本体，前述本体在内部具有缓冲空间且具有穿过前述本体形成的通孔，前述缓冲空间连接至前述处理空间；及排气管道，其使前述缓冲空间中的前述气体排出。前述支撑单元包括：支撑板，前述支撑板支撑前述基板于前述处理空间中；及支撑轴，前述支撑轴与前述支撑板连接且插入至前述通孔及前述排气孔中，前述支撑轴相较于前述通孔具有较小直径。
根据实施例，前述排气单元可进一步包括穿孔板，前述穿孔板设置于前述缓冲空间中且具有穿过前述穿孔板形成的多个穿孔，且前述穿孔板可包围前述支撑轴，且可与前述支撑轴隔开。
根据实施例，前述本体可包括：具有环形形状的插入部分，前述通孔穿过前述环形状形成；及排出部分，前述排出部分在一方向上远离前述支撑轴自前述插入部分延伸。前述排气管道可连接至前述排出部分。
根据例示性实施例，一种用于处理基板的设备包括：外壳，前述外壳在内部具有处理空间且具有穿过前述外壳形成的排气孔；及排气单元，其使前述处理空间排气。前述排气单元包括：本体，前述本体在内部具有缓冲空间且具有通过前述本体形成的通孔；及与前述缓冲空间连接的排气管道。前述处理空间中的气体通过前述排气孔及前述缓冲空间，且经由前述排气管道排出至前述外部。
根据实施例，前述排气单元可设置于前述外壳的底部处。
根据实施例，前述设备可进一步包括支撑单元，前述支撑单元支撑前述基板于前述空间中，且前述支撑单元可包括支撑轴，前述支撑轴插入至前述通孔及前述排气孔中且相较于前述通孔具有较小直径。
根据实施例，前述排气单元可进一步包括穿孔板，前述穿孔板设置于前述缓冲空间中且具有穿过前述穿孔板形成的多个穿孔，且前述穿孔板可包围前述支撑轴且可与前述支撑轴隔开。
附图说明
以上及其他目标及特征参看以下诸图自以下描述内容将变得显而易见，其中贯穿各图，类似参考数字指类似部分，除非以其他方式指定，且其中：
图1为图示一般等离子体处理设备的视图。
图2为图示本发明概念的基板处理设备的示意图。
图3为图示在图2的处理腔室中设置的基板处理设备的视图。
图4为图示图3的排气单元的视图。
图5为图示图3的基板处理设备中等离子体及/或气体流的视图。
图6为图示根据本发明概念的另一实施例的排气单元的视图。
图7为图示根据本发明概念的另一实施例的排气单元的视图。
图8为图示根据本发明概念的另一实施例的基板处理设备的视图。
附图标记说明：
1 基板处理装备
4 托架
6 支架
10 载入端
11 第一方向
12 第二方向
20 装备前端模块(EFEM)
21 传送框架
25 第一传送机器人
27 传送导轨
30 处理模块
40 负载锁定腔室
50 传送腔室
53 第二传送机器人
60 处理腔室
200 处理单元
210 外壳
212 处理空间
214 排气孔
230 支撑单元
231 伸缩囊
232 支撑板
233 支撑轴
234 静电电极
235 温度调整部件
236 第一介接线路
237 第二介接线路
238 第一电源
239 第二电源
250 挡板
252 孔
400 等离子体产生单元
410 等离子体腔室
412 等离子体产生空间
414 气体供应端
420 气体供应单元
430 电源供应单元
432 天线
434 电源
440 扩散腔室
442 扩散空间
600 排气单元
610 本体
612 缓冲空间
614 通孔
630 穿孔板
632 穿孔
650 排气管道
690 缓冲板
1000 基板处理设备
2000 等离子体处理设备
2100 处理单元
2110 外壳
2112 内部空间
2114 排气端
2120 支撑单元
2130 挡板
2300 等离子体产生单元
2310 等离子体产生腔室
2320 气体供应单元
2330 电源供应单元
2340 扩散腔室
3000 基板处理设备
3210 外壳
3212 处理空间
3214 排气孔
3230 支撑单元
3231 伸缩囊
3232 支撑板
3233 支撑轴
3236 电力线
3238 RF电源
3400 上部电极
3402 上部电源
3600 排气单元
W 基板
P 等离子体
具体实施方式
下文中，本发明概念的实施例将详细参看说明书附图来描述，使得本领域技术人员可易于实行发明概念。然而，本发明概念可以各种不同形式实施，且并不限于本文中所描述的实施例。此外，在描述本发明概念的实施例中，与熟知功能或组态相关的详细描述在熟知功能或组态可使得本发明概念的标的物不必要地混淆时将被省略。此外，执行类似功能及操作的组件贯穿说明书附图具备相同参考数字。
说明书中术语“包括”及“包含”为“开放式”表达，即对应组件存在，且除非具体相反地描述，否则并不排除而是可包括额外组件。具体而言，应理解，术语“包括”、“包含”及“具有”在本文中使用时指定所陈述特征、整数、步骤、操作、组件及/或部分的存在，但并不排除一或多个其他特征、整数、步骤、操作、组件、部分及/或其群组的存在或添加。
单数形式的术语可包括多个形式，除非以其他方式指定。此外，在附图中，组件的形状及尺寸可能为了图示清楚予以夸示。
下文中，本发明概念的实施例将参看图2至图7详细地描述。
图2为图示发明概念的基板处理设备的示意图。参看图2，基板处理装备1包括装备前端模块(equipment front end module；EFEM)20及处理模块30。装备前端模块20及处理模块30在一个方向上配置。
装备前端模块20包括载入端10及传送框架21。载入端10在第一方向11上安置于装备前端模块20前方。载入端10包括多个支架6。支架6在第二方向12上配置成列，且收纳待处理的基板W及经完全处理的基板W所在的托架4(例如，卡夹、FOUP或类似者)置放于支架6上。待处理的基板W及经完全处理的基板W收纳于托架4中。传送框架21安置于载入端10与处理模块30之间。传送框架21包括第一传送机器人25，该第一传送机器人安置于传送框架21中且在载入端10与处理模块30之间传送基板W。第一传送机器人25沿着在第二方向12上配置的传送导轨27移动，且在托架4与处理模块30之间传送基板W。
处理模块30包括负载锁定腔室40、传送腔室50及处理腔室60。传送模块30可处理自装备前端模块20传送的基板W。
负载锁定腔室40邻近于传送框架21安置。举例而言，负载锁定腔室40可安置于传送腔室50与装备前端模块20之间。负载锁定腔室40提供待处理的基板W在传送至处理腔室60之前做好准备的空间或者经完全处理的基板W在传送至装备前端模块20之前做好准备的空间。
传送腔室50可传送基板W。传送腔室50邻近于负载锁定腔室40安置。传送腔室50具有在自上方检视时呈多边形形状的本体。参看图2，传送腔室50在自上方检视时具有五边形本体。负载锁定腔室40及多个处理腔室60安置于本体周围。本体在其侧壁中具有通路(未图示)，基板W通过所述多个通路进入或离开传送腔室50，且通路连接传送腔室50与负载锁定腔室40或处理腔室60。门(未图示)针对各别通路提供以开启/关闭通路且气密密封传送腔室50的内部。第二传送机器人53安置于传送腔室50的内部空间中，且在负载锁定腔室40与处理腔室60之间传送基板W。第二传送机器人53将负载锁定腔室40中准备好的未经处理基板W传送至处理腔室60，或将经完全处理的基板W传送至负载锁定腔室40。此外，第二传送机器人53在处理腔室60之间传送基板W以按序提供基板W至多个处理腔室60。如图2中所图示，当传送腔室50具有五边形本体时，负载锁定腔室40安置于邻近于装备前端模块20的侧壁上，且处理腔室60连续地安置于剩余侧壁上。传送腔室50可取决于所要求的处理模块外加前述形状以各种形式提供。
处理腔室60可邻近于传送腔室50安置。处理腔室60安置于传送腔室50周围。可设置多个处理腔室60。在处理腔室60中，工艺可分别对数个基板W执行。处理腔室60处理传送自第二传送机器人53的基板W，且将经完全处理的基板W提供至第二传送机器人53。在各别处理腔室60中执行的工艺可彼此不同。
下文中，在处理腔室60当中，将详细描述用于执行等离子体工艺的基板处理设备1000。
图3为图示在图2的处理腔室中设置的基板处理设备的视图。参看图3，基板处理设备1000通过使用等离子体对基板W执行预定制工艺。举例而言，基板处理设备1000可对基板W上的薄膜执行蚀刻或灰化工艺。薄膜可为各种类型的膜，诸如多晶硅膜、氧化硅膜、氮化硅膜及类似者。替代地，薄膜可为天然氧化物膜或以化学方式产生的氧化物膜。
基板处理设备1000可包括处理单元200、等离子体产生单元400及排气单元600。
处理单元200提供基板W经置放并经受工艺的空间。等离子体产生单元400在处理单元200外部自处理气体产生等离子体，且将等离子体供应至处理单元200。排气单元600将停滞于处理单元200中的气体及在基板处理工艺期间产生的反应副产物排出至外部。排气单元600将处理单元200中的压力维持于设定压力。
处理单元200可包括外壳210、支撑单元230及挡板250。
外壳210在其中可具有处理空间212，在该处理空间中，执行基板处理工艺。外壳210在其顶部处可开放，且可具有形成于其侧壁中的开口(未图示)。基板W通过开口置放于外壳210中，或自该外壳提取。开口可通过诸如门的开启/关闭部件(未图示)来开启或关闭。此外，外壳210可具有在其底部中形成的排气孔214。排气孔214可形成于外壳210的底部的中心中。引入至处理空间212中的等离子体P及/或气体可经由排气孔214排出至外部。此外，排气孔214可用以使处理空间212排气。处理空间212中的等离子体P及/或气体可经由排气孔214排出至外部。下文将描述的支撑单元230的支撑轴233可插入至排气孔214中。排气孔214相较于支撑轴233可具有较大直径。在自上方检视时，排气孔214的中心及支撑轴233的中心可彼此重合。排气孔214可连接至下文将描述的排气单元600的缓冲空间612。
支撑单元230将基板W支撑于处理空间212中。支撑单元230可包括支撑板232、支撑轴233、静电电极234及温度调整部件235。支撑板232可将基板W支撑于处理空间212中。支撑板232可具有圆形板形状。支撑板232可具有基板W坐落于上面的坐落表面。举例而言，支撑板232的上表面可为基板W坐落于上面的坐落表面。支撑板232的侧面可与外壳210的内壁隔开。当自上方检视时，支撑板232可安置于处理空间212的中心区中。支撑板232可与支撑轴233连接。支撑轴233可与支撑板232的下表面连接。支撑轴233可插入至形成于外壳210的底部中的排气孔214中。支撑轴233相较于排气孔214可具有较小直径。
静电电极234可设置于支撑板232中。静电电极234可具有板形状。静电电极234可与第一电源238连接。第一电源238可将功率供应至静电电极234。静电电极234可产生静电力以将基板W夹钳至支撑板232。连接静电电极234与第一电源238的第一介接线路236可设置于支撑板233中。
用于调整支撑板232的温度的温度调整部件235可设置于支撑板232中。温度调整部件235可产生冷却-加热或温暖-加热。温度调整部件235可与第二电源239连接。第二电源239可将功率施加至温度调整部件235。温度调整部件235可产生冷却-加热或温暖-加热以调整支撑板232的温度，借此调整基板W的温度。连接温度调整部件235与第二电源239的第二介接线路237可设置于支撑轴233中。
支撑轴233可移动目标物件。举例而言，支撑轴233可与支撑板232连接，且可在上/下方向上移动支撑板232。因此，坐落于支撑板232上的基板W可在上/下方向上移动。伸缩囊231可包围支撑轴233。伸缩囊231可包围支撑轴233的部分。伸缩囊231可由弹性材料形成。伸缩囊231可防止处理空间212中的气体被释放至外部，尽管支撑轴233在上/下方向上移动。伸缩囊231可与下文将描述的排气单元600组合。
挡板250定位于支撑单元230上方以面向支撑单元230。挡板250可安置于支撑单元230与等离子体产生单元400之间。产生于等离子体产生单元400中的等离子体可通过形成于挡板250中的多个孔252。
挡板250使得引入至处理空间212中的等离子体均一地供应至基板W。形成于挡板250中的孔252可经提供作为自挡板250的上表面延伸至其下表面的通孔，且可均一地形成于挡板250的整个区域上方。
等离子体产生单元400可定位于外壳210上方且可产生等离子体。等离子体产生单元400将处理气体激励成等离子体且将所产生的等离子体供应至处理空间212。等离子体产生单元400包括等离子体腔室410、气体供应单元420、电源供应单元430及扩散腔室440。
等离子体腔室410具有形成于其中的等离子体产生空间412，且等离子体产生空间412在其顶部及底部处开放。等离子体腔室410的顶部通过气体供应端414与外部气密密封。气体供应端414与气体供应单元420连接。气体供应单元420可将处理气体供应至气体供应端414中。通过气体供应单元420供应的处理气体可经由等离子体产生空间412及扩散空间442被递送至处理空间212。
电源供应单元430将RF功率供应至等离子体产生空间412。电源供应单元430包括天线432及电源434。
天线432为电感耦合等离子体(inductively coupled plasma；ICP)天线且具有螺旋形形状。天线432卷绕等离子体腔室410多个次。天线432卷绕等离子体腔室410以对应于等离子体产生空间412。电源434供应RF功率至天线432。供应至天线432的RF功率施加至等离子体产生空间412。诱发的电场通过高频率电流形成于等离子体产生空间412中，且等离子体产生空间412中的处理气体自所诱发电场获得离子化需要的能量且经转换为等离子体状态。
扩散腔室440使产生于等离子体腔室410中的等离子体扩散。扩散腔室440可具有扩散空间442。扩散腔室440可具有总体反漏斗形状，且可在其顶部及底部处开放。产生于等离子体腔室410中的等离子体可经扩散，同时通过扩散腔室440，且可经由挡板250引入至处理空间212中。
下文中，将详细描述根据发明概念的实施例的排气单元600。排气单元600可设置于外壳210的底部处。排气单元600可与外壳210的底部相组合。图4为图示图3的排气单元的视图。
排气单元600可将处理空间212中的等离子体P及/或处理气体排出至外部。排气单元600可包括本体610、穿孔板630及排气管道650。
本体610在其中可具有缓冲空间612。缓冲空间612可连接至排气孔214及处理空间212。在处理空间212中剩余的等离子体P及/或处理气体可通过排气孔214及缓冲空间612，且可经由下文将描述的排气管道650排出至外部。本体610可设置于外壳210的底部处。本体610可与外壳210的底部相组合。本体610可具有在顶部处开放的形状。本体610可与外壳210相组合以形成缓冲空间612。通孔614可穿过本体610形成。通孔614相较于支撑轴233可具有较大直径。支撑轴233可插入至通孔614中。在自上方检视时，通孔614的中心及支撑轴233的中心可彼此重合。上述伸缩囊231可耦接至本体610的下表面。
本体610可包括插入部分及排出部分。通孔614可穿过本体610的插入部分形成。本体610的插入部分可具有环形或圆环形状。本体610的排出部分可在一方向上远离支撑轴233自插入部分延伸。排气管道650可连接至本体610的排出部分。
穿孔板630可设置于缓冲空间612中。穿孔板630可具有穿过穿孔板630形成的多个穿孔632。穿孔板630在自上方检视时可具有环形形状。穿孔板630在自上方检视时可包围支撑轴233及通孔614。穿孔板630相较于支撑轴233及/或通孔614可具有较大直径。穿孔板630可包围支撑轴233且可与支撑轴233隔开。穿孔板630、支撑轴233及通孔614的中心在自上方检视时可彼此重合。
排气管道650可与本体610连接。排气管道650可与缓冲空间612连接。排气管道650可连接至本体610的排出部分。排气管道650可具有圆柱体形状。排气管道650可与提供减小的压力的压力减小部件连接。举例而言，压力减小部件可为泵。然而，在不限于此情况下，压力减小部件可运用能够提供减小的压力的熟知机械装置及材料而经各种修改。当压力减小部件减低排气管道650中的压力时，处理空间212中的等离子体P及/或气体可通过排气孔214及缓冲空间612且可经由排气管道650排出至外部。
图5为图示等离子体及/或气体在图3的基板处理设备中的流动的视图。参看图5，等离子体P产生于等离子体腔室410中。具体而言，气体供应单元420将处理气体供应至等离子体腔室410的等离子体产生空间412中，且电源供应单元430形成RF电磁场。通过气体供应单元420供应的处理气体通过RF电磁场激发至等离子体状态。等离子体P及处理气体可经由等离子体产生空间412及扩散空间442供应至处理空间212中。供应至处理空间212的等离子体P及处理气体可经递送至基板W。
处理空间212中的等离子体P及/或处理气体可经由排气孔214排出至外部。引入至排气孔214中的等离子体P及/或处理气体可经由排气单元600排出至外部。引入至排气孔214中的等离子体P及/或处理气体可经由缓冲空间612及排气管道650排出至外部。在一般基板处理设备中，用于使处理腔室排空的排气端连接至处理腔室的底部的边缘区。然而，在此状况下，处理基板W的效率可经恶化，此是因为等离子体及/或处理气体在处理腔室中朝向边缘区流动。因此，连接排气端至处理腔室的底部的中心区的方式可被考虑在内，但该方式归因于排气端与支撑轴之间的干涉而并不容易。对比而言，根据本发明概念的实施例，排气单元600设置于外壳210的底部处，且形成缓冲空间612。处理空间212中的等离子体P及/或处理气体经由连接至缓冲空间612的排气管道650排出至外部。本发明概念的排气单元600赋予处理空间212中的机械装置的完全对称配置，借此实现等离子体P及/或处理气体的均一流动。此外，支撑轴233与排气孔214之间的空隙在自上方检视时围绕支撑轴233保持恒定。即，处理基板W的效率的恶化可经最小化，此是因为处理空间212中的等离子体P及/或处理气体经由处理空间212的中心区排出。此外，排气管道650与缓冲空间612连接，且因此可使排气管道650的配置中的空间限制最小化。此外，穿孔板630设置于缓冲空间612中且在自上方检视时包围支撑轴233，且穿孔板630的中心与支撑轴233的中心重合。即，穿孔板630可减轻等离子体P及/或处理气体的非均一流，在排气管道650连接至缓冲空间612的边缘时，非均一流可发生。
在上述实施例中，已例示，本体610在其底部处开放，且与外壳210组合以形成缓冲空间612。然而，本体610不限于此。举例而言，如图6中所图示，阻断板可设置于本体610的顶部处。
在上述实施例中，已例示，排气单元600设置于外壳210的底部处。然而，排气单元600不限于此。图7为图示根据本发明概念的另一实施例的排气单元的视图。参看图7，排气单元可包括缓冲板690。缓冲板690可设置于缓冲空间212中。缓冲板690可具有形成于其中的开口。支撑轴233可插入至缓冲板690的开口中。缓冲板690的开口相较于支撑轴233可具有较大直径。缓冲板690可与外壳210的内壁组合以形成缓冲空间。因此，引入至处理空间212中的等离子体P及/或处理气体可经由开口流动至缓冲空间中。引入至缓冲空间中的等离子体P及/或处理气体可经由连接至外壳210的底部的边缘区的排气管道650排出至外部。穿孔板630具有相同或类似于上述穿孔板630的组态及/或效应的组态及/或效应。因此，将省略其相关详细描述。
在上述实施例中，已例示，基板处理设备1000为电感耦合等离子体(ICP)类型的等离子体处理设备。然而，本发明概念不限于此。上述排气单元600可相同或类似地应用至电容耦合等离子体(capacitively coupled plasma；CCP)类型的等离子体处理设备。举例而言，参看图8，基板处理设备3000可通过产生等离子体来处理基板。基板处理设备3000可为CCP类型的等离子体处理设备。基板处理设备3000可包括外壳3210、支撑单元3230、上部电极3400及排气单元3600。
外壳3210可在其中具有处理空间3212。外壳3210可具有穿过外壳3210形成的排气孔3214。排气孔3214可形成于外壳3210中的底部中。排气孔3214可形成于外壳3210的底部的中心区中。
支撑单元3230可支撑基板于处理空间3212中。支撑单元3230可包括伸缩囊3231、支撑板3232、支撑轴3233、RF电源3238及电力线3236。下部电极可设置于支撑板3232中。设置于支撑板3232中的下部电极可面向下文将描述的上部电极3400。面向彼此的下部电极及上部电极3400可在其之间的空间中产生等离子体P。下部电极可与RF电源3238连接。RF电源3238可将RF功率施加至下部电极。连接RF电源3238及下部电极的电源线3236可设置于支撑轴3233中。包括于支撑单元3230中的诸如伸缩囊3231及支撑轴3233的其他组件相同或类似于上述支撑单元230的彼等组件。因此，将省略其相关详细描述。
上部电极3400相较于支撑单元3230可安置于较高位置。上部电极3400可设置于处理空间3212中。上部电极3400可面向上述下部电极且可与下部电极一起产生等离子体P。上部电极3400可与上部电源3402连接。
排气单元3600可设置于外壳3210的底部处。排气单元3600具有相同或类似于上述排气单元600的组态的组态。因此，将省略其相关详述描述。
运用等离子体处理基板的设备已在上述实施例中例示。然而，本发明概念可相同或类似地应用至用于在处理腔室中排出气体的各种设备。
根据本发明概念的实施例，基板处理设备可有效地处理基板。
根据本发明概念的实施例，基板处理设备可通过允许等离子体及/或气体在外壳的内部空间中均一地流动而增大基板处理的均一性。
根据本发明概念的实施例，基板处理设备可通过允许等离子体及/或气体在外壳的内部空间中均一地流动而均一地执行基板处理。
根据本发明概念的实施例，基板处理设备可归因于支撑轴而使排气管道的配置上的空间限制最小化。
本发明概念的效应不限于前述效应，且本文中未提及的任何其他效应可通过本领域技术人员自说明书及说明书附图来更清楚地理解。
以上描述内容例示本发明概念。此外，上述内容描述本发明概念的例示性实施例，且本发明概念可用于各种其他组合、改变及环境中。即，可对本发明概念进行变化或修改而不偏离公开于说明书中的本发明概念的范围、所撰写公开内容的等效范围及/或本领域技术人员的技术或知识范围。所撰写实施例描述用于实施本发明概念的技术构思的最佳状态，且可进行本发明概念的特定应用及用途中需要的各种改变。因此，本发明概念的详细描述并不意欲将本发明概念约束于所公开的实施例状态。此外，应解译为，随附权利要求包括其他实施例。
虽然本发明概念已参看例示性实施例予以了描述，但对于熟习此项技术者显而易见的是，可进行各种改变及修改而不偏离本范明概念的构思及范围。因此，应理解，上述实施例并非限制性的，而是为说明性的。

Claims (22)

1.一种用于处理基板的设备，前述设备包含：
外壳，前述外壳在内部具有处理空间且具有穿过前述外壳形成的排气孔；
支撑单元，前述支撑单元经组态以支撑前述基板于前述处理空间中；及
排气单元，前述排气单元设置于前述外壳的底部处且经组态以使前述处理空间排气，
其中前述排气单元包括：
本体，前述本体在内部具有缓冲空间且具有穿过前述本体形成的通孔，前述缓冲空间连接至前述处理空间；及
排气管道，前述排气管道经组态以排出前述缓冲空间中的气体，且
其中前述支撑单元包括：
支撑板，前述支撑板经组态以支撑前述基板于前述处理空间中；及
支撑轴，前述支撑轴与前述支撑板连接且插入至前述通孔及前述排气孔中，前述支撑轴相较于前述通孔具有较小直径。
2.如权利要求1所记载的设备，其中前述排气单元进一步包括穿孔板，前述穿孔板设置于前述缓冲空间中且具有穿过前述穿孔板形成的多个穿孔，且
其中前述穿孔板包围前述支撑轴且与前述支撑轴隔开。
3.如权利要求1所记载的设备，其中前述排气管道在自上方检视时连接至前述缓冲空间的边缘。
4.如权利要求3所记载的设备，其中前述本体包括：
插入部分，前述插入部分具有环形形状，前述通孔穿过前述环形形状形成；及
排出部分，前述排出部分在一方向上远离前述支撑轴自前述插入部分延伸，且
其中前述排气管道连接至前述排出部分。
5.如权利要求1所记载的设备，其中阻断板设置于前述本体的顶部处。
6.如权利要求1所记载的设备，其中前述本体与前述外壳组合以形成前述缓冲空间。
7.如权利要求1所记载的设备，其中前述支撑轴的中心及前述通孔的中心在自上方检视时彼此重合。
8.如权利要求1所记载的设备，其中前述支撑轴经设置以便可在上/下方向上移动；且
其中前述设备进一步包含伸缩囊，前述伸缩囊经组态以包围前述支撑轴且与前述本体耦接。
9.如权利要求1所记载的设备，进一步包含：
气体供应单元，前述气体供应单元定位于前述支撑单元上方且经组态以供应前述气体至前述处理空间中。
10.如权利要求1所记载的设备，进一步包含：
电源供应单元，前述电源供应单元定位于前述支撑单元上方且经组态以自前述气体产生等离子体。
11.如权利要求1所记载的设备，其中前述支撑板具有圆形板形状，且前述支撑板的侧面与前述外壳的内壁隔开。
12.如权利要求1所记载的设备，其中前述排气孔形成于前述外壳的前述底部的中心中。
13.如权利要求1所记载的设备，其中前述支撑板与电源连接且产生静电力，且
其中连接前述电源与前述支撑板的介接线路设置于前述支撑轴中。
14.如权利要求1所记载的设备，其中经组态以调整前述支撑板的温度的温度调整部件设置于前述支撑板中，且
其中连接前述温度调整部件与电源的介接线路设置于前述支撑轴中。
15.如权利要求1所记载的设备，其中下部电极设置于前述支撑板中，
其中前述下部电极与RF电源连接，前述RF电源经组态以供应RF功率至前述下部电极，且
其中连接前述下部电极与前述RF电源的电力线设置于支撑轴中。
16.一种用于处理基板的设备，前述设备包含：
具有载入端的装备前端模块，其中收纳有前述基板的托架坐落于前述载入端上；及
处理模块，前述处理模块经组态以处理自前述装备前端模块传送的前述基板，
其中前述处理模块包括：
传送腔室，前述传送腔室经组态以传送前述基板；及
处理腔室，前述处理腔室邻近于前述传送腔室安置且经组态以处理前述基板，
其中前述处理腔室包括：
外壳，前述外壳在内部具有处理空间且具有穿过前述外壳形成的排气孔；
支撑单元，前述支撑单元经组态以支撑前述基板于前述处理空间中；
气体供应单元，前述气体供应单元定位于前述支撑单元上方且经组态以供应气体至前述处理空间中；
等离子体产生单元，前述等离子体产生单元定位于前述支撑单元上方且经组态以自前述气体产生等离子体；及
排气单元，前述排气单元设置于前述外壳的底部处且经组态以使前述处理空间排气，
其中前述排气单元包括：
本体，前述本体在内部具有缓冲空间且具有穿过前述本体形成的通孔，前述缓冲空间连接至前述处理空间；及
排气管道，其经组态以将前述缓冲空间中的前述气体排出，且
其中前述支撑单元包括：
支撑板，前述支撑板经组态以支撑前述基板于前述处理空间中；及
支撑轴，前述支撑轴与前述支撑板连接且插入至前述通孔及前述排气孔中，前述支撑轴相较于前述通孔具有较小直径。
17.如权利要求16所记载的设备，其中前述排气单元进一步包括穿孔板，前述穿孔板设置于前述缓冲空间中且具有穿过前述穿孔板形成的多个穿孔，且
其中前述穿孔板包围前述支撑轴且与前述支撑轴隔开。
18.如权利要求16所记载的设备，其中前述本体包括：
插入部分，前述插入部分具有环形形状，前述通孔穿过前述环形形状形成；及
排出部分，前述排出部分在一方向上远离前述支撑轴自前述插入部分延伸，且
其中前述排气管道连接至前述排出部分。
19.一种用于处理基板的设备，前述设备包含：
外壳，前述外壳在内部具有处理空间且具有穿过前述外壳形成的排气孔；及
排气单元，其经组态以使前述处理空间排气；
其中前述排气单元包括：
本体，前述本体在内部具有缓冲空间且具有穿过前述本体形成的通孔；及
排气管道，前述排气管道与前述缓冲空间连接，且
其中前述处理空间中的气体通过前述排气孔及前述缓冲空间，且经由前述排气管道排出至外部。
20.如权利要求19所记载的设备，其中前述排气单元设置于前述外壳的底部处。
21.如权利要求19所记载的设备，其中所述设备进一步包含支撑单元，前述支撑单元经组态以支撑前述基板于前述处理空间中，且
其中前述支撑单元包括支撑轴，前述支撑轴插入至前述通孔及前述排气孔中且相较于前述通孔具有较小直径。
22.如权利要求21所记载的设备，其中前述排气单元进一步包括穿孔板，前述穿孔板设置于前述缓冲空间中且具有穿过前述穿孔板形成的多个穿孔，且
其中前述穿孔板包围前述支撑轴且与前述支撑轴隔开。
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