KR20230063745A - 상부 전극 유닛, 그리고 이를 포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 내부 공간을 가지는 하우징; 상기 내부 공간에서 기판을 지지하는 하부 전극 유닛; 상기 하부 전극 유닛과 마주하는 상부 전극 유닛; 및 상기 내부 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하고, 상기 상부 전극 유닛은, 상기 하부 전극 유닛에 지지된 상기 기판의 상면과 대향하는 유전체 판; 상기 유전체 판을 지지하는 지지 바디 - 상기 지지 바디와 상기 유전체 판은 서로 조합되어 버퍼 공간을 형성하고, 상기 가스 공급 유닛은 상기 버퍼 공간을 거쳐 상기 내부 공간으로 상기 공정 가스를 공급함 - ; 및 상기 버퍼 공간으로부터 상기 내부 공간으로 흐르는 상기 공정 가스의 유동 경로 상에 배치되는 배플 링을 포함할 수 있다.

Description

상부 전극 유닛, 그리고 이를 포함하는 기판 처리 장치{UPPER ELECTRODE UNIT AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS INCLUDING SAME}
본 발명은 상부 전극 유닛, 그리고 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
플라즈마는 이온이나 라디칼, 그리고 전자 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다. 반도체 소자 제조 공정은 플라즈마를 이용하여 웨이퍼와 같은 기판 상의 막질을 제거하는 애싱 또는 식각 공정을 포함한다. 애싱 또는 식각 공정은 플라즈마에 함유된 이온 및 라디칼 입자들이 기판 상의 막질과 충돌 또는 반응함으로써 수행된다.
한편, 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치, 예를 들어 플라즈마 에치 장치는 처리 공간을 가지는 하우징을 가진다. 그리고 처리 공간으로 공정 가스를 공급하고, 공정 가스를 여기시켜 플라즈마를 발생시킨다. 공정 가스는 다양한 종류의 가스를 포함할 수 있다. 일 예로, 공정 가스는 N2 및 CF4를 포함하는 가스일 수 있다. 기판에 대한 플라즈마 처리 균일성을 개선하기 위해서는 공정 가스가 포함하는 다양한 종류의 가스를 충분히 혼합되는 것이 중요하다. 그렇지 않은 경우, 가스가 혼합된 정도에 따라 플라즈마 상태로 여기되는 정도가 달라질 수 있고, 이 경우 플라즈마 처리 균일성이 악화되는 문제를 발생시킨다.
또한, 플라즈마 에치 장치 중, 기판의 가장자리 영역을 처리하는 베벨 에치 장치의 경우, 기판의 가장자리 영역에 공정 가스를 공급하는데 있어서, 일반적으로 단일의 가스 공급 라인을 이용한다. 그러나, 단일의 가스 공급 라인으로 공정 가스를 공급하는 것으로는 공정 가스를 균일한 유량과 유속으로 공급하기 어렵고, 공정 가스가 포함하는 다양한 종류의 가스가 충분히 혼합되기 어려운 한계가 있다.
본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 상부 전극 유닛, 그리고 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 플라즈마에 의한 처리 균일성을 개선할 수 있는 상부 전극 유닛, 그리고 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 플라즈마 상태로 여기되는 공정 가스를 충분히 혼합시킬 수 있는 상부 전극 유닛, 그리고 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 공정 가스가 공급되는 도중 공정 가스를 충분히 혼합시킬 수 있는 상부 전극 유닛, 그리고 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면들로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 내부 공간을 가지는 하우징; 상기 내부 공간에서 기판을 지지하는 하부 전극 유닛; 상기 하부 전극 유닛과 마주하는 상부 전극 유닛; 및 상기 내부 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하고, 상기 상부 전극 유닛은, 상기 하부 전극 유닛에 지지된 상기 기판의 상면과 대향하는 유전체 판; 상기 유전체 판을 지지하는 지지 바디 - 상기 지지 바디와 상기 유전체 판은 서로 조합되어 버퍼 공간을 형성하고, 상기 가스 공급 유닛은 상기 버퍼 공간을 거쳐 상기 내부 공간으로 상기 공정 가스를 공급함 - ; 및 상기 버퍼 공간으로부터 상기 내부 공간으로 흐르는 상기 공정 가스의 유동 경로 상에 배치되는 배플 링을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 지지 바디와 상기 유전체 판이 이격된 공간은 상기 공정 가스가 흐르는 가스 채널 - 상기 가스 채널은 상기 내부 공간과 유체 연통 됨 - 로 정의되고, 상기 배플 링은 상기 버퍼 공간에 배치될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 배플 링은, 상기 공정 가스가 흐를 수 있도록 다공성 소재로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 배플 링은, 상기 공정 가스가 흐를 수 있는 복수의 통공이 형성된 다공성 세라믹으로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 배플 링은, 상기 공정 가스가 흐를 수 있는 통공이 형성된 타공판으로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 배플 링은, 금속을 포함하는 소재로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 상부 전극 유닛은, 상기 지지 바디에 지지되며, 상부에서 바라볼 때 상기 유전체 판을 둘러 싸도록 제공되는 상부 에지 전극을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상부에서 바라본 상기 상부 에지 전극의 내주의 직경은, 상기 유전체 판의 외주 직경보다 클 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 상부 에지 전극과 상기 유전체 판이 이격된 공간은 상기 가스 채널에 흐르는 상기 가스를 상기 하부 전극 유닛에 지지된 상기 기판의 가장자리 영역으로 토출하는 가스 토출부 - 상기 가스 토출부는 상기 가스 채널, 그리고 상기 내부 공간과 서로 유체 연통 됨- 로 정의될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 하부 전극 유닛은, 상기 기판을 지지하는 척; 상부에서 바라볼 때, 상기 척을 둘러싸도록 구성되는 절연 링; 및 상부에서 바라볼 때, 상기 절연 링을 둘러싸도록 구성되는 하부 에지 전극을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 하부 전극 유닛은, 상기 척으로 알에프 전력을 인가하는 전원 부재를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 가스 공급 유닛은, 서로 상이한 종류의 복수의 가스가 혼합된 상기 공정 가스를 공급하는 가스 공급원; 및 상기 공정 가스를 상기 버퍼 공간으로 공급하는 가스 공급 라인을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 가스 공급원은, O2, N2, Ar, SF6, CF4 중 적어도 둘 이상을 포함하는 상기 공정 가스를 공급하도록 구성될 수 있다.
또한, 본 발명은 기판의 가장자리 영역을 처리하는 베벨 에치 장치의 상부 전극 유닛을 제공한다. 상부 전극 유닛은, 상기 기판과 대향하는 유전체 판; 상기 유전체 판을 지지하는 지지 바디 - 상기 지지 바디, 그리고 상기 유전체 판은 서로 상이한 종류의 가스를 적어도 둘 이상 포함하는 공정 가스가 공급되는 공간인 버퍼 공간을 정의함 - ; 및 상기 버퍼 공간으로부터 상기 기판의 가장자리 영역을 향해 흐르는 상기 공정 가스의 유동 경로 상에 배치되는 배플 링을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 지지 바디와 상기 유전체 판이 이격된 공간은 상기 공정 가스가 흐르는 가스 채널로 정의되고, 상기 배플 링은 상기 버퍼 공간에 배치될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 배플 링은, 상기 공정 가스가 흐를 수 있는 복수의 통공이 형성된 타공성 소재로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 배플 링은, 상기 공정 가스가 흐를 수 있는 통공이 형성된 타공판으로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 통공은, 정 단면에서 바라볼 때, 경사진 방향으로 형성될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 상부 전극 유닛은, 상부에서 바라본 상기 지지 바디의 가장자리 영역에 지지되며, 상기 유전체 판을 둘러싸도록 구성되는 상부 에지 전극을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상부에서 바라볼 때, 상기 상부 에지 전극과 상기 유전체 판은 서로 이격되고, 상기 상부 에지 전극과 상기 유전체 판이 이격된 공간은 상기 가스 채널에 흐르는 상기 공정 가스를 상기 기판의 가장자리 영역으로 토출하는 가스 토출부로 정의될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 플라즈마에 의한 처리 균일성을 개선할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 플라즈마 상태로 여기되는 공정 가스를 충분히 혼합시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 공정 가스가 공급되는 도중 공정 가스를 충분히 혼합시킬 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 프로세스 챔버에 제공되는 기판 처리 장치의 일 실시 예를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 배플 링을 보여주는 일 예를 도면이다.
도 4는 도 2의 기판 처리 장치가 플라즈마 처리 공정을 수행하는 일 예를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 2의 배플 링의 다른 예를 보여주는 도면이다.
도 6은 도 2의 배플 링의 다른 예의 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 도 2의 배플 링의 다른 예의 구조를 설명하기 위한 배플 링의 단면 중 일부를 보여주는 도면이다.
도 8은 도 2의 배플 링의 다른 예의 구조를 설명하기 위한 배플 링의 단면 중 일부를 보여주는 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.
어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
이하 도 1 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 설비 전방 단부 모듈(equipment front end module, EFEM)(20) 및 처리 모듈(30)을 가진다. 설비 전방 단부 모듈(20)과 처리 모듈(30)은 일 방향으로 배치된다.
설비 전방 단부 모듈(20)은 로드 포트(load port, 10) 및 이송 프레임(21)을 가진다. 로드 포트(10)는 제1방향(11)으로 설비 전방 단부 모듈(20)의 전방에 배치된다. 로드 포트(10)는 복수 개의 지지부(6)를 가진다. 각각의 지지부(6)는 제 2 방향(12)으로 일렬로 배치되며, 공정에 제공될 기판(W) 및 공정 처리가 완료된 기판(W)이 수납된 캐리어(4)(예를 들어, 카세트, FOUP등)가 안착된다. 캐리어(4)에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정 처리가 완료된 기판(W)이 수납된다. 이송 프레임(21)은 로드 포트(10)와 처리 모듈(30) 사이에 배치된다. 이송 프레임(21)은 그 내부에 배치되고 로드 포트(10)와 처리 모듈(30)간에 기판(W)을 이송하는 제 1 이송로봇(25)을 포함한다. 제 1 이송로봇(25)은 제 2 방향(12)으로 구비된 이송 레일(27)을 따라 이동하여 캐리어(4)와 처리 모듈(30)간에 기판(W)을 이송한다.
처리 모듈(30)은 로드락 챔버(40), 트랜스퍼 챔버(50), 그리고 프로세스 챔버(60)를 포함한다. 처리 모듈(30)은 설비 전방 단부 모듈(20)로부터 기판(W)을 반송 받아 기판(W)을 처리할 수 있다.
로드락 챔버(40)는 이송 프레임(21)에 인접하게 배치된다. 일 예로, 로드락 챔버(40)는 트랜스퍼 챔버(50)와 설비 전방 단부 모듈(20)사이에 배치될 수 있다. 로드락 챔버(40)는 공정에 제공될 기판(W)이 프로세스 챔버(60)로 이송되기 전, 또는 공정 처리가 완료된 기판(W)이 설비 전방 단부 모듈(20)로 이송되기 전 대기하는 공간을 제공한다.
트랜스퍼 챔버(50)는 기판(W)을 반송할 수 있다. 트랜스퍼 챔버(50)는 로드락 챔버(40)에 인접하게 배치된다. 트랜스퍼 챔버(50)는 상부에서 바라볼 때, 다각형의 몸체를 갖는다. 도 1을 참조하면, 트랜스퍼 챔버(50)는 상부에서 바라볼 때, 오각형의 몸체를 갖는다. 몸체의 외측에는 로드락 챔버(40)와 복수개의 프로세스 챔버(60)들이 몸체의 둘레를 따라 배치된다. 몸체의 각 측벽에는 기판(W)이 출입하는 통로(미도시)가 형성되며, 통로는 트랜스퍼 챔버(50)와 로드락 챔버(40) 또는 프로세스 챔버(60)들을 연결한다. 각 통로에는 통로를 개폐하여 내부를 밀폐시키는 도어(미도시)가 제공된다. 트랜스퍼 챔버(50)의 내부공간에는 로드락 챔버(40)와 프로세스 챔버(60)들 간에 기판(W)을 이송하는 제 2 이송로봇(53)이 배치된다. 제 2 이송로봇(53)은 로드락 챔버(40)에서 대기하는 미처리된 기판(W)을 프로세스 챔버(60)로 이송하거나, 공정 처리가 완료된 기판(W)을 로드락 챔버(40)로 이송한다. 또한, 제 2 이송로봇(53)은 후술하는 하우징(100)의 내부 공간(102)으로 기판(W)을 반입하거나, 내부 공간(102)으로부터 기판(W)을 반출할 수 있다. 또한, 제 2 이송로봇(53)은 복수개의 프로세스 챔버(60)에 기판(W)을 순차적으로 제공하기 위하여 프로세스 챔버(60)간에 기판(W)을 이송할 수 있다. 도 1과 같이, 트랜스퍼 챔버(50)가 오각형의 몸체를 가질 때, 설비 전방 단부 모듈(20)과 인접한 측벽에는 로드락 챔버(40)가 각각 배치되며, 나머지 측벽에는 프로세스 챔버(60)들이 연속하여 배치된다. 트랜스퍼 챔버(50)는 상기 형상뿐만 아니라, 요구되는 공정 모듈에 따라 다양한 형태로 제공될 수 있다.
프로세스 챔버(60)는 트랜스퍼 챔버(50)와 인접하게 배치될 수 있다. 프로세스 챔버(60)는 트랜스퍼 챔버(50)의 둘레를 따라 배치된다. 프로세스 챔버(60)는 복수개 제공될 수 있다. 각각의 프로세스 챔버(60)내에서는 기판(W)에 대한 공정 처리를 수행할 수 있다. 프로세스 챔버(60)는 제 2 이송로봇(53)으로부터 기판(W)을 이송 받아 공정 처리를 하고, 공정 처리가 완료된 기판(W)을 제 2 이송로봇(53)으로 제공한다. 각각의 프로세스 챔버(60)에서 진행되는 공정 처리는 서로 상이할 수 있다.
이하, 프로세스 챔버(60) 중 플라즈마 공정을 수행하는 기판 처리 장치에 대해서 상술한다. 또한, 이하에서 설명하는 기판 처리 장치는 프로세스 챔버(60) 중 기판의 가장자리 영역에 대한 플라즈마 처리 공정을 수행할 수 있도록 구성되는 것을 예로 들어 설명한다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 이하에서 설명하는 기판 처리 장치는 기판에 대한 처리가 이루어지는 다양한 챔버에 동일 또는 유사하게 적용될 수 있다. 또한, 기판 처리 장치는 기판에 대한 플라즈마 처리 공정이 수행되는 다양한 챔버에 동일 또는 유사하게 적용될 수 있다.
도 2는 도 1의 프로세스 챔버에 제공되는 기판 처리 장치의 일 실시 예를 보여주는 도면이다.
도 2를 참조하면, 프로세스 챔버(60)에 제공되는 기판 처리 장치는 플라즈마를 이용하여 기판(W) 상에 소정의 공정을 수행한다. 일 예로, 기판 처리 장치는 기판(W) 상의 막질을 식각 또는 애싱할 수 있다. 막질은 폴리 실리콘막, 실리콘 산화막, 그리고 실리콘 질화막 등 다양한 종류의 막질일 수 있다. 또한, 막질은 자연 산화막이나 화학적으로 생성된 산화막일 수 있다. 또한, 막질은 기판(W)을 처리하는 과정에서 발생한 부산물(By-Product)일 수 있다. 또한, 막질은 기판(W) 상에 부착 및/또는 잔류하는 불순물일 수 있다.
기판 처리 장치는 기판(W)에 대한 플라즈마 공정을 수행할 수 있다. 예컨대, 기판 처리 장치는 공정 가스를 공급하고, 공급된 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시켜 기판(W)을 처리할 수 있다. 기판 처리 장치는 공정 가스를 공급하고, 공급된 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시켜 기판(W)의 가장자리 영역을 처리할 수 있다. 이하에서는, 기판 처리 장치는 기판(W)의 가장자리 영역에 대한 에칭 처리를 수행하는 베벨 에치 장치인 것을 예로 들어 설명한다.
기판 처리 장치는 하우징(100), 하부 전극 유닛(300), 상부 전극 유닛(500), 가스 공급 유닛(800), 그리고 제어기(900)를 포함할 수 있다.
하우징(100)은 내부 공간(102)을 정의할 수 있다. 하우징(100)은 상부 하우징(110, 제1하우징의 일 예) 및 하부 하우징(120, 제2하우징의 일 예)을 포함할 수 있다. 상부 하우징(110) 및 하부 하우징(120)은 서로 조합되어 내부 공간(102)을 정의할 수 있다. 또한, 상부 하우징(110)은 하부 하우징(120)에 대하여, 회전 결합부(미도시)에 의해 회전 가능하게 체결될 수 있다. 예를 들어, 상부 하우징(110)과 하부 하우징(120)은 힌지(Hinge) 기구일 수 있는 회전 결합부에 의해 체결될 수 있다.
상부 하우징(110)은 열림 위치에 있거나, 닫힘 위치에 있을 수 있다. 이하에서는, 상부 하우징(110)이 하부 하우징(120)과 서로 조합되어 내부 공간(102)을 정의하는 상부 하우징(110)의 위치를 닫힘 위치라 하고, 내부 공간(102)을 외부에 노출시키는 상부 하우징(110)의 위치를 열림 위치라 정의한다.
또한, 내부 공간(102)의 분위기는 상부 하우징(110)이 닫힘 위치에 있을 때, 외부로부터 격리되고, 외부로부터 격리된 내부 공간(102)은 기판(W)이 처리되는 동안 진공에 가까운 저압 상태(진공압 분위기)로 조정될 수 있다. 또한, 하우징(100)은 금속을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 또한, 하우징(100)은 내표면이 절연성 재질로 코팅될 수 있다. 또한, 하우징(100)은 접지될 수 있다.
또한, 하우징(100)은 진공 챔버일 수 있다. 예컨대, 하우징(100)의 바닥면에는 배기 홀(104) 형성될 수 있다. 내부 공간(102)에서 발생된 플라즈마(P) 또는 내부 공간(102)으로 공급되는 가스(G1, G2)들은 배기 홀(104)을 통해 외부로 배기될 수 있다. 또한, 플라즈마(P)를 이용하여 기판(W)을 처리하는 과정에서 발생되는 부산물들은 배기 홀(104)을 통해 외부로 배기될 수 있다. 또한, 배기 홀(104)은 배기 라인(미도시)과 연결될 수 있다. 배기 라인은 감압을 제공하는 감압 부재와 연결될 수 있다. 감압 부재는 배기 라인을 통해 내부 공간(102)에 감압을 제공할 수 있다.
하부 전극 유닛(300)은 내부 공간(102)에서 기판(W)을 지지할 수 있다. 하부 전극 유닛(300)은 척(310), 전원 부재(320), 절연 링(330), 하부 에지 전극(350), 그리고 구동 부재(370)를 포함할 수 있다.
척(310)은 내부 공간(102)에서 기판(W)을 지지할 수 있다. 척(310)은 기판(W)을 지지하는 지지면을 가질 수 있다. 척(310은 상부에서 바라볼 때 원 형상을 가질 수 있다. 척(310)은 상부에서 바라볼 때, 기판(W)보다 작은 직경을 가질 수 있다. 이에, 척(310)에 지지되는 기판(W)의 중앙 영역은 척(310)의 지지면에 안착되고, 기판(W)의 가장자리 영역은 척(310)의 지지면과 맞닿지 않을 수 있다.
척(310) 내부에는 가열 수단(미도시)이 제공될 수 있다. 가열 수단(미도시)은 척(310)을 가열할 수 있다. 가열 수단은 히터일 수 있다. 또한, 척(310)에는 냉각 유로(312)가 형성될 수 있다. 냉각 유로(312)는 척(310)의 내부에 형성될 수 있다. 냉각 유로(312)에는 냉각 유체 공급 라인(314), 그리고 냉각 유체 배출 라인(316)이 연결될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(314)은 냉각 유체 공급원(318)과 연결될 수 있다. 냉각 유체 공급원(318)은 냉각 유체를 저장 및/또는 냉각 유체 공급 라인(314)으로 냉각 유체를 공급할 수 있다. 또한, 냉각 유로(312)에 공급된 냉각 유체는 냉각 유체 배출 라인(316)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 냉각 유체 공급원(318)이 저장 및/또는 공급하는 냉각 유체는 냉각 수 이거나, 냉각 가스일 수 있다. 또한, 척(310)에 형성되는 냉각 유로(312)의 형상은 도 2에 도시된 형상으로 한정되는 것은 아니며 다양하게 변형될 수 있다. 또한, 척(310)을 냉각시키는 구성은 냉각 유체를 공급하는 구성에 한정되는 것은 아니고, 척(310)을 냉각 시킬 수 있는 다양한 구성(예컨대, 냉각 플레이트 등)으로 제공될 수도 있다.
전원 부재(320)는 척(310)에 알에프(RF) 전력을 공급할 수 있다. 전원 부재(320)는 전원(322), 정합기(324), 그리고 전원 라인(326)을 포함할 수 있다. 전원(322)은 바이어스 전원일 수 있다. 또한, 전원(332)은 RF 전원일 수 있다. 전원(322)은 전원 라인(326)을 매개로 척(310)과 연결될 수 있다. 또한, 정합기(324)는 전원 라인(326)에 제공되어, 임피던스 매칭을 수행할 수 있다.
절연 링(330)은 상부에서 바라볼 때, 링 형상을 가지도록 제공될 수 있다. 절연 링(330)은 상부에서 바라볼 때, 척(310)을 둘러싸도록 구성될 수 있다. 예컨대, 절연 링(330)은 링 형상을 가질 수 있다. 절연 링(330)은 절연성을 가지는 재질로 제공될 수 있다. 절연 링(330)은 하부 에지 전극(350)과 척(310)을 전기적으로 분리할 수 있다. 척(310)은 금속을 포함하는 소재로 제공될 수 있다. 절연 링(330)은 세라믹과 같은 절연성 소재로 제공될 수 있다.
또한, 절연 링(330)의 상면은 단차진 형상을 가질 수 있다. 절연 링(330)의 상면 중 기판(W)의 중앙 영역과 인접한 내측 상면의 높이는, 절연 링(330)의 상면 중 기판(W)의 중앙 영역과 먼 외측 상면의 높이보다 높을 수 있다. 절연 링(330)의 외측 상면의 위쪽 영역에는 후술하는 플라즈마(P)의 유입이 상대적으로 원활하고, 절연 링(330)의 내측 상면의 위쪽 영역에는 플라즈마(P)의 유입이 차단되거나, 유입이 억제되어 기판(W)의 가장자리 영역에 대한 처리 효율을 보다 높일 수 있다.
하부 에지 전극(350)은 상부에서 바라볼 때, 절연 링(330)을 둘러싸도록 구성될 수 있다. 하부 에지 전극(350)은 상부에서 바라볼 때 링 형상을 가질 수 있다. 하부 에지 전극(350)은 접지될 수 있다. 하부 에지 전극(350)은 상부에서 바라볼 때, 척(310)에 지지된 기판(W)의 가장자리 영역에 플라즈마(P)를 발생시킬 수 있는 위치에 배치될 수 있다.
구동 부재(370)는 척(310)을 승강시킬 수 있다. 구동 부재(370)는 구동기(372)와 축(374)을 포함할 수 있다. 축(374)은 척(310)과 결합될 수 있다. 축(374)은 구동기(372)와 연결될 수 있다. 구동기(372)는 축(374)을 매개로 척(310)을 상하 방향으로 승강 시킬 수 있다. 구동 부재(370)가 척(310)을 승강시킴에 따라, 척(310)에 지지된 기판(W)의 상면과, 후술하는 유전체 판(510)의 하면 사이의 간격은 조절될 수 있다.
상부 전극 유닛(500)은 하부 전극 유닛(300)과 마주하도록 제공될 수 있다. 상부 전극 유닛(500)은 하부 전극 유닛(300)에 지지된 기판(W)의 상면과 마주하도록 제공될 수 있다. 상부 전극 유닛(500)은 유전체 판(510), 지지 바디(530), 배플 링(540), 그리고 상부 에지 전극(550)을 포함할 수 있다.
유전체 판(510)은 유전체 소재로 제공될 수 있다. 유전체 판(510)은 세라믹을 포함하는 소재로 제공될 수 있다. 유전체 판(510)은 척(310)에 지지된 기판(W)의 상면과 대향되는 위치에 배치될 수 있다. 유전체 판(510)은 그 하면이 단차진 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 유전체 판(510)의 하면은 제1하면(511) 및 제2하면(512)을 포함할 수 있다. 제1하면(511)은 상부에서 바라볼 때, 기판(W)의 중앙 영역과 인접한 하면일 수 있다. 제2하면(512)은 상부에서 바라 볼 때, 제1하면(511)을 둘라싸는 하면일 수 있다. 제2하면(512)은 상부에서 바라볼 때, 기판(W)의 가장자리 영역과 인접한 하면일 수 있다. 제1하면(511)과 제2하면(512)의 높이는 서로 상이할 수 있다. 예컨대, 제1하면(511)의 높이가 제2하면(512)의 높이보다 낮도록 유전체 판(510)의 하면은 단차질 수 있다. 단차진 유전체 판(510)의 제2하면(512)의 아래 쪽 영역에는 플라즈마(P)의 유입이 상대적으로 원활하고, 제1하면(511)의 위 쪽 영역에는 플라즈마(P)의 유입이 상대적으로 억제되어, 기판(W)의 가장자리 영역에 대한 처리 효율을 보다 개선할 수 있다.
지지 바디(530)는 유전체 판(510), 그리고 후술하는 상부 에지 전극(550)을 지지할 수 있다. 지지 바디(530)는 유전체 판(510), 그리고 후술하는 하부 에지 전극(550)을 하우징(100)에 고정시킬 수 있다. 지지 바디(530)는 금속을 포함하는 소재로 제공될 수 있다. 지지 바디(530)는 접지될 수 있다. 지지 바디(530)는 하우징(100)과 전기적으로 연결되어 접지될 수 있다. 지지 바디(530)는 유전체 판(510)과 서로 조합되어 버퍼 공간(GB), 그리고 가스 채널(GP)을 형성(정의)할 수 있다.
지지 바디(530)는 에지 하면(531), 미들 하면(532), 그리고 센터 하면(533)을 포함할 수 있다. 에지 하면(531), 미들 하면(532), 그리고 센터 하면(533) 순으로 상부에서 바라본 기판(W)의 중심과 인접할 수 있다. 미들 하면(532), 그리고 센터 하면(533)은 지지 바디(530)의 하면에서, 위를 향하는 방향으로 만입되는 형태로 형성될 수 있다. 에지 하면(531), 그리고 미들 하면(532)은 상부에서 바라볼 때 대체로 링 형상을 가질 수 있다. 에지 하면(531)에는 후술하는 상부 에지 전극(550)이 제공될 수 있다. 미들 하면(532)은 가스 채널(GP)을 정의할 수 있다. 센터 하면(533)은 버퍼 공간(GB)을 정의할 수 있다.
지지 바디(530)의 센터 하면(533), 그리고 유전체 판(510)의 상면 중 중앙 영역의 상면은 서로 조합되어 버퍼 공간(GB)을 정의할 수 있다. 버퍼 공간(GB)은 후술하는 가스 공급 유닛(800)이 공급하는 공정 가스가 공급되는 공간일 수 있다. 버퍼 공간(GB)으로 공급된 공정 가스는 버퍼 공간(GB)에서 혼합될 수 있다.
지지 바디(530)의 미들 하면(532), 그리고 유전체 판(510)의 가장자리 영역의 상면은 서로 조합되어 가스 채널(GP)을 정의할 수 있다. 가스 채널(GP)은 버퍼 공간(GB)으로 공급된 공정 가스를 기판(W)의 가장자리 영역을 향해 흐르는 중간 가스 유동 경로 기능을 수행할 수 있다. 가스 채널(GP)은 버퍼 공간(GB)과 유체 연통될 수 있다. 가스 채널(GP)은 후술하는 가스 토출부(GD)와 유체 연통될 수 있다. 가스 채널(GP)은 내부 공간(102)과 유체 연통할 수 있다.
지지 바디(530)의 에지 하면(531)에는 상부 에지 전극(550)이 설치될 수 있다. 지지 바디(530)의 에지 하면(531)에는 접지된 상부 에지 전극(550)이 제공될 수 있다. 상부 에지 전극(550)은 하부 에지 전극(350)과 마주하도록 배치될 수 있다. 상부 에지 전극(550)은 상부에 바라볼 때 링 형상을 가질 수 있다. 상부 에지 전극(550)은 하부 에지 전극(350)과 서로 대향되는 대향 전극일 수 있다.
상부 에지 전극(550)은 상부에서 바라 볼 때, 유전체 판(510)을 둘러싸도록 제공될 수 있다. 상부 에지 전극(550)은 상부에서 바라볼 때, 유전체 판(510)과 이격되도록 제공될 수 있다. 상부 에지 전극(550)의 내주와, 유전체 판(510)의 외주는 서로 조합되어, 기판(W)의 가장자리 영역으로 공정 가스를 공급하는 가스 토출부(GD)를 정의할 수 있다.
배플 링(540)은 버퍼 공간(GB)으로부터 내부 공간(102)으로 흐르는 공정 가스의 유동 경로 상에 배치될 수 있다. 배플 링(540)은 상부에서 바라볼 때, 링 형상을 가질 수 있다. 배플 링(540)은 버퍼 공간(GB)에 배치될 수 있다. 배플 링(540)은 도 3에 도시된 바와 같이 공정 가스가 흐를 수 있는 다공성 소재로 제공될 수 있다. 예컨대, 배플 링(540)은 공정 가스가 흐를 수 있는 복수의 통공이 형성된 다공성 세라믹으로 제공될 수 있다. 이에, 버퍼 공간(GB)으로 공급된 공정 가스는, 버퍼 공간(GB)에서 충분히 혼합된 후 배플 링(540)에 형성된 통공을 통해 가스 채널(GP)로 균일하게 공급될 수 있다.
가스 공급 유닛(800)은 내부 공간(102)으로 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급 유닛(800)은 내부 공간(102)으로 제1가스(G1), 그리고 제2가스(G2)를 공급할 수 있다. 가스 공급 유닛(800)은 제1가스 공급부(810), 제1가스 공급 라인(820), 제2가스 공급부(830), 제2가스 공급 라인(840)을 포함할 수 있다.
제1가스 공급부(810)는 내부 공간(102)으로 제1가스(G1)를 공급할 수 있다. 제1가스(G1)는 질소, 아르곤 등의 비활성 가스일 수 있다. 제1가스 공급부(810)는 척(310)에 지지된 기판(W)의 중앙 영역으로 제1가스(G1)를 공급할 수 있다. 제1가스 공급부(810)는 제1가스 공급 라인(820)으로 제1가스(G1)를 공급할 수 있다. 제1가스 공급 라인(820)은 일 단이 제1가스 공급부(810)와 연결되고, 타 단이 유전체 판(510)의 중앙 영역에 형성된 가스 공급단(513)과 유체 연통할 수 있다. 제1가스 공급부(810)가 공급하는 제1가스(G1)는 제1가스 공급 라인(820)을 통해 기판(W)의 중앙 영역으로 공급될 수 있다. 제1가스 공급부(810)가 공급하는 제1가스(G1)는 제1가스 공급 라인(820)을 통해 유전체 판(510)과 기판(W)의 사이 공간으로 공급될 수 있다.
제2가스 공급부(830)는 내부 공간(102)으로 제2가스(G2)를 공급할 수 있다. 제2가스(G2)는 플라즈마 상태로 여기되는 공정 가스 일 수 있다. 제2가스(G2)는 서로 다른 종류의 복수의 가스가 혼합된 공정 가스일 수 있다. 예컨대, 제2가스 공급부(830)는 O2, N2, Ar, SF6, CF4 중 적어도 둘 이상을 포함하는 제2가스(G2)를 공급하도록 구성될 수 있다. 제2가스 공급부(830)는 제2가스 공급 라인(840)으로 제2가스(G2)를 공급할 수 있다. 제2가스 공급 라인(840)은 일 단이 제2가스 공급부(810)와 연결되고, 타 단이 버퍼 공간(GB)과 유체 연통할 수 있다. 제2가스 공급원(810)이 공급하는 혼합 가스인 제2가스(G1)는 제2가스 공급 라인(840) 및 가스 채널(GP)보다 체적이 큰 버퍼 공간(GB)으로 공급되어 유속이 작아질 수 있다. 이에, 버퍼 공간(GB)에서 제2가스(G2)는 충분히 혼합될 수 있다. 제2가스 공급부(830)가 공급하는 제2가스(G2)는 제2가스 공급 라인(840)을 통해 기판(W)의 가장자리 영역으로 공급될 수 있다.
제어기(900)는 기판 처리 장치를 제어할 수 있다. 제어기(900)는 이하에서 수행하는 플라즈마 처리 공정을 수행할 수 있도록 기판 처리 장치를 제어할 수 있다.
제어기(900)는 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있도록 기판 처리 장치를 제어할 수 있다. 또한, 제어기(900)는 기판 처리 장치의 제어를 실행하는 마이크로프로세서(컴퓨터)로 이루어지는 프로세스 컨트롤러와, 오퍼레이터가 기판 처리 장치를 관리하기 위해서 커맨드 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 기판 처리 장치의 가동 상황을 가시화해서 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 유저 인터페이스와, 기판 처리 장치에서 실행되는 처리를 프로세스 컨트롤러의 제어로 실행하기 위한 제어 프로그램이나, 각종 데이터 및 처리 조건에 따라 각 구성부에 처리를 실행시키기 위한 프로그램, 즉 처리 레시피가 저장된 기억부를 구비할 수 있다. 또한, 유저 인터페이스 및 기억부는 프로세스 컨트롤러에 접속되어 있을 수 있다. 처리 레시피는 기억 부 중 기억 매체에 기억되어 있을 수 있고, 기억 매체는, 하드 디스크이어도 되고, CD-ROM, DVD 등의 가반성 디스크나, 플래시 메모리 등의 반도체 메모리 일 수도 있다.
도 4는 도 2의 기판 처리 장치가 플라즈마 처리 공정을 수행하는 일 예를 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 기판(W)의 가장자리 영역을 처리할 수 있다. 예컨대, 기판 처리 장치는 기판(W)의 가장자리 영역에서 플라즈마(P)를 발생시켜, 기판(W)의 가장자리 영역을 처리할 수 있다. 예컨대, 기판 처리 장치는 기판(W)의 가장자리 영역을 처리하는 베벨 에치 공정을 수행할 수 있다.
기판(W)에 대한 베벨 에치 공정이 수행되기 위해, 구동 부재(370)는 척(310)을 위 방향으로 이동시켜, 기판(W)과 유전체 판(510) 사이의 간격을 좁힐 수 있다.
기판 처리 장치는 기판(W)의 가장자리 영역을 처리시 제1가스 공급부(810)가 기판(W)의 중앙 영역으로 제1가스(G1)를 공급하고, 제2가스 공급부(830)가 기판(W)의 가장자리 영역으로 제2가스(G2)를 공급할 수 있다. 제2가스 공급부(830)가 공급하는 제2가스(G2)는 공정 가스이므로, 플라즈마(P) 상태로 여기되어 기판(W)의 가장자리 영역을 처리할 수 있다. 예컨대, 기판(W)의 가장자리 영역 상의 박막은 플라즈마(P)에 의해 에칭 처리될 수 있다. 또한, 기판(W)의 중앙 영역으로 공급되는 제1가스(G1)는 비활성 가스이고, 제1가스(G1)는 제2가스(G2)가 기판(W)의 중앙 영역으로 유입되는 것을 방지하여, 기판(W)의 가장자리 영역에 대한 처리 효율을 보다 높일 수 있도록 한다.
상술한 예에서는 배플 링(540)이 복수의 통공이 형성된 다공성 소재로 제공되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 도 5에 도시된 바와 같이 다른 실시 예에 따른 배플 링(540a)은 복수의 통공(541a)이 형성된 링 형상의 타공판, 즉 메쉬 형태의 타공판으로 제공될 수 있다. 배플 링(540a)은 금속을 포함하는 소재로 제공될 수 있다.
상술한 예에서는 배플 링(540, 540a)에 형성되는 통공이 배플 링(540, 540a)의 전체 영역에 비교적 균일하게 형성되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 도 6에 도시된 바와 같이 배플 링(540b)에 형성되는 통공(541b)들은 가스 채널(GP)과 마주하는 영역에만 형성될 수도 있다.
또한, 상술한 예에서는 배플 링(540a, 540b)에 형성되는 통공(541a, 541b)들이 수평 방향과 나란한 방향으로 형성되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이 배플 링(540c, 540d)에 형성된 통공(541c, 541d)들은 가스 채널(GP)과 마주하는 영역에 형성되되, 정단면에서 바라볼 때 수평 방향에 대하여 경사진 방향으로 형성될 수도 있다.
상술한 예에서는, 척(310)이 상하 방향으로 이동하고 유전체 판(520) 및 상부 에지 전극(620)의 위치가 고정되는 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 척(310)의 위치가 고정되고 유전체 판(520)이 상하 방향으로 이동가능하게 구성될 수 있다. 또한, 척(310)과 유전체 판(520) 모두가 상하 방향으로 이동가능하게 구성될 수 있다.
또한, 상술한 예에서는 상부 에지 전극(620)과 하부 에지 전극(350)이 접지되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 상부 에지 전극(620), 및/또는 하부 에지 전극(350)은 RF 전원과 연결될 수 있다.
상술한 예에서 설명한 기판 처리 장치가 플라즈마(P)를 발생시키는 방법은 ICP(Inductive coupled plasma) 방식일 수 있다. 또한, 상술한 기판 처리 장치가 플라즈마(P)를 발생시키는 방법은 CCP(Capacitor couple plasma) 방식일 수 있다. 또한, 기판 처리 장치는 ICP(Inductive coupled plasma) 방식, 그리고 CCP(Capacitor couple plasma) 방식을 모두 이용하거나, ICP(Inductive coupled plasma) 방식, 그리고 CCP(Capacitor couple plasma) 방식 중 선택된 방식을 이용하여 플라즈마(P)를 발생시킬 수 있다. 또한, 기판 처리 장치는 리모트 플라즈마 방식을 이용하여 플라즈마(P)를 발생시킬 수도 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
기판 처리 장치 : 1000
하우징 : 100
제1하우징 : 110
제2하우징 : 120
회전 결합부 : 130
제1회전 결합부 : 131
제1-1힌지부 : 131a
제1-2힌지부 : 131b
제2회전 결합부 : 132
제2-1힌지부 : 132b
제2-2힌지부 : 132b
제1베어링 : 133a
제2베어링 : 133b
제1힌지 핀 : 134a
제2힌지 핀 : 134b
지지 유닛 : 300
척 : 310
절연 링 : 330
하부 에지 전극 : 350
유전체 판 유닛 : 500
제1베이스 : 510
유전체 판 : 520
상부 전극 유닛 : 600
제2베이스 : 610
상부 에지 전극 : 620
온도 조절 유닛 : 700
온도 조절 플레이트 : 710
유로 : 712
유체 블록 모듈 : 720
유체 블록 : 721
공급 유로 : 721a
배출 유로 : 721b
유체 공급 채널 : 723
유체 배출 채널 : 725
유체 공급 모듈 : 730
제1회전 커넥터 : 731
제1고정 커넥터 : 732
제1공급 배관 : 733
공급 연결 배관 : 734
제2공급 배관 : 735
유체 배출 모듈 : 740
제2회전 커넥터 : 741
제2고정 커넥터 : 742
제1배출 배관 : 743
배출 연결 배관 : 744
제2배출 배관 : 745
가스 공급 유닛 : 800
제어기 : 900

Claims (20)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부 공간을 가지는 하우징;
    상기 내부 공간에서 기판을 지지하는 하부 전극 유닛;
    상기 하부 전극 유닛과 마주하는 상부 전극 유닛; 및
    상기 내부 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하고,
    상기 상부 전극 유닛은,
    상기 하부 전극 유닛에 지지된 상기 기판의 상면과 대향하는 유전체 판;
    상기 유전체 판을 지지하는 지지 바디 - 상기 지지 바디와 상기 유전체 판은 서로 조합되어 버퍼 공간을 형성하고, 상기 가스 공급 유닛은 상기 버퍼 공간을 거쳐 상기 내부 공간으로 상기 공정 가스를 공급함 - ; 및
    상기 버퍼 공간으로부터 상기 내부 공간으로 흐르는 상기 공정 가스의 유동 경로 상에 배치되는 배플 링을 포함하는, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 지지 바디와 상기 유전체 판이 이격된 공간은 상기 공정 가스가 흐르는 가스 채널 - 상기 가스 채널은 상기 내부 공간과 유체 연통 됨 - 로 정의되고,
    상기 배플 링은 상기 버퍼 공간에 배치되는, 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 배플 링은,
    상기 공정 가스가 흐를 수 있도록 다공성 소재로 제공되는, 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 배플 링은,
    상기 공정 가스가 흐를 수 있는 복수의 통공이 형성된 다공성 세라믹으로 제공되는, 기판 처리 장치
  5. 제1항에 있어서,
    상기 배플 링은,
    상기 공정 가스가 흐를 수 있는 통공이 형성된 타공판으로 제공되는, 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 배플 링은,
    금속을 포함하는 소재로 제공되는, 기판 처리 장치.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 상부 전극 유닛은,
    상기 지지 바디에 지지되며, 상부에서 바라볼 때 상기 유전체 판을 둘러 싸도록 제공되는 상부 에지 전극을 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상부에서 바라본 상기 상부 에지 전극의 내주의 직경은,
    상기 유전체 판의 외주 직경보다 큰, 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 상부 에지 전극과 상기 유전체 판이 이격된 공간은 상기 가스 채널에 흐르는 상기 가스를 상기 하부 전극 유닛에 지지된 상기 기판의 가장자리 영역으로 토출하는 가스 토출부 - 상기 가스 토출부는 상기 가스 채널, 그리고 상기 내부 공간과 서로 유체 연통 됨- 로 정의되는, 기판 처리 장치.
  10. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하부 전극 유닛은,
    상기 기판을 지지하는 척;
    상부에서 바라볼 때, 상기 척을 둘러싸도록 구성되는 절연 링; 및
    상부에서 바라볼 때, 상기 절연 링을 둘러싸도록 구성되는 하부 에지 전극을 포함하는, 기판 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 하부 전극 유닛은,
    상기 척으로 알에프 전력을 인가하는 전원 부재를 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  12. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 공급 유닛은,
    서로 상이한 종류의 복수의 가스가 혼합된 상기 공정 가스를 공급하는 가스 공급원; 및
    상기 공정 가스를 상기 버퍼 공간으로 공급하는 가스 공급 라인을 포함하는, 기판 처리 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 가스 공급원은,
    O2, N2, Ar, SF6, CF4 중 적어도 둘 이상을 포함하는 상기 공정 가스를 공급하도록 구성되는, 기판 처리 장치.
  14. 기판의 가장자리 영역을 처리하는 베벨 에치 장치의 상부 전극 유닛에 있어서,
    상기 기판과 대향하는 유전체 판;
    상기 유전체 판을 지지하는 지지 바디 - 상기 지지 바디, 그리고 상기 유전체 판은 서로 상이한 종류의 가스를 적어도 둘 이상 포함하는 공정 가스가 공급되는 공간인 버퍼 공간을 정의함 - ; 및
    상기 버퍼 공간으로부터 상기 기판의 가장자리 영역을 향해 흐르는 상기 공정 가스의 유동 경로 상에 배치되는 배플 링을 포함하는, 상부 전극 유닛.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 지지 바디와 상기 유전체 판이 이격된 공간은 상기 공정 가스가 흐르는 가스 채널로 정의되고,
    상기 배플 링은 상기 버퍼 공간에 배치되는, 상부 전극 유닛.
  16. 제14항 또는 제15항에 있어서,
    상기 배플 링은,
    상기 공정 가스가 흐를 수 있는 복수의 통공이 형성된 타공성 소재로 제공되는, 상부 전극 유닛.
  17. 제14항 또는 제15항에 있어서,
    상기 배플 링은,
    상기 공정 가스가 흐를 수 있는 통공이 형성된 타공판으로 제공되는, 상부 전극 유닛.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 통공은,
    정 단면에서 바라볼 때, 경사진 방향으로 형성되는, 상부 전극 유닛.
  19. 제14항 또는 제15항에 있어서,
    상기 상부 전극 유닛은,
    상부에서 바라본 상기 지지 바디의 가장자리 영역에 지지되며, 상기 유전체 판을 둘러싸도록 구성되는 상부 에지 전극을 더 포함하는, 상부 전극 유닛.
  20. 제19항에 있어서,
    상부에서 바라볼 때, 상기 상부 에지 전극과 상기 유전체 판은 서로 이격되고,
    상기 상부 에지 전극과 상기 유전체 판이 이격된 공간은 상기 가스 채널에 흐르는 상기 공정 가스를 상기 기판의 가장자리 영역으로 토출하는 가스 토출부로 정의되는, 상부 전극 유닛.

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