JPS58185498A - 薄膜気相成長装置 - Google Patents
薄膜気相成長装置Info
- Publication number
- JPS58185498A JPS58185498A JP6700582A JP6700582A JPS58185498A JP S58185498 A JPS58185498 A JP S58185498A JP 6700582 A JP6700582 A JP 6700582A JP 6700582 A JP6700582 A JP 6700582A JP S58185498 A JPS58185498 A JP S58185498A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- thin film
- gas
- branch pipes
- main pipe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、多数の基板上に同時に膜厚が均一で膜質が良
好な薄膜７％底できるようになした薄膜気相成長装置に
関するものである。
好な薄膜７％底できるようになした薄膜気相成長装置に
関するものである。
各種電子部品を構成する薄膜をエピタキシャル成長法に
より形成させ石場合、従来用いられていた塩化物原料に
代えて有機金属原料を反応ガスの原料として用いる方法
が最近採用されつつある。
より形成させ石場合、従来用いられていた塩化物原料に
代えて有機金属原料を反応ガスの原料として用いる方法
が最近採用されつつある。
このメリットとしては他の気相成長法に比較して、反応
ガスの混合モル比や流量だけを調節することで、薄膜の
結晶性や成艮速ｔｗ容易に変えることができるという優
れた制御性を挙げることができる。
ガスの混合モル比や流量だけを調節することで、薄膜の
結晶性や成艮速ｔｗ容易に変えることができるという優
れた制御性を挙げることができる。
この有機金ＩＩＫ原料（Ｍｅｔａｌ −Ｏｒｇｎｉｃ
： ＭＯ） ’１用いた気相成長法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓ＋ｔｉｏｎ：ＣＶＤ）＋！（
ｆ米ｊｉＬ１図のようなＭＯ−ＣＶＤ 装置を用いて行
われていた。ＩｂＪ図において１はペルジャー、２はサ
セプター、３は基板、４は加熱用綽導コイル、５はＭＯ
ガスｇＡ船用ノズル、６はガス供給口、７は給水口、８
は耕気日である。
： ＭＯ） ’１用いた気相成長法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓ＋ｔｉｏｎ：ＣＶＤ）＋！（
ｆ米ｊｉＬ１図のようなＭＯ−ＣＶＤ 装置を用いて行
われていた。ＩｂＪ図において１はペルジャー、２はサ
セプター、３は基板、４は加熱用綽導コイル、５はＭＯ
ガスｇＡ船用ノズル、６はガス供給口、７は給水口、８
は耕気日である。
以上におい℃上記ノズル５からはＭＯとしてトリメチル
アルミニウム（Ａ ｌ （ＣＭ ３ ） ３： ＴＭＡ
）がｌＩ２ガスによってまたガス供給口すからはアン
モニア（ＮＨ３）ガスが各々ペルジャー１内に供給され
る。
アルミニウム（Ａ ｌ （ＣＭ ３ ） ３： ＴＭＡ
）がｌＩ２ガスによってまたガス供給口すからはアン
モニア（ＮＨ３）ガスが各々ペルジャー１内に供給され
る。
そして両ガスは回転しているサセプター２上の基＆３表
ｍで反応することにより磁化アルミニウム（八！Ｎ）薄
膜が形成される。
ｍで反応することにより磁化アルミニウム（八！Ｎ）薄
膜が形成される。
ところで上記従来のＭＯ−ＣＶＤ装置においてはノズル
５が１ｇしか儂ってないために、サセプター２上に多数
の基＃Ｌを用意した場合にはサセプター２の一回転につ
きＴＭＡは一度しか吹き付けられないため、４！ｒ々の
基板には膜厚が均一な薄膜は成長されずまた膜質も良い
ものは形成されなかった。
５が１ｇしか儂ってないために、サセプター２上に多数
の基＃Ｌを用意した場合にはサセプター２の一回転につ
きＴＭＡは一度しか吹き付けられないため、４！ｒ々の
基板には膜厚が均一な薄膜は成長されずまた膜質も良い
ものは形成されなかった。
本発明は以上の欠点を除去するためなされたもので、サ
セプターのほぼ中心から突出するように設けられた本管
およびこの本管から水平方向へ延長された複数の分岐管
とから成るノズルを設け、複数の分岐管のサセプターと
対向する位置に各々ガス吹出し孔χ設けるようにして反
応ガスが基板表面に均一に吹き付けられるように構成し
た薄線気相成長装置全提供することｔ目的とするもので
ある。以下図面を参照して本宛明実り例を説明する。
セプターのほぼ中心から突出するように設けられた本管
およびこの本管から水平方向へ延長された複数の分岐管
とから成るノズルを設け、複数の分岐管のサセプターと
対向する位置に各々ガス吹出し孔χ設けるようにして反
応ガスが基板表面に均一に吹き付けられるように構成し
た薄線気相成長装置全提供することｔ目的とするもので
ある。以下図面を参照して本宛明実り例を説明する。
実施例１
第２図および第３図において第１凶と凹一部分は同一番
号で示し、９はノズルで上記サセプター２のほぼ中心か
ら突出するようＫｉ＆けられた本管９Ａおよびこの本管
９Ａから水平方向に延長された複数の分岐管９Ｂとから
成っており、複数の分岐管９Ｂのサセプター２と対向す
る位置（下＠ぎ位置）には各々複数のガス吹出し孔１０
が詮けられている。
号で示し、９はノズルで上記サセプター２のほぼ中心か
ら突出するようＫｉ＆けられた本管９Ａおよびこの本管
９Ａから水平方向に延長された複数の分岐管９Ｂとから
成っており、複数の分岐管９Ｂのサセプター２と対向す
る位置（下＠ぎ位置）には各々複数のガス吹出し孔１０
が詮けられている。
以上においてサセプター２およびこの上に用意された複
数の基板３が誘導コイル４により加熱されかつ回転され
た状態で、ノズル９のガス吹田し托ｌＯから１（２ガス
によって希釈されたｉ’ Ｍ Ａガスが上記基板３表面
に吹き付けられ同時にガス供給口６からＮＨ３ガスが供
給されて直ちに気相成長反応が何わｎる。この場合基＆
３表１には複数のガス吹出し孔ＩＯンこより均一に反１
６ガスが吹き付けらｚしるので、ＡＩＮ薄膜は均一な濃
厚で良好な膜質のもＵ）が形成される。
数の基板３が誘導コイル４により加熱されかつ回転され
た状態で、ノズル９のガス吹田し托ｌＯから１（２ガス
によって希釈されたｉ’ Ｍ Ａガスが上記基板３表面
に吹き付けられ同時にガス供給口６からＮＨ３ガスが供
給されて直ちに気相成長反応が何わｎる。この場合基＆
３表１には複数のガス吹出し孔ＩＯンこより均一に反１
６ガスが吹き付けらｚしるので、ＡＩＮ薄膜は均一な濃
厚で良好な膜質のもＵ）が形成される。
大」列２
第４凶はノズル９の下′ＸＪ溝造ビ示すもので、複数Ｊ
）が−支′、（９Ｂ７ｃ設けたガス吹出し孔χスリット
■］の形状に形成したものである。
）が−支′、（９Ｂ７ｃ設けたガス吹出し孔χスリット
■］の形状に形成したものである。
以上ンこおいて本管９Ａから各分岐管９８にこ反応ζ
。ブスが供給された場合、ガス吹出し孔１１からは全艮
羨わたって一様な反応ｆｊスが吹き付けられるのＣ，基
ＦＩｉ３表面には均一な膜厚で良好な膜質のＡｉ Ｎ薄
膜か形成される。
羨わたって一様な反応ｆｊスが吹き付けられるのＣ，基
ＦＩｉ３表面には均一な膜厚で良好な膜質のＡｉ Ｎ薄
膜か形成される。
実施例３
第５図（ａ）、 （ｂ）はノズル９の下面構＆を示すも
ので、ｆａｌは複数の分岐管９Ｂに設ける複数のガス吹
出し孔１０の面積を本管９Ａから離れる根太に形成した
構造を示すものである。
ので、ｆａｌは複数の分岐管９Ｂに設ける複数のガス吹
出し孔１０の面積を本管９Ａから離れる根太に形成した
構造を示すものである。
また（ｂ）はガス吹出し孔ｔスリット１２の形状廻しま
た本管９Ａから離れる程そのスリット巾を大に形成した
構造を示すものである。
た本管９Ａから離れる程そのスリット巾を大に形成した
構造を示すものである。
以上において本１ｆ９Ａから各分岐管９ＢＫ反応ガスが
供給された場合、本Ｊ９Ａから雇れた位置におけるガス
吹出し孔からも十分く反応ガスは供給されガス吹出し孔
の全体くわたってガス流Ｊ１を等しくすることができる
ので、基板３表（ｆｉＫは均一な膜厚で良好な膜質のＡ
ＩＮ％膜が形成される。
供給された場合、本Ｊ９Ａから雇れた位置におけるガス
吹出し孔からも十分く反応ガスは供給されガス吹出し孔
の全体くわたってガス流Ｊ１を等しくすることができる
ので、基板３表（ｆｉＫは均一な膜厚で良好な膜質のＡ
ＩＮ％膜が形成される。
実施的４
第６図はノズル９の下面構造を示すもので、複数の分岐
管９Ｂの各々に設けられる複数のガス吹出し孔１０ ”
ｋ 四−円周上に位置するものがなし・ように形成した
構造Ｙ示すものである。丁なわち一つの分岐管に設けら
れた複数のガス吹出し孔を回転することＫよって形成さ
れる円周Ｌｌ、 Ｌ２＋ Ｌ３・Ｌ４・・・上に、
他の分岐管のガス吹出孔が位置しないような構造に形成
したものである。
管９Ｂの各々に設けられる複数のガス吹出し孔１０ ”
ｋ 四−円周上に位置するものがなし・ように形成した
構造Ｙ示すものである。丁なわち一つの分岐管に設けら
れた複数のガス吹出し孔を回転することＫよって形成さ
れる円周Ｌｌ、 Ｌ２＋ Ｌ３・Ｌ４・・・上に、
他の分岐管のガス吹出孔が位置しないような構造に形成
したものである。
以上において本管９Ａρ・ら谷分岐管９Ｂに反応ガスが
供給された場合、複数のガス吹出し孔１０が各々異なっ
た円周上九位置するように配置されているため、回転し
てるサセプター２上に用意された基板３には一様な反応
ガスが吹き付けられるので、基板３表−には均一な膜厚
で良好な膜質のＡｌＮｉ論が形成される。
供給された場合、複数のガス吹出し孔１０が各々異なっ
た円周上九位置するように配置されているため、回転し
てるサセプター２上に用意された基板３には一様な反応
ガスが吹き付けられるので、基板３表−には均一な膜厚
で良好な膜質のＡｌＮｉ論が形成される。
以上述べて明らかなように本発明によれば、サセプター
のほぼ中心から突出するように設けられた本管およびこ
の本管から水平方向へ延長された複数の分岐管とから放
るノズルを設け、複数の分Ｍ３ｃ管のサセプターと対向
する位置テ各々ガス吹出し孔？設けるようにして反応ガ
スが基板表面に均一に吹き付けられるようにｍ成したも
のであるから、膜厚が均一で膜質が良好な薄膜ヶ形成す
ることができる。
のほぼ中心から突出するように設けられた本管およびこ
の本管から水平方向へ延長された複数の分岐管とから放
るノズルを設け、複数の分Ｍ３ｃ管のサセプターと対向
する位置テ各々ガス吹出し孔？設けるようにして反応ガ
スが基板表面に均一に吹き付けられるようにｍ成したも
のであるから、膜厚が均一で膜質が良好な薄膜ヶ形成す
ることができる。
本発明によれば原料ガスはかなりの流速で基板表面に吹
き付けられるため、直５に気相成長反応を行わせること
ができるので！ＪＡ科ガスを効率良く利用することがで
きる。
き付けられるため、直５に気相成長反応を行わせること
ができるので！ＪＡ科ガスを効率良く利用することがで
きる。
有機金＠原料としては実施例で示したものに限らず目的
、用途に応じて任意の原料を用いることにより所望の薄
膜乞形成することができる。的えばＧａＡｓ 、 Ｇａ
Ａｊ！Ａｓ 、 ＩｎＧａＡｓＰ等のＩ−■族化合物
半導体薄膜を形成する場合に適用することができる。
、用途に応じて任意の原料を用いることにより所望の薄
膜乞形成することができる。的えばＧａＡｓ 、 Ｇａ
Ａｊ！Ａｓ 、 ＩｎＧａＡｓＰ等のＩ−■族化合物
半導体薄膜を形成する場合に適用することができる。
第１図および第２図は従来および本発明実施例馨示す断
面概略図、第３図および第４図、ｆｉＫｓ図（ａｔ、
ｆｂｌ、第６図は本発明実施的を示す斜視概略図および
下面概略図である。 ２・・・サセプター、３・・・基板、９．９Ａ、９Ｂ・
・・ノズル、 １０． １１． １２・・・ガス吹出し
孔。 特許出願人 クラリオン休式会社 代理人 弁理士 永 １）武 三 即事１図 第５図（Ｃ１）
面概略図、第３図および第４図、ｆｉＫｓ図（ａｔ、
ｆｂｌ、第６図は本発明実施的を示す斜視概略図および
下面概略図である。 ２・・・サセプター、３・・・基板、９．９Ａ、９Ｂ・
・・ノズル、 １０． １１． １２・・・ガス吹出し
孔。 特許出願人 クラリオン休式会社 代理人 弁理士 永 １）武 三 即事１図 第５図（Ｃ１）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 所望の薄膜を成長させるべき基板を支持するため
のサセプターと、このサセプターのほぼ中心から突出す
るように設けられた本管およびこの本管から水平方向に
延長された複数の分岐管とから成るノズルとを含み、上
記複数の分岐管のサセプターと対向する位ｔＫ各々ガス
吹出し孔を備えてなることｔＩ！ｆ！ｆ漱とする薄膜気
相成長装置。 ２ 上記複数の分岐管に２けるガス吹出し孔が各々スリ
ット状から成ることヲ特徴とする％肝梢求の範囲第１項
記載の薄膜気相成長装置。 ３、 上記複数の分岐管におけるガス吹出し孔が各々複
数から！ｌＩ成されたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の薄膜気相成長装置。 ４ 上記複数の分岐管各々における複数のガス吹出し孔
の面積が上記本管から離れる根太く形成されてなること
ｖ１％徴とする％ｆｆｆｉ求の範囲第３項記載の薄膜気
相成長装置。 ５、 上記複数の分岐管各々における複数のガス吹出し
孔が同一円周上に位置するものがないように形成されて
なることＶ４１ｔとする％ＦＦ請求の範囲第３項又は第
４項記載の薄膜気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6700582A JPS58185498A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | 薄膜気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6700582A JPS58185498A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | 薄膜気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58185498A true JPS58185498A (ja) | 1983-10-29 |
Family
ID=13332374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6700582A Pending JPS58185498A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | 薄膜気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58185498A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63289926A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-28 | Canon Inc | 堆積膜形成装置及びプラズマ処理装置 |
| KR20020001376A (ko) * | 2000-06-28 | 2002-01-09 | 박종섭 | 반도체 소자의 알루미늄 산화막 형성 방법 |
| KR20030095801A (ko) * | 2002-06-14 | 2003-12-24 | 주성엔지니어링(주) | 회전형 분사기를 가지는 ｈｄｐｃｖｄ 장치 및 이를이용한 갭 필링 방법 |
| KR100458982B1 (ko) * | 2000-08-09 | 2004-12-03 | 주성엔지니어링(주) | 회전형 가스분사기를 가지는 반도체소자 제조장치 및 이를이용한 박막증착방법 |
| KR100531555B1 (ko) * | 2002-02-14 | 2005-11-28 | 주성엔지니어링(주) | 회전가능한 1개 이상의 가스분사기가 구비된 박막증착장치 및 이를 이용한 박막 증착방법 |
| KR100589206B1 (ko) | 2004-09-30 | 2006-06-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 회전식 인젝터를 이용한 반도체소자의 박막 증착 방법 |
| KR100675893B1 (ko) | 2005-06-14 | 2007-02-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 원자층증착방법을 이용한 하프늄지르코늄옥사이드막형성방법 |
| KR100796980B1 (ko) | 2007-01-17 | 2008-01-22 | 피에스케이 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
| KR100950076B1 (ko) | 2008-03-28 | 2010-03-26 | 주식회사 휘닉스 디지탈테크 | 에어 커튼 형태로 가스를 분사하는 박막증착장치 |
-
1982
- 1982-04-21 JP JP6700582A patent/JPS58185498A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63289926A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-28 | Canon Inc | 堆積膜形成装置及びプラズマ処理装置 |
| KR20020001376A (ko) * | 2000-06-28 | 2002-01-09 | 박종섭 | 반도체 소자의 알루미늄 산화막 형성 방법 |
| KR100458982B1 (ko) * | 2000-08-09 | 2004-12-03 | 주성엔지니어링(주) | 회전형 가스분사기를 가지는 반도체소자 제조장치 및 이를이용한 박막증착방법 |
| KR100531555B1 (ko) * | 2002-02-14 | 2005-11-28 | 주성엔지니어링(주) | 회전가능한 1개 이상의 가스분사기가 구비된 박막증착장치 및 이를 이용한 박막 증착방법 |
| KR20030095801A (ko) * | 2002-06-14 | 2003-12-24 | 주성엔지니어링(주) | 회전형 분사기를 가지는 ｈｄｐｃｖｄ 장치 및 이를이용한 갭 필링 방법 |
| KR100589206B1 (ko) | 2004-09-30 | 2006-06-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 회전식 인젝터를 이용한 반도체소자의 박막 증착 방법 |
| KR100675893B1 (ko) | 2005-06-14 | 2007-02-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 원자층증착방법을 이용한 하프늄지르코늄옥사이드막형성방법 |
| KR100796980B1 (ko) | 2007-01-17 | 2008-01-22 | 피에스케이 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
| KR100950076B1 (ko) | 2008-03-28 | 2010-03-26 | 주식회사 휘닉스 디지탈테크 | 에어 커튼 형태로 가스를 분사하는 박막증착장치 |
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