JPS6097045A - 気相合成装置 - Google Patents
気相合成装置Info
- Publication number
- JPS6097045A JPS6097045A JP20281283A JP20281283A JPS6097045A JP S6097045 A JPS6097045 A JP S6097045A JP 20281283 A JP20281283 A JP 20281283A JP 20281283 A JP20281283 A JP 20281283A JP S6097045 A JPS6097045 A JP S6097045A
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- Japan
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- raw material
- supply nozzle
- nozzle
- compound
- diffusion
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J12/00—Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔本発明の技術分野〕
本発明は、化合物の粉末゛薄層又は、バルク結晶を気相
反応法により製造する気相合成装置に関する。
反応法により製造する気相合成装置に関する。
原料ガスＡ及びＢよりＡＢ化合物を製造する従来の気相
合成装置は、第１図に示すように。
合成装置は、第１図に示すように。
ヒーター１．原料供給ノズル２，２／、基板３及び排気
管５からなっている。原料ガスＡ４びＢは、それぞれ原
料供給ノズル２，２′より反応部へ供給され１反応し、
基板５上にＡＢ化合物４が堆積する。
管５からなっている。原料ガスＡ４びＢは、それぞれ原
料供給ノズル２，２′より反応部へ供給され１反応し、
基板５上にＡＢ化合物４が堆積する。
このような気相合成装置において、原料ガスＡ及びＢを
反応部に供給する原料供給ノズル２゜２′の出口部には
、原料ガスＡ及びＢが相互に拡散するため、ＡＢ化合物
４が付着堆積する。このとき、Ｎ料ガスＡおよびＢのう
ち拡散の遅い方の原料ガス供給ノズルに、より多量のＡ
Ｂ化合物が付着堆積することになる。例えば、Ａ。
反応部に供給する原料供給ノズル２゜２′の出口部には
、原料ガスＡ及びＢが相互に拡散するため、ＡＢ化合物
４が付着堆積する。このとき、Ｎ料ガスＡおよびＢのう
ち拡散の遅い方の原料ガス供給ノズルに、より多量のＡ
Ｂ化合物が付着堆積することになる。例えば、Ａ。
Ｂ原料ガスの内、Ｂ原料ガスの方が拡散が遅いとすると
、従来型装置では、第２図に示すようにＢ原料ガス供給
ノズルの方に多量のＡＢ化合物４が付着堆積する。ただ
しこの場合、Ｂ原料ガス供給ノズルのＡＭ科ガス供給ノ
ズルに近い側の縁の方がＡＢ化合物４の堆積速度が速い
ため、Ｂ原料ガス供給ノズルに付着堆積するＡＢ化合物
４は、Ａ原料供給ノズルから遠ざかる方向に曲って成長
する。、 その結果、従来の気相合成装置では、原料ガスの流れが
乱れ、正常な反応を継続できなくなリ、長時間の反応継
続ができない欠点ビ有している。また、原料ガスの吹き
出す方向が変化するため、基板上に堆積されるＡＢ化合
物の厚み分布が不均一となる欠点を有している。
、従来型装置では、第２図に示すようにＢ原料ガス供給
ノズルの方に多量のＡＢ化合物４が付着堆積する。ただ
しこの場合、Ｂ原料ガス供給ノズルのＡＭ科ガス供給ノ
ズルに近い側の縁の方がＡＢ化合物４の堆積速度が速い
ため、Ｂ原料ガス供給ノズルに付着堆積するＡＢ化合物
４は、Ａ原料供給ノズルから遠ざかる方向に曲って成長
する。、 その結果、従来の気相合成装置では、原料ガスの流れが
乱れ、正常な反応を継続できなくなリ、長時間の反応継
続ができない欠点ビ有している。また、原料ガスの吹き
出す方向が変化するため、基板上に堆積されるＡＢ化合
物の厚み分布が不均一となる欠点を有している。
そこで１本発明は、従来装置の上記欠点を解消する気相
合成装置を提供することＺ目的とする。すなわち１本発
明の目的は５反応部での原料ガスの流れが乱れず、正常
に保持され、長時間の気相反応が継続でき、かつ１合成
される化合物の厚み分布が均一となる気相合成装置を提
供するにある。
合成装置を提供することＺ目的とする。すなわち１本発
明の目的は５反応部での原料ガスの流れが乱れず、正常
に保持され、長時間の気相反応が継続でき、かつ１合成
される化合物の厚み分布が均一となる気相合成装置を提
供するにある。
そして１本発明は、上記目的を達成する手段として、拡
散の遅い原料の供給ノズル周囲に。
散の遅い原料の供給ノズル周囲に。
拡散の早い原料の供給ノズルｔリング状に配設した点に
ある。すなわち１本発明は、気相合成装置の原料ガス供
給部において、拡散の遅い原料ガス供給ノズルの周囲に
、ガス出口形状がリング状である拡散の早い原料ガス供
給ノズルな配置したことを特徴とする気相合成装置であ
る。
ある。すなわち１本発明は、気相合成装置の原料ガス供
給部において、拡散の遅い原料ガス供給ノズルの周囲に
、ガス出口形状がリング状である拡散の早い原料ガス供
給ノズルな配置したことを特徴とする気相合成装置であ
る。
本発明の対象となる気相合成装置は、化合物半導体（例
、 ＺｎＳ、 Ｚｙ）Ｓａ、 ＯｄＴθ、 ＧａＡｓ、
ＧａＰ、ＩｎＰ等）、炭化物、窒化物、酸化物、硼化
物等のＡＢ化合物の粉末、薄層又は、バルク結晶を気相
反応法により製造するすべての気相合成装置である。特
に本発明は、原料ガスの投入濃度が高（。
、 ＺｎＳ、 Ｚｙ）Ｓａ、 ＯｄＴθ、 ＧａＡｓ、
ＧａＰ、ＩｎＰ等）、炭化物、窒化物、酸化物、硼化
物等のＡＢ化合物の粉末、薄層又は、バルク結晶を気相
反応法により製造するすべての気相合成装置である。特
に本発明は、原料ガスの投入濃度が高（。
長時間の合成時間を必要とするＣＶＤ装置１例えばｚｎ
蒸気とＨ２Ｂガス乞原料として、 ＺｎＳ を合成する
ＣＶＤ装置などに有効である。
蒸気とＨ２Ｂガス乞原料として、 ＺｎＳ を合成する
ＣＶＤ装置などに有効である。
以下１本発明を第３図及び第４図に基づいて説明する。
第３図は、本発明の実施例である原料ガス供給部の横断
面図であり、第４囚はその縦断面図である。第５図及び
第４図において。
面図であり、第４囚はその縦断面図である。第５図及び
第４図において。
６は拡散の遅い原料ガス供給ノズルであり、７は拡散の
早い原料ガス供給ノズルである。本発明は、このように
、拡散の遅い原料ガス供給ノズル６乞中央に配置し、そ
の周囲に、拡散の早い原料ガス供給ノズル７をリング状
に配置したものである。
早い原料ガス供給ノズルである。本発明は、このように
、拡散の遅い原料ガス供給ノズル６乞中央に配置し、そ
の周囲に、拡散の早い原料ガス供給ノズル７をリング状
に配置したものである。
本発明の装置および従来型装置を用いて。
ＺｎＳ化合物の合成馨行った。原料ガスとして。
ｚｎ蒸気とキャリアガス（Ａｒ）との混合ガスおよびＨ
２Ｓガスを用いた。なお、各原料ガスの拡散係数は、Ｄ
Ｈ８〉Ｄ２ｎ である。また、この実験例で使用した従
来型装置は、 Ｈ２Ｂガス用およびｚｎ 蒸気用各１本
づつ計２本の原料供給ノズルを使用したものであり、本
発明の装置としては。
２Ｓガスを用いた。なお、各原料ガスの拡散係数は、Ｄ
Ｈ８〉Ｄ２ｎ である。また、この実験例で使用した従
来型装置は、 Ｈ２Ｂガス用およびｚｎ 蒸気用各１本
づつ計２本の原料供給ノズルを使用したものであり、本
発明の装置としては。
中央にｚｎ 蒸気用ノズル、その周囲にリング状のＨ２
８ガス供給用ノズルを配置したものを使用した。
８ガス供給用ノズルを配置したものを使用した。
従来型装置では１合成反応継続に伴い、より拡散の遅い
原料ガス供給ノズルであるｚｎ蒸気供給ノズルにＺｎＳ
化合物が付着堆積していき、その成長速度は、 Ｈ２８
供給ノズルに近い側の縁の方が大であるため、ｚｎ 蒸
気供給ノズルに付着堆積したＺｎＳは、 Ｈ２Ｂ供給ノ
ズルから遠ざかる方向に曲って伸びていき１合成反応開
始後約１００時間経過した時には１反応部での原料ガス
の流れに乱れが生じ、正常な気相反応を継続し得なくな
った。また基板上に合成されたＺｎｓ結晶は、Ｚｎ 蒸
気の吹き出し口の方向が変化したため、厚み分布が不均
一であった。
原料ガス供給ノズルであるｚｎ蒸気供給ノズルにＺｎＳ
化合物が付着堆積していき、その成長速度は、 Ｈ２８
供給ノズルに近い側の縁の方が大であるため、ｚｎ 蒸
気供給ノズルに付着堆積したＺｎＳは、 Ｈ２Ｂ供給ノ
ズルから遠ざかる方向に曲って伸びていき１合成反応開
始後約１００時間経過した時には１反応部での原料ガス
の流れに乱れが生じ、正常な気相反応を継続し得なくな
った。また基板上に合成されたＺｎｓ結晶は、Ｚｎ 蒸
気の吹き出し口の方向が変化したため、厚み分布が不均
一であった。
これに対して１本考案装宜では、ｚｎ 蒸気ノズルにｚ
ｎＳが付着堆積はしたが１曲らずに成長したため、原料
ガスの流れに乱れが生ぜず。
ｎＳが付着堆積はしたが１曲らずに成長したため、原料
ガスの流れに乱れが生ぜず。
３００時間以上にわたって合成反応乞継続できた。また
原料ガスの吹き出す方向が変化しなかったため、基板上
Ｚｎ１３化合物の厚みは均一となった。
原料ガスの吹き出す方向が変化しなかったため、基板上
Ｚｎ１３化合物の厚みは均一となった。
本発明は１以上詳記したように、拡散の遅い原料ガスの
供給ノズルの周囲に、リング状の拡散の速い原料ガス供
給ノズルが配置されているため、拡散の遅い側の原料ガ
ス供給ノズルに化合物が付着成長するが、その成長の速
度は、ノズルのどちら側の縁でも均等となるため１曲る
ことな（まっすぐ成長する。このため、ノズル部に化合
物が付着しても、出口の形状および向きに変化が生じな
いので１反応部での原料ガスの流れが乱れず、正常に保
持され、長時間気相反応を継続しうる効果が生ずるもの
である。また、原料ガスの吹き出す方向に変化が生じな
いので１合成される化合物の厚み分布は均一となる効果
も生ずるものである。
供給ノズルの周囲に、リング状の拡散の速い原料ガス供
給ノズルが配置されているため、拡散の遅い側の原料ガ
ス供給ノズルに化合物が付着成長するが、その成長の速
度は、ノズルのどちら側の縁でも均等となるため１曲る
ことな（まっすぐ成長する。このため、ノズル部に化合
物が付着しても、出口の形状および向きに変化が生じな
いので１反応部での原料ガスの流れが乱れず、正常に保
持され、長時間気相反応を継続しうる効果が生ずるもの
である。また、原料ガスの吹き出す方向に変化が生じな
いので１合成される化合物の厚み分布は均一となる効果
も生ずるものである。
第１図は従来の気相合成装置の断面図であり。
第２図は同装盾の原料ガス供給ノズル部の拡大断面図で
ある。第３図は本発明の実施例である原料ガス供給部の
横断面図であり、第４図は同原料ガス供給部の縦断面図
である。 １・・・ヒーター ２．２／・・・原料供給ノズル ３・・・基板 ４・・・ＡＢ化合物 ５・・・排気管 ６・・・拡散の遅い原料ガス供給ノズル７・・・拡散の
早い原料ガス供給ノズル（７） 第３図 第４図
ある。第３図は本発明の実施例である原料ガス供給部の
横断面図であり、第４図は同原料ガス供給部の縦断面図
である。 １・・・ヒーター ２．２／・・・原料供給ノズル ３・・・基板 ４・・・ＡＢ化合物 ５・・・排気管 ６・・・拡散の遅い原料ガス供給ノズル７・・・拡散の
早い原料ガス供給ノズル（７） 第３図 第４図
Claims (1)
- 気相合成装置の原料ガス供給部において、拡散の遅い原
料ガス供給ノズルの周囲に、ガス出口形状がリング状で
ある拡散の早い原料ガス供給ノズルを配置したことを特
徴とする気相合成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20281283A JPS6097045A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 気相合成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20281283A JPS6097045A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 気相合成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6097045A true JPS6097045A (ja) | 1985-05-30 |
Family
ID=16463606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20281283A Pending JPS6097045A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 気相合成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6097045A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4748135A (en) * | 1986-05-27 | 1988-05-31 | U.S. Philips Corp. | Method of manufacturing a semiconductor device by vapor phase deposition using multiple inlet flow control |
| JPH06346230A (ja) * | 1993-04-05 | 1994-12-20 | Cvd Inc | 化学蒸着法により化学蒸着構造体を形成する方法および装置 |
| JP2015529648A (ja) * | 2012-07-24 | 2015-10-08 | エボニック インダストリーズ アクチエンゲゼルシャフトＥｖｏｎｉｋ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ ＡＧ | アルケニルハロゲン化シランの製造法およびそのために適した反応器 |
-
1983
- 1983-10-31 JP JP20281283A patent/JPS6097045A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4748135A (en) * | 1986-05-27 | 1988-05-31 | U.S. Philips Corp. | Method of manufacturing a semiconductor device by vapor phase deposition using multiple inlet flow control |
| JPH06346230A (ja) * | 1993-04-05 | 1994-12-20 | Cvd Inc | 化学蒸着法により化学蒸着構造体を形成する方法および装置 |
| JP2015529648A (ja) * | 2012-07-24 | 2015-10-08 | エボニック インダストリーズ アクチエンゲゼルシャフトＥｖｏｎｉｋ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ ＡＧ | アルケニルハロゲン化シランの製造法およびそのために適した反応器 |
| US9718844B2 (en) | 2012-07-24 | 2017-08-01 | Evonik Degussa Gmbh | Process for preparing alkenylhalosilanes and reactor suitable therefor |
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