JPS63289926A - 堆積膜形成装置及びプラズマ処理装置 - Google Patents
堆積膜形成装置及びプラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPS63289926A JPS63289926A JP12387187A JP12387187A JPS63289926A JP S63289926 A JPS63289926 A JP S63289926A JP 12387187 A JP12387187 A JP 12387187A JP 12387187 A JP12387187 A JP 12387187A JP S63289926 A JPS63289926 A JP S63289926A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrates
- deposited film
- substrate
- jet nozzle
- reaction gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 12
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 38
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 241000544061 Cuculus canorus Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は堆積膜形成装置に係り、特に反応ガスを化学反
応させることによって、基体上に堆積膜を形成する堆積
膜形成装置に関する。
応させることによって、基体上に堆積膜を形成する堆積
膜形成装置に関する。
ＣＶＤ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄ＠ｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ ）ｉ置は、形成させようとする薄膜材料
を構成する元素からなる一種ま文はそれ以上の化合物、
単体のガスを基板上に供給し、主として気相での化学反
応（熱分解を含む）により所望の薄膜を形成させる装置
をいい、ＣＶＤの反応に必要なエネルギーは、光。
ｓｉｔｉｏｎ ）ｉ置は、形成させようとする薄膜材料
を構成する元素からなる一種ま文はそれ以上の化合物、
単体のガスを基板上に供給し、主として気相での化学反
応（熱分解を含む）により所望の薄膜を形成させる装置
をいい、ＣＶＤの反応に必要なエネルギーは、光。
熱、プラズマ等によって与るものである。以下、ＣＶＤ
装置の一例として、プラズマＣＶＤ装置について説明す
る。
装置の一例として、プラズマＣＶＤ装置について説明す
る。
第２図（Ａ）は従来のバレル型プラズマＣ■装置の一例
を示す模式的縦断面図である。第２図（Ｂ）は第２回国
のＸ−Ｘ及びＹ−Ｙ横断面の組合せ図である。
を示す模式的縦断面図である。第２図（Ｂ）は第２回国
のＸ−Ｘ及びＹ−Ｙ横断面の組合せ図である。
同図において、１は反応台であシ、円筒形の堆状膜形成
管１ｂと、同じく円筒形のプラズマ生成管１ａと、この
プラズマ生成管１＆に反応ガスを供給する導入管７とか
ら構成される。プラズマ生成管１ａＫｉ人さｎた反応ガ
スはプラズマ生成管外部に設置される高周波コイル２に
よって印加さｎる高周波により活性化さｎてプラズマが
発生し、プラズマ反応によって堆積物が生成され、堆積
膜形成管ｌｂ内で基体支持部材４上の基体３に堆積膜を
形成する。
管１ｂと、同じく円筒形のプラズマ生成管１ａと、この
プラズマ生成管１＆に反応ガスを供給する導入管７とか
ら構成される。プラズマ生成管１ａＫｉ人さｎた反応ガ
スはプラズマ生成管外部に設置される高周波コイル２に
よって印加さｎる高周波により活性化さｎてプラズマが
発生し、プラズマ反応によって堆積物が生成され、堆積
膜形成管ｌｂ内で基体支持部材４上の基体３に堆積膜を
形成する。
上記バレル型プラズマＣＶＤ装置においては、一般的に
堆積膜を堆積させる基体３は、断面が円形のプラズマ生
成管１ａの中心軸と同軸の堆積膜形成管１ｂの中心に配
置さ扛ているが、基体３の中心付近では反応ガスの乱流
が発生しやすく、膜厚。
堆積膜を堆積させる基体３は、断面が円形のプラズマ生
成管１ａの中心軸と同軸の堆積膜形成管１ｂの中心に配
置さ扛ているが、基体３の中心付近では反応ガスの乱流
が発生しやすく、膜厚。
膜質ともにむらが生じやすいという問題点を生じていた
。このような膜厚、＠質のむら等の膜むらは軸対称に近
い形となっており、基体を回転させることによってもあ
まシ改善さｎず、堆積膜から形成される素子の歩留妙を
低下させる要因となっていた。
。このような膜厚、＠質のむら等の膜むらは軸対称に近
い形となっており、基体を回転させることによってもあ
まシ改善さｎず、堆積膜から形成される素子の歩留妙を
低下させる要因となっていた。
本発明の目的は、上記従来技術の問題点に鑑み、膜むら
の少ない堆積膜形成装置を提供することにある。
の少ない堆積膜形成装置を提供することにある。
本発明の堆積膜形成装置は、反応ガスを化学反応させる
ことによって、基体上に堆積膜を形成する堆ｆｊ［形成
装置にお−て、角形形状の反応ガス噴出口と、この反応
ガス噴出口の各辺に対向するように基体が配置さｎ且つ
該基板の回転機構が設けられた基体支持部材とを有する
ことを特徴とする。
ことによって、基体上に堆積膜を形成する堆ｆｊ［形成
装置にお−て、角形形状の反応ガス噴出口と、この反応
ガス噴出口の各辺に対向するように基体が配置さｎ且つ
該基板の回転機構が設けられた基体支持部材とを有する
ことを特徴とする。
なお、本発明において、角形形状とは三角形。
四角形、五角形等の複数の辺を有するものをいう。
本発明の堆積膜形成装置は、反応ガス噴出口を角形形状
に形成し、この反応ガス噴出口の辺に対向するように基
体を配置したことにより、基体に対して略直線状に反応
がスを噴出させ、形成される堆積膜の等原線が基体上を
直線状に横切るような構成とし、さらに基体を回転させ
ることによシ、基体上での堆積膜形成を均一化させよう
とするものである。
に形成し、この反応ガス噴出口の辺に対向するように基
体を配置したことにより、基体に対して略直線状に反応
がスを噴出させ、形成される堆積膜の等原線が基体上を
直線状に横切るような構成とし、さらに基体を回転させ
ることによシ、基体上での堆積膜形成を均一化させよう
とするものである。
以下、本発明の実施例につｂて図面を用すて詳細に説明
する。
する。
なお、本発明の堆積膜形成装置の一例としてバレルをプ
ラズマＣＶＤ装置を取り上げる。
ラズマＣＶＤ装置を取り上げる。
第１図（ト）は本発明によるバレル型プラズマＣＶＤ装
置の一例を示す模式的縦断面図である。第１図（Ｂ）は
第１図（４）のＸ−Ｘ及びＹ−Ｙ横断面の組合せ図であ
る。なお第２図に示したバレル型プラズマＣＶＤ装置と
同一構成部材については同一符号を付する０ 同図において、１は反応管であり、円筒形の堆積膜形成
管１ｂと、同じく円筒形のプラズマ生成管１ａと、この
プラズマ生成管１＆に反応ガスを供給する導入管７とか
ら構成される。プラズマ生成管１ａに導入された反応ガ
スはプラズマ生成管外部に設置さｎる高周波コイル２に
よって印加される高周波により活性化されてプラズマが
発生し、プラズマ反応によって堆積物が生成さｎ、堆積
膜形成管ｌｂ内で基体３上に堆積膜を形成する。本実施
例では第１図囚、（Ｂ）に示すように、プラズマ生成管
１ａと堆積膜形成管１ｂとの間には反応ガス噴出口とな
る方形オリフィス６が設けらｎており、この方形オリフ
ィス６の各辺に対向して４つの基体３が基板支持部材４
上に配置されている。
置の一例を示す模式的縦断面図である。第１図（Ｂ）は
第１図（４）のＸ−Ｘ及びＹ−Ｙ横断面の組合せ図であ
る。なお第２図に示したバレル型プラズマＣＶＤ装置と
同一構成部材については同一符号を付する０ 同図において、１は反応管であり、円筒形の堆積膜形成
管１ｂと、同じく円筒形のプラズマ生成管１ａと、この
プラズマ生成管１＆に反応ガスを供給する導入管７とか
ら構成される。プラズマ生成管１ａに導入された反応ガ
スはプラズマ生成管外部に設置さｎる高周波コイル２に
よって印加される高周波により活性化されてプラズマが
発生し、プラズマ反応によって堆積物が生成さｎ、堆積
膜形成管ｌｂ内で基体３上に堆積膜を形成する。本実施
例では第１図囚、（Ｂ）に示すように、プラズマ生成管
１ａと堆積膜形成管１ｂとの間には反応ガス噴出口とな
る方形オリフィス６が設けらｎており、この方形オリフ
ィス６の各辺に対向して４つの基体３が基板支持部材４
上に配置されている。
基板支持部材４は回転可能となっており、基体３ととも
に回転する。５はカバーであり、基板支持部材４の軸、
特にシール部分に膜が付着し、回転。
に回転する。５はカバーであり、基板支持部材４の軸、
特にシール部分に膜が付着し、回転。
真空特性が劣化するのを防ぐ。
このような構成の堆積膜形成装置において、導入管７か
ら反応ガスを導入する。反応ガスとしては、窒化シリコ
ン膜を堆積させる場合は５ｔＨ４＋Ｎ２又はＮＨ，、酸
化シリコン膜を堆積させる場合はＳｉＨ＋ＮＯ又は０゜
、多結晶シリコン膜を堆積させる場合は５ｌＨ４＋Ｈ２
又はＡｒが用いらｎる。導入さｎた反応ガスは高周波コ
イル内部で活性化さｎてプラズマが発生し、このプラズ
マによって生成し九堆積物は方形オリフィス６を通過す
ることによって、膜厚分布が方形状になるように堆積す
る。
ら反応ガスを導入する。反応ガスとしては、窒化シリコ
ン膜を堆積させる場合は５ｔＨ４＋Ｎ２又はＮＨ，、酸
化シリコン膜を堆積させる場合はＳｉＨ＋ＮＯ又は０゜
、多結晶シリコン膜を堆積させる場合は５ｌＨ４＋Ｈ２
又はＡｒが用いらｎる。導入さｎた反応ガスは高周波コ
イル内部で活性化さｎてプラズマが発生し、このプラズ
マによって生成し九堆積物は方形オリフィス６を通過す
ることによって、膜厚分布が方形状になるように堆積す
る。
この時、基体３は方形オリフィス６の各辺に対向して設
けられているので、堆積膜の等厚縁は基体３上を直線状
に横切る。堆積膜形成速度に合わせて、基体３をそｎぞ
ｎ回転すｎば、基体全体にわｔって、均一な膜厚分布が
得られる。
けられているので、堆積膜の等厚縁は基体３上を直線状
に横切る。堆積膜形成速度に合わせて、基体３をそｎぞ
ｎ回転すｎば、基体全体にわｔって、均一な膜厚分布が
得られる。
又、基体上のガスの流ｎはｒＹｉｍになるので膜質のむ
らも減少する。
らも減少する。
上記実施例において、プラズマを発生させる方式として
は高周波コイル型の他に、容遇結合型でも尋波管を用い
た型でも、又直流放電型でもよ−。
は高周波コイル型の他に、容遇結合型でも尋波管を用い
た型でも、又直流放電型でもよ−。
また、尋人管７は一つしか設けていないが、導入する反
応ガスの種類の数だけ設けてもよい。導・入管７の導入
口を方形形状等の角形形状として基板近傍に設ければ、
前記導入口が反応がス噴出口となり、方形オリフィス６
を設けなくともよい。
応ガスの種類の数だけ設けてもよい。導・入管７の導入
口を方形形状等の角形形状として基板近傍に設ければ、
前記導入口が反応がス噴出口となり、方形オリフィス６
を設けなくともよい。
なお、方形オリフィス６を設けずにプラズマ発生％ｉ
１ ｍの管断面形状を方形形状としてもよい。
１ ｍの管断面形状を方形形状としてもよい。
反応ガス噴出口の形状は方形形状に限定されず三角形、
五角形等でもｒ＜、また基体が一枚の場合はスリット状
であってもよい。
五角形等でもｒ＜、また基体が一枚の場合はスリット状
であってもよい。
本実施例の、用途としてはＣＶＤのみならず、プラズマ
を用いる諸プロセス（エツチング、酸化・窒化、アッシ
ング）にも有効である。
を用いる諸プロセス（エツチング、酸化・窒化、アッシ
ング）にも有効である。
なお、本発明の堆積膜形成装置において、ＣＶＤ反応は
プラズマ反応に限定さｎず熱分解、光反応等を用いｔも
のであってもよい。
プラズマ反応に限定さｎず熱分解、光反応等を用いｔも
のであってもよい。
以上、詳細に説明したように１本発明の堆積膜形成装置
によｎば、基体面上に堆積膜を均一な膜厚、膜質で形成
することができ、製造工程上の歩留りを向上させ、堆積
膜の品質を向上させることができる。
によｎば、基体面上に堆積膜を均一な膜厚、膜質で形成
することができ、製造工程上の歩留りを向上させ、堆積
膜の品質を向上させることができる。
第１図（Ａｈ本発明によるバレル型プラズマＣＶＤ装置
の一例を示す模式的縦断面図である。第１図（Ｂ）は第
１図（Ａ）のＸ−Ｘ及びＹ−Ｙ横断面の組合せ図である
。 第２図体）は従来のバレル型プラズマＣＶＤ装置の一例
を示す模式的縦断面図である。第２図（Ｂ）は第２回国
のＸ−Ｘ及びＹ−Ｙ横断面の組合せ図である。 １・・・反応管、１ａ・・・プラズマ生成管、１ｂ・・
・堆積膜形成管、２・・・高周波コイル、３・・・基体
、４・・・基体支持部材、５・−・カックー、６・・・
方形オリフィス、７・・・導入管 代理人 弁理士 山 下 穣 平 第１図
の一例を示す模式的縦断面図である。第１図（Ｂ）は第
１図（Ａ）のＸ−Ｘ及びＹ−Ｙ横断面の組合せ図である
。 第２図体）は従来のバレル型プラズマＣＶＤ装置の一例
を示す模式的縦断面図である。第２図（Ｂ）は第２回国
のＸ−Ｘ及びＹ−Ｙ横断面の組合せ図である。 １・・・反応管、１ａ・・・プラズマ生成管、１ｂ・・
・堆積膜形成管、２・・・高周波コイル、３・・・基体
、４・・・基体支持部材、５・−・カックー、６・・・
方形オリフィス、７・・・導入管 代理人 弁理士 山 下 穣 平 第１図
Claims (1)
- （１）反応ガスを化学反応させることによって、基体上
に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、 角形形状の反応ガス噴出口と、この反応ガス噴出口の辺
に対向するように基体が配置され且つ該基板の回転機構
が設けられた基体支持部材とを有する堆積膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62123871A JP2783796B2 (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | 堆積膜形成装置及びプラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62123871A JP2783796B2 (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | 堆積膜形成装置及びプラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63289926A true JPS63289926A (ja) | 1988-11-28 |
| JP2783796B2 JP2783796B2 (ja) | 1998-08-06 |
Family
ID=14871440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62123871A Expired - Fee Related JP2783796B2 (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | 堆積膜形成装置及びプラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2783796B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992020464A1 (en) * | 1991-05-10 | 1992-11-26 | Celestech, Inc. | Method and apparatus for plasma deposition |
| US5204144A (en) * | 1991-05-10 | 1993-04-20 | Celestech, Inc. | Method for plasma deposition on apertured substrates |
| US5342660A (en) * | 1991-05-10 | 1994-08-30 | Celestech, Inc. | Method for plasma jet deposition |
| US5364423A (en) * | 1990-11-16 | 1994-11-15 | Norton Company | Method for making diamond grit and abrasive media |
| US5551983A (en) * | 1994-11-01 | 1996-09-03 | Celestech, Inc. | Method and apparatus for depositing a substance with temperature control |
| US5679404A (en) * | 1995-06-07 | 1997-10-21 | Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation | Method for depositing a substance with temperature control |
| US6173672B1 (en) | 1997-06-06 | 2001-01-16 | Celestech, Inc. | Diamond film deposition on substrate arrays |
| US6406760B1 (en) | 1996-06-10 | 2002-06-18 | Celestech, Inc. | Diamond film deposition on substrate arrays |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58185498A (ja) * | 1982-04-21 | 1983-10-29 | Clarion Co Ltd | 薄膜気相成長装置 |
| JPS60169134A (ja) * | 1984-02-13 | 1985-09-02 | Seiko Epson Corp | 化合物半導体薄膜の製造方法 |
| JPS6273707A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-04 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
| JPS62193129A (ja) * | 1986-02-19 | 1987-08-25 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
| JPS63162596A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 有機金属気相成長装置 |
-
1987
- 1987-05-22 JP JP62123871A patent/JP2783796B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58185498A (ja) * | 1982-04-21 | 1983-10-29 | Clarion Co Ltd | 薄膜気相成長装置 |
| JPS60169134A (ja) * | 1984-02-13 | 1985-09-02 | Seiko Epson Corp | 化合物半導体薄膜の製造方法 |
| JPS6273707A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-04 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
| JPS62193129A (ja) * | 1986-02-19 | 1987-08-25 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
| JPS63162596A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 有機金属気相成長装置 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5364423A (en) * | 1990-11-16 | 1994-11-15 | Norton Company | Method for making diamond grit and abrasive media |
| WO1992020464A1 (en) * | 1991-05-10 | 1992-11-26 | Celestech, Inc. | Method and apparatus for plasma deposition |
| US5204144A (en) * | 1991-05-10 | 1993-04-20 | Celestech, Inc. | Method for plasma deposition on apertured substrates |
| US5342660A (en) * | 1991-05-10 | 1994-08-30 | Celestech, Inc. | Method for plasma jet deposition |
| US5435849A (en) * | 1991-05-10 | 1995-07-25 | Celestech, Inc. | Apparatus for plasma deposition |
| US5487787A (en) * | 1991-05-10 | 1996-01-30 | Celestech, Inc. | Apparatus and method for plasma deposition |
| US5551983A (en) * | 1994-11-01 | 1996-09-03 | Celestech, Inc. | Method and apparatus for depositing a substance with temperature control |
| US5683759A (en) * | 1994-11-01 | 1997-11-04 | Celestech, Inc. | Method for depositing a substance with temperature control |
| US5679404A (en) * | 1995-06-07 | 1997-10-21 | Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation | Method for depositing a substance with temperature control |
| US6099652A (en) * | 1995-06-07 | 2000-08-08 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | Apparatus and method for depositing a substance with temperature control |
| US6406760B1 (en) | 1996-06-10 | 2002-06-18 | Celestech, Inc. | Diamond film deposition on substrate arrays |
| US6173672B1 (en) | 1997-06-06 | 2001-01-16 | Celestech, Inc. | Diamond film deposition on substrate arrays |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2783796B2 (ja) | 1998-08-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6270862B1 (en) | Method for high density plasma chemical vapor deposition of dielectric films | |
| JP5909484B2 (ja) | 短寿命種のためのプラズマ源を組み込んだプロセスチャンバ蓋の設計 | |
| US4676195A (en) | Apparatus for performing plasma chemical vapor deposition | |
| US20040082171A1 (en) | ALD apparatus and ALD method for manufacturing semiconductor device | |
| US11028481B2 (en) | Substrate treating apparatus and method | |
| TW201319302A (zh) | 在直線型大面積的電漿反應器均勻處理的氣體輸送和分配系統及其處理腔室 | |
| JPH02114530A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP3699142B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPS62152171A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPS63289926A (ja) | 堆積膜形成装置及びプラズマ処理装置 | |
| JP3350433B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH06279998A (ja) | 円筒内面のドライコーティング方法 | |
| JP2848755B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2022524280A (ja) | 複数のプレナムおよびガス分配室を有する堆積ツール用のシャワーヘッド | |
| JPH0881777A (ja) | プラズマｃｖｄ装置およびプラズマｃｖｄ方法 | |
| JP2630089B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| US6179919B1 (en) | Apparatus for performing chemical vapor deposition | |
| JPH0590939U (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH01188678A (ja) | プラズマ気相成長装置 | |
| JPH0892746A (ja) | プラズマ化学蒸着方法及び装置 | |
| JPH0372080A (ja) | プラズマ気相成長装置 | |
| JP3486281B2 (ja) | プラズマ化学蒸着装置の真空容器 | |
| TW202330980A (zh) | 半導體處理室、基板處理總成及處理半導體基板之方法 | |
| JPH05166728A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS62142780A (ja) | 堆積膜形成法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |