JPS60169134A - 化合物半導体薄膜の製造方法 - Google Patents
化合物半導体薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS60169134A JPS60169134A JP2459784A JP2459784A JPS60169134A JP S60169134 A JPS60169134 A JP S60169134A JP 2459784 A JP2459784 A JP 2459784A JP 2459784 A JP2459784 A JP 2459784A JP S60169134 A JPS60169134 A JP S60169134A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- compound semiconductor
- semiconductor thin
- substrate
- gaseous raw
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、ＭＯ−ＯＶＤ法による化合物半導体薄膜の製
造方法に関する〇 〔従来技術〕 近年、光素子への化合物半導体の応用が進み、酊−Ｖ族
半導体、ｎ−ｗ族半導体の製造技術開発の要求が高まっ
ている。
造方法に関する〇 〔従来技術〕 近年、光素子への化合物半導体の応用が進み、酊−Ｖ族
半導体、ｎ−ｗ族半導体の製造技術開発の要求が高まっ
ている。
こうした状況において、生産性に優れたＭＯ−〇ＶＤ法
が注目されている。この方法は、例えばＧ ａ （０２
Ｈ！＋ ） 、等の有機金属化合物を気相熱分解させる
ことにより、ＧａＡｓなどの化合物半導体を基板表面に
成長させるものである。ＭＯ−ＯＶＤ法においては、原
料を気体で供給するので、古くから知られている液相エ
ピタキシャル法に比べて高純度の半導体薄膜を作ること
ができ、また気体原料の組成比を変えることにより、生
成物の組成を連続的に変えることも可能であるなどの特
徴を有している。さらにＭＢＥ法（分子線エピタキシャ
ル法）と比べても、高真空にする必要がなく、生産性に
優れているなどの特徴を有している。
が注目されている。この方法は、例えばＧ ａ （０２
Ｈ！＋ ） 、等の有機金属化合物を気相熱分解させる
ことにより、ＧａＡｓなどの化合物半導体を基板表面に
成長させるものである。ＭＯ−ＯＶＤ法においては、原
料を気体で供給するので、古くから知られている液相エ
ピタキシャル法に比べて高純度の半導体薄膜を作ること
ができ、また気体原料の組成比を変えることにより、生
成物の組成を連続的に変えることも可能であるなどの特
徴を有している。さらにＭＢＥ法（分子線エピタキシャ
ル法）と比べても、高真空にする必要がなく、生産性に
優れているなどの特徴を有している。
第１図は・従来一般に用いられているＭＯ−ＯＶＤ装置
の概略を示す図である。この方法は第１の気体原料２と
第２の気体原料４とを導入管３を用いて両者を分離して
反応容器５内に導入し、基板支持台６上に載置された基
板１の表面で混合させるもので、基板１を加熱源７で加
熱しておくと、混合された第１および第２の気体原料は
、分解、反応して基板１上に化合物半導体薄膜が形成さ
れるＯ このような従来の方法は、第１および第２の気体原料が
基板１上で均一に混合しにくいため、基板の面積が大き
くなると、部分的に組成が異なってしまい、均一な化合
物半導体薄膜が得られないという欠点を有している。
の概略を示す図である。この方法は第１の気体原料２と
第２の気体原料４とを導入管３を用いて両者を分離して
反応容器５内に導入し、基板支持台６上に載置された基
板１の表面で混合させるもので、基板１を加熱源７で加
熱しておくと、混合された第１および第２の気体原料は
、分解、反応して基板１上に化合物半導体薄膜が形成さ
れるＯ このような従来の方法は、第１および第２の気体原料が
基板１上で均一に混合しにくいため、基板の面積が大き
くなると、部分的に組成が異なってしまい、均一な化合
物半導体薄膜が得られないという欠点を有している。
この欠点を解決するための方法が、「Ｔｈ１ｎＦ３ｏ１
ｔｄ ？４Ｑｍｓ、５５（１９７８）、３７６」に示さ
れている。そこで用いられている装置の概略を第２図に
示す◇この方法は、第１の気体原料を導入するための導
入管８を太くすると共に、基板支持台９の形状を図のよ
うに上面を半球にし、その底部に基板１を配置して基板
上での気体原料の流れを一様化することにより、均一な
化合物半導体薄膜が得られるようにしたものである。し
か′しこの方法では、基板支持台９の形状から明らかな
ように、基板を平板のまま大面積化することがむずかし
いという欠点を有している。
ｔｄ ？４Ｑｍｓ、５５（１９７８）、３７６」に示さ
れている。そこで用いられている装置の概略を第２図に
示す◇この方法は、第１の気体原料を導入するための導
入管８を太くすると共に、基板支持台９の形状を図のよ
うに上面を半球にし、その底部に基板１を配置して基板
上での気体原料の流れを一様化することにより、均一な
化合物半導体薄膜が得られるようにしたものである。し
か′しこの方法では、基板支持台９の形状から明らかな
ように、基板を平板のまま大面積化することがむずかし
いという欠点を有している。
本発明の目的は、上述の欠点を解決し、大面積でかつ均
一な化合物半導体薄膜を形成し得る製造方法を提供する
ことにある。
一な化合物半導体薄膜を形成し得る製造方法を提供する
ことにある。
本発明は、反応容器中に複数の気体原料を別々に導入し
、基板上で反応させて化合物半導体薄膜を形成するＭＯ
−ＯＶＤ法による化合物半導体薄膜の製造方法において
、前記懐数の気体原料のそれぞれを複数の導入経路を用
いて導入することを特徴とするものである。
、基板上で反応させて化合物半導体薄膜を形成するＭＯ
−ＯＶＤ法による化合物半導体薄膜の製造方法において
、前記懐数の気体原料のそれぞれを複数の導入経路を用
いて導入することを特徴とするものである。
第６図に本発明の製造方法で用いられるＭＯ−ＯＶＤ装
置の一例を示す。図から明らかなように、第１の気体原
料２を導入する導入管１０を途中から２つに枝分れして
おり、基板上には２ケ所から第１の気体原料が導入され
、第２の気体原料３は、残った部分から数ケ所に分れて
導入される。−例としてジエチル亜鉛を含むキャリアー
ガスを第１の気体原料とし、硫化水素を含むキャリアー
ガスを第２の気体原料としてＺｎＳなる化合物半導体薄
膜を形成したところ、従来の２倍の面積の基板を用いた
にもかかわらず、きわめて均一性にすぐれた薄膜が得ら
れた。
置の一例を示す。図から明らかなように、第１の気体原
料２を導入する導入管１０を途中から２つに枝分れして
おり、基板上には２ケ所から第１の気体原料が導入され
、第２の気体原料３は、残った部分から数ケ所に分れて
導入される。−例としてジエチル亜鉛を含むキャリアー
ガスを第１の気体原料とし、硫化水素を含むキャリアー
ガスを第２の気体原料としてＺｎＳなる化合物半導体薄
膜を形成したところ、従来の２倍の面積の基板を用いた
にもかかわらず、きわめて均一性にすぐれた薄膜が得ら
れた。
なお、第３図では第１の気体原料の導入経路が２つの例
を示したが、本発明はこれに限られるものではない。第
４図に、導入管の具体的形状の一例を示す。第１の気体
原料２０と第２の気体原料２１とは、それぞれ導入口２
４．２５から別々の容器２６と２７内に導入され、複数
の仕切り５０で分離された複数の導入路２２と２３に、
それぞれ噴出孔２８と２９から別々に噴出され、基板上
で均一に混合される。導入路２２と２３の数を多くする
ほど、より大面積の均一な薄膜が得られ、かつ気体原料
を加圧して高速で噴射させると、より均一に混合させる
ことができる。
を示したが、本発明はこれに限られるものではない。第
４図に、導入管の具体的形状の一例を示す。第１の気体
原料２０と第２の気体原料２１とは、それぞれ導入口２
４．２５から別々の容器２６と２７内に導入され、複数
の仕切り５０で分離された複数の導入路２２と２３に、
それぞれ噴出孔２８と２９から別々に噴出され、基板上
で均一に混合される。導入路２２と２３の数を多くする
ほど、より大面積の均一な薄膜が得られ、かつ気体原料
を加圧して高速で噴射させると、より均一に混合させる
ことができる。
以上述べた如く、従来ＭＯ−ＯＶＤ法で用いる気体原料
は混合するとすぐに反応してしまう性質を有しており、
基板上まで別々に導入しなければならないため、大面積
の基板上で均一に混合させることがむずかしかったが、
本発明によれば、従来のＭＯ−ＯＶＤ装置の構造をごく
一部変更するだけで、従来よりも大面積でかつ均一性に
すぐれた化合物半導体薄膜が得られるものであり、その
効果はきわめて大であり、半導体レーザーの量産化、Ｋ
Ｌ表示素子などの各種半導体デバイスの進展に大いに貢
献し得るものである。
は混合するとすぐに反応してしまう性質を有しており、
基板上まで別々に導入しなければならないため、大面積
の基板上で均一に混合させることがむずかしかったが、
本発明によれば、従来のＭＯ−ＯＶＤ装置の構造をごく
一部変更するだけで、従来よりも大面積でかつ均一性に
すぐれた化合物半導体薄膜が得られるものであり、その
効果はきわめて大であり、半導体レーザーの量産化、Ｋ
Ｌ表示素子などの各種半導体デバイスの進展に大いに貢
献し得るものである。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は、従来のＭＯ−ＯＶＤ装置の概略
を示す図である。 第５図は、本発明で用いられるＭＯ−ＯＶＤ装置の概略
を示す図である。 第４図は、本発明で用いられる気体原料の導入管の具体
的形状の一例を示す図である。 １・・・・基板 ２．２０・・・・・・第１の気体原料 ４．２１・・・・・・第２の気体原料 ５・・・・・反応容器 ６・・・・・基板支持台 ７・・・・・・加熱源 １０・・・・・・導入管 ２２．２３・・・・・・導入路 ２４．２５・・・・・導入口 ２６．２７・・・・・・容器 ２８．２９・・・・・・噴出口 ３０・・・・・・仕切り 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第１図 ？ 第２図
を示す図である。 第５図は、本発明で用いられるＭＯ−ＯＶＤ装置の概略
を示す図である。 第４図は、本発明で用いられる気体原料の導入管の具体
的形状の一例を示す図である。 １・・・・基板 ２．２０・・・・・・第１の気体原料 ４．２１・・・・・・第２の気体原料 ５・・・・・反応容器 ６・・・・・基板支持台 ７・・・・・・加熱源 １０・・・・・・導入管 ２２．２３・・・・・・導入路 ２４．２５・・・・・導入口 ２６．２７・・・・・・容器 ２８．２９・・・・・・噴出口 ３０・・・・・・仕切り 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第１図 ？ 第２図
Claims (3)
- （１） 反応容器中に複数の気体原料を別々に導入し、
基板上で反応させて化合物半導体薄膜を形成するＭＯ−
ＧＶＤ法による化合物半導体薄膜の製造方法において、
前記複数の気体原料のそれぞれを複数の導入経路を用い
て導入することを特徴をする化合物半導体薄膜の製奈方
法・ - （２）前記気体原料として有機金属化合物を用いた特許
請求の範囲第１項記載の化合物半導体薄膜の製造方法。 - （３）前記基板上に前記気体原料を高速で噴射させる特
許請求の範囲第１項または第２項記載の化合物半導体薄
膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2459784A JPS60169134A (ja) | 1984-02-13 | 1984-02-13 | 化合物半導体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2459784A JPS60169134A (ja) | 1984-02-13 | 1984-02-13 | 化合物半導体薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60169134A true JPS60169134A (ja) | 1985-09-02 |
Family
ID=12142559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2459784A Pending JPS60169134A (ja) | 1984-02-13 | 1984-02-13 | 化合物半導体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60169134A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63289926A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-28 | Canon Inc | 堆積膜形成装置及びプラズマ処理装置 |
-
1984
- 1984-02-13 JP JP2459784A patent/JPS60169134A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63289926A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-28 | Canon Inc | 堆積膜形成装置及びプラズマ処理装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4468283A (en) | Method for etching and controlled chemical vapor deposition | |
| US7011711B2 (en) | Chemical vapor deposition reactor | |
| JPH04287312A (ja) | 気相エピタキシャル成長装置および気相エピタキシャル成長方法 | |
| EP2984678B1 (en) | Method of producing epitaxial layer of binary semiconductor material | |
| JPS60169134A (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法 | |
| JPS6412522A (en) | Semiconductor crystal epitaxy method | |
| GB1412602A (en) | Method and apparatus for producing a multi layer semi-conductor device utilizing liquid growth | |
| US4279669A (en) | Method for epitaxial deposition | |
| JP3757698B2 (ja) | 半導体製造装置および半導体製造システム | |
| JPS58176196A (ja) | 化合物結晶成長装置 | |
| JP2008506617A (ja) | ＳｉとＧｅを含有する膜の堆積方法 | |
| JPS63227007A (ja) | 気相成長方法 | |
| JPS593099A (ja) | 化合物半導体結晶成長法 | |
| JPS63260124A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS58209117A (ja) | 化合物半導体膜の製造方法 | |
| JPS62247520A (ja) | 気相処理装置 | |
| JPH02107593A (ja) | 気相エピタキシヤル成長用クラスト形成装置 | |
| JPH07142406A (ja) | 半導体の気相成長方法及び装置 | |
| JPS63307192A (ja) | 化合物結晶の製造方法及びその装置 | |
| CN114855268A (zh) | 一种用于多片生长氮化镓及其合金的hvpe设备 | |
| JPH02133390A (ja) | 多層エピタキシヤル成長方法及び成長装置 | |
| JPS5520282A (en) | Vapor phase growing method for crystal | |
| JPH02219246A (ja) | 気相エピタキシャル成長方法 | |
| JPH0645264A (ja) | 気相成長方法 | |
| JPH02235348A (ja) | 気相エピタキシャル成長装置 |