KR20040102600A - 반도체 소자 제조를 위한 증착 장치 - Google Patents

반도체 소자 제조를 위한 증착 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20040102600A
KR20040102600A KR1020030034120A KR20030034120A KR20040102600A KR 20040102600 A KR20040102600 A KR 20040102600A KR 1020030034120 A KR1020030034120 A KR 1020030034120A KR 20030034120 A KR20030034120 A KR 20030034120A KR 20040102600 A KR20040102600 A KR 20040102600A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
injection
gas
line
supply pipe
rotary module
Prior art date
Application number
KR1020030034120A
Other languages
English (en)
Inventor
박인성
박영욱
임은택
이병근
김경석
최한메
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020030034120A priority Critical patent/KR20040102600A/ko
Publication of KR20040102600A publication Critical patent/KR20040102600A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B19/00—Driving, starting, stopping record carriers not specifically of filamentary or web form, or of supports therefor; Control thereof; Control of operating function ; Driving both disc and head
    • G11B19/20—Driving; Starting; Stopping; Control thereof
    • G11B19/2009—Turntables, hubs and motors for disk drives; Mounting of motors in the drive
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/08—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers
    • G11B7/085—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam into, or out of, its operative position or across tracks, otherwise than during the transducing operation, e.g. for adjustment or preliminary positioning or track change or selection
    • G11B7/0857—Arrangements for mechanically moving the whole head
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02K—DYNAMO-ELECTRIC MACHINES
    • H02K5/00—Casings; Enclosures; Supports
    • H02K5/04—Casings or enclosures characterised by the shape, form or construction thereof
    • H02K5/16—Means for supporting bearings, e.g. insulating supports or means for fitting bearings in the bearing-shields
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B2220/00—Record carriers by type
    • G11B2220/20—Disc-shaped record carriers
    • G11B2220/25—Disc-shaped record carriers characterised in that the disc is based on a specific recording technology
    • G11B2220/2537—Optical discs

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조에 사용되는 증착장치에 관한 것으로, 상기 장치는 공정챔버, 상기 공정챔버 내에 배치되며, 반도체 기판이 놓여지는 기판지지부, 반응가스가 공급되는 가스공급관, 그리고 상기 가스공급관으로부터 공급된 반응가스를 상기 기판지지부에 놓여진 상기 반도체 기판 상으로 공급하는 분사부를 가지며, 상기 분사부는 상기 가스공급관과 연결되며 회전가능한 회전모듈과 상기 회전모듈의 측부에 연결되며 하부 및 측부에 복수의 분사공들이 형성된 적어도 하나의 분사아암를 가진다.
본 발명에 의한 장치에 의하면 복수의 웨이퍼들에 대해 동시에 증착공정이 수행될 때 모든 웨이퍼들에 대해 증착이 균일하게 이루어질 수 있다.

Description

반도체 소자 제조를 위한 증착 장치{DEPOSITION APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES}
본 발명은 반도체 소자를 제조하기 위한 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 웨이퍼의 표면에 소정의 막을 증착시키는 증착 장치에 관한 것이다.
웨이퍼 상에 소정의 막을 증착하는 방법으로는 스퍼터법, 화학 기상 증착법, 원자층 증착법 등이 있다. 화학 기상 증착법은 반응 챔버 내에 두 가지 이상의 반응 가스들을 동시에 공급하여 기상 상태의 반응 가스들 사이의 반응 및 웨이퍼 표면에서의 흡착을 통하여 막을 증착하는 방법이다. 원자층 증착법은 반응 챔버 내로 두 가지 이상의 반응 가스들을 순차적으로 공급하면서 각각의 반응 가스의 분해 및 흡착을 통하여 원자층 단위의 막을 증착하는 방법이다. 원자층 증착법은 일반적인 화학 기상 증착법에 비하여 비교적 낮은 온도에서 보다 우수한 스텝 커버리지를갖는 박막을 증착시킬 수 있고 원자층 단위로 박막을 제어할 수 있어 나노 스케일의 얇은 박막을 증착하는 데 효과적이다.
현재 원자층 증착법을 이용한 설비는 반응물의 공급방식에 따라 트래블링 웨이브 타입(traveling type)과 샤워 헤드 타입(shower head type)이 있으며, 기판의 매수에 따라 하나의 웨이퍼에 대해 공정을 진행하는 싱글 웨이퍼 타입(single wafer type), 2 내지 5매의 웨이퍼에 대해 동시에 공정이 진행되는 멀티 웨이퍼 타입(multi-wafer type), 그리고 25매 이상의 웨이퍼에 대해 동시에 공정이 진행되는 배치타입(batch type)이 있다.
그러나 도 1에 도시된 트래블링 타입 증착 장치(2)의 경우 웨이퍼(W)가 놓여지는 서셉터(12)의 일측에 반응가스를 챔버내로 유입하는 유입부(14)가 형성되고, 그와 마주보는 타측에 증착후 잔류하는 가스들을 배기하는 배기부(16)가 형성된다. 즉, 반응가스는 도 1에 화살표로 표시된 바와 같이 반응가스의 증착은 웨이퍼(W) 일측에서부터 타측으로 순차적으로 진행되므로 증착두께가 상이해진다. 즉, 도 2에서 보는 바와 같이 웨이퍼 일측에서 타측으로 갈수록 증착 두께가 달라진다.
또한, 도 3에 도시된 샤워헤드 타입 증착 장치(3)의 경우 웨이퍼(W)가 놓여지는 서셉터(22)의 상부에 복수의 홀들(32)이 형성된 샤워헤드(30)가 배치되고, 반응가스들은 샤워헤드(30)를 통해서 균일하게 분산되어 웨이퍼 상(W)으로 공급된다. 이는 트래블링 타입에 비해 웨이퍼 전체 영역에 균일하게 반응가스를 분사할 수 있는 장점이 있으나, 예컨데 4개의 웨이퍼에 멀티 웨이퍼 타입에 사용할 경우 샤워헤드(30)는 4개의 웨이퍼 전체 영역을 커버할 수 있을 정도의 크기(대략 웨이퍼 직경의 2.5배)를 가져야 하므로 샤웨헤드 제작에 비용이 매우 많이 소요된다. 특히 웨이퍼가 200mm에서 300mm로 대구경화되는 점을 감안할 때 이들을 모두 커버할 수 있는 샤워헤드의 제작은 거의 불가능하다.
본 발명은 웨이퍼 상으로 반응가스를 균일하게 공급할 수 있는 증착 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 저렴한 비용으로 복수의 웨이퍼들에 대해 동시에, 그리고 균일하게 반응가스를 공급할 수 있는 증착 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 일반적인 증착장치의 일예를 개략적으로 보여주는 도면;
도 2는 도 1의 장치 사용시 웨이퍼의 위치에 따른 증착 두께를 보여주는 도면;
도 3은 일반적인 증착장치의 다른예를 개략적으로 보여주는 도면;
도 4는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 증착 장치의 단면도;
도 5는 도 4의 연결체와 분사아암의 사시도;
도 6은 도 5의 저면도;
도 7a와 도 7b는 각각 분사아암에 형성된 분사공들의 상이한 크기 및 간격을 보여주는 도면;
도 8은 도 4의 증착 장치의 변형된 예를 보여주는 단면도;
도 9는 복수의 분사아암이 하나의 서셉터에 놓인 웨이퍼에 가스를 분사하는 것을 보여주는 도면; 그리고
도 10은 웨이퍼에 형성된 언더컷 상에서 반응가스의 흐름을 보여주는 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 공정챔버 200 : 기판지지부
220 : 베이스 240 : 지지판
260 : 서셉터 300 : 분사부
320 : 회전체 340 : 연결체
360 : 분사아암 500 : 가스공급관
520 : 제 1라인 540a, 540b : 제 2라인
560 : 제 3라인 640a : 제 1공급관
640b : 제 2공급관
상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명인 증착장치는 공정챔버와 상기 공정챔버 내에 배치되며, 반도체 기판이 놓여지는 기판지지부, 그리고 반응가스가 공급되는 가스공급관을 가진다. 상기 공정챔버 내에 상기 기판지지부와 대향되도록 상기 기판지지부의 상부에 배치되며 상기 가스공급관으로부터 공급된 반응가스를 상기 기판지지부에 놓여진 상기 반도체 기판 상으로 공급하는 분사부와 상기 공정챔버 내에 잔류하는 가스 또는 공정부산물들을 배기하는 배기부를 제공된다.
상기 분사부는 상기 가스공급관과 연결되며 회전가능한 회전모듈과 상기 회전모듈의 측부에 연결되며 하부 및 측부에 복수의 분사공들이 형성된 적어도 하나의 분사아암, 그리고 상기 지지판을 회전하는 구동부를 가진다. 또한, 상기 기판지지부는 지지판과 상기 지지판 상에 설치되며 사방으로 균등하게 배치된 복수의 서셉터들을 가진다.
상기 회전모듈은 상기 지지판의 중심부 상부에 위치되고, 상기 분사아암은 상기 서셉터에 놓여진 상기 반도체 기판의 상부 전체를 커버할 수 있는 길이를 가진다.상기 분사공들은 상기 회전모듈로부터 멀어질수록 크기가 증가하거나 상기 회전모듈로부터 멀어질수록 조밀하게 형성될 수 있다. 또한, 상기 분사부는 상기 회전모듈의 측부에 균등한 간격으로 탈착가능하게 연결된 복수의 분사아암들을 가진다.
일예에 의하면 상기 가스공급관은 상기 회전모듈과 연결된 제 1라인과 상기 제 1라인으로부터 분기되어 각각 가스저장부와 연결된 적어도 2개의 제 2라인들을 가지며, 상기 제 2라인에는 상기 제 2라인 내의 통로를 개폐하는 밸브가 각각 설치된다. 상기 가스공급관은 상기 제 1라인으로부터 분기되며, 상기 제 1라인으로 퍼지가스를 공급하는 제 3라인이 제공될 수 있다.
또다른 예에 의하면 상기 분사부는 상기 연결체에 균등한 간격으로 연결된 복수의 상기 분사아암들을 가지고, 상기 가스공급관은 하나의 상기 분사아암과 하나의 가스저장부를 직접 연결하는 연결관들을 가지며, 상기 반응가스들은 서로 상이한 통로를 통해 상기 반도체 기판에 공급된다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 4 내지 도 10을 참조하면서 보다 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 증착장치(1)를 개략적으로 보여주는 단면도이다. 도 4를 참조하면, 장치(1)는 공정챔버(100), 기판지지부(200), 분사부(300), 배기부(400), 그리고 가스공급관(500)을 가진다. 공정챔버(100)는 증착공정이 수행되는 공간을 제공하는 부분으로 공정진행시 외부로부터 차단된다. 공정챔버(100)는 상부면이 개방된 바울(bowl)형상의 하우징(housing)(140)과 하우징(140)의 개방된 상부면을 개폐하는 덮개(120)를 가진다. 하우징(140) 하측벽에는 공정챔버(100) 내부를 소정압력으로 유지하고 공정부산물을 배기하기 위한 배기관(400)이 연결되는 배기구(160)가 형성될 수 있다. 이와 달리 후술할 지지판(240)의 상부에 배기를 위한 홀들이 형성되고, 베이스(220) 내부에 배기라인이 형성되며, 배기관(400)은 배기라인에 연결될 수 있다.
공정챔버(100) 내의 하부에는 웨이퍼와 같은 반도체 기판(W)이 놓여지는 기판지지부(200)가 배치된다. 기판지지부(200)는 베이스(220)와 지지판(240), 그리고 서셉터들(260)을 가진다. 서셉터들(260)은 각각 웨이퍼(W)가 놓여지는 부분으로 지지판(240) 상에 설치된다. 지지판(240)은 원형의 플레이트이며, 서셉터들(260)은 지지판(240) 상에 지지판(240)의 중심을 기준으로 균등한 간격으로 배치되도록 설치될 수 있다. 도 4에서는 4개의 서셉터들(260)이 정방형으로 배치되도록 도시되었으나 이는 일예에 불과하며, 이보다 더 많거나 적은 수의 서셉터들(260)이 배치될 수 있다. 지지판(240)은 베이스(220) 상에 위치되며, 베이스(220)의 내부에는 반응가스의 증착을 위해 서셉터들(260)을 가열하는 나선 형상의 가열코일들(도시되지않음)이 위치될 수 있다. 지지판(240)의 하부에는 지지판(240)을 지지하기 위해 일단이 지지판(240)과 결합된 지지로드(282)가 위치되며, 지지로드(282)는 베이스(220)를 관통하여 공정챔버(100)의 외부까지 연장된다. 지지로드(282)의 타단에는 지지판(240)과 함께 지지로드(282)를 회전시키는 모터와 같은 구동부(284)가 위치될 수 있다.
공정챔버의 덮개(120)에는 분사부(300)가 결합되며, 분사부(300)에는 가스공급관(500)이 연결된다. 가스공급관(500)은 제 1라인(520)과 제 1라인(520)으로부터 분기된 제 2라인들(540)을 가진다. 제 2라인(540a, 540b)은 반응가스들이 각각 저장된 반응가스 저장부(580a, 580b)와 연결되며, 각각의 제 2라인(540a, 540b)에는 각각의 제 2라인(540a, 540b)의 통로를 개폐하기 위한 밸브(542a, 542b))가 설치된다. 비록 도 4에서는 2개의 제 2라인들(540)이 도시되었으나 반응에 참여하는 반응가스들의 수에 따라 제 2라인들(540)의 수는 이보다 많을 수 있다. 제 2라인(540)을 통해 공급된 반응가스는 제 1라인(520)을 통해 분사부(300)로 공급된다. 또한, 제 1라인(520)으로부터 제 2라인들(540) 외에도 제 3라인(560)이 분기될 수 있다. 제 3라인(560)은 질소와 같은 퍼지가스(purge gas)가 저장된 퍼지가스 저장부(590)와 연결되며, 제 3라인(560)의 통로를 개폐하는 밸브(562)가 제 3라인(560)에 설치된다. 그러나 이와 달리 공정챔버(100)의 측벽에 퍼지가스 공급관이 형성되어 퍼지가스는 이를 통해 공정챔버(100) 내부로 공급될 수 있다.
즉, 원자층 증착법에 의해 증착공정이 진행될 때 제 2라인들(540) 중 제 1반응가스가 공급되는 제 2라인(540a)의 밸브(542a)만이 열려, 제 1반응가스가 제 2라인(540a)과 제 1라인(520)을 통해 분사부(300)로 공급되고, 분사아암(360)을 통해 아래로 분사되어 웨이퍼 상에 증착된다. 다음에 제 2라인들(540)에 설치된 밸브들(542a, 542b)이 모두 닫히고, 제 3라인(560)에 설치된 밸브(562)가 열려 퍼지가스가 공급되어 공정챔버(100) 내에 잔류하는 가스들이 모두 배기된다. 이후 제 2반응가스가 공급되는 제 2라인(540b)에 설치된 밸브(542b)만이 열려, 제 2반응가스가 제 2라인(540b)과 제 1라인(520)을 통해 분사부(300)로 공급되고, 분사아암(360)을 통해 아래로 분사되어 웨이퍼 상에 증착된다.
분사부(300)는 가스공급관(300)으로부터 반응가스를 공급받고 웨이퍼(W) 상에 반응가스를 분사하는 부분으로 회전모듈(320)과 분사아암들(360)을 가진다. 회전모듈(320)은 덮개(120)로부터 일정거리 이격되어 덮개(120) 아래에 배치되며 분사아암들(360)이 연결되는 연결체(322)와 연결체(322)로부터 덮개(120)를 관통하여 상부로 연장된 회전체(324) 및 회전체(324)를 회전시키는 모터(326)를 가진다. 회전체(324)는 제 1라인(520)과 연결되며, 제 1라인(520)을 통해 공급되는 반응가스는 회전체(324) 및 연결체(322)를 통해 분사아암(360)으로 공급된다. 비록 도시되지는 않았으나 회전체(324)와 제 1라인들(520) 사이, 그리고 회전체(324)와 덮개(120) 사이에는 회전모듈(320)의 회전을 원활하게 하기 위해 베어링들이 삽입될 수 있다.
도 5와 도 6은 각각 연결체(322)와 이에 결합된 분사아암(360)의 사시도와 저면도이다. 도 5와 도 6을 참조하면 연결체(322)는 원통형으로 형성되며, 연결체(322)의 측부에는 긴 봉 모양의 형상을 가지는 적어도 하나의 분사아암(360)이 탈착가능하도록 결합된다. 연결체(322)는 지지판(240)의 중심부 상부에 위치되며, 분사아암(360)은 서셉터(260)에 놓여진 웨이퍼(W)의 전체면에 반응가스를 공급할 수 있도록 충분한 길이를 가지도록 형성된다. 연결체(322)는 정다각형의 단면을 가지는 통형으로 형성되고, 각각의 측면에 분사아암(360)이 연결될 수 있다. 본 실시예에서 4개의 분사아암들(360)이 연결체(322)에 연결되며 분사부(300)는 전체적으로 프로펠러 형상을 가진다.
각각의 분사아암(360)에는 가스를 분사하는 복수의 분사공들(362)이 형성된다. 분사공들(362)은 서셉터(260)에 놓여진 웨이퍼(W)와 마주보는 위치(즉, 분사아암(360)의 하부)에 형성된 하부홀들(362a)과 이와 수직한 위치(즉, 분사아암(360)의 측부)에 형성된 제 1측부홀들(362b)과 제 2측부홀들(362c)로 이루어질 수 있다. 하부홀들(362a)은 모두 균일한 간격과 균일한 크기로 형성될 수 있다.
연결체(322)에 연결된 분사아암(360)의 일단부터 타단까지 분사되는 분사가스의 양을 균일하게 하기 도 7a에서 보는 바와 같이 분사아암(360)의 일단에서 타단으로 갈수록 하부홀들(362a)의 직경이 커질수 있다. 이와 달리 도 7b에서 보는 바와 같이 하부홀들(362a)의 직경은 동일하고, 분사아암의 일단에서 타단으로 갈수록 하부홀들(362a)은 조밀하게 형성될 수 있다. 제 1측부홀들(362b)과 제 2측부홀들(362c)의 크기 및 간격은 하부홀들(362a)처럼 상이하게 형성될 수 있다. 본 실시예에서와 달리 제 1측부홀(362b)과 제 2측부홀들(362c)은 형성위치는 일실시예에 불과하므로, 이들은 하부홀(362a)과 수직한 위치가 아닌 그보다 아래부분에 형성될 수 있다. 따라서 본 발명에 따른 장치(1)에 의하면 복수의 웨이퍼들(W)에 대해 동시에 증착공정을 수행하는 경우에도, 웨이퍼들(W)의 전체면에 대해 균일한 량의 반응가스들을 공급할 수 있어, 증착두께가 균일하게 된다.
도 8은 도 4의 변형된 예를 보여주는 도면이다. 도 8을 참조하면, 연결체(322)에는 2개의 분사아암(360a, 360b)이 연결되고, 가스공급관(640)은 밸브가(642a) 설치된 제 1공급관(640a)과 밸브(642b)가 설치된 제 2공급관(640b)을 가진다. 제 1공급관(640a)은 제 1반응가스 저장부(580a)와 제 1분사아암(360a)을 직접 연결하고, 제 2공급관(640b)은 제 2반응가스 저장부(580b)와 제 2분사아암(360b)을 연결한다. 퍼지가스 공급관은 공정챔버(100)의 측벽에 또는 별도의 분사아암과 직접 연결되거나, 도 8에서 보는 바와 같이 제 1공급관(640a) 또는 제 2공급관(640b)으로부터 분기된 분기관(660)을 통해 공급될 수 있다. 이 경우 분기관(660)에는 밸브(662a, 662b)가 설치된다. 분사아암들(360)의 수와 공급관(640)의 수는 공급되는 반응가스의 수에 따라 변화될 수 있다.
일반적으로 반응가스는 패턴 들 중 언더컷 내부에는 불균일한 두께로 증착된다. 언더컷 부분의 측면 상부에는 반응가스가 두껍게 증착되나 측면 하부에는 얇게 증착되어 증착두께가 불균일하다. 증착두께의 균일성은 Al과 같이 가벼운 반응가스의 경우 공급량과 무관하다. 그러나 Hf, Ta와 같이 무거운 반응가스의 경우 공급량이 증가하면 증착두께의 균일성이 향상된다. 그러나 본 발명의 장치에 의하면 언더컷 부분에서 증착균일성이 향상된다.
도 9는 복수의 분사아암들(360a, 360b, 360c)이 하나의 서셉터에 놓인 웨이퍼(W)에 가스를 분사하는 것을 보여주는 도면이고, 도 10은 웨이퍼(W)에 형성된 언더컷으로 공급되는 반응가스의 흐름을 보여주는 도면이다. 실제 분사아암(360)은 연결체(322)를 중심으로 회전하나, 도 9에서는 웨이퍼(W)를 기준으로 바라본 분사아암을 도시하였다. 즉, 도 9에서 제 1분사아암(360a)이 반응가스를 하부 및 양측부로 분사하면서 웨이퍼(W)의 상부를 지나가고, 다음에 제 2분사아암(360b)이 웨이퍼(W)의 상부에 위치되며, 제 3분사아암(360c)이 웨이퍼(W)를 향해 다가온다. 이는 도 10에서 보는 바와 같이 제 2분사아암(360b)의 하부홀을 통해 언더컷의 수직 상부에서 반응가스가 언더컷 내부로 공급될 뿐 아니라 언더컷 부분을 지나간 제 1분사아암(360a)의 제 2측부홀에서 분사되는 반응가스와 언더컷을 향해 다가오는 제 3분사아암(360c)의 제 1측부홀에서 분사되는 반응가스가 동시에 증착되므로 반응가스의 량이 증대하고, 여러 방향에서 동시에 반응가스가 분사되므로 언더컷 내의 증착균일성이 향상된다.
비록 실시예에서는 4개의 서셉터(260)가 정방형으로 배치되어 복수의 웨이퍼들에 대해 동시에 그리고, 균일하게 증착공정이 수행되는 것으로 설명하였다. 그러나 큰 직경 또는 단면적을 가지는 하나의 반도체 기판이 서셉터(260)에 놓여진 경우에도 반도체 기판의 전체 영역에 대해 균일한 증착이 이루어지도록, 연결체(322)가 반도체 기판의 중앙 상부에 위치되며, 반도체 기판의 반경과 동일한 길이를 가지는 복수의 분사아암들(360)이 연결체에 연결될 수 있다.
또한, 본 실시예에서는 원자층 증착법에 의해 증착공정이 수행되는 것으로 설명하였으나, 상술한 기술적 사상은 화학기상증착법에 의해 증착공정이 수행되는 장치에도 동일하게 적용될 수 있다.
본 발명의 장치에 의하면 웨이퍼의 전체면에 대해 반응가스를 균일하게 공급함으로써, 증착 균일성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 장치에 의하면 복수의 웨이퍼들에 대해 동시에 증착공정이 수행될 때, 모든 웨이퍼들에 대해 증착이 균일하게 이루어질 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 장치에 의하면 웨이퍼의 언더컷 부분에서 증착이 균일하게 이루어질 수 있다.

Claims (12)

  1. 반도체 기판상에 일정막을 증착하는 장치에 있어서,
    공정챔버와;
    상기 공정챔버 내에 배치되며, 반도체 기판이 놓여지는 기판지지부와;
    반응가스가 공급되는 가스공급관과;
    상기 공정챔버 내에 상기 기판지지부와 대향되도록 상기 기판지지부의 상부에 배치되는, 그리고 상기 가스공급관으로부터 공급된 반응가스를 상기 기판지지부에 놓여진 상기 반도체 기판 상으로 공급하는 분사부와; 그리고
    상기 공정챔버 내에 잔류하는 가스 또는 공정부산물들을 배기하는 배기부를 구비하되,
    상기 분사부는,
    상기 가스공급관과 연결되며 회전가능한 회전모듈과;
    상기 회전모듈의 측부에 연결되며 하부 및 측부에 복수의 분사공들이 형성된 적어도 하나의 분사아암를 가지는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 기판지지부는,
    지지판과;
    상기 지지판 상에 설치되며 사방으로 균등하게 배치된 복수의 서셉터들을 가지는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 기판지지부는 상기 지지판을 회전하는 구동부를 더 가지는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 회전모듈은 상기 지지판의 중심부 상부에 위치되고,
    상기 분사아암은 상기 서셉터에 놓여진 상기 반도체 기판의 상부 전체를 커버할 수 있는 길이를 가지는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 분사공들은 상기 회전모듈로부터 멀어질수록 크기가 증가하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 분사공들은 상기 회전모듈로부터 멀어질수록 조밀하게 형성된 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  7. 제 2항에 있어서,
    상기 분사부는 상기 회전모듈의 측부에 균등한 간격으로 연결된 복수의 분사아암들을 가지는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 분사아암들은 각각 상기 회전모듈에 탈착가능한 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  9. 제 1항에 있어서
    상기 가스공급관은,
    상기 회전모듈과 연결된 제 1라인과;
    상기 제 1라인으로부터 분기되어 각각 가스저장부와 연결된 적어도 2개의 제 2라인들을 가지며,
    상기 제 2라인에는 상기 제 2라인 내의 통로를 개폐하는 밸브가 각각 설치된 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 가스공급관은 상기 제 1라인으로부터 분기되며, 상기 제 1라인으로 퍼지가스를 공급하는 제 3라인을 더 포함하고,
    상기 제 3라인에는 상기 제 3라인 내의 통로를 개폐하는 밸브가 설치된 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 분사부는 상기 연결체에 균등한 간격으로 연결된 복수의 상기 분사아암들을 가지고, 상기 가스공급관은 하나의 상기 분사아암과 하나의 가스저장부를 직접 연결하는 연결관들을 가지며, 상기 반응가스들은 서로 상이한 통로를 통해 상기 반도체 기판에 공급되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 증착 장치는 원자층 증착법에 의해 반응가스를 상기 반도체 기판 상에 증착하는 장치인 것을 특징으로 하는 증착 장치.
KR1020030034120A 2003-05-28 2003-05-28 반도체 소자 제조를 위한 증착 장치 KR20040102600A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030034120A KR20040102600A (ko) 2003-05-28 2003-05-28 반도체 소자 제조를 위한 증착 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030034120A KR20040102600A (ko) 2003-05-28 2003-05-28 반도체 소자 제조를 위한 증착 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20040102600A true KR20040102600A (ko) 2004-12-08

Family

ID=37378827

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030034120A KR20040102600A (ko) 2003-05-28 2003-05-28 반도체 소자 제조를 위한 증착 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20040102600A (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100796980B1 (ko) * 2007-01-17 2008-01-22 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR100950076B1 (ko) * 2008-03-28 2010-03-26 주식회사 휘닉스 디지탈테크 에어 커튼 형태로 가스를 분사하는 박막증착장치
WO2012176996A2 (ko) * 2011-06-24 2012-12-27 국제엘렉트릭코리아 주식회사 반도체 제조에 사용되는 분사부재 및 그것을 갖는 기판 처리 장치
KR101255719B1 (ko) * 2006-09-18 2013-04-17 주성엔지니어링(주) 플라즈마 전극과 인젝터가 일체형으로 제조된 가스분사장치및 이를 포함하는 기판처리장치

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101255719B1 (ko) * 2006-09-18 2013-04-17 주성엔지니어링(주) 플라즈마 전극과 인젝터가 일체형으로 제조된 가스분사장치및 이를 포함하는 기판처리장치
KR100796980B1 (ko) * 2007-01-17 2008-01-22 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR100950076B1 (ko) * 2008-03-28 2010-03-26 주식회사 휘닉스 디지탈테크 에어 커튼 형태로 가스를 분사하는 박막증착장치
WO2012176996A2 (ko) * 2011-06-24 2012-12-27 국제엘렉트릭코리아 주식회사 반도체 제조에 사용되는 분사부재 및 그것을 갖는 기판 처리 장치
KR101243742B1 (ko) * 2011-06-24 2013-03-13 국제엘렉트릭코리아 주식회사 반도체 제조에 사용되는 분사부재 및 그것을 갖는 기판 처리 장치
WO2012176996A3 (ko) * 2011-06-24 2013-04-04 국제엘렉트릭코리아 주식회사 반도체 제조에 사용되는 분사부재 및 그것을 갖는 기판 처리 장치
CN103635992A (zh) * 2011-06-24 2014-03-12 国际电气高丽株式会社 用于半导体制造的喷射构件及具有该喷射构件的基板处理装置
US20140224177A1 (en) * 2011-06-24 2014-08-14 Kookje Electric Korea Co., Ltd. Injection member in fabrication of semiconductor device and substrate processing apparatus having the same
JP2014520212A (ja) * 2011-06-24 2014-08-21 クックジェ エレクトリック コリア カンパニー リミテッド 半導体製造に使用される噴射部材及びそれを有する基板処理装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100614648B1 (ko) 반도체 소자 제조에 사용되는 기판 처리 장치
US7923069B2 (en) Multi-station deposition apparatus and method
KR101562396B1 (ko) 성막 장치 및 기판 처리 장치
US20050241580A1 (en) Method for depositing thin film and thin film deposition system having separate jet orifices for spraying purge gas
TWI438300B (zh) 原子層沈積系統及方法
US20060249077A1 (en) Multiple inlet atomic layer deposition reactor
KR101561013B1 (ko) 기판처리장치
US20050116064A1 (en) Reactors having gas distributors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
KR101554334B1 (ko) 샤워헤드 어셈블리 및 이를 구비한 박막증착장치 및 박막증착방법
US6656284B1 (en) Semiconductor device manufacturing apparatus having rotatable gas injector and thin film deposition method using the same
KR20070093914A (ko) 증착 장치 및 이를 이용한 막 증착 방법
US6818249B2 (en) Reactors, systems with reaction chambers, and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
KR101224521B1 (ko) 프로세스 챔버 및 기판 처리 방법
KR20100005318A (ko) 반도체 제조에 사용되는 원자층 증착 장치 및 방법
KR101635085B1 (ko) 박막증착장치
KR20040102600A (ko) 반도체 소자 제조를 위한 증착 장치
KR20150098456A (ko) 기판 처리 장치
KR20140101049A (ko) 기판 처리 장치
KR101907973B1 (ko) 가스분사장치 및 이를 구비하는 기판처리장치
KR100422398B1 (ko) 박막 증착 장비
KR20060100961A (ko) 샤워헤드 및 이를 구비한 원자층 증착설비
KR101839409B1 (ko) 가스 공급 장치, 가스 공급 방법 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
KR102508890B1 (ko) 원자층 증착 장치
KR100972112B1 (ko) 배치 방식 반도체 제조 장치
KR100957456B1 (ko) 원자층증착방법을 이용한 박막증착장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
J501 Disposition of invalidation of trial