KR101839409B1 - 가스 공급 장치, 가스 공급 방법 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 가스 공급 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것으로, 방사형으로 배치된 복수의 가스 분사 수단과, 가스 분사 수단 각각에 원료 가스, 퍼지 가스 및 반응 가스를 포함하는 공정 가스를 각각 공급하는 가스 공급부를 포함하고, 복수의 가스 분사 수단은 챔버 내에 고정되며, 일 가스 분사 수단으로부터 일 공정 가스를 공급한 후 동일 공정 가스를 일 가스 분사 수단과 일 방향으로 인접한 타 가스 분사 수단으로 순차적으로 공급하는 가스 공급 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
Description
본 발명은 가스 공급 장치에 관한 것으로, 특히 챔버의 내부에 방사형으로 복수의 가스 분사 수단이 설치된 가스 공급 장치, 가스 공급 방법 및 이를 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 메모리 소자, 표시 장치, 발광 장치 등을 제조하기 위해서는 실리콘 웨이퍼나 글래스 기판 상에 박막 증착, 사진 및 식각, 세정 공정 등을 반복하여 복수의 패턴 또는 구조를 형성하게 된다. 그 중에서 박막 증착을 위해서는 다양한 방법이 있으나, 최근에는 미세 패턴을 매우 균일하게 형성할 수 있고, 스텝 커버러지(step coverage)가 매우 우수한 원자층 증착(Atomic Layer Deposition: 이하 "ALD"라 함) 방법의 사용이 증가되고 있다. ALD 방법은 기판이 안치된 챔버 내부에 원료 물질의 공급 및 퍼지, 반응 물질의 공급 및 퍼지의 1 주기를 반복하여 원료 물질과 반응 물질을 기판의 표면에서 반응시켜 소정의 박막을 형성하는 공정이다. 이러한 ALD 방법은 공정 물질의 공급 시간을 조절함으로써 박막 두께를 정밀하게 조절할 수 있다.
한편, ALD 방법의 생산성을 향상시키기 위해 여러 장의 웨이퍼를 한꺼번에 처리하는 세미배치(semi batch) 타입의 공정 챔버가 사용된다. 또한, 챔버 내부에 복수의 가스 분사 수단을 설치하고 복수의 가스 분사 수단을 일 방향으로 회전하면서 웨이퍼 상에 원료 가스, 퍼지 가스, 반응 가스 및 퍼지 가스를 순차적으로 분사하여 웨이퍼 상에 ALD 방법으로 박막을 증착하게 된다. 또한, 복수의 가스 분사 수단으로부터 동일 가스를 분사하도록 함으로써 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition; CVD)이 가능하게 된다.
이러한 회전형 분사 장치의 장점 중의 하나는 CVD 공정을 진행하면서 ALD 공정적인 효과를 얻을 수 있다. 그러나, 복수의 가스 분사 수단이 챔버 내부에서 회전하면 회전하는 부분으로부터 파티클이 발생될 수 있고, 그로 인해 복수의 가스 분사 수단이 파티클 소오스로 작용할 수 있다. 또한, 복수의 가스 분사 수단에 각각 원료 가스, 반응 가스 및 퍼지 가스를 공급하는데, 이들 가스의 공급로를 격리시키기 위한 장치의 구조가 복잡하고 비용이 많이 소요되는 문제가 있다.
본 발명은 회전형 분사 장치의 장점을 유지하고 단점을 해결할 수 있는 가스 공급 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명은 챔버 내부에 설치된 복수의 가스 분사 수단이 회전하지 않으면서도 회전형 분사 장치와 거의 동일한 효과를 얻을 수 있는 가스 공급 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명은 챔버 내부에 복수의 가스 분사 수단을 방사형으로 설치하고, 일 가스 분사 수단으로부터 일 방향으로 인접한 다른 가스 분사 수단들로 순차적으로 동일 공정 가스를 공급하는 가스 공급 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 일 예에 따른 가스 공급 장치는 방사형으로 배치된 복수의 가스 분사 수단; 및 상기 복수의 가스 분사 수단 각각에 원료 가스, 퍼지 가스 및 반응 가스를 포함하는 공정 가스를 각각 공급하는 가스 공급부를 포함하고, 상기 복수의 가스 분사 수단은 챔버 내에 고정되며, 일 가스 분사 수단으로부터 일 공정 가스를 공급한 후 동일 공정 가스를 상기 일 가스 분사 수단과 일 방향으로 인접한 타 가스 분사 수단으로 순차적으로 공급한다.
상기 복수의 가스 분사 수단는 적어도 4개 마련된다.
상기 복수의 가스 분사 수단에는 서로 인접하지 않는 두 가스 분사 수단으로부터 각각 원료 가스 및 반응 가스가 공급되고, 이들 사이에 위치하는 적어도 두 가스 분사 수단으로부터 퍼지 가스가 공급된다.
상기 복수의 가스 분사 수단에는 서로 대향되는 두 가스 분사 수단으로부터 각각 원료 가스 및 반응 가스가 공급되고, 이들 사이에 위치하고 서로 대향되는 적어도 두 가스 분사 수단으로부터 퍼지 가스가 공급된다.
상기 원료 가스 및 반응 가스를 공급한 두 가스 분사 수단은 이와 인접한 두 가스 분사 수단이 상기 원료 가스 및 반응 가스를 공급하는 동안 상기 퍼지 가스를 공급하거나 공정 가스를 공급하지 않고, 상기 퍼지 가스를 공급한 두 가스 분사 수단은 이와 인접한 두 가스 분사 수단이 상기 퍼지 가스를 공급하는 동안 상기 원료 가스 또는 반응 가스를 공급하거나 공정 가스를 공급하지 않는다.
상기 복수의 가스 분사 수단과 상기 원료 가스, 퍼지 가스 및 반응 가스를 각각 공급하는 상기 가스 공급부 사이에 마련된 복수의 가스 제어부를 더 포함하고, 상기 가스 제어부의 조절에 의해 상기 가스 분사 수단을 통한 상기 공정 가스의 공급이 제어된다.
본 발명의 다른 예에 따른 가스 공급 장치는 방사형으로 배치된 복수의 가스 분사 수단; 상기 복수의 가스 분사 수단 각각에 원료 가스, 퍼지 가스 및 반응 가스를 포함하는 공정 가스를 각각 공급하는 복수의 가스 공급부; 및 상기 복수의 가스 분사 수단과 복수의 가스 공급부 사이에 마련된 복수의 가스 제어부를 포함하고, 상기 복수의 가스 분사 수단은 챔버 내에 고정되며, 상기 가스 제어부의 조절에 따라 상기 복수의 가스 분사 수단 중 일 가스 분사 수단은 상기 원료 가스, 퍼지 가스 및 반응 가스를 순차적으로 공급하고, 상기 일 가스 분사 수단과 일 방향 및 타 방향으로 인접한 타 가스 분사 수단은 상기 일 가스 분사 수단으로부터 공급되는 공정 가스와 다른 공정 가스를 공급한다.
상기 복수의 가스 분사 수단에는 서로 인접하지 않는 두 가스 분사 수단으로부터 각각 원료 가스 및 반응 가스가 공급되고, 이들 사이에 위치하는 적어도 두 가스 분사 수단으로부터 퍼지 가스가 공급된다.
상기 복수의 가스 분사 수단에는 서로 대향되는 두 가스 분사 수단으로부터 각각 원료 가스 및 반응 가스가 공급되고, 이들 사이에 위치하고 서로 대향되는 적어도 두 가스 분사 수단으로부터 퍼지 가스가 공급된다.
본 발명의 또다른 예에 따른 가스 공급 방법은 방사형으로 배치되며 챔버 내에 고정된 복수의 가스 분사 수단; 및 상기 복수의 가스 분사 수단 각각에 원료 가스, 퍼지 가스 및 반응 가스를 포함하는 공정 가스를 각각 공급하는 가스 공급부를 포함하는 가스 공급 장치를 이용하고, 일 가스 분사 수단으로부터 일 공정 가스를 공급한 후 동일 공정 가스를 상기 일 가스 분사 수단과 일 방향으로 인접한 타 가스 분사 수단으로 순차적으로 공급한다.
상기 복수의 가스 분사 수단은 서로 대향되는 두 가스 분사 수단으로부터 각각 원료 가스 및 반응 가스가 공급되고 이와 동시에 이들 사이에 위치하고 서로 대향되는 적어도 두 가스 분사 수단으로부터 퍼지 가스가 공급된 후 상기 원료 가스 및 반응 가스를 공급한 두 가스 분사 수단으로부터 상기 퍼지 가스가 공급되고 상기 퍼지 가스를 공급한 두 가스 분사 수단으로부터 상기 원료 가스 및 반응 가스가 공급된다.
본 발명의 또다른 예에 따른 가스 공급 방법은 방사형으로 배치되며 챔버 내에 고정된 복수의 가스 분사 수단; 상기 복수의 가스 분사 수단 각각에 원료 가스, 퍼지 가스 및 반응 가스를 포함하는 공정 가스를 각각 공급하는 복수의 가스 공급부; 및 상기 복수의 가스 분사 수단 각각과 복수의 가스 공급관 사이에 마련된 복수의 가스 제어부를 포함하는 가스 공급 장치를 이용하고, 상기 가스 제어부의 조절에 따라 상기 복수의 가스 분사 수단 중 일 가스 분사 수단은 상기 원료 가스, 퍼지 가스 및 반응 가스를 순차적으로 공급하고, 상기 일 가스 분사 수단과 일 방향 및 타 방향으로 인접한 타 가스 분사 수단은 상기 일 가스 분사 수단으로부터 공급되는 공정 가스와 다른 공정 가스를 공급한다.
본 발명의 또다른 예에 따른 기판 처리 장치는 반응 공간을 마련하는 챔버; 상기 챔버 하측에 마련된 기판 안치부; 및 상기 기판 안치부에 안치된 기판 상에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 장치를 포함하며, 상기 가스 공급 장치는, 방사형으로 배치된 복수의 가스 분사 수단; 및 상기 복수의 가스 분사 수단 각각에 원료 가스, 퍼지 가스 및 반응 가스를 포함하는 공정 가스를 각각 공급하는 가스 공급부를 포함하고, 상기 복수의 가스 분사 수단은 상기 챔버의 상측에 고정되며, 일 가스 분사 수단으로부터 일 공정 가스를 공급한 후 동일 공정 가스를 상기 일 가스 분사 수단과 일 방향으로 인접한 타 가스 분사 수단으로 순차적으로 공급한다.
상기 기판 안치부는 상기 일 방향과 반대의 타 방향으로 회전한다.
본 발명의 또다른 예에 따른 기판 처리 장치는 반응 공간을 마련하는 챔버; 상기 챔버 내측 상부에 서로 대향되는 위치에 마련된 제 1 및 제 3 가스 분사 수단; 상기 제 1 및 제 3 가스 분사 수단 사이에서 30°내지 90° 방향으로 서로 대향되게 위치하는 제 2 및 제 4 가스 분사 수단; 상기 제 1 내지 제 4 가스 분사 수단에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 장치를 포함하고, 상기 제 1 및 제 3 가스 분사 수단에는 원료 가스 또는 반응 가스를 공급하고, 상기 제 2 및 제 4 가스 분사 수단에는 퍼지 가스를 공급한다.
상기 제 1 및 제 3 가스 분사 수단에 원료 가스 또는 반응 가스를 공급한 후, 수초 후에 상기 제 2 및 제 4 가스 분사 수단에 원료 가스 또는 반응 가스를 공급한다.
상기 제 2 및 제 4 가스 분사 수단에 원료 퍼지 가스를 공급한 후, 수초 후에 상기 제 1 및 제 3 가스 분사 수단에 퍼지 가스를 공급한다.
본 발명의 또다른 예에 따른 기판 처리 장치는 반응 공간을 마련하는 챔버; 상기 챔버 내측 상부에 서로 대향되는 위치에 마련된 제 1 및 제 3 가스 분사 수단; 상기 제 1 및 제 3 가스 분사 수단 사이에서 30° 내지 90° 방향으로 서로 대향되게 위치하는 제 2 및 제 4 가스 분사 수단을 포함하고, 상기 제 1 내지 제 4 가스 분사 수단은 원료 가스, 퍼지 가스 및 반응 가스를 분사하는 분사구가 각각 마련되어 상기 복수의 가스를 순차적으로 분사한다.
본 발명은 복수의 가스 분사 수단을 챔버 내부에 방사형으로 배치하고, 복수의 가스 분사 수단 각각에 원료 가스, 퍼지 가스 및 반응 가스를 공급하며, 이들 공정 가스의 공급을 밸브를 이용하여 제어한다. 따라서, 복수의 가스 분사 수단 각각에 공정 가스가 혼합되어 공급되지 않도록 하고, 복수의 가스 분사 수단이 일 가스 분사 수단으로부터 일 공정 가스를 분사한 후 예를 들어 반시계 방향으로 인접한 가스 분사 수단으로 순차적으로 일 공정 가스를 분사할 수 있다.
본 발명에 의하면, 밸브를 조절하여 원료 가스, 반응 가스 및 퍼지 가스를 일측으로 인접한 가스 분사 수단으로부터 순차적으로 분사함으로써 복수의 가스 분사 수단이 회전하지 않으면서도 회전하면서 공정 가스를 공급하는 것과 동일한 효과를 나타낼 수 있다.
또한, 복수의 가스 분사 수단이 회전하지 않기 때문에 가스 분사 수단으로부터 파티클의 발생을 방지할 수 있다.
그리고, 마그네틱 실 등 고가의 부품과 이를 구비하는 회전체 등의 복잡한 장비가 필요하지 않으므로 생산 원가를 줄일 수 있고 장비 구성을 간략하게 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 가스 공급 장치를 포함하는 기판 처리 장치의 개략 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 가스 공급 장치의 평면 개략도.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 가스 공급 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하기 위해 도시한 개략도.
도 4(a) 내지 도 4(h)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 가스 공급 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하기 위해 순차적으로 도시한 가스 분사 수단의 평면도.
도 5(a) 내지 도 5(d)는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 가스 공급 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하기 위해 순차적으로 도시한 가스 분사 수단의 평면도.
도 6(a) 내지 도 6(f)는 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 가스 공급 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하기 위해 순차적으로 도시한 가스 분사 수단의 평면도.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 가스 공급 장치의 평면 개략도.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 가스 공급 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하기 위해 도시한 개략도.
도 4(a) 내지 도 4(h)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 가스 공급 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하기 위해 순차적으로 도시한 가스 분사 수단의 평면도.
도 5(a) 내지 도 5(d)는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 가스 공급 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하기 위해 순차적으로 도시한 가스 분사 수단의 평면도.
도 6(a) 내지 도 6(f)는 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 가스 공급 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하기 위해 순차적으로 도시한 가스 분사 수단의 평면도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 개념 단면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 가스 공급 장치의 평면 개념도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 반응 공간을 갖는 챔버(100)와, 챔버(100)의 반응 공간에 위치하여 기판(10)을 안치하는 기판 안치부(200)와, 챔버(100)의 반응 공간에 복수의 공정 가스를 공급하는 가스 공급 장치(300)를 포함한다. 또한, 가스 공급 장치(300)는 가스 저장부(310), 가스 공급부(320), 복수의 가스 분사 수단(330) 및 가스 제어부(340)를 포함한다. 그리고, 가스 제어부(340)를 제어하여 반응 가스의 공급을 제어하는 제어부(미도시)를 더 포함한다.
챔버(100)는 내부 공간을 갖는 챔버 몸체(110)와, 챔버 몸체(110)에 착탈 가능하도록 결합되어 반응 공간을 밀봉시키는 챔버 리드(120)를 구비한다. 챔버 몸체(110)는 상부가 개방된 통 형상으로 제작되고, 챔버 리드(120)는 챔버 몸체(110)의 상부를 차폐하는 판 형상으로 제작된다. 여기서, 도시되지 않았지만, 챔버 몸체(110)와 챔버 리드(120)의 결합면에는 오링 또는 가스켓과 같은 별도의 밀봉 부재가 마련될 수 있다. 또한, 챔버 몸체(110)와 챔버 리드(120)를 결합 고정시키는 별도의 고정 부재가 더 구비될 수도 있다. 그리고, 챔버 몸체(110)의 일측에는 기판(10)이 출입하는 출입구가 마련되고, 챔버 몸체(110)의 적어도 일 영역에는 적어도 하나의 배기구(130)가 마련된다. 배기구(130)는 배기 장치(미도시)와 연결되어 배기 장치에 의해 챔버(100) 내부의 압력이 조절되고 미반응 공정 가스 등을 배기할 수 있다. 물론 이에 한정되지 않고, 다양한 구조의 챔버(100)가 사용될 수 있다. 예를 들어 단일 몸체의 챔버를 사용할 수 있다.
기판 안치부(200)는 적어도 하나의 기판(10)을 안치하는 기판 안치판(210)과, 기판 안치판(210)을 승강시키는 안치판 구동부(230)와, 안치판 구동부(230)와 기판 안치판(210)을 연결하는 연결축(220)을 구비한다. 또한, 기판(10)의 로딩 및 언로딩을 위한 복수의 리프트 핀부(미도시)를 더 구비할 수 있다. 기판 안치판(210)은 판 형태로 제작되어 그 상부에 적어도 하나의 기판(10)이 안치된다. 예를 들어 기판 안치판(210) 상에 4개의 기판(10)이 안치되면 한번의 증착 공정을 수행하여 4개의 기판(10) 상에 박막을 증착할 수 있다. 이때, 기판 안치판(210)에 안치되는 기판(10)의 개수는 기판 안치판(210)의 사이즈와 기판(10)의 사이즈 등에 따라 조절될 수 있다. 또한, 기판(10)은 기판 안치판(210)의 중심을 기준으로 방사상 형태로 배치되는 것이 효과적이다. 즉, 기판 안치판(210)의 중심과 다수의 기판(10)들의 중심간의 거리가 각기 서로 동일하게 배치된다. 따라서, 기판 안치판(210)의 중심에는 기판(10)이 안치되지 않은 공간이 마련된다. 또한, 기판 안치판(210) 내부에 기판(10)을 가열하여 기판(10)을 공정 온도로 조절할 수 있는 온도 조절 수단(미도시)가 마련될 수 있다. 물론, 온도 조절 수단은 기판 안치판(210)의 내부 뿐만 아니라 표면에 위치할 수 있고, 기판 안치판(210) 외측에 위치할 수도 있다. 기판 안치판(210)은 안치판 구동부(230)에 의해 상승 및 하강하고 회전한다. 이를 통해 기판(10)의 공정 위치를 설정할 수 있고, 기판(10)의 로딩 및 언로딩을 용이하게 수행할 수도 있다. 이때, 안치판 구동부(230)로 모터를 구비하는 스테이지를 사용할 수 있다. 그리고, 안치판 구동부(230)는 챔버(100)의 외측에 마련되는 것이 효과적이다. 이를 통해 안치판 구동부(230)의 움직임에 의한 파티클 발생을 방지할 수 있다. 여기서, 연결축(220)에 의해 안치판 구동부(230)의 구동력(상승 및 하강력 그리고 회전력)이 기판 안치판(210)에 전달된다. 연결축(220)은 챔버(100)의 바닥면을 관통하여 기판 안치판(210)에 접속된다. 이때, 연결축(220)이 관통하는 챔버(100)의 관통홀 영역에는 챔버(100)의 밀봉을 위한 밀봉 수단(예를 들어, 밸로우즈)(240)이 마련될 수 있다.
가스 공급 장치(300)는 가스 저장부(310), 가스 공급부(320) 및 복수의 가스 분사 수단(330)를 포함한다. 가스 저장부(310)는 원료 가스, 반응 가스 및 퍼지 가스를 저장하는데, 예를 들어 원료 가스 저장부(312), 퍼지 가스 저장부(314) 및 반응 가스 저장부(316)를 포함한다. 원료 가스 저장부(312) 및 반응 가스 저장부(316)는 기판(10) 상에 증착하려는 막의 종류에 따라 다양한 물질을 저장할 수 있다. 예를 들어 기판(10) 상에 ZnO막을 증착하기 하는 경우 원료 가스 저장부(312)는 Zn 원료, 예를 들어 Zn(C2H5)2(diethylzinc; DEZ)를 저장할 수 있고, 반응 가스 저장부(316)는 산화 가스, 예를 들어 산소(O2), 오존(O3), H2O 등을 포함할 수 있다. 한편, 원료 가스 저장부(312) 및 반응 가스 저장부(316)는 액체 상태의 물질을 저장하고 이를 기화시켜 공급할 수도 있는데, 이를 위해 원료 가스 저장부(312) 및 반응 가스 저장부(316)에는 기화기가 포함될 수 있다. 또한, 퍼지 가스 저장부(314)는 ALD 공정에서 챔버(100) 내에 잔류하는 비반응 원료 가스 및 반응 가스를 퍼지하기 위한 것으로, 예를 들어 질소 등의 불활성 가스를 저장할 수 있다.
가스 공급부(320)는 가스 저장부(310)와 복수의 가스 분사 수단(330) 사이에 마련되어 이들 사이를 연결하여 가스 저장부(310)의 공정 가스를 복수의 가스 분사 수단(330)에 공급한다. 이러한 가스 공급부(320)는 원료 가스 공급관(321), 퍼지 가스 공급관(322), 반응 가스 공급관(323), 그리고 복수의 가스 분사 수단 연결관(324)을 포함한다. 즉, 원료 가스 공급관(321), 퍼지 가스 공급관(322) 및 반응 가스 공급관(323)은 각각 원료 가스 저장부(312), 퍼지 가스 저장부(314) 및 반응 가스 저장부(316)과 각각 연결된다. 또한, 복수의 가스 분사 수단 연결관(324)은 복수의 가스 분사 수단(330)와 원료 가스 공급관(321), 퍼지 가스 공급관(322) 및 반응 가스 공급관(323) 사이에 마련된다. 즉, 복수의 가스 분사 수단(330)는 각각 적어도 하나의 가스 분사 수단 연결관(324)이 연결되는데, 하나의 가스 분사 수단 연결관(324)은 각각 원료 가스 공급관(321), 퍼지 가스 공급관(322) 및 반응 가스 공급관(323)과 연결된다. 이때, 복수의 가스 분사 수단 연결관(324) 각각과 원료 가스 공급관(321), 퍼지 가스 공급관(322) 및 반응 가스 공급관(323)의 사이에는 복수의 가스 제어부(340)가 각각 마련된다. 가스 제어부(340)는 밸브를 포함하며, 가스 저장부(310)로부터 복수의 가스 분사 수단(330)에 공급되는 공정 가스의 흐름을 제어한다. 즉, 밸브 등의 가스 제어부(340)는 하나의 가스 분사 수단 연결관(324)마다 적어도 세 개 마련되어 가스 분사 수단 연결관(324)을 통해 가스 분사 수단(330)로 공급되는 공정 가스가 혼합되지 않도록 원료 가스, 퍼지 가스 및 반응 가스의 흐름을 제어하게 된다. 또한, 가스 제어부(340)는 복수의 가스 분사 수단(330)가 일 가스 분사 수단(330)으로부터 일 방향, 예를 들어 반시계 방향으로 인접한 가스 분사 수단(330)으로 공정 가스를 순차적으로 분사할 수 있도록 한다.
복수의 가스 분사 수단(331 내지 338; 330)은 챔버(100) 내부에 위치하며, 기판 안치판(210)과 대향되는 챔버(100)의 상측에 위치한다. 복수의 가스 분사 수단(330)은 챔버 리드(120) 내에 마련될 수도 있고 챔버 리드(120) 하측에 마련될 수도 있다. 이러한 복수의 가스 분사 수단(330)은 가스 저장부(310)로부터 가스 공급부(320)를 통해 원료 가스, 퍼지 가스 및 반응 가스를 공급받아 하측의 기판(10)에 분사한다. 따라서, 복수의 가스 분사 수단(330)은 하측에 복수의 분사구(339)가 형성된다. 분사구(339)는 도 2에 도시된 바와 같이 복수의 분사구(339)가 마련되고, 복수의 분사구(339)를 통해 원료 가스, 퍼지 가스 및 반응 가스가 순차적으로 분사될 수 있다. 또한, 분사구(339)는 가스 분사 수단(330)마다 원료 가스 분사구(339a), 반응 가스 분사구(339b) 및 퍼지 가스 분사구(339c)가 나뉘고, 각 분사구(339a, 339b, 339c)를 통해 원료 가스, 반응 가스 및 퍼지 가스가 분사될 수도 있다. 복수의 가스 분사 수단(330)은 챔버(100)의 중앙부로부터 외측으로 연장되어 방사형으로 배치된다. 즉, 복수의 가스 분사 수단(330)은 복수의 기판(10)이 안치되지 않는 기판 안치판(210)의 중앙부에 대응되는 영역으로부터 기판 안치판(210)의 외측에 대응되는 영역으로 연장되어 마련된다. 이러한 가스 분사 수단(330)은 적어도 4개 이상 마련될 수 있는데, 예를 들어 도시된 바와 같이 8개로 마련될 수 있고, 6개로 마련될 수도 있다. 본 발명에 따른 복수의 가스 분사 수단(330)은 가스 제어부(340)의 온/오프 조절에 의해 일 가스 분사 수단(330)으로부터 일 방향, 예를 들어 반시계 방향으로 인접한 가스 분사 수단(330)으로 순차적으로 원료 가스, 퍼지 가스 및 반응 가스를 분사한다. 예를 들어 제 1 가스 분사 수단(331)로부터 반시계 방향, 즉 제 2 가스 분사 수단(332), 제 3 가스 분사 수단(333) 순으로 제 8 가스 분사 수단(338)까지 원료 가스를 순차적으로 분사한다. 이와 동시에 제 1 가스 분사 수단(331)과 대향되는 위치에 마련된 제 5 가스 분사 수단(335)으로부터 반시계 방향, 즉 제 6 가스 분사 수단(336), 제 7 가스 분사 수단(337) 순으로 제 4 가스 분사 수단(334)까지 반응 가스를 순차적으로 분사한다. 또한, 이와 동시에 제 1 및 제 5 가스 분사 수단(331, 335) 사이에 마련된 제 3 및 제 7 가스 분사 수단(333, 337)으로부터 반시계 방향으로 제 4 및 제 8 가스 분사 수단(334, 338), 제 5 및 제 1 가스 분사 수단(335, 331)의 순으로 제 2 및 제 6 가스 분사 수단(332, 336)까지 순차적으로 퍼지 가스를 분사한다. 따라서, 복수의 가스 분사 수단(330)은 가스 제어부(340)의 온/오프 제어에 따라 서로 대향되는 두 가스 분사 수단(330)으로부터 원료 가스 및 반응 가스를 분사하고, 원료 가스 및 반응 가스를 분사하는 가스 분사 수단(330) 사이에 위치하며 서로 대향되는 두 가스 분사 수단(330)으로부터 퍼지 가스를 분사한다. 이러한 대칭적인 가스 분사 수단(330)의 가스 분사를 일 방향으로 인접하고 대칭되는 다른 가스 분사 수단(330)을 통해 순차적으로 실시하게 된다. 한편, 공정 가스를 분사한 일 가스 분사 수단(330)은 인접한 가스 분사 수단(330)이 이전에 분사한 공정 가스를 분사하는 동안에 공정 가스를 분사하지 않거나 퍼지 가스를 공급한다. 이렇게 원료 가스, 반응 가스 및 퍼지 가스를 인접한 가스 분사 수단(330)으로부터 순차적으로 분사함으로써 복수의 가스 분사 수단(330)이 회전하면서 공정 가스를 공급하는 것과 동일한 효과를 나타낼 수 있다. 이때, 기판(10)이 안치된 기판 안치판(210)은 순환하며 공정 가스를 분사하는 가스 분사 수단(330)의 방향과 반대 방향, 예를 들어 시계 방향으로 회전할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명의 일 실시 예에 따른 가스 공급 장치는 복수의 가스 분사 수단(330)을 챔버(100) 내부에 방사형으로 배치하고, 복수의 가스 분사 수단(330) 각각에 원료 가스, 퍼지 가스 및 반응 가스를 공급하며, 이들 공정 가스의 공급을 가스 제어부(340)를 이용하여 제어하여 복수의 가스 분사 수단(330) 각각에 공정 가스가 혼합되어 공급되지 않도록 한다. 그리고, 가스 제어부(340)를 조절하여 복수의 가스 분사 수단(330)이 일 가스 분사 수단(330)으로부터 일 공정 가스를 분사한 후 예를 들어 반시계 방향으로 인접한 가스 분사 수단(330)로 순차적으로 일 공정 가스를 분사하도록 한다. 이렇게 가스 제어부(340)를 조절하여 원료 가스, 반응 가스 및 퍼지 가스를 일측으로 인접한 가스 분사 수단(330)으로부터 순차적으로 분사함으로써 복수의 가스 분사 수단(330)이 회전하면서 공정 가스를 공급하는 것과 동일한 효과를 나타낼 수 있다.
또한, 가스 제어부(340)를 조절하여 가스 공급부(320)로부터 공정 가스(A) 및 반응 가스(B)를 복수의 가스 분사 수단(330) 전체에 동시에 공급하고, 퍼지 가스(C)를 공급하지 않으면 복수의 가스 분사 수단(330)을 이용하여 CVD 공정이 가능하게 된다.
이러한 본 발명에 따른 가스 공급 장치를 이용한 가스 공급 방법을 좀더 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 가스 공급 장치를 이용한 가스 공급 방법을 설명한 개략도이고, 도 4(a) 내지 도 4(h)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 가스 공급 장치를 이용한 가스 공급 방법을 설명하기 위해 순차적으로 도시한 가스 분사 수단의 평면도이다.
도 3 및 도 4(a)에 도시된 바와 같이, 제 1 가스 분사 수단(331)으로부터 원료 가스(A)가 공급되도록 하고, 제 1 가스 분사 수단(331)과 대향되는 위치에 마련된 제 5 가스 분사 수단(335)을 통해 반응 가스(B)가 분사되도록 한다. 이와 동시에, 제 1 및 제 5 가스 분사 수단(331, 335) 사이에 이들과 90°의 각도로 각각 마련된 제 3 및 제 7 가스 분사 수단(333, 337)을 통해 퍼지 가스(C)가 분사되도록 한다. 이때, 제 2, 제 4, 제 6 및 제 8 가스 분사 수단(332, 334, 336, 338)에는 공정 가스가 공급되지 않도록 한다. 그러나, 제 2, 제 4, 제 6 및 제 8 가스 분사 수단(332, 334, 336, 338)을 통해서 퍼지 가스가 분사되도록 할 수도 있다. 이러한 복수의 가스 분사 수단(330)을 통한 공정 가스의 분사는 가스 제어부(340), 예컨데 밸브의 온/오프 조절을 통해 제어할 수 있다. 즉, 제 1 가스 분사 수단(331)와 연결된 복수의 가스 제어부(340)중에서 원료 가스 공급관(321)과 연결된 가스 제어부(340)는 온시키고, 반응 가스 공급관(322) 및 퍼지 가스 공급관(323)과 연결된 가스 제어부(340)는 오프시켜 제 1 가스 분사 수단(331)을 통해 원료 가스(A)가 공급되도록 한다. 또한, 제 5 가스 분사 수단(335)과 연결된 복수의 가스 제어부(340)중에서 반응 가스 공급관(322)과 연결된 가스 제어부(340)는 온시키고, 원료 가스 공급관(321) 및 퍼지 가스 공급관(323)과 연결된 가스 제어부(340)는 오프시켜 제 5 가스 분사 수단(335)을 통해 반응 가스(B)가 공급되도록 한다. 그리고, 제 3 및 제 7 가스 분사 수단(333, 337)과 연결된 복수의 가스 제어부(340)중에서 퍼지 가스 공급관(323)과 연결된 가스 제어부(340)는 온시키고, 원료 가스 공급관(321) 및 반응 가스 공급관(322)과 연결된 가스 제어부(340)는 오프시켜 제 3 및 제 7 가스 분사 수단(333, 337)을 통해 퍼지 가스(C)가 공급되도록 한다. 제 2, 제 4, 제 6 및 제 8 가스 분사 수단(332, 334, 336, 338)에 연결된 모든 가스 제어부(340)는 오프시켜 공정 가스가 공급되지 않도록 한다.
도 3 및 도 4(b)에 도시된 바와 같이, 가스 제어부(340)를 제어하여 제 1, 제 3, 제 5 및 제 7 가스 분사 수단(331, 333, 335, 337)에 공정 가스의 공급을 중단하고, 제 1 및 제 5 가스 분사 수단(331, 335)과 일 방향, 예를 들어 반시계 방향으로 인접한 제 2 및 제 6 가스 분사 수단(332, 336)으로부터 원료 가스(A) 및 반응 가스(B)가 각각 분사되도록 한다. 이와 동시에 제 2 및 제 6 가스 분사 수단(332, 336) 사이에 위치하는 제 4 및 제 8 가스 분사 수단(334, 338)을 통해 퍼지 가스(C)가 분사되도록 한다. 여기서, 제 1, 제 3, 제 5 및 제 7 가스 분사 수단(331, 333, 335, 337)으로부터 퍼지 가스(B)가 분사되도록 할 수도 있다.
도 3 및 도 4(c)에 도시된 바와 같이, 가스 제어부(340)를 제어하여 제 2, 제 4, 제 6 및 제 8 가스 분사 수단(332, 334, 336, 338)에 공정 가스의 공급을 중단하고, 제 2 및 제 6 가스 분사 수단(332, 336)과 반시계 방향으로 각각 인접한 제 3 및 제 7 가스 분사 수단(333, 337)으로부터 원료 가스(A) 및 반응 가스(B)가 각각 분사되도록 한다. 이와 동시에 제 3 및 제 7 가스 분사 수단(333, 337) 사이에 위치하는 제 1 및 제 5 가스 분사 수단(331, 335)을 통해 퍼지 가스(C)가 분사되도록 한다. 제 1 및 제 5 가스 분사 수단(331, 335)을 통해 퍼지 가스(C)가 분사됨으로써 이전에 제 1 및 제 5 가스 분사 수단(331, 335)을 통해 기판(10) 상에 분사된 원료 가스(A) 및 반응 가스(B) 중에서 기판(10) 상에 흡착 또는 반응되지 않은 원료 가스(A) 및 반응 가스(B)를 퍼지하게 된다. 한편, 제 2, 제 4, 제 6 및 제 8 가스 분사 수단(332, 334, 336, 338)을 통해서 퍼지 가스(B)가 분사되도록 할 수도 있다.
도 3 및 도 4(d)에 도시된 바와 같이, 가스 제어부(340)를 제어하여 제 1, 제 3, 제 5 및 제 7 가스 분사 수단(331, 333, 335, 337)에 공정 가스의 공급을 중단하고, 제 3 및 제 7 가스 분사 수단(333, 337)과 반시계 방향으로 각각 인접한 제 4 및 제 8 가스 분사 수단(334, 338)으로부터 원료 가스(A) 및 반응 가스(B)가 공급되도록 한다. 이와 동시에 제 4 및 제 8 가스 분사 수단(334, 338) 사이에 위치하는 제 2 및 제 6 가스 분사 수단(332, 336)을 통해 퍼지 가스(C)를 공급한다. 제 2 및 제 6 가스 분사 수단(332, 336)을 통해 퍼지 가스(C)가 분사됨으로써 이전에 제 2 및 제 6 가스 분사 수단(332, 336)을 통해 기판(10) 상에 분사된 원료 가스(A) 및 반응 가스(B) 중에서 기판(10) 상에 흡착 또는 반응되지 않은 원료 가스(A) 및 반응 가스(B)를 퍼지하게 된다. 한편, 제 1, 제 3, 제 5 및 제 7 가스 분사 수단(331, 333, 335, 337)을 통해서 퍼지 가스(C)가 분사되도록 할 수도 있다.
도 3 및 도 4(e)에 도시된 바와 같이, 가스 제어부(340)를 제어하여 제 2, 제 4, 제 6 및 제 8 가스 분사 수단(332, 334, 336, 338)의 공정 가스 공급을 중단하고, 제 4 및 제 8 가스 분사 수단(334, 338)과 반시계 방향으로 각각 인접한 제 5 및 제 1 가스 분사 수단(335, 331)으로부터 원료 가스(A) 및 반응 가스(B)가 각각 분사되도록 한다. 이와 동시에 제 1 및 제 5 가스 분사 수단(331, 335) 사이에 위치하는 제 3 및 제 7 가스 분사 수단(333, 337)을 통해 퍼지 가스(C)가 분사되도록 한다. 제 1 가스 분사 수단(331)으로부터 반응 가스(B)가 분사됨으로써 이전에 제 1 가스 분사 수단(331)으로부터 분사되어 기판(10) 상에 흡착된 원료 가스(A)와 반응 가스(B)가 반응하여 원자층이 증착된다. 또한, 제 5 가스 분사 수단(335)을 통해 원료 가스(A)가 분사되어 기판(10)의 원자층 상에 원료 가스(A)가 흡착된다.
이어서, 도 3 및 도 4(f) 내지 도 4(h)에 도시된 바와 같이 가스 제어부(340)를 제어하여 복수의 가스 분사 수단(330)을 통해 원료 가스(A) 분사 및 중지, 퍼지 가스(C) 분사 및 중지, 반응 가스(B) 분사 및 중지, 퍼지 가스(C) 분사 및 중지가 순환되면서 실시됨으로써 기판(10) 상에 원자층이 복수회 반복 적층되어 소정 두께의 박막이 형성될 수 있다.
도 5(a) 내지 도 5(d)는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 가스 공급 장치를 이용한 가스 공급 방법을 설명하기 위해 순차적으로 도시한 가스 분사 수단의 평면도로서, 챔버 내에 4개의 가스 분사 수단이 설치된 가스 공급 장치를 설명한다.
도 5(a)에 도시된 바와 같이 제 1 및 3 가스 분사 수단(331, 333)이 서로 대향되게 배치되고, 이들 사이에 예를 들어 90°의 각도로 제 2 및 제 4 가스 분사 수단(332, 334)이 서로 대향되게 배치되어 4개의 가스 분사 수단(330)이 방사형으로 마련된다. 그리고, 도 1의 가스 제어부(340)의 온/오프 조절에 의해 제 1 및 제 3 가스 분사 수단(331, 333)을 통해 원료 가스(A) 및 반응 가스(B)가 분사되고, 제 2 및 제 4 가스 분사 수단(332, 334)을 통해 퍼지 가스(C)가 분사된다.
이어서, 도 5(b)에 도시된 바와 같이 제 1 가스 분사 수단(331)과 예를 들어 반시계 방향으로 인접한 제 2 가스 분사 수단(332)을 통해 원료 가스(A)가 분사되고, 이와 대향되고 제 3 가스 분사 수단(333)과 반시계 방향으로 인접한 제 4 가스 분사 수단(334)을 통해 반응 가스(B)가 분사된다. 이와 동시에 제 1 및 제 3 가스 분사 수단(331, 333)을 통해 퍼지 가스(C)가 분사된다.
이러한 방식으로 도 5(c) 및 도 5(d)에 도시된 바와 같이 반시계 방향으로 인접한 가스 분사 수단(330)을 통해 시계 방향으로 인접한 가스 분사 수단(330)으로부터 이전에 분사된 공정 가스를 분사함으로써 기판 상에 소정의 박막이 형성된다.
도 6(a) 내지 도 6(f)는 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 가스 공급 장치를 이용한 가스 공급 방법을 설명하기 위해 순차적으로 도시한 가스 분사 수단의 평면도로서, 챔버 내에 6개의 가스 분사 수단이 설치된 가스 공급 장치를 설명한다.
도 6(a)에 도시된 바와 같이 6개의 가스 분사 수단(331 내지 336; 330)가 등간격의 방사형으로 배치된다. 예를 들어 제 1 내지 제 6 가스 분사 수단(331 내지 336)가 반시계 방향으로 상호 인접되게 배치되며, 제 1 및 4 가스 분사 수단(331, 334)이 서로 대향되게 배치되고, 제 2 및 제 5 가스 분사 수단(332, 335)이 서로 대향되게 배치되며, 제 3 및 제 6 가스 분사 수단(333, 336)이 서로 대향되게 배치된다. 이들 제 1 내지 제 6 가스 분사 수단(331 내지 336)은 예를 들어 60°의 각도로 배치된다. 그리고, 도 1의 가스 제어부(340)의 온/오프 조절에 의해 제 1 및 제 4 가스 분사 수단(331, 334)을 통해 원료 가스(A) 및 반응 가스(B)가 분사되고, 제 2, 제 3, 제 5 및 제 6 가스 분사 수단(332, 333, 335, 336)을 통해 퍼지 가스(C)가 분사된다. 이때, 제 2 및 제 5 가스 분사 수단(332, 335)을 통해 퍼지 가스(C)가 분사되고 제 3 및 제 6 가스 분사 수단(333, 336)을 통해서는 공정 가스가 분사되지 않도록 할 수도 있다.
이어서, 도 6(b)에 도시된 바와 같이 제 1 가스 분사 수단(331)과 예를 들어 반시계 방향으로 인접한 제 2 가스 분사 수단(332)을 통해 원료 가스(A)가 분사되고, 이와 대향되고 제 4 가스 분사 수단(334)과 반시계 방향으로 인접한 제 5 가스 분사 수단(335)을 통해 반응 가스(B)가 분사된다. 이와 동시에 제 1, 제 3, 제 4 및 제 6 가스 분사 수단(331, 333, 334, 336)을 통해 퍼지 가스(C)가 분사된다.
이어서, 도 6(c)에 도시된 바와 같이 제 2 가스 분사 수단(332)과 반시계 방향으로 인접한 제 3 가스 분사 수단(333)을 통해 원료 가스(A)가 분사되고, 제 2 가스 분사 수단(332)과 대향되고 제 5 가스 분사 수단(335)과 반시계 방향으로 인접한 제 6 가스 분사 수단(336)을 통해 반응 가스(B)가 분사된다. 이와 동시에 제 1, 제 2, 제 4 및 제 5 가스 분사 수단(331, 332, 334, 335)을 통해 퍼지 가스(C)가 분사된다.
이러한 방식으로 도 6(d) 내지 도 6(f)에 도시된 바와 같이 반시계 방향으로 인접한 가스 분사 수단(330)을 통해 시계 방향으로 인접한 가스 분사 수단(330)으로부터 이전에 분사된 공정 가스를 분사함으로써 기판 상에 소정의 박막이 형성된다.
한편, 본 발명의 기술적 사상은 상기 실시 예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기 실시 예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지해야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야에서 당업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
100 : 챔버 200 : 기판 안치부
300 : 가스 분사 장치 310 : 가스 저장부
320 : 가스 공급부 330 : 가스 분사 수단
340 : 가스 제어부
300 : 가스 분사 장치 310 : 가스 저장부
320 : 가스 공급부 330 : 가스 분사 수단
340 : 가스 제어부
Claims (18)
- 일 방향으로 배치되는 복수의 가스 분사 수단; 및
상기 복수의 가스 분사 수단 각각에 원료 가스, 퍼지 가스 및 반응 가스를 포함하는 공정 가스를 각각 공급하는 가스 공급부를 포함하고,
상기 복수의 가스 분사 수단은 챔버 내에 고정되며,
상기 가스 공급부는 서로 대향되는 위치에 마련되는 가스 분사 수단에 상기 원료 가스 및 반응 가스를 각각 일 방향으로 순차적으로 공급하고,
상기 가스 공급부는 상기 원료 가스 및 반응 가스가 공급되는 가스 분사 수단 사이에 위치하는 가스 분사 수단에 상기 퍼지 가스를 일 방향으로 순차적으로 공급하고,
상기 가스 공급부는 상기 공정 가스가 공급되는 중에 상기 원료 가스, 반응 가스 및 퍼지 가스가 공급되는 가스 분사 수단의 각 사이에 위치하는 가스 분사 수단에 상기 공정 가스를 공급하지 않는 가스 공급 장치.
- [청구항 2은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.]제 1 항에 있어서, 상기 복수의 가스 분사 수단은 적어도 8개 마련되는 가스 공급 장치.
- [청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.]제 2 항에 있어서, 상기 복수의 가스 분사 수단에는 상기 원료 가스 및 반응 가스가 공급되는 두 가스 분사 수단 사이에 위치하는 적어도 두 가스 분사 수단에 퍼지 가스가 공급되는 가스 공급 장치.
- [청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.]제 2 항에 있어서, 상기 복수의 가스 분사 수단에는 상기 원료 가스 및 반응 가스가 공급되는 두 가스 분사 수단 사이에 위치하고 서로 대향되는 적어도 두 가스 분사 수단에 퍼지 가스가 공급되는 가스 공급 장치.
- 삭제
- [청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.]제 2 항에 있어서, 상기 복수의 가스 분사 수단과 상기 원료 가스, 퍼지 가스 및 반응 가스를 각각 공급하는 상기 가스 공급부 사이에 마련된 복수의 가스 제어부를 더 포함하고, 상기 가스 제어부의 조절에 의해 상기 가스 분사 수단을 통한 상기 공정 가스의 공급이 제어되는 가스 공급 장치.
- 일 방향으로 배치되는 제1 가스 분사 수단, 제2 가스 분사 수단 및 제3 가스 분사 수단을 포함하는 복수의 가스 분사 수단;
상기 복수의 가스 분사 수단 각각에 원료 가스, 퍼지 가스 및 반응 가스를 포함하는 공정 가스를 각각 공급하는 복수의 가스 공급부; 및
상기 복수의 가스 분사 수단 각각과 상기 복수의 가스 공급부 사이에 마련된 복수의 가스 제어부를 포함하고,
상기 복수의 가스 분사 수단은 챔버 내에 고정되며, 상기 가스 제어부의 조절에 따라 상기 제1 가스 분사 수단은 원료 가스, 퍼지 가스 및 반응 가스를 순차적으로 공급하고, 상기 제2 가스 분사 수단은 퍼지 가스, 원료 가스 및 퍼지 가스를 순차적으로 공급하고, 상기 제3 가스 분사 수단은 반응 가스, 퍼지 가스 및 원료 가스를 순차적으로 공급하고,
상기 제1 가스 분사 수단은 제3 가스 분사 수단과 대향되는 위치에 마련되고,
상기 공정 가스가 공급되는 중에, 상기 제1 가스 분사 수단, 제2 가스 분사 수단 및 제3 가스 분사 수단의 각 사이에 위치하는 가스 분사 수단은 상기 공정 가스를 공급하지 않는 가스 공급 장치.
- [청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.]제 7 항에 있어서, 상기 복수의 가스 분사 수단에는 상기 원료 가스 및 반응 가스가 공급되는 두 가스 분사 수단 사이에 위치하는 적어도 두 가스 분사 수단으로 퍼지 가스가 공급되는 가스 공급 장치.
- [청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.]제 7 항에 있어서, 상기 복수의 가스 분사 수단에는 상기 원료 가스 및 반응 가스가 공급되는 두 가스 분사 수단 사이에 위치하고 서로 대향되는 적어도 두 가스 분사 수단에 퍼지 가스가 공급되는 가스 공급 장치.
- 챔버 내에 고정되어 일 방향으로 배치되는 복수의 가스 분사 수단; 및
상기 복수의 가스 분사 수단 각각에 원료 가스, 퍼지 가스 및 반응 가스를 포함하는 공정 가스를 각각 공급하는 가스 공급부를 포함하는 가스 공급 장치를 이용하고,
상기 복수의 가스 분사 수단 중 서로 대향되는 위치에 마련되는 가스 분사 수단에 상기 원료 가스 및 반응 가스를 각각 일 방향으로 순차적으로 공급하고,
상기 원료 가스 및 반응 가스가 공급되는 가스 분사 수단 사이에 위치하는 가스 분사 수단에 상기 퍼지 가스를 일 방향으로 순차적으로 공급하고,
상기 공정 가스가 공급되는 중에 상기 원료 가스, 반응 가스 및 퍼지 가스가 공급되는 가스 분사 수단의 각 사이에 위치하는 가스 분사 수단에 상기 공정 가스를 공급하지 않는 가스 공급 방법.
- 제 10 항에 있어서, 상기 복수의 가스 분사 수단에는 상기 원료 가스 및 반응 가스가 공급되는 두 가스 분사 수단 사이에 위치하고 서로 대향되는 적어도 두 가스 분사 수단으로 퍼지 가스가 공급된 후,
상기 원료 가스 및 반응 가스를 공급한 두 가스 분사 수단으로 상기 퍼지 가스가 공급되고 상기 퍼지 가스를 공급한 두 가스 분사 수단으로 상기 원료 가스 및 반응 가스가 공급되는 가스 공급 방법.
- 방사형으로 배치되며 챔버 내에 고정된 제1 가스 분사 수단, 제2 가스 분사 수단 및 제3 가스 분사 수단을 포함하는 복수의 가스 분사 수단;
상기 복수의 가스 분사 수단 각각에 원료 가스, 퍼지 가스 및 반응 가스를 포함하는 공정 가스를 각각 공급하는 복수의 가스 공급부; 및
상기 복수의 가스 분사 수단과 상기 복수의 가스 공급부 사이에 마련된 복수의 가스 제어부를 포함하는 가스 공급 장치를 이용하고,
상기 복수의 가스 제어부의 조절에 따라 상기 제1 가스 분사 수단은 원료 가스, 퍼지 가스 및 반응 가스를 순차적으로 공급하고, 상기 제2 가스 분사 수단은 퍼지 가스, 원료 가스 및 퍼지 가스를 순차적으로 공급하고, 상기 제3 가스 분사 수단은 반응 가스, 퍼지 가스 및 원료 가스를 순차적으로 공급하고,
상기 제1 가스 분사 수단은 제3 가스 분사 수단과 대향되는 위치에 마련되고,
상기 공정 가스가 공급되는 중에, 상기 제1 가스 분사 수단, 제2 가스 분사 수단 및 제3 가스 분사 수단의 각 사이에 위치하는 가스 분사 수단은 상기 공정 가스를 공급하지 않는 가스 공급 방법.
- 반응 공간을 마련하는 챔버;
상기 챔버 하측에 마련된 기판 안치부; 및
상기 기판 안치부에 안치된 기판 상에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 장치를 포함하며,
상기 가스 공급 장치는,
일 방향을 따라 방사형으로 배치된 복수의 가스 분사 수단; 및
상기 복수의 가스 분사 수단 각각에 원료 가스, 퍼지 가스 및 반응 가스를 포함하는 공정 가스를 각각 공급하는 가스 공급부를 포함하고,
상기 복수의 가스 분사 수단은 상기 챔버의 상측에 고정되며, 상기 가스 공급부는 서로 대향되는 위치에 마련되는 가스 분사 수단에 상기 원료 가스 및 반응 가스를 각각 일 방향으로 순차적으로 공급하고,
상기 가스 공급부는 상기 원료 가스 및 반응 가스가 공급되는 가스 분사 수단 사이에 위치하는 가스 분사 수단에 상기 퍼지 가스를 일 방향으로 순차적으로 공급하고,
상기 가스 공급부는 상기 공정 가스가 공급되는 중에 상기 원료 가스, 반응 가스 및 퍼지 가스가 공급되는 가스 분사 수단의 각 사이에 위치하는 가스 분사 수단에 상기 공정 가스를 공급하지 않는 기판 처리 장치.
- 제 13 항에 있어서, 상기 기판 안치부는 상기 일 방향과 반대의 타 방향으로 회전하는 기판 처리 장치.
- 반응 공간을 마련하는 챔버;
상기 챔버 내측 상부에 서로 대향되는 위치에 마련된 제 1 및 제 3 가스 분사 수단;
상기 제 1 및 제 3 가스 분사 수단으로부터 일 방향으로 각각 30°내지 90°의 위치에서 서로 대향되게 위치하는 제 2 및 제 4 가스 분사 수단; 및
상기 제 1 내지 제 4 가스 분사 수단에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 장치를 포함하고,
상기 가스 공급 장치는, 상기 제1 가스 분사 수단에 원료 가스, 퍼지 가스 및 반응 가스를 순차적으로 공급하고, 상기 제2 가스 분사 수단에 퍼지 가스, 원료 가스 및 퍼지 가스를 순차적으로 공급하고, 상기 제3 가스 분사 수단에 반응 가스, 퍼지 가스 및 원료 가스를 순차적으로 공급하고, 상기 제4 가스 분사 수단에 퍼지 가스, 반응 가스 및 퍼지 가스를 순차적으로 공급하고,
상기 제1 가스 분사 수단은 제3 가스 분사 수단과 대향되는 위치에 마련되고,
상기 공정 가스가 공급되는 중에, 상기 제1 가스 분사 수단, 제2 가스 분사 수단, 제3 가스 분사 수단 및 제4 가스 분사 수단의 각 사이에 위치하는 가스 분사 수단은 상기 공정 가스를 공급하지 않는 기판 처리 장치.
- [청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.]제 15 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 3 가스 분사 수단에 원료 가스 및 반응 가스를 각각 공급한 후, 수초 후에 상기 제 2 및 제 4 가스 분사 수단에 원료 가스 및 반응 가스를 각각 공급하는 기판 처리 장치.
- [청구항 17은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.]제 15 항에 있어서, 상기 제 2 및 제 4 가스 분사 수단에 퍼지 가스를 각각 공급한 후, 수초 후에 상기 제 1 및 제 3 가스 분사 수단에 퍼지 가스를 공급하는 기판 처리 장치.
- 반응 공간을 마련하는 챔버;
상기 챔버 내측 상부에 서로 대향되는 위치에 마련된 제 1 및 제 3 가스 분사 수단;
상기 제 1 및 제 3 가스 분사 수단으로부터 일 방향으로 각각 30°내지 90°의 위치에서 서로 대향되게 위치하는 제 2 및 제 4 가스 분사 수단을 포함하고,
상기 제 1 가스 분사 수단은 원료 가스, 퍼지 가스 및 반응 가스를 일 방향으로 순차적으로 공급하고, 상기 제2 가스 분사 수단은 퍼지 가스, 원료 가스 및 퍼지 가스를 일 방향으로 순차적으로 공급하고, 상기 제3 가스 분사 수단은 반응 가스, 퍼지 가스 및 원료 가스를 일 방향으로 순차적으로 공급하고, 상기 제4 가스 분사 수단은 퍼지 가스, 반응 가스 및 퍼지 가스를 일 방향으로 순차적으로 공급하고,
상기 원료 가스, 퍼지 가스 및 반응 가스를 포함하는 공정 가스가 공급되는 중에, 상기 제1 가스 분사 수단, 제2 가스 분사 수단, 제3 가스 분사 수단 및 제4 가스 분사 수단의 각 사이에 위치하는 가스 분사 수단은 상기 공정 가스를 공급하지 않는 기판 처리 장치.
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