JP2022533967A

JP2022533967A - 基板処理装置

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Publication number: JP2022533967A
Application number: JP2021568395A
Authority: JP
Inventors: ジョンシクキム; チュルジュハン
Original assignee: ジュスンエンジニアリングカンパニーリミテッド
Priority date: 2019-05-20
Filing date: 2020-05-19
Publication date: 2022-07-27
Also published as: CN113785086A; KR20200133406A; US20220186373A1; WO2020235912A1; TW202100799A

Abstract

本発明は、基板を支持するための支持部、前記支持部から上側方向に離隔して配置されたリード、前記リードに結合し、第１領域に第１ガスを噴射する第１噴射部、前記リードに結合し、第２領域第２ガスを噴射する第２噴射部、前記リードに結合し、前記第１領域と前記第２領域の間に配置された第３領域にパージガスを噴射するパージ部、及び前記支持部を回転させるための回転部を含む基板処理装置に関するものである。

Description

本発明は、基板に対する蒸着工程、エッチング工程などの処理工程を行なう基板処理装置に関するものである。

一般的に、太陽電池（ＳｏｌａｒＣｅｌｌ）、半導体素子、フラットパネルディスプレイ等を製造するためには、基板上に所定の薄膜層、薄膜回路パターン、または光学的パターンを形成しなければならない。そのため、基板上に特定物質の薄膜を蒸着する蒸着工程、感光性物質を用いて薄膜を選択的に露出させるフォト工程、選択的に露出した部分の薄膜を除去してパターンを形成するエッチング工程などの基板処理工程が行われる。これらの基板の処理工程は、基板処理装置によって行われる。

従来の技術による基板処理装置は、基板を支持する基板支持部、前記基板支持部を回転軸を中心に連続的に回転させる回転部、前記基板支持部上の第１噴射空間に向かって第１ガスを噴射する第１噴射部、前記基板支持部上の第２噴射空間に向かって第２ガスを噴射する第２噴射部を含む。

前記第１噴射部が前記第１噴射空間に第１ガスを噴射するとともに、前記第２噴射部が前記第２噴射空間に第２ガスを噴射する間、前記回転部は、前記基板が前記第１噴射空間と前記第２噴射空間を順次繰り返して通過するように前記基板支持部を連続的に回転させる。これにより、前記第１噴射空間において、前記基板に第１ガスが吸着する吸着工程が行われた後、前記第２噴射空間で前記基板に吸着した第１ガスと前記第２噴射部が噴射した第２ガスが反応して薄膜が蒸着する蒸着工程が行われる。これにより、基板には、原子層蒸着法（ＡＬＤ）によって薄膜が蒸着する。

ここで、従来の技術による基板処理装置は、前記回転部が前記基板支持部を連続的に回転させるので、前記基板が回転している状態で、前記吸着工程が行われるように具現される。

これにより、従来の技術による基板処理装置は、前記基板が連続的に回転することによって作用する遠心力などにより、前記第１噴射空間において、前記吸着工程が正しく行われなくなる。

したがって、従来の技術による基板処理装置は、前記第２噴射空間で前記基板に吸着しなかった第１ガスと前記第２噴射部が噴射した第２ガスが前記基板の上側で反応することにより、前記基板に化学気相蒸着法（ＣＶＤ）によって薄膜が蒸着するので、前記基板に蒸着した薄膜の膜質が低下するという問題がある。

本発明は、上述したような問題点を解決しようと案出されたもので、基板に蒸着した薄膜の膜質が低下することを防止することができる基板処理装置を提供することである。

上述したような課題を解決するために、本発明は、下記のような構成を含むことができる。

本発明に係る基板処理装置は、基板を支持するための支持部、前記支持部から上側方向に離隔して配置されたリード、前記リードに結合して第１領域に第１ガスを噴射する第１噴射部、前記リードに結合して第２領域に第２ガスを噴射する第２噴射部、前記リードに結合して前記第１領域と前記第２領域の間に配置された第３領域にパージガスを噴射するパージ部、及び前記支持部を回転させるための回転部を含むことができる。前記回転部は、基板が、前記第１領域と前記第２領域の間で移動するように、前記支持部を回転させるが、前記第１領域で第１ガスを用いた処理工程が行われるとともに、前記第２領域で第２ガスを用いた処理工程が行われる間は、前記支持部を停止させることができる。前記第１噴射部の下面は、前記第２噴射部の下面が、前記支持部から離隔した距離に比べて、より短い距離で前記支持部から離隔するように配置することができる。

本発明によると、次のような効果を図ることができる。

本発明は、支持部の回転を介して基板を第１領域と第２領域の間を移動させることができるとともに支持部の回転を停止させた状態で、第１ガスを用いた処理工程と第２ガスを用いた処理工程を行なうように具現される。したがって、本発明は、原子層蒸着法（ＡＬＤ）で薄膜を蒸着する工程の安定性を向上させ、薄膜の膜質を向上させることができる。

本発明に係る基板処理装置の概略的な分解斜視図。本発明に係る基板処理装置を図１のＩ－Ｉ線を基準にして表した概略的な側断面図。本発明に係る基板処理装置において、支持部の概略的な平面図。本発明に係る基板処理装置において、リードの概略的な平面図。本発明に係る基板処理装置において、第１噴射部と第２噴射部に配置された一実施例を図１のＩ－Ｉ線を基準にして表した概略的な側断面図。本発明に係る基板処理装置において、噴射モジュールの実施例の概略的な側断面図。本発明に係る基板処理装置において、噴射モジュールの実施例の概略的な側断面図。本発明に係る基板処理装置において、パージ部を図１のＩＩ－ＩＩ線を基準にして表した概略的な平断面図。本発明に係る基板処理装置において、パージ部が配置された一実施例を図１のＩ－Ｉ線を基準にして表した概略的な側断面図。本発明に係る基板処理装置において、支持部の概略的な平面図。本発明に係る基板処理装置において、支持部の概略的な平面図。本発明に係る基板処理装置において、支持部の概略的な平面図。本発明に係る基板処理装置において、支持部を、図１２のＩＩＩ－ＩＩＩ線を基準にして表した概略的な側断面図。

以下では、本発明に係る基板処理装置の実施例を、添付した図を参照して詳細に説明する。

図１及び図２を参照すると、本発明に係る基板処理装置１は、基板（Ｓ）に対する処理工程を行なうものである。前記基板（Ｓ）は、ガラス基板、シリコン基板、金属基板などであり得る。本発明に係る基板処理装置１は、前記基板（Ｓ）に薄膜を蒸着する蒸着工程、前記基板（Ｓ）に蒸着した薄膜の一部を除去するエッチング工程などを行なうことができる。以下では、本発明に係る基板処理装置１が前記蒸着工程を行なう実施例に基づいて説明するが、このことから、本発明に係る基板処理装置１が前記エッチング工程などと共に、異なる処理工程を行なう実施例を導出することは、本発明が属する技術分野に属する当業者には自明であろう。

本発明に係る基板処理装置１は、支持部２、リード３、第１噴射部４、第２噴射部５、パージ部６、および回転部７を含むことができる。

前記支持部２は、前記基板（Ｓ）を支持するものである。前記支持部２は、前記の処理工程が行われる処理空間を提供するチャンバー１ａの内部に結合することができる。前記処理空間は、前記支持部２と前記リード３の間に配置され得る。前記チャンバー１ａには、基板出入口（未図示）が結合され得る。前記基板（Ｓ）は、ローディング装置（未図示）により前記基板出入口を通過して前記チャンバー１ａの内部に搬入され得る。前記の処理工程が完了すると、前記基板（Ｓ）は、アンローディング装置（未図示）により前記基板出入口を通過して前記チャンバー１ａの外部に搬出され得る。前記チャンバー１ａには、前記の処理空間に存在するガスなどを外部に排気させるための排気部１ｂ（図２に示す）が結合され得る。

前記支持部２は、前記基板（Ｓ）が支持される支持部材２１を含むことができる。

前記支持部材２１は、前記支持部２と前記リード３の間に配置されるように前記支持部２に結合され得る。すなわち、前記支持部材２１は、前記支持部２の上面２ａに結合され得る。前記基板（Ｓ）は、前記支持部材２１の上側方向（ＵＤ矢印の方向）に突出するように、前記支持部材２１に無事に支持され得る。前記上側方向（ＵＤ矢印の方向）は、前記支持部２から前記リード３に向かう方向であり得る。図に示していないが、前記支持部材２１は、前記基板（Ｓ）が挿入される支持ホーム（未図示）を含むこともできる。この場合、前記基板（Ｓ）は、前記支持ホームに挿入されることにより、前記支持部材２１に支持され得る。前記支持部材２１および前記支持部２は、一体に形成することもできる。

前記支持部材２１は、前記支持部２の上面２ａから前記上側方向（ＵＤ矢印の方向）に突出することができる。これにより、前記基板（Ｓ）の上面は、前記支持部２の上面２ａから前記上側方向（ＵＤ矢印の方向）に離隔した位置に配置され得る。したがって、本発明に係る基板処理装置１は、ガスが前記処理空間から前記チャンバー１ａの外部に排気される過程で、ガスが前記基板（Ｓ）の上面の方に侵入することを抑制する抑止力を具現することができる。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記処理工程が完了した基板（Ｓ）の品質を向上させることができる。

前記支持部２は、前記支持部材２１を複数個含むことができる。これにより、前記支持部２は、前記基板（Ｓ）を複数個支持するように具現され得る。前記支持部材２１は、互いに離隔するように配置され得る。これにより、前記基板（Ｓ）は、互いに離隔するように配置され得る。

図１及び図２を参照すると、前記リード３は、前記支持部２から前記上側方向（ＵＤ矢印の方向）に離隔して配置されたものである。前記リード３は、前記チャンバー１ａの上部を覆うように、前記チャンバー１ａに結合され得る。前記リード３及び前記チャンバー１ａは、図１に示すように六角形構造で形成され得るが、これに限定されず、円筒形の構造、楕円形構造、八角形などの多角形構造などで形成することもできる。

図１～図５を参照すると、第１噴射部４は、第１ガスを噴射するものである。前記第１噴射部４は、前記支持部２から前記上側方向（ＵＤ矢印の方向）に離隔するように前記リード３に結合され得る。前記第１噴射部４は、複数の第１噴射孔を介して前記第１ガスを噴射することができる。前記第１噴射部４は、第１領域（Ａ１、図３に示す）に、前記第１ガスを噴射することができる。これにより、前記第１領域（Ａ１）には、前記第１ガスを用いた処理工程を行なうことができる。前記第１領域（Ａ１）は、前記第１ガスが噴射される領域であって、前記支持部２と前記第１噴射部４の間に配置された領域であり得る。前記第１領域（Ａ１）の前記上側方向（ＵＤ矢印の方向）側には、前記第１噴射部４の下面４ａが配置され得る。前記第１噴射部４の下面４ａは、下側方向（ＤＤ矢印の方向）に向く前記第１噴射部４の面であり得る。前記下側方向（ＤＤ矢印の方向）は、前記上側方向（ＵＤ矢印の方向）と反対方向であり得る。前記第１噴射部４は、ホース、配管などを介して供給部１０（図２に示す）に連結することができる。前記供給部１０は、前記第１ガスを供給するものである。前記第１ガスは、前記基板（Ｓ）上に蒸着される薄膜のソース物質を構成する前駆体であり得る。

前記第１噴射部４は、前記第１ガスを噴射する第１噴射モジュール４１（図４に示す）を含むことができる。

前記第１噴射モジュール４１は、前記第１領域（Ａ１）に、前記第１ガスを噴射するものである。前記第１噴射モジュール４１は、前記第１噴射孔を介して前記第１領域（Ａ１）に、前記第１ガスを噴射することができる。前記第１噴射モジュール４１は、前記第１噴射部４が有する第１噴射本体４２（図４に示す）に結合され得る。前記第１噴射本体４２は、前記リード３に結合されるものである。前記第１噴射モジュール４１は、前記第１噴射本体４２を介して前記リード３に結合され得る。前記第１噴射モジュール４１は、前記基板（Ｓ）に比べて、より大きな大きさで形成され得る。

前記第１噴射本体４２には、前記第１噴射モジュール４１が複数個結合され得る。この場合、前記第１領域（Ａ１）には、複数の基板（Ｓ）が配置され得る。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記第１領域（Ａ１）で複数の第１噴射モジュール４１が噴射した第１ガスを利用して、複数の基板（Ｓ）に対する処理工程を行なうことができるので、第１ガスを用いた処理工程の処理率を増大させることができる。前記第１噴射本体４２には、２Ｎ（Ｎは０以上の整数）個の第１噴射モジュール４１が結合され得る。

前記第１噴射部４は、第１シーリング部材４３（図４に示す）を含むことができる。

前記第１シーリング部材４３は、前記第１噴射本体４２と前記リード３の間の隙間を密閉するものである。前記第１噴射本体４２に前記第１噴射モジュール４１が複数個結合された場合、前記第１シーリング部材４３は、前記第１噴射モジュール４１の外側を囲むように配置され得る。すなわち、前記第１噴射モジュール４１は、前記第１シーリング部材４３の内側に位置することができる。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記第１噴射モジュール４１の間に、前記第１シーリング部材４３が位置していないので、第１噴射モジュール４１の間の間隔４１Ｄ（図４に示す）を減少させることができる。したがって、本発明に係る基板処理装置１は、前記第１噴射部４の大きさを減少させることができるので、全体的に小型化の実現が可能に具現され得る。

図１～図５を参照すると、第２噴射部５は、第２ガスを噴射するものである。前記第２噴射部５は、前記支持部２から前記上側方向（ＵＤ矢印の方向）に離隔するように前記リード３に結合され得る。前記パージ部６を基準にして、第２噴射部５と、前記第１噴射部４は、互いに反対側に配置され得る。

前記第２噴射部５は、複数の第２噴射孔を介して前記第２ガスを噴射することができる。前記第２噴射部５は、第２領域（Ａ２、図３に示す）に前記第２ガスを噴射することができる。これにより、前記第２領域（Ａ２）は、前記第２ガスを用いた処理工程を行なうことができる。前記第２領域（Ａ２）は、前記第２ガスが噴射される領域であって、前記支持部２と前記第２噴射部５の間に配置された領域であり得る。前記第２領域（Ａ２）の前記上側方向（ＵＤ矢印の方向）側には、前記第２噴射部５の下面５ａが配置され得る。前記第２噴射部５の下面５ａは、前記下側方向（ＤＤ矢印の方向）側に向かう前記第２噴射部５の面であり得る。前記第２領域（Ａ２）は、前記第１領域（Ａ１）から離隔した位置に配置され得る。前記第２噴射部５は、ホース、配管などを介して前記供給部１０（図２に示す）に連結することができる。図に示していないが、前記供給部１０は、前記第１ガスを供給する第１供給機構、及び前記第２ガスを供給する第２供給機構を含むことができる。前記第１供給機構は、前記第１噴射部４に連結して前記第１噴射部４に、前記第１ガスを供給することができる。前記第２供給機構は、前記第２噴射部５に連結して前記第２噴射部５に、前記第２ガスを供給することができる。前記第１ガスがソースガスである場合、前記第２ガスは、反応ガスであり得る。

前記第２噴射部５は、前記第２ガスを噴射する第２噴射モジュール５１（図４に示す）を含むことができる。

前記第２噴射モジュール５１は、前記第２領域（Ａ２）に前記第２ガスを噴射するものである。前記第２噴射モジュール５１は、前記第２噴射孔を介して前記第２領域（Ａ２）に前記第２ガスを噴射することができる。前記第２噴射モジュール５１は、前記第２噴射部５が有する第２噴射本体５２（図４に示す）に結合することができる。前記第２噴射本体５２は、前記リード３に結合するものである。前記第２噴射モジュール５１は、前記第２噴射本体５２を介して前記リード３に結合することができる。前記第２噴射モジュール５１は、前記基板（Ｓ）に比べて、より大きな大きさで形成され得る。

前記第２噴射本体５２には、前記第２噴射モジュール５１が複数個結合され得る。この場合、前記第２領域（Ａ２）には、複数の基板（Ｓ）が配置され得る。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記第２領域（Ａ２）で複数の第２噴射モジュール５１が噴射した第２ガスを利用して、複数の基板（Ｓ）の処理工程を行なうことができるので、第２ガスを用いた処理工程の処理率を増大させることができる。前記第２噴射本体５２には、２Ｎ個の第２噴射モジュール５１が結合され得る。前記第２噴射モジュール５１と、前記第１噴射モジュール４１は、互いに同じ数で具備され得る。

前記第２噴射部５は、第２シーリング部材５３（図４に示す）を含むことができる。

前記第２シーリング部材５３は、前記第２噴射本体５２と前記リード３の間の隙間を密閉させるものである。前記第２噴射本体５２に前記第２噴射モジュール５１が複数個結合された場合、前記第２シーリング部材５３は、前記第２噴射モジュール５１の外側を囲むように配置され得る。すなわち、前記第２噴射モジュール５１は、前記第２シーリング部材５３の内側に位置することができる。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記第２噴射モジュール５１の間に、前記第２シーリング部材５３が位置していないので、第２噴射モジュール５１の間の間隔５１Ｄ（図４に示す）を減少させることができる。したがって、本発明に係る基板処理装置１は、前記第２噴射部５の大きさを減少させることができるので、全体的に小型化の実現可能に具現され得る。

図５を参照すると、第２噴射部５の下面５ａは、前記第１噴射部４の下面４ａが、前記支持部２から離隔した距離に比べてより長い距離で、前記支持部２から離隔するように配置され得る。例えば、前記第１噴射部４の下面４ａが、前記支持部２から離隔した第１離隔距離（Ｌ１）は、前記第２噴射部５の下面５ａが、前記支持部２から離隔した第２離隔距離（Ｌ２）に比べて、より短く形成され得る。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記第２噴射部５を介して噴射された第２ガスの流量が、前記第１噴射部４を介して噴射された第１ガスの流量に比べてより多くても、前記第１領域（Ａ１）と前記第２領域（Ａ２）の間のガス分圧（ＰａｒｔｉａｌＰｒｅｓｓｕｒｅ）差が減少するように具現され得る。分圧は、混合気体において各成分気体が示す圧力を意味するものであり、ガスの流量に比例してガスが噴射される領域の大きさに反比例する。したがって、本発明に係る基板処理装置１は、前記第２ガスが、前記第１ガスの流量に比べてより多く噴射されても、前記第２領域（Ａ２）が、前記第１領域（Ａ１）に比べて、より大きな大きさで形成されるので、前記第１領域（Ａ１）と前記第２領域（Ａ２）の間の分圧の差を減少させることができる。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記第１ガスと前記第２ガスを用いた処理工程時、前記第１ガスが前記第２領域（Ａ２）に浸透することを抑制するとともに、前記第２ガスが前記第１領域（Ａ１）に浸透することを抑制する抑止力を具現することにより、前記第１領域（Ａ１）上で前記第１ガスを用いた処理工程の完成度を向上させるとともに、前記第２領域（Ａ２）上で前記第２ガスを用いた処理工程の完成度を向上させることができる。したがって、本発明に係る基板処理装置１は、前記第１ガスと前記第２ガスの混合により、膜質が低下することを防止することにより、処理工程が完了した基板の品質を向上させることができる。

図５を参照すると、第２噴射部５の下面５ａは、前記リード３の下面３ａから前記上側方向（ＵＤ矢印の方向）の方に離隔するように配置され得る。この場合、前記第１噴射部４の下面４ａは、前記リード３の下面３ａから前記下側方向（ＤＤ矢印の方向）の方に離隔するように配置され得る。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記第２領域（Ａ２）が、前記第１領域（Ａ１）に比べて、より大きな大きさで具現されるので、前記第２ガスが、前記第１ガスに比べて、より多い流量で前記支持部２上に噴射されても、前記第１領域（Ａ１）と前記第２領域（Ａ２）の間のガス分圧の差を減少させることができる。前記リード３の下面３ａは、前記下側方向（ＤＤ矢印の方向）に向かう前記リード３の面であり得る。

図に示していないが、前記第２噴射部５の下面５ａが前記リード３の下面３ａから前記上側方向（ＵＤ矢印の方向）の方に離隔するように配置された場合、前記第１噴射部４の下面４ａは、前記リード３の下面３ａと同じ高さに位置するように配置され得る。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記第２領域（Ａ２）が、前記第１領域（Ａ１）に比べて、より大きな大きさで具現されるので、前記第１領域（Ａ１）と前記第２領域（Ａ２）の間のガス分圧の差を減少させることができる。

前記第２噴射部５の下面５ａは、前記第１噴射部４の下面４ａが、前記支持部２から離隔した距離の３～１５倍の距離で、前記支持部２から離隔するように配置され得る。この場合、前記第２噴射部５の下面５ａが、前記支持部２から離隔した距離は、前記第１噴射部４の下面４ａが、前記支持部２から離隔された距離に対して３倍以上１５倍以下であり得る。例えば、前記第１離隔距離（Ｌ１）は、０ｍｍより大きく５ｍｍ以下で形成するとともに、前記第２離隔距離（Ｌ２）は、３ｍｍ以上１５ｍｍ以下で形成することができる。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記第２領域（Ａ２）が、前記第１領域（Ａ１）に比べて、より大きな大きさで具現されるので、前記第２ガスが、前記第１ガスに比べて、より多い流量で前記支持部２上に噴射されても、前記第１領域（Ａ１）と前記第２領域（Ａ２）の間のガス分圧の差を減少させることができる。

前記第２噴射部５は、前記第１噴射部４が前記第１ガスを噴射する第１領域（Ａ１）に比べて、より大きな体積（Ｖｏｌｕｍｅ）を有した前記第２領域（Ａ２）に、前記第２ガスを噴射することができる。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記第２ガスが、前記第１ガスに比べて、より多い流量で前記支持部２上に噴射されても、前記第１領域（Ａ１）と前記第２領域（Ａ２）の間のガス分圧の差を減少させることで、前記第１ガスが前記第２領域（Ａ２）に浸透することを抑制するとともに、前記第２ガスが前記第１領域（Ａ１）に浸透することを抑制する抑止力を具現することができる。

図４～図７を参照して前記第２噴射モジュール５１（図４に示す）および、前記第１噴射モジュール４１（図４に示す）の噴射モジュール３０の実施例を具体的に詳しくみてみると、次の通りである。

図６に示すように、前記噴射モジュール３０は、モジュール本体３１、前記支持部２に向けてガスを噴射する複数の噴射孔３２、及び前記噴射孔３２が連結した伝達孔３３を含むことができる。前記伝達孔３３は、前記供給部１０（図２に示す）に連結することができる。これにより、前記供給部１０（図２に示す）が供給したガスは、前記伝達孔３３に沿って流動しながら、前記噴射孔３２を介して前記支持部２に噴射され得る。図に示していないが、前記噴射モジュール３０には、プラズマ発生部が連結され得る。この場合、前記噴射モジュール３０は、プラズマを利用してガスを活性化させ、活性化させたガスを前記支持部２に向かって噴射することができる。

図７に示すように、前記噴射モジュール３０は、第１電極３４、及び第２電極３５を含むこともできる。前記第１電極３４には、複数の突出電極３６が形成され得る。前記第２電極３５には、複数の電極孔３７が形成され得る。前記第１電極３４および前記第２電極３５は、前記突出電極３６が前記電極孔３７のそれぞれに挿入されるように配置され得る。この場合、前記噴射孔３２及び前記伝達孔３３は、前記第１電極３４に形成され得る。前記突出電極３６を接地（Ｇｒｏｕｎｄ）すると共に、前記第２電極３５にプラズマ電源を印加すると、前記噴射モジュール３０は、プラズマを発生させることができる。これにより、前記噴射モジュール３０は、プラズマを用いて前記第１電極３４と前記第２電極３５の間に形成された離隔空間３８で、ガスを活性化させることができる。前記伝達孔３３と、前記噴射孔３２を順次に移動したガスは、前記離隔空間３８で活性化され、前記支持部２に向けて噴射され得る。

前記第１噴射部４及び前記第２噴射部５は、互いに異なる種類の噴射モジュール３０を含むように具現され得る。例えば、前記第１噴射部４が図６に示したシャワーヘッドタイプの噴射モジュール３０を含み、前記第２噴射部５が、図７に示した電極構造タイプの噴射モジュール３０を含むことができる。例えば、前記第１噴射部４が、図７に示した電極構造タイプの噴射モジュール３０を含み、前記第２噴射部５が、図６に示したシャワーヘッドタイプの噴射モジュール３０を含むこともできる。

前記第１噴射部４が前記シャワーヘッドタイプの噴射モジュール３０を含み、前記第２噴射部５が前記電極構造タイプの噴射モジュール３０を含む場合、本発明による基板処理装置１は、前記第２噴射部５が前記第２ガスを前記離隔空間３８に噴射するように具現され得る。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記離隔空間３８を介して、追加の前記第２ガスの噴射空間を確保することで、前記第２ガスの流量を増大させても、前記第１領域（Ａ１）と前記第２領域（Ａ２）の間の分圧差を減少させるように具現され得る。

前記第１噴射部４及び前記第２噴射部５は、互いに同じ種類の噴射モジュール３０を含むように具現され得る。例えば、前記第１噴射部４及び前記第２噴射部５は、それぞれ図６に示したシャワーヘッドタイプの噴射モジュール３０を含むことができる。例えば、前記第１噴射部４及び前記第２噴射部５は、それぞれ図７に示した電極構造タイプの噴射モジュール３０を含むこともできる。

図１～図１０を参照すれば、前記パージ部６は、パージガスを噴射するものである。前記パージ部６は、第３領域（Ａ３）にパージガスを噴射することにより、前記第１領域（Ａ１）と前記第２領域（Ａ２）を区画することができる。これにより、前記パージ部６は、前記第１領域（Ａ１）に噴射された第１ガス及び前記第２領域（Ａ２）に噴射された第２ガスが互いに混合することを防止することができる。前記第３領域（Ａ３）は、前記第１領域（Ａ１）と前記第２領域（Ａ２）の間に配置され得る。前記第３領域（Ａ３）は、前記パージガスが噴射される領域であって、前記支持部２と前記パージ部６の間に配置された領域であり得る。前記第３領域（Ａ３）の前記上側方向（ＵＤ矢印の方向）側には、前記パージ部６の下面６ａが配置され得る。前記パージ部６の下面６ａは、前記下側方向（ＤＤ矢印の方向）側を向く前記パージ部６の面であり得る。前記パージ部６は、ホース、配管などを介して前記供給部１０（図２に示す）に連結することができる。図に示していないが、前記供給部１０は、前記パージガスを供給する第３供給機構を含むことができる。前記第３供給機構は、前記パージ部６に連結して、前記パージ部６に前記パージガスを供給することができる。

図９を参照すると、前記パージ部６の下面６ａは、前記第１噴射部４の下面４ａが、前記支持部２から離隔した距離に比べて、より短い距離で前記支持部２から離隔するように配置され得る。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記パージ部６が前記第１噴射部４に比べて、前記支持部２の方により突出することにより、前記パージガスを利用したガス障壁、および前記パージ部６の配置を利用した物理障壁を介して前記パージ部６が前記第１領域（Ａ１）と前記第２領域（Ａ２）を区画する区画力を向上させることができる。したがって、本発明に係る基板処理装置１は、前記第１領域（Ａ１）に噴射された第１ガス及び前記第２領域（Ａ２）に噴射された第２ガスが互いに混合することを防止する防止力を増大させることによって、ガス混合による膜質が低下する程度を減少させることができる。前記パージ部６の下面６ａは、前記第２噴射部５の下面５ａが、前記支持部２から離隔した距離に比べて、より短い距離で前記支持部２から離隔するように配置することもできる。

前記パージ部６の下面６ａは、前記リード３の下面３ａから第１突出距離で突出するように配置され得る。この場合、前記第１噴射部４の下面４ａは、前記リード３の下面３ａから前記第１突出距離よりも短い第２突出距離で突出するように配置され得る。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記パージ部６が前記第１噴射部４に比べて、前記支持部２の方により突出することにより、前記パージ部６が、前記第１領域（Ａ１）と前記第２領域（Ａ２）を区画する区画力を向上させることができる。図に示していないが、前記第２噴射部５の下面６ａは、前記支持部２から前記第２突出距離に比べて、さらに短い第３突出距離で突出するように配置され得る。

前記パージ部６の下面６ａと前記第１噴射部４の下面４ａは、前記支持部２から、互いに同じ距離で離隔するように配置され得る。例えば、前記パージ部６の下面６ａと前記第１噴射部４の下面４ａは、前記リード３の下面３ａと同じ高さに位置するように配置され得る。前記パージ部６の下面６ａと前記第２噴射部５の下面５ａは、前記リード３の下面３ａと同じ高さに位置するように配置することもできる。

図１～図１１を参照すれば、前記回転部７（図２に示す）は、前記支持部２を回転させるものである。前記回転部７は、前記支持部２の回転軸２０（図１０に示す）を中心にして前記支持部２を回転させることができる。前記回転部７は、前記支持部２を第１回転方向（Ｒ１矢印の方向、図１０に示す）に回転させることができる。前記第１回転方向（Ｒ１矢印の方向）に沿って前記第１領域（Ａ１）、第３領域（Ａ３）、第２領域（Ａ２）、及び前記第３領域（Ａ３）が順次に配置され得る。前記回転部７が前記支持部２を回転させることによって、前記支持部２に支持された基板（Ｓ、図３に示す）は、前記支持部２の回転軸２０を中心に回転することができる。これにより、前記支持部２に支持された基板（Ｓ）は、前記第１領域（Ａ１）、第３領域（Ａ３）、及び前記第２領域（Ａ２）の間に順次に移動することができる。

本発明に係る基板処理装置１が、前記第１領域（Ａ１）と前記第２領域（Ａ２）のそれぞれで複数の基板（Ｓ）に対して処理工程を行なう場合、前記回転部７は、次のように動作することができる。

まず、前記回転部７は、図１０に示すように、前記第１領域（Ａ１）に複数の第１基板１００が位置するとともに、前記第２領域（Ａ２）に複数の第２基板２００が位置するように、前記支持部２を回転させることができる。

その後、前記第１領域（Ａ１）に、前記第１基板１００が位置するとともに、前記第２領域（Ａ２）に複数の第２基板２００が位置すると、前記回転部７は、前記支持部２を停止させることができる。

その後、前記第１噴射部４は、前記第１領域（Ａ１）に前記第１ガスを噴射することができる。これにより、前記第１領域（Ａ１）では、前記第１基板１００に前記第１ガスが吸着する吸着工程を行なうことができる。この場合、前記第２噴射部５は、前記第２領域（Ａ２）に前記第２ガスを噴射せずに待機することができる。

その後、前記第１基板１００に対する吸着工程が完了すると、前記回転部７は、図１１に示すように、前記第１領域（Ａ１）に前記第２基板２００が位置すると共に、前記第２領域（Ａ２）に、前記第１基板１００が位置するように、前記支持部２を回転させることができる。この場合、前記第１基板１００は、前記第１領域（Ａ１）から前記第２領域（Ａ２）に移動する過程で、前記第３領域（Ａ３）を通過することができる。これにより、前記第１基板１００に吸着できなかった第１ガスが前記パージ部６が噴射したパージガスによって除去され得る。この場合、前記第２基板２００は、前記第２領域（Ａ２）から前記第１領域（Ａ１）に移動する過程で、前記第３領域（Ａ３）を通過することができる。

その後、前記第１領域（Ａ１）に前記第２基板２００が位置すると共に、前記第２領域（Ａ２）に前記第１基板１００が位置すると、前記回転部７は、前記支持部２を停止させることができる。

その後、前記第１噴射部４は、前記第１領域（Ａ１）に、前記第１ガスを噴射することができる。これにより、前記第１領域（Ａ１）では、前記第２基板２００に前記第１ガスが吸着される吸着工程を行なうことができる。この場合、前記第２噴射部５は、前記第２領域（Ａ２）に前記第２ガスを噴射することができる。これにより、前記第２領域（Ａ２）は、前記第１基板１００に吸着した第１ガスと前記第２噴射部５が噴射する第２ガスが反応して薄膜が蒸着する蒸着工程が行われる。したがって、前記第１基板１００には、原子層蒸着法（ＡＬＤ）で薄膜が蒸着され得る。本発明に係る基板処理装置１は、前記第２ガスが、前記第１ガスに比べて、より大きな流量で噴射されても、前記第２領域（Ａ２）が、前記第１領域（Ａ１）に比べて、より大きな大きさで形成されることにより、第１領域（Ａ１）と前記第２領域（Ａ２）の間のガス分圧差を減少させることができるよう具現され得る。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記第２領域（Ａ２）に噴射された前記第２ガスが前記第１領域（Ａ１）の方に浸透することを抑制するとともに、前記第１領域（Ａ１）に噴射された前記第１ガスが前記第２領域（Ａ２）の方に浸透することを抑制する抑止力を具現することができる。したがって、本発明に係る基板処理装置１は、前記第１基板１００に対する蒸着工程及び前記第２基板２００に対する吸着工程の完成度を向上させることができる。前記第２基板２００に対する吸着工程、および前記第１基板１００に対する蒸着工程は、並行して行なうことができる。

その後、前記第１基板１００に対する蒸着工程及び前記第２基板２００に対する吸着工程が完了すると、前記回転部７は、図１０に示すように、前記第１領域（Ａ１）に前記第１基板１００が位置するとともに、前記第２領域（Ａ２）に前記第２基板２００が位置するように、前記支持部２を回転させることができる。この場合、前記第２基板２００が、前記第１領域（Ａ１）から前記第２領域（Ａ２）に移動する過程で、前記第３領域（Ａ３）を通過することができる。これにより、前記第２基板２００に吸着できなかった第１ガスが前記パージ部６が噴射したパージガスによって除去され得る。この場合、前記第１基板１００が前記第２領域（Ａ２）から前記第１領域（Ａ１）に移動する過程で、前記第３領域（Ａ３）を通過することができる。これにより、前記第１基板１００に蒸着できなかった第２ガスが前記パージ部６が噴射したパージガスによって除去され得る。

その後、前記第１領域（Ａ１）に、前記第１基板１００が位置するとともに、前記第２領域（Ａ２）に前記第２基板２００が位置すると、前記回転部７は、前記支持部２を停止させることができる。

その後、前記第１噴射部４は、前記第１領域（Ａ１）に、前記第１ガスを噴射することができる。これにより、前記第１領域（Ａ１）では、前記第１基板１００に蒸着した薄膜に、前記第１ガスが吸着する吸着工程を行なうことができる。この場合、前記第２噴射部５は、前記第２領域（Ａ２）に前記第２ガスを噴射することができる。これにより、前記第２領域（Ａ２）では、前記第２基板２００に吸着した第１ガスと前記第２噴射部５が噴射する第２ガスが反応して薄膜が蒸着する蒸着工程が行なわれる。したがって、前記第２基板２００には、原子層蒸着法（ＡＬＤ）で薄膜が蒸着され得る。本発明に係る基板処理装置１は、前記第２ガスが、前記第１ガスに比べて、より大きな流量で噴射されても、前記第２領域（Ａ２）が、前記第１領域（Ａ１）に比べて、より大きな大きさで形成されることにより、第１領域（Ａ１）と前記第２領域（Ａ２）の間のガス分圧差を減少させることができるように具現され得る。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記第１領域（Ａ１）に噴射された前記第１ガスが前記第２領域（Ａ２）の方に浸透することを抑制すると共に、前記第２領域（Ａ２）に噴射された前記第２ガスが前記第１領域（Ａ１）の方に浸透することを抑制する抑止力を具現することができる。したがって、本発明に係る基板処理装置１は、前記第２基板２００に対する蒸着工程、および前記第１基板１００に対する吸着工程の完成度を向上させることができる。前記第１基板１００に対する吸着工程、および前記第２基板２００に対する蒸着工程は、並行して行なうことができる。

上述したように、前記第１基板１００に対する吸着工程と蒸着工程、及び前記第２基板２００に対する吸着工程と蒸着工程が繰り返して行われるように、前記回転部７は、前記支持部２の回転と停止を繰り返すことができる。前記第１基板１００及び前記第２基板２００のそれぞれに対して、所定の回数の吸着工程と蒸着工程が行われるまで、前記回転部７は、前記支持部２の回転と停止を繰り返すことができる。この場合、前記第１基板１００に対して吸着工程と蒸着工程が行われた回数、及び前記第２基板２００に対して吸着工程と蒸着工程が行われた回数は、互いに同一に具現され得る。そのため、最後には前記第２領域（Ａ２）では、前記第２噴射部５が前記第２基板２００に前記第２ガスを噴射すると共に、前記第１領域（Ａ１）では、前記第１噴射部４が前記第１基板１００に前記第１ガスを噴射せずに待機することができる。

このように、本発明に係る基板処理装置１は、前記第１領域（Ａ１）では、吸着工程が行われると共に、前記第２領域（Ａ２）では、蒸着工程が行われるように具現されるので、原子層蒸着法（ＡＬＤ）で薄膜を蒸着することができるよう具現される。この場合、前記第１領域（Ａ１）と前記第２領域（Ａ２）は、前記第３領域（Ａ３）に噴射されたパージガスによって区画されるので、前記第１ガスと前記第２ガスの混合によって膜質が低下することを防止することができる。これに加えて、本発明に係る基板処理装置１は、前記支持部２の回転を介して前記基板１００、２００を前記第１領域（Ａ１）と前記第２領域（Ａ２）の間を移動させることができると同時に、前記支持部２の回転を停止させた状態で、前記吸着工程と前記蒸着工程が行われるように具現される。したがって、本発明に係る基板処理装置１は、原子層蒸着法（ＡＬＤ）で薄膜を蒸着する工程の安定性を向上させて、膜質を向上させることができる。

一方、前記第１基板１００を前記第１領域（Ａ１）から前記第２領域（Ａ２）に移動させるとき、前記回転部７は、前記支持部２を、前記回転軸２０を中心にして、常に同じ固定回転角度で回転させることができる。前記第１基板１００を前記第２領域（Ａ２）から前記第１領域（Ａ１）に移動させるとき、前記回転部７は、前記支持部２を、前記回転軸２０を中心にして、可変する可変回転角度で回転させることができる。例えば、前記固定回転角度は１８０度であり、前記可変回転角度は１８０度とは異なる角度であり得る。前記可変回転角度は１８１度、１７９度などであり得る。この場合、前記回転部７は、１８０度、１７９度、１８０度、１８１度の順序で前記支持部２の回転と停止を繰り返すことができる。前記回転部７は、１８０度、１８１度、１８０度、１７９度の順序で前記支持部２の回転と停止を繰り返すこともできる。

このように、本発明に係る基板処理装置１は、前記回転部７が前記可変回転角度で前記支持部２を回転させるように具現することで、前記支持部２が前記可変回転角度で回転するたびに、前記第１領域（Ａ１）において、前記第１噴射孔の下側及び前記第２領域（Ａ２）において、前記第２噴射孔の下側に位置することになる基板１００、２００の部分を変更することができる。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記処理工程が完了した基板に、前記第１噴射孔と前記第２噴射孔の位置に起因したホールパターンが転写される転写現象が発生する程度を減少させることができるので、前記の処理工程の均一性を向上させることができる。

ここで、前記パージ部６は、複数のパージ孔６１（図８に示す）、およびパージ本体６２（図８に示す）を含むことができる。

前記パージ孔６１は、前記パージガスを噴射するものである。前記パージ孔６１は、前記パージ本体６２に形成され得る。前記パージ孔６１は、互いに離隔するように配置され得る。

前記パージ本体６２は、前記リード３に結合することができる。前記パージ本体６２は、前記第３領域（Ａ３）から前記上側方向（ＵＤ矢印の方向）に離隔して配置され得る。

図８を参照すると、前記パージ本体６２は、第１パージ本体６２１、第２パージ本体６２２、及び第３パージ本体６２３を含むことができる。

前記第１パージ本体６２１は、前記第２パージ本体６２２と、前記第３パージ本体６２３の間に配置されたものである。前記第１パージ本体６２１は、前記第３領域（Ａ３）の中央領域（Ａ３１、図８に示す）に対応するように配置され得る。前記第１パージ本体６２１は、前記パージ孔６１を介して前記中央領域（Ａ３１）に前記パージガスを噴射することができる。前記中央領域（Ａ３１）は、前記第３領域（Ａ３）の一側領域（Ａ３２、図１０に示す）及び前記第３領域（Ａ３）の他側領域（Ａ３３、図１０に示す）の間に配置され得る。前記一側領域（Ａ３２）は、前記基板１００、２００が、前記第１領域（Ａ１）から前記第２領域（Ａ２）に移動するときに通過する領域である。前記他側領域（Ａ３３）は、前記基板１００、２００が、前記第２領域（Ａ２）から前記第１領域（Ａ１）に移動するときに通過する領域である。

前記第２パージ本体６２２は、前記一側領域（Ａ３２）に対応するように配置され得る。前記第２パージ本体６２２は、前記パージ孔６１を介して前記一側領域（Ａ３２）に前記パージガスを噴射することができる。前記第２パージ本体６２２には、プラズマ生成機構６３（図８に示す）が結合され得る。前記プラズマ生成機構６３は、プラズマを発生させるものである。これにより、前記基板１００、２００が、前記第１領域（Ａ１）から前記第２領域（Ａ２）に移動する過程で、前記一側領域（Ａ３２）では、前記基板１００、２００に対するパージガス噴射及び前記基板１００、２００に対するプラズマ処理が並行して行われ得る。前記第２パージ本体６２２は、前記プラズマを用いて前記パージガスを活性化させ、活性化させたパージガスを前記一側領域（Ａ３２）に噴射することもできる。この場合、前記一側領域（Ａ３２）では、前記基板１００、２００に対して活性化したパージガスを用いた処理が行われ得る。この場合、前記プラズマ生成機構６３が結合した第２パージ本体６２２は、図６に示したシャワーヘッドタイプまたは図７に示した電極構造タイプで具現することもできる。

前記第３パージ本体６２３は、前記他側領域（Ａ３３）に対応するように配置され得る。前記第３パージ本体６２３は、前記パージ孔６１を介して前記他側領域（Ａ３３）に前記パージガスを噴射することができる。前記第３パージ本体６２３には、ウィンドウ６４（図８に示す）が結合され得る。温度測定部（未図示）は、前記ウィンドウ６４を介して前記他側領域（Ａ３３）を通過する基板１００、２００の温度を測定することができる。前記ウィンドウ６４は、透明材質または半透明の材質で形成され得る。これにより、前記基板１００、２００が、前記第２領域（Ａ２）から前記第１領域（Ａ１）に移動する過程で、前記他側領域（Ａ３３）では、前記基板１００、２００に対するパージガス噴射及び前記基板１００、２００の温度測定が並行して行われ得る。

図１２及び図１３を参照すると、本発明に係る基板処理装置１は、突出部８を含むことができる。

前記突出部８は、前記支持部２の上面２ａから前記上側方向（ＵＤ矢印の方向）に突出したものである。前記突出部８は、前記第３領域（Ａ３）に対応するように配置され得る。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記パージガスを用いたガス障壁及び前記突出部８を用いた物理障壁を介して前記第１ガスと前記第２ガスが混合することを防止する防止力より高めることができる。前記突出部８は、上面が、前記支持部材２１の上面と同じ高さに位置するように、前記支持部２の上面２ａから前記上側方向（ＵＤ矢印の方向）に突出することができる。前記突出部８は、全体的に直方体形態に形成され得るが、これに限定されず、前記第１領域（Ａ１）と前記第２領域（Ａ２）の間の物理障壁を具現することができる形態であれば、円盤形態などの異なる形態で形成することもできる。前記突出部８および、前記支持部２は、一体に形成することもできる。前記突出部８は、前記支持部材２１から離隔した位置に配置され得る。

前記突出部８と前記支持部材２１が、前記支持部２の上面２ａから前記上側方向（ＵＤ矢印の方向）に突出することによって、前記第１領域（Ａ１）と前記第３領域（Ａ３）の間には、第１ガスホーム８１（図１３に示す）が形成され得る。前記第１ガスホーム８１は、前記突出部８と前記支持部材２１の間で谷のような形態で具現され得る。これにより、前記パージ部６が噴射したパージガスと前記第１噴射部４が噴射した第１ガスのうち少なくとも１つを含んだ残留ガスは、前記第１ガスホーム８１に沿って流動して前記チャンバー１ａの外部に排気され得る。前記第２領域（Ａ２）と前記第３領域（Ａ３）の間には、第２ガスホーム８２（図１３に示す）が形成され得る。前記第２ガスホーム８２は、前記突出部８と前記支持部材２１の間で谷のような形態で具現され得る。これにより、前記パージ部６が噴射したパージガスと前記第２噴射部５が噴射した第２ガスのうち少なくとも１つを含んだ残留ガスは、前記第２ガスホーム８２に沿って流動して前記チャンバー１ａの外部に排気され得る。

したがって、本発明に係る基板処理装置１は、前記ガスホーム８１、８２を介して残留ガスを円滑に排気させることができるように具現される。また、本発明に係る基板処理装置１は、前記突出部８と前記支持部材２１が前記支持部２の上面２ａから前記上側方向（ＵＤ矢印の方向）に突出するので、前記ガスホーム８１、８２を介して排気される残留ガスが前記基板１００、２００の方に侵入することを抑制することができるように具現される。この場合、前記突出部８と前記支持部材２１のそれぞれにおいて、前記ガスホーム８１、８２に向く外面は、残留ガスが前記基板１００、２００の方に侵入することを抑制する障壁として機能することができる。したがって、本発明に係る基板処理装置１は、残留ガスに因る前記基板１００、２００に部分的に蒸着率、食刻率など処理率に偏差が発生する程度を減少させることができるので、処理工程の均一性をより向上させることができる。

以上で説明した本発明は、前述した実施例及び添付した図に限定されるものではなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、複数の置換、変形及び変更が可能であることが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者にとって明らかであろう。

Claims

基板を支持するための支持部、
前記支持部から上側方向に離隔して配置されたリード、
前記リードに結合し、第１領域に第１ガスを噴射する第１噴射部、
前記リードに結合し、第２領域に第２ガスを噴射する第２噴射部、
前記リードに結合し、前記第１領域と前記第２領域の間に配置された第３領域にパージガスを噴射するパージ部、および
前記支持部を回転させるための回転部を含み、
前記回転部が、基板が前記第１領域と前記第２領域の間で移動するように、前記支持部を回転させ、前記第１領域で第１ガスを用いた処理工程が行われるとともに、前記第２領域で第２ガスを用いた処理工程が行われる間は、前記支持部を停止させ、
前記第１噴射部の下面は、前記第２噴射部の下面が前記支持部から離隔された距離に比べて、より短い距離で前記支持部から離隔するように配置されたことを特徴とする基板処理装置。
前記第２噴射部の下面が、前記リードの下面から前記上側方向の方に離隔するように配置され、
前記第１噴射部の下面は、前記リードの下面から前記上側方向と逆方向である下側方向の方に離隔するように配置されたことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
前記第２噴射部の下面が、前記支持部から離隔した距離は、前記第１噴射部の下面が、前記支持部から離隔した距離に対して３倍以上１５倍以下であることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
前記第１噴射部が、前記第２噴射部が前記第２ガスを噴射する第２領域に比べて、より小さな体積（Ｖｏｌｕｍｅ）を有する前記第１領域に前記第１ガスを噴射することを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
前記第１噴射部が、前記リードに結合したモジュール本体、及び前記モジュール本体に形成され、前記第１領域に前記第１ガスを噴射する複数の第１噴射孔を含み、
前記第２噴射部は、複数の突起電極が結合し、第２ガスを噴射する複数の第２噴射孔が形成された第１電極、及び前記突出電極に対応する位置に複数の開口が形成された第２電極を含むことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
前記第２噴射部が、前記第１電極と前記第２電極の間に形成された離隔空間に前記第２ガスを噴射することを特徴とする、請求項５に記載の基板処理装置。
前記パージ部の下面が、前記第１噴射部の下面が、前記支持部から離隔した距離に比べて、より短い距離で前記支持部から離隔するように配置されたことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
前記パージ部の下面と前記第１噴射部の下面が、前記支持部から互いに同じ距離で離隔するように配置されたことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
前記支持部が、前記基板の上面を前記支持部の上面から離隔した位置に配置させるために、前記支持部の上面から前記上側方向に突出した支持部材を含むことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
前記支持部の上面から前記上側方向に突出し、第３領域に配置された突出部を含むことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
前記突出部が、前記第１領域と前記第３領域の間に形成された第１ガスホーム、及び前記第１領域と前記第２領域の間に形成された第２ガスホームが形成されたことを特徴とする、請求項１０に記載の基板処理装置。
前記支持部の上面から前記上側方向に突出し、第３領域に配置された突出部を含み、
前記支持部が、前記支持部の上面から前記上側方向に突出し、前記突出部から離隔して配置された支持部材を含み、
前記突出部には、前記第１領域と前記第３領域の間に形成された第１ガスホーム、及び前記第１領域と前記第２領域の間に形成された第２ガスホームが形成され、
前記突出部と前記支持部材は、前記ガスホームを向く外面を有することを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
前記パージ部が、前記第３領域から前記上側方向に離隔して配置されるよう前記リードに結合したパージ本体を含み、
前記パージ本体は、前記第３領域の中央領域に対応するように配置された第１パージ本体、及び前記基板が前記第１領域から前記第２領域に移動するときに通過する前記第３領域の一側領域に配置された第２パージ本体を含み、
前記第２パージ本体には、プラズマを発生させるプラズマ生成機構が結合したことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
前記パージ部が、前記第３領域から前記上側方向に離隔して配置されるよう前記リードに結合したパージ本体を含み、
前記パージ本体は、前記第３領域の中央領域に対応するように配置された第１パージ本体、及び前記基板が前記第２領域から前記第１領域に移動するときに通過する前記第３領域の他側領域に配置された第３パージ本体を含み、
前記第３パージ本体には、前記他側領域を通過する基板の温度を測定するためのウィンドウが結合したことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
前記回転部が、前記基板が前記第１領域から前記第２領域に移動するときに回転軸を中心に前記支持部を固定回転角度で回転させると共に、前記基板が前記第２領域から前記第１領域に移動するとき、前記回転軸を中心に前記支持部を前記固定回転角度と異なる可変回転角度で回転させることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
前記第１噴射部が、複数の基板が配置された前記第１領域に前記第１ガスを噴射する複数の第１噴射モジュール、前記第１噴射モジュールが結合した第１噴射本体、及び前記第１噴射本体と前記リードの間の隙間を密閉するための第１シーリング部材を含み、
前記第１シーリング部材は、前記第１噴射モジュールの外側を囲むように配置されたことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。