WO2020235912A1 - 기판처리장치 - Google Patents

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WO2020235912A1
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김종식
황철주
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주성엔지니어링(주)
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    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus that performs a processing process such as a deposition process and an etching process on a substrate.
  • a predetermined thin film layer, a thin film circuit pattern, or an optical pattern must be formed on a substrate.
  • substrates such as a deposition process of depositing a thin film of a specific material on a substrate, a photo process of selectively exposing a thin film using a photosensitive material, and an etching process of forming a pattern by selectively removing the exposed portion of the thin film.
  • the treatment process takes place.
  • the processing of such a substrate is performed by a substrate processing apparatus.
  • a substrate processing apparatus includes a substrate support unit supporting a substrate, a rotating unit continuously rotating the substrate support unit about a rotation axis, a first injection unit for injecting a first gas toward a first injection space on the substrate support unit, And a second injection unit for injecting a second gas toward the second injection space on the substrate support.
  • the rotation unit moves the substrate to the first injection space
  • the substrate support is continuously rotated so as to sequentially and repeatedly pass through the second injection space. Accordingly, after an adsorption process in which the first gas is adsorbed to the substrate in the first injection space is performed, the first gas adsorbed on the substrate in the second injection space and the second gas injected by the second injection unit react.
  • a deposition process in which a thin film is deposited is performed. Accordingly, a thin film is deposited on the substrate by atomic layer deposition (ALD).
  • ALD atomic layer deposition
  • the rotation unit continuously rotates the substrate support unit, the adsorption process is implemented while the substrate is rotating.
  • the adsorption process cannot be properly performed in the first injection space due to centrifugal force acting as the substrate continuously rotates.
  • the first gas that has not been adsorbed to the substrate in the second injection space and the second gas injected by the second injection unit react from the upper side of the substrate to a chemical vapor deposition method on the substrate. Since the thin film is deposited by (CVD), there is a problem that the film quality of the thin film deposited on the substrate is deteriorated.
  • the present invention has been devised to solve the above-described problems, and is to provide a substrate processing apparatus capable of preventing deterioration of the film quality of a thin film deposited on a substrate.
  • the present invention may include the following configuration.
  • the substrate processing apparatus includes a support portion for supporting a substrate, a lid disposed upwardly from the support portion, a first injection portion coupled to the lead and injecting a first gas into a first region, and the lead.
  • a second injection unit coupled to the second region for injecting a second gas, a purge unit coupled to the lead and configured to inject a purge gas into a third region disposed between the first region and the second region, and the It may include a rotating part for rotating the support.
  • the rotation unit rotates the support unit so that the substrate moves between the first region and the second region, and a treatment process using a first gas is performed in the first region, and treatment using a second gas in the second region During the process, the support can be stopped.
  • the lower surface of the first injection part may be arranged such that the lower surface of the second injection part is spaced apart from the support by a shorter distance than the distance separated from the support part.
  • the present invention allows the substrate to be moved between the first region and the second region through rotation of the support part, and at the same time, a treatment process using the first gas and a treatment process using the second gas are performed while the rotation of the support part is stopped. Is implemented. Therefore, the present invention can improve the film quality of the thin film by improving the stability of the process of depositing the thin film by the atomic layer deposition (ALD) method.
  • ALD atomic layer deposition
  • FIG. 1 is a schematic exploded perspective view of a substrate processing apparatus according to the present invention
  • FIG. 2 is a schematic side cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to the present invention based on line I-I of FIG. 1
  • FIG. 3 is a schematic plan view of a support part in a substrate processing apparatus according to the present invention
  • FIG. 4 is a schematic plan view of a lead in a substrate processing apparatus according to the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic side cross-sectional view showing an embodiment in which a first injection unit and a second injection unit are disposed in the substrate processing apparatus according to the present invention, based on line I-I of FIG.
  • FIGS. 6 and 7 are schematic side cross-sectional views of an embodiment of an injection module in the substrate processing apparatus according to the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional plan view of a purge unit in the substrate processing apparatus according to the present invention based on line II-II of FIG.
  • FIG. 9 is a schematic side cross-sectional view showing an embodiment in which a purge unit is disposed in a substrate processing apparatus according to the present invention, based on line I-I of FIG. 1;
  • 10 to 12 are schematic plan views of a support part in a substrate processing apparatus according to the present invention.
  • FIG. 13 is a schematic side cross-sectional view showing a support part based on the line III-III of FIG. 12 in the substrate processing apparatus according to the present invention
  • the substrate processing apparatus 1 performs a processing process on the substrate S.
  • the substrate S may be a glass substrate, a silicon substrate, a metal substrate, or the like.
  • the substrate processing apparatus 1 according to the present invention may perform a deposition process of depositing a thin film on the substrate S, an etching process of removing a part of the thin film deposited on the substrate S, and the like.
  • description will be made based on an embodiment in which the substrate processing apparatus 1 according to the present invention performs the deposition process, but from this, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention performs other processing processes such as the etching process. It will be apparent to one of ordinary skill in the art to derive the following examples.
  • the substrate processing apparatus 1 includes a support part 2, a lead 3, a first injection part 4, a second injection part 5, a purge part 6, and a rotation part 7 can do.
  • the support part 2 supports the substrate S.
  • the support 2 may be coupled to the interior of the chamber 1a providing a processing space in which the processing process is performed.
  • the processing space may be disposed between the support 2 and the lid 3.
  • a substrate outlet (not shown) may be coupled to the chamber 1a.
  • the substrates S may be carried into the chamber 1a through the substrate exit port by a loading device (not shown).
  • the substrates S may be carried out to the outside of the chamber 1a by passing through the substrate entrance and exit port by an unloading device (not shown).
  • An exhaust unit 1b (shown in FIG. 2) for exhausting gas, etc. existing in the processing space to the outside may be coupled to the chamber 1a.
  • the support part 2 may include a seating member 21 on which the substrate S is seated.
  • the seating member 21 may be coupled to the support 2 so as to be disposed between the support 2 and the lid 3. That is, the seating member 21 may be coupled to the upper surface 2a of the support part 2.
  • the substrate S may be mounted on the mounting member 21 so as to protrude upward (in the direction of an arrow UD) of the mounting member 21.
  • the upward direction (direction of arrow UD) may be a direction from the support 2 toward the lead 3.
  • the mounting member 21 may include a mounting groove (not shown) into which the substrate S is inserted. In this case, the substrate S may be seated on the seating member 21 by being inserted into the seating groove.
  • the seating member 21 and the support 2 may be integrally formed.
  • the seating member 21 may protrude from the upper surface 2a of the support part 2 in the upward direction (direction of an arrow UD). Accordingly, the upper surface of the substrate S may be disposed at a position spaced apart from the upper surface 2a of the support part 2 in the upward direction (direction of an arrow UD). Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can implement a suppression force to suppress the gas from invading toward the upper surface of the substrate S while the gas is exhausted from the processing space to the outside of the chamber 1a. have. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can improve the quality of the substrate S on which the processing process is completed.
  • the support part 2 may include a plurality of the seating members 21. Accordingly, the support part 2 may be implemented to support a plurality of the substrates S.
  • the seating members 21 may be disposed to be spaced apart from each other. Accordingly, the substrates S may be disposed to be spaced apart from each other.
  • the lead 3 is disposed to be spaced apart from the support 2 in the upward direction (in the direction of the arrow UD).
  • the lid 3 may be coupled to the chamber 1a to cover the upper portion of the chamber 1a.
  • the lid 3 and the chamber 1a may be formed in a hexagonal structure as shown in FIG. 1, but are not limited thereto, and may be formed in a polygonal structure such as a cylindrical structure, an elliptical structure, or an octagon.
  • the first injection part 4 injects a first gas.
  • the first injection part 4 may be coupled to the lead 3 so as to be spaced apart from the support part 2 in the upward direction (direction of an arrow UD).
  • the first injection part 4 may inject the first gas through a plurality of first injection holes.
  • the first injection part 4 may inject the first gas into the first area A1 (shown in FIG. 3 ). Accordingly, a treatment process using the first gas may be performed in the first region A1.
  • the first area A1 is an area in which the first gas is injected, and may be an area disposed between the support 2 and the first injection unit 4.
  • a lower surface 4a of the first injection unit 4 may be disposed in the upper direction (in the direction of an arrow UD) of the first area A1.
  • the lower surface 4a of the first injection unit 4 may be a surface of the first injection unit 4 facing downward (in the direction of the DD arrow).
  • the downward direction (the direction of the DD arrow) may be a direction opposite to the upward direction (the direction of the UD arrow).
  • the first injection unit 4 may be connected to the supply unit 10 (shown in FIG. 2) through a hose or a pipe.
  • the supply unit 10 supplies the first gas.
  • the first gas may be a precursor constituting a source material of a thin film deposited on the substrate S.
  • the first injection unit 4 may include a first injection module 41 (shown in FIG. 4) for injecting the first gas.
  • the first injection module 41 injects the first gas into the first area A1.
  • the first injection module 41 may inject the first gas into the first area A1 through the first injection holes.
  • the first injection module 41 may be coupled to a first injection body 42 (shown in FIG. 4) of the first injection unit 4.
  • the first injection body 42 is coupled to the lid 3.
  • the first injection module 41 may be coupled to the lid 3 through the first injection body 42.
  • the first injection module 41 may be formed to have a larger size than that of the substrate S.
  • a plurality of first injection modules 41 may be coupled to the first injection body 42.
  • a plurality of substrates S may be disposed in the first region A1.
  • the substrate processing apparatus 1 processes a plurality of substrates S using the first gas injected by the plurality of first injection modules 41 in the first region A1. Since can be performed, it is possible to increase the throughput of the treatment process using the first gas.
  • 2N N is an integer greater than 0 number of first injection modules 41 may be coupled to the first injection body 42.
  • the first injection part 4 may include a first sealing member 43 (shown in FIG. 4 ).
  • the first sealing member 43 seals a gap between the first injection body 42 and the lid 3.
  • the first sealing member 43 may be disposed to surround the outside of the first injection modules 41. That is, the first injection modules 41 may be located inside the first sealing member 43. Accordingly, in the substrate processing apparatus 1 according to the present invention, since the first sealing member 43 is not located between the first injection modules 41, the distance between the first injection modules 41 ( 41D, shown in Fig. 4) can be reduced. Accordingly, since the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can reduce the size of the first injection unit 4, it can be implemented so that the overall size can be reduced.
  • the second injection unit 5 injects a second gas.
  • the second injection part 5 may be coupled to the lid 3 so as to be spaced apart from the support part 2 in the upward direction (direction of an arrow UD). Based on the purge part 6, the second injection part 5 and the first injection part 4 may be disposed opposite to each other.
  • the second injection part 5 may inject the second gas through a plurality of second injection holes.
  • the second injection part 5 may inject the second gas into the second area A2 (shown in FIG. 3 ). Accordingly, in the second area A2, a treatment process using the second gas may be performed.
  • the second area A2 is an area in which the second gas is injected, and may be an area disposed between the support part 2 and the second injection part 5.
  • a lower surface 5a of the second injection part 5 may be disposed in the upper direction (in the direction of the UD arrow) of the second area A2.
  • the lower surface 5a of the second injection part 5 may be a surface of the second injection part 5 facing downward (in the direction of the DD arrow).
  • the second area A2 may be disposed at a position spaced apart from the first area A1.
  • the second injection unit 5 may be connected to the supply unit 10 (shown in FIG. 2) through a hose or a pipe.
  • the supply unit 10 may include a first supply mechanism for supplying the first gas and a second supply mechanism for supplying the second gas.
  • the first supply mechanism may be connected to the first injection unit 4 to supply the first gas to the first injection unit 4.
  • the second supply mechanism may be connected to the second injection unit 5 to supply the second gas to the second injection unit 5.
  • the first gas is a source gas
  • the second gas may be a reaction gas.
  • the second injection unit 5 may include a second injection module 51 (shown in FIG. 4) for injecting the second gas.
  • the second injection module 51 injects the second gas into the second area A2.
  • the second injection module 51 may inject the second gas into the second area A2 through the second injection holes.
  • the second injection module 51 may be coupled to a second injection body 52 (shown in FIG. 4) of the second injection unit 5.
  • the second injection body 52 is coupled to the lid 3.
  • the second injection module 51 may be coupled to the lid 3 through the second injection body 52.
  • the second injection module 51 may be formed to have a larger size than that of the substrate S.
  • a plurality of second injection modules 51 may be coupled to the second injection body 52.
  • a plurality of substrates S may be disposed in the second region A2.
  • the substrate processing apparatus 1 processes a plurality of substrates S using the second gas injected by the plurality of second injection modules 51 in the second area A2. Since can be performed, it is possible to increase the throughput of the treatment process using the second gas.
  • 2N second injection modules 51 may be coupled to the second injection body 52.
  • the second injection module 51 and the first injection module 41 may be provided in the same number.
  • the second injection part 5 may include a second sealing member 53 (shown in FIG. 4 ).
  • the second sealing member 53 seals a gap between the second injection body 52 and the lid 3.
  • the second sealing member 53 may be disposed to surround the outside of the second injection modules 51. That is, the second injection modules 51 may be located inside the second sealing member 53. Accordingly, in the substrate processing apparatus 1 according to the present invention, since the second sealing member 53 is not located between the second injection modules 51, the gap between the second injection modules 51 ( 51D, shown in Fig. 4) can be reduced. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can reduce the size of the second injection unit 5, so that the overall size can be reduced.
  • the lower surface 5a of the second injection part 5 is a longer distance than the distance 4a of the first injection part 4 is separated from the support part 2 It can be arranged to be spaced apart from the support (2).
  • the first separation distance L1 at which the lower surface 4a of the first injection unit 4 is spaced apart from the support unit 2 is the lower surface 5a of the second injection unit 5 is the support unit 2 ) May be formed shorter than the second separation distance (L2) spaced from. Accordingly, in the substrate processing apparatus 1 according to the present invention, the flow rate of the second gas injected through the second injection unit 5 is proportional to the flow rate of the first gas injected through the first injection unit 4.
  • the partial pressure refers to the pressure expressed by each component gas in the mixed gas, which is proportional to the flow rate of the gas and inversely proportional to the size of the area where the gas is injected. Therefore, in the substrate processing apparatus 1 according to the present invention, even if the second gas is injected larger than the flow rate of the first gas, the second area A2 has a larger size than the first area A1. Since it is formed of, it is possible to reduce the difference in partial pressure between the first region A1 and the second region A2.
  • the substrate processing apparatus 1 prevents the first gas from penetrating into the second region A2 and prevents the first gas from penetrating into the second region A2 during a processing process using the first gas and the second gas. 2
  • the substrate processing apparatus 1 can improve the quality of the substrate on which the processing process is completed by preventing the film quality from deteriorating due to the mixing of the first gas and the second gas.
  • the lower surface 5a of the second injection part 5 may be disposed to be spaced apart from the lower surface 3a of the lead 3 toward the upper side (in the direction of the arrow UD).
  • the lower surface 4a of the first injection unit 4 may be disposed to be spaced apart from the lower surface 3a of the lead 3 toward the lower side (in the direction of the DD arrow).
  • the second area A2 is implemented to have a larger size than the first area A1, so that the second gas is more than the first gas. Even if sprayed on the support part 2 at a large flow rate, a gas partial pressure difference between the first region A1 and the second region A2 may be reduced.
  • the lower surface 3a of the lead 3 may be a surface of the lead 3 facing downward (in the direction of the DD arrow).
  • the first injection unit ( The lower surface 4a of 4) may be disposed to be positioned at the same height as the lower surface 3a of the lead 3. Accordingly, in the substrate processing apparatus 1 according to the present invention, since the second area A2 is implemented to have a larger size than the first area A1, the first area A1 and the second area The gas partial pressure difference between (A2) can be reduced.
  • the lower surface (5a) of the second injection part (5) is the support part (2) at a distance of 3 to 15 times the distance that the lower surface (4a) of the first injection part (4) is spaced apart from the support part (2). It can be arranged to be spaced apart from In this case, the distance between the lower surface 5a of the second injection unit 5 and the support unit 2 is the distance between the lower surface 4a of the first injection unit 4 and the support unit 2 It may be 3 times or more and 15 times or less.
  • the first separation distance L1 may be formed to be more than 0 mm and 5 mm or less
  • the second separation distance L2 may be formed to be 3 mm or more and 15 mm or less.
  • the second area A2 is implemented to have a larger size than the first area A1, so that the second gas is more than the first gas. Even if sprayed on the support part 2 at a large flow rate, a gas partial pressure difference between the first region A1 and the second region A2 may be reduced.
  • the second injection unit 5 is located in the second area A2 having a larger volume than the first area A1 in which the first injection unit 4 injects the first gas.
  • the second gas can be injected. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention provides the first region A1 and the second region even if the second gas is injected onto the support 2 at a higher flow rate than the first gas.
  • FIG. 4 An embodiment of the injection module 30 for the second injection module 51 (shown in FIG. 4) and the first injection module 41 (shown in FIG. 4) will be described in detail with reference to FIGS. 4 to 7 Looking at it, it is as follows.
  • the injection module 30 includes a module body 31, a plurality of injection holes 32 for injecting gas toward the support 2, and a delivery hole to which the injection holes 32 are connected. (33) may be included.
  • the delivery hole 33 may be connected to the supply unit 10 (shown in FIG. 2 ). Accordingly, the gas supplied by the supply unit 10 (shown in FIG. 2) may flow along the delivery hole 33 and be sprayed to the support 2 through the injection holes 32.
  • a plasma generator may be connected to the injection module 30. In this case, the injection module 30 may activate a gas using plasma and inject the activated gas toward the support 2.
  • the injection module 30 may include a first electrode 34 and a second electrode 35.
  • a plurality of protruding electrodes 36 may be formed on the first electrode 34.
  • a plurality of electrode holes 37 may be formed in the second electrode 35.
  • the first electrode 34 and the second electrode 35 may be disposed so that the protruding electrodes 36 are inserted into each of the electrode holes 37.
  • the injection holes 32 and the transfer holes 33 may be formed in the first electrode 34.
  • the injection module 30 may generate plasma. Accordingly, the injection module 30 may activate the gas in the space 38 formed between the first electrode 34 and the second electrode 35 using plasma. The gas that has sequentially moved the delivery hole 33 and the injection hole 32 may be activated in the spacing space 38 and injected toward the support part 2.
  • the first injection unit 4 and the second injection unit 5 may be implemented to include different types of injection modules 30.
  • the first injection unit 4 includes the showerhead type injection module 30 shown in FIG. 6, and the second injection unit 5 is the electrode structure type injection module shown in FIG. 30) may be included.
  • the first injection unit 4 includes the injection module 30 of the electrode structure type shown in FIG. 7, and the second injection unit 5 is the showerhead type injection module shown in FIG. 30) may also be included.
  • the present invention may be implemented so that the second injection unit 5 injects the second gas into the spaced space 38. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention secures an additional injection space for the second gas through the separation space 38, so that even if the flow rate of the second gas is increased, the first area A1 ) And the second region A2 may be implemented to reduce a difference in partial pressure.
  • the first injection unit 4 and the second injection unit 5 may be implemented to include injection modules 30 of the same type.
  • the first injection unit 4 and the second injection unit 5 may each include a showerhead type injection module 30 shown in FIG. 6.
  • the first injection unit 4 and the second injection unit 5 may each include an injection module 30 of the electrode structure type shown in FIG. 7.
  • the purge unit 6 injects a purge gas.
  • the purge unit 6 may divide the first region A1 and the second region A2 by injecting a purge gas into the third region A3. Accordingly, the purge unit 6 may prevent the first gas injected into the first area A1 and the second gas injected into the second area A2 from being mixed with each other.
  • the third area A3 may be disposed between the first area A1 and the second area A2.
  • the third area A3 is an area in which the purge gas is injected, and may be an area disposed between the support part 2 and the purge part 6.
  • a lower surface 6a of the purge part 6 may be disposed in the upper direction (direction of an arrow UD) of the third area A3.
  • the lower surface 6a of the purge part 6 may be a surface of the purge part 6 facing downward (in the direction of the DD arrow).
  • the purge unit 6 may be connected to the supply unit 10 (shown in FIG. 2) through a hose or a pipe.
  • the supply unit 10 may include a third supply mechanism for supplying the purge gas.
  • the third supply mechanism may be connected to the purge part 6 to supply the purge gas to the purge part 6.
  • the lower surface 6a of the purge part 6 is the support part (6a) at a shorter distance than the distance that the lower surface 4a of the first injection part 4 is spaced apart from the support part 2 2) can be arranged to be spaced apart. Accordingly, in the substrate processing apparatus 1 according to the present invention, the purge unit 6 further protrudes toward the support unit 2 compared to the first injection unit 4, thereby providing a gas barrier using the purge gas and the Through the physical barrier using the arrangement of the purge unit 6, the partitioning force of the purge unit 6 to divide the first region A1 and the second region A2 may be improved.
  • the substrate processing apparatus 1 has a preventive force that prevents mixing of the first gas injected into the first area A1 and the second gas injected into the second area A2.
  • the lower surface 6a of the purge part 6 is arranged so that the lower surface 5a of the second injection part 5 is spaced apart from the support part 2 by a shorter distance than the distance separated from the support part 2 It could be.
  • the lower surface 6a of the purge part 6 may be disposed to protrude from the lower surface 3a of the lead 3 to a first protruding distance.
  • the lower surface 4a of the first injection part 4 may be disposed to protrude from the lower surface 3a of the lead 3 to a second protruding distance shorter than the first protruding distance.
  • the purge part 6 protrudes further toward the support part 2 compared to the first spray part 4, so that the purge part 6
  • the partitioning force for partitioning the first region A1 and the second region A2 may be improved.
  • the lower surface 6a of the second injection part 5 may be disposed to protrude from the support part 2 to a third protruding distance shorter than the second protruding distance.
  • the lower surface 6a of the purge part 6 and the lower surface 4a of the first injection part 4 may be disposed to be spaced apart from each other by the same distance from the support part 2.
  • the lower surface 6a of the purge unit 6 and the lower surface 4a of the first injection unit 4 may be disposed to be positioned at the same height as the lower surface 3a of the lid 3.
  • the lower surface 6a of the purge unit 6 and the lower surface 5a of the second injection unit 5 may be disposed at the same height as the lower surface 3a of the lead 3.
  • the rotation part 7 (shown in FIG. 2) rotates the support part 2.
  • the rotation part 7 may rotate the support part 2 around a rotation shaft 20 (shown in FIG. 10) of the support part 2.
  • the rotation part 7 may rotate the support part 2 in a first rotation direction (in the direction of an arrow R1, shown in FIG. 10 ).
  • the first area A1, the third area A3, the second area A2, and the third area A3 may be sequentially disposed along the first rotation direction (direction of arrow R1). .
  • the substrate (S, shown in FIG. 3) supported on the support part 2 rotates around the rotation axis 20 of the support part 2 can do. Accordingly, the substrate S supported by the support part 2 may sequentially move between the first region A1, the third region A3, and the second region A2.
  • the rotating part 7 It can be operated like
  • the rotating part 7 includes a plurality of first substrates 100 located in the first region A1 and a plurality of second substrates in the second region A2.
  • the support part 2 may be rotated so that 200) is located.
  • the rotating part 7 is (2) can be stopped.
  • the first injection unit 4 may inject the first gas into the first area A1. Accordingly, in the first region A1, an adsorption process in which the first gas is adsorbed to the first substrates 100 may be performed. In this case, the second injection unit 5 may wait without injecting the second gas into the second area A2.
  • the rotating part 7 is positioned in the first area A1 as shown in FIG.
  • the support part 2 may be rotated so that the first substrate 100 is positioned in the second area A2.
  • the first substrate 100 may pass through the third area A3 while moving from the first area A1 to the second area A2.
  • the first gas that has not been adsorbed to the first substrates 100 may be removed by the purge gas injected by the purge unit 6.
  • the second substrates 200 may pass through the third area A3 while moving from the second area A2 to the first area A1.
  • the rotation part 7 is 2) can be stopped.
  • the first injection unit 4 may inject the first gas into the first area A1. Accordingly, in the first region A1, an adsorption process in which the first gas is adsorbed to the second substrates 200 may be performed. In this case, the second injection part 5 may inject the second gas into the second area A2. Accordingly, in the second region A2, a deposition process in which a thin film is deposited by reacting the first gas adsorbed on the first substrates 100 and the second gas injected by the second injection unit 5 is performed. Done. Accordingly, a thin film may be deposited on the first substrates 100 by an atomic layer deposition method (ALD).
  • ALD atomic layer deposition method
  • the second area A2 is formed to have a larger size than the first area A1 even if the second gas is injected at a higher flow rate than the first gas.
  • it may be implemented to reduce a gas partial pressure difference between the first region A1 and the second region A2.
  • the substrate processing apparatus 1 according to the present invention suppresses the penetration of the second gas injected into the second region A2 toward the first region A1, and prevents the first region A1 from penetrating into the first region A1. ), it is possible to implement a suppressing force that suppresses penetration of the first gas injected into the second region A2.
  • the substrate processing apparatus 1 can improve the completeness of the deposition process for the first substrates 100 and the adsorption process for the second substrates 200.
  • the adsorption process for the second substrates 200 and the deposition process for the first substrates 100 may be performed in parallel.
  • the rotating part 7 is moved to the first area A1 as shown in FIG.
  • the support part 2 may be rotated so that the first substrates 100 are positioned in) and the second substrates 200 are positioned in the second area A2.
  • the second substrate 200 may pass through the third area A3 while moving from the first area A1 to the second area A2.
  • the first gas that has not been adsorbed to the second substrates 200 may be removed by the purge gas injected by the purge unit 6.
  • the first substrate 100 may pass through the third area A3 while moving from the second area A2 to the first area A1.
  • the second gas that has not been deposited on the first substrates 100 may be removed by the purge gas sprayed by the purge unit 6.
  • the rotating part 7 is 2) can be stopped.
  • the first injection unit 4 may inject the first gas into the first area A1. Accordingly, in the first region A1, an adsorption process in which the first gas is adsorbed to the thin films deposited on the first substrates 100 may be performed. In this case, the second injection part 5 may inject the second gas into the second area A2. Accordingly, in the second region A2, a deposition process in which a thin film is deposited by reacting the first gas adsorbed on the second substrates 200 and the second gas injected by the second injection unit 5 is performed. Done. Accordingly, a thin film may be deposited on the second substrates 200 by an atomic layer deposition method (ALD).
  • ALD atomic layer deposition method
  • the second area A2 is formed to have a larger size than the first area A1 even if the second gas is injected at a higher flow rate than the first gas.
  • it may be implemented to reduce a gas partial pressure difference between the first region A1 and the second region A2.
  • the substrate processing apparatus 1 according to the present invention suppresses the penetration of the first gas injected into the first region A1 toward the second region A2, and prevents the second region A2 from penetrating into the second region A2. ), it is possible to implement a suppressing force that suppresses penetration of the second gas injected into the first region A1.
  • the substrate processing apparatus 1 can improve the completeness of the deposition process for the second substrates 200 and the adsorption process for the first substrates 100.
  • the adsorption process for the first substrates 100 and the deposition process for the second substrates 200 may be performed in parallel.
  • the rotating part 7 is 2) You can repeat the rotation and stop. Until a predetermined number of adsorption processes and deposition processes are performed for each of the first substrates 100 and the second substrates 200, the rotating part 7 rotates and stops with respect to the support part 2 Can be repeated. In this case, the number of times the adsorption process and the deposition process are performed on the first substrates 100 and the number of times the adsorption process and the deposition process are performed on the second substrates 200 may be implemented equally. To this end, in the second area A2, the second injection part 5 injects the second gas onto the second substrates 200 at the end, and in the first area A1, the second injection unit 5 The first injection unit 4 may stand by without injecting the first gas onto the first substrates 100.
  • the substrate processing apparatus 1 since an adsorption process is performed in the first region A1 and a deposition process is performed in the second region A2, the atomic layer deposition method (ALD) It is implemented so that a thin film can be deposited.
  • the first area A1 and the second area A2 are partitioned by the purge gas injected into the third area A3, the film is formed by mixing the first gas and the second gas. This deterioration can be prevented.
  • the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can move the substrates 100 and 200 between the first area A1 and the second area A2 through the rotation of the support part 2.
  • the substrate processing apparatus 1 can improve the film quality by improving the stability of the process of depositing a thin film by the atomic layer deposition (ALD) method.
  • ALD atomic layer deposition
  • the rotation part 7 moves the support part 2 around the rotation shaft 20. Therefore, it can always be rotated at the same fixed rotation angle.
  • the rotation part 7 moves the support part 2 around the rotation shaft 20 It can be rotated at a variable rotation angle.
  • the fixed rotation angle may be 180 degrees
  • the variable rotation angle may be 180 degrees different from each other.
  • the variable rotation angle may be 181 degrees, 179 degrees, or the like.
  • the rotating part 7 may rotate and stop the support part 2 in the order of 180 degrees, 179 degrees, 180 degrees, and 181 degrees.
  • the rotating part 7 may rotate and stop the support part 2 in the order of 180 degrees, 181 degrees, 180 degrees, and 179 degrees.
  • the substrate processing apparatus 1 according to the present invention is implemented so that the rotation unit 7 rotates the support unit 2 at the variable rotation angle, so that the support unit 2 rotates at the variable rotation angle.
  • the portions of the substrates 100 and 200 positioned below the first injection holes in the first area A1 and below the second injection holes in the second area A2 can be changed. have.
  • the substrate processing apparatus 1 according to the present invention measures the degree of occurrence of a transfer phenomenon in which the hole pattern due to the positions of the first injection holes and the second injection holes is transferred to the substrate on which the processing process is completed. Since it can be reduced, the uniformity of the treatment process can be improved.
  • the purge unit 6 may include a plurality of purge holes 61 (shown in FIG. 8 ), and a purge body 62 (shown in FIG. 8 ).
  • the purge holes 61 are for injecting the purge gas.
  • the purge holes 61 may be formed in the purge body 62.
  • the purge holes 61 may be disposed to be spaced apart from each other.
  • the purge body 62 may be coupled to the lid 3.
  • the purge body 62 may be disposed to be spaced apart from the third area A3 in the upward direction (direction of arrow UD).
  • the purge body 62 may include a first purge body 621, a second purge body 622, and a third purge body 623.
  • the first purge body 621 is disposed between the second purge body 622 and the third purge body 623.
  • the first purge body 621 may be disposed to correspond to a central area A31 (shown in FIG. 8) of the third area A3.
  • the first purge body 621 may inject the purge gas into the central region A31 through the purge holes 61.
  • the central area A31 is disposed between one area A32 (shown in FIG. 10) of the third area A3 and the other area A33 (shown in FIG. 10) of the third area A3 Can be.
  • the one side area A32 is an area that passes when the substrates 100 and 200 move from the first area A1 to the second area A2.
  • the other side area A33 is an area that passes when the substrates 100 and 200 move from the second area A2 to the first area A1.
  • the second purge body 622 may be disposed to correspond to the one side area A32.
  • the second purge body 622 may inject the purge gas into the one side area A32 through the purge holes 61.
  • a plasma generating device 63 (shown in FIG. 8) may be coupled to the second purge body 622.
  • the plasma generating mechanism 63 generates plasma. Accordingly, in the process of moving the substrates 100 and 200 from the first region A1 to the second region A2, the one side region A32
  • the purge gas injection and plasma treatment of the substrates 100 and 200 may be performed in parallel.
  • the second purge body 622 may activate the purge gas using the plasma and inject the activated purge gas to the one side area A32.
  • the substrates 100 and 200 may be processed using an activated purge gas.
  • the second purge body 622 to which the plasma generating device 63 is coupled may be implemented as a showerhead type shown in FIG. 6 or an electrode structure type shown in FIG. 7.
  • the third purge body 623 may be disposed to correspond to the other side area A33.
  • the third purge body 623 may inject the purge gas into the other side area A33 through the purge holes 61.
  • a window 64 (shown in FIG. 8) may be coupled to the third purge body 623.
  • the temperature measuring unit (not shown) may measure the temperature of the substrates 100 and 200 passing through the other side area A33 through the window 64.
  • the window 64 may be formed of a transparent material or a translucent material. Accordingly, in the process of moving the substrates 100 and 200 from the second area A2 to the first area A1, the other side area A33 is used for the substrates 100 and 200.
  • the purge gas injection and temperature measurement of the substrates 100 and 200 may be performed in parallel.
  • the substrate processing apparatus 1 may include a protrusion 8.
  • the protrusion 8 protrudes from the upper surface 2a of the support 2 in the upward direction (direction of arrow UD).
  • the protrusion 8 may be disposed to correspond to the third area A3. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention has a preventive force to prevent mixing of the first gas and the second gas through the gas barrier using the purge gas and the physical barrier using the protrusion 8 Can be further strengthened.
  • the protrusion 8 may protrude upward (in the direction of arrow UD) from the upper surface 2a of the support 2 so that the upper surface is positioned at the same height as the upper surface of the seating member 21.
  • the protrusion 8 may be formed in a rectangular parallelepiped shape as a whole, but is not limited thereto, and if a shape capable of implementing a physical barrier between the first area A1 and the second area A2, the protrusion 8 may be in another shape such as a disk shape. It can also be formed.
  • the protrusion 8 and the support 2 may be integrally formed.
  • the protrusion 8 may be disposed at a position spaced apart from the seating member 21.
  • a first gas groove 81 (shown in FIG. 13) may be formed between.
  • the first gas groove 81 may be implemented in the shape of a valley between the protrusion 8 and the seating members 21. Accordingly, the residual gas containing at least one of the purge gas injected by the purge unit 6 and the first gas injected by the first injection unit 4 flows along the first gas groove 81 It may be exhausted to the outside of the chamber 1a.
  • a second gas groove 82 (shown in FIG. 13) may be formed between the second area A2 and the third area A3.
  • the second gas groove 82 may be implemented in a valley-like shape between the protrusion 8 and the seating members 21. Accordingly, the residual gas containing at least one of the purge gas injected by the purge unit 6 and the second gas injected by the second injection unit 5 flows along the second gas groove 82 It may be exhausted to the outside of the chamber 1a.
  • the substrate processing apparatus 1 according to the present invention is implemented to smoothly exhaust residual gas through the gas grooves 81 and 82.
  • the protrusions 8 and the seating members 21 protrude from the upper surface 2a of the support 2 in the upward direction (in the direction of the arrow UD)
  • the It is implemented so that the residual gas exhausted through the gas grooves 81 and 82 can be prevented from invading toward the substrates 100 and 200.
  • an outer surface of the protrusion 8 and the seating member 21 facing the gas grooves 81 and 82 is a barrier that prevents residual gas from invading toward the substrates 100 and 200 Can function as Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can reduce the degree of variation in the processing rate such as deposition rate and etch rate partially on the substrates 100 and 200 due to residual gas. Uniformity can be further improved.

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Abstract

본 발명은 기판을 지지하기 위한 지지부, 상기 지지부로부터 상측방향으로 이격되어 배치된 리드, 상기 리드에 결합되고 제1영역에 제1가스를 분사하는 제1분사부, 상기 리드에 결합되고 제2영역에 제2가스를 분사하는 제2분사부, 상기 리드에 결합되고 상기 제1영역과 상기 제2영역의 사이에 배치된 제3영역에 퍼지가스를 분사하는 퍼지부, 및 상기 지지부를 회전시키기 위한 회전부를 포함하는 기판처리장치에 관한 것이다.

Description

기판처리장치
본 발명은 기판에 대한 증착공정, 식각공정 등과 같은 처리공정을 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
일반적으로, 태양전지(Solar Cell), 반도체 소자, 평판 디스플레이 등을 제조하기 위해서는 기판 상에 소정의 박막층, 박막 회로 패턴, 또는 광학적 패턴을 형성하여야 한다. 이를 위해, 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 증착공정, 감광성 물질을 사용하여 박막을 선택적으로 노출시키는 포토공정, 선택적으로 노출된 부분의 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각공정 등과 같은 기판에 대한 처리공정이 이루어진다. 이러한 기판에 대한 처리공정은 기판처리장치에 의해 이루어진다.
종래 기술에 따른 기판처리장치는 기판을 지지하는 기판지지부, 상기 기판지지부를 회전축을 중심으로 연속적으로 회전시키는 회전부, 상기 기판지지부 상의 제1분사공간을 향해 제1가스를 분사하는 제1분사부, 및 상기 기판지지부 상의 제2분사공간을 향해 제2가스를 분사하는 제2분사부를 포함한다.
상기 제1분사부가 상기 제1분사공간에 제1가스를 분사함과 아울러 상기 제2분사부가 상기 제2분사공간에 제2가스를 분사하는 동안, 상기 회전부는 상기 기판이 상기 제1분사공간과 상기 제2분사공간을 순차적으로 반복하여 통과하도록 상기 기판지지부를 연속적으로 회전시킨다. 이에 따라, 상기 제1분사공간에서 상기 기판에 제1가스가 흡착되는 흡착공정이 이루어진 후에 상기 제2분사공간에서 상기 기판에 흡착된 제1가스와 상기 제2분사부가 분사한 제2가스가 반응하여 박막이 증착되는 증착공정이 이루어진다. 이에 따라, 기판에는 원자층증착법(ALD)으로 박막이 증착된다.
여기서, 종래 기술에 따른 기판처리장치는 상기 회전부가 상기 기판지지부를 연속적으로 회전시키므로, 상기 기판이 회전하고 있는 상태에서 상기 흡착공정이 이루어지도록 구현된다.
이에 따라, 종래 기술에 따른 기판처리장치는 상기 기판이 연속적으로 회전함에 따라 작용하는 원심력 등으로 인해 상기 제1분사공간에서 상기 흡착공정이 제대로 이루어지지 못하게 된다.
따라서, 종래 기술에 따른 기판처리장치는 상기 제2분사공간에서 상기 기판에 흡착되지 못한 제1가스와 상기 제2분사부가 분사한 제2가스가 상기 기판의 상측에서 반응함으로써 상기 기판에 화학기상증착법(CVD)으로 박막이 증착되므로, 상기 기판에 증착된 박막의 막질이 저하되는 문제가 있다.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 기판에 증착된 박막의 막질이 저하되는 것을 방지할 수 있는 기판처리장치를 제공하기 위한 것이다.
상술한 바와 같은 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 하기와 같은 구성을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치는 기판을 지지하기 위한 지지부, 상기 지지부로부터 상측방향으로 이격되어 배치된 리드, 상기 리드에 결합되고 제1영역에 제1가스를 분사하는 제1분사부, 상기 리드에 결합되고 제2영역에 제2가스를 분사하는 제2분사부, 상기 리드에 결합되고 상기 제1영역과 상기 제2영역의 사이에 배치된 제3영역에 퍼지가스를 분사하는 퍼지부, 및 상기 지지부를 회전시키기 위한 회전부를 포함할 수 있다. 상기 회전부는 기판이 상기 제1영역과 상기 제2영역 간에 이동하도록 상기 지지부를 회전시키되, 상기 제1영역에서 제1가스를 이용한 처리공정이 이루어짐과 아울러 상기 제2영역에서 제2가스를 이용한 처리공정이 이루어지는 동안에는 상기 지지부를 정지시킬 수 있다. 상기 제1분사부의 하면은 상기 제2분사부의 하면이 상기 지지부로부터 이격된 거리에 비해 더 짧은 거리로 상기 지지부로부터 이격되도록 배치될 수 있다.
본 발명에 따르면, 다음과 같은 효과를 도모할 수 있다.
본 발명은 지지부의 회전을 통해 기판을 제1영역과 제2영역 간에 이동시킬 수 있음과 동시에 지지부의 회전을 정지시킨 상태에서 제1가스를 이용한 처리공정과 제2가스를 이용한 처리공정이 이루어지도록 구현된다. 따라서, 본 발명은 원자층증착법(ALD)으로 박막을 증착하는 공정의 안정성을 향상시킴으로써, 박막의 막질을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치의 개략적인 분해사시도
도 2는 본 발명에 따른 기판처리장치를 도 1의 I-I 선을 기준으로 하여 나타낸 개략적인 측단면도
도 3은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 지지부에 대한 개략적인 평면도
도 4는 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 리드에 대한 개략적인 평면도
도 5는 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제1분사부와 제2분사부가 배치된 일 실시예를 도 1의 I-I선을 기준으로 하여 나타낸 개략적인 측단면도
도 6 및 도 7은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 분사모듈의 실시예에 대한 개략적인 측단면도
도 8은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 퍼지부를 도 1의 Ⅱ-Ⅱ 선을 기준으로 하여 나타낸 개략적인 평단면도
도 9는 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 퍼지부가 배치된 일 실시예를 도 1의 I-I선을 기준으로 하여 나타낸 개략적인 측단면도
도 10 내지 도 12는 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 지지부에 대한 개략적인 평면도
도 13은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 지지부를 도 12의 Ⅲ-Ⅲ 선을 기준으로 하여 나타낸 개략적인 측단면도
이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 기판(S)에 대한 처리공정을 수행하는 것이다. 상기 기판(S)은 유리기판, 실리콘기판, 메탈기판 등일 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 기판(S)에 박막을 증착하는 증착공정, 상기 기판(S)에 증착된 박막의 일부를 제거하는 식각공정 등을 수행할 수 있다. 이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치(1)가 상기 증착공정을 수행하는 실시예를 기준으로 설명하나, 이로부터 본 발명에 따른 기판처리장치(1)가 상기 식각공정 등과 같이 다른 처리공정을 수행하는 실시예를 도출하는 것은 본 발명이 속하는 기술분야에 속하는 당업자에게 자명할 것이다.
본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 지지부(2), 리드(3), 제1분사부(4), 제2분사부(5), 퍼지부(6), 및 회전부(7)를 포함할 수 있다.
상기 지지부(2)는 상기 기판(S)을 지지하는 것이다. 상기 지지부(2)는 상기 처리공정이 이루어지는 처리공간을 제공하는 챔버(1a)의 내부에 결합될 수 있다. 상기 처리공간은 상기 지지부(2)와 상기 리드(3)의 사이에 배치될 수 있다. 상기 챔버(1a)에는 기판출입구(미도시)가 결합될 수 있다. 상기 기판(S)들은 로딩장치(미도시)에 의해 상기 기판출입구를 통과하여 상기 챔버(1a)의 내부로 반입될 수 있다. 상기 처리공정이 완료되면, 상기 기판(S)들은 언로딩장치(미도시)에 의해 상기 기판출입구를 통과하여 상기 챔버(1a)의 외부로 반출될 수 있다. 상기 챔버(1a)에는 상기 처리공간에 존재하는 가스 등을 외부로 배기시키기 위한 배기부(1b, 도 2에 도시됨)가 결합될 수 있다.
상기 지지부(2)는 상기 기판(S)이 안착되는 안착부재(21)를 포함할 수 있다.
상기 안착부재(21)는 상기 지지부(2)와 상기 리드(3)의 사이에 배치되도록 상기 지지부(2)에 결합될 수 있다. 즉, 상기 안착부재(21)는 상기 지지부(2)의 상면(2a)에 결합될 수 있다. 상기 기판(S)은 상기 안착부재(21)의 상측방향(UD 화살표 방향)으로 돌출되도록 상기 안착부재(21)에 안착될 수 있다. 상기 상측방향(UD 화살표 방향)은 상기 지지부(2)에서 상기 리드(3)를 향하는 방향일 수 있다. 도시되지 않았지만, 상기 안착부재(21)는 상기 기판(S)이 삽입되는 안착홈(미도시)을 포함할 수도 있다. 이 경우, 상기 기판(S)은 상기 안착홈에 삽입됨으로써 상기 안착부재(21)에 안착될 수 있다. 상기 안착부재(21) 및 상기 지지부(2)는 일체로 형성될 수도 있다.
상기 안착부재(21)는 상기 지지부(2)의 상면(2a)으로부터 상기 상측방향(UD 화살표 방향)으로 돌출될 수 있다. 이에 따라, 상기 기판(S)의 상면은 상기 지지부(2)의 상면(2a)으로부터 상기 상측방향(UD 화살표 방향)으로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 가스가 상기 처리공간에서 상기 챔버(1a)의 외부로 배기되는 과정에서 가스가 상기 기판(S)의 상면 쪽으로 침범하는 것을 억제하는 억제력을 구현할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 처리공정이 완료된 기판(S)의 품질을 향상시킬 수 있다.
상기 지지부(2)는 상기 안착부재(21)를 복수개 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 지지부(2)는 상기 기판(S)을 복수개 지지하도록 구현될 수 있다. 상기 안착부재(21)들은 서로 이격되도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 기판(S)들은 서로 이격되도록 배치될 수 있다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 상기 리드(3)는 상기 지지부(2)로부터 상기 상측방향(UD 화살표 방향)으로 이격되어 배치된 것이다. 상기 리드(3)는 상기 챔버(1a)의 상부를 덮도록 상기 챔버(1a)에 결합될 수 있다. 상기 리드(3) 및 상기 챔버(1a)는 도 1에 도시된 바와 같이 육각형 구조로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 원통형 구조, 타원형 구조, 팔각형 등과 같은 다각형 구조 등으로 형성될 수도 있다.
도 1 내지 도 5를 참고하면, 상기 제1분사부(4)는 제1가스를 분사하는 것이다. 상기 제1분사부(4)는 상기 지지부(2)로부터 상기 상측방향(UD 화살표 방향)으로 이격되도록 상기 리드(3)에 결합될 수 있다. 상기 제1분사부(4)는 복수개의 제1분사공을 통해 상기 제1가스를 분사할 수 있다. 상기 제1분사부(4)는 제1영역(A1, 도 3에 도시됨)에 상기 제1가스를 분사할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1영역(A1)에서는 상기 제1가스를 이용한 처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 제1영역(A1)은 상기 제1가스가 분사되는 영역으로서, 상기 지지부(2)와 상기 제1분사부(4) 사이에 배치된 영역일 수 있다. 상기 제1영역(A1)의 상기 상측방향(UD 화살표 방향) 쪽에는 상기 제1분사부(4)의 하면(下面)(4a)이 배치될 수 있다. 상기 제1분사부(4)의 하면(4a)은 하측방향(DD 화살표 방향)을 향하는 상기 제1분사부(4)의 면일 수 있다. 상기 하측방향(DD 화살표 방향)은 상기 상측방향(UD 화살표 방향)과 반대방향일 수 있다. 상기 제1분사부(4)는 호스, 배관 등을 통해 공급부(10, 도 2에 도시됨)에 연결될 수 있다. 상기 공급부(10)는 상기 제1가스를 공급하는 것이다. 상기 제1가스는 상기 기판(S) 상에 증착되는 박막의 소스물질을 구성하는 전구체(前驅體)일 수 있다.
상기 제1분사부(4)는 상기 제1가스를 분사하는 제1분사모듈(41, 도 4에 도시됨)을 포함할 수 있다.
상기 제1분사모듈(41)은 상기 제1영역(A1)에 상기 제1가스를 분사하는 것이다. 상기 제1분사모듈(41)은 상기 제1분사공들을 통해 상기 제1영역(A1)에 상기 제1가스를 분사할 수 있다. 상기 제1분사모듈(41)은 상기 제1분사부(4)가 갖는 제1분사본체(42, 도 4에 도시됨)에 결합될 수 있다. 상기 제1분사본체(42)는 상기 리드(3)에 결합되는 것이다. 상기 제1분사모듈(41)은 상기 제1분사본체(42)를 통해 상기 리드(3)에 결합될 수 있다. 상기 제1분사모듈(41)은 상기 기판(S)에 비해 더 큰 크기로 형성될 수 있다.
상기 제1분사본체(42)에는 상기 제1분사모듈(41)이 복수개 결합될 수 있다. 이 경우, 상기 제1영역(A1)에는 복수개의 기판(S)이 배치될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1영역(A1)에서 복수개의 제1분사모듈(41)이 분사한 제1가스를 이용하여 복수개의 기판(S)에 대한 처리공정을 수행할 수 있으므로, 상기 제1가스를 이용한 처리공정의 처리율을 증대시킬 수 있다. 상기 제1분사본체(42)에는 2N(N은 0보다 큰 정수)개의 제1분사모듈(41)이 결합될 수 있다.
상기 제1분사부(4)는 제1실링부재(43, 도 4에 도시됨)를 포함할 수 있다.
상기 제1실링부재(43)는 상기 제1분사본체(42)와 상기 리드(3) 사이의 틈새를 밀폐시키는 것이다. 상기 제1분사본체(42)에 상기 제1분사모듈(41)이 복수개 결합된 경우, 상기 제1실링부재(43)는 상기 제1분사모듈(41)들의 외측을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 즉, 상기 제1분사모듈(41)들은 상기 제1실링부재(43)의 내측에 위치할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1분사모듈(41)들의 사이에 상기 제1실링부재(43)가 위치하지 않으므로, 상기 제1분사모듈(41)들 간의 간격(41D, 도 4에 도시됨)을 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1분사부(4)의 크기를 감소시킬 수 있으므로, 전체적으로 소형화 구현이 가능하게 구현될 수 있다.
도 1 내지 도 5를 참고하면, 상기 제2분사부(5)는 제2가스를 분사하는 것이다. 상기 제2분사부(5)는 상기 지지부(2)로부터 상기 상측방향(UD 화살표 방향)으로 이격되도록 상기 리드(3)에 결합될 수 있다. 상기 퍼지부(6)를 기준으로 하여, 상기 제2분사부(5)와 상기 제1분사부(4)는 서로 반대편에 배치될 수 있다.
상기 제2분사부(5)는 복수개의 제2분사공을 통해 상기 제2가스를 분사할 수 있다. 상기 제2분사부(5)는 제2영역(A2, 도 3에 도시됨)에 상기 제2가스를 분사할 수 있다. 이에 따라, 상기 제2영역(A2)에서는 상기 제2가스를 이용한 처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 제2영역(A2)은 상기 제2가스가 분사되는 영역으로서, 상기 지지부(2)와 상기 제2분사부(5) 사이에 배치된 영역일 수 있다. 상기 제2영역(A2)의 상기 상측방향(UD 화살표 방향) 쪽에는 상기 제2분사부(5)의 하면(5a)이 배치될 수 있다. 상기 제2분사부(5)의 하면(5a)은 상기 하측방향(DD 화살표 방향) 쪽을 향하는 상기 제2분사부(5)의 면일 수 있다. 상기 제2영역(A2)은 상기 제1영역(A1)으로부터 이격된 위치에 배치될 수 있다. 상기 제2분사부(5)는 호스, 배관 등을 통해 상기 공급부(10, 도 2에 도시됨)에 연결될 수 있다. 도시되지 않았지만, 상기 공급부(10)는 상기 제1가스를 공급하는 제1공급기구, 및 상기 제2가스를 공급하는 제2공급기구를 포함할 수 있다. 상기 제1공급기구는 상기 제1분사부(4)에 연결되어서 상기 제1분사부(4)에 상기 제1가스를 공급할 수 있다. 상기 제2공급기구는 상기 제2분사부(5)에 연결되어서 상기 제2분사부(5)에 상기 제2가스를 공급할 수 있다. 상기 제1가스가 소스가스인 경우, 상기 제2가스는 반응가스일 수 있다.
상기 제2분사부(5)는 상기 제2가스를 분사하는 제2분사모듈(51, 도 4에 도시됨)을 포함할 수 있다.
상기 제2분사모듈(51)은 상기 제2영역(A2)에 상기 제2가스를 분사하는 것이다. 상기 제2분사모듈(51)은 상기 제2분사공들을 통해 상기 제2영역(A2)에 상기 제2가스를 분사할 수 있다. 상기 제2분사모듈(51)은 상기 제2분사부(5)가 갖는 제2분사본체(52, 도 4에 도시됨)에 결합될 수 있다. 상기 제2분사본체(52)는 상기 리드(3)에 결합되는 것이다. 상기 제2분사모듈(51)은 상기 제2분사본체(52)를 통해 상기 리드(3)에 결합될 수 있다. 상기 제2분사모듈(51)은 상기 기판(S)에 비해 더 큰 크기로 형성될 수 있다.
상기 제2분사본체(52)에는 상기 제2분사모듈(51)이 복수개 결합될 수 있다. 이 경우, 상기 제2영역(A2)에는 복수개의 기판(S)이 배치될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2영역(A2)에서 복수개의 제2분사모듈(51)이 분사한 제2가스를 이용하여 복수개의 기판(S)에 대한 처리공정을 수행할 수 있으므로, 상기 제2가스를 이용한 처리공정의 처리율을 증대시킬 수 있다. 상기 제2분사본체(52)에는 2N개의 제2분사모듈(51)이 결합될 수 있다. 상기 제2분사모듈(51)과 상기 제1분사모듈(41)은 서로 동일한 개수로 구비될 수 있다.
상기 제2분사부(5)는 제2실링부재(53, 도 4에 도시됨)를 포함할 수 있다.
상기 제2실링부재(53)는 상기 제2분사본체(52)와 상기 리드(3) 사이의 틈새를 밀폐시키는 것이다. 상기 제2분사본체(52)에 상기 제2분사모듈(51)이 복수개 결합된 경우, 상기 제2실링부재(53)는 상기 제2분사모듈(51)들의 외측을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 즉, 상기 제2분사모듈(51)들은 상기 제2실링부재(53)의 내측에 위치할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2분사모듈(51)들의 사이에 상기 제2실링부재(53)가 위치하지 않으므로, 상기 제2분사모듈(51)들 간의 간격(51D, 도 4에 도시됨)을 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2분사부(5)의 크기를 감소시킬 수 있으므로, 전체적으로 소형화 구현이 가능하게 구현될 수 있다.
도 5를 참고하면, 상기 제2분사부(5)의 하면(5a)은 상기 제1분사부(4)의 하면(4a)이 상기 지지부(2)로부터 이격된 거리에 비해 더 긴 거리로 상기 지지부(2)로부터 이격되도록 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 제1분사부(4)의 하면(4a)이 상기 지지부(2)로부터 이격된 제1이격거리(L1)는 상기 제2분사부(5)의 하면(5a)이 상기 지지부(2)로부터 이격된 제2이격거리(L2)에 비해 더 짧게 형성될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2분사부(5)를 통해 분사된 제2가스의 유량이 상기 제1분사부(4)를 통해 분사된 제1가스의 유량에 비해 더 크더라도 상기 제1영역(A1)과 상기 제2영역(A2) 간의 가스 분압(Partial Pressure)차를 감소시키도록 구현될 수 있다. 분압은 혼합기체에서 각 성분기체가 나타내는 압력을 의미하는 것으로서, 가스의 유량에 비례하고 가스가 분사되는 영역의 크기에 반비례한다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2가스가 상기 제1가스의 유량에 비해 더 크게 분사되더라도 상기 제2영역(A2)이 상기 제1영역(A1)에 비해 더 큰 크기로 형성되므로, 상기 제1영역(A1)과 상기 제2영역(A2) 간의 분압차를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1가스와 상기 제2가스를 이용한 처리공정시 상기 제1가스가 상기 제2영역(A2)에 침투하는 것을 억제함과 아울러 상기 제2가스가 상기 제1영역(A1)에 침투하는 것을 억제하는 억제력을 구현함으로써, 상기 제1영역(A1) 상에서 상기 제1가스를 이용한 처리공정의 완성도를 향상시킴과 아울러 상기 제2영역(A2) 상에서 상기 제2가스를 이용한 처리공정의 완성도를 향상시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1가스와 상기 제2가스의 혼합으로 인해 막질이 저하되는 것을 방지함으로써, 처리공정이 완료된 기판의 품질을 향상시킬 수 있다.
도 5를 참고하면, 상기 제2분사부(5)의 하면(5a)은 상기 리드(3)의 하면(3a)으로부터 상기 상측방향(UD 화살표 방향) 쪽으로 이격되도록 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 제1분사부(4)의 하면(4a)은 상기 리드(3)의 하면(3a)으로부터 상기 하측방향(DD 화살표 방향) 쪽으로 이격되도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2영역(A2)이 상기 제1영역(A1)에 비해 더 큰 크기로 구현되므로, 상기 제2가스가 상기 제1가스에 비해 더 큰 유량으로 상기 지지부(2) 상에 분사되더라도 상기 제1영역(A1)과 상기 제2영역(A2) 간의 가스 분압차를 감소시킬 수 있다. 상기 리드(3)의 하면(3a)은 상기 하측방향(DD 화살표 방향)을 향하는 상기 리드(3)의 면일 수 있다.
도시되지 않았지만, 상기 제2분사부(5)의 하면(5a)이 상기 리드(3)의 하면(3a)으로부터 상기 상측방향(UD 화살표 방향) 쪽으로 이격되도록 배치된 경우, 상기 제1분사부(4)의 하면(4a)은 상기 리드(3)의 하면(3a)과 동일한 높이에 위치하도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2영역(A2)이 상기 제1영역(A1)에 비해 더 큰 크기로 구현되므로, 상기 제1영역(A1)과 상기 제2영역(A2) 간의 가스 분압차를 감소시킬 수 있다.
상기 제2분사부(5)의 하면(5a)은 상기 제1분사부(4)의 하면(4a)이 상기 지지부(2)로부터 이격된 거리의 3~15배의 거리로 상기 지지부(2)로부터 이격되도록 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 제2분사부(5)의 하면(5a)이 상기 지지부(2)로부터 이격된 거리는, 상기 제1분사부(4)의 하면(4a)이 상기 지지부(2)로부터 이격된 거리에 대해 3배 이상 15배 이하일 수 있다. 예컨대, 상기 제1이격거리(L1)는 0 mm 초과 5 mm 이하로 형성됨과 아울러 상기 제2이격거리(L2)는 3 mm 이상 15 mm 이하로 형성될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2영역(A2)이 상기 제1영역(A1)에 비해 더 큰 크기로 구현되므로, 상기 제2가스가 상기 제1가스에 비해 더 큰 유량으로 상기 지지부(2) 상에 분사되더라도 상기 제1영역(A1)과 상기 제2영역(A2) 간의 가스 분압차를 감소시킬 수 있다.
상기 제2분사부(5)는 상기 제1분사부(4)가 상기 제1가스를 분사하는 제1영역(A1)에 비해 더 큰 체적(Volume)을 가진 상기 제2영역(A2)에 상기 제2가스를 분사할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2가스가 상기 제1가스에 비해 더 큰 유량으로 상기 지지부(2) 상에 분사되더라도 상기 제1영역(A1)과 상기 제2영역(A2) 간의 가스 분압차를 감소시킴으로써, 상기 제1가스가 상기 제2영역(A2)에 침투하는 것을 억제함과 아울러 상기 제2가스가 상기 제1영역(A1)에 침투하는 것을 억제하는 억제력을 구현할 수 있다.
도 4 내지 도 7을 참고하여 상기 제2분사모듈(51, 도4 에 도시됨) 및 상기 제1분사모듈(41, 도 4에 도시됨)에 대한 분사모듈(30)의 실시예를 구체적으로 살펴보면, 다음과 같다.
도 6에 도시된 바와 같이 상기 분사모듈(30)은 모듈본체(31), 상기 지지부(2)를 향해 가스를 분사하는 복수개의 분사공(32), 및 상기 분사공(32)들이 연결된 전달공(33)을 포함할 수 있다. 상기 전달공(33)은 상기 공급부(10, 도 2에 도시됨)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 공급부(10, 도 2에 도시됨)가 공급한 가스는 상기 전달공(33)을 따라 유동하면서 상기 분사공(32)들을 통해 상기 지지부(2)로 분사될 수 있다. 도시되지 않았지만, 상기 분사모듈(30)에는 플라즈마발생부가 연결될 수 있다. 이 경우, 상기 분사모듈(30)은 플라즈마를 이용하여 가스를 활성화시키고, 활성화시킨 가스를 상기 지지부(2)를 향해 분사할 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이 상기 분사모듈(30)은 제1전극(34), 및 제2전극(35)을 포함할 수도 있다. 상기 제1전극(34)에는 복수개의 돌출전극(36)이 형성될 수 있다. 상기 제2전극(35)에는 복수개의 전극공(37)이 형성될 수 있다. 상기 제1전극(34) 및 상기 제2전극(35)은 상기 돌출전극(36)들이 상기 전극공(37)들 각각에 삽입되도록 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 분사공(32)들 및 상기 전달공(33)은 상기 제1전극(34)에 형성될 수 있다. 상기 돌출전극(36)이 접지(Ground)됨과 아울러 상기 제2전극(35)에 플라즈마전원이 인가되면, 상기 분사모듈(30)은 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 분사모듈(30)은 플라즈마를 이용하여 상기 제1전극(34)과 상기 제2전극(35) 사이에 형성된 이격공간(38)에서 가스를 활성화시킬 수 있다. 상기 전달공(33)과 상기 분사공(32)을 순차적으로 이동한 가스는 상기 이격공간(38)에서 활성화되어 상기 지지부(2)를 향해 분사될 수 있다.
상기 제1분사부(4) 및 상기 제2분사부(5)는 서로 다른 종류의 분사모듈(30)을 포함하도록 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 제1분사부(4)가 도 6에 도시된 샤워헤드 타입의 분사모듈(30)을 포함하고, 상기 제2분사부(5)가 도 7에 도시된 전극구조 타입의 분사모듈(30)을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 제1분사부(4)가 도 7에 도시된 전극구조 타입의 분사모듈(30)을 포함하고, 상기 제2분사부(5)가 도 6에 도시된 샤워헤드 타입의 분사모듈(30)을 포함할 수도 있다.
상기 제1분사부(4)가 상기 샤웨헤드 타입의 분사모듈(30)을 포함하고, 상기 제2분사부(5)가 상기 전극구조 타입의 분사모듈(30)을 포함할 경우, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2분사부(5)가 상기 제2가스를 상기 이격공간(38)에 분사하도록 구현될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 이격공간(38)을 통해 추가적인 상기 제2가스의 분사 공간을 확보함으로써, 상기 제2가스의 유량을 증대시키더라도 상기 제1영역(A1)과 상기 제2영역(A2) 간의 분압차를 감소시키도록 구현될 수 있다.
상기 제1분사부(4) 및 상기 제2분사부(5)는 서로 동일한 종류의 분사모듈(30)을 포함하도록 구현될 수도 있다. 예컨대, 상기 제1분사부(4) 및 상기 제2분사부(5)는 각각 도 6에 도시된 샤워헤드 타입의 분사모듈(30)을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 제1분사부(4) 및 상기 제2분사부(5)는 각각 도 7에 도시된 전극구조 타입의 분사모듈(30)을 포함할 수도 있다.
도 1 내지 도 10을 참고하면, 상기 퍼지부(6)는 퍼지가스를 분사하는 것이다. 상기 퍼지부(6)는 제3영역(A3)에 퍼지가스를 분사함으로써, 상기 제1영역(A1)과 상기 제2영역(A2)을 구획할 수 있다. 이에 따라, 상기 퍼지부(6)는 상기 제1영역(A1)에 분사된 제1가스 및 상기 제2영역(A2)에 분사된 제2가스가 서로 혼합되는 것을 방지할 수 있다. 상기 제3영역(A3)은 상기 제1영역(A1)과 상기 제2영역(A2)의 사이에 배치될 수 있다. 상기 제3영역(A3)은 상기 퍼지가스가 분사되는 영역으로서, 상기 지지부(2)와 상기 퍼지부(6) 사이에 배치된 영역일 수 있다. 상기 제3영역(A3)의 상기 상측방향(UD 화살표 방향) 쪽에는 상기 퍼지부(6)의 하면(6a)이 배치될 수 있다. 상기 퍼지부(6)의 하면(6a)은 상기 하측방향(DD 화살표 방향) 쪽을 향하는 상기 퍼지부(6)의 면일 수 있다. 상기 퍼지부(6)는 호스, 배관 등을 통해 상기 공급부(10, 도 2에 도시됨)에 연결될 수 있다. 도시되지 않았지만, 상기 공급부(10)는 상기 퍼지가스를 공급하는 제3공급기구를 포함할 수 있다. 상기 제3공급기구는 상기 퍼지부(6)에 연결되어서 상기 퍼지부(6)에 상기 퍼지가스를 공급할 수 있다.
도 9를 참고하면, 상기 퍼지부(6)의 하면(6a)은 상기 제1분사부(4)의 하면(4a)이 상기 지지부(2)로부터 이격된 거리에 비해 더 짧은 거리로 상기 지지부(2)로 이격되도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 퍼지부(6)가 상기 제1분사부(4)에 비해 상기 지지부(2) 쪽으로 더 돌출됨으로써, 상기 퍼지가스를 이용한 가스장벽 및 상기 퍼지부(6)의 배치를 이용한 물리장벽을 통해 상기 퍼지부(6)가 상기 제1영역(A1)과 상기 제2영역(A2)을 구획하는 구획력을 향상시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1영역(A1)에 분사된 제1가스 및 상기 제2영역(A2)에 분사된 제2가스가 서로 혼합되는 것을 방지하는 방지력을 증대시킴으로써, 가스 혼합에 따른 막질이 저하되는 정도를 감소시킬 수 있다. 상기 퍼지부(6)의 하면(6a)은 상기 제2분사부(5)의 하면(5a)이 상기 지지부(2)로부터 이격된 거리에 비해 더 짧은 거리로 상기 지지부(2)로부터 이격되도록 배치될 수도 있다.
상기 퍼지부(6)의 하면(6a)은 상기 리드(3)의 하면(3a)으로부터 제1돌출거리로 돌출되도록 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 제1분사부(4)의 하면(4a)은 상기 리드(3)의 하면(3a)으로부터 상기 제1돌출거리에 비해 더 짧은 제2돌출거리로 돌출되도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 퍼지부(6)가 상기 제1분사부(4)에 비해 상기 지지부(2) 쪽으로 더 돌출됨으로써, 상기 퍼지부(6)가 상기 제1영역(A1)과 상기 제2영역(A2)을 구획하는 구획력을 향상시킬 수 있다. 도시되지 않았지만, 상기 제2분사부(5)의 하면(6a)은 상기 지지부(2)로부터 상기 제2돌출거리에 비해 더 짧은 제3돌출거리로 돌출되도록 배치될 수 있다.
상기 퍼지부(6)의 하면(6a)과 상기 제1분사부(4)의 하면(4a)은 상기 지지부(2)로부터 서로 동일한 거리로 이격되도록 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 퍼지부(6)의 하면(6a)과 상기 제1분사부(4)의 하면(4a)은 상기 리드(3)의 하면(3a)과 동일한 높이에 위치하도록 배치될 수 있다. 상기 퍼지부(6)의 하면(6a)과 상기 제2분사부(5)의 하면(5a)은 상기 리드(3)의 하면(3a)과 동일한 높이에 위치하도록 배치될 수도 있다.
도 1 내지 도 11을 참고하면, 상기 회전부(7, 도 2에 도시됨)는 상기 지지부(2)를 회전시키는 것이다. 상기 회전부(7)는 상기 지지부(2)의 회전축(20, 도 10에 도시됨)을 중심으로 하여 상기 지지부(2)를 회전시킬 수 있다. 상기 회전부(7)는 상기 지지부(2)를 제1회전방향(R1 화살표 방향, 도 10에 도시됨)으로 회전시킬 수 있다. 상기 제1회전방향(R1 화살표 방향)을 따라 상기 제1영역(A1), 상기 제3영역(A3), 제2영역(A2), 및 상기 제3영역(A3)이 순차적으로 배치될 수 있다. 상기 회전부(7)가 상기 지지부(2)를 회전시킴에 따라, 상기 지지부(2)에 지지된 기판(S, 도 3에 도시됨)은 상기 지지부(2)의 회전축(20)을 중심으로 회전할 수 있다. 이에 따라, 상기 지지부(2)에 지지된 기판(S)은 상기 제1영역(A1), 상기 제3영역(A3), 및 상기 제2영역(A2) 간에 순차적으로 이동할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치(1)가 상기 제1영역(A1)과 상기 제2영역(A2) 각각에서 복수개의 기판(S)에 대해 처리공정을 수행하는 경우, 상기 회전부(7)는 다음과 같이 동작할 수 있다.
우선, 상기 회전부(7)는 도 10에 도시된 바와 같이 상기 제1영역(A1)에 복수개의 제1기판(100)이 위치함과 아울러 상기 제2영역(A2)에 복수개의 제2기판(200)이 위치하도록 상기 지지부(2)를 회전시킬 수 있다.
다음, 상기 제1영역(A1)에 상기 제1기판(100)들이 위치함과 아울러 상기 제2영역(A2)에 복수개의 제2기판(200)들이 위치하면, 상기 회전부(7)는 상기 지지부(2)를 정지시킬 수 있다.
다음, 상기 제1분사부(4)는 상기 제1영역(A1)에 상기 제1가스를 분사할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1영역(A1)에서는 상기 제1기판(100)들에 상기 제1가스가 흡착되는 흡착공정이 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 제2분사부(5)는 상기 제2영역(A2)에 상기 제2가스를 분사하지 않고 대기할 수 있다.
다음, 상기 제1기판(100)들에 대한 흡착공정이 완료되면, 상기 회전부(7)는 도 11에 도시된 바와 같이 상기 제1영역(A1)에 상기 제2기판(200)들이 위치함과 아울러 상기 제2영역(A2)에 상기 제1기판(100)들이 위치하도록 상기 지지부(2)를 회전시킬 수 있다. 이 경우, 상기 제1기판(100)들은 상기 제1영역(A1)에서 상기 제2영역(A2)으로 이동하는 과정에서 상기 제3영역(A3)을 통과할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1기판(100)들에 흡착되지 못한 제1가스가 상기 퍼지부(6)가 분사한 퍼지가스에 의해 제거될 수 있다. 이 경우, 상기 제2기판(200)들은 상기 제2영역(A2)에서 상기 제1영역(A1)으로 이동하는 과정에서 상기 제3영역(A3)을 통과할 수 있다.
다음, 상기 제1영역(A1)에 상기 제2기판(200)들이 위치함과 아울러 상기 제2영역(A2)에 상기 제1기판(100)들이 위치하면, 상기 회전부(7)는 상기 지지부(2)를 정지시킬 수 있다.
다음, 상기 제1분사부(4)는 상기 제1영역(A1)에 상기 제1가스를 분사할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1영역(A1)에서는 상기 제2기판(200)들에 상기 제1가스가 흡착되는 흡착공정이 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 제2분사부(5)는 상기 제2영역(A2)에 상기 제2가스를 분사할 수 있다. 이에 따라, 상기 제2영역(A2)에서는 상기 제1기판(100)들에 흡착된 제1가스와 상기 제2분사부(5)가 분사하는 제2가스가 반응하여 박막이 증착되는 증착공정이 이루어진다. 따라서, 상기 제1기판(100)들에는 원자층증착법(ALD)으로 박막이 증착될 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2가스가 상기 제1가스에 비해 더 큰 유량으로 분사되더라도 상기 제2영역(A2)이 상기 제1영역(A1)에 비해 더 큰 크기로 형성됨으로써, 상기 제1영역(A1)과 상기 제2영역(A2) 간의 가스 분압차를 감소시킬 수 있도록 구현될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2영역(A2)에 분사된 상기 제2가스가 상기 제1영역(A1) 쪽으로 침투하는 것을 억제함과 아울러 상기 제1영역(A1)에 분사된 상기 제1가스가 상기 제2영역(A2) 쪽으로 침투하는 것을 억제하는 억제력을 구현할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1기판(100)들에 대한 증착공정 및 상기 제2기판(200)들에 대한 흡착공정의 완성도를 향상시킬 수 있다. 상기 제2기판(200)들에 대한 흡착공정 및 상기 제1기판(100)들에 대한 증착공정은, 병행하여 이루어질 수 있다.
다음, 상기 제1기판(100)들에 대한 증착공정 및 상기 제2기판(200)들에 대한 흡착공정이 완료되면, 상기 회전부(7)는 도 10에 도시된 바와 같이 상기 제1영역(A1)에 상기 제1기판(100)들이 위치함과 아울러 상기 제2영역(A2)에 상기 제2기판(200)들이 위치하도록 상기 지지부(2)를 회전시킬 수 있다. 이 경우, 상기 제2기판(200)들이 상기 제1영역(A1)에서 상기 제2영역(A2)으로 이동하는 과정에서 상기 제3영역(A3)을 통과할 수 있다. 이에 따라, 상기 제2기판(200)들에 흡착되지 못한 제1가스가 상기 퍼지부(6)가 분사한 퍼지가스에 의해 제거될 수 있다. 이 경우, 상기 제1기판(100)들이 상기 제2영역(A2)에서 상기 제1영역(A1)으로 이동하는 과정에서 상기 제3영역(A3)을 통과할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1기판(100)들에 증착되지 못한 제2가스가 상기 퍼지부(6)가 분사한 퍼지가스에 의해 제거될 수 있다.
다음, 상기 제1영역(A1)에 상기 제1기판(100)들이 위치함과 아울러 상기 제2영역(A2)에 상기 제2기판(200)들이 위치하면, 상기 회전부(7)는 상기 지지부(2)를 정지시킬 수 있다.
다음, 상기 제1분사부(4)는 상기 제1영역(A1)에 상기 제1가스를 분사할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1영역(A1)에서는 상기 제1기판(100)들에 증착된 박막들에 상기 제1가스가 흡착되는 흡착공정이 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 제2분사부(5)는 상기 제2영역(A2)에 상기 제2가스를 분사할 수 있다. 이에 따라, 상기 제2영역(A2)에서는 상기 제2기판(200)들에 흡착된 제1가스와 상기 제2분사부(5)가 분사하는 제2가스가 반응하여 박막이 증착되는 증착공정이 이루어진다. 따라서, 상기 제2기판(200)들에는 원자층증착법(ALD)으로 박막이 증착될 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2가스가 상기 제1가스에 비해 더 큰 유량으로 분사되더라도 상기 제2영역(A2)이 상기 제1영역(A1)에 비해 더 큰 크기로 형성됨으로써, 상기 제1영역(A1)과 상기 제2영역(A2) 간의 가스 분압차를 감소시킬 수 있도록 구현될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1영역(A1)에 분사된 상기 제1가스가 상기 제2영역(A2) 쪽으로 침투하는 것을 억제함과 아울러 상기 제2영역(A2)에 분사된 상기 제2가스가 상기 제1영역(A1) 쪽으로 침투하는 것을 억제하는 억제력을 구현할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2기판(200)들에 대한 증착공정 및 상기 제1기판(100)들에 대한 흡착공정의 완성도를 향상시킬 수 있다. 상기 제1기판(100)들에 대한 흡착공정 및 상기 제2기판(200)들에 대한 증착공정은, 병행하여 이루어질 수 있다.
상술한 바와 같이 상기 제1기판(100)들에 대한 흡착공정과 증착공정, 및 상기 제2기판(200)들에 대한 흡착공정과 증착공정이 반복하여 이루어지도록 상기 회전부(7)는 상기 지지부(2)에 대한 회전과 정지를 반복할 수 있다. 상기 제1기판(100)들 및 상기 제2기판(200)들 각각에 대해 기설정된 횟수의 흡착공정과 증착공정이 이루어질 때까지, 상기 회전부(7)는 상기 지지부(2)에 대한 회전과 정지를 반복할 수 있다. 이 경우, 상기 제1기판(100)들에 대해 흡착공정과 증착공정이 이루어진 횟수, 및 상기 제2기판(200)들에 대해 흡착공정과 증착공정이 이루어진 횟수는 서로 동일하게 구현될 수 있다. 이를 위해, 마지막에는 상기 제2영역(A2)에서는 상기 제2분사부(5)가 상기 제2기판(200)들에 상기 제2가스를 분사함과 아울러 상기 제1영역(A1)에서는 상기 제1분사부(4)가 상기 제1기판(100)들에 상기 제1가스를 분사하지 않고 대기할 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1영역(A1)에서는 흡착공정이 이루어짐과 아울러 상기 제2영역(A2)에서는 증착공정이 이루어지도록 구현되므로, 원자층증착법(ALD)으로 박막을 증착할 수 있도록 구현된다. 이 경우, 상기 제1영역(A1)과 상기 제2영역(A2)은 상기 제3영역(A3)에 분사된 퍼지가스에 의해 구획되므로, 상기 제1가스와 상기 제2가스의 혼합으로 인해 막질이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 이에 더하여, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 지지부(2)의 회전을 통해 상기 기판들(100, 200)을 상기 제1영역(A1)과 상기 제2영역(A2) 간에 이동시킬 수 있음과 동시에 상기 지지부(2)의 회전을 정지시킨 상태에서 상기 흡착공정과 상기 증착공정이 이루어지도록 구현된다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 원자층증착법(ALD)으로 박막을 증착하는 공정의 안정성을 향상시킴으로써, 막질을 향상시킬 수 있다.
한편, 상기 제1기판(100)을 상기 제1영역(A1)에서 상기 제2영역(A2)으로 이동시킬 때, 상기 회전부(7)는 상기 지지부(2)를 상기 회전축(20)을 중심으로 하여 항상 동일한 고정회전각도로 회전시킬 수 있다. 상기 제1기판(100)을 상기 제2영역(A2)에서 상기 제1영역(A1)으로 이동시킬 때, 상기 회전부(7)는 상기 지지부(2)를 상기 회전축(20)을 중심으로 하여 가변하는 가변회전각도로 회전시킬 수 있다. 예컨대, 상기 고정회전각도는 180도이고, 상기 가변회전각도는 180도와 다른 각도일 수 있다. 상기 가변회전각도는 181도, 179도 등일 수 있다. 이 경우, 상기 회전부(7)는 180도, 179도, 180도, 181도 순서로 상기 지지부(2)에 대한 회전과 정지를 반복할 수 있다. 상기 회전부(7)는 180도, 181도, 180도, 179도 순서로 상기 지지부(2)에 대한 회전과 정지를 반복할 수도 있다.
이와 같이, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 회전부(7)가 상기 가변회전각도로 상기 지지부(2)를 회전시키도록 구현됨으로써, 상기 지지부(2)가 상기 가변회전각도로 회전할 때마다 상기 제1영역(A1)에서 상기 제1분사공들의 하측 및 상기 제2영역(A2)에서 상기 제2분사공들의 하측에 위치하게 되는 기판들(100, 200)의 부분을 변경시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 처리공정이 완료된 기판에 상기 제1분사공들과 상기 제2분사공들의 위치에 기인한 홀패턴이 전사되는 전사현상이 발생하는 정도를 감소시킬 수 있으므로, 상기 처리공정의 균일성을 향상시킬 수 있다.
여기서, 상기 퍼지부(6)는 복수개의 퍼지공(61, 도 8에 도시됨), 및 퍼지본체(62, 도 8에 도시됨)를 포함할 수 있다.
상기 퍼지공(61)들은 상기 퍼지가스를 분사하는 것이다. 상기 퍼지공(61)들은 상기 퍼지본체(62)에 형성될 수 있다. 상기 퍼지공(61)들은 서로 이격되게 배치될 수 있다.
상기 퍼지본체(62)는 상기 리드(3)에 결합될 수 있다. 상기 퍼지본체(62)는 상기 제3영역(A3)으로부터 상기 상측방향(UD 화살표 방향)으로 이격되어 배치될 수 있다.
도 8을 참고하면, 상기 퍼지본체(62)는 제1퍼지본체(621), 제2퍼지본체(622), 및 제3퍼지본체(623)를 포함할 수 있다.
상기 제1퍼지본체(621)는 상기 제2퍼지본체(622)와 상기 제3퍼지본체(623)의 사이에 배치된 것이다. 상기 제1퍼지본체(621)는 상기 제3영역(A3)의 중앙영역(A31, 도 8에 도시됨)에 대응되게 배치될 수 있다. 상기 제1퍼지본체(621)는 상기 퍼지공(61)들을 통해 상기 중앙영역(A31)에 상기 퍼지가스를 분사할 수 있다. 상기 중앙영역(A31)은 상기 제3영역(A3)의 일측영역(A32, 도 10에 도시됨) 및 상기 제3영역(A3)의 타측영역(A33, 도 10에 도시됨)의 사이에 배치될 수 있다. 상기 일측영역(A32)은 상기 기판들(100, 200)이 상기 제1영역(A1)에서 상기 제2영역(A2)으로 이동할 때 통과하는 영역이다. 상기 타측영역(A33)은 상기 기판들(100, 200)이 상기 제2영역(A2)에서 상기 제1영역(A1)으로 이동할 때 통과하는 영역이다.
상기 제2퍼지본체(622)는 상기 일측영역(A32)에 대응되게 배치될 수 있다. 상기 제2퍼지본체(622)는 상기 퍼지공(61)들을 통해 상기 일측영역(A32)에 상기 퍼지가스를 분사할 수 있다. 상기 제2퍼지본체(622)에는 플라즈마 생성기구(63, 도 8에 도시됨)가 결합될 수 있다. 상기 플라즈마 생성기구(63)는 플라즈마를 발생시키는 것이다. 이에 따라, 상기 기판들(100, 200)이 상기 제1영역(A1)에서 상기 제2영역(A2)으로 이동하는 과정에서, 상기 일측영역(A32)에서는 상기 기판들(100, 200)에 대한 퍼지가스 분사 및 상기 기판들(100, 200)에 대한 플라즈마 처리가 병행하여 이루어질 수 있다. 상기 제2퍼지본체(622)는 상기 플라즈마를 이용하여 상기 퍼지가스를 활성화시키고, 활성화시킨 퍼지가스를 상기 일측영역(A32)에 분사할 수도 있다. 이 경우, 상기 일측영역(A32)에서는 상기 기판들(100, 200)에 대해 활성화된 퍼지가스를 이용한 처리가 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 플라즈마 생성기구(63)가 결합된 제2퍼지본체(622)는, 도 6에 도시된 샤워헤드 타입 또는 도 7에 도시된 전극구조 타입으로 구현될 수도 있다.
상기 제3퍼지본체(623)는 상기 타측영역(A33)에 대응되게 배치될 수 있다. 상기 제3퍼지본체(623)는 상기 퍼지공(61)들을 통해 상기 타측영역(A33)에 상기 퍼지가스를 분사할 수 있다. 상기 제3퍼지본체(623)에는 윈도우(64, 도 8에 도시됨)가 결합될 수 있다. 온도측정부(미도시)는 상기 윈도우(64)를 통해 상기 타측영역(A33)을 통과하는 기판들(100, 200)의 온도를 측정할 수 있다. 상기 윈도우(64)는 투명재질 또는 반투명재질로 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 기판들(100, 200)이 상기 제2영역(A2)에서 상기 제1영역(A1)으로 이동하는 과정에서, 상기 타측영역(A33)에서는 상기 기판들(100, 200)에 대한 퍼지가스 분사 및 상기 기판들(100, 200)에 대한 온도측정이 병행하여 이루어질 수 있다.
도 12 및 도 13을 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 돌출부(8)를 포함할 수 있다.
상기 돌출부(8)는 상기 지지부(2)의 상면(2a)으로부터 상기 상측방향(UD 화살표 방향)으로 돌출된 것이다. 상기 돌출부(8)는 상기 제3영역(A3)에 대응되게 배치될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 퍼지가스를 이용한 가스장벽 및 상기 돌출부(8)를 이용한 물리장벽을 통해 상기 제1가스와 상기 제2가스가 혼합되는 것을 방지하는 방지력을 더 강화할 수 있다. 상기 돌출부(8)는 상면이 상기 안착부재(21)의 상면과 동일한 높이에 위치하도록 상기 지지부(2)의 상면(2a)으로부터 상기 상측방향(UD 화살표 방향)으로 돌출될 수 있다. 상기 돌출부(8)는 전체적으로 직방체 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 제1영역(A1)과 상기 제2영역(A2) 사이의 물리장벽을 구현할 수 있는 형태이면 원반 형태 등 다른 형태로 형성될 수도 있다. 상기 돌출부(8) 및 상기 지지부(2)는 일체로 형성될 수도 있다. 상기 돌출부(8)는 상기 안착부재(21)로부터 이격된 위치에 배치될 수 있다.
상기 돌출부(8)와 상기 안착부재(21)들이 상기 지지부(2)의 상면(2a)으로부터 상기 상측방향(UD 화살표 방향)으로 돌출됨에 따라, 상기 제1영역(A1)과 상기 제3영역(A3) 사이에는 제1가스홈(81, 도 13에 도시됨)이 형성될 수 있다. 상기 제1가스홈(81)은 상기 돌출부(8)와 상기 안착부재(21)들의 사이에서 골짜기와 같은 형태로 구현될 수 있다. 이에 따라, 상기 퍼지부(6)가 분사한 퍼지가스와 상기 제1분사부(4)가 분사한 제1가스 중에서 적어도 하나가 포함된 잔여가스는 상기 제1가스홈(81)을 따라 유동하여 상기 챔버(1a)의 외부로 배기될 수 있다. 상기 제2영역(A2)과 상기 제3영역(A3) 사이에는 제2가스홈(82, 도 13에 도시됨)이 형성될 수 있다. 상기 제2가스홈(82)은 상기 돌출부(8)와 상기 안착부재(21)들의 사이에서 골짜기와 같은 형태로 구현될 수 있다. 이에 따라, 상기 퍼지부(6)가 분사한 퍼지가스와 상기 제2분사부(5)가 분사한 제2가스 중에서 적어도 하나가 포함된 잔여가스는 상기 제2가스홈(82)을 따라 유동하여 상기 챔버(1a)의 외부로 배기될 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 가스홈들(81, 82)을 통해 잔여가스를 원활하게 배기시킬 수 있도록 구현된다. 또한, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 돌출부(8)와 상기 안착부재(21)들이 상기 지지부(2)의 상면(2a)으로부터 상기 상측방향(UD 화살표 방향)으로 돌출되므로, 상기 가스홈들(81, 82)을 통해 배기되는 잔여가스가 상기 기판들(100, 200) 쪽으로 침범하는 것을 억제할 수 있도록 구현된다. 이 경우, 상기 돌출부(8)와 상기 안착부재(21)들 각각에서 상기 가스홈들(81, 82)을 향하는 외면은, 잔여가스가 상기 기판들(100, 200) 쪽으로 침범하는 것을 억제하는 방벽으로 기능할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 잔여가스로 인해 상기 기판들(100, 200)에 부분적으로 증착률, 식각률 등과 같은 처리율에 편차가 발생하는 정도를 감소시킬 수 있으므로, 처리공정의 균일성을 더 향상시킬 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.

Claims (16)

  1. 기판을 지지하기 위한 지지부;
    상기 지지부로부터 상측방향으로 이격되어 배치된 리드;
    상기 리드에 결합되고, 제1영역에 제1가스를 분사하는 제1분사부;
    상기 리드에 결합되고, 제2영역에 제2가스를 분사하는 제2분사부;
    상기 리드에 결합되고, 상기 제1영역과 상기 제2영역의 사이에 배치된 제3영역에 퍼지가스를 분사하는 퍼지부; 및
    상기 지지부를 회전시키기 위한 회전부를 포함하고,
    상기 회전부는 기판이 상기 제1영역과 상기 제2영역 간에 이동하도록 상기 지지부를 회전시키되, 상기 제1영역에서 제1가스를 이용한 처리공정이 이루어짐과 아울러 상기 제2영역에서 제2가스를 이용한 처리공정이 이루어지는 동안에는 상기 지지부를 정지시키며,
    상기 제1분사부의 하면은 상기 제2분사부의 하면이 상기 지지부로부터 이격된 거리에 비해 더 짧은 거리로 상기 지지부로부터 이격되도록 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2분사부의 하면은 상기 리드의 하면으로부터 상기 상측방향 쪽으로 이격되도록 배치되고,
    상기 제1분사부의 하면은 상기 리드의 하면으로부터 상기 상측방향과 반대방향인 하측방향 쪽으로 이격되도록 배치된 것을 특징으로 기판처리장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2분사부의 하면이 상기 지지부로부터 이격된 거리는 상기 제1분사부의 하면이 상기 지지부로부터 이격된 거리에 대해 3배 이상 15배 이하인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1분사부는 상기 제2분사부가 상기 제2가스를 분사하는 상기 제2영역에 비해 더 작은 체적(Volume)을 가진 상기 제1영역에 상기 제1가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1분사부는 상기 리드에 결합된 모듈본체, 및 상기 모듈본체에 형성되어 상기 제1영역에 상기 제1가스를 분사하는 복수개의 제1분사공을 포함하고,
    상기 제2분사부는 복수개의 돌출전극이 결합되고 제2가스를 분사하는 복수개의 제2분사공이 형성된 제1전극, 및 상기 돌출전극들에 대응되는 위치에 복수개의 개구가 형성된 제2전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제2분사부는 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 형성된 이격공간에 상기 제2가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 퍼지부의 하면은 상기 제1분사부의 하면이 상기 지지부로부터 이격된 거리에 비해 더 짧은 거리로 상기 지지부로부터 이격되도록 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 퍼지부의 하면과 상기 제1분사부의 하면은 상기 지지부로부터 서로 동일한 거리로 이격되도록 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 지지부는 상기 기판의 상면을 상기 지지부의 상면으로부터 이격된 위치에 배치시키기 위해 상기 지지부의 상면으로부터 상기 상측방향으로 돌출된 안착부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 지지부의 상면으로부터 상기 상측방향으로 돌출되되, 상기 제3영역에 배치된 돌출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 돌출부에는 상기 제1영역과 상기 제3영역 사이에 형성된 제1가스홈, 및 상기 제1영역과 상기 제2영역 사이에 형성된 제2가스홈이 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 지지부의 상면으로부터 상기 상측방향으로 돌출되되, 상기 제3영역에 배치된 돌출부를 포함하고,
    상기 지지부는 상기 지지부의 상면으로부터 상기 상측방향으로 돌출되되, 상기 돌출부로부터 이격되어 배치된 안착부재를 포함하며,
    상기 돌출부에는 상기 제1영역과 상기 제3영역 사이에 형성된 제1가스홈, 및 상기 제1영역과 상기 제2영역 사이에 형성된 제2가스홈이 형성되며,
    상기 돌출부와 상기 안착부재는 상기 가스홈들을 향하는 외면을 갖는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 퍼지부는 상기 제3영역으로부터 상기 상측방향으로 이격되어 배치되도록 상기 리드에 결합된 퍼지본체를 포함하고,
    상기 퍼지본체는 상기 제3영역의 중앙영역에 대응되게 배치된 제1퍼지본체, 및 상기 기판이 상기 제1영역에서 상기 제2영역으로 이동할 때 통과하는 상기 제3영역의 일측영역에 배치된 제2퍼지본체를 포함하며,
    상기 제2퍼지본체에는 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 생성기구가 결합된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 퍼지부는 상기 제3영역으로부터 상기 상측방향으로 이격되어 배치되도록 상기 리드에 결합된 퍼지본체를 포함하고,
    상기 퍼지본체는 상기 제3영역의 중앙영역에 대응되게 배치된 제1퍼지본체, 및 상기 기판이 상기 제2영역에서 상기 제1영역으로 이동할 때 통과하는 상기 제3영역의 타측영역에 배치된 제3퍼지본체를 포함하며,
    상기 제3퍼지본체에는 상기 타측영역을 통과하는 기판의 온도를 측정하기 위한 윈도우가 결합된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 회전부는 상기 기판이 상기 제1영역에서 상기 제2영역으로 이동할 때 회전축을 중심으로 상기 지지부를 고정회전각도로 회전시킴과 아울러 상기 기판이 상기 제2영역에서 상기 제1영역으로 이동할 때 상기 회전축을 중심으로 상기 지지부를 상기 고정회전각도와 상이한 가변회전각도로 회전시키는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 제1분사부는 복수개의 기판이 배치된 상기 제1영역에 상기 제1가스를 분사하는 복수개의 제1분사모듈, 상기 제1분사모듈들이 결합된 제1분사본체, 및 상기 제1분사본체와 상기 리드 사이의 틈새를 밀폐시키기 위한 제1실링부재를 포함하고,
    상기 제1실링부재는 상기 제1분사모듈들의 외측을 둘러싸도록 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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