WO2015156542A1 - 가스 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents

가스 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 Download PDF

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WO2015156542A1
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gas flow
buffering
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정석철
김영록
한종국
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주성엔지니어링(주)
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Definitions

  • the present invention relates to a gas injection apparatus and a substrate processing apparatus including the same.
  • a predetermined thin film layer should be formed on the surface of a substrate.
  • a thin film deposition process for depositing a thin film of a specific material on the substrate A semiconductor manufacturing process such as a photo process for selectively exposing the thin film and an etching process for forming a pattern by removing the thin film of the selectively exposed portion are performed.
  • Such a semiconductor manufacturing process is performed inside a substrate processing apparatus designed in an optimal environment for the process, and in recent years, many substrate processing apparatuses that perform deposition or etching processes using plasma are widely used.
  • Substrate processing devices such as plasma enhanced chemical vapor deposition, utilize gas injection devices to introduce gas into the chamber.
  • the gas injection device injects various process gases onto the substrate surface through a plurality of gas injection holes formed in a plate-shaped body.
  • a material of such a gas injection device an aluminum material is generally used in consideration of workability and reactivity with a process gas.
  • Conventional gas injection device perforated at regular intervals in the interior of the body 10 along one direction of the body 10 by the machining of a plate-like body 10, a drill, etc. And a plurality of gas jets drilled perpendicularly to the lower surface of the body 10 so that both ends thereof are connected to each of the plurality of gas flow paths 20 sealed by the welding 22 and the plurality of gas flow paths 20. And a hole 30.
  • the conventional gas injection apparatus injects the process gas injected into the central portion of each of the plurality of gas flow paths 20 through the gas supply pipe 40 through the plurality of gas injection holes 30.
  • process gas is injected into each of the plurality of gas flow paths 20, which makes it difficult to uniformly inject the process gas into the plurality of gas flow paths 20.
  • both ends of each of the plurality of gas flow paths 20 are permanently sealed by welding, which makes it difficult to clean the gas flow paths 20 and the gas injection holes 30.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and provides a gas injection apparatus and a substrate processing apparatus including the same, which enable uniform injection of process gas into a plurality of gas flow paths communicating with a plurality of gas injection holes. Let it be technical problem.
  • Another object of the present invention is to provide a gas injection apparatus and a substrate processing apparatus including the same, which facilitate cleaning of a plurality of gas injection holes and a plurality of gas flow paths.
  • a gas injection device comprising: a body including a plurality of gas flow paths connected to a plurality of gas injection holes for injecting a process gas; And at least one gas injection module coupled to at least one side surface of the body and in communication with each of the plurality of gas flow paths, wherein the gas injection module first buffers the process gas supplied from the outside. Buffering space; And a second gas buffering space communicating with the first gas buffering space to buffer the first buffered process gas into the plurality of gas flow paths.
  • the substrate processing apparatus for achieving the above technical problem is a process chamber; A chamber lid covering the top of the process chamber; Substrate supporting means installed in the process chamber to support a substrate; And gas injection means coupled to a bottom surface of the chamber lid so as to face the substrate support means, wherein the gas injection means may include the gas injection device.
  • this invention can inject a process gas uniformly into a some gas flow path, and there exists an effect which can wash
  • the present invention has an effect that can uniformly spray the process gas on the substrate, thereby enabling a uniform substrate processing process.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a conventional gas injection device.
  • FIG. 2 is a rear perspective view schematically illustrating a gas injection device according to a first example of the present invention.
  • FIG. 3 is a vertical cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 2.
  • FIG. 4 is a horizontal cross-sectional view taken along the line II-II 'of FIG. 2.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view for describing a plurality of communication holes illustrated in FIG. 4.
  • FIG. 6 is a view schematically showing a flow of a process gas in the gas injection device according to the first example of the present invention.
  • FIG. 7 is a view for explaining a gas injection device according to a second example of the present invention.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating the gas injection hole illustrated in FIG. 7.
  • FIG 9 is a view for explaining a modification of the gas injection device according to the second example of the present invention.
  • FIG. 10 is a view for explaining a gas injection apparatus according to a third example of the present invention.
  • FIG 11 is a view for explaining a gas injection device according to a fourth example of the present invention.
  • FIG. 12 is a view for explaining a modification of the gas injection device according to the fourth example of the present invention.
  • FIG. 13 is a rear perspective view schematically illustrating a gas injection device according to a fifth example of the present invention.
  • FIG. 14 is a vertical cross-sectional view taken along the line III-III ′ of FIG. 13.
  • 16 is a cross-sectional view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an example of the present disclosure.
  • At least one should be understood to include all combinations which can be presented from one or more related items.
  • the meaning of "at least one of the first item, the second item, and the third item" means two items of the first item, the second item, or the third item, as well as two of the first item, the second item, and the third item, respectively.
  • FIG. 2 is a rear perspective view schematically illustrating a gas injection apparatus according to a first example of the present invention
  • FIG. 3 is a vertical cross-sectional view of the II 'line shown in FIG. 2
  • FIG. 4 is a II-II' line shown in FIG. 2. Horizontal section.
  • the gas injection device 100 includes a body 110, first and second gas injection modules 120a and 120b.
  • the body 110 may be formed of a metal material of a flat plate shape having a predetermined thickness, for example, aluminum or an aluminum alloy.
  • the body 110 is detachably mounted on a lower surface of a chamber lid covering an upper portion of a process chamber (not shown) so as to face a substrate supporting means (not shown) installed on the bottom surface of the process chamber. do.
  • the body 110 is provided with a plurality of gas passages 111 and a plurality of gas injection holes 113.
  • Each of the plurality of gas flow paths 111 is formed inside the body 110 to have a predetermined interval in parallel with the horizontal direction X or the vertical direction Y of the body 110.
  • each of the plurality of gas flow paths 111 may be perforated to penetrate through one side and the other side of the body 110 by a gun drill process.
  • Process gas is injected into the plurality of gas flow paths 111 from the first and second gas injection modules 120a and 120b.
  • Each of the plurality of gas injection holes 113 is vertically formed from the rear surface of the body 110 so as to have a predetermined interval to communicate with each of the plurality of gas flow paths 111.
  • Each of the plurality of gas injection holes 113 injects the process gas injected into the plurality of gas flow paths 111 to a predetermined pressure.
  • Each of the plurality of gas injection holes 113 may include one or more injection holes to be optimized for at least one of an injection area, an injection angle, and an injection amount of the process gas.
  • each of the plurality of gas injection holes 113 may be formed in a cylindrical shape having a diameter smaller than that of the gas flow passage 111.
  • the plurality of gas injection holes 113 may have a shape of a funnel, that is, a body from the first injection hole while communicating with the first injection hole having the first diameter and the first injection hole communicating with the gas flow path 111. It may be made by including a second injection hole that increases in diameter toward the back of the (110).
  • each of the plurality of gas injection holes 113 according to still another example may include a first injection port having a first diameter communicating with the gas flow path 111 and a second diameter smaller than the first diameter while communicating with the first injection port. It may be made to include a second injection port having a third injection port and the diameter increases toward the back of the body 110 from the first injection port while communicating with the second injection port.
  • the first gas injection module 120a is coupled to one side of the body 110 to inject process gas supplied through at least one first gas supply pipe 130a into each of the plurality of gas flow paths 111.
  • the first gas injection module 120a may be supplied from a first gas buffering space GBS1 for firstly buffering a process gas supplied from the first gas supply pipe 130a and the first gas buffering space GBS1. It may include a second gas buffering space (GBS2) for buffering the process gas to be secondary to be injected into one side of each of the plurality of gas flow path (111).
  • GBS2 second gas buffering space
  • the first gas injection module 120a may include a first gas buffering member 121 having a first gas buffering space GBS1 and a second gas buffering member 123 having a second gas buffering space GBS2. It can be made, including).
  • the first gas buffering member 121 is formed to include a first gas buffering space GBS1 that primarily buffers the process gas supplied through the first gas supply pipe 130a, and includes a plurality of gas flow paths 111. It is coupled to one side of the body 110 to cover each one side.
  • the first gas buffering member 121 may face the plurality of gas flow paths 111 to include a first gas buffering space GBS1 surrounded by respective sidewalls perpendicular to the outer side and the outer side.
  • the side may be formed in the form of an open box. Accordingly, the first gas buffering member 121 first buffers or diffuses the process gas supplied through the first gas supply pipe 130a in the first gas buffering space GBS1.
  • a gas supply hole 120h communicating with the first gas supply pipe 130a is formed on a side surface, for example, an upper surface of the first gas buffering member 121.
  • a sealing member may be interposed between the upper side surface of the first gas buffering member 121 and the first gas supply pipe 130a.
  • the coupling portion of the first gas supply pipe 130a and the gas supply hole 120h may be sealed by a sealing jacket 131.
  • two or more first gas supply pipes 130a may be installed in the first gas buffering member 121.
  • each of the two or more first gas supply pipes 130a may be individually provided with gas supply means (not shown). May be a branch pipe branched off from one main supply pipe connected to the gas supply unit or connected to the gas supply means.
  • the sealing member 125 is interposed between each sidewall of the first gas buffering member 121 and one side surface of the body 110.
  • the sealing member 125 may be formed of an O-ring or a pad made of a material which is not damaged by the process gas.
  • the second gas buffering member 123 secondly buffers a process gas that is primarily buffered in the first gas buffering space GBS1 of the first gas buffering member 121 to be injected into the plurality of gas flow paths 111.
  • One side surface of the body 110 is formed to include a second gas buffering space (GBS2) to cover one side of each of the plurality of gas flow paths 111 while being disposed inside the first gas buffering member 121.
  • GBS2 second gas buffering space
  • the second gas buffering member 123 has a box having an inner side facing the plurality of gas flow paths 111 so as to include a second gas buffering space GBS2 surrounded by the outer side and the respective sidewalls. It may be formed in the form.
  • the second gas buffering space GBS2 may be formed with the same area as the first gas buffering space GBS1.
  • the second gas buffering space GBS2 according to another example may be formed to have a relatively smaller area than the first gas buffering space GBS1 because the first gas buffering space GBS1 receives the first buffered process gas. In this case, the width of the first gas injection module 120a may be reduced.
  • a plurality of communication holes formed at regular intervals so as to communicate with the first gas buffering space (GBS1) on the outer surface of the second gas buffering member 123, that is, the opposite surface facing the outer surface of the first gas buffering member 121. 123h is formed.
  • the plurality of communication holes 123h form a flow path through which the process gas buffered and diffused in the first gas buffering space GBS1 is supplied to the second gas buffering space GBS2.
  • the process gas first diffused by spraying the process gas whose pressure is lowered by the first diffusion in the first gas buffering space GBS1 into the second gas buffering space GBS2 at a constant pressure.
  • the secondary diffusion may be more smoothly performed.
  • the plurality of communication holes 123h may be formed to have a predetermined interval and a constant diameter (or size) on the outer surface of the second gas buffering member 123.
  • the diameters D1, D2, and D3 of each of the plurality of communication holes 123h may include the second gas buffering member in consideration of the flow distance of the process gas. It may become larger toward both ends (or both ends of the body 110 based on one side length direction of the body 110) from the center with respect to the outer side of the 123. In this case, the process gas supplied from the first gas buffering space GBS1 to the second gas buffering space GBS2 may be more uniformly buffered or diffused.
  • each of the plurality of communication holes 123h has the same diameter, and the spacings S1 and S2 between the center portions of the adjacent communication holes 123h may be processed.
  • the process gas supplied from the first gas buffering space GBS1 to the second gas buffering space GBS2 may be more uniformly buffered or diffused.
  • diameters D1 and D2 of each of the plurality of communication holes 123h are gradually moved from the center to both ends with respect to the outer surface of the second gas buffering member 123 in consideration of the flow distance of the process gas. , D3 is increased, and the distances S1 and S2 between the center portions of the adjacent communication holes 123h may be narrowed.
  • the second gas injection module 120b is coupled to the other side of the body 110 opposite to one side of the body 110 and at least one second gas supply pipe 130b.
  • Process gas supplied through the () is injected into each of the plurality of gas flow path (111).
  • the second gas injection module 120b may be supplied from a first gas buffering space GBS1 and a first gas buffering space GBS1 that primarily buffer a process gas supplied from the second gas supply pipe 130b. It may include a second gas buffering space (GBS2) for buffering the process gas to be secondary to be injected into the plurality of gas flow path (111).
  • GBS2 second gas buffering space
  • the first gas injection module 120a may include a first gas buffering member 121 having a first gas buffering space GBS1 and a second gas buffering member 123 having a second gas buffering space GBS2. It can be made, including).
  • the second gas injection module 120b includes the first gas injection except for injecting the process gas supplied from the second gas supply pipe 130b into the other side of each of the plurality of gas flow paths 111. Since it is the same as the module 120a, the same reference numerals will be given to the same elements, and description thereof will be omitted.
  • FIG. 6 is a view schematically showing a flow of a process gas in the gas injection device according to the first example of the present invention.
  • the process gas PG supplied to the first and second gas supply pipes 130a and 130b includes the first and second gases.
  • the first and second buffered process gases in the first gas buffering space GBS1 of the injection modules 120a and 120b and the first buffered process gas communicate with the communication holes 123h of the first and second gas injection modules 120a and 120b.
  • the process gas injected into the plurality of gas flow passages 111 is injected downward through the plurality of gas injection holes 113 while tertiary buffering and diffusion in the plurality of gas flow passages 111.
  • the process gas is buffered in each of the first and second gas injection modules 120a and 120b and injected into both sides of the plurality of gas flow paths 111.
  • the second gas injection module 120b may be omitted, but the present invention is not limited thereto.
  • the other ends of the plurality of gas flow paths 111 may be closed by a detachable sealing cap to facilitate cleaning without permanently closing by welding or the like.
  • gas is provided on one side and the other side of the body 110 in which the plurality of gas flow paths 111 and the plurality of gas injection holes 113 are formed.
  • process gas can be uniformly injected into the plurality of gas flow paths 111, and the plurality of gas flow paths 111 and the plurality of gas injection holes are separated by separating the gas injection modules 120a and 120b. (113) Each washing can be facilitated.
  • FIG. 7 is a view for explaining a gas injection apparatus according to a second example of the present invention, in which a gas injection member is further configured in each of the first and second gas injection modules illustrated in FIGS. 1 to 4. Accordingly, in the following description, only the gas injection member will be described.
  • the first gas injection member 127a of the first gas injection module 120a may uniformly process the process gas diffused in the second gas buffering space GBS2 on one side of the plurality of gas flow paths 111. Inject (or spray) at pressure.
  • the first gas injection member 127a is formed in a plate shape having a predetermined thickness and is coupled to one side surface of the body 111 to cover one side of each of the plurality of gas flow paths 111.
  • the first gas injection member 127a is formed to overlap one-to-one with each of the plurality of gas flow paths 111, and the process gas secondaryly buffered in the second gas buffering space GBS2 may be formed in each of the plurality of gas flow paths 111.
  • a plurality of gas injection holes 127h are formed at one side for injection at a constant pressure.
  • Each of the plurality of gas injection holes 127h may have a diameter and / or a cross-sectional shape for increasing pressure of process gases injected into the plurality of gas flow paths 111 in the second gas buffering space GBS2.
  • each of the plurality of gas injection holes 127h may be formed to have a diameter relatively smaller than the diameter of the gas flow path 111.
  • uniform process gases may be injected into each of the plurality of gas flow paths 111 in consideration of the flow of the secondly buffered process gas in the second gas buffering space GBS2.
  • Diameters (or sizes) D1 to D5 of each of the plurality of gas injection holes 127h may increase from the center of the body 110 toward both ends based on one side length direction of the body 110.
  • a sealing member (not shown) between one side of each of the plurality of gas passages 111 and one side of the body 110 except for the periphery of the plurality of gas injection holes 127h and the first gas injection member 127a. It is preferable to interpose.
  • the second gas injecting member 127b of the second gas injecting module 120b may process process gas diffused secondly in the above-described second gas buffering space GBS2 at a constant pressure on the other side of the plurality of gas flow paths 111. Inject (or spray). To this end, the second gas injection member 127b is formed in a plate shape having a predetermined thickness and is coupled to the other side surface of the body 111 to cover the other side of each of the plurality of gas flow paths 111. The second gas injection member 127b includes a process gas that is formed to overlap each one of the plurality of gas flow paths 111 one-to-one and is buffered secondly in the second gas buffering space GBS2.
  • a plurality of gas injection holes 127h are formed on the other side for injection at a constant pressure. Since each of the plurality of gas injection holes 127h is the same as the first gas injection member 127a, the same reference numerals will be given, and description thereof will be omitted.
  • Sealing member (not shown) between the other side surface of the body 110 and the second gas injection member 127b except the periphery of each of the plurality of gas flow paths 111 and the periphery of the plurality of gas injection holes 127h. It is preferable to interpose.
  • the first gas injection member 127a may be inserted into and coupled to the first insertion groove 115a formed to be concave to a certain depth on one side of the body 110. At this time, it is preferable that the first gas injection member 127a does not protrude outside one side of the body 110.
  • the second gas injection member 127b described above may be inserted into and coupled to the second insertion groove 115b formed to be concave to a certain depth on the other side of the body 110. At this time, it is preferable that the second gas injection member 127b does not protrude outside the other side of the body 110.
  • first and second gas buffering members 121 and 123 and the body may be disposed. Sealing between the 110 may be easy.
  • the gas injection device 200 provides the same effect as the gas injection device 100 of the first example of the present invention described above, and is provided through the gas injection members 127a and 127b.
  • the process gas can be more uniformly injected into the plurality of gas flow paths 111 by increasing the pressure of the process gas injected into each of the plurality of gas flow paths 111 from the two gas buffering spaces GBS2.
  • FIGS. 10 is a view for explaining a gas injection apparatus according to a third example of the present invention, which changes the structure of the second gas buffering member in each of the first and second gas injection modules illustrated in FIGS. 1 to 4. It is configured by. Accordingly, in the following description, only the second gas buffering member will be described.
  • the plurality of gas flow paths 111 formed in the body 110 are divided into a plurality of gas flow path groups GPG1 and GPG2 including two or more adjacent gas flow paths, and are grouped.
  • the ten gas flow passages 111 may be the first and second gas flow passage groups GPG1 and GPG2 grouped into five adjacent gas flow passages. Can be divided into
  • the second gas buffering member 123 of each of the above-described first and second gas injection modules 120a and 120b buffers a process gas supplied from the first gas buffering space GBS2 to a plurality of gas flow paths. It may include a plurality of group buffering members (123a, 123b) to be injected into the gas flow paths of each of the groups (GPG1, GPG2).
  • Each of the plurality of group buffering members 123a and 123b secondly buffers a process gas buffered first in the first gas buffering space GBS1 to be grouped in the corresponding gas flow path groups GPG1 and GPG2. And a second gas buffering space (GBS2) and at least one communication hole (123h) for commonly injecting a process gas into the gas.
  • GBS2 second gas buffering space
  • 123h at least one communication hole
  • the gas injection device 300 provides the same effect as the gas injection device 100 of the first example of the present invention described above, but the plurality of second gas buffering spaces GBS2 are provided.
  • the process gas can be more uniformly injected into the plurality of gas flow paths 111.
  • the gas injection device 300 is disposed inside each of the plurality of group buffering members 123a and 123b, and corresponding to the body 111 corresponding to each of the plurality of gas flow path groups GPG1 and GPG2. It may be configured to further include a gas injection member (not shown) coupled to each of one side and the other side of the).
  • a gas injection member (not shown) coupled to each of one side and the other side of the).
  • the gas injection member is the same as the gas injection members 127a and 127b illustrated in FIGS. 8 to 10, description thereof will be omitted.
  • FIG. 11 is a view for explaining a gas injection apparatus according to a fourth example of the present invention, in which process gas supplied to a plurality of gas flow paths shown in FIGS. 1 to 4 is changed. Accordingly, in the following description, only a plurality of gas flow paths and process gases will be described.
  • some of the plurality of gas flow paths 111o formed in the body 110 for example, one side of the odd-numbered gas flow path 111o may be formed of the first gas injection module 120a.
  • Two gas buffering spaces GBS2 communicate with each other, and the other side of the odd-numbered gas flow path 111o is closed by a detachable sealing cap 140.
  • the first process gas PG1 is injected into the odd-numbered gas flow path 111o through the first and second buffering of the first gas injection module 120a described above.
  • the other side of the remaining gas flow passage 111e for example, the even-numbered gas flow passage 111e, of the plurality of gas flow passages 111 formed in the body 110 may be configured as the second gas injection module 120b.
  • the second gas injection module 120b In communication with the second gas buffering space GBS2, one side of the even-numbered gas flow path 111e is closed by a detachable sealing cap 140.
  • the second process gas PG2 equal to or different from the first process gas PG1 is injected into the even-numbered gas flow path 111e through the first and second buffering of the second gas injection module 120b described above. .
  • the sealing cap 140 covers each of the other side of the partial gas passage 111o and the one side of the remaining gas passage 111e among the plurality of gas passages 111.
  • some of the gas flow paths 111o of the plurality of gas flow paths 111 are respectively provided through the first and second gas injection members 127a and 127b.
  • Each of the other side and the one side of the remaining gas flow path (111e) may be closed.
  • the first gas injection member 127a is coupled to one side of the body 110 to cover one side of the plurality of gas flow paths 111, and some gas flow paths 111o of the plurality of gas flow paths 111 are provided. It includes a plurality of gas injection holes (127h) formed to overlap only one side of the. Accordingly, one side of some of the gas passages 111o of the plurality of gas passages 111 communicates with the second gas buffering space GBS2 of the first gas injection module 120a through the plurality of gas injection holes 127h. On the other hand, one side of the remaining gas flow path 111e is closed by the first gas injection member 127a.
  • the second gas injection member 127b is coupled to the other side of the body 110 so as to cover the other side of the plurality of gas flow paths 111 and the remaining gas flow paths 111e of the plurality of gas flow paths 111. It includes a plurality of gas injection holes (127h) formed to overlap only the other side of the. Accordingly, the other side of the some gas passage 111e of the plurality of gas passages 111 is closed by the first gas injection member 127a, while the other side of the remaining gas passage 111e is the plurality of gas injection holes. It communicates with the second gas buffering space GBS2 of the second gas injection module 120b through 127h.
  • the gas injection apparatus 400 when the first and second process gases PG1 and PG2 are the same, some of the gas flow paths 111 o of the plurality of gas flow paths 111 are provided. ) And the remaining gas flow paths 111e are injected with the process gases PG1 and PG2 in directions opposite to each other, so that the process gases can be more uniformly injected into the plurality of gas flow paths 111.
  • the gas injection device 400 injects different first and second process gases PG1 and PG2, some of the gas flow paths 111 o of the plurality of gas flow paths 111 are provided. ) And the remaining gas flow paths 111e are spatially separated from each other, thereby preventing the first and second process gases PG1 and PG2 from being mixed inside the body 110, and thus, different first and second Process gas PG1, PG2 can be sprayed uniformly.
  • FIG. 13 is a rear perspective view schematically illustrating a gas injection apparatus according to a fifth example of the present invention
  • FIG. 14 is a vertical sectional view taken along line III-III ′ of FIG. 13
  • FIG. 15 is a IV-IV shown in FIG. 13.
  • 'It is a horizontal cross section of the line.
  • the gas injection apparatus 500 includes a body 110 and first to fourth gas injection modules 120a, 120b, 120c and 120d. do.
  • the body 110 may be formed of a metal material of a flat plate shape having a predetermined thickness, for example, aluminum or an aluminum alloy.
  • the body 110 is detachably mounted on a lower surface of a chamber lid covering an upper portion of a process chamber (not shown) so as to face a substrate supporting means (not shown) installed on the bottom surface of the process chamber. do.
  • the body 110 includes a plurality of first and second gas flow paths 111 and 117 and a plurality of first and second gas injection holes 113 and 119.
  • Each of the plurality of first gas flow passages 111 is formed inside the body 110 to have a predetermined interval while being parallel to the longitudinal direction Y of the body 110.
  • Each of the plurality of second gas flow passages 117 may be spaced apart from each of the plurality of first gas flow passages 111 in the thickness direction Z of the body 110 to be parallel to the horizontal direction X of the body 110. It is formed inside the body 110 to have a gap.
  • Each of the plurality of first and second gas flow paths 111 and 117 may be formed by a gun drill process, as in the first example of the present invention described above.
  • Each of the plurality of first gas injection holes 113 is vertically formed from the rear surface of the body 110 to have a predetermined interval so as to be in communication with each of the plurality of first gas flow paths 111.
  • the first process gas PG1 injected into the 111 is injected downward at a constant pressure.
  • Each of the plurality of second gas injection holes 119 is vertically formed from the rear surface of the body 110 to have a predetermined interval while avoiding the first gas flow path 111 so that the plurality of second gas flow paths 117 may be provided.
  • the second process gas PG2, which is the same as or different from the first process gas PG1 injected into the plurality of second gas flow paths 117 by being in communication with each other, is injected downward at a constant pressure.
  • Each of the plurality of first and second gas injection holes 113 and 119 may include one or more injection holes, as in the first example of the present invention described above.
  • the first gas injection module 120a is coupled to the first side surface of the body 110 to supply the first process gas PG1 supplied through at least one first gas supply pipe 130a to the plurality of first gases. Injection into one side of each of the flow path (111). Since the first gas injection module 120a is the same as the first gas injection module 120a of the first example of the present invention, a description thereof will be omitted.
  • the second gas injection module 120a is coupled to a second side opposite to the first side of the body 110 to supply the first process gas PG1 supplied through at least one second gas supply pipe 130b. Injected into the other side of each of the plurality of first gas flow paths 111. Since the second gas injection module 120b is the same as the second gas injection module 120b of the first example of the present invention, the description thereof will be omitted.
  • the third gas injection module 120c is coupled to the third side of the body 110 and is the same as or different from the first process gas PG1 supplied through the at least one third gas supply pipe 130c. Gas PG2 is injected into one side of each of the plurality of second gas flow paths 117.
  • the third gas injection module 120c may include a first gas buffering space GBS1 and a first gas buffering space GBS1 that primarily buffer the second process gas supplied from the third gas supply pipe 130c. And a second gas buffering space (GBS2) for secondly buffering the second process gas (PG2) supplied from the second process gas (PG2) to be injected into one side of the plurality of second gas flow path (117).
  • the third gas injection module 120c may include a first gas buffering member 121 having a first gas buffering space GBS1 and a second gas buffering member 123 having a second gas buffering space GBS2. It can be made, including). As described above, the third gas injection module 120c may inject the second process gas PG2 supplied from the third gas supply pipe 130c into one side of each of the plurality of second gas flow paths 117. Since the same as the first gas injection module 120a described above, the same reference numerals will be given to the same components, and description thereof will be omitted.
  • the fourth gas injection module 120d is coupled to a fourth side opposite to the third side of the body 110 and is supplied through the at least one fourth gas supply pipe 130d and the second process gas PG2. Is injected into the other side of each of the plurality of second gas flow paths 117.
  • the fourth gas injection module 120d includes the first gas buffering member 121 having the first gas buffering space GBS1, and the second gas buffering space GBS2. It may include a second gas buffering member 123 having a).
  • the fourth gas injection module 120d may inject the second process gas PG2 supplied from the fourth gas supply pipe 130d into the other side of each of the plurality of second gas flow paths 117. Since the same as the above-described third gas injection module 120c will be omitted for the description thereof.
  • the process gases PG1 and PG2 when the first and second process gases PG1 and PG2 are the same, a plurality of first and second gas flow paths crossing each other ( Since the process gases PG1 and PG2 are injected from both sides of the 111 and 117, the process gases can be more uniformly injected into the plurality of gas flow paths 111.
  • the gas injection apparatus 500 injects different first and second process gases PG1 and PG2, a plurality of first and second gas flow paths that cross each other ( Since the 111 and 117 are spatially separated from each other, the first and second process gases PG1 which are different from each other while preventing the first and second process gases PG1 and PG2 from being mixed inside the body 110. , PG2) can be sprayed more uniformly.
  • the gas injection device 500 according to the fifth example of the present invention in order to make the process gases PG1 and PG2 injected into the plurality of first and second gas flow paths 111 and 117 even more uniformly, FIG.
  • the structure of the gas injection members 127a and 127b shown in FIGS. 7 to 9, the structure of the plurality of group buffering members 123a and 123b shown in FIG. 10, the structure of the sealing cap 140 shown in FIG. 11, or 12 may further include the structures of the gas injection members 127a and 127b illustrated in FIG. 12, which may be installed on each of the first to fourth side surfaces of the body 110.
  • the gas injection device 500 according to the fifth example of the present invention includes the gas injection members 127a and 127b of FIG.
  • the first process gas PG1 may be supplied to some of the first gas flow paths of the plurality of first gas flow paths 111 through the first gas injection member 127a described above.
  • the second process gas PG2 may be supplied to the remaining first gas flow paths through the second gas injection member 127b, and a part of the second gas flow paths of the plurality of second gas flow paths 117.
  • the third process gas which is the same as or different from the second process gas, may be supplied to the first gas injection member 127a through the same third gas injection member (not shown).
  • a fourth gas injection member (not shown) that is the same as the second gas injection member 127b described above.
  • the group may be equal to 3 or the process gas supplied to the other fourth process gas.
  • 16 is a cross-sectional view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an example of the present disclosure.
  • a substrate processing apparatus includes a process chamber 710, a chamber lid 730, a substrate support means 750, and a gas injection means 770.
  • the process chamber 710 is formed in a “U” shape with an upper opening.
  • One side of the process chamber 710 is a substrate entrance (not shown) through which the substrate enters and exits, and at least one exhaust port 712 for exhausting the gas in the process space is formed on the bottom surface.
  • the chamber lid 730 is installed on the process chamber 710 to cover the top of the process chamber 710.
  • an insulating member 720 such as an O-ring, is interposed between the process chamber 710 and the chamber lid 730.
  • the insulating member 720 seals and electrically separates the chamber lead 730 from the process chamber 710.
  • the chamber lead 730 is connected to an external power supply means 790 through a power cable 792 to receive plasma power from the power supply means 790.
  • an impedance matching circuit 794 may be installed in the power cable 792.
  • the impedance matching circuit 794 may include at least two impedance elements (not shown) for matching a load impedance and a source impedance of the plasma power supplied to the chamber lead 730, wherein the impedance element is variable. It may be made of at least one of a capacitor and a variable inductor.
  • the substrate supporting means 750 is installed in the process chamber 710 to support the substrate S carried into the process space by a substrate transfer device (not shown).
  • the substrate supporting means 750 may be installed to be elevated in the process chamber 710.
  • the substrate supporting means 750 may be provided at the elevating shaft 752 passing through the bottom surface of the process chamber 710.
  • the lifter 75 is lifted to the process position or the substrate loading and unloading position according to the lifting of the lifting shaft 752 according to the driving of the lifting device (not shown). Between the lifting shaft 752 and the process chamber 710 is sealed by a bellows 754.
  • the gas injection means 770 is coupled to the lower surface of the chamber lid 730 so as to face the substrate support means 750 and injects the process gas supplied from an external gas supply device onto the substrate S.
  • the gas injection means 770 is composed of a gas injection device (100, 200, 300, 400, 500) according to any one of the first to fifth examples of the present invention shown in Figs. The detailed description thereof will be omitted.
  • a plurality of substrates S or one large area substrate S is loaded onto the substrate support means 750 and seated thereon.
  • the process gas is injected into the gas injection module of the gas injection means 770 through the gas supply pipes 130a and 130b so that the process gas is continuously 1 by the first and second gas buffering spaces of the gas injection module.
  • the secondary and secondary buffered (or diffused) is injected into the plurality of gas flow paths are injected downward onto the substrate S through the plurality of gas injection holes.
  • plasma power is supplied to the chamber lead 730 through the power supply means 790 to apply plasma power to the gas injection means 770 through the chamber lead 730. Accordingly, a plasma is formed between the substrate support means 750 and the gas injection means 770.
  • the process gas injected from the gas injection means 770 is activated by the plasma and injected onto the substrate S, so that a predetermined thin film according to the activated process gas is deposited on the upper surface of the substrate S.
  • the process gas by continuously buffering and diffusing the primary and secondary injection into the gas flow path Can be sprayed uniformly on the substrate (S), thereby enabling a uniform substrate processing process.
  • both ends of each of the plurality of gas flow paths are exposed to the outside through the separation of the gas injection module detachably coupled to the body of the gas injection means 770 so that the gas flow path and the gas Cleaning of the injection holes can be facilitated and cleaning time can be reduced.

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Abstract

본 발명은 복수의 가스 분사 홀에 연통되어 있는 복수의 가스 유로에 공정 가스를 균일하게 주입할 수 있도록 한 가스 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것으로, 본 발명에 따른 가스 분사 장치는 공정 가스를 분사하는 복수의 가스 분사 홀과 연결되는 복수의 가스 유로를 포함하는 몸체; 및 몸체의 적어도 하나의 측면에 결합되어 복수의 가스 유로 각각에 연통되는 적어도 하나의 가스 주입 모듈을 포함하며, 가스 주입 모듈은 외부로부터 공급되는 공정 가스를 1차로 버퍼링하고 1차로 버퍼링된 공정 가스를 2차로 버퍼링하여 복수의 가스 유로에 주입할 수 있다.

Description

가스 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
본 발명은 가스 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자, 평판 디스플레이, 및 태양전지(Solar Cell) 등을 제조하기 위해서는 기판 표면에 소정의 박막층을 형성하여야 하며, 이를 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막 증착 공정, 감광성 물질을 사용하여 박막을 선택적으로 노출시키는 포토 공정, 선택적으로 노출된 부분의 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각 공정 등의 반도체 제조 공정을 수행하게 된다.
이러한 반도체 제조 공정은 해당 공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 기판 처리 장치의 내부에서 진행되며, 최근에는 플라즈마를 이용하여 증착 또는 식각 공정을 수행하는 기판 처리 장치가 많이 사용되고 있다.
플라즈마 강화 화학 기상 증착과 같은 기판 처리 장치는 챔버 내로 가스를 도입하기 위해 가스 분사 장치를 이용하게 된다.
가스 분사 장치는 판 형태의 몸체에 형성된 복수의 가스 분사 홀을 통해 각종 공정 가스를 기판 표면에 분사하는 역할을 한다. 이러한 가스 분사 장치의 재질로는 가공성 및 공정 가스와의 반응성 등을 고려하여 통상적으로 알루미늄 재질을 사용하고 있다.
종래의 가스 분사 장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 판 형태의 몸체(10), 드릴 등의 기계 가공에 의해 몸체(10)의 일 방향을 따라 몸체(10)의 내부에 일정한 간격으로 천공된 후, 그 양 끝단이 용접(22)에 의해 밀봉된 복수의 가스 유로(20), 및 복수의 가스 유로(20) 각각에 연결되도록 몸체(10)의 하면에 수직하게 천공된 복수의 가스 분사 홀(30)을 포함한다. 이러한 종래의 가스 분사 장치는 가스 공급관(40)을 통해 복수의 가스 유로(20) 각각의 중앙부에 주입되는 공정 가스를 복수의 가스 분사 홀(30)을 통해 하향 분사하게 된다.
이와 같은, 종래의 가스 분사 장치에서는 공정 가스가 복수의 가스 유로(20) 각각에 주입되고, 이로 인하여 공정 가스를 복수의 가스 유로(20)에 균일하게 주입하는데 어려움이 있다. 또한, 종래의 가스 분사 장치에서는 복수의 가스 유로(20) 각각의 양 끝단이 용접에 의해 영구적으로 밀봉되고, 이로 인하여 가스 유로들(20) 및 가스 분사 홀(30)을 세정하는데 어려움이 있다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 복수의 가스 분사 홀에 연통되어 있는 복수의 가스 유로에 공정 가스를 균일하게 주입할 수 있도록 한 가스 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
또한, 본 발명은 복수의 가스 분사 홀과 복수의 가스 유로의 세정을 용이하게 할 수 있도록 한 가스 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 또 다른 기술적 과제로 한다.
위에서 언급된 본 발명의 기술적 과제 외에도, 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 가스 분사 장치는 공정 가스를 분사하는 복수의 가스 분사 홀과 연결되는 복수의 가스 유로를 포함하는 몸체; 및 상기 몸체의 적어도 하나의 측면에 결합되어 상기 복수의 가스 유로 각각에 연통되는 적어도 하나의 가스 주입 모듈을 포함하며, 상기 가스 주입 모듈은 외부로부터 공급되는 상기 공정 가스를 1차로 버퍼링하는 제 1 가스 버퍼링 공간; 및 상기 제 1 가스 버퍼링 공간에 연통되어 상기 1차로 버퍼링된 공정 가스를 2차로 버퍼링하여 상기 복수의 가스 유로에 주입하는 제 2 가스 버퍼링 공간을 포함하여 구성될 수 있다.
전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버; 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 상기 공정 챔버의 내부에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지 수단; 및 상기 기판 지지 수단에 마주보도록 상기 챔버 리드의 하면에 결합된 가스 분사 수단을 포함하며, 상기 가스 분사 수단은 상기 가스 분사 장치를 포함하여 구성될 수 있다.
상기 과제의 해결 수단에 의하면, 본 발명은 복수의 가스 유로에 공정 가스를 균일하게 주입할 수 있으며, 복수의 가스 유로와 복수의 가스 분사 홀 각각의 세정을 용이하게 할 수 있다는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 공정 가스를 기판 상에 균일하게 분사할 수 있고, 이를 통해 균일한 기판 처리 공정을 가능하게 할 수 있다는 효과가 있다.
도 1은 종래의 가스 분사 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 예에 따른 가스 분사 장치를 개략적으로 나타내는 배면 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 I-I' 선의 수직 단면도이다.
도 4는 도 2에 도시된 Ⅱ-Ⅱ' 선의 수평 단면도이다.
도 5는 도 4에 도시된 복수의 연통 홀을 설명하기 위한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제 1 예에 따른 가스 분사 장치에서, 공정 가스의 흐름을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 제 2 예에 따른 가스 분사 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 도 7에 도시된 가스 주입 홀을 설명하기 위한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제 2 예에 따른 가스 분사 장치의 변형 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 발명의 제 3 예에 따른 가스 분사 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 발명의 제 4 예에 따른 가스 분사 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 본 발명의 제 4 예에 따른 가스 분사 장치의 변형 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 본 발명의 제 5 예에 따른 가스 분사 장치를 개략적으로 나타내는 배면 사시도이다.
도 14는 도 13에 도시된 Ⅲ-Ⅲ' 선의 수직 단면도이다.
도 15는 도 13에 도시된 Ⅳ-Ⅳ' 선의 수평 단면도이다.
도 16은 본 발명의 일 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제 1", "제 2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.
"상에"라는 용어는 어떤 구성이 다른 구성의 바로 상면에 형성되는 경우 뿐만 아니라 이들 구성들 사이에 제3의 구성이 개재되는 경우까지 포함하는 것을 의미한다.
이하에서는 본 발명에 따른 가스 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치의 바람직한 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 제 1 예에 따른 가스 분사 장치를 개략적으로 나타내는 배면 사시도이고, 도 3은 도 2에 도시된 I-I' 선의 수직 단면도이며, 도 4는 도 2에 도시된 Ⅱ-Ⅱ' 선의 수평 단면도이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 제 1 예에 따른 가스 분사 장치(100)는 몸체(110), 제 1 및 제 2 가스 주입 모듈(120a, 120b)을 포함하여 구성된다.
상기 몸체(110)는 일정한 두께를 가지는 평판 형태의 금속 재질, 예를 들어, 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 형성될 수 있다. 이러한 상기 몸체(110)는 공정 챔버(미도시)의 상부를 덮는 챔버 리드(chamber lid)의 하면에 분리 가능하게 장착됨으로써 공정 챔버의 바닥면에 설치되어 있는 기판 지지 수단(미도시)에 마주보게 된다.
상기 몸체(110)에는 복수의 가스 유로(111)와 복수의 가스 분사 홀(113)이 형성되어 있다.
상기 복수의 가스 유로(111) 각각은 몸체(110)의 가로 방향(X) 또는 세로 방향(Y)과 나란하면서 일정한 간격을 가지도록 몸체(110)에 내부에 형성된다. 예를 들어, 상기 복수의 가스 유로(111) 각각은 건 드릴(gun drill) 가공에 의해 몸체(110)의 일측면과 타측면을 관통하도록 천공되어 형성될 수 있다. 이러한 복수의 가스 유로(111)에는 제 1 및 제 2 가스 주입 모듈(120a, 120b)로부터 공정 가스가 주입된다.
상기 복수의 가스 분사 홀(113) 각각은 일정한 간격을 가지도록 상기 몸체(110)의 배면으로부터 수직하게 형성되어 상기 복수의 가스 유로(111) 각각에 연통된다. 이러한 복수의 가스 분사 홀(113) 각각은 복수의 가스 유로(111)에 주입되는 공정 가스를 일정한 압력으로 하향 분사한다. 상기 복수의 가스 분사 홀(113) 각각은 공정 가스의 분사 면적, 분사 각도, 및 분사량 중 적어도 하나에 최적화되도록 하나 이상의 분사구를 포함하여 이루어질 수 있다. 예를 들어, 일 예에 따른 복수의 가스 분사 홀(113) 각각은 가스 유로(111)보다 작은 직경을 가지는 원통 형태로 형성될 수 있다. 다른 예에 따른 복수의 가스 분사 홀(113)은, 도시하지 않았지만, 일명 깔대기 모양, 즉 가스 유로(111)에 연통되는 제 1 직경의 제 1 분사구와 제 1 분사구에 연통되면서 제 1 분사구로부터 몸체(110)의 배면으로 갈수록 직경이 증가하는 제 2 분사구를 포함하여 이루어질 수 있다. 또 다른 예에 따른 복수의 가스 분사 홀(113) 각각은, 도시하지 않았지만, 가스 유로(111)에 연통되는 제 1 직경의 제 1 분사구, 제 1 분사구에 연통되면서 제 1 직경보다 작은 제 2 직경을 가지는 제 2 분사구, 및 제 2 분사구에 연통되면서 제 1 분사구로부터 몸체(110)의 배면으로 갈수록 직경이 증가하는 제 3 분사구를 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 제 1 가스 주입 모듈(120a)은 상기 몸체(110)의 일측면에 결합되어 적어도 하나의 제 1 가스 공급관(130a)을 통해 공급되는 공정 가스를 상기 복수의 가스 유로(111) 각각에 주입한다. 일 예에 따른 제 1 가스 주입 모듈(120a)은 제 1 가스 공급관(130a)으로부터 공급되는 공정 가스를 1차로 버퍼링하는 제 1 가스 버퍼링 공간(GBS1)과 상기 제 1 가스 버퍼링 공간(GBS1)으로부터 공급되는 공정 가스를 2차로 버퍼링하여 상기 복수의 가스 유로(111) 각각의 일측에 주입하는 제 2 가스 버퍼링 공간(GBS2)을 포함하여 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제 1 가스 주입 모듈(120a)은 제 1 가스 버퍼링 공간(GBS1)을 갖는 제 1 가스 버퍼링 부재(121), 및 제 2 가스 버퍼링 공간(GBS2)을 갖는 제 2 가스 버퍼링 부재(123)를 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 제 1 가스 버퍼링 부재(121)는 상기 제 1 가스 공급관(130a)을 통해 공급되는 공정 가스를 1차로 버퍼링하는 제 1 가스 버퍼링 공간(GBS1)을 포함하도록 형성되고, 복수의 가스 유로(111) 각각의 일측을 덮도록 몸체(110)의 일측면에 결합된다. 예를 들어, 제 1 가스 버퍼링 부재(121)는 외측면과 외측면에 수직한 각 측벽들에 의해 둘러싸이는 제 1 가스 버퍼링 공간(GBS1)을 포함하도록 복수의 가스 유로(111)와 마주하는 내측면이 개구된 상자 형태로 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 가스 버퍼링 부재(121)는 제 1 가스 공급관(130a)을 통해 공급되는 공정 가스를 제 1 가스 버퍼링 공간(GBS1)에서 1차로 버퍼링하거나 확산시킨다.
상기 제 1 가스 버퍼링 부재(121)의 측면, 예를 들어 상측면에는 상기 제 1 가스 공급관(130a)에 연통되는 가스 공급 홀(120h)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제 1 가스 버퍼링 부재(121)의 상측면과 상기 제 1 가스 공급관(130a) 사이에는 실링 부재가 개재될 수 있다. 추가적으로, 상기 제 1 가스 공급관(130a)과 가스 공급 홀(120h)의 결합부는 실링 자켓(131)에 의해 실링될 수도 있다. 여기서, 상기 제 1 가스 버퍼링 부재(121)에는 2개 이상의 제 1 가스 공급관(130a)이 설치될 수 있는데, 이 경우, 2개 이상의 제 1 가스 공급관(130a) 각각은 개별적으로 가스 공급 수단(미도시)에 연결되거나 가스 공급 수단에 연결된 하나의 메인 공급관으로부터 분기된 분기관이 될 수 있다.
상기 제 1 가스 버퍼링 부재(121)의 각 측벽과 몸체(110)의 일측면 사이에는 실링 부재(125)가 개재된다. 여기서, 실링 부재(125)는 공정 가스에 의해 손상되지 않는 재질로 이루어진 오-링(O-ring) 또는 패드로 이루어질 수 있다.
상기 제 2 가스 버퍼링 부재(123)는 상기 제 1 가스 버퍼링 부재(121)의 제 1 가스 버퍼링 공간(GBS1)에서 1차로 버퍼링된 공정 가스를 2차로 버퍼링하여 상기 복수의 가스 유로(111)에 주입하기 위한 제 2 가스 버퍼링 공간(GBS2)을 포함하도록 형성되고, 상기 제 1 가스 버퍼링 부재(121)의 내부에 배치되면서 복수의 가스 유로(111) 각각의 일측을 덮도록 몸체(110)의 일측면에 결합된다. 예를 들어, 제 2 가스 버퍼링 부재(123)는 외측면과 각 측벽들에 의해 둘러싸이는 제 2 가스 버퍼링 공간(GBS2)을 포함하도록 복수의 가스 유로(111)와 마주하는 내측면이 개구된 상자 형태로 형성될 수 있다. 여기서, 일 예에 따른 제 2 가스 버퍼링 공간(GBS2)은 제 1 가스 버퍼링 공간(GBS1)과 같은 면적으로 형성될 수 있다. 다른 예에 따른 제 2 가스 버퍼링 공간(GBS2)은 제 1 가스 버퍼링 공간(GBS1)에서 1차로 버퍼링된 공정 가스를 공급받기 때문에 제 1 가스 버퍼링 공간(GBS1)보다 상대적으로 작은 면적을 가지도록 형성될 수 있으며, 이 경우 제 1 가스 주입 모듈(120a)의 폭을 감소시킬 수 있다.
상기 제 2 가스 버퍼링 부재(123)의 외측면, 즉 제 1 가스 버퍼링 부재(121)의 외측면과 대향되는 대향면에는 제 1 가스 버퍼링 공간(GBS1)에 연통되도록 일정한 간격으로 형성된 복수의 연통 홀(123h)이 형성되어 있다. 복수의 연통 홀(123h)은 제 1 가스 버퍼링 공간(GBS1)에서 버퍼링 및 확산되는 공정 가스가 제 2 가스 버퍼링 공간(GBS2)으로 공급되는 유로를 형성한다. 이러한 복수의 연통 홀(123h)은 제 1 가스 버퍼링 공간(GBS1)에서 1차 확산에 의해 압력이 낮아진 공정 가스를 일정한 압력으로 제 2 가스 버퍼링 공간(GBS2)에 분사함으로써 1차 확산된 공정 가스가 제 2 가스 버퍼링 공간(GBS2)에서 보다 원활하게 2차 확산되도록 한다.
일 예에 따른 복수의 연통 홀(123h)은 상기 제 2 가스 버퍼링 부재(123)의 외측면에 일정한 간격과 일정한 직경(또는 크기)을 가지도록 형성될 수 있다.
도 5의 (a)에 도시된 바와 같이, 다른 예에 따른 복수의 연통 홀(123h) 각각의 직경(D1, D2, D3)은, 공정 가스의 흐름 거리를 고려하여, 상기 제 2 가스 버퍼링 부재(123)의 외측면을 기준으로 중심부로부터 양 끝단(또는 몸체(110)의 일측면 길이 방향을 기준으로 몸체(110)의 양 끝단)으로 갈수록 커질 수 있다. 이 경우, 제 1 가스 버퍼링 공간(GBS1)으로부터 제 2 가스 버퍼링 공간(GBS2)에 공급되는 공정 가스는 보다 균일하게 버퍼링되거나 확산될 수 있다.
도 5의 (b)에 도시된 바와 같이, 다른 예에 따른 복수의 연통 홀(123h) 각각은 서로 동일한 직경을 가지면서, 인접한 연통 홀(123h)의 중심부 간의 간격(S1, S2)은, 공정 가스의 흐름 거리를 고려하여 상기 제 2 가스 버퍼링 부재(123)의 외측면을 기준으로 중심부로부터 양 끝단으로 갈수록 좁아질 수 있다. 이 경우에도, 제 1 가스 버퍼링 공간(GBS1)으로부터 제 2 가스 버퍼링 공간(GBS2)에 공급되는 공정 가스는 보다 균일하게 버퍼링되거나 확산될 수 있다. 추가적으로, 도시하지 않았지만, 공정 가스의 흐름 거리를 고려하여 상기 제 2 가스 버퍼링 부재(123)의 외측면을 기준으로 중심부로부터 양 끝단으로 갈수록, 복수의 연통 홀(123h) 각각의 직경(D1, D2, D3)은 증가하고, 인접한 연통 홀(123h)의 중심부 간의 간격(S1, S2)은 좁아지도록 형성될 수도 있다.
다시 도 2 내지 도 4를 참조하면, 상기 제 2 가스 주입 모듈(120b)은 상기 몸체(110)의 일측면과 반대되는 몸체(110)의 타측면에 결합되어 적어도 하나의 제 2 가스 공급관(130b)을 통해 공급되는 공정 가스를 상기 복수의 가스 유로(111) 각각에 주입한다. 일 예에 따른 제 2 가스 주입 모듈(120b)은 제 2 가스 공급관(130b)으로부터 공급되는 공정 가스를 1차로 버퍼링하는 제 1 가스 버퍼링 공간(GBS1)과 상기 제 1 가스 버퍼링 공간(GBS1)으로부터 공급되는 공정 가스를 2차로 버퍼링하여 상기 복수의 가스 유로(111)에 주입하는 제 2 가스 버퍼링 공간(GBS2)을 포함하여 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제 1 가스 주입 모듈(120a)은 제 1 가스 버퍼링 공간(GBS1)을 갖는 제 1 가스 버퍼링 부재(121), 및 제 2 가스 버퍼링 공간(GBS2)을 갖는 제 2 가스 버퍼링 부재(123)를 포함하여 이루어질 수 있다. 이와 같은, 상기 제 2 가스 주입 모듈(120b)은 제 2 가스 공급관(130b)으로부터 공급되는 공정 가스를 상기 복수의 가스 유로(111) 각각의 타측에 주입하는 것을 제외하고는 전술한 제 1 가스 주입 모듈(120a)과 동일하므로, 동일한 구성들에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하기로 하고, 그에 대한 설명은 생략하기로 한다.
도 6은 본 발명의 제 1 예에 따른 가스 분사 장치에서, 공정 가스의 흐름을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 6을 도 4와 결부하면, 본 발명의 제 1 예에 따른 가스 분사 장치에서, 제 1 및 제 2 가스 공급관(130a, 130b)에 공급되는 공정 가스(PG)는 상기 제 1 및 제 2 가스 주입 모듈(120a, 120b)의 제 1 가스 버퍼링 공간(GBS1)에서 1차로 버퍼링 및 확산되고, 1차로 버퍼링된 공정 가스는 상기 제 1 및 제 2 가스 주입 모듈(120a, 120b)의 연통 홀(123h)을 통해 제 2 가스 버퍼링 공간(GBS2)으로 공급되어 제 2 가스 버퍼링 공간(GBS2)에서 2차 버퍼링 및 확산되면서 복수의 가스 유로(111)에 주입된다. 그런 다음, 복수의 가스 유로(111)에 주입되는 공정 가스는 복수의 가스 유로(111) 내에서 3차 버퍼링 및 확산되면서 복수의 가스 분사 홀(113)을 통해 하향 분사되게 된다.
한편, 전술한 설명에서는 제 1 및 제 2 가스 주입 모듈(120a, 120b) 각각에서 공정 가스를 버퍼링하여 복수의 가스 유로(111)의 양측에 주입하는 것으로, 이는 복수의 가스 유로(111) 각각에 균일한 공정 가스의 주입을 위해 보다 바람직하지만, 이에 한정되지 않고, 제 2 가스 주입 모듈(120b)은 생략 가능하다. 이 경우, 복수의 가스 유로(111)의 타측 끝단은 용접 등에 의해 영구적으로 폐쇄되지 않고 세정을 용이하게 하기 위해 분리 가능한 밀봉 캡에 의해 폐쇄될 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 제 1 예에 따른 가스 분사 장치에 따르면, 복수의 가스 유로(111)와 복수의 가스 분사 홀(113)이 형성되어 있는 몸체(110)의 일측면과 타측면 각각에 가스 주입 모듈(120a, 120b)이 분리 가능하게 결합되고, 가스 주입 모듈(120a, 120b)에서 공정 가스가 1차 버퍼링과 2차 버퍼링을 통해 복수의 가스 분사 홀(113)에 연통되어 있는 복수의 가스 유로(111)에 주입됨으로써 복수의 가스 유로(111)에 공정 가스를 균일하게 주입할 수 있으며, 가스 주입 모듈(120a, 120b)의 분리를 통해 복수의 가스 유로(111)와 복수의 가스 분사 홀(113) 각각의 세정을 용이하게 할 수 있다.
도 7은 본 발명의 제 2 예에 따른 가스 분사 장치를 설명하기 위한 도면으로서, 이는 도 1 내지 도 4에 도시된 제 1 및 제 2 가스 주입 모듈 각각에 가스 주입 부재를 추가로 구성한 것이다. 이에 따라, 이하의 설명에서는 가스 주입 부재에 대해서만 설명하기로 한다.
먼저, 상기 제 1 가스 주입 모듈(120a)의 제 1 가스 주입 부재(127a)는 전술한 제 2 가스 버퍼링 공간(GBS2)에서 2차로 확산된 공정 가스를 복수의 가스 유로(111)의 일측에 일정한 압력으로 주입(또는 분사)한다. 이를 위해, 상기 제 1 가스 주입 부재(127a)는 일정한 두께를 가지는 플레이트 형태로 형성되어 복수의 가스 유로(111) 각각의 일측을 덮도록 몸체(111)의 일측면에 결합된다. 이러한 제 1 가스 주입 부재(127a)에는 복수의 가스 유로(111) 각각에 일대일로 중첩되도록 형성되어 제 2 가스 버퍼링 공간(GBS2)에서 2차로 버퍼링되는 공정 가스를 복수의 가스 유로(111) 각각의 일측에 일정한 압력으로 주입하기 위한 복수의 가스 주입 홀(127h)이 형성되어 있다.
상기 복수의 가스 주입 홀(127h) 각각은 제 2 가스 버퍼링 공간(GBS2)에서 복수의 가스 유로(111)에 주입되는 공정 가스를 압력을 증가시키기 위한 직경 및/또는 단면 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 복수의 가스 주입 홀(127h) 각각은 가스 유로(111)의 직경보다 상대적으로 작은 직경을 가지도록 형성될 수 있다.
추가적으로, 제 2 가스 버퍼링 공간(GBS2) 내에서 2차로 버퍼링된 공정 가스의 흐름을 고려하여 복수의 가스 유로(111) 각각에 균일한 공정 가스가 주입될 수 있도록, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 복수의 가스 주입 홀(127h) 각각의 직경(또는 크기)(D1 내지 D5)는 몸체(110)의 일측면 길이 방향을 기준으로 몸체(110)의 중심부로부터 양 끝단으로 갈수록 커질 수 있다.
상기 복수의 가스 유로(111) 각각의 일측 주변과 상기 복수의 가스 주입 홀(127h)의 주변을 제외한 몸체(110)의 일측면과 제 1 가스 주입 부재(127a) 사이에는 실링 부재(미도시)가 개재되는 것이 바람직하다.
상기 제 2 가스 주입 모듈(120b)의 제 2 가스 주입 부재(127b)는 전술한 제 2 가스 버퍼링 공간(GBS2)에서 2차로 확산된 공정 가스를 복수의 가스 유로(111)의 타측에 일정한 압력으로 주입(또는 분사)한다. 이를 위해, 상기 제 2 가스 주입 부재(127b)는 일정한 두께를 가지는 플레이트 형태로 형성되어 복수의 가스 유로(111) 각각의 타측을 덮도록 몸체(111)의 타측면에 결합된다. 이러한 제 2 가스 주입 부재(127b)에는 복수의 가스 유로(111) 각각에 일대일로 중첩되도록 형성되어 제 2 가스 버퍼링 공간(GBS2)에서 2차로 버퍼링되는 공정 가스를 복수의 가스 유로(111) 각각의 타측에 일정한 압력으로 주입하기 위한 복수의 가스 주입 홀(127h)이 형성되어 있다. 상기 복수의 가스 주입 홀(127h) 각각은 제 1 가스 주입 부재(127a)와 동일하므로 동일한 도면 부호를 부여하여 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.
상기 복수의 가스 유로(111) 각각의 타측 주변과 상기 복수의 가스 주입 홀(127h)의 주변을 제외한 몸체(110)의 타측면과 제 2 가스 주입 부재(127b) 사이에는 실링 부재(미도시)가 개재되는 것이 바람직하다.
한편, 전술한 제 1 가스 주입 부재(127a)는, 도 9에 도시된 바와 같이, 몸체(110)의 일측면에 일정한 깊이로 오목하게 형성된 제 1 삽입 홈(115a)에 삽입 결합될 수도 있다. 이때, 제 1 가스 주입 부재(127a)는 몸체(110)의 일측면 외부로 돌출되지 않는 것이 바람직하다. 이와 마찬가지로, 전술한 제 2 가스 주입 부재(127b)는 몸체(110)의 타측면에 일정한 깊이로 오목하게 형성된 제 2 삽입 홈(115b)에 삽입 결합될 수도 있다. 이때, 제 2 가스 주입 부재(127b)는 몸체(110)의 타측면 외부로 돌출되지 않는 것이 바람직하다. 이와 같이, 제 1 및 제 2 가스 주입 부재(127a, 127b)가 몸체(110)의 일측면과 타측면 각각에 삽입 배치될 경우, 제 1 및 제 2 가스 버퍼링 부재(121, 123) 각각과 몸체(110) 간의 실링이 용이할 수 있다.
이와 같은, 본 발명의 제 3 예에 따른 가스 분사 장치(200)는 전술한 본 발명의 제 1 예의 가스 분사 장치(100)와 동일한 효과를 제공하되, 가스 주입 부재(127a, 127b)를 통해 제 2 가스 버퍼링 공간(GBS2)으로부터 복수의 가스 유로(111) 각각에 주입되는 공정 가스의 압력을 증가시킴으로써 복수의 가스 유로(111)에 공정 가스를 보다 균일하게 주입할 수 있다.
도 10은 본 발명의 제 3 예에 따른 가스 분사 장치를 설명하기 위한 도면으로서, 이는 도 1 내지 도 4에 도시된 제 1 및 제 2 가스 주입 모듈 각각에서, 제 2 가스 버퍼링 부재의 구조를 변경하여 구성한 것이다. 이에 따라, 이하의 설명에서는 제 2 가스 버퍼링 부재에 대해서만 설명하기로 한다.
먼저, 몸체(110)에 형성되어 있는 복수의 가스 유로(111)는 인접한 2개 이상의 가스 유로로 이루어진 복수의 가스 유로 그룹(GPG1, GPG2)으로 분할되어 그룹화된다. 예를 들어, 몸체(110)에 10개의 가스 유로(111)가 형성되어 있는 경우, 10개의 가스 유로(111)는 인접한 5개의 가스 유로로 그룹화된 제 1 및 제 2 가스 유로 그룹(GPG1, GPG2)으로 분할될 수 있다.
전술한 제 1 및 제 2 가스 주입 모듈(120a, 120b) 각각의 상기 제 2 가스 버퍼링 부재(123)는 상기 제 1 가스 버퍼링 공간(GBS1)으로부터 공급되는 공정 가스를 2차로 버퍼링하여 복수의 가스 유로 그룹(GPG1, GPG2) 각각의 가스 유로들에 주입하는 복수의 그룹 버퍼링 부재(123a, 123b)를 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 복수의 그룹 버퍼링 부재(123a, 123b) 각각은 제 1 가스 버퍼링 공간(GBS1)에서 1차로 버퍼링된 공정 가스를 2차로 버퍼링하여 해당 가스 유로 그룹(GPG1, GPG2)에 그룹화된 가스 유로(111)에 공정 가스를 공통적으로 주입하기 위한, 제 2 가스 버퍼링 공간(GBS2)과 적어도 하나의 연통 홀(123h)을 포함하여 구성되며, 이러한 상기 복수의 그룹 버퍼링 부재(123a, 123b) 각각의 구성은 도 1 내지 도 4에 도시된 제 2 가스 버퍼링 부재(123)와 동일하므로 동일한 도면 부호를 부여하기로 하고 이들에 대한 설명은 생략하기로 한다.
이와 같은, 본 발명의 제 3 예에 따른 가스 분사 장치(300)는 전술한 본 발명의 제 1 예의 가스 분사 장치(100)와 동일한 효과를 제공하되, 제 2 가스 버퍼링 공간(GBS2)을 복수로 분할하고, 각 분할 영역을 통해 복수의 가스 유로(111) 각각에 주입되는 공정 가스를 주입함으로써 복수의 가스 유로(111)에 공정 가스를 보다 균일하게 주입할 수 있다.
한편, 본 발명의 제 3 예에 따른 가스 분사 장치(300)는 복수의 그룹 버퍼링 부재(123a, 123b) 각각의 내부에 배치되면서 복수의 가스 유로 그룹(GPG1, GPG2) 각각에 대응되는 몸체(111)의 일측면과 타측면 각각에 결합된 가스 주입 부재(미도시)를 더 포함하여 구성될 수도 있다. 여기서, 가스 주입 부재는 도 8 내지 도 10에 도시된 가스 주입 부재(127a, 127b)와 동일하므로 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.
도 11은 본 발명의 제 4 예에 따른 가스 분사 장치를 설명하기 위한 도면으로서, 이는 도 1 내지 도 4에 도시된 복수의 가스 유로에 공급되는 공정 가스를 변경한 것이다. 이에 따라, 이하의 설명에서는 복수의 가스 유로와 공정 가스에 대해서만 설명하기로 한다.
먼저, 몸체(110)에 형성되어 있는 복수의 가스 유로(111) 중 일부 가스 유로(111o), 예를 들어 홀수번째 가스 유로(111o)의 일측은 전술한 제 1 가스 주입 모듈(120a)의 제 2 가스 버퍼링 공간(GBS2)에 연통되어 있고, 상기 홀수번째 가스 유로(111o)의 타측은 분리 가능한 밀봉 캡(140)에 의해 폐쇄되어 있다. 이러한 상기 홀수번째 가스 유로(111o)에는 전술한 제 1 가스 주입 모듈(120a)의 1차 및 2차 버퍼링을 통해 제 1 공정 가스(PG1)가 주입된다.
이와 반대로, 몸체(110)에 형성되어 있는 복수의 가스 유로(111) 중 나머지 가스 유로(111e), 예를 들어 짝수번째 가스 유로(111e)의 타측은 전술한 제 2 가스 주입 모듈(120b)의 제 2 가스 버퍼링 공간(GBS2)에 연통되어 있고, 상기 짝수번째 가스 유로(111e)의 일측은 분리 가능한 밀봉 캡(140)에 의해 폐쇄되어 있다. 이러한 상기 짝수번째 가스 유로(111e)에는 전술한 제 2 가스 주입 모듈(120b)의 1차 및 2차 버퍼링을 통해 제 1 공정 가스(PG1)와 같거나 다른 제 2 공정 가스(PG2)가 주입된다.
한편, 전술한 본 발명의 제 4 예에 따른 가스 분사 장치(400)에서는 복수의 가스 유로(111) 중 일부 가스 유로(111o)의 타측과 나머지 가스 유로(111e)의 일측 각각을 밀봉 캡(140)으로 폐쇄시키는 것으로 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 도 12에 도시된 바와 같이, 제 1 및 제 2 가스 주입 부재(127a, 127b) 각각을 통해 복수의 가스 유로(111) 중 일부 가스 유로(111o)의 타측과 나머지 가스 유로(111e)의 일측 각각을 폐쇄시킬 수도 있다.
구체적으로, 상기 제 1 가스 주입 부재(127a)는 복수의 가스 유로(111)의 일측을 덮도록 몸체(110)의 일측면에 결합되며, 복수의 가스 유로(111) 중 일부 가스 유로(111o)의 일측에만 중첩되도록 형성된 복수의 가스 주입 홀(127h)을 포함하여 이루어진다. 이에 따라, 복수의 가스 유로(111) 중 일부 가스 유로(111o)의 일측은 복수의 가스 주입 홀(127h)을 통해 제 1 가스 주입 모듈(120a)의 제 2 가스 버퍼링 공간(GBS2)에 연통되는 반면에 나머지 가스 유로(111e)의 일측은 상기 제 1 가스 주입 부재(127a)에 의해 폐쇄되게 된다.
이와 반대로, 상기 제 2 가스 주입 부재(127b)는 복수의 가스 유로(111)의 타측을 덮도록 몸체(110)의 타측면에 결합되며, 복수의 가스 유로(111) 중 나머지 가스 유로(111e)의 타측에만 중첩되도록 형성된 복수의 가스 주입 홀(127h)을 포함하여 이루어진다. 이에 따라, 복수의 가스 유로(111) 중 일부 가스 유로(111e)의 타측은 상기 제 1 가스 주입 부재(127a)에 의해 폐쇄되는 반면에, 나머지 가스 유로(111e)의 타측은 복수의 가스 주입 홀(127h)을 통해 제 2 가스 주입 모듈(120b)의 제 2 가스 버퍼링 공간(GBS2)에 연통되게 된다.
이와 같은, 본 발명의 제 4 예에 따른 가스 분사 장치(400)에서, 상기 제 1 및 제 2 공정 가스(PG1, PG2)가 동일할 경우, 복수의 가스 유로(111) 중 일부 가스 유로(111o) 및 나머지 가스 유로(111e) 각각에는 서로 반대되는 방향에서 공정 가스(PG1, PG2)가 주입되기 때문에 복수의 가스 유로(111)에 공정 가스를 보다 균일하게 주입할 수 있다.
또한, 본 발명의 제 4 예에 따른 가스 분사 장치(400)가 서로 다른 제 1 및 제 2 공정 가스(PG1, PG2)를 분사하는 경우에도, 복수의 가스 유로(111) 중 일부 가스 유로(111o) 및 나머지 가스 유로(111e)가 서로 공간적으로 분리되어 있기 때문에 제 1 및 제 2 공정 가스(PG1, PG2)가 몸체(110) 내부에서 혼합되는 것을 원천적으로 방지하면서, 서로 다른 제 1 및 제 2 공정 가스(PG1, PG2)를 균일하게 분사할 수 있다.
도 13은 본 발명의 제 5 예에 따른 가스 분사 장치를 개략적으로 나타내는 배면 사시도이고, 도 14는 도 13에 도시된 Ⅲ-Ⅲ' 선의 수직 단면도이며, 도 15는 도 13에 도시된 Ⅳ-Ⅳ' 선의 수평 단면도이다.
도 13 내지 도 15를 참조하면, 본 발명의 제 5 예에 따른 가스 분사 장치(500)는 몸체(110), 제 1 내지 제 4 가스 주입 모듈(120a, 120b, 120c, 120d)을 포함하여 구성된다.
상기 몸체(110)는 일정한 두께를 가지는 평판 형태의 금속 재질, 예를 들어, 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 형성될 수 있다. 이러한 상기 몸체(110)는 공정 챔버(미도시)의 상부를 덮는 챔버 리드(chamber lid)의 하면에 분리 가능하게 장착됨으로써 공정 챔버의 바닥면에 설치되어 있는 기판 지지 수단(미도시)에 마주보게 된다.
상기 몸체(110)에는 복수의 제 1 및 제 2 가스 유로(111, 117), 복수의 제 1 및 제 2 가스 분사 홀(113, 119)이 형성되어 있다.
상기 복수의 제 1 가스 유로(111) 각각은 몸체(110)의 세로 방향(Y)과 나란하면서 일정한 간격을 가지도록 몸체(110)에 내부에 형성된다. 상기 복수의 제 2 가스 유로(117) 각각은 몸체(110)의 두께 방향(Z)으로 복수의 제 1 가스 유로(111) 각각과 이격되면서 몸체(110)의 가로 방향(X)과 나란하도록 일정한 간격을 가지도록 몸체(110)에 내부에 형성된다. 이러한 복수의 제 1 및 제 2 가스 유로(111, 117) 각각은 전술한 본 발명의 제 1 예에서와 같이, 건 드릴(gun drill) 가공에 의해 형성될 수 있다.
상기 복수의 제 1 가스 분사 홀(113) 각각은 일정한 간격을 가지도록 상기 몸체(110)의 배면으로부터 수직하게 형성되어 상기 복수의 제 1 가스 유로(111) 각각에 연통됨으로써 복수의 제 1 가스 유로(111)에 주입되는 제 1 공정 가스(PG1)를 일정한 압력으로 하향 분사한다. 상기 복수의 제 2 가스 분사 홀(119) 각각은 제 1 가스 유로(111)를 회피하면서 일정한 간격을 가지도록 상기 몸체(110)의 배면으로부터 수직하게 형성되어 상기 복수의 제 2 가스 유로(117) 각각에 연통됨으로써 복수의 제 2 가스 유로(117)에 주입되는 제 1 공정 가스(PG1)와 같거나 다른 제 2 공정 가스(PG2)를 일정한 압력으로 하향 분사한다. 이러한 복수의 제 1 및 제 2 가스 분사 홀(113, 119) 각각은 전술한 본 발명의 제 1 예에서와 같이, 하나 이상의 분사구를 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 제 1 가스 주입 모듈(120a)은 상기 몸체(110)의 제 1 측면에 결합되어 적어도 하나의 제 1 가스 공급관(130a)을 통해 공급되는 제 1 공정 가스(PG1)를 상기 복수의 제 1 가스 유로(111) 각각의 일측에 주입한다. 이러한 상기 제 1 가스 주입 모듈(120a)은 전술한 본 발명의 제 1 예의 제 1 가스 주입 모듈(120a)과 동일하므로, 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.
상기 제 2 가스 주입 모듈(120a)은 상기 몸체(110)의 제 1 측면과 반대되는 제 2 측면에 결합되어 적어도 하나의 제 2 가스 공급관(130b)을 통해 공급되는 제 1 공정 가스(PG1)를 상기 복수의 제 1 가스 유로(111) 각각의 타측에 주입한다. 이러한 상기 제 2 가스 주입 모듈(120b)은 역시 전술한 본 발명의 제 1 예의 제 2 가스 주입 모듈(120b)과 동일하므로, 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.
상기 제 3 가스 주입 모듈(120c)은 상기 몸체(110)의 제 3 측면에 결합되어 적어도 하나의 제 3 가스 공급관(130c)을 통해 공급되는 제 1 공정 가스(PG1)와 같거나 다른 제 2 공정 가스(PG2)를 상기 복수의 제 2 가스 유로(117) 각각의 일측에 주입한다. 일 예에 따른 제 3 가스 주입 모듈(120c)은 제 3 가스 공급관(130c)으로부터 공급되는 상기 제 2 공정 가스를 1차로 버퍼링하는 제 1 가스 버퍼링 공간(GBS1)과 상기 제 1 가스 버퍼링 공간(GBS1)으로부터 공급되는 제 2 공정 가스(PG2)를 2차로 버퍼링하여 상기 복수의 제 2 가스 유로(117)의 일측에 주입하는 제 2 가스 버퍼링 공간(GBS2)을 포함하여 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제 3 가스 주입 모듈(120c)은 제 1 가스 버퍼링 공간(GBS1)을 갖는 제 1 가스 버퍼링 부재(121), 및 제 2 가스 버퍼링 공간(GBS2)을 갖는 제 2 가스 버퍼링 부재(123)를 포함하여 이루어질 수 있다. 이와 같은, 상기 제 3 가스 주입 모듈(120c)은 제 3 가스 공급관(130c)으로부터 공급되는 제 2 공정 가스(PG2)를 상기 복수의 제 2 가스 유로(117) 각각의 일측에 주입하는 것을 제외하고는 전술한 제 1 가스 주입 모듈(120a)과 동일하므로, 동일한 구성들에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하기로 하고, 그에 대한 설명은 생략하기로 한다.
상기 제 4 가스 주입 모듈(120d)은 상기 몸체(110)의 제 3 측면과 반대되는 제 4 측면에 결합되어 적어도 하나의 제 4 가스 공급관(130d)을 통해 공급되는 상기 제 2 공정 가스(PG2)를 상기 복수의 제 2 가스 유로(117) 각각의 타측에 주입한다. 이러한 제 4 가스 주입 모듈(120d)은, 제 3 가스 주입 모듈(120c)과 동일하게, 제 1 가스 버퍼링 공간(GBS1)을 갖는 제 1 가스 버퍼링 부재(121), 및 제 2 가스 버퍼링 공간(GBS2)을 갖는 제 2 가스 버퍼링 부재(123)를 포함하여 이루어질 수 있다. 이와 같은, 상기 제 4 가스 주입 모듈(120d)은 제 4 가스 공급관(130d)으로부터 공급되는 제 2 공정 가스(PG2)를 상기 복수의 제 2 가스 유로(117) 각각의 타측에 주입하는 것을 제외하고는 전술한 제 3 가스 주입 모듈(120c)과 동일하므로 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.
이와 같은, 본 발명의 제 5 예에 따른 가스 분사 장치(500)에서, 상기 제 1 및 제 2 공정 가스(PG1, PG2)가 동일할 경우, 서로 교차하는 복수의 제 1 및 제 2 가스 유로(111, 117) 각각의 양측에서 공정 가스(PG1, PG2)가 주입되기 때문에 복수의 가스 유로(111)에 공정 가스를 보다 균일하게 주입할 수 있다.
또한, 본 발명의 제 5 예에 따른 가스 분사 장치(500)가 서로 다른 제 1 및 제 2 공정 가스(PG1, PG2)를 분사하는 경우에도, 서로 교차하는 복수의 제 1 및 제 2 가스 유로(111, 117)가 서로 공간적으로 분리되어 있기 때문에 제 1 및 제 2 공정 가스(PG1, PG2)가 몸체(110) 내부에서 혼합되는 것을 원천적으로 방지하면서, 서로 다른 제 1 및 제 2 공정 가스(PG1, PG2)를 보다 균일하게 분사할 수 있다.
한편, 본 발명의 제 5 예에 따른 가스 분사 장치(500)는 복수의 제 1 및 제 2 가스 유로(111, 117) 각각에 주입되는 공정 가스(PG1, PG2)를 더욱더 균일하게 하기 위하여, 도 7 내지 도 9에 도시된 가스 주입 부재(127a, 127b)의 구조, 도 10에 도시된 복수의 그룹 버퍼링 부재(123a, 123b)의 구조, 도 11에 도시된 밀봉 캡(140)의 구조, 또는 도 12에 도시된 가스 주입 부재(127a, 127b)의 구조를 더 포함하여 구성될 수 있으며, 이러한 구성들은 몸체(110)의 제 1 내지 제 4 측면 각각에 설치될 수 있다. 여기서, 본 발명의 제 5 예에 따른 가스 분사 장치(500)가 도 12의 가스 주입 부재(127a, 127b)를 포함하여 구성될 경우를 예로 들어 복수의 제 1 및 제 2 가스 유로(111, 117)에 주입되는 공정 가스를 설명하면, 복수의 제 1 가스 유로(111)의 일부 제 1 가스 유로들에는 전술한 제 1 가스 주입 부재(127a)를 통해 제 1 공정 가스(PG1)가 공급될 수 있고, 나머지 제 1 가스 유로들에는 전술한 제 2 가스 주입 부재(127b)를 통해 상기 제 2 공정 가스(PG2)가 공급될 수 있으며, 복수의 제 2 가스 유로(117)의 일부 제 2 가스 유로들에는 전술한 제 1 가스 주입 부재(127a)와 동일한 제 3 가스 주입 부재(미도시)를 통해 제 2 공정 가스와 같거나 다른 제 3 공정 가스가 공급될 수 있고, 나머지 제 2 가스 유로들에는 전술한 제 2 가스 주입 부재(127b)와 동일한 제 4 가스 주입 부재(미도시)를 통해 상기 제 3 공정 가스와 같거나 다른 제 4 공정 가스가 공급될 수 있다.
도 16은 본 발명의 일 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 16을 참조하면, 본 발명의 일 예에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버(710), 챔버 리드(730), 기판 지지 수단(750), 및 가스 분사 수단(770)을 포함하여 구성된다.
상기 공정 챔버(710)는 상부가 개구된 "U"자 형태로 형성된다. 이러한 공정 챔버(710)의 일측에는 기판이 출입하는 기판 출입구(미도시)가 형성되고, 바닥면에는 공정 공간의 가스를 배기하기 위한 적어도 하나의 배기구(712)가 형성된다.
상기 챔버 리드(730)는 공정 챔버(710)의 상부에 설치되어 공정 챔버(710)의 상부를 덮는다. 이때, 공정 챔버(710)와 상기 챔버 리드(730) 간의 결합 부분에는 오-링(O-ring) 등과 같은 절연 부재(720)가 개재된다. 상기 절연 부재(720)는 챔버 리드(730)와 공정 챔버(710) 사이를 밀봉함과 아울러 전기적으로 분리시키는 역할을 한다.
상기 챔버 리드(730)는 전원 케이블(792)을 통해 외부의 전원 공급 수단(790)에 연결됨으로써 상기 전원 공급 수단(790)으로부터 플라즈마 전원을 인가받는다. 여기서, 상기 전원 케이블(792)에는 임피던스 매칭 회로(794)가 설치될 수 있다. 상기 임피던스 매칭 회로(794)는 상기 챔버 리드(730)에 공급되는 플라즈마 전원의 부하 임피던스와 소스 임피던스를 정합시키기 위한 적어도 2개의 임피던스 소자(미도시)를 포함하여 이루어질 수 있으며, 상기 임피던스 소자는 가변 커패시터 및 가변 인덕터 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다.
상기 기판 지지 수단(750)은 공정 챔버(710)에 설치되어 기판 반송 장치(미도시)에 의해 공정 공간으로 반입되는 기판(S)을 지지한다. 이때, 기판 지지 수단(750)은 공정 챔버(710)에 승강 가능하게 설치될 수 있는데, 이 경우, 기판 지지 수단(750)은 공정 챔버(710)의 바닥면을 관통하는 승강축(752)에 의해 승강 가능하게 결합됨으로써 승강 장치(미도시)의 구동에 따른 승강축(752)의 승강에 따라 공정 위치 또는 기판 로딩 및 언로딩 위치로 승강된다. 상기 승강축(752)과 공정 챔버(710) 사이는 벨로우즈(754)에 의해 밀봉된다.
상기 가스 분사 수단(770)은 기판 지지 수단(750)에 마주보도록 챔버 리드(730)의 하면에 결합되어 외부의 가스 공급 장치로부터 공급되는 공정 가스를 기판(S) 상에 분사한다. 이러한 상기 가스 분사 수단(770)은 도 2 내지 도 15에 도시된 본 발명의 제 1 내지 제 5 예 중 어느 하나의 예에 따른 가스 분사 장치(100, 200, 300, 400, 500)로 구성되는 것으로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
이와 같은, 본 발명의 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 박막 증착 공정을 개략적으로 설명하면 다음과 같다.
먼저, 복수의 기판(S) 또는 하나의 대면적 기판(S)이 기판 지지 수단(750)에 로딩되어 안착된다.
그런 다음, 상기 가스 공급관(130a, 130b)을 통해 상기 가스 분사 수단(770)의 가스 주입 모듈에 공정 가스가 주입됨으로써 공정 가스는 가스 주입 모듈의 제 1 및 제 2 가스 버퍼링 공간에 의해 연속적으로 1차 및 2차 버퍼링(또는 확산)되어 복수의 가스 유로에 주입되면서 복수의 가스 분사 홀을 통해 기판(S) 상으로 하향 분사되게 된다. 이와 동시에, 전원 공급 수단(790)을 통해 플라즈마 전원을 챔버 리드(730)에 공급하여 챔버 리드(730)를 통해 가스 분사 수단(770)에 플라즈마 전원을 인가한다. 이에 따라, 상기 기판 지지 수단(750)과 상기 가스 분사 수단(770) 사이에 플라즈마가 형성된다.
따라서, 상기 가스 분사 수단(770)으로부터 분사되는 공정 가스가 상기 플라즈마에 의해 활성화되어 기판(S) 상에 분사됨으로써 기판(S)의 상면에는 활성화된 공정 가스에 따른 소정의 박막이 증착되게 된다.
이상과 같은, 본 발명에 따른 기판 처리 장치에 따르면, 가스 분사 수단(770)의 몸체에 결합된 가스 주입 모듈에서 공정 가스를 연속적으로 1차 및 2차로 버퍼링 및 확산시켜 가스 유로에 주입함으로써 공정 가스를 기판(S) 상에 균일하게 분사할 수 있고, 이를 통해 균일한 기판 처리 공정을 가능하게 할 수 있다. 또한, 가스 분사 수단(770)의 세정시, 가스 분사 수단(770)의 몸체에 분리 가능하게 결합된 가스 주입 모듈의 분리를 통해 복수의 가스 유로 각각의 양 끝단이 외부로 노출됨으로써 가스 유로와 가스 분사 홀의 세정을 용이하게 할 수 있으며, 세정 시간을 감소시킬 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사항을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (20)

  1. 공정 가스를 분사하는 복수의 가스 분사 홀과 연결되는 복수의 가스 유로를 포함하는 몸체; 및
    상기 몸체의 적어도 하나의 측면에 결합되어 상기 복수의 가스 유로 각각에 연통되는 적어도 하나의 가스 주입 모듈을 포함하며,
    상기 가스 주입 모듈은,
    외부로부터 공급되는 상기 공정 가스를 1차로 버퍼링하는 제 1 가스 버퍼링 공간; 및
    상기 제 1 가스 버퍼링 공간에 연통되어 상기 1차로 버퍼링된 공정 가스를 2차로 버퍼링하여 상기 복수의 가스 유로에 주입하는 제 2 가스 버퍼링 공간을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 가스 분사 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 주입 모듈은,
    적어도 하나의 가스 공급관과 연통되는 상기 제 1 가스 버퍼링 공간을 갖도록 형성되어 상기 몸체의 일측면에 결합된 제 1 가스 버퍼링 부재; 및
    상기 제 1 가스 버퍼링 공간과 연통되면서 상기 복수의 가스 유로에 연통되는 상기 제 2 가스 버퍼링 공간을 갖도록 형성되어 상기 제 1 가스 버퍼링 공간에 설치된 제 2 가스 버퍼링 부재를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 가스 분사 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 가스 주입 모듈은 상기 제 1 가스 버퍼링 부재와 상기 몸체의 측면 사이를 실링하는 실링 부재를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 가스 분사 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 가스 버퍼링 부재에는 제 1 가스 버퍼링 공간에 연통되는 복수의 연통 홀이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 가스 분사 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 복수의 연통 홀 각각의 직경은 상기 몸체의 측면 길이 방향을 기준으로 상기 몸체의 중심부로부터 양 끝단으로 갈수록 커지는 것을 특징으로 하는 가스 분사 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 복수의 연통 홀의 중심부 간의 간격은 상기 몸체의 측면 길이 방향을 기준으로 상기 몸체의 중심부로부터 양 끝단으로 갈수록 좁아지는 것을 특징으로 하는 가스 분사 장치.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 가스 주입 모듈은 상기 제 2 가스 버퍼링 부재의 내부에 배치되면서 상기 제 2 가스 버퍼링 공간에 연통되는 상기 복수의 가스 유로 각각을 덮도록 상기 몸체의 측면에 결합된 가스 주입 부재를 더 포함하며,
    상기 가스 주입 부재에는 상기 제 2 가스 버퍼링 공간에서 2차로 버퍼링되는 공정 가스를 상기 복수의 가스 유로 각각에 주입하는 복수의 가스 주입 홀이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 가스 분사 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 가스 주입 홀은 상기 가스 유로보다 작은 크기로 형성된 것을 특징으로 하는 가스 분사 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 복수의 주입 홀 각각의 직경은 상기 몸체의 측면 길이 방향을 기준으로 상기 몸체의 중심부로부터 양 끝단으로 갈수록 커지는 것을 특징으로 하는 가스 분사 장치.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 몸체의 측면에는 상기 가스 주입 부재가 삽입되는 삽입 홈이 형성되어 있고,
    상기 가스 주입 부재는 분리 가능하도록 상기 삽입 홈에 삽입 결합된 것을 특징으로 하는 가스 분사 장치.
  11. 제 2 항에 있어서,
    상기 복수의 가스 유로는 인접한 2개 이상의 가스 유로로 이루어진 복수의 가스 유로 그룹으로 분할되고,
    상기 제 2 가스 버퍼링 부재는 상기 제 1 가스 버퍼링 공간으로부터 공급되는 공정 가스를 2차로 버퍼링하여 상기 복수의 가스 유로 그룹 각각의 가스 유로들에 주입하는 복수의 그룹 버퍼링 부재를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 가스 분사 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 주입 모듈은,
    상기 몸체의 일측면에 결합되어 상기 복수의 가스 유로 중 일부 가스 유로들에만 제 1 공정 가스를 주입하기 위한 상기 제 1 및 제 2 가스 버퍼링 공간을 포함하는 제 1 가스 주입 모듈; 및
    상기 몸체의 일측면과 반대되는 상기 몸체의 타측면에 결합되어 상기 복수의 가스 유로 중 나머지 가스 유로들에만 상기 제 1 공정 가스와 같거나 다른 제 2 공정 가스를 주입하기 위한 상기 제 1 및 제 2 가스 버퍼링 공간을 포함하는 제 2 가스 주입 모듈을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 가스 분사 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 복수의 가스 유로 중 일부 가스 유로들 각각의 일측은 상기 제 1 가스 주입 모듈의 제 2 가스 버퍼링 공간에 연통되고, 상기 일부 가스 유로들 각각의 타측은 폐쇄되고,
    상기 복수의 가스 유로 중 나머지 가스 유로들 각각의 타측은 상기 제 2 가스 주입 모듈의 제 2 가스 버퍼링 공간에 연통되고, 상기 나머지 가스 유로들 각각의 일측은 폐쇄된 것을 특징으로 하는 가스 분사 장치.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 1 가스 주입 모듈은 상기 제 2 가스 버퍼링 공간에서 2차로 버퍼링되는 제 1 공정 가스를 상기 복수의 가스 유로 중 일부 가스 유로들에만 주입하기 위한 복수의 제 1 가스 주입 홀을 갖는 제 1 가스 주입 부재를 더 포함하고,
    상기 제 2 가스 주입 모듈은 상기 제 2 가스 버퍼링 공간에서 2차로 버퍼링되는 제 2 공정 가스를 상기 복수의 가스 유로 중 나머지 가스 유로들에만 주입하기 위한 복수의 제 2 가스 주입 홀을 갖는 제 2 가스 주입 부재를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 가스 분사 장치.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 가스 유로는,
    상기 몸체의 제 1 길이 방향과 나란하도록 일정한 간격으로 형성된 복수의 제 1 가스 유로; 및
    상기 몸체의 두께 방향으로 상기 복수의 제 1 가스 유로와 이격되면서 상기 몸체의 제 1 길아 방향과 교차하는 제 2 길이 방향과 나란하도록 일정한 간격으로 형성된 복수의 제 2 가스 유로를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 가스 분사 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 가스 주입 모듈은,
    상기 몸체의 제 1 측면에 결합되어 복수의 제 1 가스 유로의 일측에 제 1 공정 가스를 주입하기 위한 상기 제 1 및 제 2 가스 버퍼링 공간을 포함하는 제 1 가스 주입 모듈;
    상기 제 1 측면과 반대되는 상기 몸체의 제 2 측면에 결합되어 복수의 제 1 가스 유로의 타측에 상기 제 1 공정 가스를 주입하기 위한 상기 제 1 및 제 2 가스 버퍼링 공간을 포함하는 제 2 가스 주입 모듈;
    상기 몸체의 제 3 측면에 결합되어 복수의 제 2 가스 유로의 일측에 상기 제 1 공정 가스와 같거나 다른 제 2 공정 가스를 주입하기 위한 상기 제 1 및 제 2 가스 버퍼링 공간을 포함하는 제 3 가스 주입 모듈; 및
    상기 제 3 측면과 반대되는 상기 몸체의 제 4 측면에 결합되어 복수의 제 2 가스 유로의 타측에 상기 제 2 공정 가스를 주입하기 위한 상기 제 1 및 제 2 가스 버퍼링 공간을 포함하는 제 4 가스 주입 모듈을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 가스 분사 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 내지 제 4 가스 주입 모듈 각각은 상기 제 2 가스 버퍼링 공간에서 2차로 버퍼링되는 해당 공정 가스를 해당하는 가스 유로에 주입하기 위한 복수의 가스 주입 홀을 갖는 가스 주입 부재를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 가스 분사 장치.
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 가스 주입 모듈은,
    상기 몸체의 제 1 측면에 결합되어 복수의 제 1 가스 유로 중 일부의 제 1 가스 유로들에만 제 1 공정 가스를 주입하기 위한 상기 제 1 및 제 2 가스 버퍼링 공간을 포함하는 제 1 가스 주입 모듈;
    상기 제 1 측면과 반대되는 상기 몸체의 제 2 측면에 결합되어 복수의 제 1 가스 유로 중 나머지 제 2 가스 유로들에만 상기 제 1 공정 가스와 같거나 다른 제 2 공정 가스를 주입하기 위한 상기 제 1 및 제 2 가스 버퍼링 공간을 포함하는 제 2 가스 주입 모듈;
    상기 몸체의 제 3 측면에 결합되어 복수의 제 2 가스 유로 중 일부의 제 2 가스 유로들에만 상기 제 2 공정 가스와 같거나 다른 제 3 공정 가스를 주입하기 위한 상기 제 1 및 제 2 가스 버퍼링 공간을 포함하는 제 3 가스 주입 모듈; 및
    상기 제 3 측면과 반대되는 상기 몸체의 제 4 측면에 결합되어 복수의 제 2 가스 유로 중 나머지 제 2 가스 유로들에만 상기 제 3 공정 가스와 같거나 다른 제 4 공정 가스를 주입하기 위한 상기 제 1 및 제 2 가스 버퍼링 공간을 포함하는 제 4 가스 주입 모듈을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 가스 분사 장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 제 1 내지 제 4 가스 주입 모듈 각각은 상기 제 2 가스 버퍼링 공간에서 2차로 버퍼링되는 해당 공정 가스를 해당하는 가스 유로에 주입하기 위한 복수의 가스 주입 홀을 갖는 가스 주입 부재를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 가스 분사 장치.
  20. 공정 챔버;
    공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드;
    상기 공정 챔버의 내부에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지 수단; 및
    상기 기판 지지 수단에 마주보도록 상기 챔버 리드의 하면에 결합된 가스 분사 수단을 포함하며,
    상기 가스 분사 수단은 청구항 1 내지 청구항 19 중 어느 한 한에 기재된 가스 분사 장치를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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