TWI658167B - 氣體分配設備與具有該氣體分配設備的基板處理設備 - Google Patents

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Abstract

一種氣體分配設備與具有此氣體分配設備的基板處理設備，氣體分配設備能夠將處理氣體均勻地注入至和複數個氣體分配孔相連通的複數個氣體通路中，其中氣體分配設備包含：一主體，具有複數個氣體通路，氣體通路與用於分配處理氣體的複數個氣體分配孔相連接，以及至少一個氣體注入模塊，與主體的至少一個側表面相連接且分別氣體通路相連通，其中氣體注入模塊第一次緩衝從外部供給的處理氣體，第二次緩衝經過第一次緩衝的處理氣體，以及將緩衝的處理氣體注入至這些氣體通路中。

Description

氣體分配設備與具有該氣體分配設備的基板處理設備
本發明係關於一種氣體分配設備與具有該氣體分配設備的基板處理設備。
通常，為了製造一太陽能電池、一半導體裝置以及一平板顯示裝置，必需在基板的一表面上形成一預定的薄膜層。因此，一半導體製造過程可以進行，例如，在一基板上沉積一預定材料之薄膜的一薄膜沉積製程；透過使用感光材料有選擇地曝光此薄膜的一感光製程；以及透過選擇性地去除薄膜的一暴露部分形成來圖案的一蝕刻製程。
這種半導體製造過程在設計成適合於最佳情況的一基板處理設備內執行。近來，一種使用電漿的基板處理設備通常用於進行一沉積或蝕刻製程。
使用電漿的這種半導體製造過程可為一電漿增強化學氣相沉積(PECVD，Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)，其中電漿增強化學氣相沉積(PECVD)設備可使用將氣體引入至一腔室內部的一氣體分配設備。
氣體分配設備通過在一面板狀主體中形成的複數個氣體分 配孔，將各種處理氣體分配到基板的表面上。通常，考慮對處理氣體的加工性和反應性，氣體分配設備可由鋁形成。
如第1圖中所示，習知技術的氣體分配設備可包含一面板形主體10；複數個氣體通路20，透過使用鑽機的一機械作業在主體10之內部沿主體10的一預定方向以固定間隔形成複數個孔，且透過焊接22密封每一孔的兩端來形成；以及複數個氣體分配孔30，它們分別與這些氣體通路20相連接且形成於垂直於主體10的一底表面。在這種習知技術的氣體分配設備中，通過一氣體供給管40注入到每一個氣體通路20之中心中的處理氣體通過這些氣體分配孔30向下分配。
在習知技術的氣體分配設備的情況下，處理氣體注入到複數個氣體通路20中，由此，難以實現處理氣體均勻注入於複數個氣體通路20中。此外，每一個氣體通路20的兩端透過焊接永久地密封，從而難以清潔氣體通路20和氣體分配孔30。
因此，本發明在於提供一種氣體分配設備與具有該氣體分配設備的基板處理設備，藉以克服由於習知技術之限制及缺點所產生的一個或多個問題。
本發明的一方面在於提供一種氣體分配設備與具有該氣體分配設備的基板處理設備，此種氣體分配設備能夠將處理氣體均勻地注入至和複數個氣體分配孔相連通的複數個氣體通路中。
本發明的另一方面在於提供一種氣體分配設備與具有該氣體分配設備的基板處理設備，能夠促進清潔複數個氣體分配孔和複數個氣 體通路。
本發明其他的優點和特徵將在如下的說明書中部分地加以闡述，並且本發明其他的優點和特徵對於本領域的普通技術人員來說，可以透過本發明如下的說明得以部分地理解或者可以從本發明的實踐中得出。本發明的目的和其他優點可以透過本發明所記載的說明書和申請專利範圍中特別指明的結構並結合圖式部份，得以實現和獲得。
為了獲得本發明之目的的這些和其他優點，現對本發明作具體化和概括性的描述，本發明的一種氣體分配設備包含：一主體，具有複數個氣體通路，氣體通路與用於分配處理氣體的複數個氣體分配孔相連接；以及至少一個氣體注入模塊，與主體的至少一個側表面相連接且分別氣體通路相連通，其中氣體注入模塊包含：一第一氣體緩衝空間，用於第一次緩衝從外部供給的處理氣體；以及一第二氣體緩衝空間，用於第二次緩衝在第一氣體緩衝空間中第一次緩衝的處理氣體，並且將第二次緩衝的處理氣體注入至這些氣體通路中。
在本發明的另一方面中，提供的一種基板處理設備可包含一處理室；一腔室蓋，用於覆蓋處理室之一頂部；一基板支撐裝置，用於支撐一基板，基板支撐裝置設置於處理室的內部；以及一氣體分配裝置，與基板支撐裝置面對，氣體分配裝置與腔室蓋的一底表面相連接，其中氣體分配裝置包含上述的氣體分配設備。
可以理解的是，如上所述的本發明之概括說明和隨後所述的本發明之詳細說明均是具有代表性和解釋性的說明，並且是為了進一步揭示本發明之申請專利範圍。
10‧‧‧主體
20‧‧‧氣體通路
22‧‧‧焊接
30‧‧‧氣體分配孔
40‧‧‧氣體供給管
100‧‧‧氣體分配設備
110‧‧‧主體
111‧‧‧氣體通路
113‧‧‧氣體分配孔
115a‧‧‧第一插入槽
115b‧‧‧第二插入槽
116‧‧‧第一氣體通路
117‧‧‧第二氣體通路
118‧‧‧第一氣體分配孔
119‧‧‧第二氣體分配孔
120a‧‧‧第一氣體注入模塊
120b‧‧‧第二氣體注入模塊
120c‧‧‧第三氣體注入模塊
120d‧‧‧第四氣體注入模塊
120h‧‧‧氣體供給孔
121‧‧‧第一氣體緩衝件
123‧‧‧第二氣體緩衝件
123a‧‧‧組緩衝件
123b‧‧‧組緩衝件
123h‧‧‧連通孔
125‧‧‧密封件
127a‧‧‧第一氣體注入件
127b‧‧‧第二氣體注入件
127h‧‧‧氣體注入孔
130a‧‧‧第一氣體供給管
130b‧‧‧第二氣體供給管
130c‧‧‧第三氣體供給管
130d‧‧‧第四氣體供給管
131‧‧‧密封套
140‧‧‧密封帽
200、300、400、500‧‧‧氣體分配設備
700‧‧‧基板處理設備
710‧‧‧處理室
712‧‧‧排氣口
720‧‧‧絕緣件
730‧‧‧腔室蓋
750‧‧‧基板支撐裝置
752‧‧‧升降軸
754‧‧‧波紋管
770‧‧‧氣體分配裝置
790‧‧‧電源裝置
792‧‧‧電力電纜
794‧‧‧阻抗匹配電路
111o‧‧‧奇數的氣體通路
111e‧‧‧偶數的氣體通路
PG1‧‧‧第一處理氣體
PG2‧‧‧第二處理氣體
GPG1‧‧‧第一氣體通路組
GPG2‧‧‧第二氣體通路組
GBS1‧‧‧第一氣體緩衝空間
GBS2‧‧‧第二氣體緩衝空間
S‧‧‧基板
X‧‧‧水平方向
Y‧‧‧垂直方向
Z‧‧‧厚度方向
D1、D2、D3、D4、D5‧‧‧直徑
S1、S2‧‧‧間隔
第1圖為習知技術之氣體分配設備之剖視圖。
第2圖為表示根據本發明第一實施例的一氣體分配設備的後透視圖。
第3圖為沿第2圖的I-I'線的垂直剖視圖。
第4圖為沿第2圖的II-II'線的水平剖視圖。
第5圖為解釋第4圖中所示的複數個連通孔之剖視圖。
第6圖為表示在根據本發明第一實施例的處理氣體分配設備中的處理氣體的流動之圖式。
第7圖為表示根據本發明第二實施例的一氣體分配設備之圖式。
第8圖為解釋第7圖中所示的一氣體注入孔之剖視圖。
第9圖為表示根據本發明第二實施例的氣體分配設備的一改變實例之圖式。
第10圖表示根據本發明第三實施例的氣體分配設備之圖式。
第11圖表示根據本發明第四實施例的一氣體分配設備之圖式。
第12圖為表示根據本發明第四實施例的氣體分配設備的一改變實例之圖式。
第13圖為表示根據本發明第五實施例的氣體分配設備的後透視圖。
第14圖為沿第13圖之III-III'線的垂直橫截面圖。
第15圖為沿第13圖之IV-IV'線的水平橫截面圖。以及第16圖為根據本發明一實施例的一基板處理設備的橫截面圖。
以下，將參照附圖詳明描述本發明的實施例。
在說明本發明的實施例時，螢理解關於用語的下列細節。
單數表達的用語如果在上下文中沒有具體的定義，則應理解為包含單數表達以及多種表達。如果使用用語例如「第一」或「第二」，則表示將任何一種元件與其他元件相區分。因此，專利申請範圍不受這些用語的限制。此外，應當理解的是，用語例如「包含」或「具有」並不排除一個或複數個特徵、數目、步驟、操作、元件、部件或它們組合的存在或可能性。應該理解的是，用語「至少一個」包含與任何一個項目相關的所有組合。舉例而言，「第一元件、第二元件以及第三元件中的至少一個」可包含從第一元件、第二元件以及第三元件中選擇的兩個或更多個元件的所有組合，以及第一元件、第二元件以及第三元件中每一元件。此外，如果提及一第一元件定位於一第二結構「上或上方」，則應該理解的是，第一元件和第二元件可彼此相接觸，或者一第三元件可位於第一元件和第二元件之間。
在下文中，將參考附圖描述根據本發明的用於分配氣體的設備(下文中，稱為「氣體分配設備」)，以及具有該氣體分配設備的基板處理設備。
第2圖為表示根據本發明第一實施例的一氣體分配設備的後透視圖。第3圖為沿第2圖的I-I'線的垂直剖視圖，以及第4圖為沿第2圖的II-II'線的水平剖視圖。
請參考第2圖至第4圖，根據本發明第一實施例的氣體分配設備100可包含一主體110、一第一氣體注入模塊120a，以及一第二氣體 注入模塊120b。
主體110可以由具有一預定厚度的一板狀金屬材料，例如鋁或鋁合金形成。主體110可拆卸地設置於覆蓋一處理室(圖未示)之上部的一腔室蓋的一底表面中，由此，主體110面對設置於處理室之一底表面上的一基板支撐裝置(圖未示)。
主體110上設置有複數個氣體通路111和複數個氣體分配孔113。
複數個氣體通路111在主體110的內部以固定的間隔平行於一水平方向(X)或垂直方向(Y)來提供。舉例而言，這些氣體通路111可通過深鑽孔(gun drilling)加工，透過從主體110的一個表面至另一個表面穿透主體110形成複數個孔來提供。在此，處理氣體從第一及第二氣體注入模塊120a及120b注入到這些氣體通路111中。
複數個氣體分配孔113以固定間隔垂直地形成於主體110的一後表面上，並且分別與這些氣體通路111相連通。在一恆定的壓力下，這些個氣體分配孔113向下分配注入到氣體通路111中的處理氣體。這些氣體分配孔113可包含至少一個分配噴嘴，這至少一個分配噴嘴對處理氣體的一分佈區域、處理氣體的一分佈角度、以及處理氣體的分佈量中至少一個最優化。
根據本發明一個實施例的每一氣體分配孔113可形成為一筒狀，筒狀的直徑相比較於氣體通路111的直徑為小。
儘管圖未示，根據本發明另一實施例的每一氣體分配孔113可形成為一漏斗形狀，此漏斗形狀包含與氣體通路111相連通的具有一第 一直徑的第一分配部，以及與第一分配部相連通的一第二分配部，其中，第二分配部的直徑從具有第一直徑的第一分配部至主體110的後表面逐漸增加。
儘管圖未示，根據本發明再一實施例的每一氣體分配孔113可形成為一預定的形狀，此預定的形狀包含：一第一分配部，與氣體通路111相連通且具有一第一直徑；一第二分配部，與第一分配部相連通且具有相比較於第一直徑為小的一第二直徑；以及一第三分配部，與第二分配部相連通，其中第三分配部的一直徑從具有第二直徑的第二分配部到主體110的後表面逐漸增加。
第一氣體注入模塊120a與主體110的一個側表面相連接，其中第一氣體注入模塊120a將通過至少一個第一氣體供給管130a供給的處理氣體注入至每一氣體通路111中。根據本發明一個實施例的第一氣體注入模塊120a可包含：一第一氣體緩衝空間(GBS1)，用於第一次緩衝從第一氣體供給管130a供給的處理氣體，以及一第二氣體緩衝空間(GBS2)，用於第二次緩衝從第一氣體緩衝空間(GBS1)供給的處理氣體且將緩衝的處理氣體注入至每一氣體通路111中一個側面。舉例而言，第一氣體注入模塊120a可以包含具有第一氣體緩衝空間(GBS1)的一第一氣體緩衝件121，以及具有第二氣體緩衝空間(GBS2)的一第二氣體緩衝件123。
第一氣體緩衝件121包含用於第一次緩衝通過第一氣體供給管130a供給之處理氣體的第一氣體緩衝空間(GBS1)，並且第一氣體緩衝件121與主體110的一個側表面相連接以便覆蓋每一氣體通路111的一個側面。舉例而言，第一氣體緩衝件121可以形成為一箱形，這個箱形朝向 複數個氣體通路111的內側表面打開，以便包含由外側面和垂直於外側面的每一橫向側壁所包圍的第一氣體緩衝空間(GBS1)。因此，第一氣體緩衝件121第一次緩衝或擴散通過第一氣體供給管130a供給於第一氣體緩衝空間(GBS1)中的處理氣體。
與第一氣體供給管130a相連通的一氣體供給孔120h形成在第一氣體緩衝件121的一側表面，例如，第一氣體緩衝件121的一上側表面中。在這種情況下，一密封件可設置在第一氣體緩衝件121的上側表面和第一氣體供給管130a之間。此外，第一氣體供給管130a和氣體供給孔120h之間的一連接部分可透過一密封套131而密封，在此，第一氣體緩衝件121可設置有兩個或更多個第一氣體供給管130a。在這種情況下，這兩個或更多個第一氣體供給管130a可單獨地與一氣體供應裝置(圖未示)相連接，或者可以由與氣體供給裝置(圖未示)相連接的一主供給管分支出。
一密封件125設置在第一氣體緩衝件121的每一側壁和主體110的一個側表面之間。密封件125可以是一O形環或墊，其中O形環或墊可以由不被處理氣體損壞的一材料形成。
第二氣體緩衝件123包含第二氣體緩衝空間(GBS2)，第二氣體緩衝空間(GBS2)用於第二次緩衝在第一氣體緩衝件121的第一氣體緩衝空間(GBS1)中第一次緩衝的處理氣體，並且將第二次緩衝的處理氣體注入到這些氣體通路111中。此外，第二氣體緩衝件123設置在第一氣體緩衝件121的內部，並且與主體110的一個側表面相連接，以便覆蓋每一氣體通路111的一側。舉例而言，第二氣體緩衝件123可形成為一箱形，這個箱形朝向複數個氣體通路111的內側表面打開，以便包含由外側面和每一 橫向側壁所包圍的第二氣體緩衝空間(GBS2)。
根據本發明的一個實施例，第二氣體緩衝空間(GBS2)的尺寸可與第一氣體緩衝空間(GBS1)的尺寸相同。
根據本發明的另一實施例，由於首先在第一氣體緩衝空間(GBS1)中第一次緩衝的處理氣體在第二氣體緩衝空間(GBS2)中第二次緩衝，因此，第一氣體緩衝空間(GBS1)的一尺寸可相比較於第二氣體緩衝空間(GBS2)的一尺寸相對更小。在這種情況下，可能減小第一氣體注入模塊120a的一寬度。
複數個連通孔123h以固定的間隔設置在第二氣體緩衝件123的外側表面，也就是說，與第一氣體緩衝件121的外側表面面對的一相對表面上，並且與第一氣體緩衝空間(GBS1)相連通。這裡，這些連通孔123h形成在第一氣體緩衝空間(GBS1)中緩衝及擴散的處理氣體到第二氣體緩衝空間(GBS2)的一通路。通過這些連通孔123h，其壓力透過在第一氣體緩衝空間(GBS1)中第一次擴散而降低的處理氣體以恆定的壓力朝向朝向第二氣體緩衝空間(GBS2)分佈，由此第一次擴散的處理氣體平穩地在第二氣體緩衝空間(GBS2)中進行第二次擴散。
根據本發明一個實施例的這些連通孔123h可以固定的間隔設置在第二氣體緩衝件123的外側表面中，其中連通孔123h可以具有相同的直徑(或大小)。
如第5圖中(a)所示，考慮到處理氣體的流動距離，根據本發明另一實施例的每一連通孔123h的一直徑(D1、D2、D3)可從第二氣體緩衝件123的中心朝向相對於第二氣體緩衝件123的外側表面的第二氣體 緩衝件123的兩端(或相對於主體110的一個側表面的一縱向方向的主體110的兩端)逐漸增加。這種情況下，從第一氣體緩衝空間(GBS1)到第二氣體緩衝空間(GBS2)供給的處理氣體可緩衝或擴散的更均勻。
如第5圖的(b)所示，考慮處理氣體的流動距離，根據本發明再一實施例的每一連通孔123h可具有相同的直徑，並且每一相鄰的連通孔123h的中心之間的一間隔(S1、S2)可以從第二氣體緩衝件123的中心朝向相對於第二氣體緩衝件123之外側表面的第二氣體緩衝件123的兩端逐漸減少。在這種情況下，從第一氣體緩衝空間(GBS1)供給至第二氣體緩衝空間(GBS2)的處理氣體可更加均勻地緩衝或擴散。另外，雖然圖未示，考慮到處理氣體的流動距離，每一連通孔123h的直徑(D1、D2、D3)可以從第二氣體緩衝件123的中心朝向相對於第二氣體緩衝件123之外側表面的第二氣體緩衝件123的兩端逐漸增加，並且每個相鄰的連通孔123h的中心之間的間隔(S1、S2)可以從第二氣體緩衝件123朝向相對於第二氣體緩衝件123之外側表面的第二氣體緩衝件123的兩端逐漸減少。
請再次參照第2圖至第4圖，第二氣體注入模塊120b與主體110之一個側表面的相對側的主體110的另一側表面相連接，從而通過至少一個第二氣體供給管130b供給的處理氣體透過第二氣體注入模塊120b注入到每一氣體通路111中。根據本發明一個實施例的第二氣體注入模塊120b可包含：一第一氣體緩衝空間(GBS1)，用於第一次緩衝從第二氣體供給管130b供給的處理氣體；以及一第二氣體緩衝空間(GBS2)，用於第二次緩衝從第一氣體緩衝空間(GBS1)供給的處理氣體且將緩衝的處理氣體注入至這些氣體通路111中。舉例而言，第一氣體注入模塊120a可包含 第一氣體緩衝空間(GBS1)的第一氣體緩衝件121，以及具有第二氣體緩衝空間(GBS2)的第二氣體緩衝件123。除了從第二氣體供給管130b供給的處理氣體注入到每一氣體通路111的另一側中之外，第二氣體注入模塊120b與第一氣體注入模塊120a的結構相同，由此附圖中的同一附圖標號來表示相同或相似的部件，並且將省去相同的部件的詳細描述。
第6圖為表示在根據本發明第一實施例的處理氣體分配設備中的處理氣體的流動。
請結合第4圖參考第6圖，在根據本發明第一實施例的氣體分配設備的情況下，通過第一130a及第二氣體供給管130b供給的處理氣體(PG)在第一120a及第二氣體注入模塊120b的第一氣體緩衝空間(GBS1)中第一次緩衝和擴散，並且然後第一次緩衝的處理氣體藉由第一120a及第二氣體注入模塊120b的連通孔123h供給至第二氣體緩衝空間(GBS2)，在第二氣體緩衝空間(GBS2)中第二次緩衝並擴散，然後注入到複數個氣體通路111中。然後，注入到這些氣體通路111中的處理氣體在這些氣體通路111中第三緩衝緩衝並擴散，並且然後通過複數個氣體分配孔113向下分佈。
在上述的說明中，處理氣體在第一120a及第二氣體注入模塊120b的每一個中緩衝，並且注入到每個氣體通路111的兩側中，從而實現平穩地將處理氣體均勻注入到複數個氣體通路111中，但並不限於此種結構。還可以省去第二氣體注入模塊120b。這種情況下，每一氣體通路111的另一端沒有透過焊接永久密封，而是使用可拆卸的密封蓋密封，以容易實現清洗過程。
在根據本發明第一實施例的氣體分配設備中，第一120a及 第二氣體注入模塊120b可拆卸地與設置有複數個氣體通路111和複數個氣體分配孔113的主體110的一個側表面和另一側表面相連接，並且處理氣體通過在第一120a及第二氣體注入模塊120b中的第一及第二次緩衝處理與這些氣體分配孔113相連通，由此可能將處理氣體均勻地注入於氣體通路111中，並且通過第一120a及第二氣體注入模塊120b的拆卸，容易清潔這些氣體通路111和這些氣體分配孔113。
第7圖為表示根據本發明第二實施例的一氣體分配設備。除了一氣體注入件另外設置於第4圖中所示的每一個第一及第二氣體注入模塊中之外，根據本發明第二實施例的氣體分配設備在結構上與根據本發明第一實施例的氣體分配設備相同。在下文中，僅詳細說明此氣體注入件。
首先，第一氣體注入模塊120a的一第一氣體注入件127a將在第二氣體緩衝空間(GBS2)中第二次緩衝且擴散的處理氣體在一恆定的壓力下注入(或分佈)於每一氣體通路111的一個側面中。為此，第一氣體注入件127a形成為具有一恆定厚度的一面板狀，並且然後與主體111的一個側表面連接，用於覆蓋每一個氣體通路111的一個側面。複數個氣體注入孔127h設置於第一氣體注入件127a中，並且這些氣體注入孔127h按照一對一的對應關係分別與這些氣體通路111相重疊，從而使得在第二氣體緩衝空間(GBS2)中第二次緩衝的處理氣體在一恆定的壓力下注入到每一氣體通路111的一側中。
每一氣體注入孔127h可具有一直徑與/或用於增加注入到第二氣體緩衝空間(GBS2)中的這些氣體通路111的處理氣體之壓力的一橫截面形狀。舉例而言，每一氣體注入孔127h中的一直徑可相比較於每一 氣體通路111的一直徑相對為小。
另外，考慮第二氣體緩衝空間(GBS2)中緩衝的處理氣體的一流動，如第8圖所示，每一氣體注入孔127h的一直徑(或尺寸，D1至D5)可從主體110的中心朝向相對於主體110的一個側表面的縱向方向逐漸增加，由此處理氣體可均勻地注入到這些氣體通路111中。
較佳地，除了每一氣體通路111之一側的周邊和氣體注入孔127h的周邊之外，一密封件(圖未示)設置於第一氣體注入件127a和主體110的一個側表面之間。
一第二氣體注入模塊120b的一第二氣體注入件127b將在第二氣體緩衝空間(GBS2)中第二次緩衝和擴散的處理氣體在一恆定的壓力下注入(或分佈)於每一氣體通路111的另一個側面中。為此，第二氣體注入件127b形成為具有一恆定厚度的一面板狀，並且然後與主體111的一個側表面連接，用於覆蓋每一氣體通路111的另一個側面。複數個氣體注入孔127h設置於第二氣體注入件127b中，並且這些氣體注入孔127h按照一對一的對應關係分別與這些氣體通路111相重疊，從而使得在第二氣體緩衝空間(GBS2)中第二次緩衝的處理氣體在一恆定的壓力下注入到每一氣體通路111的另一個側面中。第二氣體注入模塊120b中設置的每一個氣體注入孔127h與第一氣體注入模塊120a在結構上相同，由此附圖中相同的附圖標號將用來表示相同或相似的部件，並且將省去對於相同的部件的詳細說明。
較佳地，除了每一氣體通路111之另一側的周邊和氣體注入孔127h的周邊之外，一密封件(圖未示)設置於第二氣體注入件127b 和主體110的另一個側表面之間。
同時，如第9圖中所示，上述的第一氣體注入件127a可插入至一第一插入槽115a中且與其相連接，其中第一插入槽115a在主體110的一個側表面上具有一預定的深度。在這種情況下，較佳地，第一氣體注入件127a不突出於主體110的一個側表面。以相同的方式，第二氣體注入件127b可插入至一第二插入槽115b中且與其相連接，其中第二插入槽115b在主體110的另一個側表面上具有一預定的深度。在這種情況下，較佳地，第二氣體注入件127b不突出於主體110的另一個側表面。因此，第一127a及第二氣體注入件127b分別插入至主體110的一個側表面和主體110的另一個側表面中，由此便於在主體110和第一及第二氣體緩衝件121及123之間密封。
根據本發明第二實施例的氣體分配設備200提供了與根據本發明第一實施例的第一氣體分佈設備相同的效果。此外，根據本發明第二實施例的氣體分配設備200增加了從第二氣體緩衝空間(GBS2)注入於每一氣體通路111中的處理氣體的壓力，並且由此均勻地將處理氣體注入到每一氣體通路111中。
第10圖表示根據本發明第三實施例的氣體分配設備。除了第1圖至第4圖中所示的每一第一及第二氣體注入模塊中的一第二氣體緩衝件之結構之外，根據本發明第三實施例的氣體分配設備在結構上與根據本發明第一實施例的氣體分配設備相同。在下文中，將僅詳細描述第二氣體緩衝件。
首先，複數個氣體通路111形成在一主體110中，並且複數 個氣體通路組(GPG1、GPG2)透過分組這些氣體通路111形成，其中每一氣體通路組(GPG1、GPG2)包含相鄰的兩個或更多個氣體通路111。舉例而言，如果主體110包含十個氣體通路111，則可能形成第一及第二氣體通路組(GPG1、GPG2)，其中每一第一及第二氣體通路組(GPG1、GPG2)包含相鄰的五個氣體通路111。
每一第一120a及第二氣體注入模塊120b中的一第二氣體緩衝件123可包含複數個組緩衝件123a及123b，用於第二次緩衝從一第一氣體緩衝空間(GBS1)供給的處理氣體且將第二次緩衝的處理氣體注入至每一氣體通路組(GPG1、GPG2)中。
複數個組緩衝件123a及123b的每一個可包含至少一個連通孔123h和一第二氣體緩衝空間(GBS2)，用於第二次緩衝在第一氣體緩衝空間(GBS1)中第一次緩衝的處理氣體，並且將緩衝的處理氣體共同注入於相應的氣體通路組(GPG1、GPG2)的相應氣體通路111中。每一組緩衝件123a及123b與第1圖至第4圖中所示的第二氣體緩衝件123在結構上相同，由此附圖中相同的附圖標號將用來表示相同或相似的部件，並且將省去對於相同的部件的詳細說明。
根據本發明第三實施例的氣體分配設備300提供了與根據本發明第一實施例的氣體分配設備相同的效果，在根據根據本發明第三實施例的氣體分配設備300的情況下，第二氣體緩衝空間(GBS2)分成複數個部分，並且處理氣體通過每個劃分部分注入到複數個氣體通路111中，從而將處理氣體均勻地注入至複數個氣體通路111中。
根據本發明第三實施例的氣體分配設備300可進一步包含 一氣體注入件(圖未示)，這個氣體注入件設置在每一組緩衝件123a及123b的內部，並與對應於每一氣體通路組(GPG1、GPG2)的主體110的一個側表面和主體110的另一側表面相連接。氣體注入件與第8圖至第10圖中所示的第一127a及第二氣體注入件127b的結構相同，從而將省去氣體注入件的結構的詳細描述。
第11圖表示根據本發明第四實施例的一氣體分配設備，第11圖表示出供給至第1圖至第4圖中所示的複數個氣體通路的一處理氣體的變化。下文中，僅詳細描述複數個氣體通路以及處理氣體。
首先，複數個氣體通路111形成於一主體110中，在主體110中形成的複數個氣體通路111之中，一些氣體通路，即奇數的氣體通路111o之每一個的一側與第一氣體注入模塊120a的一第二氣體緩衝空間(GBS2)相連通，並且奇數的氣體通路111o之另一側透過一可拆卸的密封帽140而封閉。這裡，第一處理氣體(PG1)通過第一氣體注入模塊120a的第一及第二次緩衝而注入到奇數的氣體通路111o中。
在形成於主體110中的複數個氣體通路111之中，其餘的氣體通路，即偶數的氣體通路111e之每一個的一側透過可拆卸的密封帽140而封閉，並且偶數的氣體通路111e之每一個的另一側與第二氣體注入模塊120b的一第二氣體緩衝空間(GBS2)相連通。在此，與第一處理氣體(PG1)相同或不相同的第二處理氣體(PG2)通過第二氣體注入模塊120b的第一和第二次緩衝注入到偶數的氣體通路111e中。
詳細而言，一第一氣體注入件127a與主體110的一個側表面相連接，以便覆蓋這些氣體通路111的一個側面，其中第一氣體注入件 127a包含複數個氣體注入孔127h，氣體注入孔127h分別僅與這些氣體通路111之中的一些奇數的氣體通路111o的一側相重疊。由此，由於一些奇數的氣體通路111o之每一個的一側通過複數個氣體注入孔127h與第一氣體注入模塊120a的第二氣體緩衝空間(GBS2)相連通，因此每一個其餘的偶數的氣體通路111e的一側由第一氣體注入件127a封閉。
另一方面，第二氣體注入件127b與主體110的另一側表面相連接，以便覆蓋這些氣體通路111的另一側，其中，第二氣體注入件127b包含複數個氣體注入孔127h，這些氣體注入孔127h分別僅與氣體通路111中其餘的偶數的氣體通路111e的另一側相重疊，由此，由於一些奇數的氣體通路111o之每一個的另一側由第一氣體注入件127a封閉，其餘偶數的氣體通路111e的每一個的另一側通過複數個氣體注入孔127h與第二氣體注入模塊120b的第二氣體緩衝空間(GBS2)相連通。
在根據本發明第四實施例的氣體分配設備400中，如果第一處理氣體和第二處理氣體(PG1、PG2)相同，則第一處理氣體(PG1)和第二處理氣體(PG2)分別從相反方向注入到一些奇數的氣體通路111o和其餘的偶數的氣體通路111e中，以使得可能均勻地將處理氣體注入至氣體通路111中。
即使在根據本發明第四實施例的氣體分配設備400中第一處理氣體(PG1)與第二處理氣體(PG2)不相同，但是一些奇數的氣體通路111o在空間上與其餘的偶數的氣體通路111e在空間上相隔離，以使得可能防止第一處理氣體(PG1)和第二處理氣體(PG2)在主體110的內部混合，並且可能均勻地分佈彼此不相同的第一處理氣體(PG1)和第二處理氣 體(PG2)。
第13圖為表示根據本發明第五實施例的氣體分配設備的後透視圖。第14圖為沿第13圖之III-III'線的垂直橫截面圖。第15圖為沿第13圖之IV-IV'線的水平橫截面圖。
請參照第13圖至第15圖，根據本發明第五實施例的氣體分配設備500可包含一主體110，以及第一至第四氣體注入模塊120a、120b、120c以及120d。
主體110可以由具有一預定厚度的一板狀金屬材料，例如，鋁或鋁合金形成。主體110可拆卸地設置於覆蓋一處理室(圖未示)之上部的一腔室蓋的一底表面中，由此，主體110面對設置於處理室之一底表面上的一基板支撐裝置(圖未示)。
主體110設置有複數個第一116及第二氣體通路117，以及複數個第一118及第二氣體分配孔119。
複數個第一氣體通路116以固定的間隔與一垂直方向(Y)相平行設置於主體110之內部，並且複數個第二氣體通路117以固定的間隔與一水平方向(X)相平行設置於主體110之內部，其中，每一第二氣體通路117在主體110的一厚度方向(Z)上設置為相距每一第一氣體通路116一預定的間隔。在與上述本發明第一實施例相同的方式下，複數個第一及第二氣體通路116及117可通過一深鑽孔加工來形成。
複數個第一氣體分配孔118以固定的間隔垂直地形成在主體110的後表面上。另外，這些第一氣體分配孔118分別與複數個第一氣體通路116相連通，以由此在一恆定的壓力下向下分佈注入於複數個第一氣 體通路116中的第一處理氣體(PG1)。複數個第二氣體分配孔119以固定的間隔垂直地形成在主體110的後表面上，並且設置為避開第一氣體通路116。此外，這些第二氣體分配孔119分別與複數個第二氣體通路117相連通，以由此在一恆定的壓力下向下分佈注入於複數個第二氣體通路117中的第二處理氣體(PG2)。在這種情況下，第二處理氣體(PG2)可以與第一處理氣體(PG1)相同或不相同。在與本發明第一實施例相同的方式下，這些第一118及第二氣體分配孔119可包含至少一個分配噴嘴。
第一氣體注入模塊120a與主體110的一第一側表面相連接。第一氣體注入模塊120a將通過至少一個第一氣體供給管130a供給的第一處理氣體(PG1)注入至每一個第一氣體通路116的一側中。第一氣體注入模塊120a與根據第一實施例的第一氣體注入模塊120a相同，因此將省去對於第一氣體注入模塊120a的詳細說明。
第二氣體注入模塊120b與主體110的第一側表面相對的一第二側表面相連接。第二氣體注入模塊120b將通過至少一個第二氣體供給管130b供給的第一處理氣體(PG1)注入至每一個第一氣體通路116的另一側中。第二氣體注入模塊120b與根據第一實施例的第二氣體注入模塊120b相同，因此將省去對於第二氣體注入模塊120b的詳細說明。
第三氣體注入模塊120c與主體110的一第三側表面相連接。第三氣體注入模塊120c將通過至少一個第三氣體供給管130c供給的第二處理氣體(PG2)注入至每一個第二氣體通路117的一側中。此種情況下，第二處理氣體(PG2)可以與第一處理氣體(PG1)相同或不相同。根據本發明一個實施例的第三氣體注入模塊120c可包含：一第一氣體緩衝空間 (GBS1)，用於第一次緩衝從第三氣體供給管130c供給的第二處理氣體；以及一第二氣體緩衝空間(GBS2)，用於第二次緩衝從第一氣體緩衝空間(GBS1)提供的第二處理氣體(PG2)且將第二處理氣體(PG2)注入到每一個第二氣體通路117的一側中。舉例而言，第三氣體注入模塊120c可包含具有第一氣體緩衝空間(GBS1)的一第一氣體緩衝件121，以及具有第二氣體緩衝空間(GBS2)的第二氣體緩衝件123。除了從第三氣體供給管130c供給的第二處理氣體(PG2)注入到每一個第二氣體通路117的一側中之外，第三氣體注入模塊120c在結構上與上述第一氣體注入模塊120a相同，從而將省去對第三氣體注入模塊120c之結構的詳細描述。
第四氣體注入模塊120d與和主體110的第三側表面相對的一第四側表面相連接。第四氣體注入模塊120d將通過至少一個第四氣體供給管130d供給的第二處理氣體(PG2)注入至每一個第二氣體通路117的另一側面中。在與第三氣體注入模塊120c相同的方式下，第四氣體注入模塊120d可包含具有一第一氣體緩衝空間(GBS1)的一第一氣體緩衝件121，以及具有一第二氣體緩衝空間(GBS2)的一第二氣體緩衝件123。除了從第四氣體供給管130d供給的第二處理氣體(PG2)注入到每一個第二氣體通路117的另一側中之外，第四氣體注入模塊120d在結構上與上述第三氣體注入模塊120c相同，由此將省去對第四氣體注入模塊120d的詳細描述。
在根據本發明第五實施例的氣體分配設備500中，如果第一處理氣體和第二處理氣體(PG1、PG2)是相同的，則第一處理氣體(PG1)和第二處理氣體(PG2)分別注入到相互交叉的第一116及第二氣體通路117之每一個的兩側中，以便可能將處理氣體均勻地注入至這些第一116及第 二氣體通路117中。
即使在根據本發明第五實施例的氣體分配設備500中第一處理氣體(PG1)和第二處理氣體(PG2)不相同，但是由於這些第一氣體通路116與第二氣體通路117在空間上隔離，因此使得可能防止第一處理氣體(PG1)和第二處理氣體(PG2)在主體110的內部混合，並且可能將彼此不相同的第一處理氣體(PG1)和第二處理氣體(PG2)均勻地分佈。
為了更加均勻地將第一及第二處理氣體(PG1、PG2)注入於複數個第一116及第二氣體通路117中，根據本發明第五實施例的氣體分配設備500可進一步包含：第7圖至第9圖中所示的第一127a及第二氣體注入件127b的結構、第10圖中所示的複數個組緩衝件123a及123b的結構、第11圖中所示的密封帽140的結構、或第12圖中所示的第一127a及第二氣體注入件127b的結構，其中上述的結構可設置在主體110的第一至第四側表面的每一個之中。舉例而言，如果根據本發明第五實施例的氣體分配設備500包含第12圖中所示的第一127a及第二氣體注入件127b，則注入到複數個第一116及第二氣體通路117中的處理氣體將描述為如下。第一處理氣體(PG1)可通過第一氣體注入件127a供給至複數個第一氣體通路116之中的一些第一氣體通路，第二處理氣體(PG2)可通過第二氣體注入件127b供給至其餘的第一氣體通路，與第二處理氣體相同或不相同的第三處理氣體可通過與上述第一氣體注入件127a相同的第三氣體注入件(圖未示)供給至複數個第二氣體通路117之中的一些第二氣體通路，以及與第三處理氣體相同或不相同的第四處理氣體可通過與上述第二氣體注入件127b相同的第四氣體注入件(圖未示)供給至其餘的第二氣體通路。
第16圖為根據本發明一個實施例的一基板處理設備的橫截面圖。
請參考第16圖，此種基板處理設備700可包含一處理室710、一腔室蓋730、一基板支撐裝置750、以及一氣體分佈裝置770。
處理室710形成為上部打開的一「U」形狀。一基板入口(圖未示)形成在處理室710的一側，基板通過基板入口加載或卸載，並且用於排出處理氣體的至少一個排氣口712形成在處理室710的一底表面上。
腔室蓋730設置在處理室710的一上部，從而覆蓋處理室710的上部。在這種情況下，例如O形環的一絕緣件720設置於處理室710和腔室蓋730之間的一連接部。絕緣件720密封處理室710和腔室蓋730之間的空間，並且將處理室710和腔室蓋730彼此電絕緣。
腔室蓋730藉由一電力電纜792與一外部電源裝置790相連接，並且從外部電源裝置790供給一電漿電源。在這種情況下，一阻抗匹配電路794可提供在電力電纜792中。阻抗匹配電路794可包含至少兩個阻抗裝置(圖未示)，用於匹配提供給腔室蓋730的電漿電源的一源阻抗以及一負載阻抗。此阻抗裝置可以由可變電容和可變電感的至少一種形成。
設置於處理室710中的基板支撐裝置750支撐透過使用基板傳送設備(圖未示)裝載到一處理空間中的基板(S)。基板支撐裝置750可移動地設置在處理室710中。在這種情況下，基板支撐裝置750透過使用貫穿處理室710之底表面的一升降軸752可移動地設置，以使得基板支撐裝置750根據升降裝置(圖未示)透過升降軸752的運動而移動至一處理位置或一基板裝載及卸載位置。這裡，升降軸752和處理室710之間的一空間由 一波紋管754密封。
面對基板支撐裝置750的氣體分配裝置770與腔室蓋730的一底表面相連接。氣體分配裝置770將從一外部氣體供給設備供給的處理氣體分佈到基板(S)上。氣體分配裝置770可以由第2圖至第15圖中所示的根據本發明第一至第五實施例的氣體分配設備100、200、300、400以及500的任何一個形成，其中將省去氣體分配裝置770的詳細描述。
在下文中，將詳細描述使用根據本發明之實施例的上述基板處理設備700的一薄膜沉積製程。
首先，複數個基板(S)或一大型基板(S)可加載和放置於基板支撐裝置750上。
如果處理氣體通過第一及第二氣體供給管130a及130b注入到氣體分配裝置770的氣體注入模塊中，則所注入的處理氣體透過氣體注入模塊的第一及第二氣體緩衝空間進行第一次和第二次緩衝(或擴散)，並且注入到複數個氣體通路中，並且然後處理氣體通過複數個氣體分配孔向下分佈到基板(S)上。同時，電漿電源通過電源裝置790提供到腔室蓋730，由此，電漿電源通過腔室蓋730提供到氣體分配裝置770。因此，電漿形成於基板支撐裝置750和氣體分配裝置770之間。
因此，從氣體分配裝置770分配的處理氣體透過電漿而活化，並且分配到基板(S)上，用以由此透過活化的處理氣體在基板(S)的頂表面上沉積一預定的薄膜。
在根據本發明的基板處理設備700中，處理氣體在與氣體分配裝置770的主體相連接的氣體注入模塊中第一次和第二次緩衝和擴 散，並且然後注入到氣體通路中，從而處理氣體均勻地分佈到基板(S)上，從而使得能夠實現均勻的基板處理。為了清潔氣體分配裝置770，每一氣體通路的兩端利用氣體注入模塊的拆卸而暴露於外部，其中氣體注入模塊可拆卸地設置於氣體分配裝置770的主體中，以使得可能促進氣體通路和氣體分配孔的清潔，並且可能減少清潔時間。
根據本發明，處理氣體均勻地注入到複數個氣體通路中，以使得可能容易地清潔這些氣體通路以及氣體分配孔。此外，處理氣體均勻地分佈在基板的表面上，這樣使得實現均勻的基板處理。
對於本領域的技術人員顯而易見的是，在不脫離本發明之精神或範圍內能夠進行各種變化和修改。因此，本發明覆蓋這些修改和變型，只要它們落在所附之專利申請範圍及其等同範圍內。

Claims (20)

  1. 一種氣體分配設備，包含：一主體，具有複數個氣體通路，該些氣體通路與用於分配處理氣體的複數個氣體分配孔相連接；以及至少一個氣體注入模塊，與該主體的至少一個側表面相連接且分別與該些氣體通路相連通，其中該氣體注入模塊包含：一第一氣體緩衝空間，用於第一次緩衝從外部供給的該處理氣體；以及一第二氣體緩衝空間，用於第二次緩衝在該第一氣體緩衝空間中第一次緩衝的該處理氣體，並且將第二次緩衝的該處理氣體注入至該些氣體通路中。
  2. 如請求項1所述之氣體分配設備，其中該氣體注入模塊包含：一第一氣體緩衝件，具有與至少一個氣體供給管相連通的該第一氣體緩衝空間，並且與該主體的一個側表面相連接；以及一第二氣體緩衝件，與該第一氣體緩衝空間相連通，並且具有與該些氣體通路相連通的該第二氣體緩衝空間。
  3. 如請求項2所述之氣體分配設備，其中該氣體注入模塊進一步包含一密封件，該密封件用於密封該第一氣體緩衝件與該主體之該側表面之間的一空間。
  4. 如請求項2所述之氣體分配設備，其中該第二氣體緩衝件具有與該第一氣體緩衝空間相連通的複數個連通孔。
  5. 如請求項4所述之氣體分配設備，其中每一該些連通孔的一直徑從該主體的中心朝向關於該主體之該側表面的一縱向方向上該主體的兩端逐漸增加。
  6. 如請求項4所述之氣體分配設備，其中每一相鄰的該些連通孔之中心之間的一間隔從該主體的該中心朝向關於該主體之該側表面的一縱向方向上該主體的兩端逐漸減少。
  7. 如請求項2所述之氣體分配設備，其中該氣體注入模塊進一步包含一氣體注入件，該氣體注入件設置於該第二氣體緩衝件的內部，並且與該主體的該側表面相連接以便覆蓋與該第二氣體緩衝空間相連通的該些氣體通路，以及該氣體注入件具有複數個氣體注入孔，該些氣體注入孔用於將在該第二氣體緩衝空間中第二次緩衝的該處理氣體注入至該些氣體通路中。
  8. 如請求項7所述之氣體分配設備，其中該氣體注入孔相比較於該氣體通路更小。
  9. 如請求項7所述之氣體分配設備，其中每一該些連通孔的一直徑從該主體的該中心朝向關於該主體之該側表面的一縱向方向上該主體的兩端逐漸增加。
  10. 如請求項7所述之氣體分配設備，其中該主體的該側表面具有一插入槽，該插入槽以供該氣體插入件插入，並且當該氣體插入件可拆卸地設置於該插入槽中時，該氣體插入件插入至該插入槽中且與該插入槽相連接。
  11. 如請求項2所述之氣體分配設備，其中，該些氣體通路分組為複數個氣體通路組，其中每一氣體通路組包含相鄰的兩個或更多個氣體通路，以及該第二氣體緩衝件包含複數個組緩衝件，該些組緩衝件第二次緩衝從該第一氣體緩衝空間供給的該處理氣體且將該第二次緩衝的處理氣體注入至該些氣體通路組中。
  12. 如請求項1所述之氣體分配設備，其中該氣體注入組包含：一第一氣體注入模塊，與該主體的一個側表面相連接，其中該第一氣體注入模塊包含第一氣體緩衝空間及第二氣體緩衝空間，該第一氣體緩衝空間及該第二氣體緩衝空間用於將第一處理氣體注入至該些氣體通路之中的一些氣體通路中，以及一第二氣體注入模塊，與該主體的另一個側表面相連接，該主體的該另一個側表面位於該主體的一個側表面的相對側，其中該第二氣體注入模塊包含第一氣體緩衝空間及第二氣體緩衝空間，該第一氣體緩衝空間及該第二氣體緩衝空間用於將與該第一處理氣體相同或不相同的第二處理氣體注入至該些氣體通路之中其餘的氣體通路中。
  13. 如請求項12所述之氣體分配設備，其中，該些氣體通路之中一些氣體通路的每一個氣體通路之一側與該第一氣體輸入模塊的該第二氣體緩衝空間相連通，並且一些氣體通路的每一個氣體通路之另一側封閉，以及該些氣體通路之中其餘的氣體通路的每一個氣體通路之一側封閉，並且其餘的氣體通路的每一個氣體通路之另一側與該第二氣體輸入模塊的該第二氣體緩衝空間相連通。
  14. 如請求項12所述之氣體分配設備，其中，該第一氣體注入模塊進一步包含一第一氣體注入件，該第一氣體注入件用於將在該第二氣體緩衝空間中第二次緩衝的該第一處理氣體注入至該些氣體通路之中的該一些氣體通路中，以及該第二氣體注入模塊進一步包含一第二氣體注入件，該第二氣體注入件用於將在該第二氣體緩衝空間中第二次緩衝的該第二處理氣體注入至該些氣體通路之中其餘的氣體通路中。
  15. 如請求項1所述之氣體分配設備，其中該些氣體通路包含：複數個第一氣體通路，係以固定的間隔與該主體的一第一縱向方向相平行設置；以及複數個第二氣體通路，係在該主體的一厚度方向上相距該些第一氣體通路一預定間隔設置，並且以固定的間隔與一第二縱向方向相平行提供，其中該第二縱向方向垂直於該主體的該第一縱向方向。
  16. 如請求項15所述之氣體分配設備，其中該氣體注入模塊包含：一第一氣體注入模塊，係與該主體的一第一側表面相連接，其中該第一氣體注入模塊包含用於將第一處理氣體注入於該些第一氣體通路之一側中的第一氣體緩衝空間及第二氣體緩衝空間；一第二氣體注入模塊，係與該主體的一第二側表面相連接，該第二側表面位於該第一側表面的相對側，其中該第二氣體注入模塊包含用於將該第一處理氣體注入於該些第一氣體通路之另一側中的該第一氣體緩衝空間及該第二氣體緩衝空間；一第三氣體注入模塊，係與該主體的一第三側表面相連接，其中該第一氣體緩衝空間及該第二氣體緩衝空間用於將第二處理氣體注入於該些第二氣體通路的一側中，該第二處理氣體與該第一處理氣體相同或不相同；以及一第四氣體注入模塊，係與該主體的一第四側表面相連接，該第四側表面位於該第三側表面的相對側，其中該第四氣體注入模塊包含用於將該第二處理氣體注入於該些第二氣體通路的另一側中的該第一氣體緩衝空間及該第二氣體緩衝空間。
  17. 如請求項16所述之氣體分配設備，其中該第一氣體注入模塊至該第四氣體注入模塊分別進一步包含一氣體注入件，該氣體注入件具有複數個氣體注入孔，用於將在該第二氣體緩衝空間中第二次緩衝的相應處理氣體注入至相應的氣體通路中。
  18. 如請求項15所述之氣體分配設備，其中該氣體注入模塊包含：一第一氣體注入模塊，係與該主體的一第一側表面相連接，其中該第一氣體注入模塊包含第一氣體緩衝空間及第二氣體緩衝空間，該第一氣體緩衝空間及該第二氣體緩衝空間用於將第一處理氣體注入於該些第一氣體通路之中的一些第一氣體通路中；一第二氣體注入模塊，係與該主體的一第二側表面相連接，該第二側表面位於該第一側表面的相對側，其中該第二氣體注入模塊包含用於將第二處理氣體注入於該些第一氣體通路之中其餘的第一氣體通路中的該第一氣體緩衝空間及該第二氣體緩衝空間，該第二處理氣體與該第一處理氣體相同或不相同；一第三氣體注入模塊，係與該主體的一第三側表面相連接，其中該第三氣體注入模塊包含該第一氣體緩衝空間及該第二氣體緩衝空間，該第一氣體緩衝空間及該第二氣體緩衝空間用於將與該第二處理氣體相同或不相同的第三處理氣體注入於該些第二氣體通路之中的一些第二氣體通路中；以及一第四氣體注入模塊，係與該主體的一第四側表面相連接，該第四側表面位於該第三側表面的相對側，其中該第四氣體注入模塊包含用於將第四處理氣體注入於該些第二氣體通路之中其餘的第二氣體通路中的該第一氣體緩衝空間及該第二氣體緩衝空間，該第四處理氣體與該第三處理氣體相同或不相同。
  19. 如請求項18所述之氣體分配設備，其中該第一氣體注入模塊至該第四氣體注入模塊分別進一步包含一氣體注入件，該氣體注入件具有複數個氣體注入孔，用於將在該第二氣體緩衝空間中第二次緩衝的相應處理氣體注入至相應的氣體通路中。
  20. 一種基板處理設備，包含：一處理室；一腔室蓋，用於覆蓋該處理室之一頂部；一基板支撐裝置，用於支撐一基板，該基板支撐裝置設置於該處理室的內部；以及一氣體分配裝置，係與該基板支撐裝置面對，該氣體分配裝置與該腔室蓋的一底表面相連接，其中該氣體分配裝置包含如請求項1至9中任意一項所述之氣體分配設備。
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