TWI558838B - 氣體噴灑器以及具有該噴灑器的薄膜沉積裝置 - Google Patents

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Description

氣體噴灑器以及具有該噴灑器的薄膜沉積裝置
本發明示範實施例是有關於一種氣體噴灑器以及具有該噴灑器的薄膜沉積裝置。特別地說，本發明示範實施例是有關於在製造半導體或平面顯示器時所使用的一種氣體噴灑器以及具有該噴灑器的薄膜沉積裝置。
通常來說，薄膜被用於半導體元件的介電材料、液晶顯示器的透明電導體、以及薄膜電致發光顯示元件的保護層。此外，CVD(化學氣相沉積)、ALE(原子層磊晶)、ALS(原子層沉積)等被用做為形成此種薄膜的沉積方法。
通常來說，在腔室中配置基板支撐件及氣體噴灑器以沉積此種薄膜，且藉由透過氣體噴灑器朝著基板支撐件的上表面的所欲處理的基板噴灑氣體來沉積薄膜。
然而，隨著平面顯示器的尺寸變大，由氣體噴灑器所噴灑的氣體不均勻會造成缺陷，因此需要具有均勻噴灑器的薄膜沉 積裝置。
因此，本發明的技術問題是提供能夠解決上述問題的一種氣體噴灑器。
此外，本發明的另一技術問題是提供包括上述氣體噴灑器的一種薄膜沉積裝置。
為了解決上述問題，根據本發明示範實施例的氣體噴灑器包括上部平板及下部平板。上部平板包括多個第一注氣輸入端。下部平板耦接至上部平板以在其之間形成擴散空間，且下部平板包括多個第一氣體噴灑孔以噴灑透過多個第一注氣輸入端注入在擴散空間中的氣體。
較佳地，多個第一注氣輸入端可相對於彼此對稱地配置。
此外，氣體噴灑器可更包括第一管連接結構以將外部氣體注入至多個第一注氣輸入端。本文中，第一管連接結構從將外部氣體注入的第一輸入端至多個第一注氣輸入端的距離相同。
此外，氣體噴灑器可更包括第一連接構件以將上部平板及第一管連接結構耦接，且第一連接構件可將第一管連接結構的第一輸出端耦接至多個第一注氣輸入端。
同時，下部平板可更包括擴散孔及第二氣體噴灑孔。擴散孔橫越第一氣體噴灑孔之間的下部平板的兩側設置。第二氣體噴灑孔將從擴散孔注入的氣體噴灑至下部中。
本文中，上部平板包括多個第二注氣輸入端，多個第二注氣輸入端可連接至擴散孔。
同時，多個第二注氣輸入端對稱地形成在上部平板彼此相對的兩側上。
此外，氣體噴灑器可更包括第二管連接結構用以將外部氣體注入至多個第二注氣輸入端，且第二管連接結構從將外部氣體注入的第二輸入端至多個第二注氣輸入端的距離相同。
此外，氣體噴灑器可附接至上部平板的上表面，且氣體噴灑器更包括將上部平板連接至第二管連接結構的第二連接構件，且第二連接構件可將第一管連接結構的第二輸出端連接至多個第二注氣輸入端。
為了解決上述問題，根據本發明示範實施例的薄膜沉積裝置包括腔室、基板支撐件、以及氣體噴灑器。基板支撐件支撐腔室中的基板。氣體噴灑器從基板支撐件的頂端朝著基板支撐件噴灑氣體。氣體噴灑器包括上部平板及下部平板。上部平板包括相對於彼此對稱地配置的多個第一注氣輸入端。下部平板耦接至上部平板而在其之間形成擴散空間，且下部平板包括多個第一氣體噴灑孔用以噴灑從多個第一注氣輸入端注入在擴散空間中的現 有氣體。
同時，氣體噴灑器更包括第一管連接結構用以將外部氣體注入至第一注氣輸入端，且第一管連接結構從將外部氣體注入的第一輸入端至多個第一注氣輸入端的距離相同。
此外，薄膜沉積裝置更包括在其中將源氣體與載體氣體混合的第一槽、以及在其中混合載體氣體的第二槽，第一槽及第二槽透過能夠調節流速的閥連接至第一管連接結構的輸入端。
此外，下部平板可更包括橫越第一氣體噴灑孔之間的下部平板彼此相對的兩側而設置的擴散孔、以及用以將從擴散孔所注入的氣體噴灑至下部中的第二氣體噴灑孔，且多個第二注氣輸入端連接至擴散孔。
此外，氣體噴灑器更包括第二管連接結構用以將外部氣體注入至多個第二注氣輸入端，第二管連接結構具有從將外部氣體注入的第二輸入端至多個第二注氣輸入端的距離相同的結構。
此外，薄膜沉積裝置更包括在其中混合源氣體及載體氣體的第三槽、以及在其中混合載體氣體的第四槽，第三槽及第四槽透過能夠調整流速的閥連接至第二管連接結構的輸入端。
此外，薄膜沉積裝置可更包括第一槽至第四槽群、第五槽至第八槽群的群組中的至少任一者，其中第一槽及第二槽連接至多個第一注氣輸入端的部分，且源氣體及載體氣體在第一槽中混合及儲存，而載體氣體在第二槽中混合及儲存；第三槽及第四 槽連接至多個第一注氣輸入端剩餘的部分，且源氣體及載體氣體在第三槽中混合及儲存，而載體氣體在第四槽中混合及儲存；第五槽及第六槽連接至多個第二注氣輸入端的部分，且源氣體及載體氣體在第五槽中混合及儲存，而載體氣體在第六槽中混合及儲存；而第七槽及第八槽連接至多個第二注氣輸入端剩餘的部分，且源氣體及載體氣體在第七槽中混合及儲存，而載體氣體在第八槽中混合及儲存。
根據本發明示範實施例，當將氣體噴灑器及薄膜沉積裝置應用至大尺寸基板時，即使是在非經由複雜製程例如輔助擴散空間以使氣體均勻擴散且透過多個擴散注氣輸入端注入至擴散空間的氣體的注入氣體量不多的情況下，氣體噴灑器及薄膜沉積裝置減少氣體在擴散空間中的擴散時間、且在大尺寸基板中形成相對均勻薄膜。
此外，多個第一注氣輸入端相對於彼此對稱地配置，在將氣體透過第一管連接結構注入至第一注氣輸入端，且其中第一管連接結構從將外部氣體注入的第一輸入端至多個第一注氣輸入端具有相同距離的情況下，由於從第一輸入端至多個第一注氣輸入端的移動路徑變得相同，故隨著氣體在同一時點到達擴散空間中的多個點位而形成更均勻的薄膜。
此外，下部平板更包括擴散孔及第二氣體噴灑孔，擴散 孔橫越第一氣體噴灑孔之間的下部平板彼此相對的兩側設置，第二氣體噴灑孔透過第一氣體噴灑孔及第二氣體噴灑孔的每一者噴灑兩種不應該預先混合的氣體。
此外，上部平板包括多個第二注氣輸入端，在多個第二注氣輸入端連接至擴散孔的情況下，由於第一管連接結構及第二管連接結構形成在上部平板的上表面上，故透過上部平板的上表面促進管結構注入氣體是可能的。
此外，多個第二注氣輸入端相對於彼此對稱地排列，在將氣體透過第二管連接結構注入至第二注氣輸入端，且其中從外部氣體注入的第二輸入端至多個第二注氣輸入端為具有相同距離的結構的情況下，由於從第二輸入端至多個第二注氣輸入端的移動路徑變得相同，故隨著氣體在同一時點到達擴散空間中的多個點位而形成更均勻的薄膜。
此外，在將第一管連接結構及第二管連接結構的每一者藉由使用第一連接構件及第二連接構件連接至上部平板的情況下，由於多個注氣輸入端連接至單一管連接結構的輸出端，故簡化管連接結構的形式且易於將管連接結構附接至上部平板是可能的。
此外，與傳統薄膜沉積裝置不相似的是，在附加有輔助載體氣體槽的情況下，藉由增加載氣而提高壓力，故更有效地藉由噴灑氣體噴灑器中的氣體而形成均勻薄膜。
100‧‧‧氣體噴灑器
110‧‧‧上部平板
111、112‧‧‧注氣輸入端
120‧‧‧下部平板
121、122‧‧‧平板
121a、122a‧‧‧孔
123、125‧‧‧氣體噴灑孔
124‧‧‧擴散孔
126‧‧‧橫向擴散空間
130、140‧‧‧管連接結構
131、141‧‧‧輸入端
132、142‧‧‧輸出端
150、160‧‧‧連接構件
151、161‧‧‧水平孔
152、162‧‧‧垂直孔
170、180‧‧‧螺釘
200‧‧‧薄膜沉積裝置
210‧‧‧腔室
220‧‧‧基板支撐件
310、320、330、340‧‧‧槽
GDS‧‧‧擴散空間
S‧‧‧所欲處理的基板
圖1是繪示根據本發明示範實施例的氣體噴灑器的透視圖。
圖2是沿圖1的截線I-I’所截取的截面圖。
圖3是沿圖1的截線II-II’所截取的截面圖。
圖4是圖1的氣體噴灑器的下視圖。
圖5是示意性繪示根據本發明示範實施例的具有氣體噴灑器的薄膜沉積裝置的截面圖。
圖6是繪示根據本發明示範實施例的具有8個注氣輸入端的氣體噴灑器的模擬結果的圖式。
圖7是繪示根據本發明示範實施例的具有16個注氣輸入端的氣體噴灑器的模擬結果的圖式。
圖8是繪示藉由根據圖6的本發明示範實施例的具有8個注氣輸入端的氣體噴灑器所形成的薄膜的模擬厚度結果的圖式。
圖9是繪示藉由根據圖7的本發明示範實施例的具有16個注氣輸入端的氣體噴灑器所形成的薄膜的模擬厚度結果的圖式。
下文參照附圖更完整地描述本發明，附圖中繪示本發明的範例實施例。然而，可使用不同形式來實施本發明，且不應該將本發明視為受限於本文所闡述的範例實施例。取而代之的是， 提供這些範例實施例以使得本揭露將更通透及完整，且這些範例實施例將完整地傳達本發明的範疇給本發明所屬技術領域具有通常知識者。圖式中，為了清楚起見而可能誇飾膜層及區域的尺寸及相對尺寸。
將理解的是，雖然本文可能使用詞彙第一、第二、第三等來描述各種元件、組件、區域、膜層及/或區塊，這些元件、組件、區域、膜層及/或區塊不應該受限於這些詞彙。這些詞彙僅用於區分一個元件、組件、區域、膜層或區塊與另一元件、組件、區域、膜層或區塊。因此，以下所討論的第一元件、組件或區塊可以被稱為第二元件、組件或區塊而不違背本發明的教示。
本文所使用的術語是僅用於描述特殊範例實施例的目的而不傾向於限制本發明。除非上下文中清楚地另外指示，否則本文中所使用的單數形「一」傾向於也包括多數形。更應理解的是，當本說明書中使用詞彙「包括」時，說明所指出的特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件的存在，但不排除其他一個或一個以上的特徵、整數、步驟、操作、元件、組件及/或它們的群組的存在或增加。
除非另外定義，本文所使用的所有詞彙(包括技術詞彙及科學詞彙)具有與本發明所屬技術領域具有通常知識者所通常理解的相同意義。更將理解的是，除非本文中明確地定義，否則例如是通常使用字典中所定義的彼等者應該被解釋為具有它們在相 關技術領域的原文中所具有的相符意義，且將不被解釋為理想化或過度正式的意思。
為了方便起見，相同的元件符號用於完全相同或相似的元件。
下文中，將參照圖式詳細地描述本發明的較佳實施例。
圖1是繪示根據本發明示範實施例的氣體噴灑器的透視圖。圖2是沿圖1的截線I-I’所截取的截面圖，圖3是沿圖1的截線II-II’所截取的截面圖，而圖4是圖1的氣體噴灑器的下視圖。
請參照圖1至圖4，根據本發明示範實施例的氣體噴灑器100包括上部平板110及下部平板120。
上部平板110包括多個第一注氣輸入端111。本文中，多個第一注氣輸入端111可相對於彼此對稱地排列。當多個第一注氣輸入端對稱地排列時，在基板頂端所噴灑的氣體將被均勻地噴灑，且後面將說明的管連接結構130及140可更有效地連接至多個第一注氣輸入端。舉例而言，形成上部平板110的材料可例如是SUS(不銹鋼)。
下部平板120耦接至上部平板以形成在其之間的擴散空間GDS，且下部平板120包括多個第一氣體噴灑孔123用以噴灑透過多個第一注氣輸入端111注入在擴散空間GDS中的現有氣體。舉例而言，多個第一氣體噴灑孔123可以矩陣式形式排列。 此外，相似於上部平板，形成下部平板120的材料可例如是SUS。
下部平板120可透過第二螺釘180耦接至上部平板110。第二螺釘180將上部平板110的外側與下部平板120耦接。
下部平板120包括第一平板121及第二平板122兩平板，且第一平板121及第二平板122透過第一螺釘170彼此耦接。第一平板121包括直徑相對較大的第一孔121a，第二平板122包括直徑相對較小的第二孔122a，且第一孔121a及第二孔122a彼此連接以形成第一氣體噴灑孔123。
依此方式，當透過直徑漸減的第一氣體噴灑孔123將氣體從擴散空間GDS噴灑至下部平板120的反應空間的底部時，將增加氣體噴灑的流速。
依此方式，當下部平板120是由第一平板121及第二平板122兩平板形成時，將易於做到直徑漸增的第一氣體噴灑孔的製程；此外，當下部平板的尺寸因為所欲處理的基板的尺寸增加而增加時，將減少下部平板的中央部分的撓曲(deflection)。然而，與本發明示範實施例不相似的是，下部平板120可形成為單一平板。此外，第一孔121a及第二孔122a的直徑長度可完全相同。
此外，氣體噴灑器100可更包括第一管連接結構130用以將外部氣體注入至多個第一注氣輸入端。本文中，第一管連接結構130從外部氣體注入的第一輸入端131至多個第一注氣輸入端111具有的距離相同。
換句話說，第一管連接結構包括注入外部氣體的第一輸入端131，從第一輸入端至多個第一輸出端132的距離在長度上相同。因此，被注入至第一輸入端131的氣體在同一時點到達多個第一輸出端132，氣體被多點地注入至擴散空間GDS，且因此沉積相對均勻的薄膜。
此外，氣體噴灑器更包括附接在上部平板110的上表面上的第一連接構件150以將上部平板110與第一管連接結構130耦接，第一連接構件150可將多個第一注氣輸入端111連接至單一第一管連接結構130的輸出端132。
基於此原因，第一連接構件150可為例示的桿狀，且第一連接構件150包括經形成為在桿狀水平方向上的第一水平孔151及連接至第一水平孔151的垂直孔152。第一水平孔151連接至第一管連接結構130的第一輸出端132，且多個垂直孔152將第一水平孔151與多個第一注氣輸入端111連接。
舉例而言，可使用SUS形成第一連接構件150，且第一連接構件150透過螺釘耦接至上部平板110的上表面。
同時，在所欲處理的基板上形成薄膜的製程中，在一些情況下，將多種源氣體噴灑至所欲處理的基板的上表面。然而，當多種源氣體相遇時發生反應，且在一些情況下，由於將兩種氣體注入氣體擴散空間GDS時，上述兩種氣體會彼此發生反應，故將其分開噴灑至氣體噴灑器底部與所欲處理的基板之間的反應空 間。
基於此原因，下部平板120可更包括擴散孔124及第二氣體噴灑孔125。
擴散孔124橫越下部平板120彼此相對的兩側設置。第二氣體噴灑孔125將氣體噴灑至擴散孔124進入下部。
更詳細地說，舉例而言，擴散孔124可經形成而橫越下部平板120的第二平板122彼此相對的兩側設置。多個擴散孔124的每一者延伸至第一氣體噴灑孔123以矩陣方式配置的行方向或列方向，第二氣體噴灑孔125的每一者延伸至各擴散孔124的底部，而注入至擴散孔124的氣體被噴灑至反應空間。擴散孔124連接至下部平板120的橫向表面的橫向擴散空間126。如所繪示，多個擴散孔124可連接至橫向擴散空間126。相對於下部平板120的兩側對稱地形成橫向擴散空間126，且橫向擴散空間126連接至經對稱形成的多個擴散孔124。
此外，上部平板110包括相對於上部平板110兩側而對稱形成的多個第二注氣輸入端112，多個第二注氣輸入端112可透過橫向擴散空間126連接至擴散孔124。換句話說，第二注氣輸入端112連接至橫向擴散空間126以將氣體供應至橫向擴散空間126，將注入至橫向擴散空間126的氣體透過第二氣體噴灑孔125噴灑至反應空間。
此外，上部平板110可更包括第二管連接結構140用以 將外部氣體注入至多個第二注氣輸入端112，於第二管連接結構140中，從外部氣體注入的第二輸入端141至多個第二注氣輸入端112可形成為具有相同距離的結構。
換句話說，第二管連接結構140包括注入外部氣體的第二輸入端141及多個第二輸出端142，從一個第二輸入端141算起至多個第二輸出端142的距離長度都相同。因此，注入至第二輸入端141的氣體同時到達多個第二輸出端142，且因此形成相對均勻的薄膜是可能的。
此外，氣體噴灑器100耦接至上部平板110的上表面，且氣體噴灑器100更包括將上部平板110的上表面連接至第二管連接結構140的第二連接構件160，第二連接構件可將第二管連接結構140的輸出端142連接至多個第二注氣輸入端。
基於此原因，第二連接構件160可為例示的桿狀形式，且第二連接構件160可包括在水平方向上形成的第二水平孔161及連接至第二水平孔161的第二垂直孔162。第二水平孔161連接至第二管連接構件140的第二輸出端142，且多個第二垂直孔162將第二水平孔161連接至多個第二注氣輸入端112的各者。
舉例而言，可使用SUS形成第二連接構件160，且第二連接構件160透過螺釘耦接至上部平板110的上表面。
依此方式，在藉由使用第一連接構件150及第二連接構件160將第一管連接結構130及第二管連接結構140各自連接至 上部平板110的上表面的情況下，由於多個注氣輸入端連接至單一管連接結構130及140，故簡化管連接結構130及140、以及易於將管連接結構130及140與上部平板110耦接是可能的。
圖5是示意性繪示根據本發明示範實施例的具有氣體噴灑器的薄膜沉積裝置的截面圖。
請參照圖5，根據本發明示範實施例的薄膜沉積裝置200包括腔室210、基板支撐件220及氣體噴灑器100。
基板支撐件220支撐腔室210中所欲處理的基板S。基板支撐件220經配置以藉由驅動件(未繪示)升起或降低，當所欲處理的基板S載入時為降低狀態，將基板支撐件220升起，且由於基板支撐件220與氣體噴灑器100相隔一特定距離而形成反應空間。
氣體噴灑器100將氣體噴灑至基板支撐件220的上表面中。氣體噴灑器100包括上部平板110及下部平板120。氣體噴灑器的結構如前述，故跳過重複的說明。
同時，第一管連接結構130連接至多個氣體槽。舉例而言，第一管連接結構130連接至第一氣體槽310及第二氣體槽320。相似地，第二管連接結構140連接至多個氣體槽。舉例而言，第二管連接結構140連接至第三氣體槽330及第四氣體槽340。
本文中，第一氣體槽310及第三氣體槽330儲存源氣體及包括載體氣體的混合氣體以傳輸源氣體，第二氣體槽320及第四氣體槽340儲存載體氣體。
氣體槽310、320、330及340的各者透過形成有閥的管而連接至管連接結構130及140。
依此方式，不相似於傳統沉積裝置，在添加有輔助載體氣體槽的情況下，雖然所噴灑的源氣體的量小，但由於藉由增加載體氣體來提高壓力，故更有效地藉由噴灑氣體噴灑器中的氣體形成均勻的薄膜。
換句話說，當基板變得更大時，當少量的源氣體及載體氣體的混合氣體注入時，所欲處理的基板的橫向側及中央部分之間的膜的不平坦將變得更差。本文中，可藉由增加載體氣體的量來形成相對均勻的膜。
同時，雖然未繪示，薄膜沉積裝置可更包括第一槽至第四槽群、第五槽至第八槽群的群組中的至少任一者，其中第一槽及第二槽連接至多個第一注氣輸入端的部分，且源氣體及載體氣體在第一槽中混合及儲存，而具有載體氣體的混合氣體在第二槽中儲存；第三槽及第四槽連接至多個第一注氣輸入端剩餘的部分，且源氣體及載體氣體在第三槽中混合及儲存，而具有載體氣體的混合氣體在第四槽中儲存；第五槽及第六槽連接至多個第二注氣輸入端的部分，且源氣體及載體氣體在第五槽中混合及儲存，而具有載體氣體的混合氣體在第六槽中儲存；而第七槽及第八槽連接至多個第二注氣輸入端剩餘的部分，且源氣體及載體氣體在第七槽中混合及儲存，而具有載體氣體的混合氣體在第八槽 中儲存。
更詳細地說，在圖1至圖3中，第一注氣輸入端111連接至單一管連接結構，此單一管連接結構將儲存源氣體及具有載體氣體的混合氣體的槽與儲存載體氣體的槽連接，第一注氣輸入端111被分為具有相同數目的群組，各群組連接至單一管連接結構，且每一管連接結構連接至儲存源氣體及具有載體氣體的混合氣體的槽。
此外，第二注氣輸入端112可形成為相同的結構。
圖6是繪示根據本發明示範實施例的具有8個注氣輸入端的氣體噴灑器的模擬結果的圖式，而圖7是繪示根據本發明示範實施例的具有16個注氣輸入端的氣體噴灑器的模擬結果的圖式。
請參照圖6至圖7，見到從圖7的16個注氣輸入端所噴灑的氣體相較於從圖6的8個注氣輸入端所噴灑的氣體更均勻是可能的。換句話說，在傳統方法中，當透過氣體噴灑器的中央部分噴灑氣體時，氣體量將遠大於透過橫向側所噴灑的量，但藉由形成多個注氣輸入端且透過多個注氣輸入端注入氣體時，更均勻地噴灑氣體、及藉由增加注氣輸入端的數目來進一步改善均勻性是可能的。
圖8是繪示藉由根據圖6的本發明示範實施例的具有8個注氣輸入端的氣體噴灑器所形成的薄膜的模擬厚度結果的圖 式，而圖9是繪示藉由根據圖7的本發明示範實施例的具有16個注氣輸入端的氣體噴灑器所形成的薄膜的模擬厚度結果的圖式。
請參照圖8至圖9，在各顏色旁的數字為埃(Å)尺寸級。在圖8的案例中，最大厚度是14,653Å、最小厚度是7,535Å、且平均厚度是10,424Å，而在圖9的案例中，最大厚度是10,322Å、最小厚度是9,020Å、且平均厚度是9,464Å。
可見得透過圖8的8個注氣輸入端所沉積的薄膜厚度是不平坦的，但透過圖9的16個注氣輸入端所沉積的薄膜厚度是相對平坦的。因此，可預測在注氣輸入端的數目增加時均勻性得以改善。
根據本發明實施例的氣體噴灑器及薄膜沉積裝置，當其應用至大尺寸基板時，在不需歷經例如是將氣體均勻分布的輔助擴散空間的複雜處理製程，透過分布的多個注氣輸入端將氣體注入擴散空間而減少擴散空間中的氣體擴散時間是可能的。
對本發明所屬技術領域具有通常知識者顯而易見的是，多種改良及變化可用於本發明而不違背本發明的精神與範疇。因此，本發明傾向於涵蓋本發明所提供的改良及變化，且這些改良及變化將落於所附加的申請專利範圍及其相等物中。

Claims (13)

  1. 一種氣體噴灑器，包括：上部平板，包括多個第一注氣輸入端，其中所述多個第一注氣輸入端相對於彼此對稱地配置；下部平板，耦接至所述上部平板以在所述上部平板與所述下部平板之間形成擴散空間，其中所述下部平板包括多個第一氣體噴灑孔，所述多個第一氣體噴灑孔用以噴灑透過所述多個第一注氣輸入端注入在所述擴散空間中的氣體；以及第一管連接結構，用以將外部氣體注入至所述多個第一注氣輸入端，其中從第一輸入端算起的將所述外部氣體注入至所述多個第一注氣輸入端的距離長度相同。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的氣體噴灑器，更包括：第一連接構件，附接在所述上部平板的上表面以將所述上部平板的所述上表面與所述第一管連接結構連接，其中所述第一連接構件將所述第一管連接結構的輸出端連接至所述多個第一注氣輸入端。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的氣體噴灑器，其中所述下部平板更包括：擴散孔，橫越所述第一氣體噴灑孔之間的所述下部平板彼此相對的兩側設置；以及第二氣體噴灑孔，用以將所述擴散孔的氣體注入至下部中。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的氣體噴灑器，其中所述上部 平板包括多個第二注氣輸入端，其中所述多個第二注氣輸入端連接至所述擴散孔。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的氣體噴灑器，其中所述多個第二注氣輸入端對稱地形成在所述上部平板彼此相對的兩側上。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的氣體噴灑器，更包括：第二管連接結構，用以將外部氣體注入至所述多個第二注氣輸入端，其中從第二輸入端算起的將所述外部氣體注入至所述多個第二注氣輸入端的距離長度相同。
  7. 如申請專利範圍第5項所述的氣體噴灑器，更包括：第二連接構件，附接在所述上部平板的上表面以將所述上部平板與連接所述第二管連接結構連接，其中所述第二連接構件將所述第二管連接結構的輸出端連接至所述多個第二注氣輸入端。
  8. 一種薄膜沉積裝置，包括：腔室；基板支撐件，支撐所述腔室中的所欲處理的基板；以及氣體噴灑器，配置在所述基板支撐件上方以將氣體朝著所述基板支撐件噴灑，且其中所述氣體噴灑器包括：上部平板，包括對稱配置的多個第一注氣輸入端；下部平板，耦接至所述上部平板以在所述上部平板與所述下部平板之間形成擴散空間，其中所述下部平板包括第一氣體噴灑 孔，所述第一氣體噴灑孔用以噴灑透過所述多個第一注氣輸入端注入在所述擴散空間中的氣體；以及第一管連接結構，用以將外部氣體注入至所述多個第一注氣輸入端，其中從第一輸入端算起的將外部氣體注入至所述多個第一注氣輸入端的距離長度相同。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的薄膜沉積裝置，更包括：第一槽，儲存具有源氣體及載體氣體的混合氣體；以及第二槽，儲存具有所述載體氣體的混合氣體，且其中所述第一槽及所述第二槽透過調節流速的閥連接至所述第一管連接結構的所述第一輸入端。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的薄膜沉積裝置，其中所述下部平板更包括：擴散孔，橫越所述第一氣體噴灑孔之間的所述下部平板彼此相對的兩側設置；以及第二氣體噴灑孔，用以將注入所述擴散空間中的氣體注入至下部中，且其中所述上部平板包括連接至所述擴散孔的多個第二注氣輸入端。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的薄膜沉積裝置，其中所述氣體噴灑器更包括：第二管連接結構，用以將外部氣體注入至所述多個第二注氣 輸入端，其中從第二輸入端算起將所述外部氣體注入至所述多個第二注氣輸入端的距離長度相同。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的薄膜沉積裝置，更包括：第三槽，儲存具有源氣體及載體氣體的混合氣體；以及第四槽，儲存具有所述載體氣體的混合氣體，且其中所述第三槽及所述第四槽透過調節流速的閥而連接至所述第二管連接結構的所述第二輸入端。
  13. 如申請專利範圍第10項所述的薄膜沉積裝置，更包括第一槽至第四槽群、第五槽至第八槽群的群組中的至少任一者，其中，所述第一槽及所述第二槽連接至所述多個第一注氣輸入端的部分，其中所述源氣體及所述載體氣體在所述第一槽中混合及儲存，且所述載體氣體在所述第二槽中混合及儲存，且所述第三槽及所述第四槽連接至所述多個第一注氣輸入端的剩餘部分，其中所述源氣體及所述載體氣體在所述第三槽中混合及儲存，且所述載體氣體在所述第四槽中混合及儲存；以及所述第五槽及所述第六槽連接至所述多個第二注氣輸入端的部分，其中所述源氣體及所述載體氣體在所述第五槽中混合及儲存，且所述載體氣體在所述第六槽中混合及儲存，且所述第七槽及所述第八槽連接至所述多個第二注氣輸入端的剩餘部分，其中所述源氣體及所述載體氣體在所述第七槽中混合及儲存，且所述 載體氣體在所述第八槽中混合及儲存。
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