CN105143508A - 气体喷涂器和具有该气体喷涂器的薄膜沉积设备 - Google Patents
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- 238000000151 deposition Methods 0.000 title abstract description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title abstract description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 109
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 58
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 336
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 26
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 12
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 8
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 238000003877 atomic layer epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45559—Diffusion of reactive gas to substrate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
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Abstract
本发明公开了一种薄膜沉积设备,包括能够形成均匀的薄膜和减少处理时间的气体喷涂器。这种气体喷涂器包括上板和底板。所述上板包括多个气体注入输入件。所述底板连接到上板以在该底板与该上板之间形式扩散空间,并且包括用于将气体注入所述扩散空间中的第一气体喷涂孔,所述气体通过多个第一气体注入输入件注入。在此,多个第一气体注入输入件相对于彼此对称地布置。
Description
技术领域
本发明的示例性实施例涉及一种气体喷涂器和一种具有该气体喷涂器的薄膜沉积设备。更具体地,本发明的示例性实施例涉及用于制造半导体或平板显示器的一种气体喷涂器和一种具有该气体喷涂器的薄膜沉积设备。
背景技术
通常,薄膜用于半导体元件、液晶显示器的透明导电体以及薄膜电发光显示元件的保护层的电介质材料。另外,CVD(化学气相沉积)、ALE(原子层外延)、ALS(原子层沉积)等用作形成这种薄膜的沉积方法。
通常,基板支撑件和气体喷涂器设置在腔室中以沉积这种薄膜,并且薄膜通过朝向基板喷涂气体来沉积以通过气体喷涂器处理基板支撑件的上表面。然而,随着平板显示器的尺寸变得越来越大,气体喷涂器喷涂的气体不均匀,从而造成缺陷,并且需要一种具有均匀喷涂器的薄膜沉积设备。
发明内容
技术问题
因此,本发明的技术问题是提供一种能够解决这种问题的气体喷涂器。
另外,本发明的另一个技术问题是提供一种包括这种气体喷涂器的薄膜沉积设备。
问题的解决方案
为了解决该问题,根据本发明的一个示例性实施例的气体喷涂器包括上板和底板。所述上板包括多个第一气体注入输入件。所述底板连接到上板以在所述底板与所述上板之间形成扩散空间,并且所述底板包括多个第一气体喷涂孔以将气体喷涂到扩散空间中,所述气体通过多个第一气体注入输入件注入。
优选地,多个第一气体注入输入件可以相对于彼此对称地布置。
另外,气体喷涂器可以还包括用于将外部气体注射到多个第一气体注入输入件的第一管连接结构。在此,从注入外部气体的第一输入件到第一管连接结构的多个第一气体注入输入件的距离具有相同的结构。
另外,气体喷涂器可以还包括用于连接上板和第一管连接结构的第一连接构件,并且第一连接构件可以将第一管连接结构的第一输出件连接到多个第一气体注入件。
同时,底板可以还包括扩散孔和第二气体喷涂孔。扩散孔在第一气体喷涂孔之间穿越底板的两侧。第二气体喷涂孔将注入的气体从扩散孔喷涂到下部中。
在此,上板包括多个第二气体注入输入件,多个第二气体注入输入件可以连接到扩散孔。.
同时,多个第二气体注入输入件对称地形成在上板的两侧,所述两侧彼此相对。
另外,气体喷涂器可以还包括用于将外部气体注射到多个第二气体注入输入件的第二管连接结构,并且注入外部气体的第二输入件到第二管连接结构的多个第二气体注入输入件的距离可以形成相同的结构。
另外,气体喷涂器连接在上板的上表面上,并且还包括将上板连接到第二管连接结构的第二连接构件,并且第二连接构件可以将第一管连接结构的第二输出件连接到多个第二气体注入件。
为了解决该问题,根据本发明的一个示例性实施例的薄膜沉积设备包括腔室、基板支撑件和气体喷涂器。所述基板支撑件将基板支撑在腔室内。气体喷涂器从基板支撑件的顶部朝向基板支撑件喷涂气体。气体喷涂器包括上板和底板。所述上板包括相对于彼此对称地布置的多个第一气体注入输入件。所述底板连接到上板,从而在该底板与该上板之间形成扩散空间,并且所述底板包括用于将现有的气体喷涂在扩散空间中的多个第一气体喷涂孔,所述气体从多个第一气体注入输入件注入。
同时,气体喷涂器还包括用于将外部气体注射到第一气体注入输入件的第一管连接结构,并且从注入外部气体的第一输入件到第一管连接结构的多个第一气体注入输入件的距离可以形成相同的结构。
另外,所述薄膜沉积设备还包括第一罐和第二罐,源气体和载运气体混合在所述第一罐中,载运气体混合在所述第二罐中,所述第一罐和所述第二罐通过能够调节流量的阀连接到第一管连接结构的输入件。
另外,所述底板可以还包括扩散孔和第二气体喷涂孔,所述扩散孔在第一气体喷涂孔之间穿越底板的两侧,所述两侧彼此相对,所述第二气体喷涂孔用于将注入的气体从扩散孔喷涂到下部中,并且多个第二气体注入输入件连接到扩散孔。
另外,气体喷涂器还包括用于将外部气体注射到多个第二气体注入输入件的第二管连接结构,并且注入外部气体的第二输入件到第二管连接结构的多个第二气体注入输入件的距离可以形成相同的结构。
此外,所述薄膜沉积设备还包括第三罐和第四罐,源气体和载运气体混合在所述第三罐中,载运气体混合在所述第四罐中,第三罐和第四罐通过能够调节流量的阀连接到第二管连接结构的输入件。
另外,薄膜沉积设备可以还包括第一至第四罐的组和第五至第八罐的组构成的组中的至少任一个,其中:第一罐和第二罐连接到多个第一气体注入输入件的一部分,在该部分处,源气体和载运气体混合并储存在第一罐中,而载运气体混合并储存在第二罐中;第三罐和第四罐连接到多个第一气体注入输入件的其余部分,在该其余部分处,源气体和载运气体混合并储存在第三罐中,并且载运气体混合并储存在第四罐中;第五罐和第六罐连接到多个第二气体注入输入件的一部分,在该部分处,源气体和载运气体混合并储存在第五罐中,并且载运气体混合且储存在第六罐中;以及第七罐和第八罐连接到多个第二气体注入输入件的其余部分,在该其余部分处,源气体和载运气体混合并储存在第七罐中,并且载运气体混合且储存在第八罐中。
根据本发明的一个示例性实施例,一种气体喷涂器和一种薄膜沉积设备在应用于大尺寸基板时减少扩散空间内的气体扩散时间,并且即使注入的气体的量不多,但通过经由多个扩散气体注入输入件将气体注射到扩散空间也能在大尺寸基板中形成相对均匀的薄膜,而不具有诸如均匀分配气体的辅助扩散空间的复杂处理。
另外,多个第一气体注入输入件相对于彼此对称地布置,在气体通过第一管连接结构被注入第一气体注入输入件的情况下,其中从注入外部气体的第一输入件到多个第一气体注入输入件的距离具有相同的结构,在气体同时到达扩散空间的多个点时由于从第一输入件到多个第一气体注入输入件的运动路径变得相同,因此形成更均匀的薄膜。
另外,所述底板还包括扩散孔和第二气体喷涂孔,所述扩散孔在第一气体喷涂孔之间穿越底板的两侧,所述两侧彼此相对,第二气体喷涂孔喷涂两种气体,这两种气体不会预先通过第一气体喷涂孔和第二气体喷涂孔中的每一个混合。
另外,所述上板包括多个第二气体注入输入件,在多个第二气体注入输入件连接到扩散孔的情况下,由于第一管连接结构和第二管连接结构通过上板的上表面形成在上板的上表面上,因此可以有助于管子结构注射气体。
另外,多个第二气体注入输入件相对于彼此对称地对准,在气体通过第二管连接结构被注入第二气体注入输入件的情况下,其中从注入外部气体的第二输入件到多个第二气体注入输入件的距离具有相同的结构,在气体同时到达扩散空间的多个点时由于从第二输入件到多个第二气体注入输入件的运动路径变得相同,因此形成更均匀的薄膜。
另外,在第一管连接结构和第二管连接结构中的每一个通过使用第一连接构件和第二连接构件连接到上板的情况下,由于多个气体注入输入件连接到单个管连接结构的输出件,因此可以简化管连接结构的形成以及容易将管连接结构连接到上板。
另外,与传统的薄膜沉积设备不同,在增加辅助载运气体罐的情况下,由于通过增加载运气体提高压力,因此通过在气体喷涂器内更有效地喷涂气体形成均匀的薄膜。
附图说明
图1是显示根据本发明的一个示例性实施例的气体喷涂器的立体图;
图2是沿图1的I-I剖面线截得的横截面图;
图3是沿图1的II-II剖面线截得的横截面图;
图4是图1的气体喷涂器的仰视图;
图5是示意性地显示根据本发明的一个示例性实施例的具有气体喷涂器的薄膜沉积设备的剖视图;
图6是显示根据本发明的一个示例性实施例的具有八个气体注入输入件的气体喷涂器的模拟结果的视图;
图7是显示根据本发明的一个示例性实施例的具有十六个气体注入输入件的气体喷涂器的模拟结果的视图;
图8是显示根据图6的本发明示例性实施例的具有八个气体注入输入件的气体喷涂器形成的薄膜的模拟厚度结果的视图;以及
图9是显示根据图7的本发明示例性实施例的具有十六个气体注入输入件的气体喷涂器形成的薄膜的模拟厚度结果的视图。
具体实施方式
本发明在下文中参照附图更充分地说明,附图中显示了本发明的示例实施例。然而,本发明可以具体表现为许多不同的形式且不应该被认为局限于在此陈述的示例实施例。相反地,这些示例实施例被提供使本公开内容全面且完整,并且将充分地将本发明的保护范围传达给本领域的技术人员。在附图中,层和区域的尺寸以及相对尺寸为了清楚可以被放大。
将会理解的是虽然术语第一、第二、第三等在此可以用于描述各种元件、部件、区域、层和/或区段,但是这些元件、部件和/或区段不应该受到这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件、部件、区域、层或区段与另一个区域、层或区段。因此,以下说明的第一元件、部件或区段可以被称为第二元件、部件或区段而不背离本发明的教导。
在此使用的术语仅用于说明具体的示例实施例,而不意指限制本发明。除非上下文另外的清楚地指出,否则在此使用的单数形式“一”、“一个”和“所述”意指同样包括复数形式。进一步明白的是术语“包含”和/或“包括”在用于本说明书中时说明指出的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在,但是不排除存在或增加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合。
除非另外限定,否则在此使用的所有术语(包括技术和学术术语)具有本发明所属领域的技术人员通常理解的相同含义。进一步明白的是除非在此明确限定,否则例如通常使用的词典限定的术语应该被理解为具有与其在相关技术的上下文中的含义相同的含义,而不会被理解为理想化或过度形式化的含义。
为了方便起见,相同的附图标记用于切割已回火的基板的设备和传统设备的相同或相似的元件。
在下文中将参照附图详细说明本发明的优选实施例。
图1是显示根据本发明的一个示例性实施例的气体喷涂器的立体图。图2是沿图1的I-I剖面线截得的横截面图,图3是沿图1的II-II剖面线截得的横截面图,以及图4是图1的气体喷涂器的仰视图。
参照图1-4,根据本发明的一个示例性实施例的气体喷涂器100包括上板110和底板120。
上板110包括多个第一气体注入输入件111。在此,多个第一气体注入输入件111可以相对于彼此对称地对准。当多个第一气体注入输入件对称地对准时,喷射在基板顶部上的气体被均匀地喷涂,另外,稍后将说明的管连接结构130和140可以更有效地连接到多个第一气体注入输入件。例如,上板110可以由诸如SUS的材料形成。
底板120连接到上板以在所述底板与所述上板之间形成扩散空间GDS,并且所述底板包括多个第一气体喷涂孔123,所述多个第一气体喷涂孔用于将现有的气体喷涂在扩散空间GDS中,所述气体通过多个第一气体注入输入件111注入。例如,多个第一气体喷涂孔123可以布置成矩阵形式。另外,底板120可以与上板类似地由诸如SUS的材料形成。
底板120可以通过第二螺钉180连接到上板110。第二螺钉180连接到上板110和底板120的外侧。
底板120包括两个板,第一板121和第二板122,所述两个板通过第一螺钉170互相连接。第一板121包括具有相对较大直径的第一孔121a,第二板122包括具有相对较小直径的第二孔122a,并且第一孔121a和第二孔122a互相连接以形成第一气体喷涂孔123。
这样,当气体经由直径逐渐减小的第一气体喷涂孔123被从扩散空间GDS喷涂到底板120的反应空间的底部时,气体喷涂流量增加。
这样,当底板120形成有两个板(第一板121和第二板122)时,容易完成具有逐渐增加的直径的第一气体喷涂孔的处理,并且当底板的尺寸由于要处理的基板的尺寸增加而增加时,底板的中心部分的偏斜减小。然而,与本发明的所述示例性实施例不同,上板120也可以以单板形成。另外,第一孔121a和第二孔122a的直径在长度上可以相同。
另外,气体喷涂器100可以还包括用于将外部气体注射到多个第一气体注入输入件的第一管连接结构130。在此,从注入外部气体的第一输入件130到第一管连接结构130的多个第一气体注入输入件111的距离具有相同的结构。
换句话说,第一管连接结构包括被注入外部气体的输入件131,从第一输入件到多个第一输出件121的距离在长度上是相同的。因此,注入第一输入件131的气体同时到达多个第一输出件132,气体在多个点处注入扩散空间GDS,因此沉积相对薄的膜。
另外,气体喷涂器还包括连接在上板110的上表面上的第一连接构件150,以连接上板110和第一管连接结构130,第一连接构件150可以将多个第一气体注入输入件111连接到单个第一管连接结构130的输出件132。
为此,第一连接构件150可以例如具有杆形,并且包括形成到杆形的水平方向的第一水平孔151和连接到第一水平孔151的垂直孔152。第一水平孔151连接到第一管连接结构130的第一输出件132,多个垂直孔152连接第一水平孔151和多个第一气体注入输入件111。
例如,第一连接构件150可以使用SUS形成并通过螺钉连接到上板110的上表面。
同时,在要处理的基板上形成薄膜的过程中,在一些情况下,各种源气体被喷涂到要处理的基板的上表面。然而,在遇到各种源气体时出现反应,并且在一些情况下由于在这样的两种气体注入到气体扩散空间GDS时彼此发生反应,因此单独喷涂到气体喷涂器的底部与要处理的基板之间的反应空间。
为此,底板120可以还包括扩散孔124和第二气体喷涂孔125。
扩散孔124穿越底板120的两侧,该两侧彼此相对。第二气体喷涂孔125将气体喷涂到扩散孔124至下部中。
更详细地,例如,扩散孔124可以穿越底板120的第二板122的两侧形成,该两侧彼此相对。多个扩散孔124中的每一个延伸到布置成矩阵形式的第一气体喷涂孔123的行或列的方向,第二气体喷涂孔125延伸到扩散孔124中的每一个的底部,并且注入扩散孔124的气体被喷涂到反应空间。扩散孔124连接到底板120的横向表面的横向扩散空间126。如图所示,多个扩散孔124可以连接到横向扩散空间126。横向扩散空间126对称地形成到与底板120相对的两侧,并且连接到对称形成的多个扩散孔124。
另外,上板110包括对称地形成在与上板110相对的两侧的多个第二气体注入输入件112,多个第二气体注入输入件112可以通过横向扩散空间126连接到扩散孔124。换句话说,第二气体注入输入件112连接到横向扩散空间126以将气体供应到横向扩散空间125,注入横向扩散空间126的气体通过第二气体喷涂孔125被喷涂到反应空间。
另外,上板110可以还包括用于将外部气体注射到多个第二气体注入输入件112的第二管连接结构140,间隔注入外部气体的第二输入件140与多个第二气体注入输入件112,第二管连接结构140可以形成相同的结构。
换句话说,第二管连接结构140包括注入外部气体的第二输入件141、和多个第二输出件142,从一个第二输入件141到多个第二输出件142的距离在长度上是相同的。因此,注入第二输入件141的气体同时到达多个第二输出件,因此可以形成相对均匀的薄膜。
另外,气体喷涂器100连接到上板110的上表面,并且还包括将上板120的上表面连接到第二管连接结构140的第二连接构件160,第二连接构件可以将第二管连接结构140的输出件142连接到多个第二气体注入输入件。
为此,第二连接构件160可以例如具有杆形形式,并且可以包括在水平方向上形成的第二水平孔161和连接到第二水平孔161的第二垂直孔162。第二水平孔161连接到第二管连接构件140的第二输出件142,多个第二垂直孔162将第二水平孔161连接到多个第二气体注入输入件112中的每一个。
例如,第二连接构件160可以使用SUS形成并通过螺钉连接到上板110的上表面。
这样,在第一管连接结构130和第二管连接结构140中的每一个通过使用第一连接构件150和第二连接构件161连接到上板110的上表面的情况下,由于多个气体注入输入件连接到单个管连接结构130和140而可以简化管连接结构130和140的结构,并且容易地连接管连接结构130和140与上板110。
图5是示意性地显示根据本发明的一个示例性实施例的具有气体喷涂器的薄膜沉积设备的剖视图。
参照图5,根据本发明的一个示例性实施例的薄膜沉积设备200包括腔室210、基板支撑件220和气体喷涂器100。
基板200将要处理的基板S支撑在腔室210内。基板支撑件200被构造成通过驱动部件(未示出)升高或下降,当要处理的基板S在下降状态下装载时,基板支撑件升高并由于与气体喷涂器100分离特定距离而因此形成反应空间。
气体喷涂器100将气体喷涂到基板支撑件220的上表面中。气体喷涂器100包括上板110和底板120。气体喷涂器的结构之前已经说明,跳过重复说明。
同时,第一管连接结构130连接到多个气罐。例如,第一管连接结构130连接到第一气罐310和第二气罐320。同样地,第二管连接结构40连接到多个气罐。例如,第二管连接结构130连接到第三气罐330和第四气罐340。
在此,第一气罐310和第三气罐330储存源气体和包括用于输送源气体的载运气体的混合气体,第二气罐320和第四气罐340储存载运气体。
气罐310、320、330和340中的每一个通过形成有阀的管子连接到管连接结构130和140。
这样,与传统的沉积设备不同,在增加辅助载运气体罐的情况下,由于虽然源气体的喷涂量小但通过增加载运气体而提高压力,因此通过在气体喷涂器内更有效地喷涂气体形成均匀的薄膜。
换句话说,当基板变得越大时,要处理的基板的中心部分与横向侧之间的膜的不均匀程度在注入少量的源气体和载运气体的混合气体时变得更差。在此,均匀的膜可以通过增加载运气体的量来形成。
同时,虽然未示出,但是薄膜沉积设备可以还包括第一至第四罐的组、第五至第八罐的组构成的组中的至少任一个,其中:第一罐和第二罐连接到多个第一气体注入输入件的一部分,在该部分处,源气体和载运气体混合并储存在第一罐中,而具有载运气体的混合气体储存在第二罐中;第三罐和第四罐连接到多个第一气体注入输入件的其余部分,在该其余部分处,源气体和载运气体混合并储存在第三罐中,而具有载运气体的混合气体储存在第四罐中;第五罐和第六罐连接到多个第二气体注入输入件的一部分,在该部分处,源气体和载运气体混合并储存在第五罐中,而具有载运气体的混合气体储存在第六罐中;以及第七罐和第八罐连接到多个第二气体注入输入件的其余部分,在该其余部分处,源气体和载运气体混合并储存在第七罐中,而具有载运气体的混合气体储存在第八罐中。
更详细地,在图1-3中,第一气体注入输入件111连接到单个管连接结构,单个管连接结构连接储存源气体和具有载运气体的混合气体的罐与储存载运气体的罐,第一气体注入输入件111被划分成具有相同数量的组,每一组连接到单个管连接结构,并且每一个管连接结构连接到储存源气体和具有载运气体的混合气体的罐。
另外,第二气体注入输入件111可以形成相同的结构。
图6是显示根据本发明的一个示例性实施例的具有八个气体注入输入件的气体喷涂器的模拟结果的视图,图7是显示根据本发明的一个示例性实施例的具有十六个气体注入输入件的气体喷涂器的模拟结果的视图。
参照图6-7,可以看到图7的从十六个气体注入输入件喷涂的气体比从图6的八个气体注入输入件喷涂的气体更均匀。换句话说,在传统方法中,当气体通过气体喷涂器的中心部分喷涂时,气体的量远远多于通过横向侧喷涂的气体量,但是通过形成多个气体注入输入件并通过多个气体注入输入件注入气体可以更均匀地喷涂气体,并且通过增加气体注入输入件的数量提高均匀性。
图8是显示通过根据图6的本发明一个示例性实施例的具有八个气体注入输入件的气体喷涂器形成的薄膜的模拟厚度结果的视图,图9是显示通过根据图7的本发明一个示例性实施例的具有十六个气体注入输入件的气体喷涂器形成的薄膜的模拟厚度结果的视图。
参照图8-9,紧挨着每一种颜色的数字是埃标度。在图8的情况下,最大厚度为14,653,最小厚度为7,535,并且平均厚度为10,424,并且在图9的情况下,最大厚度为10,322,最小厚度为9,020,并且平均厚度为9,464。
可以看到通过图8的八个气体注入输入件沉积的薄膜的厚度不均匀,但是通过图9的十六个气体注入输入件沉积的薄膜的厚度相对均匀。因此,可预测在气体注入输入件的数量增加时提高了均匀性。
根据本发明的一个实施例的气体喷涂器及薄膜沉积设备,当该设备应用到大尺寸基板时,通过经由多个气体注入输入件将气体注入扩散空间可以减少气体在扩散空间内的扩散时间,而不需要处理复杂过程,例如用于均匀地分配气体的辅助扩散空间。
对本领域的技术人员显而易见的是在不背离本发明的精神或保护范围的情况下可以对本发明做出各种变型和改变。因此,这表示本发明涵盖归入所附权利要求及其等效形式的保护范围内提供的本发明的变型和改变。
<附图标记说明>
100:气体喷涂器
110:上板
111:第一气体注入输入件
112:第二气体注入输入件
120:底板
121:第一板
121a:第一孔
122:第二板
122a:第二孔
123:第一气体喷涂孔
124:扩散孔
125:第二气体喷涂孔
126:横向扩散空间
130:第一管连接结构
131:第一输入件
132:第一输出件
140:第二管连接结构
141:第二输入件
142:第二输出件
150:第一连接构件
151:第一水平孔
152:第一垂直孔
160:第二连接构件
161:第二水平孔
162:第二垂直孔
170:第一螺钉
180:第二螺钉
200:薄膜沉积设备
210:腔室
220:基板支撑件
310:第一气罐
320:第二气罐
330:第三气罐
340第四气罐
GDS:气体扩散空间
S:要处理的基板
Claims (16)
1.一种气体喷涂器,包括:上板,所述上板包括多个第一气体注入输入件;和底板,所述底板连接到所述上板以在所述底板与所述上板之间形成扩散空间,其中所述底板包括多个第一气体喷涂孔,所述多个第一气体喷涂孔用于将气体喷涂在所述扩散空间中,所述气体经由所述多个第一气体注入输入件注入。
2.根据权利要求1所述的气体喷涂器,其中,所述多个第一气体注入输入件相对于彼此对称地布置。
3.根据权利要求2所述的气体喷涂器,还包括:第一管连接结构,所述第一管连接结构用于将外部气体注射到所述多个第一气体注入输入件,其中从注入外部气体的第一输入件到所述多个第一气体注入输入件的距离在长度上是相同的。
4.根据权利要求1所述的气体喷涂器,还包括:第一连接构件,所述第一连接构件连接在所述上板的上表面上以连接所述上板的所述上表面和所述第一管连接结构,其中所述第一连接构件将所述第一管连接结构的输出件连接到多个第一气体注入输入件。
5.根据权利要求1所述的气体喷涂器,其中,所述底板还包括:扩散孔,所述扩散孔在所述第一气体喷涂孔之间穿越所述底板的两侧,所述两侧彼此相对;和第二气体喷涂孔,所述第二气体喷涂孔用于将所述扩散孔的气体注入下部中。
6.根据权利要求5所述的气体喷涂器,其中,所述上板包括多个第二气体注入输入件,其中所述多个第二气体注入输入件连接到所述扩散孔。
7.根据权利要求7所述的气体喷涂器,其中,所述多个第二气体注入输入件对称地形成在所述上板的两侧,所述两侧彼此相对。
8.根据权利要求7所述的气体喷涂器,还包括:第二管连接结构,所述第二管连接结构用于将外部气体注射到所述多个第二气体注入输入件,其中从注入外部气体的第二输入件到所述多个第二气体注入输入件的距离在长度上是相同的。
9.根据权利要求7所述的气体喷涂器,还包括:第二连接构件,所述第二连接构件连接在所述上板的上表面上以连接所述上板和所述第二管连接结构,其中所述第二连接构件将所述第二管连接结构的输出件连接到所述多个第二气体注入输入件。
10.一种薄膜沉积设备,包括:腔室;基板支撑件,所述基板支撑件将要处理的基板支撑在所述腔室内;和气体喷涂器,所述气体喷涂器设置在所述基板支撑件上以朝向所述基板支撑件喷涂气体,以及其中,所述气体喷涂器包括:上板,所述上板包括对称地布置的多个第一气体注入输入件;和底板,所述底板连接到所述上板以在所述底板与所述上板之间形成扩散空间,其中所述底板包括第一气体喷涂孔,所述第一气体喷涂孔用于将气体喷涂在所述扩散空间中,所述气体经由所述多个第一气体注入输入件注入。
11.根据权利要求10所述的薄膜沉积设备,其中,所述气体喷涂器还包括用于将外部气体注射到所述多个第一气体注入输入件的第一管连接结构,其中从注入外部气体的第一输入件到所述多个第一气体注入输入件的距离在长度上是相同的。
12.根据权利要求11所述的薄膜沉积设备,还包括:第一罐,所述第一罐储存具有源气体和载运气体的混合气体;和第二罐,所述第二罐储存具有载运气体的混合气体,以及其中,所述第一罐和所述第二罐通过阀连接到所述第一管连接结构的第一输入件,其中通过所述阀调节流量。
13.根据权利要求10所述的薄膜沉积设备,其中,所述底板还包括:
扩散孔,所述扩散孔在所述第一气体喷涂孔之间穿越所述底板的两侧,所述两侧彼此相对;和第二气体喷涂孔,所述第二气体喷涂孔用于将注入所述扩散空间中的气体注射到下部中,以及其中,所述上板包括连接到所述扩散孔的多个第二气体注入输入件。
14.根据权利要求13所述的薄膜沉积设备,其中,所述气体喷涂器还包括:第二管连接结构,所述第二管连接结构用于将外部气体注射到所述多个第二气体注入输入件,其中从注入外部气体的第二输入件到所述多个第二气体注入输入件的距离在长度上是相同的。
15.根据权利要求14所述的薄膜沉积设备,还包括:第三罐,所述第三罐储存具有源气体和载运气体的混合气体;和第四罐,所述第四罐储存具有载运气体的混合气体,以及其中,所述第三罐和所述第四罐通过阀连接到所述第二管连接结构的第二输入件,其中通过所述阀调节流量。
16.根据权利要求13所述的薄膜沉积设备,还包括第一罐到第四罐的组或者第五罐到第八罐的组构成的组中的任一个,其中:
所述第一罐和所述第二罐连接到所述多个第一气体注入输入件的一部分,在所述多个第一气体注入输入件的该部分中,源气体和载运气体混合并储存在所述第一罐中,并且载运气体混合并储存在所述第二罐中,所述第三罐和所述第四罐连接到所述多个第一气体注入输入件的其余部分,在所述多个第一气体注入输入件的该其余部分中,源气体和载运气体混合并储存在所述第三罐中,并且载运气体混合且储存在所述第四罐中;以及
所述第五罐和所述第六罐连接到所述多个第二气体注入输入件的一部分,在所述多个第二气体注入输入件的该部分中,源气体和载运气体混合并储存在所述第五罐中,并且载运气体混合且储存在所述第六罐中,所述第七罐和所述第八罐连接到所述多个第二气体注入输入件的其余部分,在所述多个第二气体注入输入件的该其余部分中,源气体和载运气体混合并储存在所述第七罐中,并且载运气体混合且储存在所述第八罐中。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2013-0054139 | 2013-05-14 | ||
KR1020130054139A KR101467195B1 (ko) | 2013-05-14 | 2013-05-14 | 가스 분사기 및 이를 포함하는 박막 증착 장치 |
PCT/KR2014/002256 WO2014185626A1 (en) | 2013-05-14 | 2014-03-18 | Gas sprayer and thin film depositing apparatus having the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105143508A true CN105143508A (zh) | 2015-12-09 |
Family
ID=51898572
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201480021954.9A Pending CN105143508A (zh) | 2013-05-14 | 2014-03-18 | 气体喷涂器和具有该气体喷涂器的薄膜沉积设备 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20160053374A1 (zh) |
KR (1) | KR101467195B1 (zh) |
CN (1) | CN105143508A (zh) |
TW (1) | TWI558838B (zh) |
WO (1) | WO2014185626A1 (zh) |
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JP6193284B2 (ja) * | 2015-03-18 | 2017-09-06 | 株式会社東芝 | 流路構造、吸排気部材、及び処理装置 |
KR102417934B1 (ko) | 2015-07-07 | 2022-07-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 장치 |
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2013
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2014
- 2014-03-18 WO PCT/KR2014/002256 patent/WO2014185626A1/en active Application Filing
- 2014-03-18 CN CN201480021954.9A patent/CN105143508A/zh active Pending
- 2014-03-18 US US14/779,595 patent/US20160053374A1/en not_active Abandoned
- 2014-03-26 TW TW103111149A patent/TWI558838B/zh not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20140134391A (ko) | 2014-11-24 |
US20160053374A1 (en) | 2016-02-25 |
TW201445003A (zh) | 2014-12-01 |
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KR101467195B1 (ko) | 2014-12-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20151209 |