CN101481797A - 气体注入单元和具有气体注入单元的薄膜沉积设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种气体注入单元和具有所述气体注入单元的薄膜沉积设备。由于多种不同种类的有机材料可按顺序气化并由单一注入单元注入，因此多种不同种类的薄膜可在单一腔室中沉积。此外，可容易地控制所述注入器单元的气体注入结构。因此，即使当诸如衬底大小、所述腔室的工艺温度等工艺条件改变时，也可通过仅更换某些零部件而不是更换整个注入器单元而有效地响应于改变的工艺条件。

Description

气体注入单元和具有气体注入单元的薄膜沉积设备
技术领域
本发明涉及一种气体注入单元和具有所述气体注入单元的薄膜沉积设备，且更特定来说涉及一种经配置以在将有机材料气化之后注入有机材料的气体注入单元以及具有所述气体注入单元的薄膜沉积设备。
背景技术
大体上，有机发光装置(OLED)是使用有机发光材料的性质来显示所需图像的显示装置，所述有机发光材料在被施加电压时是自发射性的。OLED经基本构造以使得一对透明且相反的电极堆叠在玻璃衬底上且有机薄膜插入于电极之间。这里，有机薄膜是通过堆叠空穴注入层、空穴承载层、发光层以及电子承载层而形成，以承载电极和空穴并发光。
不同于无机材料，用于形成有机薄膜的有机材料不需要高蒸气压力，且容易在高温下溶解和变质。通过有机材料的这种性质，在相关技术中，通过在由钨形成的壶中装填有机材料并气化有机材料的过程在衬底上沉积有机薄膜。然而近年来，由于在执行所述过程中存在限制，例如壶中可储存的沉积材料量的限制，因此已使用具有加热器的注入器。有机材料被供应到注入器并通过加热器气化，然后注入器将气化的有机材料注入到衬底。
然而，OLED的各种堆叠薄膜中的每一者是通过气化不同有机材料的粉末而沉积。因此，用于制造OLED的相关技术方法包含通过供应管将第一有机材料供应到注入器，将所供应的第一有机材料气化，以及将第一有机材料注入到玻璃衬底以沉积薄膜，然后将第二有机材料供应到注入器，将第二有机材料气化，以及注入第二有机材料以在先前形成的薄膜上沉积另一薄膜。重复这些过程以相互堆叠其它薄膜。因此，先前使用的有机材料保留在供应管中且因此当前有机材料与先前使用的有机材料混合并被注入。因此，由于无法沉积所要薄膜而存在限制。
同时，安置在腔室中的注入器具有面向衬底的下表面。下表面近似平坦且具备朝向衬底开放的多个注入孔，且因此注入器在垂直于衬底平面的方向上注入气化的材料。
然而，需要根据情况控制注入器的注入结构。举例来说，当例如衬底大小或薄膜种类等的工艺环境改变时，需要改变注入器的注入结构以按原样使用当前处理设备或实现最佳产量。此外，还需要改变注入器的注入结构以恢复注入器结构由于腔室内部温度而导致的变形。然而，相关技术注入器具有固定在初始状态的注入器结构，且因此不可改变或控制注入结构。因此，由于当工艺环境改变时必须完全改变设备而存在限制。
发明内容
本发明提供一种经配置以在单一腔室中使用不同有机材料沉积不同种类薄膜的气体注入单元以及具有所述气体注入单元的薄膜沉积设备。
本发明还提供一种气体注入单元，其适合于通过控制所述气体注入单元的气体注入结构来有效地响应于改变的工艺条件；和具有所述气体注入单元的薄膜沉积设备。
根据示范性实施例，气体注入单元包含：供应管单元，其具有多个供应管，不同材料被供应到所述多个供应管；以及注入器单元，其连接到所述供应管单元，且具备与所述供应管连通的通路以及与所述通路连通并注入气体的一个或一个以上注入孔，其中至少一个热传递部件提供在所述通路上。
将所述材料气化的加热单元可提供于所述注入器单元中。
所述热传递部件可包含网格或球。
所述注入器单元可包含：第一板，用于上下移动和旋转的驱动轴提供于所述第一板的顶表面处；第二板，其具备与所述供应管单元的供应通路连通的通路；以及第三板，与所述通路连通的所述注入孔提供于所述第三板的下表面处，其中所述第一、第二和第三板顺序堆叠。
根据另一示范性实施例，气体注入单元包含：供应管单元，其具有供应管，沉积材料被供应到所述供应管；以及注入器单元，其连接到所述供应管单元，且具备与所述供应管连通的通路以及与所述通路连通并注入气体的一个或一个以上注入孔，其中所述注入器单元包含上部主体和耦合到所述上部主体的下部主体，且所述上部和下部主体由具有不同热膨胀系数的不同材料形成。
所述上部和下部主体可由不锈钢(SUS)、铝和铜中的一者形成。
将所述沉积材料气化的加热单元可提供于所述注入器单元中。
用于上下移动和旋转的驱动轴可提供于所述上部主体的顶表面处，且与所述供应管单元的所述供应管连通的通路可提供于所述上部主体中；且与所述通路连通的所述注入孔可提供于所述下部主体的下表面处。
根据又一示范性实施例，气体注入单元包含：供应管单元，其具有供应管，沉积材料被供应到所述供应管；以及注入器单元，其连接到所述供应管单元，且具备与所述供应管连通的通路以及与所述通路连通并注入气体的一个或一个以上注入孔；以及变形控制板，其耦合到所述注入单元的上面形成所述注入孔的一个表面，且由具有与所述注入器单元不同的热膨胀系数的金属形成。
所述注入器单元和所述变形控制板可由不锈钢(SUS)、铝和铜中的一者形成。
所述变形控制板可形成于所述注入器单元所述一个表面的一部分或全部上。
所述变形控制板可具备对应于相应注入孔的在垂直方向上穿孔的第二注入孔。
经配置以气化所述沉积材料的加热单元可提供于所述注入器单元中。
根据又一示范性实施例，薄膜沉积设备包含：腔室，其提供沉积空间；衬底支撑基底，其安置在所述腔室中且经配置以支撑衬底；以及气体注入单元，其面向所述衬底支撑单元而安置，其中所述气体注入单元包含：供应管单元，其具有供应管，沉积材料被供应到所述供应管；以及注入器单元，其连接到所述供应管单元，且具备与所述供应管连通的通路以及与所述通路连通并注入气体的一个或一个以上注入孔，其中至少一个热传递部件提供在所述通路上。
所述供应管可提供为多个，使得分别向其供应不同的沉积材料，且所述通路与所述供应管连通。
所述注入器单元可包含上部主体和耦合到所述上部主体的下部主体，且所述上部和下部主体由具有不同热膨胀系数的不同材料形成。
所述上部和下部主体可由不锈钢(SUS)、铝和铜中的一者形成。
薄膜沉积设备可进一步包含变形控制板，所述变形控制板耦合到所述注入单元的上面形成所述注入孔的一个表面，且由具有与所述注入器单元不同的热膨胀系数的金属形成。
所述注入器单元和所述变形控制板可由不锈钢(SUS)、铝和铜中的一者形成。
附图说明
从以下结合附图阅读的描述可更详细了解示范性实施例，其中：
图1是根据示范性实施例的薄膜沉积设备的示意图；
图2是根据示范性实施例的气体注入单元的分解透视图；
图3是根据图2实施例的气体注入单元的部分截面透视图；
图4是图2和图3的气体注入单元的经修改实例的主要部分的透视图；
图5是图2和图3的气体注入单元的另一经修改实例的主要部分的透视图；
图6是根据另一示范性实施例的薄膜沉积设备的示意图；
图7是根据图6的实施例的气体注入单元的分解透视图；
图8和图9是说明图7的气体注入单元根据热膨胀的变形状态的示意图；以及
图10是根据另一示范性实施例的气体注入单元的分解透视图。
具体实施方式
下文中，将参看附图详细描述特定示范性实施例。然而本发明可以不同形式实施，且不应解释为限于本文陈述的实施例。而是，提供这些实施例以使得本发明将为详尽且完整的，且将本发明的范围完全传达给所属领域的技术人员。相同参考标号始终指代相同元件。
<实施例1>
图1是根据示范性实施例的薄膜沉积设备的示意图。
参看图1，薄膜沉积设备包含腔室100、安置在腔室100中的气体注入单元200，以及面向气体注入单元200并支撑例如半导体晶片或玻璃衬底的衬底G的衬底支撑基底300。
腔室100以圆柱形形状形成，但形状可根据半导体晶片或玻璃衬底(下文称为衬底)的形状而变化。腔室具有闭合顶部和闭合底部以及其中安置气体注入单元200和衬底支撑基底300的预定空间。在此点，尽管图1未图示，但可在腔室100的侧壁上形成衬底G进出所通过的门(未图示)。可在腔室100的底部上提供排放单元(未图示)以从腔室100排放出气体。尽管对具有闭合顶部和底部的腔室100进行了描述，但腔室100可划分为下部腔室和腔室盖。
门(未图示)形成于腔室100的侧面上以导引衬底G从腔室100进出。在此点，可在腔室100的相反侧面上进一步形成另一门。另外，排放单元(未图示)安置在腔室100下方以排放在腔室100外的沉积期间产生的反应副产物和气体。或者，除了腔室100下方的部分，排放单元可形成于腔室的侧壁上。或者，可提供多个排放单元。
气体注入单元200用于将从腔室100的外部侧供应的例如有机粉末的沉积材料注入到衬底G。在此实施例中，气体注入单元200采用注入器类型。此气体注入单元200包含具有用以供应不同材料的多个供应管的供应管单元210，以及具备多个注入孔251和与注入孔251连通的通路241的注入器单元220。在此点，在供应管单元210与注入器单元220之间的连接部分上提供密封单元280。密封单元可以是圆柱形磁性密封件。
供应管单元210具有一个主供应管211和安置在主供应管211中以供应不同材料的多个子供应管213。在此点，子供应管213连接到供应不同材料且安置在腔室100外部侧处的相应的材料供应单元217，以充当用以供应不同材料的通路。此外，子供应管213进一步连接到相应的气体供应管(未图示)，所述气体供应管连接到安置在腔室100外部侧处的惰性气体供应源(未图示)。气体供应管独立地供应惰性气体到相应的子供应管213。
在此点，供应管单元210(即，主供应管211)穿过腔室100的顶部而安装，且注入器单元220连接到主供应管211的一端，使得形成于注入器单元220中的通路241与子供应管213连通。显然供应管单元210不限于图1说明的结构。任何结构将是可能的，只要其可向注入器单元220的通路241独立地供应不同材料。举例来说，供应管单元210可经配置以使得独立地供应不同材料的子供应管连接到注入器单元220的一侧以与通路241连通。
通路241形成于注入器单元220中，且注入孔251提供于注入器单元220的底部。注入孔251与通路241连通。用于气化沉积材料的加热单元260提供于注入器单元220。因此，通过供应管单元210顺序供应的不同材料通过加热单元260得以气化并被注入通过注入孔251，从而沉积在衬底G上。
下文将更详细描述气体注入单元200。
衬底支撑基底300以对应于衬底G形状的形状形成。驱动部件(未图示)连接到衬底支撑基底300的下部以在垂直方向上移动衬底支撑基底300或旋转衬底支撑基底300。这里，一个或一个以上衬底G可安置在衬底支撑基底300上。此外，用于移动和旋转衬底支撑基底300的驱动部件以单一单元形成。然而，驱动部件可划分为两个不同单元以用于分别移动和旋转衬底支撑基底300。
此外，衬底支撑基底300可具备用于加热衬底G的衬底加热单元(未图示)。也就是说，衬底加热单元向落座于衬底支撑基底300上的衬底G施加热以提供沉积所需的所要温度。这里，可在衬底支撑基底300中提供核心加热器作为衬底加热单元。或者，单独的灯可连接到衬底支撑基底300的下表面以加热上面落座衬底G的衬底支撑基底300。
图2是根据示范性实施例的气体注入单元的分解透视图，且图3是根据图2实施例的气体注入单元的部分截面透视图。
参看图2和3，气体注入单元200包含供应管单元210，不同粉末独立地被供应到所述供应管单元210；以及注入单元220，其连接到供应管单元210的端部并在将粉末气化之后注入粉末。
如先前描述，供应管单元210包含一个供应管211和多个子供应管213，所述多个子供应管213具有相同横截面积且安置在供应管211中以独立地供应不同材料和惰性气体。显然气体注入单元200不限于以上配置。举例来说，提供一个供应管211且通过隔板划分供应管211的内部以界定多个供应通路。
注入器单元220将从供应管单元210供应的沉积材料气化，并朝向衬底G注入气化的材料。注入器单元220具有划分为彼此堆叠的第一、第二和第三板230、240和250的主体。
用于上下移动和旋转的驱动轴231提供于第一板230的顶表面上。驱动轴231穿过腔室100的顶部安装，且供应管单元210插入驱动轴231中。在此点，在驱动轴231与供应管单元210之间提供例如磁性密封件的密封单元280，以通过在供应管单元210固定的情况下旋转驱动轴231来旋转注入器单元220。用于在垂直方向上移动注入器单元220和旋转注入器单元220的驱动部件(未图示)连接到驱动轴231。用于移动和旋转衬底支撑基底300的驱动部件以单一单元形成。然而，驱动部件可划分为两个不同单元以用于分别移动和旋转衬底支撑基底300。
第二板240具备与供应管单元的供应通路(或子供应管)的端部连通的通路241。供应的沉积材料沿着通路241流动。在此点，供应通路(或子供应管)延伸到通路241以与通路241直接连通并因此防止沉积材料沉积在例如密封单元280的其它组件上。
用于将沿着通路241流动的沉积材料气化的加热单元260毗邻于通路241而提供。可将温度增加到沉积材料可被气化的水平的任何种类的加热装置均可用作加热单元260。举例来说，核心加热器或灯加热器可用作加热单元。此外，加热单元260的安装位置没有特定限制。然而，加热单元260可安置在通路241下方。
通路241可加长到足以将沿着其中流动的沉积材料气化。为了防止沉积材料朝向供应管单元210回流，通路241具有比供应管单元210中提供的供应通路(子供应管)大的横截面积。举例来说，通路241的横截面积可以是供应通路(子供应管)的横截面积的140％或更大。
可在通路241中提供一个或一个以上热传递部件271和273，使得沉积材料可尽可能多地接收能量(热量)。
图4是图2和图3的气体注入单元的经修改实例的主要部分的透视图，且图5是图2和图3的气体注入单元的另一经修改实例的主要部分的透视图。如图所示，热传递部件可由网格271或球273形成。
在注入器单元220中流动的沉积材料在通过由加热单元260供应的热量加热的通路241内部时被气化。在此点，沉积材料在接触通路241的内壁时候接收热量。在此点，当构成热传递部件的网格271或球273提供于通路241中时，热传递面积(通过热传递面积沉积材料可在接触网格271或球273时接收热量)增加且因此气化速率增加。也就是说，在通路中流动的沉积材料可通过热传递部件271和273稳定地被气化。球273可由陶瓷或金属形成。举例来说，球273可由陶瓷形成以防止由于球273之间的接触而产生杂质。
网格271限于特定配置。也就是说，网格271可具有规则或不规则图案或晶格结构。球273也不限于特定形状。也就是说，球273以随机形状(即多种多面体形状)形成。
网格271和球273可同时或单独使用，且网格271和球273的数目和安装位置没有特定限制，但可取决于沉积材料种类和工艺条件而变化。
第二板240的通路241延伸到第三板250且注入气化的材料的注入孔251形成于通路241的后端上。
尽管注入器单元220划分为第一、第二和第三板230、240和250以容易地形成驱动轴231、通路241和注入孔251，但注入器单元220不限于此配置。注入器单元220可以单片主体形成，只要其可形成驱动轴231、241和251。
此外，尽管注入器单元220以棒类型的形式提供，但任何类型是可能的，只要其可形成驱动轴231、通路241和注入孔251。举例来说，注入器单元220可对应于衬底支撑基底300的形状和腔室100内部的形状而以圆盘类型形成。
下文将描述使用实施例的薄膜沉积设备的薄膜沉积方法。
首先，当一个或一个以上衬底G落座于腔室100中的衬底支撑基底300上时，从材料供应单元217中的一者将作为沉积材料的第一有机粉末供应到子供应管213中的对应一者。在此点，未选择的子供应管213被供以惰性气体以防止正在供应的有机粉末回流。供应的有机粉末通过注入器单元220的通路241。在此点，通路241中的第一有机粉末通过毗邻于通路241安置的加热单元260产生的热量而被气化。气化的有机粉末通过通路241和注入孔25而注入到衬底G，从而在衬底G上形成第一有机薄膜。
当有机薄膜形成于衬底G上时，停止有机粉末的供应，且通过向子供应管213供应惰性气体(清洗气体)进行用于排放保留在有机粉末气化空间中的第一有机粉末的清洗过程。在清洗过程之后，从材料供应单元217中的另一者向子供应管214中的另一者供应第二有机粉末。与上文类似，未选择的子供应管213被供以惰性气体以防止正在供应的有机粉末回流。类似于第一有机粉末，第二有机粉末在通过通路241时被气化并通过各注入孔251而注入到衬底G，从而在形成于衬底G上的第一有机薄膜上形成第二有机薄膜。其它有机膜通过上述过程形成于彼此之上。显而易见，还将执行用于排放先前供应的剩余有机粉末的清洗过程以及用于排放保留在腔室100中的惰性气体的气体排放过程。
将用于注入沉积材料的过程和用于清洗沉积材料气化空间的过程重复进行对应于沉积材料数目的次数，且因此可在腔室100中的衬底G上形成不同的有机薄膜。
<实施例2>
下文将描述根据其它实施例的薄膜沉积设备。在此点，将不描述与先前实施例的部分相同的部分，且相同参考标号将用于指代相同部分。
图6是根据另一示范性实施例的薄膜沉积设备的示意图。
参看图6，薄膜沉积设备包含腔室100、安置在腔室100中并支撑衬底G的衬底支撑基底300，以及面向衬底支撑基底300安置的气体注入1200。
气体注入单元1200用于将从安置在腔室100的外部侧处的材料供应单元217供应的沉积材料注入到衬底G。气体注入单元1200以注入器类型的形式提供，其中有机材料以粉末形式供应，且所述气体注入单元1200将供应的材料气化并在旋转时注入气化的材料。此气体注入单元1200包含供应管单元1210，其具有供应管1211，材料被供应到所述供应管1211；以及注入器单元1220，其从供应管单元1210接收沉积材料并在将沉积材料气化之后注入沉积材料。在此点，在供应管单元210与注入器单元220之间的连接部分上提供密封单元1280。密封单元1280可以是圆柱形磁性密封件。
至少一个供应管1211安置在供应管单元1210中。供应管1211的第一端连接到安置在腔室100外部侧的材料供应单元1217以从材料供应单元1217接收沉积材料。此外，供应管1211还可连接到安置在腔室100外部侧处的惰性气体供应单元(未图示)以从惰性气体供应单元(未图示)接收惰性气体。供应惰性气体以排放在薄膜工艺完成之后保留在气化空间中的沉积材料。同时，供应管单元1210穿过腔室100的顶部安装，且具有第一端，所述第一端连接到注入器单元1220以将形成于注入器单元1220中的通路1241与提供于供应管单元1210中的供应管1211连通。
注入器单元1220在其内部具备通路1241且在其下表面具备注入孔1251。注入孔1251与通路1241连通。此外，用于将沉积材料气化加热单元1260提供于注入器单元1220中。因此，供应到通路1241的沉积材料通过加热单元1260被气化并通过注入孔1251注入到衬底G以沉积在衬底G上。特定来说，注入器单元1220具有由具有不同热膨胀系数的不同金属形成的上部部分和下部部分。这将导致注入器的注入平面根据温度变化而变形。因此，气化的沉积材料的注入方向可控制在预定范围内。下文将参看附图更详细描述注入器单元1220。
图7是根据图6的实施例的气体注入单元的分解透视图，且图8和图9是说明图7的气体注入单元根据热膨胀的变形状态的示意图。
参看图7，注入器单元1220包含上部板(第一板)1230、在上部板(第一板)1230下方的下部板(第三板)1250，以及安置在上部板1230与下部板1250之间的加热板(第二板)1240。下部板1250、加热板1240和上部板1230以此次序彼此堆叠，且在其边缘处通过螺钉1291彼此耦合。显而易见，其可通过焊接彼此耦合。
驱动轴1231提供于第一板1230的顶表面上。驱动轴1231穿过腔室100的顶部安装，且供应管单元1210插入驱动轴1231中。在此点，在此点，例如磁性密封件的密封单元1280提供于驱动轴1231与供应管单元1210之间，以通过在供应管单元1210固定的情况下旋转驱动轴1231来旋转注入器单元1220。用于在垂直方向上移动注入器单元1220和旋转注入器单元1220的驱动部件(未图示)可连接到驱动轴1231。用于移动和旋转注入器单元1220的驱动部件以单一单元形成。然而，驱动部件可划分为两个单独单元以分别移动和旋转注入器单元1220。
第二板1240具备与供应管单元1210的供应管1211的端部连通的通路1241。在此点，供应管1211延伸到通路1241以与通路1241直接连通并因此防止沉积材料沉积在例如密封单元1280的其它组件上。用于将沿着通路1241流动的沉积材料气化的加热单元(未图示)埋入第二板1240中。可将温度增加到沉积材料可被气化的水平的任何种类的加热装置均可用作加热单元。举例来说，核心加热器或灯加热器可用作加热单元。显而易见，加热单元可毗邻于通路1241而不是埋入第二板1240中而安置。通路1241可加长到足以将沿着其中流动的沉积材料气化。因此，在注入器单元1220中流动的沉积材料在通过由加热单元1260加热的通路1241时被气化。
第二板1240的通路1241延伸到第三板1250且注入气化的材料的注入孔1251形成于通路1241的后端。注入孔1251朝向衬底开放，且相对于衬底的整个区域均匀分布。
同时，安置在第三板1250上方的第一和第二板1230和1240可由第一金属形成，且第三板1250可由热膨胀系数与第一金属不同的第二金属形成。在此点，第一和第二板1230和1240可具有比第三板1250高或低的热膨胀系数。另外，第一/第二板1230/1240与第三板1250的热膨胀系数比可较高或较低。这是因为注入器1220的最佳注入结构根据工艺环境而变化。因此，当根据各种工艺环境(例如衬底的大小、薄膜的种类以及工艺温度)而首先设定注入器单元1220的最佳气体注入结构时，即可确定第一/第二板1230/1240与第三板1250的热膨胀系数比可较高还是较低。如上所述，注入器单元1220通过第一和第二板1230和1240形成到具有与第一和第二板1230和1240不同的热膨胀系数的第三板1250上而形成。举例来说，注入器单元1220可通过不锈钢和铜、不锈钢和铝或铜和铝等的耦合而形成。任意两种具有不同热膨胀系数的不同金属都是可能的。
举例来说，在此示范性实施例中，第一和第二板1230和1240由不锈钢(SUS)形成且第三板1250由铝形成。因此，第一和第二板1230和1240具有约17 X 10-16mm/℃的热膨胀系数，且第三板1250具有约23 X 10-16mm/℃的热膨胀系数。当第一、第二和第三板1230、1240和1250的初始长度各为100mm且温度增加到50℃时，第一/第二板1230/1240的长度增加到1008.5mm，而第三板1250的长度增加到1011.5mm。在此点，由于第一、第二和第三板1230、1240和1250通过螺钉1291紧固地彼此固定，因此具有比第一和第二板1230和1240高的可变形力的第三板1250约束第一和第二板1230和1240以强迫使第一和第二板1230和1240变形。因此，如图8所示，注入器单元1220的整个主体经变形以向下凸出且因此注入孔的开口方向发生变化而改变从衬底G的中心向外的注入角度。因此，在注入器1220变形之后，衬底G的中心区域的注入密度与注入器1220变形之前相比有所降低。
显而易见，与上文不同，当第一、第二和第三板1230、1340和1250由相反的金属形成时，如图9所示，注入器单元1220的整个主体经变形以向上凸出且因此注入孔的开口方向变化而改变朝向衬底G的中心的注入角度。因此，在注入器1220变形之后，衬底G的中心区域的注入密度与注入器1220变形之前相比增加。
如上所述，由于注入器单元1220的上部部分和下部部分由具有不同热膨胀系数的不同金属形成，因此注入器单元1220的主体的形状根据温度变化而变化。也就是说，可能控制注入器单元1220的气体注入结构的注入方向。因此，即使当例如衬底大小、腔室的工艺温度等工艺条件改变时，也可通过仅更换第一和第二板1230和1240或第三板1250而不更换整个注入器单元1220而有效地响应于改变的工艺条件。
<实施例3>
图10是根据另一示范性实施例的气体注入单元的分解透视图。
参看图10，气体注入单元包含具有彼此堆叠的第一、第二和第三板1230、1240和1250的注入器单元1220。气体注入单元进一步包含耦合到一个表面(即，注入器单元1220的下表面)的变形控制板1270。在此点，变形控制板1270具备第二注入孔1291，其对应于与形成于注入器单元1220的下表面上的注入孔1251连通。第二注入孔1291在垂直方向上穿孔。在此点，根据变形控制板1270的热膨胀系数，每一第二注入孔1291的大小可与对应注入孔1251的大小相同、较小或较大。
注入器单元1220的主体的第一、第二和第三板1230、1240和1250由例如不锈钢(SUS)的相同金属形成。变形控制板1270由具有与第一、第二和第三板1230、1240和1250不同的热膨胀系数的金属(例如铝)形成。
同时，由于变形控制板1270可独立于注入器单元1220而形成，且因此具有多种优点。举例来说，变形控制板1270的大小不必与注入器单元1220的大小相同，也不必设计成覆盖注入器单元1220的整个区域。因此，可更自由地控制注入器单元1220的气体注入结构。具体来说，变形控制板1270可通过例如螺钉1292的紧固件耦合到注入器单元1220的下表面，使得其可容易地从注入器单元1220脱离。
根据实施例，由于多种不同种类的有机材料可顺序地被气化且由单一注入单元注入，因此多种不同种类的薄膜可在单一腔室中沉积，且因此生产力增加且成本可减小。
此外，由于在气体注入单元的通路上提供热传递部件以改进气化速率，所以可稳定形成高质量薄膜。
此外，可容易控制注入器单元的气体注入结构。因此，即使当例如衬底大小、腔室的工艺温度等工艺条件改变时，也可通过仅更换某些零部件而不是更换整个注入器单元来有效地响应于改变的工艺条件。
尽管已参看特定示范性实施例描述气体注入单元和具有气体注入单元的薄膜沉积设备，但其不限于此。因此，所属领域的技术人员将容易了解，可在不脱离由所附权利要求书界定的本发明精神和范围的情况下对其做出各种修改和改变。

Claims (19)

1.一种气体注入单元，其包括：
供应管单元，其具有多个供应管，不同材料被供应到所述多个供应管；以及
注入器单元，其连接到所述供应管单元，且具备与所述供应管连通的通路以及与所述通路连通并注入气体的一个或一个以上注入孔，
其中至少一个热传递部件提供在所述通路上。
2.根据权利要求1所述的气体注入单元，其中将所述材料气化的加热单元提供于所述注入器单元中。
3.根据权利要求1所述的气体注入单元，其中所述热传递部件包括网格或球。
4.根据权利要求1所述的气体注入单元，其中所述注入器单元包括：
第一板，在其顶表面处提供用于上下移动和旋转的驱动轴；
第二板，其具备与所述供应管单元的供应通路连通的通路；以及
第三板，在其下表面处提供与所述通路连通的所述注入孔，
其中所述第一、第二和第三板按顺序堆叠。
5.一种气体注入单元，其包括：
供应管单元，其具有供应管，沉积材料被供应到所述供应管；以及
注入器单元，其连接到所述供应管单元，且具备与所述供应管连通的通路以及与所述通路连通并注入气体的一个或一个以上注入孔，
其中所述注入器单元包括上部主体和耦合到所述上部主体的下部主体，且所述上部和下部主体由具有不同热膨胀系数的不同材料形成。
6.根据权利要求5所述的气体注入单元，其中所述上部和下部主体由不锈钢(SUS)金属、铝金属和铜金属中的一者形成。
7.根据权利要求5所述的气体注入单元，其中将所述沉积材料气化的加热单元提供于所述注入器单元中。
8.根据权利要求5所述的气体注入单元，其中用于上下移动和旋转的驱动轴提供于所述上部主体的顶表面处，且与所述供应管单元的所述供应管连通的通路提供于所述上部主体中；且
与所述通路连通的所述注入孔提供于所述下部主体的下表面处。
9.一种气体注入单元，其包括：
供应管单元，其具有供应管，沉积材料被供应到所述供应管；以及
注入器单元，其连接到所述供应管单元，且具备与所述供应管连通的通路以及与所述通路连通并注入气体的一个或一个以上注入孔；以及
变形控制板，其耦合到所述注入单元的上面形成所述注入孔的一个表面，且由热膨胀系数与所述注入器单元不同的金属形成。
10.根据权利要求9所述的气体注入单元，其中所述注入器单元和所述变形控制板由不锈钢(SUS)、铝和铜中的一者形成。
11.根据权利要求9所述的气体注入单元，其中所述变形控制板形成于所述注入器单元的所述一个表面的一部分或位于该整个表面上。
12.根据权利要求9所述的气体注入单元，其中所述变形控制板具备对应于相应注入孔在垂直方向上穿孔的第二注入孔。
13.根据权利要求9所述的气体注入单元，其中经配置以将所述沉积材料气化的加热单元提供于所述注入器单元中。
14.一种薄膜沉积设备，其包括：
腔室，其提供沉积空间；
衬底支撑基底，其安置在所述腔室中且经配置以支撑衬底；以及
气体注入单元，其面向所述衬底支撑单元而安置，
其中所述气体注入单元包括：
供应管单元，其具有供应管，沉积材料被供应到所述供应管；以及
注入器单元，其连接到所述供应管单元，且具备与所述供应管连通的通路以及与所述通路连通并注入气体的一个或一个以上注入孔，
其中至少一个热传递部件提供在所述通路上。
15.根据权利要求14所述的薄膜沉积设备，其中提供多个所述供应管，使得分别向其供应不同的沉积材料，且所述通路与所述供应管连通。
16.根据权利要求14所述的薄膜沉积设备，其中所述注入器单元包括上部主体和耦合到所述上部主体的下部主体，且所述上部和下部主体由具有不同热膨胀系数的不同材料形成。
17.根据权利要求16所述的薄膜沉积设备，其中所述上部和下部主体由不锈钢(SUS)、铝和铜中的一者形成。
18.根据权利要求14所述的薄膜沉积设备，其进一步包括变形控制板，所述变形控制板耦合到所述注入单元的上面形成所述注入孔的一个表面，且由热膨胀系数与所述注入器单元不同的金属形成。
19.根据权利要求18所述的薄膜沉积设备，其中所述注入器单元和所述变形控制板由不锈钢(SUS)、铝和铜中的一者形成。
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