JP2006319327A - 化学気相蒸着装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板38に薄膜を形成するためのチャンバ30と、チャンバ30の上部に設けられ、基板38上に反応ガスを噴射するシャワーヘッド32と、反応ガスを均一に分散するための分散孔34aが形成された分散器34と、分散器34の分散孔34aを介して注入された反応ガスを加熱してイオンまたはラジカル状態に分解する触媒熱線部36と、基板38が装着されるチャック39と、反応ガスを排出するための排出口31と、チャンバ30の内部で側壁を成し、パーティクルの発生を抑制するための加熱部42aを具備した二重壁42と、を含んで構成される。
【選択図】図6
Description
[反応式1]
SiH4+H2→SiHn+H2↑
上記SiHn形態で基板に蒸着されたシリコン原子は、隣接する他のシリコン原子と結合して結晶質シリコンになることを邪魔する。したがって、このような方法を使用した薄膜は、結晶性が良くないだけでなく薄膜内の水素含量を増大させる。
[反応式2]
SiH4+H2→Si+H2↑
したがって、隣接するシリコン原子との結合が容易くて結晶性が優秀な薄膜を形成することができ、薄膜内の水素含量の少ない高品質のシリコン薄膜を形成することができる。
32 シャワーヘッド、
34 分散器、
34a 分散孔、
36 触媒熱線部、
36b 流路、
38 基板、
39 チャック、
42 二重壁、
42a 熱線、
44 流通路。
Claims (16)
- 基板に薄膜を形成するためのチャンバと、
前記チャンバの上部に設けられ、基板上に反応ガスを噴射するシャワーヘッドと、
前記反応ガスを均一に分散するための分散孔が形成された分散器と、
前記分散器の分散孔を介して注入される反応ガスを加熱して分解する触媒熱線部と、
基板が装着されるチャックと、
前記反応ガスを排出するための排出口と、
前記チャンバの内部で側壁を成し、パーティクルの発生を抑制するための加熱部を具備した二重壁と、
を含んで構成されることを特徴とする化学気相蒸着装置。 - 前記触媒熱線部は、パージガスが流入可能な流路を備えており、
前記反応ガスと前記パージガスとが分離されてチャンバ内部に注入されることを特徴とすることを特徴とする請求項1に記載の化学気相蒸着装置。 - 前記流路は、前記触媒熱線部の熱線結合部位にパージガスを供給するように側方向に形成されることを特徴とする請求項2に記載の化学気相蒸着装置。
- 前記チャンバの内壁と前記二重壁との間にパージガスを供給するための流通路が形成されることを特徴とする請求項1または2に記載の化学気相蒸着装置。
- 前記流通路は、前記シャワーヘッドに対して垂直に形成されており、
前記パージガスは、前記流通路を介して上部からチャンバ内壁に沿って流れ、前記排出口を介して排出されることを特徴とする請求項4に記載の化学気相蒸着装置。 - 前記加熱部は、前記二重壁の内部に熱線が挿入されて構成されることを特徴とする請求項1に記載の化学気相蒸着装置。
- 前記二重壁は、前記加熱部によって100℃〜400℃の温度範囲に加熱されることを特徴とする請求項1または6に記載の化学気相蒸着装置。
- 前記パージガスは、H2、Ar、N2、及びHeよりなる群から選択されるいずれか一つのガスであることを特徴とする請求項2に記載の化学気相蒸着装置。
- 基板に薄膜を形成するためのチャンバと、
前記チャンバの上部に設けられ、基板上に反応ガスを噴射するシャワーヘッドと、
前記反応ガスを均一に分散するための分散孔が形成された分散器と、
前記分散器の分散孔を介して注入される反応ガスを加熱して分解する触媒熱線部と、
基板が装着されるチャックと、
前記反応ガスを排出するための排出口と、
前記反応ガスとパージガスとを分離してチャンバ内部に注入するように前記触媒熱線部に設けられ、前記パージガスが流入可能な流路と、
を含んで構成されることを特徴とする化学気相蒸着装置。 - 前記流路は、前記触媒熱線部の熱線結合部位にパージガスを供給するように側方向に形成されることを特徴とする請求項9に記載の化学気相蒸着装置。
- 前記チャンバの内部で側壁を成し、パーティクルの発生を抑制するための加熱部を具備した二重壁をさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の化学気相蒸着装置。
- 前記チャンバの内壁と前記二重壁との間に、パージガスを供給するための流通路が形成されることを特徴とする請求項11に記載の化学気相蒸着装置。
- 前記流通路は、前記シャワーヘッドに対して垂直に形成されており、
前記パージガスは、前記流通路を介して上部からチャンバ内壁に沿って流れ、前記排出口を介して排出されることを特徴とする請求項12に記載の化学気相蒸着装置。 - 前記加熱部は、前記二重壁の内部に熱線が挿入されて構成されることを特徴とする請求項11に記載の化学気相蒸着装置。
- 前記二重壁は、前記加熱部によって100℃〜400℃の温度範囲に加熱されることを特徴とする請求項11または14に記載の化学気相蒸着装置。
- 前記パージガスは、H2、Ar、N2、及びHeよりなる群から選択されるいずれか一つのガスであることを特徴とする請求項9に記載の化学気相蒸着装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050039926A KR100688837B1 (ko) | 2005-05-12 | 2005-05-12 | 결정질 실리콘 증착을 위한 화학기상증착장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006319327A true JP2006319327A (ja) | 2006-11-24 |
Family
ID=37389361
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006114860A Pending JP2006319327A (ja) | 2005-05-12 | 2006-04-18 | 化学気相蒸着装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006319327A (ja) |
KR (1) | KR100688837B1 (ja) |
CN (1) | CN1861837A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007119700A1 (ja) * | 2006-04-13 | 2007-10-25 | Ulvac, Inc. | 触媒体化学気相成長装置 |
JP2012529165A (ja) * | 2009-06-02 | 2012-11-15 | フラウンホッファー−ゲゼルシャフト ツァ フェルダールング デァ アンゲヴァンテン フォアシュンク エー.ファオ | 成膜設備および成膜方法 |
JP5800969B1 (ja) * | 2014-08-27 | 2015-10-28 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム、記録媒体 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008096981A1 (en) * | 2007-02-06 | 2008-08-14 | Sosul Co., Ltd. | Apparatus for forming a layer |
JP4308281B2 (ja) * | 2007-04-23 | 2009-08-05 | 三洋電機株式会社 | 光起電力素子の製造方法 |
JP5517509B2 (ja) * | 2009-07-08 | 2014-06-11 | 三菱重工業株式会社 | 真空処理装置 |
US8968473B2 (en) * | 2009-09-21 | 2015-03-03 | Silevo, Inc. | Stackable multi-port gas nozzles |
US8993056B2 (en) * | 2009-12-17 | 2015-03-31 | Savi Research, Inc. | Method of gas distribution and nozzle design in the improved chemical vapor deposition of polysilicon reactor |
US9441295B2 (en) | 2010-05-14 | 2016-09-13 | Solarcity Corporation | Multi-channel gas-delivery system |
US9240513B2 (en) | 2010-05-14 | 2016-01-19 | Solarcity Corporation | Dynamic support system for quartz process chamber |
CN103203590B (zh) * | 2012-01-17 | 2015-12-02 | 游利 | 一种新的电介质刻蚀机气体分配器加工工艺 |
CN103074604A (zh) * | 2012-04-23 | 2013-05-01 | 光达光电设备科技(嘉兴)有限公司 | 用于化学气相沉积工艺的喷淋头和改善工艺均匀性的方法 |
KR101518398B1 (ko) * | 2013-12-06 | 2015-05-08 | 참엔지니어링(주) | 기판 처리 장치 |
CN104164657B (zh) * | 2014-08-04 | 2016-09-07 | 东莞职业技术学院 | 形成光电器件薄膜的真空设备 |
WO2016131190A1 (en) | 2015-02-17 | 2016-08-25 | Solarcity Corporation | Method and system for improving solar cell manufacturing yield |
US9972740B2 (en) | 2015-06-07 | 2018-05-15 | Tesla, Inc. | Chemical vapor deposition tool and process for fabrication of photovoltaic structures |
US9748434B1 (en) | 2016-05-24 | 2017-08-29 | Tesla, Inc. | Systems, method and apparatus for curing conductive paste |
US9954136B2 (en) | 2016-08-03 | 2018-04-24 | Tesla, Inc. | Cassette optimized for an inline annealing system |
US10115856B2 (en) | 2016-10-31 | 2018-10-30 | Tesla, Inc. | System and method for curing conductive paste using induction heating |
CN110678573A (zh) * | 2017-01-16 | 2020-01-10 | 持续能源解决有限公司 | 用于防止在直接接触式热交换器中的凝华作用的方法及装置 |
US10818839B2 (en) * | 2018-03-15 | 2020-10-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for and method of fabricating semiconductor devices |
CN111411348B (zh) * | 2020-04-13 | 2022-06-21 | 拓荆科技股份有限公司 | Pe-cvd反应器喷淋板的加热系统 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09148332A (ja) * | 1995-11-16 | 1997-06-06 | Ricoh Co Ltd | 微小粒子配列装置 |
JP3868324B2 (ja) * | 2002-04-15 | 2007-01-17 | 三菱電機株式会社 | シリコン窒化膜の成膜方法、成膜装置、及び半導体装置の製造方法 |
JP3894862B2 (ja) * | 2002-05-29 | 2007-03-22 | 京セラ株式会社 | Cat−PECVD法 |
KR100503425B1 (ko) * | 2003-02-04 | 2005-07-22 | 한국전자통신연구원 | 유기물 박막 및 유기물 소자를 위한 콜드월 형태의 저진공유기물 기상 증착장치와 증착방법 |
-
2005
- 2005-05-12 KR KR1020050039926A patent/KR100688837B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-04-18 JP JP2006114860A patent/JP2006319327A/ja active Pending
- 2006-05-08 CN CNA2006100785248A patent/CN1861837A/zh active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007119700A1 (ja) * | 2006-04-13 | 2007-10-25 | Ulvac, Inc. | 触媒体化学気相成長装置 |
JP2007284717A (ja) * | 2006-04-13 | 2007-11-01 | Ulvac Japan Ltd | 触媒体化学気相成長装置 |
JP2012529165A (ja) * | 2009-06-02 | 2012-11-15 | フラウンホッファー−ゲゼルシャフト ツァ フェルダールング デァ アンゲヴァンテン フォアシュンク エー.ファオ | 成膜設備および成膜方法 |
JP5800969B1 (ja) * | 2014-08-27 | 2015-10-28 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム、記録媒体 |
JP2016048705A (ja) * | 2014-08-27 | 2016-04-07 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム、記録媒体 |
US9732421B2 (en) | 2014-08-27 | 2017-08-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100688837B1 (ko) | 2007-03-02 |
KR20060117134A (ko) | 2006-11-16 |
CN1861837A (zh) | 2006-11-15 |
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