CN103203590B - 一种新的电介质刻蚀机气体分配器加工工艺 - Google Patents

一种新的电介质刻蚀机气体分配器加工工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN103203590B
CN103203590B CN201210012959.8A CN201210012959A CN103203590B CN 103203590 B CN103203590 B CN 103203590B CN 201210012959 A CN201210012959 A CN 201210012959A CN 103203590 B CN103203590 B CN 103203590B
Authority
CN
China
Prior art keywords
gas distributor
aperture
size
hole
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201210012959.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103203590A (zh
Inventor
游利
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu Xianfeng Precision Technology Co ltd
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to CN201210012959.8A priority Critical patent/CN103203590B/zh
Publication of CN103203590A publication Critical patent/CN103203590A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103203590B publication Critical patent/CN103203590B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

一种新的电介质刻蚀机气体分配器加工工艺，包括以下步骤，确定气体分配器的孔数、孔径和孔位数据为：按照气体分配器在使用时要达到的要求，确定气体分配器的外形尺寸、小孔直径尺寸、小孔数量以及小孔的排列方式，在机械加工过程中刀具的磨损对工作尺寸会产生微妙的影响。在通常小孔的加工中依照小孔的排列次序逐个进行，随着刀具的不断磨损最终小孔呈现出第一个小孔直径最大，之后越来越小的尺寸规律。通过打乱加工程序中孔位置，采用随机的排列方法使加工完成的孔径尺寸不会在气体分配器呈现出方位性的规律，有效地减小孔间尺寸差异，从而提高半导体工艺件表面沉积膜厚均匀性。并且本发明实现方法简单。

Description

一种新的电介质刻蚀机气体分配器加工工艺
背景技术
化学气相沉积原子层沉积是半导体工艺中制备薄膜器件的关键步骤，其主要原理是，传统的化学气相沉积设备均包含一个化学物质气体分配器，参与反应的化学物质从气体分配器中溢出，最终进入反应区域沉积在半导体工艺件上。组分均匀、厚度均匀、界面陡峭是薄膜生长的基本要求，提高薄膜生长的均匀性是持续改进化学气相沉积设备的核心任务，改进气体分配器的加工工艺是提高均匀性的主要方法。气体分配器的结构中通常含有数百乃至数千个等直径的小孔，加工中各孔径的微小差异对沉积层厚度均匀性构成直接影响，有些差异甚至无法从尺寸度量上以区分。当今最新的测量技术采用气压差分比较法加以控制孔间差距，虽然从检测方面能对产品进行控制，但仍未解决生产环节中的难题。
发明内容
本发明的目的是通过化学气相沉积在半导体工艺件表面沉积薄膜，该工艺利用随机模型加工气体分配器上的孔位，能够有效地减小孔间尺寸差异的影响，从而使半导体工艺件表面沉积膜厚均匀的一种新的电介质刻蚀机气体分配器加工工艺。
本发明的目的是以如下方式实现的：一种新的电介质刻蚀机气体分配器加工工艺，包括以下步骤：
A、确定气体分配器的孔数、孔径和孔位数据为：按照气体分配器在使用时要达到的要求，确定气体分配器的外形尺寸、小孔直径尺寸、小孔数量以及小孔的排列方式；
B、建立孔加工次序的随机模型为：按照步骤A所确定的参数，在计算机辅助设计软件中建立气体分配器的模型；
C、将气体分配器的孔位数据输入随机模型中进行运算为：利用步骤B建立的模型采集并计算所有小孔位置的坐标数据；
D、将随机数据处理成CNC加工程序为：运用计算机辅助制造软件中的后处理程序将小孔位置的坐标数据处理成CNC机床可识别的加工程序；
E、按照随机方式加工气体分配器上所有孔为：在车床上加工气体分配器的外形尺寸,保证A基准面的平面度在0.05之内，并保证A基准面与另一面的平行度在0.05之内；在CNC机床上，以A面为基准，取B基准面的中心为原点，运行加工程序，先加工气体分配器上用于固定的沉头孔，再按随机顺序把小孔加工在工作上。
本发明的优点:在机械加工过程中刀具的磨损对工作尺寸会产生微妙的影响。在通常小孔的加工中依照小孔的排列次序逐个进行，随着刀具的不断磨损最终小孔呈现出第一个小孔直径最大，之后越来越小的尺寸规律。通过打乱加工程序中孔位置，采用随机的排列方法使加工完成的孔径尺寸不会在气体分配器呈现出方位性的规律，有效地减小孔间尺寸差异，从而提高半导体工艺件表面沉积膜厚均匀性。并且本发明实现方法简单。
附图说明
为了使本发明的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中
图1为本发明的实施流程示意图，
图2为本发明的结构示意图。
具体实施方式：
见图1和图2，一种新的电介质刻蚀机气体分配器加工工艺，包括以下步骤：
A、确定气体分配器1的孔数、孔径和孔位数据为：按照气体分配器1在使用时要达到的要求，确定气体分配器1的外形尺寸、小孔2直径尺寸、小孔2数量以及小孔2的排列方式；
B、建立孔2加工次序的随机模型为：按时步骤A所确定的参数，在计算机辅助设计软件中建立气体分配器1的模型；
C、将气体分配器1的孔位数据输入随机模型中进行运算为：利用步骤B建立的模型采集并计算所有小孔位置的坐标数据；
D、将随机数据处理成CNC加工程序为：运用计算机辅助制造软件中的后处理程序将小孔2位置的坐标数据处理成CNC机床可识别的加工程序；
E、按照随机方式加工气体分配器上所有孔为：在车床上加工气体分配器1的外形尺寸,保证A基准面的平面度在0.05之内，并保证A基准面与另一面的平行度在0.05之内；在CNC机床上，以A面为基准，取B基准面的中心为原点，运行加工程序，先加工气体分配器上用于固定的沉头孔，再按随机顺序把小孔加工在工作上。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (1)

1.一种新的电介质刻蚀机气体分配器加工工艺，包括以下步骤：
A、确定气体分配器(1)的孔数、孔径和孔位数据为：按照气体分配器(1)在使用时要达到的要求，确定气体分配器(1)的外形尺寸、小孔(2)直径尺寸、小孔(2)数量以及小孔(2)的排列方式；
B、建立小孔(2)加工次序的随机模型为：按照步骤A所确定的参数，在计算机辅助设计软件中建立气体分配器的模型；
C、将气体分配器(1)的孔位数据输入随机模型中进行运算为：利用步骤B建立的模型采集并计算所有小孔位置的坐标数据；
D、将随机数据处理成CNC加工程序为：运用计算机辅助制造软件中的后处理程序将小孔位置的坐标数据处理成CNC机床可识别的加工程序；
E、按照随机方式加工气体分配器上所有孔为：在车床上加工气体分配器(1)的外形尺寸,保证A基准面的平面度在0.05之内，并保证A基准面与另一面的平行度在0.05之内；在CNC机床上，以A面为基准，取B基准面的中心为原点，运行加工程序，先加工气体分配器上用于固定的沉头孔，再按随机顺序加工小孔。
CN201210012959.8A 2012-01-17 2012-01-17 一种新的电介质刻蚀机气体分配器加工工艺 Active CN103203590B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210012959.8A CN103203590B (zh) 2012-01-17 2012-01-17 一种新的电介质刻蚀机气体分配器加工工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210012959.8A CN103203590B (zh) 2012-01-17 2012-01-17 一种新的电介质刻蚀机气体分配器加工工艺

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103203590A CN103203590A (zh) 2013-07-17
CN103203590B true CN103203590B (zh) 2015-12-02

Family

ID=48751106

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210012959.8A Active CN103203590B (zh) 2012-01-17 2012-01-17 一种新的电介质刻蚀机气体分配器加工工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103203590B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103614706B (zh) * 2013-12-03 2015-12-09 靖江先锋半导体科技有限公司 一种带氧化钇涂层的高耐腐蚀性气体分配器的生产工艺
CN110899746A (zh) * 2019-11-28 2020-03-24 宜兴王子制陶有限公司 一种高一致性蜂窝结构体模具钻孔方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2505572A1 (de) * 1974-02-11 1975-08-14 Fmc Corp Verfahren und vorrichtung zum abscheren von blasen und verfahren zur herstellung der vorrichtung
GB2271727A (en) * 1992-10-26 1994-04-27 Sumitomo Chemical Co Gas distributor plate for fluidized bed reactors
CN2569339Y (zh) * 2002-09-12 2003-08-27 上海花木经济发展总公司 感应耦合等离子体深层刻蚀机
CN1851856A (zh) * 2005-12-08 2006-10-25 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种用于半导体处理的反应室
CN1861837A (zh) * 2005-05-12 2006-11-15 三星Sdi株式会社 用于沉积多晶硅的cvd装置
WO2007131547A1 (de) * 2006-05-15 2007-11-22 Aixtron Ag Halbleiterbehandlungsvorrichtung für ein cvd- oder rtp-verfahren
CN101339895A (zh) * 2008-08-22 2009-01-07 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种气体分配装置及应用该分配装置的等离子体处理设备
CN101346178A (zh) * 2005-12-23 2009-01-14 西门子Vai金属科技有限责任公司 分配器底板

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2505572A1 (de) * 1974-02-11 1975-08-14 Fmc Corp Verfahren und vorrichtung zum abscheren von blasen und verfahren zur herstellung der vorrichtung
GB2271727A (en) * 1992-10-26 1994-04-27 Sumitomo Chemical Co Gas distributor plate for fluidized bed reactors
CN2569339Y (zh) * 2002-09-12 2003-08-27 上海花木经济发展总公司 感应耦合等离子体深层刻蚀机
CN1861837A (zh) * 2005-05-12 2006-11-15 三星Sdi株式会社 用于沉积多晶硅的cvd装置
CN1851856A (zh) * 2005-12-08 2006-10-25 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种用于半导体处理的反应室
CN101346178A (zh) * 2005-12-23 2009-01-14 西门子Vai金属科技有限责任公司 分配器底板
WO2007131547A1 (de) * 2006-05-15 2007-11-22 Aixtron Ag Halbleiterbehandlungsvorrichtung für ein cvd- oder rtp-verfahren
CN101339895A (zh) * 2008-08-22 2009-01-07 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种气体分配装置及应用该分配装置的等离子体处理设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN103203590A (zh) 2013-07-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2014005073A1 (en) Big data analytics system
CN103203590B (zh) 一种新的电介质刻蚀机气体分配器加工工艺
CN103390082A (zh) 一种多轴机床几何精度稳健优配方法
TWI523129B (zh) 半導體批次生產派工方法
CN103031557A (zh) 类矩形全息光栅等离子体刻蚀方法
WO2015069894A3 (en) Method for depositing metal layers on germanium-containing films using metal chloride precursors
CN109697206A (zh) 一种分布式函数依赖关系挖掘方法
CN108176912A (zh) 一种非回转体变截面构件电弧增材制造路径规划方法
CN104182407B (zh) 一种缩小数据查找范围的数据处理系统
CN103831600A (zh) 一种多角度孔钻模加工的方法
CN103308365A (zh) Tem样品的制备方法
Yang et al. GPU acceleration of subgraph isomorphism search in large scale graph
WO2017193367A1 (zh) 双频容性耦合等离子体刻蚀鞘层二维数值模拟方法及系统
CN104766808B (zh) 晶圆缺陷密度获得方法、测试方法及半导体装置形成方法
Li et al. GIS-based evaluation of farmland soil fertility and its relationships with soil profile configuration pattern
CN104635620B (zh) 数控加工中心加工叶片汽道型线校模方法
CN204557477U (zh) 基于数据仓库和olap技术的聚类挖掘系统
CN103295073A (zh) 油气勘探预测及油藏协同管理决策方法
Xing et al. Atmospheric depositions of biogenic elements and their ecological effects on marine ecosystem of Jiaozhou Bay: A review
CN106407026A (zh) 一种在流式计算中消息id的生成方法
KR102560283B1 (ko) 샤워 헤드를 설계하고 제조하는 장치 및 방법
Lin et al. How Smart Manufacturing Can Help Combat the COVID-19 Pandemic
Chu et al. Product requirement analysis based on the improved house of quality
CN203572374U (zh) 孔位置度检测装置
CN108229546A (zh) 一种基于特征向量中心性峰值聚类的重叠社团检测方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Application publication date: 20130717

Assignee: JINGJIANG XIANFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.

Assignor: You Li

Contract record no.: 2013320000055

Denomination of invention: Novel gas distributor processing technique of dielectric etching machine

License type: Exclusive License

Record date: 20130304

LICC Enforcement, change and cancellation of record of contracts on the licence for exploitation of a patent or utility model
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20201202

Address after: 214500, No. 8, Tak Yu Road, Chengnan South Park, Taizhou, Jiangsu, Jingjiang

Patentee after: JINGJIANG XIANFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Address before: 214500, six North, South Industrial Zone, Jingjiang Economic Development Zone, Taizhou, Jiangsu

Patentee before: You Li

CP03 Change of name, title or address
CP03 Change of name, title or address

Address after: 214500 No. 195, Xingang Avenue, Jingjiang Economic Development Zone, Taizhou City, Jiangsu Province

Patentee after: Jiangsu Xianfeng Precision Technology Co.,Ltd.

Address before: 214500 No.8 Deyu Road, Chengnan Park, Jingjiang City, Taizhou City, Jiangsu Province

Patentee before: JINGJIANG XIANFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.