KR20060117134A - 결정질 실리콘 증착을 위한 화학기상증착장치 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 기판에 박막을 형성하기 위한 챔버;상기 챔버의 상부에 구비되어 기판 상에 반응가스를 분사하여 주는 샤워 헤드;상기 반응가스를 균일하게 분산하기 위한 분산공이 형성된 분산기;상기 분산기의 분산공을 통해 주입된 반응가스를 가열하여 분해하는 고온 발생의 촉매 열선부;기판이 장착되는 척;상기 반응가스를 배출하기 위한 배출구; 및상기 챔버의 내부에 측벽을 이루며 파티클의 발생을 억제하도록 고온의 가열부를 구비한 이중벽을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
- 제1항에 있어서,상기 촉매 열선부는 퍼지가스가 유입가능한 유로가 구비되어 반응가스와 퍼지가스를 각각 분리하여 챔버 내부로 주입하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
- 제2항에 있어서,상기 유로는 상기 촉매 열선부의 열선 결합부위에 퍼지가스를 공급하도록 측방향으로 형성되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 챔버 내벽과 상기 이중벽 사이에 퍼지가스를 공급하기 위한 유통로가 형성되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
- 제4항에 있어서,상기 유통로는 상기 샤워 헤드에 수직으로 형성되어 퍼지가스가 상기 유통로를 통해 상부에서 챔버 내벽을 타고 흐르며 상기 배출구를 통해 배출되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
- 제1항에 있어서,상기 가열부는 상기 이중벽 내부에 열선이 삽입되는 구조로 됨을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
- 제1항 또는 제6항에 있어서,상기 이중벽은 상기 가열부에 의해 100℃~400℃의 온도범위로 가열되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
- 제2항에 있어서,상기 퍼지가스는 H2, Ar, N2, He 중 어느 하나의 가스를 선택적으로 사용하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
- 기판에 박막을 형성하기 위한 챔버;상기 챔버의 상부에 구비되어 기판 상에 반응가스를 분사하여 주는 샤워 헤드;상기 반응가스를 균일하게 분산하기 위한 분산공이 형성된 분산기;상기 분산기의 분산공을 통해 주입된 반응가스를 가열하여 분해하는 고온 발생의 촉매 열선부;기판이 장착되는 척;상기 반응가스를 배출하기 위한 배출구; 및반응가스와 퍼지가스를 각각 분리하여 챔버 내부로 주입하도록 상기 촉매 열선부에 구비되는 퍼지가스가 유입가능한 유로를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
- 제9항에 있어서,상기 유로는 상기 촉매 열선부의 열선 결합부위에 퍼지가스를 공급하도록 측방향으로 형성되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
- 제9항 또는 제10항에 있어서,상기 챔버 내벽과 상기 이중벽 사이에 퍼지가스를 공급하기 위한 유통로가 형성되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
- 제11항에 있어서,상기 유통로는 상기 샤워 헤드에 수직으로 형성되어 퍼지가스가 상기 유통로를 통해 상부에서 챔버 내벽을 타고 흐르며 상기 배출구를 통해 배출되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
- 제9항에 있어서,상기 챔버의 내부에 측벽을 이루며 파티클의 발생을 억제하도록 고온의 가열부를 구비한 이중벽이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
- 제13항에 있어서,상기 가열부는 상기 이중벽 내부에 열선이 삽입되는 구조로 됨을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
- 제13항 또는 제14항에 있어서,상기 이중벽은 상기 가열부에 의해 100℃~400℃의 온도범위로 가열되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
- 제9항에 있어서,상기 퍼지가스는 H2, Ar, N2, He 중 어느 하나의 가스를 선택적으로 사용하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050039926A KR100688837B1 (ko) | 2005-05-12 | 2005-05-12 | 결정질 실리콘 증착을 위한 화학기상증착장치 |
JP2006114860A JP2006319327A (ja) | 2005-05-12 | 2006-04-18 | 化学気相蒸着装置 |
CNA2006100785248A CN1861837A (zh) | 2005-05-12 | 2006-05-08 | 用于沉积多晶硅的cvd装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050039926A KR100688837B1 (ko) | 2005-05-12 | 2005-05-12 | 결정질 실리콘 증착을 위한 화학기상증착장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060117134A true KR20060117134A (ko) | 2006-11-16 |
KR100688837B1 KR100688837B1 (ko) | 2007-03-02 |
Family
ID=37389361
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050039926A KR100688837B1 (ko) | 2005-05-12 | 2005-05-12 | 결정질 실리콘 증착을 위한 화학기상증착장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006319327A (ko) |
KR (1) | KR100688837B1 (ko) |
CN (1) | CN1861837A (ko) |
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2005
- 2005-05-12 KR KR1020050039926A patent/KR100688837B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-04-18 JP JP2006114860A patent/JP2006319327A/ja active Pending
- 2006-05-08 CN CNA2006100785248A patent/CN1861837A/zh active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100688837B1 (ko) | 2007-03-02 |
JP2006319327A (ja) | 2006-11-24 |
CN1861837A (zh) | 2006-11-15 |
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A201 | Request for examination | ||
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FPAY | Annual fee payment |
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