KR0116697Y1 - 저압 화학 증기 증착장치 - Google Patents

저압 화학 증기 증착장치 Download PDF

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KR0116697Y1
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    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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Abstract

고안은 저압 화학 증기 증착장치에 관한 것이다. 종래의 장치는 화합물 소스가스가 반응로의 하부에서 상부로 상승공급되도록 되어 있기 때문에 화합물 소스가스의 충분한 혼합과 예열이 이루어지지 않아 균일한 막질과 두께의 박막을 증착하는데 어려움이 있었으며, 또한 N2가스를 주입하여 반응로내부를 세정하는 경우 주위의 산소가 함께 혼입되어 불필요한 산화막이 형성되는 등 불량율이 높게 되는 문제점이 있었고, 생산비가 증가되고 대량생산에 부적합하게 되는 문제점이 있었다. 본 고안은 반응로를 구성하는 내,외부석영관의 사이에 화합물 소스가스 공급로를 형성하여 화합물 소스가스가 웨이퍼를 탑재한 보트의 상부로부터 하부로 하강공급되도록 함으로써 이들 화합물 소스가스가 충분히 혼합 및 예열되어 균일한 막질 및 두께의 화합물 박막을 얻을 수 있으며, N2를 이용한 세정시 주위의 산소가 혼입되는 일이 없어 불필요한 산화막이 형성됨에 따른 불량율을 극소화할 수 있고, 내,외부석영관의 세정 또는 교체시 이들의 분리 및 재조립이 간편하게 되며, 생산비 절감과 대량생산에 유리하게 적용할 수 있도록 한 것이다. 또한 증착반응공간을 한정하는 반응실부의 직경을 작게 형성하여 그 내벽과 보트간의 거리를 줄임으로써 두께 균일도가 요구되는 HTO공정에 특히 유리하게 된다.

Description

저압 화학 증기 증착장치
제1도 내지 제4도는 본 고안에 의한 저압 화학 증기 증착장치의 일실시례를 도시하는 것으로서,
제1도는 증착공정 진행 상태 종단면도.
제2도는 보트 분리상태 종단면도.
제3도 및 제4도는 본 고안에 의한 저압 화학 증기 증착장치의 다른 실시예를 도시하는 것으로서,
제3도는 증착공정 진행상태 종단면도.
제4도는 보트 분리상태 종단면도.
제5도 및 제6도는 본 고안의 장치에 사용되는 주입기의 변형예를 보인 확대단면도.
제7도 및 제8도는 종래 장치의 증착공정 진행 상태 및 보트 분리상태를 보인 종단면도.
＊ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 증착기 베이스 11 : 화합물 소스가스 공급관
12 : 배출관 20 : 반응로
21 : 석영관 22 : 하단 결합부
23 : 반응실부 24 : 화합물 소스가스 통로관
30 : 주입기 31 : 도입관
31a : 수평부 31b : 수직부
32 : 수직형 공급관 40 : 개폐판
50 : 보트 60 : 가열수단
본 고안은 저압 화학 증기 증착장치에 관한 것으로, 특히 웨이퍼위에 양질의 화합물 박막을 증착시킬 수 있으며 반도체 소자를 더욱 고집적화할 수 있도록 한 저압 화학 증기 증착장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조에 필요한 절연막, 유전막 및 도전막 등을 증착시킴에 있어서는 저압 화학 증기 증착(low pressure chemical vapor deposition)기술을 이용하고 있다.
이러한 증착기술에서는 진공상태에서 열을 가하여 화합물 소스가스인 SiH4, Si2H6, TEOS, PH3, NH3, N2O, TMOB, TMOP, O2, N2등을 사용하여 진공영역에서 열을 가함으로써 이들 화합물을 열분해시켜 웨이퍼위에 박막상으로 증착시키고 있다.
그러나 화합물 소스가스들은 열분해 온도가 각기 다르기 때문에 온도에 따른 증착공정조건을 최적화하고 관리, 유지하는데 어려움이 있었으며, 또한 화합물 박막의 증착공정온도가 높아서 웨이퍼위에 증착되어 있는 여러 박막들 사이에 열충격이 발생되고, 물리적 특성이 변화되어 전기적 특성이 열화되기 때문에 반도체의 고집적화 및 대량생산에 지장을 초래하고 있다.
특히, 저압 화합 증기 증착기술에 있어서 반응로내의 웨이퍼의 위치에 따라 웨이퍼위에 증착되는 화합물 박막의 조성이 서로 약간씩 다르기 때문에 증착공정에서 뿐만 아니라 후속 공정에서도 문제가 발생할 가능성이 매우 높다.
이하, 종래 저압 화학 증기 증착장치의 대표적인 예를 첨부도면에 따라서 설명한다.
제7도는 종래 저압 화학 증기 증착장치의 일 예를 도시한 증착공정의 진행상태 종면도이고, 제8도는 보트가 분리된 상태를 도시한 종면도이다.
이에 도시한 바와 같이 일측에 화합물 소스가스 주입관(1a)이 연결되고 타측에 배출관(1b)이 연결된 증착기 베이스(1)와, 이 증착기 베이스(1)에 기밀하게 결합되는 외부석영관(2b)과 이 외부석영관(2b)의 내부에 설치되어 내부에 형성된 증착반응공간(S)이 상기 화합물 소스가스 주입관(1a)과 연통되며 외부석영관(2b)과의 사이에 상기 배출구(1b)와 연통되는 화합물 소스가스 배출로(2c)가 형성되는 내부석영관(2a)의 이중관 형태로된 반응로(2)와, 상기 증착기 베이스(1)의 하단 개구부를 개폐하는 개폐판(3)과, 이 개폐판(3)상에 안착되어 다수개의 웨이퍼(W)가 탑재되는 보트(4)와, 상기 반응로(2)의 주위에 설치되는 반응로 가열수단(5)으로 구성되어 있다.
도면에서 미설명 부호 1c는 증착기 베이스(1)의 내부에 돌출형성된 지지편이며, 6은 증착설비몸체이고, 7은 보트(4)를 승강시키는 램으로서 그 상단에는 보트받침판(7a)이 형성되어 있다.
이와 같이 구성된 장치에 의해 웨이퍼(W)에 화합물 박막을 증착함에 있어서는 제7도와 같이 보트(4)에 다수개의 웨이퍼(W)를 탑재하고, 보트(4)를 반응로(2)의 증착반응공간(S)내에 장착하고 개폐판(3)을 닫은 다음, 진공장치(도시되지 않음)와 가열수단(5)에 의하여 반응로(2)의 증착반응공간(S)내의 진공도와 온도를 증착공정에 적합하도록 유지하면서 가스주입관(1a)을 통하여 화합물 소스가스를 반응로(2)의 증착반응공간(S)내로 주입한다. 반응로(2)내의 하단으로 주입된 화합물 소스가스는 내부석영관(2a)의 하부를 거쳐 위로 상승하는 동안 열분해 및 증착반응이 일어나 화합물 박막이 웨이퍼(W)위에 증착된다.
이때, 생성되는 반응생성물은 진공펌프(도시되지 않음)의 흡입력에 의해 상단부로부터 반응로(2)의 내부석영관(2a)사이에 형성된 배출로(2c)를 통해 배출관(1b)으로 배출된다.
그러나 이러한 종래의 장치에서는 차가운 화합물 소스가스가 반응로(2)의 내부석영관(2a)의 하단으로 바로 주입되기 때문에 반응로(2)의 아래쪽에 위치한 웨이퍼(W)에서는 화합물 소스가스가 충분히 가열 및 활성화되지 않은 상태에서 증착반응이 일어나기 때문에 증착되는 박막이 불안정하고, 또 증착로 내의 웨이퍼의 위치에 따라 막질의 조성 및 두께가 불균일하게 된다. 또 위와 같은 화합물 소스가스의 흐름은 가열수단(5)에 의한 가열효과를 저하시키게 된다. 또한 반응로(2)내에서 박막을 증착시킬 때 웨이퍼에만 증착되는 것이 아니고 반응로(2)의 내부석영관(2a) 및 외부석영관(2b)에도 박막이 증착되고 누적됨으로 인하여 가열수단(5)의 복사열을 차단하게 되므로 가열수단(5)의 가열효과를 저하시키는 또 다른 요인이 되고 있어 내,외부석영관(2a,2b)을 사용하는 반응로(2)에서는 가열수단(5)의 가열효과가 저하되기 때문에 반응로(2)의 내부를 적정 온도로 가열, 유지하기 위한 전력소비가 많고 온도조절이 어려우며, 내,외부석영관(2a,2b)의 관리에도 번거로움이 있었다.
한편, 반도체 제조공정에서는 웨이퍼(W)위에 자연산화막(native oxide)이 형성될 경우 증착되는 화합물 박막의 화학적, 물리적 특성이 변하게 되므로 양질의 박막을 증착시키기 위해서는 웨이퍼(W)위에 자연산화막이 형성되는 것을 방지하여야 한다.
따라서 일반적으로 산화제인 산소를 제거하고 불활성 분위기(통상 N2분위기)에서 보트(4)를 반응로(2)의 내부나 외부로 이동시키고 있다.
그러나 종래 장치에서는 제8도에 도시한 바와 같이 개폐판(3)을 개방하고 웨이퍼(W) 및 보트(4)를 반응로(2)로부터 분리한 상태에서 불활성가스인 N2가스를 내부석영관(2a)의 하부로부터 상부로 흘려넣는 과정에서 산화제인 산소가 N2가스와 함께 흘러들어가게 되어 웨이퍼(W)가 탑재된 보트(4)를 반응로(2)의 증착위치로 상승이동시키는 과정에서 반응로(2)내부의 높은 온도 및 유입된 산소에 의하여 웨이퍼(W)상에 불필요한 산화막이 형성되어 화합물 박막의 특성을 저하시키게 되는 문제점이 있었다.
본 고안의 목적은 단일 석영관을 사용하면서도 웨이퍼 위에 양질의 화합물 박막을 증착시킬 수 있으며 반도체 소자를 더욱 고집적화할 수 있도록 한 저압 화학 증기 증착장치를 제공하려는 것이다.
본 고안의 다른 목적은 N2가스를 이용한 세정시 주위의 산소가 혼입되는 것을 방지하여 불필요한 산화막이 형성됨에 따른 불량율을 극소화할 수 있도록 하려는 것이다.
이러한 본 고안의 목적을 달성하기 위하여 화합물 소스가스 공급관과 배출관을 가지는 증착기 베이스와, 이 증착기 베이스상에 기밀하게 결합되어 내부에 증착반응공간을 가지는 석영관으로 된 반응로와, 상기 증착기 베이스의 하단을 개폐하는 개폐판과, 상기 증착 반응공간내에 로딩되는 보트와, 상기 반응로의 주위에 설치되는 가열수단으로 되는 것에 있어서, 상기 반응로를 구성하는 석영관을 증착기 베이스의 상부에 기밀하게 결합될 수 있는 직경으로 되는 하단 결합부와 이 하단 결합부의 상부에서 일체로 연장형성되며 직경이 작은 반응실부 및 그 하단 결합부의 일측 상단부와 반응실부의 상단 일측벽 사이에 연결되는 화합물 소스가스 통로관으로 구성하고, 상기 화합물 소스가스 통로관내에는 하단이 상기 화합물 소스가스 공급관에 연결되고 상단이 통로관의 상부측에 임하는 주입기를 구비하여서 됨을 특징으로 하는 저압 화학 증기 증착장치가 제공된다.
이하, 본 고안에 의한 저압 화학 증기 증착장치를 첨부도면에 도시한 실시예에 따라서 상세히 설명한다.
제1도 및 제2도는 본 고안에 의한 저압 화학 증기 증착장치의 일 실시예를 도시하는 것으로, 제1도 및 제2도는 본 고안에 의한 저압 화학 증기 증착장치의 일 실시예를 도시하는 것으로서, 제1도는 증착공정진행 상태 종단면이고, 제2도는 보트 분리상태 종단면이다.
이에 도시한 바와 같이 본 고안에 의한 저압 화학 증기 증착장치는, 일측에 화합물 소스가스 공급관(11)이 연결되고 타측에 배출관(12)이 연결된 증착기 베이스(10)와, 이 증착기 베이스(10)의 상부에 기밀하게 결합되는 단일 석영관(21)을 가지는 반응로(20)와, 상기 화합물 소스가스 공급관(11)에 하단이 연통되고 상단은 석영관(21)의 상부에 임하는 혼합물 소스가스 주입기(30)와, 상기 증착기 베이스(10)의 하단 개구부를 개폐하는 개폐판(40)과, 이 개폐판(40)상에 안착되어 다수개의 웨이퍼(W)가 탑재되는 보트(50)와, 상기 반응로(20)의 주위에 설치되는 반응로 가열수단(60)으로 구성되어 있다.
상기 반응로(20)를 구성하는 석영관(21)은 증착기 베이스(10)의 상부에 기밀하게 결합될 수 있는 직경을 가지는 하단 결합부(22)와, 이 하단 결합부(22)에서 상부로 연장형성되며 직경이 작은 반응실부(23) 및 그 하단 결합부(22)의 일측 상단부와 반응실부(23)의 상단 일측벽 사이에 연결되는 화합물 소스가스 통로관(24)으로 구성된다.
즉, 하단 결합부(22)는 기존 증착기 베이스(10)의 상부에 기밀하게 결합할 수 있도록 기존 증착장치의 석영관의 직경과 같은 직경으로 형성함과 아울러 반응실부(23)는 그 내부에 형성되는 증착반응공간(S)내에 로딩된 보트(50)와의 간격을 줄여 웨이퍼(W)에 대한 화합물 소스가스의 접촉이 원활하게 이루어질 수 있도록 그 직경을 작게 형성한 것이다.
상기 화합물 소스가스 통로관(24)는 석영재로서 하단 결합부(22)의 일측 상단부와 반응부실(23)의 상단 일측벽에 각각 통공(22a, 23a)을 천공하여 그 상, 하단을 통공(23a, 22a)에 연통되게 융착고정하는 것이다.
상기 화합물 소스가스 주입기(30)는 화합물 소스가스 통로관(24)내에 삽입되며 그 하단은 화합물 소스가스 공급관(11)에 연결되도록 증착기베이스(10)의 내측벽에 고정되며, 상단은 화합물 소스가스 통로관(24)의 상단부에 임하도록 설치된다.
본 실시예에서는 화합물 소스가스 통로관(24)의 상단이 연결되는 통공(23a)이 로딩된 보트(50)의 상단높이와 대략 동일한 높이에 천공되어 주입기(30)에서 분출되는 화합물 소스가스가 보트(50)의 상단과 같은 높이에서 분출되도록 한 것이다.
상기 개폐판(40)은 램(41)에 의하여 승강되면서 증착기 베이스(10)의 하단 개구부를 개폐하는 것이며, 램(41)의 상단에는 보트(50)를 지지하는 보트받침판(42)이 설치되어 있다.
상기 보트(50)는 상기 램(41)의 보트받침판(42)의 상면에 안착되는 보트지지대(51)위에 안착되는 것으로 다수개(통상 100개)의 웨이퍼(W)가 일정 간격으로 탑재될 수 있도록 구성되는 것이다.
상기 가열수단(60)는 반응로(20)를 구성하는 석영관(21)의 측벽을 둘러싸는 형태로 설치되는 것으로 석영관(21) 전체를 충분히 감쌀 수 있는 정도로 배치된다.
이와 같이 구성된 본 고안에 의한 저압 화학 증기 증착장치에 의해 웨이퍼(W)에 화합물 박막을 증착하는 과정을 설명한다.
먼저, 제2도에 도시한 바와 같이 램(41)을 가동시켜 웨이퍼(W)가 탑재된 보트(50)를 반응로(20)의 증착반응공간(S)내로 삽입하고 개폐판(40)을 닫은 다음, 상기 증착반응공간(S)을 반응로 가열수단(60)에 의하여 가열하여 공정적온을 유지하도록 함과 아울러 증착에 적합한 진공도를 유지하도록 한 상태에서 증착하고자 하는 박막종류에 대응하는 화합물 소스가스를 화합물 소스가스 공급관(11)을 통하여 주입하면 석영관(21)의 상단에서 보트(50)에 탑재되어 있는 웨이퍼(W)들과 접촉하면서 하강하여 배출관(12)측으로 배출되며, 이러한 순환과정에서 화합물 소스가스가 열분해 및 반응하여 웨이퍼(W)상에 원하는 박막으로서 증착된다.
이러한 증착과정에서 생성되는 반응생성물은 진공장치(도시되지 않음)의 흡입력에 의해 반응로(20)의 석영관(21)의 상단부에서 화살표 방향으로 회류하여 석영관(21)의 하단에서 이에 연통된 배출관(12)으로 배출된다.
이때, 화합물 소스가스 공급관(11)을 통하여 주입된 화합물 소스가스는 석영관(21)의 하단 결합부(22)와 반응실부(23)사이에 연결된 화합물 소스가스 통로관(24)내에 삽입된 주입기(30)를 통하여 상승되며, 이 상승과정에서 가열수단(60)에 의해 충분히 예열됨과 아울러 충분히 혼합되어 최상단에 위치한 웨이퍼(W)에 대하여도 안정된 박막이 증착되며, 이에 따라 파티클 등의 오염이 발생되지 않게 되고, 이 화합물 소스가스가 상부에서 하부로 하강유동하면서 각 웨이퍼(W)에 접촉하게 되어 증착반응공간(S)의 상부와 하부등 전 영역에 있어서의 열효율이 균일하게 되어 웨이퍼(W)를 탑재하여 공정을 진행시킬 수 있는 영역이 확대되며 도핑이 균일하게 이루어져 균일한 막질과 두께를 얻을 수 있으면서도 박막증착 온도를 낮출 수 있으며 박막의 성장속도를 향상시킬 수 있어 공정시간을 20%이상 단축시킬 수 있게 되는 것이다.
또한 화합물 소스가스가 주입기(30)를 통하여 공급되는 과정에서 가열수단(60)의 열이 화합물 소스가스 통로관(24)을 사이에 두고 곧바로 전달되므로 예열효과가 향상되며, 또 증착반응공간(S)에도 단일 석영관(21)을 사이에 두고 곧바로 전열되므로 가열효과가 향상되어 반응적온으로 가열 및 유지시키는데 소요되는 전력을 절감할 수 있으며, 온도조절이 용이하게 된다.
한편, 제2도에 도시한 바와 같이 개폐판(40)을 개방하고 웨이퍼(W) 및 보트(50)를 반응로(20)로부터 분리한 상태에서 웨이퍼(W)의 자연산화를 방지하기 위하여 불활성 가스인 N2가스를 흘려넣는 과정에서 N2가스를 공급관(11)을 통하여 주입하면 화합물 소스가스를 주입하는 과정에서와 마찬가지로 석영관(21)의 하단 결합부(22)와 반응부실(23)을 연결하는 화합물 소스가스 통로관(24)내에 삽입설치된 주입기(30)을 통하여 석영관(21)의 상단으로 상승한 다음 석영관(21)의 내부 증착반응공간(S)을 통하여 하부로 하강유동하여 그 하단에서 배출구(12)로 배출되므로 개방된 하부측으로부터 산소가 유입되지 못하게 되어 웨이퍼(W)위에 불필요한 산화막이 형성되지 않게 되고 이에 따라 불량율을 크게 줄일 수 있게 되는 것이다.
또한 저압 화학 증기 증착공정주에는 HTO(Hogh Temperture Oxide Deposition)공정과 같이 박막의 두께 균일도(Uniformity)가 보트와 석영관과의 거리에 민감하게 의존하는 공정이 있는 바, 본 고안에서는 증착반응공간(S)을 한정하는 반응실부(23)의 직경을 작게 형성하여 반응실부(23)의 내벽과 보트(50)사이의 거리를 작게 하였으므로 화합물 소스가스가 보트(50)에 탑재된 웨이퍼(W) 전체에 대하여 균일하게 접촉되어 박막의 두께 균일도를 개선할 수 있게 되는 등 HTO공정과 같이 두께 균일도가 까다로운 공정에 특히 유리하게 되는 것이다.
제3도 및 제4도는 본 고안의 다른 실시예를 도시하는 것으로, 제3도는 증착공정 진행상태 종단면도이고, 제4도는 보트 분리상태 종단면도이다.
이에 도시한 바와 같이 본 실시예에서는 화합물 소스가스 통로관(24)의 상단이 연결되는 통공(23a)의 높이를 증착반응공간(S)내에 로딩되는 보트(50)의 상단높이 보다 높은 위치에 천공함으로써 주입기(30)를 통하여 주입된 화합물 소스가스가 보트(50)의 상단보다 높은 위치로부터 하강하면서 웨이퍼(W)와의 접촉이 더욱 원활하게 이루어지도록 한 것이다. 본 실시예에서 여타 구성 및 작용효과는 상술한 실시예에서와 동일하므로 동일부분에 대하여는 동일부호를 부여하고 구체적인 설명은 생략한다.
제5도 및 제6도는 각각 본 고안에 사용되는 주입기(30)의 변형예를 보인 것으로, 여기서는 상술한 실시예에서 주입관(30)의 하단이 절곡형성된 관계로 화합물 소스가스 통로관(24)내에 삽입하거나 분리하는 작업이 번거롭게 되는 것을 감안하여 상기 주입기(30)를 화합물 소스가스 공급관(11)에 연결되는 수평부(31a)와 이 수평부(31a)의 내측단에서 상부로 절곡형성된 짧은 수직부(3b)를 가지고 도입관(31)과 이 도입관(31)의 수직부(31b)에 내측 또는 외측으로 끼워지며 통로관(24)에 삽입되어 그 상단이 통로관(24)의 상부에 이르는 직선형 공급관(32)으로 분리 제작함으로써 주입기(30)을 조립하거나 보수유지를 위해 분리하는 작업을 간편하게 할 수 있도록 한 것이다.
이상과 같이 본 고안에 의하면 특성이 우수한 화합물 박막을 증착할 수 있으며, 이에 따라 반도체 소자의 고집적화에 이바지할 수 있고, 또한 내,외부석영관의 세정 및 교체등 설비의 유지, 보수를 간편하게 할 수 있으며, 생산비를 절감할 수 있고, 대량생산에 매우 유리하게 적용할 수 있게 되는 것이다. 또한 주입기를 도입관과 수직형 공급관으로 분리구성함으로써 주입기의 설치 및 분리작업을 간편하게 수행할 수 있게 되는 것이다. 또 증착반응공간을 한정하는 반응실부의 직경을 작게 형성하여 반응부실의 내벽과 웨이퍼가 탑재된 보트간의 거리를 근소하게 할 수 있어 두께 균일도를 요하는 HTO공정에 특히 적합하게 되는 것이다.
또한 본 고안은 상술한 실시예들로서만 국한되는 것은 아니며 본 고안의 사상 및 범위내에서 다양한 변형이 가능한 것이다.

Claims (4)

  1. 화합물 소스가스 공급관(11)와 배출관(12)을 가지는 증착기 베이스(10)와, 이 증착기 베이스(10)상에 기밀하게 결합되어 내부에 증착반응공간(S)을 가지는 석영관(21)으로 된 반응로(20)와, 상기 증착기 베이스(10)의 하단을 개폐하는 개폐판(40)과, 상기 증착 반응공간(S)내에 로딩되는 보트(50)와, 상기 반응로(20)의 주위에 설치되는 가열수단(60)으로 되는 것에 있어서, 상기 반응로(20)를 구성하는 석영관(21)을 증착기 베이스(10)의 상부에 기밀하게 결합될 수 있는 직경으로 되는 하단 결합부(22)와 이 하단 결합부(22)의 상부에서 일체로 연장형성되며 직경이 작은 반응실부(23) 및 그 하단 결합부(22)의 일측 상단부와 반응실부(23)의 상단 일측벽 사이에 연결되는 화합물 소스가스 통로관(24)으로 구성하고, 상기 화합물 소스가스 통로관(24)내에는 하단이 상기 화합물 소스가스 공급관(11)에 연결되고 상단이 통로관(24)의 상부측에 임하는 주입기(30)를 구비하여서 됨을 특징으로 하는 저압 화학 증기 증착장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 주입기(30)를 화합물 소스가스 공급관(11)에 연결되는 수평부(31a)와 이 수평부(31a)의 내측단에서 상부로 절곡형성된 짧은 수직부(3b)를 가지는 도입관(31)과 이 도입관(31)의 수직부(31b)에 끼워지며 통로관(24)에 삽입되어 그 상단이 통로관(24)의 상부에 이르는 직선형 공급관(32)으로 분리구성하여서 됨을 특징으로 하는 저압 화학 증기 증착장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 도입관(31)의 수직부(31b)가 수직형 공급관(32)의 하단에 내측으로 끼워짐을 특징으로 하는 저압 화학 증기 증착장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 도입관(31)의 수직부(31b)가 수직형 공급관(32)의 하단에 외측으로 끼워짐을 특징으로 하는 저압 화학 증기 증착장치.
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